CN113066834B - 显示装置、显示面板及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本公开是关于一种显示装置、显示面板及其制造方法，涉及显示技术领域。该显示面板包括衬底、驱动层、阻隔结构和发光层，衬底具有显示区、过渡区和阻隔区；驱动层设于衬底一侧面且位于显示区内；驱动层包括器件层、走线层和第一保护层，走线层位于器件层背离衬底的一侧，第一保护层覆盖走线层和器件层；阻隔结构与驱动层设于衬底的同一侧面且位于阻隔区；阻隔结构包括支撑层、阻隔层和第二保护层，阻隔层位于支撑层背离衬底的一侧，且与走线层为同一膜层的不同区域；阻隔层的侧壁设有阻隔槽；第二保护层设于阻隔层背离衬底的表面；第二保护层和第一保护层为同一保护层的不同区域；发光层覆盖驱动层和阻隔结构，且至少在阻隔槽处间断设置。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示装置、显示面板及显示面板的制造方法。
背景技术
目前，OLED(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板获得了广泛的应用。其中，封装效果的好坏直接决定着OLED显示面板的寿命和显示效果，但现有OLED显示面板的封装效果仍有待提升，容易出现发光器件失效等问题，不利于延长使用寿命，影响显示效果。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供一种显示装置、显示面板及其制造方法，可提升封装效果，降低失效风险。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，包括：
衬底，具有显示区、过渡区和阻隔区，所述阻隔区位于所述显示区以外，所述过渡区分隔于所述显示区和所述阻隔区之间；
驱动层，设于所述衬底一侧面，且位于所述显示区内；所述驱动层包括器件层、走线层和第一保护层，所述走线层位于所述器件层背离所述衬底的一侧，所述第一保护层覆盖所述走线层和所述器件层；
阻隔结构，与所述驱动层设于所述衬底的同一侧面，且位于所述阻隔区，并围绕所述驱动层；所述阻隔结构包括支撑层、阻隔层和第二保护层，所述阻隔层位于所述支撑层背离所述衬底的一侧，且与所述走线层为同一膜层的不同区域；所述阻隔层的侧壁设有围绕所述驱动层的阻隔槽；所述第二保护层设于所述阻隔层背离所述衬底的表面；所述第二保护层和所述第一保护层为同一保护层的不同区域；
发光层，覆盖所述驱动层和所述阻隔结构，且至少在所述阻隔槽处间断设置。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阻隔层靠近所述驱动层的侧壁和背离所述驱动层的侧壁均设有所述阻隔槽；
所述走线层和所述阻隔层均包括向背离所述衬底的方向依次层叠的第一金属层、第二金属层和第三金属层；
所述第一金属层和所述第三金属层的材料相同，且与所述第二金属层的材料不同；
在所述阻隔层中，所述第二金属层在所述衬底上的正投影的边界位于所述第一金属层和所述第三金属层在所述衬底上的正投影的边界以内，以形成所述阻隔槽。
在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑层包括：
第一绝缘层，设于所述衬底一侧；
第一导电层，设于所述第一绝缘层背离所述衬底的表面；
第二绝缘层，覆盖所述第一导电层背离所述衬底的表面；
所述阻隔层设于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑层还包括：
第三绝缘层，覆盖所述第二绝缘层背离所述衬底的表面；
所述阻隔层设于所述第三绝缘层背离所述衬底的一侧。
在本公开的一种示例性实施例中，所述支撑层还包括：
第二导电层，设于所述第三绝缘层背离所述衬底的表面；
第四绝缘层，覆盖所述第二导电层背离所述衬底的表面；
所述阻隔层设于所述第四绝缘层背离所述衬底的表面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阻隔结构还包括：
第一隔垫层，设于所述第二保护层背离所述衬底的表面；
第二隔垫层，设于所述第一隔垫层背离所述衬底的表面。
在本公开的一种示例性实施例中，所述器件层包括：
有源层，设于所述衬底一侧面；
第一栅绝缘层，覆盖所述有源层；所述第一栅绝缘层与所述第一绝缘层为同一膜层的不同区域；
栅极，设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面，且所述栅极在所述衬底上的正投影至少部分与所述有源层重合；所述栅极与所述第一导电层为同一膜层的不同区域；
第二栅绝缘层，覆盖所述栅极和所述第一栅绝缘层；所述第二栅绝缘层与所述第二绝缘层为同一膜层的不同区域；
层间介质层，覆盖所述第二栅绝缘层；所述层间介质层与所述第三绝缘层为同一膜层的不同区域；
源漏层，设于所述层间介质层背离所述衬底的表面，且包括与所述有源层连接的源极和漏极；所述源漏层与所述第二导电层为同一膜层的不同区域；
第一平坦层，覆盖所述源漏层和所述层间介质层；
钝化层，覆盖所述第一平坦层；所述钝化层和所述第四绝缘层为同一膜层的不同区域；
所述走线层设于所述钝化层背离所述衬底的表面，且与所述源漏层连接；
所述驱动层还包括：
第二平坦层，覆盖所述第一保护层；
所述发光层包括：
第一电极，设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面，且与所述走线层连接；所述第一电极与所述第一隔垫层为同一膜层的不同区域；
