CN112018264B - 一种发光基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及照明与显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法。用于进一步提高水汽隔离效果。一种发光基板，包括：衬底、设置于衬底上且位于隔离区的隔离部、设置于衬底上且位于发光区的第二绝缘图案层，设置于衬底上且覆盖发光区和隔离区的第一导电薄膜，隔离部包括：沿远离所述衬底的方向依次设置的第一导电图案层、第二导电图案层和第一绝缘图案层；第一导电图案层在衬底上的正投影位于第二导电图案层在衬底上的正投影的边沿以内，且二者之间具有第一间隙；第一绝缘图案层与第二绝缘图案层同层设置且之间具有第二间隙；第一导电薄膜位于第二绝缘图案层远离衬底的一侧，且第一导电薄膜在隔离部靠近发光区的一侧断开。

Description

一种发光基板及其制备方法
技术领域
本发明涉及照明与显示技术领域，尤其涉及一种发光基板及其制备方法。
背景技术
随着对异形发光的要求越来越多，发光区的形状不同于规则的矩形发光区，需要设计隔离部对发光功能层以及阴极进行水汽阻挡隔离以实现异形区域发光。
发明内容
本发明的主要目的在于，提供一种发光基板及其制备方法。用于进一步提高水汽隔离效果。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一方面，本发明实施例提供一种发光基板，发光基板具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区；所述发光基板包括：衬底；设置于所述衬底上且位于所述隔离区的隔离部，所述隔离部包括：沿远离所述衬底的方向依次设置的第一导电图案层、第二导电图案层和第一绝缘图案层；所述第一导电图案层在所述衬底上的正投影位于所述第二导电图案层在所述衬底上的正投影的边沿以内，且所述第一导电图案层在衬底上的正投影与所述第二导电图案层在衬底上的正投影之间具有第一间隙；设置于所述衬底上且位于所述发光区的第二绝缘图案层，所述第一绝缘图案层与所述第二绝缘图案层同层设置且之间具有第二间隙；设置于所述衬底上且覆盖所述发光区和所述隔离区的第一导电薄膜，所述第一导电薄膜位于所述第二绝缘图案层远离所述衬底的一侧，且所述第一导电薄膜在所述隔离部靠近所述发光区的一侧断开。
可选的，还包括：设置于所述衬底上且覆盖所述发光区和所述隔离区的具有发光功能的薄膜，所述具有发光功能的薄膜位于所述第一导电薄膜靠近所述衬底的一侧，且所述具有发光功能的薄膜在所述隔离部靠近所述发光区的一侧断开；或者，还包括：设置于所述衬底上且仅覆盖所述发光区的具有发光功能的薄膜，所述具有发光功能的薄膜位于所述第一导电薄膜靠近所述衬底的一侧，且所述具有发光功能的薄膜在所述衬底上的正投影位于所述第二绝缘图案层在所述衬底上的正投影的边沿以内。
可选的，还包括：设置于所述衬底上且位于所述发光区的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口，所述具有发光功能的薄膜包括位于每个开口中的部分。
可选的，所述像素界定层的材料为疏水材料，且所述像素界定层的材料和所述第二绝缘图案层的材料具有不同的玻璃化转变温度。
可选的，所述第一绝缘图案层在远离所述衬底的表面上形成有至少一个第一凹槽，每个第一凹槽沿所述第一导电图案靠近所述发光区的边沿延伸。
可选的，沿远离所述发光区的方向，每个第一凹槽的底部的尺寸为4微米～6微米。
可选的，所述第一凹槽的数量为至少两个，且至少两个第一凹槽沿远离所述发光区的方向依次排列。
另一方面，本发明实施例提供一种发光基板的制备方法，所述发光基板具有发光区，以及与所述发光区相邻的隔离区；所述制备方法包括：在衬底上，且位于所述隔离区依次形成第一导电图案层和第二导电图案层；所述第一导电图案层的侧面相对于第二导电图案层的侧面向内缩进，形成有凹陷；在形成有所述第一导电图案层和第二导电图案层的衬底上形成绝缘薄膜，并将所述绝缘薄膜图案化形成位于所述发光区的第二绝缘图案层和位于所述凹陷处的刻蚀阻挡部，所述第二绝缘图案层和所述刻蚀阻挡部之间具有第三间隙；在形成有所述第二绝缘图案层和所述刻蚀阻挡部的衬底上形成第二导电薄膜，利用刻蚀液对所述第二导电薄膜中的一部分进行刻蚀，形成多个电极，所述刻蚀液能够与所述第一导电图案层的材料发生反应；去除所述刻蚀阻挡部。
可选的，还包括：在将所述绝缘薄膜图案化形成位于所述发光区的第二绝缘图案层和位于所述凹陷处的刻蚀阻挡部的同时，还形成位于所述隔离区的第三绝缘图案层；
在去除所述刻蚀阻挡部的同时，还去除部分第三绝缘图案层，形成位于所述隔离区的第一绝缘图案层。
可选的，还包括：在形成位于所述隔离区的第三绝缘图案层的同时，还在所述第三绝缘图案层远离所述衬底的表面形成至少一个第二凹槽，每个第二凹槽沿所述第一导电图案层靠近所述发光区的边沿延伸；
在去除部分第三绝缘图案层，形成位于所述隔离区的第一绝缘图案层的同时，还将所述至少一个第二凹槽形成为至少一个第一凹槽。
可选的，所述绝缘薄膜的材料为第一光刻胶；所述去除所述刻蚀阻挡部，包括：通过灰化工艺去除所述刻蚀阻挡部。
可选的，还包括：在去除所述刻蚀阻挡部之前，在形成有所述多个电极的衬底上形成第二光刻胶，并通过曝光、显影去除部分第二光刻胶，在所述衬底上且位于所述发光区形成第二光刻胶的保留图案；以及，通过灰化工艺去除所述刻蚀阻挡部，并同时去除部分第二光刻胶的保留图案，形成像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口，每个开口露出一个电极。
