CN113066835B - 发光面板及其制备方法、发光装置 - Google Patents
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Abstract
本公开涉及照明与显示技术领域，公开了一种发光面板及其制备方法、发光装置；该发光面板具有发光区和与发光区相邻的隔离区，该发光面板包括衬底基板和阻隔结构；阻隔结构设置于衬底基板的一侧且位于隔离区；包括依次层叠设置的第一隔离图案、第二隔离图案、第三隔离图案和第四隔离图案，第一隔离图案比第四隔离图案更靠近衬底基板；第一隔离图案在衬底基板上的正投影位于第二隔离图案在衬底基板上的正投影内，第三隔离图案在衬底基板上的正投影位于第四隔离图案在衬底基板上的正投影内，第三隔离图案在衬底基板上的正投影位于第二隔离图案在衬底基板上的正投影内。该发光面板的阻隔结构形成双层“工”字形结构阻隔效果好。
Description
技术领域
本公开涉及照明与显示技术领域，具体而言，涉及一种发光面板及发光面板的制备方法、包括该发光面板的发光装置。
背景技术
随着对异形发光的要求越来越多，发光区的形状不同于规则的矩形发光区，需要设计隔离部对发光功能层以及阴极进行水汽阻挡隔离以实现异形区域发光；但是，目前隔离部的隔离效果不理想。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于克服上述现有技术的隔离效果不好的不足，提供一种隔离效果较好的发光面板及发光面板的制备方法、包括该发光面板的发光装置。
根据本公开的一个方面，提供了一种发光面板，具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区，所述发光面板包括：
衬底基板；
阻隔结构，设置于所述衬底基板的一侧，且位于所述隔离区；
所述阻隔结构包括：依次层叠设置的第一隔离图案、第二隔离图案、第三隔离图案和第四隔离图案，所述第一隔离图案比所述第四隔离图案更靠近所述衬底基板；所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阻隔结构还包括：
第五隔离图案，设于所述第四隔离图案的远离所述衬底基板的一侧，所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，或所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，所述阻隔结构还包括：
第六隔离图案，设于所述衬底基板与所述第一隔离图案之间，所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第六隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，在所述发光区，所述发光面板包括：
多个阵列排布的像素单元，各个所述像素单元包括至少三个子像素，各个所述子像素包括薄膜晶体管和发光单元，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极和平坦化层，所述发光单元包括第一电极、像素界定层、发光层和第二电极。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第一隔离图案、所述第二隔离图案和所述第六隔离图案与所述源极和所述漏极同层同材料设置。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第三隔离图案与所述平坦化层同层同材料设置。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第四隔离图案与所述第一电极同层同材料设置。
在本公开的一种示例性实施例中，所述第五隔离图案与所述像素界定层同层同材料设置。
根据本公开的另一个方面，提供了一种发光面板的制备方法，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区；
在所述衬底基板的一侧且在所述隔离区依次形成第一隔离图案和第二隔离图案，所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内；
