JP4609349B2 - 発光装置、及び発光装置の製造方法 - Google Patents
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有機EL装置の製造工程においては、一般的に発光素子の異常発光や発光欠陥等を検査するための検査工程が設けられている。ここで、発光素子の異常発光や発光欠陥等の機能不良が発生する場合、発光素子の異常な温度変化が起こることが知られている。そのため、この検査工程においては、発光光が有する熱を利用することにより、有機EL装置の異常発光や発光欠陥の検査が行われている。
例えば、特許文献1には、マトリクス状に配設された走査線と信号線の交点位置に、有機EL素子が配列されており、これらの有機EL素子に例えば熱電対を利用した温度検出器がそれぞれ対応して設けられた表示パネルが開示されている。
即ち、熱電対は、有機EL素子から温度を計測する制御ユニットまで形成するため、熱電対自身の熱容量が、温度センサとしての応答速度や正確な温度モニタに影響を与えるおそれがあった。
また、熱電対又は温度センサを有機EL素子毎に設ける場合には、温度計測用の回路を作製する必要があり、発光装置の回路構成が複雑化するという問題があった。
さらに、電流値に基づいた温度検出方法の場合、予め全ての素子が同一の構成を有することを前提として、この構成の素子の電流値をデータ化(代表値)して温度計測を行う。そのため、形成される有機EL素子の構成にばらつきがあった場合、これに伴い有機EL素子を流れる電流にもばらつきが生じるため、この要素も含んで温度計測が行われてしまうという問題があった。
なお、本発明においては、検査部のラマン散乱光に基づいて検査部の温度を計測することになるが、検査部は発光素子に対応して(近接して)設けられるため、検査部の温度は発光素子の温度と近似することができる。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、本実施形態の有機EL装置は、発光層で発光した光を基板側から取り出すボトムエミッション方式である。
図1は、本実施形態の有機EL装置100の配線構造の等価回路図であり、図2は、有機EL装置100の平面図である。
図1に示すように、本実施形態の有機EL装置100(発光装置)は、複数の走査線101と、走査線101に対して交差する方向に延びる複数の信号線102と、信号線102に並列に延びる複数の電源線103とがそれぞれ配線された回路構成を有すると共に、走査線101及び信号線102の各交点付近に、画素(サブ画素P)が設けられている。
また、実表示領域4の図2中両側には、走査線駆動回路80、80が配置されている。この走査線駆動回路80、80は、ダミー領域5の下層側に位置して設けられている。
cm−1〜−500cm−1の範囲のストークスとアンチストークスとを有するラマン散乱光を放出する半導体材料が用いられる。また、半導体材料としては、シリコンが好適に用いられる。
次に、本実施形態に係る有機EL装置100の製造方法について図3(a)、(b)を参照して説明する。なお、以下の説明においては、有機EL素子30の形成工程については、公知の方法が採用されるため省略し、検査部12の形成工程、有機EL素子30の温度計測工程(点灯検査工程)についてのみ詳細に説明する。
まず、TFT等を形成した基板10上にシリコンからなる検査部12を形成する。具体的には、基板10上にCVD法等によりシリコンを成膜し、フォトリソグラフィー処理によりシリコンを所定形状にパターニングして検査部12を形成する。なお、この検出部形成工程は高温プロセスを経るため、有機EL素子30を形成する前に行う。このようにして、各画素の有機EL素子30と平面視で重ならない位置、つまり非発光領域に検査部12を形成する。
次に、サブ画素P毎に設けられた検査部12に基づいて有機EL素子30の温度を計測する。本実施形態において検査部12の温度の計測はラマン分光装置を用いて行う。
なお、検査部12は有機EL素子30に近接した位置に形成されるため、検査部12の温度を有機EL素子30の温度と近似することができる。
図4に示すように、ラマン分光装置50は、レーザ光L1を出射する光源34と、検査部12が形成された有機EL装置100を載置するステージ40と、レーザ光L1の照射により検査部12から放出されるラマン散乱光を検出する検出部44とを有する。またラマン分光装置50は、光源34から出射されるレーザ光L1の光軸上に、レーザ光L1の所定波長成分のみを通過させるフィルタ36と、レーザ光L1の波長成分のみを反射させると共に、検査部12から放出されるラマン散乱光L2を透過させるノッチフィルタ38とを有する。さらに、ステージ40と検出部44との間に、上記ノッチフィルタ38と、所定波長のラマン分散のみを分光させるプリズム42とを有する。
このようにして、ステージ40又は光源34を行方向及び列方向に走査し、各有機EL素子30の温度を計測する。そして、計測する有機EL素子30の検査が終了した後、有機EL素子30の欠陥数に基づいて有機EL装置100が不良品であるか否かを判断する。
この方法によれば、計測した温度値に基づいた補正値を走査線駆動回路等にフィードバックすることにより、発光ムラを擬似的に有機EL装置100の均一な発光を実現することができる。
さらに、本実施形態における検査部12は、有機EL素子30よりも小さく設けられるため、検査部12自身の熱容量を小さくすることができ、対応する有機EL素子30の温度を高精度に検出することが可能となる。
次に、本実施形態について図面を参照して説明する。
上記実施形態では、有機EL素子30に隣接させて検査部12を形成していた。これに対し、本実施形態では、有機EL素子30を構成する陰極18上に検査部12を形成する点において上記第1実施形態と異なる。なお、その他の有機EL装置100の構成は、上記第1実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