像素定义层，设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面，且露出所述第一电极；所述像素定义层与所述第二隔垫层为同一膜层的不同区域；
发光功能层，覆盖所述像素定义层、所述第一电极和所述第二隔垫层，且至少在所述阻隔槽处间断设置；
第二电极，覆盖所述发光功能层，且至少在所述阻隔槽处间断设置。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一栅绝缘层和所述第一绝缘层所处的膜层覆盖所述过渡区；所述第二栅绝缘层和所述第二绝缘层所处的膜层覆盖所述过渡区。
在本公开的一种示例性实施例中，所述保护层的材料包括氮化硅和氧化硅中至少一种。
在本公开的一种示例性实施例中，所述保护层的厚度不小于0.1μm，且不大于0.2μm。
根据本公开的一个方面，提供一种显示面板的制造方法，包括：
提供一衬底，所述衬底具有显示区、过渡区和阻隔区，所述阻隔区位于所述显示区以外，所述过渡区分隔于所述显示区和所述阻隔区之间；
在所述衬底一侧面形成位于所述显示区的器件层和位于所述阻隔区的支撑层；
通过一次构图工艺在所述器件层背离所述衬底的一侧形成走线层，并在所述支撑层背离所述衬底的一侧形成阻隔层；
形成覆盖所述走线层和所述阻隔层的保护层，所述保护层覆盖所述支撑层和所述阻隔层的侧壁；
在所述保护层背离所述衬底的一侧形成位于所述显示区的第一电极；
去除所述保护层位于所述支撑层和所述阻隔层侧壁上的区域，以得到第一保护层和第二保护层，所述第一保护层覆盖所述走线层和所述器件层，所述第二保护层设于所述阻隔层背离所述衬底的表面；
在所述阻隔层的侧壁形成围绕所述器件层的阻隔槽；
在所述第一保护层背离所述衬底的一侧形成露出所述第一电极的像素定义层；
形成覆盖所述像素定义层和所述第一电极的发光功能层，所述发光功能层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述阻隔区；所述发光功能层至少在所述阻隔槽处间断设置；
形成覆盖所述发光功能层的第二电极，所述第二电极至少在所述阻隔槽处间断设置。
在本公开的一种示例性实施例中，通过一次构图工艺在所述器件层背离所述衬底的一侧形成走线层，并在所述支撑层背离所述衬底的一侧形成阻隔层；包括：
在所述器件层背离所述衬底的一侧和所述支撑层背离所述衬底的一侧形成第一金属层；
在所述第一金属层背离所述衬底的表面形成第二金属层；所述第二金属层的材料与所述第一金属层的材料不同；
在所述第二金属层背离所述衬底的表面形成第三金属层；所述第三金属层和所述第一金属层的材料相同；
对所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层进行图案化，形成位于所述器件层背离所述衬底的表面的走线层和位于所述支撑层背离所述衬底的一侧的阻隔层；
在所述阻隔层的侧壁形成围绕所述器件层的阻隔槽；包括：
通过湿法刻蚀工艺对所述阻隔层的侧壁进行刻蚀，使所述阻隔层的所述第二金属层在所述衬底上的正投影的边界位于所述第一金属层和所述第三金属层在所述衬底上的正投影的边界以内，以形成所述阻隔槽。
在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：
在所述第二保护层背离所述衬底的表面形成第一隔垫层；
在所述第一隔垫层背离所述衬底的表面形成第二隔垫层。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一隔垫层和所述第一电极通过一次构图工艺形成；所述第二隔垫层与所述像素定义层通过一次构图工艺形成。
根据本公开的一个方面，提供一种显示装置，包括上述任意一项所述的显示面板。
本公开一种显示装置、显示面板及其制造方法，由于阻隔结构围绕于驱动层外，且阻隔结构的阻隔层的侧壁设有阻隔槽，在形成发光层时，其无法形成于阻隔槽的内部，从而可保证发光层至少在阻隔槽处断开，从而切断水、氧沿发光层侵入显示面板中对应于显示区的区域的路径，从而防止因侵蚀而导致发光层失效，保障显示效果。同时，在形成第一电极前，可通过保护层对阻隔层和走线层进行覆盖，防止阻隔层和走线层被破坏，避免影响阻隔槽的形成，从而确保阻隔槽能使发光功能层和第二电极断开，防止水、氧沿发光功能层和第二电极向显示区侵蚀，使封装效果得以提升。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开显示面板一实施方式的示意图。
图2为本公开显示面板一实施方式的电镜图。
图3为本公开制造方法一实施方式的流程图。
图4为本公开显示面板一实施方式中步骤S130的流程图。
图5为本公开制造方法另一实施方式的流程图。
图6为对应于本公开制造方法一实施方式的步骤S120的示意图。
图7为对应于本公开制造方法一实施方式的步骤S130的示意图。
图8为对应于本公开制造方法一实施方式的步骤S150的示意图。
图9为对应于本公开制造方法一实施方式的步骤S160的示意图。
附图标记说明：
1、衬底；101、显示区；102、过渡区；103、阻隔区；
2、驱动层；21、器件层；210、有源层；211、第一栅绝缘层；212、栅极；213、第二栅绝缘层；214、层间介质层；215、源漏层；215S、源极；215D、漏极；216、第一平坦层；217、钝化层；218、引线层；22、走线层；23、第一保护层；24、第二平坦层；
3、阻隔结构；31、支撑层；311、第一绝缘层；312、第一导电层；313、第二绝缘层；314、第三绝缘层；315、第二导电层；316、第四绝缘层；32、阻隔层；321、阻隔槽；33、第二保护层；34、第一隔垫层；35、第二隔垫层；