在所述第二隔离图案的远离所述衬底基板的一侧依次形成第三隔离图案和第四隔离图案，所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，所述制备方法还包括：
在所述衬底基板的一侧且在所述发光区形成有源层、栅绝缘层以及栅极，所述栅绝缘层位于所述有源层与所述栅极之间；
在所述有源层或所述栅极的远离所述衬底基板的一侧形成层间介电层，并在所述层间介电层上形成第一过孔，所述第一过孔连通至所述有源层；
在所述层间介电层的远离所述衬底基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接；
在所述源极和所述漏极的远离所述衬底基板的一侧形成平坦化层，且在所述平坦化层上形成第二过孔，所述第二过孔连通至所述源极或所述漏极；
在所述平坦化层的远离所述衬底基板的一侧形成第一电极，所述第一电极通过所述第二过孔与所述源极或所述漏极连接；
在所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层。
在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述源极和所述漏极的构图工艺中依次形成第一隔离层和所述第二隔离图案。
在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述平坦化层的构图工艺中形成第三隔离层，并对所述第一隔离层进行刻蚀形成所述第一隔离图案。
在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述源极和所述漏极的构图工艺中还形成第六隔离图案，所述第六隔离图案设于所述衬底基板与所述第一隔离图案之间，所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第六隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述第一电极的构图工艺中形成所述第四隔离图案。
在本公开的一种示例性实施例中，形成所述第一电极和所述第四隔离图案后，所述制备方法还包括：
在所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧以及所述层间介电层、所述平坦化层和所述第一电极的侧壁形成保护层；
对第三隔离层进行灰化形成所述第三隔离图案，使所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，且所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
在本公开的一种示例性实施例中，在形成所述像素界定层的构图工艺中，在所述第四隔离层的远离所述衬底基板的一侧形成第五隔离图案，所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，或所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
根据本公开的再一个方面，提供了一种发光装置，包括上述任意一项所述的发光面板。
本公开的发光面板及其制备方法，阻隔结构包括依次层叠设置的第一隔离图案、第二隔离图案、第三隔离图案和第四隔离图案，第一隔离图案比第四隔离图案更靠近衬底基板；第一隔离图案在衬底基板上的正投影位于第二隔离图案在衬底基板上的正投影内，第三隔离图案在衬底基板上的正投影位于第四隔离图案在衬底基板上的正投影内，第三隔离图案在衬底基板上的正投影位于第二隔离图案在衬底基板上的正投影内。衬底基板、第一隔离图案以及第二隔离图案形成第一层“工”字形结构，第二隔离图案、第三隔离图案以及第四隔离图案形成第二层“工”字形结构，双层“工”字形结构增加了发光层和第二电极的爬坡难度，使得发光层和第二电极的爬坡能力减弱，增加了阻隔作用，提升阻隔结构的可靠性。而且，即使在第一层“工”字形结构失效的情况下，第二层“工”字形结构仍然能够起到阻隔作用。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开发光面板一示例实施方式的剖视结构示意图。
图2为本公开发光面板一示例实施方式的俯视结构示意图。
图3为本公开发光面板的制备方法一示例实施方式的流程示意框图。
