JP4538304B2 - 有機エレクトロルミネセンス表示パネルおよびその製造方法 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス表示パネルおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4538304B2 JP4538304B2 JP2004349646A JP2004349646A JP4538304B2 JP 4538304 B2 JP4538304 B2 JP 4538304B2 JP 2004349646 A JP2004349646 A JP 2004349646A JP 2004349646 A JP2004349646 A JP 2004349646A JP 4538304 B2 JP4538304 B2 JP 4538304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- film
- display panel
- forming
- functional layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 70
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 41
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 12
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 6
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 siloxane compound Chemical class 0.000 description 3
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 2
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 2,4,6,8-tetramethyl-1,3,5,7,2$l^{3},4$l^{3},6$l^{3},8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)O[Si](C)O[Si](C)O1 WZJUBBHODHNQPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J silicon(4+);tetraiodide Chemical compound [Si+4].[I-].[I-].[I-].[I-] JHGCXUUFRJCMON-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Description
2 基板
3 第1表示電極
4 有機機能層
5 第2表示電極
6 封止膜
7 欠陥部
8 薄膜片
Claims (7)
- 発光層を含む有機機能層と前記有機機能層を挟持する第1及び第2表示電極とからなる有機エレクトロルミネセンス素子と、前記有機エレクトロルミネセンス素子を担持している基板と、前記有機エレクトロルミネセンス素子を封止する封止膜と、を含む有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法であって、
前記基板上に前記有機エレクトロルミネセンス素子を形成する工程と、
前記有機エレクトロルミネセンス素子に前記封止膜を形成する工程と、
前記封止膜を形成する工程後に前記有機エレクトロルミネセンス素子を熱分解性の成膜材料ガスの雰囲気の下に配置すると共に前記第1及び第2表示電極の間に電圧を印加する工程と、を含み、前記電圧を印加する工程は、前記第1及び第2表示電極の間に逆バイアス電圧を印加して欠陥部を形成する工程と前記成膜材料ガスを熱分解させて前記欠陥部に薄膜片を形成する工程とを含むことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。 - 前記電圧を印加する工程は前記有機機能層を構成する材料のガラス移転温度のうち最も低いガラス転移温度未満の温度に前記有機エレクトロルミネセンス素子を加熱する工程を含む、ことを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。
- 前記成膜材料ガスは熱分解によって酸化膜、窒化膜又は窒化酸化膜を形成することができる材料からなることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。
- 前記第1および第2表示電極間に印加される電圧はパルス電圧であることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。
- 前記第1及び第2表示電極の間に逆バイアス電圧を印加して欠陥部を形成する工程は前記第1及び第2表示電極の間に順方向バイアス電圧を印加した後に実行されることを特徴とする請求項1記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネルの製造方法。
- 発光層を含む有機機能層と前記有機機能層を挟持する第1及び第2表示電極とからなる有機エレクトロルミネセンス素子と、前記有機エレクトロルミネセンス素子を担持している基板と、前記有機エレクトロルミネセンス素子を封止する封止膜と、を含む有機エレクトロルミネセンス表示パネルであって、前記封止膜は、熱分解によって薄膜を形成することができる熱分解性の成膜材料ガスの雰囲気下で、前記第1及び第2表示電極の間に逆バイアス電圧を印加することにより形成された欠陥部を有し、
前記欠陥部には熱分解により形成された前記成膜材料ガスに由来する薄膜片が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネセンス表示パネル。 - 前記薄膜片は酸化物、窒化物又は窒化酸化物からなることを特徴とする請求項6記載の有機エレクトロルミネセンス表示パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004349646A JP4538304B2 (ja) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | 有機エレクトロルミネセンス表示パネルおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004349646A JP4538304B2 (ja) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | 有機エレクトロルミネセンス表示パネルおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006164542A JP2006164542A (ja) | 2006-06-22 |
JP4538304B2 true JP4538304B2 (ja) | 2010-09-08 |
Family
ID=36666330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004349646A Expired - Fee Related JP4538304B2 (ja) | 2004-12-02 | 2004-12-02 | 有機エレクトロルミネセンス表示パネルおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4538304B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011081966A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-04-21 | Toshiba Mobile Display Co Ltd | 有機el装置及びその製造方法 |
KR101924078B1 (ko) | 2012-03-30 | 2018-12-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 리페어 방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001291582A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Toyota Motor Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2001313168A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2002190390A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の修理方法及び作製方法 |
JP2003017262A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 絶縁材料によってel層の成膜欠陥が被覆されたel素子とその製造方法 |
JP2003217849A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
WO2005071746A1 (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Pioneer Corporation | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2004
- 2004-12-02 JP JP2004349646A patent/JP4538304B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001291582A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-10-19 | Toyota Motor Corp | 有機el素子およびその製造方法 |
JP2001313168A (ja) * | 2000-04-28 | 2001-11-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2002190390A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-07-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の修理方法及び作製方法 |
JP2003017262A (ja) * | 2001-07-04 | 2003-01-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 絶縁材料によってel層の成膜欠陥が被覆されたel素子とその製造方法 |
JP2003217849A (ja) * | 2002-01-29 | 2003-07-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
WO2005071746A1 (ja) * | 2004-01-21 | 2005-08-04 | Pioneer Corporation | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006164542A (ja) | 2006-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7381415B2 (ja) | 密封封止分離oledピクセル | |
US20190312232A1 (en) | Light emitting device and manufacturing method thereof | |
US7431628B2 (en) | Method of manufacturing flat panel display device, flat panel display device, and panel of flat panel display device | |
TWI557893B (zh) | 有機發光二極體顯示器及其製造方法 | |
JP4994441B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス(el)素子及びその製造方法 | |
US8070546B2 (en) | Laser irradiation apparatus for bonding and method of manufacturing display device using the same | |
JPH10275680A (ja) | 有機el素子 | |
JP2007220648A (ja) | 平板表示装置とその製造装置及び製造方法 | |
JP2005510851A (ja) | 有機発光ダイオード(oled) | |
JP2006510170A (ja) | パッシベーション用途のための低温プロセス | |
JP5023598B2 (ja) | 有機elパネルおよびその製造方法 | |
JP5579177B2 (ja) | カプセル封入されたオプトエレクトロニクスデバイスおよびカプセル封入されたオプトエレクトロニクスデバイスの製造方法 | |
JP4708360B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示装置及びその製造方法 | |
WO2006077767A1 (ja) | 有機el素子の製造方法およびこれにより得られた有機el素子 | |
KR101292297B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
US7012368B2 (en) | Organic electro luminescence device having multilayer cathode | |
JP4538304B2 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示パネルおよびその製造方法 | |
JP2007059094A (ja) | 有機elディスプレイ及び有機elディスプレイの製造方法 | |
JP2005203321A (ja) | 保護膜および有機el素子 | |
KR101814241B1 (ko) | 유기 el 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP6220208B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法 | |
JP4467876B2 (ja) | 発光装置 | |
JPWO2005069696A1 (ja) | 保護膜および有機el素子 | |
JP2007080600A (ja) | 有機el素子および発光装置 | |
JP2011029108A (ja) | 有機el素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071108 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100413 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100528 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100615 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100621 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4538304 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |