JP2007242578A - 発光装置、及び発光装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高精度かつ簡易に有機ＥＬ素子の温度を計測することが可能な発光装置及び発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられた第１電極１４と、第１電極１４上に設けられた有機層１６と、有機層１６上に設けられた第２電極１８と、第１電極１４と有機層１６と第２電極１８とを有する発光素子３０とを備える発光装置であって、基板１０上の発光素子３０には、半導体材料からなり、レーザ光の照射により発光素子から伝熱される熱に基づいたラマン散乱光を放出する検査部１２が設けられている。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光装置、及び発光装置の製造方法に関する。

近年、電界発光を利用した有機ＥＬ装置は、自己発光のため視認性が高く、薄くて軽い、かつ耐衝撃性に優れるなどの優れた特徴を有することから広く注目されている。
有機ＥＬ装置の製造工程においては、一般的に発光素子の異常発光や発光欠陥等を検査するための検査工程が設けられている。ここで、発光素子の異常発光や発光欠陥等の機能不良が発生する場合、発光素子の異常な温度変化が起こることが知られている。そのため、この検査工程においては、発光光が有する熱を利用することにより、有機ＥＬ装置の異常発光や発光欠陥の検査が行われている。

発光時における有機ＥＬ装置の温度検査工程の手法として、有機ＥＬ装置の発光による熱を有機ＥＬ装置の外界から検出し、有機ＥＬ装置の表面温度を計測する方法が知られている。しかし、この手法では、有機ＥＬ装置を構成する外形全体の温度情報となり、有機ＥＬ装置を構成する内部「有機ＥＬ素子」の温度情報を得ることは困難であった。有機ＥＬ素子の異常部位の発見には、有機ＥＬ装置内部を構成する有機ＥＬ素子自体の発光時の温度変化を検出することが重要となってくる。

そこで、有機ＥＬ装置内部の発光素子の温度を直接検出する方法が提案されている。
例えば、特許文献１には、マトリクス状に配設された走査線と信号線の交点位置に、有機ＥＬ素子が配列されており、これらの有機ＥＬ素子に例えば熱電対を利用した温度検出器がそれぞれ対応して設けられた表示パネルが開示されている。

また、特許文献２には、有機ＥＬパネルの周囲温度を検出するために有機ＥＬパネル上に設置された半導体温度センサ等による温度センサと、温度センサから出力される温度に応じたレベルを有する信号をディジタルデータである温度データに変換して制御部に出力するＡ−Ｄ変換器とを備える有機ＥＬ装置が開示されている。
特開２００２−１７５０４６号公報 特開２００５−３１６１３９号公報

しかしながら、上記特許文献１及び２に開示される有機ＥＬ素子の温度検出方法では以下に示す問題があった。
即ち、熱電対は、有機ＥＬ素子から温度を計測する制御ユニットまで形成するため、熱電対自身の熱容量が、温度センサとしての応答速度や正確な温度モニタに影響を与えるおそれがあった。
また、熱電対又は温度センサを有機ＥＬ素子毎に設ける場合には、温度計測用の回路を作製する必要があり、発光装置の回路構成が複雑化するという問題があった。
さらに、電流値に基づいた温度検出方法の場合、予め全ての素子が同一の構成を有することを前提として、この構成の素子の電流値をデータ化（代表値）して温度計測を行う。そのため、形成される有機ＥＬ素子の構成にばらつきがあった場合、これに伴い有機ＥＬ素子を流れる電流にもばらつきが生じるため、この要素も含んで温度計測が行われてしまうという問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高精度かつ簡易に有機ＥＬ素子の温度を計測することが可能な発光装置及び発光装置の製造方法を提供することにある。

本発明は、上記課題を解決するために、基板と、前記基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられた第２電極と、前記第１電極と前記有機層と前記第２電極とを有する発光素子とを備える発光装置であって、前記基板上の前記発光素子には、半導体材料からなり、レーザ光の照射により前記発光素子から伝熱される熱に基づいたラマン散乱光を放出する検査部が設けられたことを特徴とする。