4、发光层；41、第一电极；42、像素定义层；43、发光功能层；44、第二电极；
100、保护层；
001、第一金属层；002、第二金属层；003、第三金属层。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
本公开实施方式提供了一种显示面板，该显示面板可以是OLED显示面板，如图1和图2所示，该显示面板可包括衬底1、驱动层2、阻隔结构3和发光层4，其中：
衬底1具有显示区101、过渡区102和阻隔区103，阻隔区103位于显示区101以外，过渡区102分隔于显示区101和阻隔区103之间；
驱动层2设于衬底1一侧面，且位于显示区101内；驱动层2包括器件层21、走线层22和第一保护层23，走线层22位于器件层21背离衬底1的一侧；第一保护层23覆盖走线层22和器件层21。
阻隔结构3与驱动层2设于衬底1的同一侧面，且位于阻隔区103，并围绕驱动层2；阻隔结构3包括支撑层31、阻隔层32和第二保护层33，阻隔层32位于支撑层31背离衬底1的一侧，且与走线层22为同一膜层的不同区域；阻隔层32的侧壁设有围绕驱动层2的阻隔槽321；第二保护层33设于阻隔层32背离衬底1的表面；第二保护层33和第一保护层23为同一保护层100的不同区域。
发光层4覆盖驱动层2和阻隔结构3，且至少在阻隔槽321处间断设置。
本公开实施方式的显示面板，在形成发光层4时，其无法形成于阻隔槽321的内部，从而可保证发光层4至少在阻隔槽321处断开，从而切断水、氧沿发光层4侵入显示面板中对应显示区101的区域的路径，从而防止因侵蚀而导致发光层4失效，保障显示效果。
下面对本公开显示面板进行详细说明：
如图1所示，衬底1可起承载作用，其可以是单层或多层结构，以多层结构为例，衬底1可包括基底层和形成于基底层上的缓冲层，基底层的材料可包括玻璃等硬质材料，也可以包括聚酰亚胺等柔性材料；缓冲层可为单层或多层结构，其材料可包括氮化硅、氧化硅等，例如，缓冲层可包括氮化硅层和氧化硅层，氮化硅层的厚度可为0.3μm-0.7μm，氧化硅层的厚度为1μm-1.2μm。
衬底1可划分为多个区域，其中包括显示区101、过渡区102和阻隔区103，过渡区102位于显示区101外，阻隔区103位于过渡区102外，可通过过渡区102将显示区101与阻隔区103分隔开。进一步的，显示区101和阻隔区103可通过过渡区102连接。在显示面板中，对应于显示区101的区域可用于发光。
如图1所示，驱动层2设于衬底1一侧面，且位于显示区101内，即驱动层2在衬底1上的正投影位于显示区101内。驱动层2可用于驱动发光层4发光，以便显示图像。具体而言，驱动层2可包括器件层21、走线层22和第一保护层23，走线层22位于器件层21背离衬底1的一侧，第一保护层23覆盖走线层22和器件层21，其中：
器件层21设于衬底1一侧面，且位于显示区101内，显示区101可包括发光区和围绕发光区的边缘区，器件层21可包括驱动电路，驱动电路可包括位于发光区内的像素电路和位于边缘区内的边缘电路，边缘电路可包括与像素电路连接的栅极驱动电路和发光控制电路等，通过驱动电路可驱动发光层4发光。驱动电路可包括多个晶体管和电容等元件，以一个顶栅型薄膜晶体管为例，如图1和图6所示，器件层21可包括有源层210、第一栅绝缘层211、栅极212、第二栅绝缘层213、层间介质层214、源漏层215、第一平坦层216和钝化层217，其中：
有源层210设于衬底1一侧面，且位于显示区101，其材料可以是多晶硅、非晶硅，还可以是金属氧化物，在此不做特殊限定。举例而言：可在衬底1一侧面形成非晶硅(α-Si)层，其厚度可为0.05μm；对非晶硅层进行去氢工艺后，可对非晶硅层进行晶化，将非晶硅层转化为多晶硅层，例如，在300℃-350℃的温度下，通过准分子激光晶化(ELA)将非晶硅转化为多晶硅，去氢后的非晶硅在准分子激光晶化时不易发生氢爆现象。随后，可使用数字曝光机或者掩膜形成硅岛掩膜，而后进行干刻，得到硅岛，例如，可使用四氟化氢(CF4)和氧气(O2)进行干法刻蚀，并对硅岛掩膜进行湿法剥离形成硅岛图案，得到有源层210。然后，可对有源层210的电容区进行离子注入，使其导体化，掺杂时可采用磷烷或者硼烷进行离子注入。
第一栅绝缘层211覆盖有源层210。第一栅绝缘层211可为单层或多层结构，例如，第一栅绝缘层211可包括氧化硅层和氮化硅层，氧化硅层的厚度可为0.03μm-0.06μm，氮化硅层的厚度可为0.05μm-0.09μm。
栅极212设于第一栅绝缘层211背离衬底1的表面，且栅极212在衬底1上的正投影至少部分与有源层210重合。栅极212的材料可为金属，举例而言，栅极212的材料可为钼，其厚度可为0.25μm-0.3μm。可使用数字曝光机或者掩膜形成栅掩膜，随后，可使用四氟化硫(SF6)和氧气进行干法刻蚀，还可采用四氟化碳(CF4)和氧气干刻混合气体进行，四氟化碳的流量可为2000sccm-2500sccm，氧气的流量1000sccm-1500sccm，干刻后，可使用栅极自对准工艺对用于与源极和漏极接触的有源层210进行掺杂，使其导体化，掺杂过程，可使用磷烷或者硼烷；然后，湿法剥离去除栅掩膜，再进行退火，以修复受离子掺杂损伤的有源层210和第一栅绝缘层211，退火温度可为500℃-600℃。
第二栅绝缘层213覆盖栅极212和第一栅绝缘层211。层间介质层214覆盖第二栅绝缘层213，层间介质层214可为单层或多层结构，以多层结构为例，其可包括氮化硅层和氧化硅层，氧化硅层的厚度可为0.2μm-0.5μm，氮化硅层的厚度可为0.2μm-0.3μm。