图4-图10为本公开发光面板的制备方法中各个步骤的结构示意图。
附图标记说明：
1、衬底基板；2、缓冲层；3、有源层；
41、第一栅绝缘层；42、第二栅绝缘层；
5、栅极；
6、层间介电层；61、第一过孔；
71、第一导体层；72、第二导体层；73、第三导体层；74、源极；75、漏极；
8、阻隔结构；81、第一隔离图案；81a、第一隔离层；82、第二隔离图案；83、第三隔离图案；83a、第三隔离层；84、第四隔离图案；85、第五隔离图案；86、第六隔离图案；
9、平坦化材料层；91、平坦化层；92、第二过孔；
10、第一电极；11、保护层；12、像素界定层；13、发光层；14、第二电极；
A、发光区；L、隔离区；S、边框区。
具体实施方式
现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。
用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。
定制化OLED(OrganicElectroluminesence Display，有机发光半导体)作为一个新兴技术受到广泛关注，其目前主要利用LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)作为沟道层进行背板技术，由于是定制化发光，其发光形状与主流矩形不一致，需要设计阻隔结构8(RIB)对有机发光层13(EL)以及阴极(Cathode)进行相关阻挡隔离以增加阻断水汽入侵途径提高封装可靠性，而且此种方式可以匹配正常打印相关工艺。
目前，阻隔结构8主要以形成TiAlTi结构工字形结构，但由于后续形成反射阳极(其材质为ITO-Ag-ITO)时，刻蚀液对工字形中Al的刻蚀作用较快，如果在对反射阳极进行湿法刻蚀的时候，不对工字形金属结构进行保护的话，会对工字形金属中的Al造成严重的过刻蚀，过刻蚀会导致工字形顶部的Ti塌陷，导致工字形失效，甚至完全无Al的结构无法对有机发光层13和阴极起到阻隔作用。因此，在对反射阳极进行刻蚀时，需要对TiAlTi结构进行保护，在反射阳极刻蚀后再增加一道工序对Al进行刻蚀缩进形成工字形结构，这就增加一道掩膜、刻蚀和剥离工艺使得工艺复杂度增加。
本公开实施方式提供了一种发光面板，如图1和图2所示的发光面板的结构示意图，该发光面板具有发光区A(也可以称为显示区(Active Area，简称为A区))和与发光区A相邻的隔离区L，在隔离区L的外围还设置有边框区S，边框区S可以设置各种引线和驱动电路等等。该发光面板包括衬底基板1和阻隔结构8；阻隔结构8设置于衬底基板1的一侧，且位于隔离区L；阻隔结构8包括：依次层叠设置的第一隔离图案81、第二隔离图案82、第三隔离图案83和第四隔离图案84，第一隔离图案81比第四隔离图案84更靠近衬底基板1；第一隔离图案81在衬底基板1上的正投影位于第二隔离图案82在衬底基板1上的正投影内，第三隔离图案83在衬底基板1上的正投影位于第四隔离图案84在衬底基板1上的正投影内，第三隔离图案83在衬底基板1上的正投影位于第二隔离图案82在衬底基板1上的正投影内。
本公开的发光面板及其制备方法，衬底基板1、第一隔离图案81以及第二隔离图案82形成第一层“工”字形结构，第二隔离图案82、第三隔离图案83以及第四隔离图案84形成第二层“工”字形结构，双层“工”字形结构增加了发光层13和第二电极14的爬坡难度，使得发光层13和第二电极14的爬坡能力减弱，增加了阻隔作用，提升阻隔结构8的可靠性。而且，即使在第一层“工”字形结构失效的情况下，第二层“工”字形结构仍然能够起到阻隔作用。
根据该发光面板可以被做成具有任意发光形状的发光面板，该阻隔结构8沿发光区A的边沿延伸的形状可以为任意形状。图2中，三个区(发光区A、隔离区L、边框区S)的形状，仅是示例，不做限定。
在本示例实施方式中，衬底基板1可以为玻璃基板或PI(Polyimide，聚酰亚胺)基板。
在衬底基板1的一侧设置有缓冲层2。
在发光区A，发光面板可以包括多个阵列排布的像素单元，各个像素单元包括至少三个子像素，各个子像素包括薄膜晶体管和发光单元。