この構成によれば、発光素子に半導体材料からなる検査部が設けられるため、レーザ光が照射されると、検査部から半導体材料に基づいたラマン散乱光が放出される。このラマン散乱光は、半導体材料に基づいた固有のストークスとアンチストークスとを有し、半導体材料の温度によりストークスとアンチストークスとの強度比が異なる。従って、このラマン散乱光を計測することにより検査部の温度を計測することが可能となる。これにより、発光素子の駆動時における異常を検出することができ、表示装置の不良部位を特定することができる。また、発光素子の温度の計測にラマン分光法を採用することにより、従来のように温度計測用の回路を作製する必要がなく、発光装置の製造工程の簡略化を図ることができる。
なお、本発明においては、検査部のラマン散乱光に基づいて検査部の温度を計測することになるが、検査部は発光素子に対応して（近接して）設けられるため、検査部の温度は発光素子の温度と近似することができる。

また本発明の発光装置は、前記検査部が前記発光素子と平面視で重ならない位置に、前記発光素子と一定の間隔を空けて設けられたことも好ましい。

この構成によれば、検査部は発光素子と平面視で重ならない位置に設けられるため、レーザ光は有機ＥＬ素子に照射されることはない。従って、レーザ光の照射による発光素子の劣化を防止しつつ、ラマン分光法により発光素子の温度を計測することができる。

また本発明の発光装置は、前記検査部が絶縁層を介して前記第２電極上に設けられたことも好ましい。

この構成によれば、検査部が絶縁層を介して第２電極上に設けられるため、発光素子に近接した位置に検査部を設けることができ、機能層の発光による熱の熱伝導率が封止ガスなどを介する場合と比較して高い。従って、高精度に発光素子の温度を計測することができる。

また本発明の発光装置は、前記第１電極が、前記有機層及び前記第２電極の端部よりも延出した第１延出部を有し、前記第１電極の前記第１延出部の下層には半導体層が設けられ、前記半導体層の一部が、前記第１延出部の端部から突出する第２突出部を有し、前記半導体層の前記第２突出部が前記検出部であることも好ましい。

この構成によれば、半導体層からなる検出部が発光素子の第１電極に接触しているため、発光素子からの熱が第１電極を介して効率的に検出部に伝熱される。これにより、高精度に発光素子の温度を計測することができる。

また本発明の発光装置は、前記基板と前記発光素子との間には、半導体層を有するスイッチング素子が設けられ、前記半導体層と同層、かつ、前記発光素子と平面視で重ならない位置に前記検出部が設けられたことも好ましい。

この構成によれば、スイッチング素子の形成と同一の工程により、検出部を形成することができる。これにより、製造工程の簡略化を図ることができ、全体として低コスト化を図ることができる。

また本発明の発光装置は、前記半導体材料がシリコンであることも好ましい。

この構成によれば、検出部がシリコンからなるため強度に強く劣化し難い。従って、ラマン分光法により、同一の画素の検査を複数回行うことも可能となる。

また本発明の発光装置は、前記半導体材料が１０００ｃｍ^−１〜−１０００ｃｍ^−１の範囲内のストークスとアンチストークスと有するラマン散乱光を放出することも好ましい。

この構成によれば、検出部の半導体材料に上記範囲内の材料を用いるため、例えば検出部にレーザ光を照射した場合に、強度が強いストークス及びアンチストークスが放出される。このラマン散乱光に基づいて、発光素子の温度を容易に計測することができる。

本発明の発光装置の製造方法は、基板と、前記基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けれた第２電極と、前記第１電極と前記有機層と前記第２電極とを有する発光素子とを備える発光装置の製造方法であって、前記基板上の前記発光素子に、半導体材料からなる検査部を形成する検査部形成工程と、前記検査部にレーザ光を照射し、前記検査部から放出されるラマン散乱光のストークスとアンチストークスとに基づいて、前記発光素子の温度を計測する温度計測工程と、を有ことを特徴とする。

この方法によれば、発光素子に半導体材料からなる検査部を設けるため、レーザ光を照射すると、検査部は半導体材料に基づいたストークスとアンチストークスを放出する。従って、このラマン散乱光により発光素子の温度を計測することができる。これにより、発光素子の駆動時における異常を検出することができ、表示装置の不良部位を特定することができる。