次に、本実施形態について図面を参照して説明する。
上記第1実施形態では、有機EL素子30と一定の間隔を空けて検査部12を形成していた。これに対し、本実施形態では、検査部12の一部を有機EL素子30を構成する陽極14に接触させて形成する点において上記第1実施形態と異なる。なお、その他の有機EL装置100の構成は、上記第1実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
上記第3実施形態では、検査部12となるシリコン膜20を陽極14の下層に形成した。これに代えて、TFTの半導体層の形成時に、TFTの半導体層と同一の材料からなる検出部を形成することも可能である。このとき、検出部は、TFTの半導体層と同層に一定の間隔を空けて形成し、有機EL素子30と平面視で重ならない位置に形成する。
次に、本発明の電子機器の一例について説明する。
図7は、上述した有機EL装置を備えた携帯電話(電子機器)を示した斜視図である。図7に示すように、携帯電話機600は、ヒンジ122を中心として折り畳み可能な第1ボディ106aと第2ボディ106bとを備えている。そして、第1ボディ106aには、有機EL装置601と、複数の操作ボタン127と、受話口124と、アンテナ126とが設けられている。また、第2ボディ106bには、送話口128が設けられている。
例えば、上記実施形態では、全ての画素毎に検出部を形成していたが、任意の画素にのみ検出部を形成しても良い。この場合には、任意の画素に対してのみ有機EL素子の温度を計測すれば良い。
また、有機EL装置の駆動方式としては、パッシッブマトリクス方式でも良いし、アクティブマトリクス方式でも良い。
また、上記実施形態では、陰極を平面視円形状にパターニングしたが、これに限定されることはなく、有機層上の全面に連続して形成しても良い。
Claims (9)
- 基板と、前記基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられた第2電極と、前記第1電極と前記有機層と前記第2電極とを有する発光素子とを備える発光装置であって、
前記基板上の前記発光素子には、半導体材料からなり、レーザ光の照射により前記発光素子から伝熱される熱に基づいたラマン散乱光を放出する検査部が設けられたことを特徴とする発光装置。 - 前記検査部が、前記発光素子と平面視で重ならない位置に、前記発光素子と一定の間隔を空けて設けられたことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記検査部が、絶縁層を介して前記第2電極上に設けられたことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1電極が、前記有機層及び前記第2電極の端部よりも延出した第1延出部を有し、
前記第1電極の前記第1延出部の下層には半導体層が設けられ、
前記半導体層の一部が、前記第1延出部の端部から突出する第2突出部を有し、
前記半導体層の前記第2突出部が前記検出部であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記基板と前記発光素子との間には、半導体層を有するスイッチング素子が設けられ、前記半導体層と同層、かつ、前記発光素子と平面視で重ならない位置に前記検出部が設けられたことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記半導体材料がシリコンであることを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記半導体材料が、1000cm−1〜−1000cm−1の範囲内のストークスとアンチストークスと有するラマン散乱光を放出することを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項に記載の発光装置。
- 基板と、前記基板上に設けられた第1電極と、前記第1電極上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けれた第2電極と、前記第1電極と前記有機層と前記第2電極とを有する発光素子とを備える発光装置の製造方法であって、
前記基板上の前記発光素子に、半導体材料からなる検査部を形成する検査部形成工程と、
前記検査部にレーザ光を照射し、前記検査部から放出されるラマン散乱光のストークスとアンチストークスとに基づいて、前記発光素子の温度を計測する温度計測工程と、
を有ことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記温度計測工程において計測した温度と、予め設定した正常な前記発光素子の基準温度とに基づいて補正値を算出し、前記補正値に基づいて、前記発光素子に接続される駆動回路に供給する駆動信号を補正する工程を有することを特徴とする請求項8に記載の発光装置の製造方法。
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JP2004219933A (ja) * | 2003-01-17 | 2004-08-05 | Seiko Epson Corp | 電気光学パネル、電気光学パネルの駆動方法、電気光学装置、および電子機器 |
JP2004530284A (ja) * | 2001-06-19 | 2004-09-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | El装置の漏洩検査を行う方法及び装置。 |
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