具体地，薄膜晶体管的结构为：在缓冲层2的远离衬底基板1的一侧设置有有源层3。在有源层3的远离衬底基板1的一侧设置有第一栅绝缘层41，第一栅绝缘层41的材质可以是氧化硅；在第一栅绝缘层41的远离衬底基板1的一侧设置有第二栅绝缘层42，第二栅绝缘层42的材质可以是氮化硅。在第二栅绝缘层42的远离衬底基板1的一侧设置有栅极5，栅极5的材质可以是钼、镍、镍锰合金、镍铬合金以及镍钼铁合金等等。在栅极5的远离衬底基板1的一侧设置有层间介电层6，层间介电层6的材质可以是氧化硅，在层间介电层6上设置有第一过孔61，第一过孔61连通至有源层3。在层间介电层6的远离衬底基板1的一侧设置有源极74和漏极75，源极74和漏极75通过第一过孔61与有源层3连接，源极74和漏极75的材质可以是TiAlTi(钛铝钛三层)。在源极74和漏极75的远离衬底基板1的一侧设置有平坦化层91，在平坦化层91上设置有第二过孔92，第二过孔92可以连接至源极74，当然，第二过孔92也可以连接至漏极75。
具体地，发光单元的结构为：在平坦化层91的远离衬底基板1的一侧设置有第一电极10，第一电极10通过第二过孔92与源极74连接，第一电极10的材质可以是ITO-Ag-ITO(氧化铟锡-银-氧化铟锡)。当然，在第二过孔92连接至漏极75的情况下，第一电极10通过第二过孔92与漏极75连接。在第一电极10的远离衬底基板1的一侧设置有像素界定层12，在像素界定层12上设置有第三过孔，第三过孔连通至第一电极10，第一电极10可以是阳极。在第三过孔内设置有发光层13，发光层13与第一电极10接触。在发光层13的远离衬底基板1的一侧设置有第二电极14，第二电极14可以是阴极。
上述说明的薄膜晶体管为顶栅型，当然，在本公开的其他示例实施方式中，薄膜晶体管还可以是底栅型或双栅型。
在隔离区L，在缓冲层2的远离衬底基板1的一侧设置有第六隔离图案86，在第六隔离图案86的远离衬底基板1的一侧设置有第一隔离图案81，在第一隔离图案81的远离衬底基板1的一侧设置有第二隔离图案82，在第二隔离图案82的远离衬底基板1的一侧设置有第三隔离图案83，在第三隔离图案83的远离衬底基板1的一侧设置有第四隔离图案84，在第四隔离图案84的远离衬底基板1的一侧设置有第五隔离图案85。
第一隔离图案81在衬底基板1上的正投影位于第二隔离图案82在衬底基板1上的正投影内，第一隔离图案81在衬底基板1上的正投影位于第六隔离图案86在衬底基板1上的正投影内。第六隔离图案86、第一隔离图案81以及第二隔离图案82形成第一层“工”字形结构。
第三隔离图案83在衬底基板1上的正投影位于第四隔离图案84在衬底基板1上的正投影内，第三隔离图案83在衬底基板1上的正投影位于第二隔离图案82在衬底基板1上的正投影内。第二隔离图案82、第三隔离图案83以及第四隔离图案84形成第二层“工”字形结构。
双层“工”字形结构增加了发光层13和第二电极14(阴极)的爬坡难度，使得发光层13和第二电极14的爬坡能力减弱，增加了阻隔作用，提升阻隔结构8的可靠性；而且，即使在第一层“工”字形结构失效的情况下，第二层“工”字形结构仍然能够起到阻隔作用。
另外，第五隔离图案85进一步增加了阻隔结构8的高度，而且，第五隔离图案85在衬底基板1上的正投影位于第四隔离图案84在衬底基板1上的正投影内，即第五隔离图案85的边缘相对于第四隔离图案84的边缘是凹陷的；或第四隔离图案84在衬底基板1上的正投影位于第五隔离图案85在衬底基板1上的正投影内，即第五隔离图案85的边缘相对于第四隔离图案84的边缘是突出的。也就是说第五隔离图案85的边缘与第四隔离图案84的边缘没有对齐，从而进一步增加了发光层13和第二电极14的爬坡难度，使得发光层13和第二电极14的爬坡能力减弱，增加了阻隔作用，提升阻隔结构8的可靠性。
需要说明的是，阻隔结构8的具体结构不限于上述说明，例如，阻隔结构8可以不包括第五隔离图案85，即形成双层“工”字形结构。
另外，阻隔结构8也可以不包括第六隔离图案86，第一隔离图案81以及第二隔离图案82与衬底基板1也可以形成第一层“工”字形结构。也能够达到同样的隔离效果。
在本示例实施方式中，第一隔离图案81、第二隔离图案82和第六隔离图案86与源极74和漏极75同层同材料设置。即第六隔离图案86的材质是钛，第一隔离图案81的材质是铝，第二隔离图案82的材质是钛。
在本示例实施方式中，第三隔离图案83与平坦化层91同层同材料设置。由于平坦化层91的厚度较厚，因此，第三隔离图案83的厚度也较厚；提高了第二层“工”字形结构的整体高度，从而进一步增加了发光层13和第二电极14的爬坡难度，使得发光层13和第二电极14的爬坡能力减弱，增加了阻隔作用，提升阻隔结构8的可靠性。
在本示例实施方式中，第四隔离图案84可以与第一电极10同层同材料设置。即第四隔离图案84的材质可以是ITO-Ag-ITO(氧化铟锡-银-氧化铟锡)。
在本示例实施方式中，第五隔离图案85可以与像素界定层12同层同材料设置。
需要说明的是，所谓的同层同材料设置指的是通过同一次构图工艺形成，在下面的发光面板的制备方法中会进行详细说明。
进一步的，本公开实施方式提供了一种发光面板的制备方法，参照图3所示的发光面板的制备方法的流程示意框图，该发光面板的制备方法可以包括以下步骤：
步骤S10，提供一衬底基板1，所述衬底基板1具有发光区A和与所述发光区A相邻的隔离区L。
步骤S20，在所述衬底基板1的一侧且在所述隔离区L依次形成第一隔离图案81和第二隔离图案82，所述第一隔离图案81在所述衬底基板1上的正投影位于所述第二隔离图案82在所述衬底基板1上的正投影内。
步骤S30，在所述第二隔离图案82的远离所述衬底基板1的一侧依次形成第三隔离图案83和第四隔离图案84，所述第三隔离图案83在所述衬底基板1上的正投影位于所述第四隔离图案84在所述衬底基板1上的正投影内，所述第三隔离图案83在所述衬底基板1上的正投影位于所述第二隔离图案82在所述衬底基板1上的正投影内。
下面对发光面板的制备方法的各个步骤进行详细说明。
参照图4所示。
提供一衬底基板1，在衬底基板1的一侧沉积形成缓冲层2。
在缓冲层2的远离衬底基板1的一侧沉积形成有源材料层，有源材料层的材质可以是SiN、SiO或a-Si(非晶硅)。SiN的厚度大于等于0.3微米且小于等于0.7微米；SiO的厚度大于等于1.0微米且小于等于1.2微米；a-Si的厚度大约为0.05微米。然后对有源材料层进行去氢，以避免在准分子激光晶化(ELA)工艺时出现氢爆现象，去氢条件可为300℃～350℃。去氢完成后进行准分子激光晶化工艺，将非晶硅转化为多晶硅。最后，使用数字曝光机或者掩膜形成硅岛掩膜，而后对有源材料层进行干刻，可以使用CF4+O2进行干刻；然后湿法剥离硅岛掩膜后形成硅岛图形(有源层3)。在沟道区形成掩膜，对非沟道区进行离子注入使多晶硅掺杂导体化，掺杂可使用磷烷或者硼烷。
在有源层3的远离衬底基板1的一侧沉积形成第一栅绝缘层41，第一栅绝缘层41的材质可以为SiO，SiO的厚度大于等于0.03微米且小于等于0.06微米。在第一栅绝缘层41的远离衬底基板1的一侧沉积形成第二栅绝缘层42，第二栅绝缘层42的材质可以为SiN，SiN的厚度大于等于0.05微米且小于等于0.09微米。
在第二栅绝缘层42的远离衬底基板1的一侧沉积形成栅极材料层，栅极材料层的材质可以是钼、镍、镍锰合金、镍铬合金以及镍钼铁合金等等。栅极材料层的厚度大于等于0.25微米且小于等于0.3微米。使用数字曝光机或者掩膜形成栅极掩膜，随后使用CF4+O2进行干法刻蚀，可采用高CF4+低O2干刻混合气体进行，具体地，CF4流量可为2000sccm～2500sccm(standard cubic centimeter per minute，标准毫升/分钟)，O2流量可为1000sccm～1500sccm，干刻刻蚀后使用栅极自对准工艺对与源极74和漏极75接触的多晶硅进行掺杂导体化，掺杂可使用磷烷或者硼烷。然后湿法剥离掩膜光阻，湿法剥离光阻后再进行中等掺杂以形成LDD(轻掺杂漏结构)减少漏电流。而后进行退火以修复受离子掺杂损伤的多晶硅(有源层3)、第一栅绝缘层41和第二栅绝缘层42(第一栅绝缘层41和第二栅绝缘层42在离子注入的时候因离子掺杂轰击会造成晶格紊乱需要退火进行修复)，退火温度500～600℃。
在栅极5的远离衬底基板1的一侧沉积形成层间介电层6，层间介电层6可以是SiO和SiN的组合，SiO的厚度大于等于0.2微米且小于等于0.5微米，SiN的厚度大于等于0.2微米且小于等于0.3微米。对层间介电层6上的掩模层进行光刻形成第一过孔图形，然后对层间介电层6进行干法刻蚀形成第一过孔61，干法刻蚀可采用CF4+O2进行，第一过孔61连接至有源层3。
参照图5所示，在层间介电层6的远离衬底基板1的一侧依次沉积第一导体层71、第二导体层72和第三导体层73，第一导体层71、第二导体层72和第三导体层73形成源漏金属层，源漏金属层的材质比如为Ti-Al-Ti，即第一导体层71的材质为Ti，第二导体层72的材质为Al，第三导体层73的材质为Ti。需要说明的是，上述三个导体层(第一导体层71、第二导体层72和第三导体层73)的材质仅为示例，不做限定，也可以为其他金属。Ti的厚度大于等于300埃且小于等于600埃；Al的厚度大于等于6000埃且小于等于6500埃。参照图6所示，使用数字曝光机或者掩膜形成源漏层掩膜，使用Cl2+O2对源漏金属层进行刻蚀在发光区A形成源极74和漏极75，在隔离区L形成第六隔离图案86、第一隔离层81a和第二隔离图案82。
当然，在本公开的其他示例实施方式中，在源漏金属层不包括第一导体层71的情况下，可以不形成第六隔离图案86；也可以在隔离区L不形成第一导体层71，后续就不会形成第六隔离图案86。
参照图7所示，在源极74、漏极75以及第二隔离图案82的远离衬底基板1的一侧涂覆形成平坦化材料层9。参照图8所示，然后对平坦化材料层9进行刻蚀和后烘工艺，使其在发光区A形成平坦化层91，且在平坦化层91上形成第二过孔92，第二过孔92连接至源极74，当然，也可以是第二过孔92连接至漏极75；在隔离区L，在第二隔离图案82的远离衬底基板1的一侧形成第三隔离层83a，第三隔离层83a没有覆盖第六隔离图案86、第一隔离层81a和第二隔离图案82的侧面，因此，在对平坦化材料层9进行刻蚀的过程中，平坦化层91显影液(TMAH四甲基氢氧化铵)因碱性会对第一隔离层81a(Al)腐蚀，使第一隔离层81a内缩形成第一隔离图案81，即第一隔离图案81在衬底基板1上的正投影位于第二隔离图案82在所述衬底基板1上的正投影内，且第一隔离图案81在衬底基板1上的正投影位于第六隔离图案86在所述衬底基板1上的正投影内，第六隔离图案86、第一隔离图案81和第二隔离图案82形成第一层“工”字形结构。而且位于发光区A的源极74和漏极75的边缘由于有平坦化层91的覆盖不会对Al层进行腐蚀。
平坦化层91和第三隔离层83a的厚度大于等于1.5微米且小于等于2微米。第一隔离图案81的边沿与第二隔离图案82的边沿之间的距离H1大于等于0.2微米且小于等于0.3微米。
参照图9所示，在平坦化层91和第三隔离层83a的远离衬底基板1的一侧依次沉积ITO、Ag和ITO，ITO、Ag和ITO形成第一电极材料层；使用数字曝光机或者掩膜形成反射阳极层掩膜，进行湿法刻蚀使第一电极材料层在发光区A形成第一电极10，在隔离区L形成第四隔离图案84；在对第一电极材料层湿刻时同样会对隔离区L的第一隔离图案81(Al)刻蚀使得第一隔离图案81的边沿与第二隔离图案82的边沿之间的距离H1更大，进一步增加了发光层13和第二电极14的爬坡难度，增加了阻隔作用。
参照图10所示，在第一电极10的远离衬底基板1的一侧以及层间介电层、平坦化层和第一电极的侧壁涂覆形成保护层11，在第四隔离图案84的远离衬底基板1的一侧没有形成保护层11，即在发光区形成有保护层11，在隔离区没有形成保护层11。保护层11的厚度大于等于2.5微米且小于等于3微米。然后对第三隔离层83a进行灰化处理形成第三隔离图案83，由于第三隔离层83a的靠近衬底基板1的一侧有第二隔离图案82的保护，第三隔离层83a的远离衬底基板1的一侧有第四隔离图案84的保护，而第三隔离层83a的侧壁没有任何保护层11，灰化工艺会对第三隔离层83a的侧壁进行腐蚀形成第三隔离图案83，从而使第三隔离图案83在衬底基板1上的正投影位于第四隔离图案84在衬底基板1上的正投影内，第三隔离图案83在衬底基板1上的正投影位于第二隔离图案82在衬底基板1上的正投影内，第二隔离图案82、第三隔离图案83以及第四隔离图案84形成第二层“工”字形结构。在对第三隔离层83a进行灰化工艺的同时会对保护层11进行灰化工艺，以去除保护层11；灰化工艺可用纯O2、CF4+O2或SF6+O2进行。保护层11灰化大于等于2微米且小于等于2.5微米，从而使得第三隔离图案83的边沿与第四隔离图案84的边沿之间的距离H2大于等于0.5微米且小于等于0.75微米。