また本発明の発光装置の製造方法は、前記温度計測工程において計測した温度と、予め設定した正常な前記発光素子の基準温度とに基づいて補正値を算出し、前記補正値に基づいて、前記発光素子に接続される駆動回路に供給する駆動信号を補正する工程を有することも好ましい。

この方法によれば、計測した温度値に基づいた補正値を走査線駆動回路等にフィードバックすることにより、発光ムラを擬似的に発光装置の均一な発光を実現することができる。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。
なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、発光層で発光した光を基板側から取り出すボトムエミッション方式である。

（有機ＥＬ装置）
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の配線構造の等価回路図であり、図２は、有機ＥＬ装置１００の平面図である。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１００（発光装置）は、複数の走査線１０１と、走査線１０１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とがそれぞれ配線された回路構成を有すると共に、走査線１０１及び信号線１０２の各交点付近に、画素（サブ画素Ｐ）が設けられている。

信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチ等を備えるデータ側駆動回路１２０が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査側駆動回路８０が接続されている。

サブ画素Ｐの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２と、このスイッチング用の薄膜トランジスタ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量（ｃａｐ）と、該保持容量（ｃａｐ）によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用の薄膜トランジスタ１２３と、この駆動用薄膜トランジスタ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに当該電源線１０３から駆動電流が与えられる陽極１４（第１電極）と、この陽極１４と陰極１８（第２電極）との間に挟み込まれた有機層１６とが設けられている。

図２に示すように、基板１０上の実表示領域４には、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）に対応して設けられたサブ画素Ｐがマトリクス状に規則的に配置されている。表示領域ＲＧＢは一つの基本単位となって表示単位画素を構成しており、これによって該表示単位画素は、ＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下層側に位置して設けられている。

図３（ａ）は有機ＥＬ装置１００の画素の概略構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置１００の１サブ画素Ｐを要部を示す拡大断面図である。なお、図２（ａ）、（ｂ）においては、ＴＦＴ素子等は省略している。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、ガラス等からなる透明な基板１０上には、マトリクス状に配列されたＩＴＯからなる陽極１４が形成されている。陽極１４上には、複数の機能層が積層された有機層１６が形成されている。有機層１６は、基板１０側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層等がこの順番で積層されて構成されている。有機層１６上には陰極１８が形成されている。この陰極１８は、カルシウム（Ｃａ）層とアルミニウム（Ａｌ）層とが基板１０側からこの順に積層されて構成され、平面視円形状にパターニングされている。なお、パターニングされた各陰極１８のそれぞれには、基板１０間の上下導通を図るための上下導通線（図示省略）が形成される。

本実施形態において有機ＥＬ素子３０は、陽極１４と、陰極１８と、陽極１４と陰極１８との間の有機層１６とから構成されている。そして、緑色、青色、及び赤色の有機ＥＬ素子３０により画像表示単位となるサブ画素Ｐが構成されており、３個のサブ画素Ｐから構成される１個の画素が、図１及び図３（ａ）に示すように、マトリクス状に配列されている。

陰極１８上には、陰極表面を覆うようにして封止部３２が設けられている。封止部３２は、封止樹脂と、封止樹脂上に配置される封止基板とを有し、水又は酸素の侵入を防いで、陰極１８及び有機層１６の酸化を防止することができるようになっている。

図３（ａ）、（ｂ）に示すように、マトリクス状に配列されたサブ画素Ｐのそれぞれには、有機ＥＬ素子３０の温度を検出するための検査部１２が設けられている。検査部１２は、有機ＥＬ素子３０の外形よりも小さい平面視円形状の薄膜からなり、有機ＥＬ素子３０と平面視で重ならない位置に、有機ＥＬ素子３０と一定の間隔を空けて形成されている。つまり、検査部１２は、発光に寄与しない非発光領域に設けられている。また、各画素に形成される検査部１２は、図３（ａ）に示すように、行方向及び列方向に等間隔に配置されており、全ての画素における有機ＥＬ素子３０と検査部１２との間隔が等しくなっている。なお、検査部１２の形状は円形状に限定されることはなく、レーザ光Ｌ１の照射範囲を確保することができれば種々の形状を採用することができる。

検査部１２の構成する薄膜の材料としては、所定波長のレーザ光Ｌ１を照射すると、１０００ｃｍ^−１〜−１０００ｃｍ^−１の範囲のストークスとアンチストークスとを有するラマン散乱光を放出する半導体材料が好適に用いられる。より好ましくは、５００
ｃｍ^−１〜−５００ｃｍ^−１の範囲のストークスとアンチストークスとを有するラマン散乱光を放出する半導体材料が用いられる。また、半導体材料としては、シリコンが好適に用いられる。

また、より具体的な検査部１２を形成する位置としては、有機ＥＬ素子３０を区画する有機物からなるバンクを非発光領域に形成する場合には、このバンクの上面に形成することが好ましい。さらに、バンクを設けない場合には、有機ＥＬ素子３０，３０間の非発光領域に形成する絶縁層上に形成しても良い。

（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の製造方法について図３（ａ）、（ｂ）を参照して説明する。なお、以下の説明においては、有機ＥＬ素子３０の形成工程については、公知の方法が採用されるため省略し、検査部１２の形成工程、有機ＥＬ素子３０の温度計測工程（点灯検査工程）についてのみ詳細に説明する。

（検出部形成工程）
まず、ＴＦＴ等を形成した基板１０上にシリコンからなる検査部１２を形成する。具体的には、基板１０上にＣＶＤ法等によりシリコンを成膜し、フォトリソグラフィー処理によりシリコンを所定形状にパターニングして検査部１２を形成する。なお、この検出部形成工程は高温プロセスを経るため、有機ＥＬ素子３０を形成する前に行う。このようにして、各画素の有機ＥＬ素子３０と平面視で重ならない位置、つまり非発光領域に検査部１２を形成する。

（温度計測工程）
次に、サブ画素Ｐ毎に設けられた検査部１２に基づいて有機ＥＬ素子３０の温度を計測する。本実施形態において検査部１２の温度の計測はラマン分光装置を用いて行う。
なお、検査部１２は有機ＥＬ素子３０に近接した位置に形成されるため、検査部１２の温度を有機ＥＬ素子３０の温度と近似することができる。

ここで、ラマン分光装置５０の概略構成について図４を参照して説明する。
図４に示すように、ラマン分光装置５０は、レーザ光Ｌ１を出射する光源３４と、検査部１２が形成された有機ＥＬ装置１００を載置するステージ４０と、レーザ光Ｌ１の照射により検査部１２から放出されるラマン散乱光を検出する検出部４４とを有する。またラマン分光装置５０は、光源３４から出射されるレーザ光Ｌ１の光軸上に、レーザ光Ｌ１の所定波長成分のみを通過させるフィルタ３６と、レーザ光Ｌ１の波長成分のみを反射させると共に、検査部１２から放出されるラマン散乱光Ｌ２を透過させるノッチフィルタ３８とを有する。さらに、ステージ４０と検出部４４との間に、上記ノッチフィルタ３８と、所定波長のラマン分散のみを分光させるプリズム４２とを有する。

まず、ラマン分光装置５０に設けられたステージ４０上に、上述した検査部１２を有する有機ＥＬ装置１００を配置する。このとき、有機ＥＬ装置１００の基板１０を下側にして配置しても良いし、基板１０とは反対側の陰極１８を下側にして配置しても良い。

次に、光源３４からアルゴンレーザ光Ｌ１を出射する。そして、フィルタ３６及びノッチフィルタ３８を介してステージ４０上に載置された有機ＥＬ装置１００の検査部１２に上記レーザ光Ｌ１を照射する。半導体材料からなる検査部１２にレーザ光Ｌ１が照射されると、検査部１２から１０００ｃｍ^−１〜−１０００ｃｍ^−１の範囲のストークスとアンチストークスとを有するラマン散乱光Ｌ２が放出される。