源漏层215设于层间介质层214背离衬底1的表面，且包括与有源层210连接的源极215S和漏极215D，源极215S和漏极215D从栅极212的两侧，通过过孔与有源层210连接。在形成层间介质层214后，可通过干法刻蚀工艺在层间介质层214上开设过孔，以便将源漏层215与有源层210连接。源漏层215可为单层或多层结构，以多层结构为例，源漏层215可包括两层钛金属层和位于两层钛金属层之间的铝金属层，钛金属层的厚度可为300nm-600nm，铝金属层的厚度可为6000nm-6500nm，当然，也可以采用其它金属。在形成源漏层215时，可使用数字曝光机或者掩膜形成源漏掩膜，使用三氯化硼(BCl3)和氯气(Cl2)对进行刻蚀。
第一平坦层216覆盖源漏层215和层间介质层214，第一平坦层216的材料可包括透明的树脂或其它材料，并可依次使用涂覆、曝光、显影和烘烤工艺形成，第一平坦层216的厚度可为1.5μm-2μm。
钝化层217覆盖第一平坦层216，钝化层217的材料可包括氮化硅，可通过干法刻蚀形成钝化层217的图案，钝化层217的厚度可为0.1μm-0.2μm。
此外，器件层21还可包括引线层218，其可设于第二栅绝缘层213背离衬底1的表面，且被层间介质层214覆盖，引线层218的部分区域可与源漏层215连接。
走线层22设于器件层21背离衬底1的表面，且与源漏层215连接例如，设于钝化层217背离衬底1的表面。走线层22与源漏层215的材料相同，且走线层22可为多层结构，走线层22可包括向背离衬底1的方向依次层叠的第一金属层001、第二金属层002和第三金属层003，其中，第一金属层001和第三金属层003的材料相同，且与第二金属层002的材料不同。在走线层22中，第一金属层001、第二金属层002和第三金属层003在衬底1上的正投影的边界重合，第一金属层001的厚度可与第二金属层002相同。举例而言：
第一金属层001和第三金属层003的材料可为钛，第二金属层002的材料可为铝，第一金属层001和第三金属层003的厚度相同，且可为300nm-600nm，第二金属层002的厚度可为6000nm-6500nm。形成走线层22的方式可参考形成源漏层215的方式，在此不再详述。为了对走线层22和阻隔层32进行保护，可形成覆盖走线层22和阻隔层32的保护层100，再形成发光层4。
如图1所示，第一保护层23覆盖走线层22，且覆盖器件层21未被走线层22覆盖的表面。第一保护层23在衬底1上的正投影覆盖显示区101，但与过渡区102无重合区域。第一保护层23的材料可包括氮化硅和氧化硅中至少一种，且第一保护层23的厚度不小于0.1μm，且不大于0.2μm。
此外，如图1所示，本公开的显示面板还可包括第二平坦层24，第二平坦层24覆盖第一保护层23，且第二平坦层24在衬底1的正投影位于显示区101内。
如图1所示，阻隔结构3与驱动层2设于衬底1的同一侧面，且位于阻隔区103，并围绕驱动层2。例如，阻隔结构3可为环形凸棱结构，且围绕驱动层2设置，用于阻断发光层4；或者，驱动层2的部分边界与显示面板的边界重合，此时，阻隔结构3还可以是半圆等半封闭的凸棱结构，至少围绕驱动层2的一部分。同时，阻隔结构3可包括支撑层31、阻隔层32和第二保护层33，其中：
支撑层31用于支撑阻隔层32，提高阻隔层32的高度，以便增大发光层4的爬坡难度，便于使发光层4在阻隔结构3的侧壁断开，切断水、氧侵蚀的路径。
在本公开的一些实施方式中，如图1所示，支撑层31可包括第一绝缘层311、第一导电层312和第二绝缘层313，其中：
第一绝缘层311设于衬底1一侧。第一绝缘层311可与第一栅绝缘层211同层设置，即第一绝缘层311与第一绝缘层311是同一膜层的不同区域，从而可同时形成，以便简化工艺。同时，第一绝缘层311可与第一栅绝缘层211所在的膜层在衬底1上的正投影覆盖过渡区102，从而在过渡区102连续。
第一导电层312设于第一绝缘层311背离衬底1的表面，第一导电层312与栅极212同层设置，即第一导电层312与栅极212是同一膜层的不同区域，从而可同时形成，以便简化工艺。同时，第一导电层312与栅极212互不连接，第一导电层312可使第一绝缘层311在对应于第一导电层312的区域凸起，从而有利于提高支撑层31的高度，进而有利于提高整个阻隔结构3的高度，提升发光层4的爬坡难度，使发光层4更容易在阻隔结构3的侧壁断开，从而切断水、氧侵蚀的路径。
第二绝缘层313覆盖第一导电层312背离衬底1的表面。第二栅绝缘层213与第二绝缘层313同层设置，即二者为同一膜层的不同区域，从而可同时形成，以便简化工艺。同时，第二绝缘层313与第二栅绝缘层213所在的膜层在衬底1上的正投影覆盖过渡区102，从而在过渡区102连续。
进一步的，如图1所示，支撑层31还可包括第三绝缘层314，第三绝缘层314覆盖第二绝缘层313背离衬底1的表面。层间介质层214与第三绝缘层314同层设置，即二者为同一膜层的不同区域。同时，层间介质层214和第三绝缘层314所处的膜层可在对应于过渡区102的区域断开，也就是说，层间介质层214和第三绝缘层314所处的膜层在衬底1上的正投影不覆盖过渡区102。
进一步的，如图1和图6所示，支撑层31还包括第二导电层315和第四绝缘层316，其中：
第二导电层315设于第三绝缘层314背离衬底1的表面。第二导电层315与源漏层215同层设置，即第二导电层315与源漏层215是同一膜层的不同区域，且与源漏层215互不连接，从而可同时形成，以便简化工艺。