参照图1所示，在第一电极10和第四隔离图案84的远离衬底基板1的一侧涂覆形成像素界定材料层，像素界定材料层的厚度大于等于1.4微米且小于等于1.8微米。然后通过曝光、显影以及后烘工序对像素界定材料层进行刻蚀，在发光区A，像素界定材料层形成像素界定层12，并在像素界定层12上形成第三过孔，第三过孔连通至第一电极10；在隔离区L，像素界定材料层形成第五隔离图案85。第五隔离图案85进一步增加了阻隔结构8的高度，而且，第五隔离图案85在衬底基板1上的正投影位于第四隔离图案84在衬底基板1上的正投影内，即第五隔离图案85的边缘相对于第四隔离图案84的边缘是凹陷的；或第四隔离图案84在衬底基板1上的正投影位于第五隔离图案85在衬底基板1上的正投影内，即第五隔离图案85的边缘相对于第四隔离图案84的边缘是突出的。也就是说第五隔离图案85的边缘与第四隔离图案84的边缘没有对齐，从而进一步增加了发光层13和第二电极14的爬坡难度，使得发光层13和第二电极14的爬坡能力减弱，增加了阻隔作用，提升阻隔结构8的可靠性。
当然，在本公开的其他示例实施方式中，在第四隔离图案84的远离衬底基板1的一侧可以不形成第五隔离图案85。
在像素界定层12的远离衬底基板1的一侧形成发光材料层，并对发光材料层进行刻蚀形成发光层13，发光层13位于第三过孔内，发光层13与第一电极10连接。
在发光层13的远离衬底基板1的一侧形成第二电极14，第二电极14与发光层13连接。第二电极14可以为阴极。
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中发光面板的制备方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
进一步的，本公开实施方式提供了一种发光装置，该发光装置可以包括上述任意一项所述的发光面板。发光面板的具体结构上述已经进行了详细说明，因此，此处不再赘述。
在功能上，该发光装置可以为照明装置或者显示装置。且该发光装置的具体类型不受特别的限制，本领域常用的照明装置或者显示装置类型均可。在该发光装置为显示装置的情况下，具体例如手机等移动装置、手表等可穿戴设备、VR装置等等，本领域技术人员可根据该显示设备的具体用途进行相应地选择，在此不再赘述。
需要说明的是，该发光装置除了发光面板以外，还包括其他必要的部件和组成，以显示器为例，具体例如外壳、电路板、电源线，等等，本领域技术人员可根据该发光装置的具体使用要求进行相应地补充，在此不再赘述。
与现有技术相比，本发明示例实施方式提供的发光装置的有益效果与上述示例实施方式提供的发光面板的有益效果相同，在此不做赘述。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。
Claims (12)
1.一种发光面板，具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区，其特征在于，所述发光面板包括：
衬底基板；
阻隔结构，设置于所述衬底基板的一侧，且位于所述隔离区；
所述阻隔结构包括：依次层叠设置的第一隔离图案、第二隔离图案、第三隔离图案和第四隔离图案，所述第一隔离图案比所述第四隔离图案更靠近所述衬底基板；所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内；
在所述发光区，所述发光面板包括：
多个阵列排布的像素单元，各个所述像素单元包括至少三个子像素，各个所述子像素包括薄膜晶体管和发光单元，所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极和平坦化层，所述发光单元包括第一电极、像素界定层、发光层和第二电极；所述第一隔离图案和所述第二隔离图案与所述源极和所述漏极同层同材料设置，所述第三隔离图案与所述平坦化层同层同材料设置。
2.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述阻隔结构还包括：
第五隔离图案，设于所述第四隔离图案的远离所述衬底基板的一侧，所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，或所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
3.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述阻隔结构还包括：