検出部４４は、有機ＥＬ装置１００の検査部１２から放出されるストークスとアンチストークスとを、ノッチフィルタ３８及び合成プリズム４２を介して検出する。そして、検出部４４は、検出したストークスとアンチストークスとの強度比に基づいて、有機ＥＬ装置１００の検査部１２（有機ＥＬ素子３０）の温度を計測する。

ここで、検出部４４はメモリを有しており、このメモリには予め設定した基準となる有機ＥＬ素子３０の温度値が記憶されている。この基準温度値は、正常に発光している有機ＥＬ素子３０の温度が基準となる。

検査部１２の温度を計測した後、検出部４４は、メモリに記憶されている基準温度値（正常時の温度）を読み出し、計測温度値と基準温度値とを比較する。そして、検出部４４は、計測温度値と基準温度値との温度差が予め設定した閾値を越えるか、又は閾値以下であるかを判断する。これにより、閾値を越える場合には計測した有機ＥＬ素子３０が異常発光していると判断する。一方、閾値以下である場合には有機ＥＬ素子３０が正常であると判断する。

次に、上記サブ画素Ｐに隣接するサブ画素Ｐの位置までステージ４０又は光源３４を移動させ、上述した方法と同様の方法により有機ＥＬ素子３０の温度を計測する。
このようにして、ステージ４０又は光源３４を行方向及び列方向に走査し、各有機ＥＬ素子３０の温度を計測する。そして、計測する有機ＥＬ素子３０の検査が終了した後、有機ＥＬ素子３０の欠陥数に基づいて有機ＥＬ装置１００が不良品であるか否かを判断する。

ここで、各有機ＥＬ素子３０の温度を計測した後、計測した温度が基準温度値の閾値を超える場合には、基準温度値に基づいて補正値を算出し、この補正値に基づいて、検出部４４に接続される走査線駆動回路やデータ線駆動回路に供給する信号（電流又は電圧の値）を可変（補正）することも可能である。
この方法によれば、計測した温度値に基づいた補正値を走査線駆動回路等にフィードバックすることにより、発光ムラを擬似的に有機ＥＬ装置１００の均一な発光を実現することができる。

本実施形態によれば、有機ＥＬ素子３０に半導体材料からなる検査部１２が設けられるため、レーザ光Ｌ１が照射されると、検査部１２から半導体材料に基づいたラマン散乱光が放出される。従って、このストークスとアンチストークスとの強度比を計測することにより検査部１２の温度を計測することが可能となる。これにより、有機ＥＬ素子３０の駆動時における異常を検出することができ、有機ＥＬ装置１００の不良部位を特定することができる。また、有機ＥＬ素子３０の温度の計測にラマン分光法を採用することにより、従来のように温度計測用の回路を作製する必要がなく、発光装置の製造工程の簡略化を図ることができる。また、有機ＥＬ素子３０の温度を非接触で形成することができるため、有機ＥＬ素子３０の劣化を防止することができる。

また本実施形態によれば、検査部１２は有機ＥＬ素子３０と平面視で重ならない位置に設けられるため、レーザ光Ｌ１は有機ＥＬ素子３０に照射されることはない。従って、レーザ光Ｌ１の照射による有機ＥＬ素子３０の劣化を防止しつつ、ラマン分光法により有機ＥＬ素子３０の温度を計測することができる。

また本実施形態によれば、１０００ｃｍ^−１〜−１０００ｃｍ^−１の範囲、好ましくは５００ｃｍ^−１〜−５００ｃｍ^−１の範囲のラマン散乱光を放射する半導体材料により検査部１２を形成するため、ラマン分光装置５０により検出可能なラマン散乱光を放出させることができる。これにより、放出されるラマン散乱光に基づいて、容易に有機ＥＬ素子３０の温度を計測することができる。

また本実施形態によれば、検出部がシリコンからなるため強度に強く劣化し難い。従って、ラマン分光法による同一の画素の検査を複数回行うことも可能となる。

また、検査部１２と有機ＥＬ素子３０との間隔が、全ての画素において等間隔となっているため、有機ＥＬ素子３０から発熱する熱が全ての画素の検査部１２において均一に伝熱され、高精度な温度測定が可能となる。
さらに、本実施形態における検査部１２は、有機ＥＬ素子３０よりも小さく設けられるため、検査部１２自身の熱容量を小さくすることができ、対応する有機ＥＬ素子３０の温度を高精度に検出することが可能となる。