第四绝缘层316覆盖第二导电层315背离衬底1的表面，第四绝缘层316与钝化层217同层设置，即二者是似乎同一膜层的不同区域。同时，第四绝缘层316与钝化层217可在对应于过渡区102的区域断开，即第四绝缘层316和钝化层217所处膜层在衬底1上的正投影不覆盖过渡区102，用便于将驱动层2和阻隔结构3分隔开。
第二导电层315可使第四绝缘层316在对应于第二导电层315的区域凸起，从而有利于提高支撑层31的高度，进而有利于提高整个阻隔结构3的高度，提升发光层4的爬坡难度，使发光层4更容易在阻隔结构3的侧壁断开，从而切断水、氧侵蚀的路径。
如图1所示，阻隔层32位于支撑层31背离衬底1的一侧，例如，阻隔层32设于第四绝缘层316背离衬底1的表面。阻隔层32的侧壁设有围绕驱动层2的阻隔槽321。进一步的，阻隔层32靠近驱动层2的侧壁和背离驱动层2的侧壁均设有阻隔槽321，当然，也可在阻隔层32靠近驱动层2的侧壁和背离驱动层2的侧壁中任一个设置阻隔槽321。在形成发光层4时，发光层4的材料无法形成在阻隔槽321内，从而可确保发光层4至少在阻隔槽321处间断，切断水、氧侵蚀的路径。
如图1和图7所示，阻隔层32与驱动层2的走线层22同层设置，即与走线层22处于同一膜层的不同区域，相应的，在本公开的一些实施方式中，阻隔层32可包括向背离衬底1的方向依次层叠的第一金属层001、第二金属层002和第三金属层003，其中：
第一金属层001和第三金属层003的材料相同，且与第二金属层002的材料不同。例如，第一金属层001和第三金属层003的材料可为钛，第二金属层002的材料可为铝。第一金属层001和第三金属层003在衬底1上的正投影的边界重合；第二金属层002在衬底1上的正投影的边界位于第一金属层001和第三金属层003在衬底1上的正投影的边界以内，使得第二金属层002的边沿相对于第一金属层001和第二金属层002的边沿内缩，使其截面呈“工”字形，也就是说，第一金属层001和第三金属层003的边沿位于第二金属层002以外，但不塌陷，从而形成阻隔槽321。进一步的，为了确保阻隔槽321内不会形成发光层4的基础上，避免第三金属层003塌陷，可使阻隔槽321的深度L为0.5μm-0.65μm，该深度L即为第三金属层003伸出第二金属层002的长度。
如图1和图8所示，第二保护层33覆盖于阻隔层32背离衬底1的表面，第二保护层33与第一保护层23同层设置，即二者为同一膜层的不同区域，该膜层为保护层100。相应的，第二保护层33的厚度和材料与第一保护层23相同，在此不再详述。
需要说明的是，如图1、图8和图9所示，保护层100可用于保护走线层22和阻隔层32，防止形成第二平坦层24时的显影液和形成第一电极41时的刻蚀液对走线层22和阻隔层32造成损坏，确保阻隔槽321的结构稳定。在形成走线层22和阻隔层32后，可通过保护层100对二者进行覆盖，且保护层100在过渡区102的范围内，覆盖驱动层2的侧壁、支撑层31的侧壁和阻隔层32的侧壁，在形成第一电极41后，可将过渡区102内的保护层100去除，得到第一保护层23和第二保护层33，将支撑层31的侧壁和阻隔层32的侧壁露出，再在阻隔层32的侧壁形成阻隔槽321。
为了提升阻挡效果，在本公开的一些实施方式中，阻隔结构3可以有多个，且向背离驱动层2的方向依次间隔分布，且均围绕于驱动层2外，但相邻两阻隔结构3的大小不同。同时，本公开的阻隔结构3可适用于各种形状的显示面板，例如，矩形、圆形、椭圆形等，只要能围绕在驱动层2外，并阻断发光层3即可。
发光层4覆盖驱动层2和阻隔结构3，且至少在阻隔槽321处间断设置，也就是说，由于发光层4无法形成在阻隔槽321内，从而因阻隔结构3的存在而断开，但由于支撑层31、阻隔层32、第二保护层33以及上述第一隔垫层34和第二隔垫层35的具有一定的高度，增大了在阻隔结构3的侧壁上形成发光层4的难度，使得发光层4不仅不会形成在阻隔槽321内，甚至不会形成在阻隔槽321所在的侧壁上，最大程度的切断水、氧侵蚀的路径。
在本公开的一些实施方式中，如图1所示，发光层4可包括多个发光器件，该发光器件可为OLED，以一个发光器件为例，发光层4可包括第一电极41、像素定义层42、发光功能层43和第二电极44，其中：
第一电极41设于第二平坦层24背离衬底1的表面，且与走线层22连接。第一电极41作为OLED阳极，其可以是单层或多层结构，例如，第一电极41可包括向背离衬底1的方向依次层叠的第一透明导电层、导电金属层和第二透明导电层，其中，第一透明导电层和第二透明导电层的材料相同，可采用氧化铟锡(ITO)或其它透明导电材料，导电金属层可采用金属银等材料。
像素定义层42设于第二平坦层24背离衬底1的表面，且露出第一电极41。例如，像素定义层42设有开口，开口露出第一电极41，且开口在衬底1上的正投影位于第一电极41在衬底1上的正投影的范围以内。举例而言，像素定义层42的材料可包括树脂，其厚度可为1.4μm-1.8μm，可依次通过涂覆、曝光、显影、烘烤工艺形成。
为了对走线层22和阻隔层32进行保护，可形成覆盖走线层22和阻隔层32的保护层100，在形成走线层22和阻隔层32以后，形成第一电极41之前，通过保护层100对走线层22和阻隔层32进行保护，防止形成第二平坦层24时的显影液和形成第一电极41时的刻蚀液对走线层22和阻隔层32造成损坏。保护层100覆盖走线层22和阻隔层32，第二平坦层24和第一隔垫层34位于保护层100背离衬底1的表面。
如图1所示，为了进一步确保发光层4被阻隔结构3切断，并简化工艺，可利用第一电极41和像素定义层42的形成工艺增大阻隔结构3的高度，举例而言，在本公开的一些实施方式中，阻隔结构3还可包括第一隔垫层34和第二隔垫层35，其中：
第一隔垫层34可设于第二保护层33背离衬底1的表面，第一电极41与第一隔垫层34同层设置，即二者为同一膜层的不同区域。但第一隔垫层34与第一电极41所处膜层在衬底1上的正投影不覆盖过渡区102。
第二隔垫层35设于第一隔垫层34背离衬底1的表面，像素定义层42与第二隔垫层35同层设置，即二者为同一膜层的不同区域，但第二隔垫层35与像素定义层42所处膜层在衬底1上的正投影不覆盖过渡区102，使得隔垫层与像素定义层42在过渡区102断开，便于断开发光层4。
可通过第一隔垫层34和第二隔垫层35进一步提高阻隔结构3的高度，防止发光层4在阻隔结构3的侧壁连续。
如图1所示，发光功能层43可包括有机发光材料，其可覆盖像素定义层42、第一电极41和第二隔垫层35，且至少在阻隔槽321处间断设置，使水、氧侵入的路径断开。举例而言，发光功能层43可包括向背离衬底1的方向依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层，各个膜层均在阻隔槽321处断开。
如图1所示，第二电极44覆盖发光功能层43，且至少在阻隔槽321处间断设置；封装层覆盖第二电极44。第二电极44可以是单层或多层结构，其材料可包括金属、金属氧化物等，在此不做特殊限定。各发光器件可共用第二电极44，即第二电极44可为覆盖发光功能层43的膜层，同时作为各个发光器件的阴极。由于阻隔槽321的存在，第二电极44在阻隔槽321处断开，避免第二电极44作为水、氧侵蚀的路径。在形成发光功能层43前，可通过保护层100对阻隔层32和走线层22进行覆盖，防止阻隔层32和走线层22被破坏，避免影响阻隔槽321的形成，从而确保阻隔槽321能使发光功能层43和第二电极44断开，防止水、氧沿发光功能层43和第二电极44向显示区101侵蚀，使封装效果得以提升。
此外，本公开的显示面板还可包括封装层，其可覆盖发光层4，用于保护发光层4的各发光器件。同时，封装层也可覆盖阻隔结构3，且在过渡区102内连续。在本公开的一些实施方式中，可采用薄膜封装(Thin-Film Encapsulation，TFE)的方式实现封装，具体而言，封装层可包括第一无机层、有机层和第二无机层，其中，第一无机层覆盖于发光层4背离衬底1的表面，有机层可设于第一无机层背离衬底1的表面，且有机层的边界限定于第一无机层的边界的内侧，第二无机层覆盖有机层和未被有机层覆盖的第一无机层，可通过第二无机层阻挡水氧侵入，通过具有柔性的有机层实现平坦化。进一步的，有机层在衬底1上的正投影可位于显示区101内，而第一无机层和第二无机层在衬底1上的正投影可覆盖显示区101、过渡区102和阻隔区103。
本公开实施方式提供一种显示面板的制造方法，该显示面板为上述任意实施方式的显示面板，其结构和有益效果可参考显示面板的实施方式，在此不再赘述。如图3以及图6-图9所示，本公开的制造方法可包括步骤S110-步骤S210，其中：
步骤S110、提供一衬底，所述衬底具有显示区、过渡区和阻隔区，所述阻隔区位于所述显示区以外，所述过渡区分隔于所述显示区和所述阻隔区之间；
步骤S120、在所述衬底一侧面形成位于所述显示区的器件层和位于所述阻隔区的支撑层；
步骤S130、通过一次构图工艺在所述器件层背离所述衬底的一侧形成走线层，并在所述支撑层背离所述衬底的一侧形成阻隔层；
步骤S140、形成覆盖所述走线层和所述阻隔层的保护层，所述保护层覆盖所述支撑层和所述阻隔层的侧壁；
步骤S150、在所述保护层背离所述衬底的一侧形成位于所述显示区的第一电极；
步骤S160、去除所述保护层位于所述支撑层和所述阻隔层侧壁上的区域，以得到第一保护层和第二保护层，所述第一保护层覆盖所述走线层和所述器件层，所述第二保护层设于所述阻隔层背离所述衬底的表面；
步骤S170、在所述阻隔层的侧壁形成围绕所述驱动层阻隔槽；
步骤S180、在所述第一保护层背离所述衬底的一侧形成露出所述第一电极的像素定义层；
步骤S190、形成覆盖所述像素定义层和所述第一电极的发光功能层，所述发光功能层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述阻隔区；所述发光功能层至少在所述阻隔槽处间断设置；
步骤S210、形成覆盖所述发光功能层的第二电极，所述第二电极至少在所述阻隔槽处间断设置。
在本公开的制造方法中，在形成走线层和阻隔层后，形成阻隔槽前，可通过保护层对走线层和阻隔层进行覆盖，在形成像素定义层和第一电极后，再开设阻隔槽，使得发光功能层和第二电极在阻隔层的侧壁上断开，从而防止形成像素定义层和第一电极层的工艺对阻隔层和走线层造成损坏。若显示面板还包括上文中的第二平坦层，保护层形成于第二平坦层前，所以，可避免形成第二平坦层和第一电极时对走线层和阻隔层造成损坏。
在本公开的一些实施方式中，如图4和图7所示，步骤S130可包括步骤S1310-步骤S1340，其中：
步骤S1310、在所述器件层背离所述衬底的一侧和所述支撑层背离所述衬底的一侧形成第一金属层。
步骤S1320、在所述第一金属层背离所述衬底的表面形成第二金属层；所述第二金属层的材料与所述第一金属层的材料不同。
步骤S1330、在所述第二金属层背离所述衬底的表面形成第三金属层；所述第三金属层和所述第一金属层的材料相同。
步骤S1340、对所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层进行图案化，形成位于所述器件层背离所述衬底的一侧的走线层和位于所述支撑层背离所述衬底的一侧的阻隔层。