第六隔离图案，设于所述衬底基板与所述第一隔离图案之间，所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第六隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
4.根据权利要求3所述的发光面板，其特征在于，所述第六隔离图案与所述源极和所述漏极同层同材料设置。
5.根据权利要求1所述的发光面板，其特征在于，所述第四隔离图案与所述第一电极同层同材料设置。
6.根据权利要求2所述的发光面板，其特征在于，所述第五隔离图案与所述像素界定层同层同材料设置。
7.一种发光面板的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板，所述衬底基板具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区；
在所述衬底基板的一侧且在所述隔离区依次形成第一隔离图案和第二隔离图案，所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内；
在所述第二隔离图案的远离所述衬底基板的一侧依次形成第三隔离图案和第四隔离图案，所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内；
所述制备方法还包括：
在所述衬底基板的一侧且在所述发光区形成有源层、栅绝缘层以及栅极，所述栅绝缘层位于所述有源层与所述栅极之间；
在所述有源层或所述栅极的远离所述衬底基板的一侧形成层间介电层，并在所述层间介电层上形成第一过孔，所述第一过孔连通至所述有源层；
在所述层间介电层的远离所述衬底基板的一侧形成源极和漏极，所述源极和所述漏极通过所述第一过孔与所述有源层连接；
在所述源极和所述漏极的远离所述衬底基板的一侧形成平坦化层，且在所述平坦化层上形成第二过孔，所述第二过孔连通至所述源极或所述漏极；
在所述平坦化层的远离所述衬底基板的一侧形成第一电极，所述第一电极通过所述第二过孔与所述源极或所述漏极连接；
在所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧形成像素界定层；
在形成所述源极和所述漏极的构图工艺中依次形成第一隔离层和所述第二隔离图案；
在形成所述平坦化层的构图工艺中形成第三隔离层，并对所述第一隔离层进行刻蚀形成所述第一隔离图案。
8.根据权利要求7所述的发光面板的制备方法，其特征在于，在形成所述源极和所述漏极的构图工艺中还形成第六隔离图案，所述第六隔离图案设于所述衬底基板与所述第一隔离图案之间，所述第一隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第六隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
9.根据权利要求7所述的发光面板的制备方法，其特征在于，在形成所述第一电极的构图工艺中形成所述第四隔离图案。
10.根据权利要求9所述的发光面板的制备方法，其特征在于，形成所述第一电极和所述第四隔离图案后，所述制备方法还包括：
在所述第一电极的远离所述衬底基板的一侧以及所述层间介电层、所述平坦化层和所述第一电极的侧壁形成保护层；
对第三隔离层进行灰化形成所述第三隔离图案，使所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，且所述第三隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第二隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
11.根据权利要求7所述的发光面板的制备方法，其特征在于，在形成所述像素界定层的构图工艺中，在所述第四隔离图案的远离所述衬底基板的一侧形成第五隔离图案，所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影内，或所述第四隔离图案在所述衬底基板上的正投影位于所述第五隔离图案在所述衬底基板上的正投影内。
12.一种发光装置，其特征在于，包括权利要求1～6任意一项所述的发光面板。
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