［第２の実施の形態］
次に、本実施形態について図面を参照して説明する。
上記実施形態では、有機ＥＬ素子３０に隣接させて検査部１２を形成していた。これに対し、本実施形態では、有機ＥＬ素子３０を構成する陰極１８上に検査部１２を形成する点において上記第１実施形態と異なる。なお、その他の有機ＥＬ装置１００の構成は、上記第１実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図５（ａ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の画素の概略構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置１００の１サブ画素を要部を示す拡大断面図である。

図５（ａ）、（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子３０表面の全体を覆うようにして絶縁膜２８が形成されている。この絶縁保護膜２８（絶縁膜）は、シリコン膜を成膜時の高温状態から有機ＥＬ素子３０を保護するための膜として機能する。従って、絶縁保護膜２８の膜厚としては、例えば１から５μｍであることが好ましい。絶縁層上には、有機ＥＬ素子３０の温度を検出するための検査部１２が形成されている。検査部１２は、例えば陰極１８の外形寸法よりも一回り小さい平面視円形状からなり、有機ＥＬ素子３０の平面視略中央部に配置されている。

本実施形態によれば、検査部１２が絶縁保護膜２８を介して陰極１８上に設けられるため、有機ＥＬ素子３０に近接した位置に検査部１２が設けられる。そのため、有機層１６の発光による熱の熱伝導率は封止ガスを介する場合と比較して高くなる。従って、高精度に有機ＥＬ素子３０の温度を計測することができる。

［第３の実施の形態］
次に、本実施形態について図面を参照して説明する。
上記第１実施形態では、有機ＥＬ素子３０と一定の間隔を空けて検査部１２を形成していた。これに対し、本実施形態では、検査部１２の一部を有機ＥＬ素子３０を構成する陽極１４に接触させて形成する点において上記第１実施形態と異なる。なお、その他の有機ＥＬ装置１００の構成は、上記第１実施形態と同様であるため、共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

図６（ａ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００の概略構成を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置１００の１画素を要部を示す拡大断面図である。

図６（ａ）、（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子３０を構成する陽極１４は、有機層１６及び陰極１８の周縁部（端部）よりも延出した延出部１４ａ（第１延出部）を有する。陽極１４の延出部１４ａの下層には、陽極１４の下面に接触すると共に、有機層１６及び陰極１８と平面視で重ならないようにしてシリコン膜２０（半導体層）が形成されている。シリコン膜２０は、陰極１８の延出部１４ａの周縁部から延出した延出部２０ａ（第２延出部）を有する。本実施形態においては、このシリコン膜２０の延出部２０ａがレーザ光が照射され、ラマン分散光が放出される検査部１２となっている。

本実施形態によれば、検査部１２の一部が陽極１４に接触して設けられるため、有機層１６の発光による熱が陽極１４、シリコン膜２０、及び封止ガスを介して検査部１２に伝熱される。従って、有機層１６の発光による熱を高い熱伝導率で検査部１２に伝熱させることができ、高精度に有機ＥＬ素子３０の温度を計測することができる。また、シリコン膜２０は、有機ＥＬ素子３０の有機層１６及び陰極１８と平面的に重ならないように形成されている。これにより、基板１０側から発光光を取り出す際に、シリコン膜２０によって発光光が遮光されないようになっている。

［第３の実施の形態の変形例］
上記第３実施形態では、検査部１２となるシリコン膜２０を陽極１４の下層に形成した。これに代えて、ＴＦＴの半導体層の形成時に、ＴＦＴの半導体層と同一の材料からなる検出部を形成することも可能である。このとき、検出部は、ＴＦＴの半導体層と同層に一定の間隔を空けて形成し、有機ＥＬ素子３０と平面視で重ならない位置に形成する。