进一步的，在本公开的一些实施方式中，步骤S170可包括：
通过湿法刻蚀工艺对所述阻隔层的侧壁进行刻蚀，使所述阻隔层的所述第二金属层在所述衬底上的正投影的边界位于所述第一金属层和所述第三金属层在所述衬底上的正投影的边界以内，以形成所述阻隔槽。
举例而言，阻隔层的第一金属层和第三金属层的材料为钛，第二金属层的材料为铝，可采用针对钼的刻蚀液进行湿法刻蚀，该刻蚀液可包括10％-20％的乙酸(CH3COOH)，1％-2.5％的硝酸(HNO3)，50％-60％的磷酸(H3PO4)，使用此刻蚀液对被保护层露出的阻隔层进行湿法刻蚀，由于该刻蚀液对铝的刻蚀速率大于钛，从而可使第二金属层内缩，形成“工”字型结构，从而得到阻隔槽。
在本公开的一些实施方式中，如图5所示，本公开的制造方法还包括步骤S220和步骤S230，其中：
步骤S220、在所述第二保护层背离所述衬底的表面形成位于所述阻隔区的第一隔垫层。
步骤S230、在所述第一隔垫层背离所述衬底的表面形成第二隔垫层。
通过第一隔垫层和第二隔垫层可增大阻隔结构的高度，提升发光层的爬坡难度，便于阻断发光层，具体结构和材料可参考显示面板的实施方式，在此不再详述。进一步的，第一隔垫层和第一电极通过一次构图工艺形成；第二隔垫层与像素定义层通过一次构图工艺形成。
此外，本公开的制造方法还可包括：形成覆盖发光层和阻隔结构的封装层。
本公开的显示面板的实施方式中已经对其结构和相关工艺进行了说明，本公开的制造方法的相关细节可参考显示面板的实施方式，在此不再赘述。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中制造方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
本公开实施方式还提供一种显示装置，包括上述任意实施方式的显示面板，该显示面板的结构已在上文显示面板的实施方式中进行了详细说明，在此不再赘述。本公开的显示装置可以是手机、平板电脑、电视等具有图像显示功能的电子设备，在此不再一一列举。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (12)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
衬底，具有显示区、过渡区和阻隔区，所述阻隔区位于所述显示区以外，所述过渡区分隔于所述显示区和所述阻隔区之间；
驱动层，设于所述衬底一侧面，且位于所述显示区内；所述驱动层包括器件层、走线层和第一保护层，所述走线层位于所述器件层背离所述衬底的一侧，所述第一保护层覆盖所述走线层和所述器件层；
阻隔结构，与所述驱动层设于所述衬底的同一侧面，且位于所述阻隔区，并围绕所述驱动层；所述阻隔结构包括支撑层、阻隔层、第二保护层、第一隔垫层和第二隔垫层，所述支撑层包括第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层，所述第一绝缘层设于所述衬底一侧；所述第一导电层设于所述第一绝缘层背离所述衬底的表面；所述第二绝缘层覆盖所述第一导电层背离所述衬底的表面以及所述第一导电层的侧面；所述阻隔层位于所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧，且与所述走线层为同一膜层的不同区域；所述阻隔层的侧壁设有围绕所述驱动层的阻隔槽；所述第二保护层设于所述阻隔层背离所述衬底的表面；所述第二保护层和所述第一保护层为同一保护层的不同区域；所述第一保护层和所述第二保护层在所述过渡区断开，且露出所述支撑层和所述阻隔层的侧壁；所述第一隔垫层设于所述第二保护层背离所述衬底的表面；所述第二隔垫层设于所述第一隔垫层背离所述衬底的表面；所述阻隔槽的深度为0.5μm-0.65μm；
发光层，覆盖所述驱动层和所述阻隔结构，且至少在所述阻隔槽处间断设置；
所述发光层包括：
第一电极，设于所述保护层背离所述衬底的一侧，且位于所述显示区，所述第一电极与所述走线层连接；
像素定义层，设于所述保护层背离所述衬底的表面，且露出所述第一电极；
发光功能层，覆盖所述像素定义层和所述第一电极，且至少在所述阻隔槽处间断设置；
第二电极，覆盖所述发光功能层，且至少在所述阻隔槽处间断设置；
所述阻隔结构和所述过渡区形成高度差，该高度差增加所述阻隔结构的侧壁上形成所述发光层的爬坡难度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阻隔层靠近所述驱动层的侧壁和背离所述驱动层的侧壁均设有所述阻隔槽；
所述走线层和所述阻隔层均包括向背离所述衬底的方向依次层叠的第一金属层、第二金属层和第三金属层；
所述第一金属层和所述第三金属层的材料相同，且与所述第二金属层的材料不同；
在所述阻隔层中，所述第二金属层在所述衬底上的正投影的边界位于所述第一金属层和所述第三金属层在所述衬底上的正投影的边界以内，以形成所述阻隔槽。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述支撑层还包括：
第三绝缘层，覆盖所述第二绝缘层背离所述衬底的表面；
所述阻隔层设于所述第三绝缘层背离所述衬底的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述支撑层还包括：
第二导电层，设于所述第三绝缘层背离所述衬底的表面；
第四绝缘层，覆盖所述第二导电层背离所述衬底的表面；
所述阻隔层设于所述第四绝缘层背离所述衬底的表面。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述器件层包括：
有源层，设于所述衬底一侧面；
第一栅绝缘层，覆盖所述有源层；所述第一栅绝缘层与所述第一绝缘层为同一膜层的不同区域；
栅极，设于所述第一栅绝缘层背离所述衬底的表面，且所述栅极在所述衬底上的正投影至少部分与所述有源层重合；所述栅极与所述第一导电层为同一膜层的不同区域；
第二栅绝缘层，覆盖所述栅极和所述第一栅绝缘层；所述第二栅绝缘层与所述第二绝缘层为同一膜层的不同区域；
层间介质层，覆盖所述第二栅绝缘层；所述层间介质层与所述第三绝缘层为同一膜层的不同区域；
源漏层，设于所述层间介质层背离所述衬底的表面，且包括与所述有源层连接的源极和漏极；所述源漏层与所述第二导电层为同一膜层的不同区域；
第一平坦层，覆盖所述源漏层和所述层间介质层；
钝化层，覆盖所述第一平坦层；所述钝化层和所述第四绝缘层为同一膜层的不同区域；
所述走线层设于所述钝化层背离所述衬底的表面，且与所述源漏层连接；
所述驱动层还包括：
第二平坦层，覆盖所述第一保护层；
第一电极设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面；所述第一电极与所述第一隔垫层为同一膜层的不同区域；
所述像素定义层设于所述第二平坦层背离所述衬底的表面；所述像素定义层与所述第二隔垫层为同一膜层的不同区域；
所述发光功能层覆盖所述所述第二隔垫层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅绝缘层和所述第一绝缘层所处的膜层覆盖所述过渡区；所述第二栅绝缘层和所述第二绝缘层所处的膜层覆盖所述过渡区。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述保护层的材料包括氮化硅和氧化硅中至少一种。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述保护层的厚度不小于0.1μm，且不大于0.2μm。
9.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬底具有显示区、过渡区和阻隔区，所述阻隔区位于所述显示区以外，所述过渡区分隔于所述显示区和所述阻隔区之间；
在所述衬底一侧面形成位于所述显示区的器件层和位于所述阻隔区的支撑层；所述支撑层包括第一绝缘层、第一导电层和第二绝缘层，所述第一绝缘层设于所述衬底一侧；所述第一导电层设于所述第一绝缘层背离所述衬底的表面；所述第二绝缘层覆盖所述第一导电层背离所述衬底的表面以及所述第一导电层的侧面；
通过一次构图工艺在所述器件层背离所述衬底的一侧形成走线层，并在所述第二绝缘层背离所述衬底的一侧形成阻隔层；
形成覆盖所述走线层和所述阻隔层的保护层，所述保护层覆盖所述支撑层和所述阻隔层的侧壁；
在所述保护层背离所述衬底的一侧形成位于所述显示区的第一电极，所述第一电极与所述走线层连接；
去除所述保护层位于所述支撑层和所述阻隔层侧壁上的区域，以得到第一保护层和第二保护层，所述第一保护层覆盖所述走线层和所述器件层，所述第二保护层设于所述阻隔层背离所述衬底的表面；
在所述阻隔层的侧壁形成围绕所述器件层的阻隔槽；所述阻隔槽的深度为0.5μm-0.65μm；
在所述第一保护层背离所述衬底的一侧形成露出所述第一电极的像素定义层；
形成覆盖所述像素定义层和所述第一电极的发光功能层，所述发光功能层在所述衬底上的正投影覆盖所述显示区和所述阻隔区；所述发光功能层至少在所述阻隔槽处间断设置；
形成覆盖所述发光功能层的第二电极，所述第二电极至少在所述阻隔槽处间断设置；
所述制造方法还包括：
在所述第二保护层背离所述衬底的表面形成第一隔垫层；
在所述第一隔垫层背离所述衬底的表面形成第二隔垫层；
所述阻隔结构和所述过渡区形成高度差，该高度差增加所述阻隔结构的侧壁上形成发光层的爬坡难度，所述发光层包括所述第一电极、所述像素定义层、所述发光功能层和所述第二电极。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，通过一次构图工艺在所述器件层背离所述衬底的一侧形成走线层，并在所述支撑层背离所述衬底的一侧形成阻隔层；包括：
在所述器件层背离所述衬底的一侧和所述支撑层背离所述衬底的一侧形成第一金属层；
在所述第一金属层背离所述衬底的表面形成第二金属层；所述第二金属层的材料与所述第一金属层的材料不同；
在所述第二金属层背离所述衬底的表面形成第三金属层；所述第三金属层和所述第一金属层的材料相同；
对所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层进行图案化，形成位于所述器件层背离所述衬底的表面的走线层和位于所述支撑层背离所述衬底的一侧的阻隔层；
在所述阻隔层的侧壁形成围绕所述器件层的阻隔槽；包括：
通过湿法刻蚀工艺对所述阻隔层的侧壁进行刻蚀，使所述阻隔层的所述第二金属层在所述衬底上的正投影的边界位于所述第一金属层和所述第三金属层在所述衬底上的正投影的边界以内，以形成所述阻隔槽。
11.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述第一隔垫层和所述第一电极通过一次构图工艺形成；所述第二隔垫层与所述像素定义层通过一次构图工艺形成。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-8任一项所述的显示面板。
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