本実施形態によれば、ＴＦＴの製造プロセスと同一工程によりシリコンからなる検出部を形成するため、製造工程の簡略化を図ることができる。

［電子機器］
次に、本発明の電子機器の一例について説明する。
図７は、上述した有機ＥＬ装置を備えた携帯電話（電子機器）を示した斜視図である。図７に示すように、携帯電話機６００は、ヒンジ１２２を中心として折り畳み可能な第１ボディ１０６ａと第２ボディ１０６ｂとを備えている。そして、第１ボディ１０６ａには、有機ＥＬ装置６０１と、複数の操作ボタン１２７と、受話口１２４と、アンテナ１２６とが設けられている。また、第２ボディ１０６ｂには、送話口１２８が設けられている。

なお、上述した有機ＥＬ装置は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、プロジェクタ、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置などの電子機器に適用することが可能である。

なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。
例えば、上記実施形態では、全ての画素毎に検出部を形成していたが、任意の画素にのみ検出部を形成しても良い。この場合には、任意の画素に対してのみ有機ＥＬ素子の温度を計測すれば良い。
また、有機ＥＬ装置の駆動方式としては、パッシッブマトリクス方式でも良いし、アクティブマトリクス方式でも良い。
また、上記実施形態では、陰極を平面視円形状にパターニングしたが、これに限定されることはなく、有機層上の全面に連続して形成しても良い。

本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の等価回路図である。 本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す平面図である。 第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の画素の要部拡大図である。 ラマン分光装置の構成を模式的に示す図である。 第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の画素の要部拡大図である。 第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の画素の要部拡大図である。 携帯電話の概略構成を示す斜視図である。

符号の説明

１０…基板、 １２…検査部、 １４…陽極（第１電極）、 １４ａ…延出部（第１延出部）、 １６…有機層、 １８…陰極（第２電極）、 ２０…シリコン膜（半導体層）、 ２０ａ…延出部（第２延出部）、 ２８…絶縁保護膜（絶縁層）３０…有機ＥＬ素子、 １００…有機ＥＬ装置（発光装置）

Claims (9)

1. 基板と、前記基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けられた第２電極と、前記第１電極と前記有機層と前記第２電極とを有する発光素子とを備える発光装置であって、
   前記基板上の前記発光素子には、半導体材料からなり、レーザ光の照射により前記発光素子から伝熱される熱に基づいたラマン散乱光を放出する検査部が設けられたことを特徴とする発光装置。
2. 前記検査部が、前記発光素子と平面視で重ならない位置に、前記発光素子と一定の間隔を空けて設けられたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記検査部が、絶縁層を介して前記第２電極上に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
4. 前記第１電極が、前記有機層及び前記第２電極の端部よりも延出した第１延出部を有し、
   前記第１電極の前記第１延出部の下層には半導体層が設けられ、
   前記半導体層の一部が、前記第１延出部の端部から突出する第２突出部を有し、
   前記半導体層の前記第２突出部が前記検出部であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
5. 前記基板と前記発光素子との間には、半導体層を有するスイッチング素子が設けられ、前記半導体層と同層、かつ、前記発光素子と平面視で重ならない位置に前記検出部が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
6. 前記半導体材料がシリコンであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の発光装置。
7. 前記半導体材料が、１０００ｃｍ^−１〜−１０００ｃｍ^−１の範囲内のストークスとアンチストークスと有するラマン散乱光を放出することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の発光装置。
8. 基板と、前記基板上に設けられた第１電極と、前記第１電極上に設けられた有機層と、前記有機層上に設けれた第２電極と、前記第１電極と前記有機層と前記第２電極とを有する発光素子とを備える発光装置の製造方法であって、
   前記基板上の前記発光素子に、半導体材料からなる検査部を形成する検査部形成工程と、
   前記検査部にレーザ光を照射し、前記検査部から放出されるラマン散乱光のストークスとアンチストークスとに基づいて、前記発光素子の温度を計測する温度計測工程と、
   を有ことを特徴とする発光装置の製造方法。
9. 前記温度計測工程において計測した温度と、予め設定した正常な前記発光素子の基準温度とに基づいて補正値を算出し、前記補正値に基づいて、前記発光素子に接続される駆動回路に供給する駆動信号を補正する工程を有することを特徴とする請求項８に記載の発光装置の製造方法。
   
   
   

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