可选的，还包括：在通过曝光、显影去除部分第二光刻胶，在所述衬底上且位于所述发光区形成第二光刻胶的保留图案的同时，增加显影时间将所述刻蚀阻挡部显影掉一部分。
可选的，还包括：在所述衬底上形成具有发光功能的薄膜，以在所述衬底上且位于每个开口中形成发光功能层；其中，所述具有发光功能的薄膜覆盖所述发光区和隔离区，且所述具有发光功能的薄膜在所述隔离部靠近所述发光区的一侧断开；或者，所述具有发光功能的薄膜仅覆盖所述发光区，且所述具有发光功能的薄膜在所述衬底上的正投影位于所述第二绝缘图案层在所述衬底上的正投影的边沿以内。
可选的，还包括：在形成有发光功能层的衬底上形成第一导电薄膜，所述第一导电薄膜覆盖所述发光区和隔离区，且所述第一导电薄膜在所述隔离部靠近所述发光区的一侧断开。
本发明实施例提供一种发光基板及其制备方法。通过在第二导电图案层远离衬底的一侧形成第一绝缘图案层，与相关技术中隔离部为工字型结构，包括第一导电图案层、第二导电图案层和设置在第一导电图案层远离第二导电图案层一侧的另一导电图案层相比，能够增大隔离部的整体厚度，尤其适用于通过喷墨打印在发光区形成具有发光功能的薄膜，以在像素界定层限定出的开口中形成发光功能层，且该具有发光功能的薄膜在衬底上的正投影位于该第二绝缘图案层在衬底上的正投影的边沿以内的情形。具体的，通过增大隔离部的整体厚度，在通过蒸镀形成整层覆盖的第一导电薄膜时，能够增大第一导电薄膜在隔离部靠近发光区一侧的爬坡难度，从而能够使第一导电薄膜在隔离部靠近发光区的一侧断开，进而能够避免水汽沿该第一导电薄膜进入发光区的发光功能层中。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种发光基板的俯视结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种发光基板的剖视结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种隔离部的俯视结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种发光基板的俯视结构示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种发光基板的剖视结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种发光基板的制备流程示意图；
图7为本发明实施例提供的另一种发光基板的制备流程示意图；
图8为本发明实施例提供的基于图6在第二导电图案层远离衬底一侧形成第一绝缘图案层的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的基于图8在形成像素界定层的同时去除刻蚀阻挡部的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的基于图9增加显影时间将刻蚀阻挡部的一部分显影掉的结构示意图；
图11为本发明实施例提供的基于图10通过蒸镀形成具有发光功能的薄膜的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的基于图10通过喷墨打印形成具有发光功能的薄膜的结构示意图；
图13为本发明实施例提供的基于图11形成第一导电薄膜的结构示意图；
图14为本发明实施例提供的基于图12形成第一导电薄膜的结构示意图；
图15为本发明实施例提供的形成第一导电图案层、第二导电图案层和第三导电图案层的同时，形成源漏极图案的结构示意图；
图16为本发明实施例提供的一种在衬底上形成缓冲层和有源层的结构示意图；
图17为本发明实施例提供的基于图16形成栅绝缘层和栅极的结构示意图；
图18为本发明实施例提供的基于图17形成层间绝缘层的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本发明的实施例提供一种发光装置，该发光装置包括发光基板和驱动发光基板发光的驱动电路。
在功能上，该发光装置可以为照明装置或者显示装置。在驱动方式上，该发光装置可以包括被动驱动装置和主动驱动装置。在该发光装置为显示装置的情况下，该发光装置可以为手机、平板电脑、笔记本、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、车载电脑等。
在以下实施例中，将以该显示装置为主动驱动的显示装置为例进行说明。
如图1、图2和图3所示，该发光基板1具有发光区A(也可以称为显示区(ActiveArea，简称为AA区)A)和与发光区A相邻的隔离区L。该发光基板1包括衬底11，以及设置于衬底11上，且位于隔离区L的隔离部12，该隔离部12包括：沿远离衬底11的方向依次设置的第一导电图案层121、第二导电图案层122和第一绝缘图案层123。第一导电图案层121在衬底11上的正投影位于第二导电图案层122在衬底11上的正投影的边沿以内，且第一导电图案层121在衬底11上的正投影与第二导电图案层122在衬底11上的正投影之间具有第一间隙G1。
其中，衬底11可以为玻璃基板或PI(Polyimide，聚酰亚胺)基板。
根据该发光基板1可以被做成具有任意发光形状的发光基板，该隔离部12沿发光区A的边沿延伸的形状可以为任意形状。
如图4所示，示出了该隔离部12沿发光区A的边沿延伸的形状为弧形的情形，在此情况下，该发光区A的形状为圆形，该发光基板1可以制作成手表的显示基板。
此时，如图4所示，该发光基板1还可以包括边框区S，边框区S可以设置在发光区A和隔离区L的外围。该边框区S可以设置有栅极驱动电路100，该栅极驱动电路100可以通过栅极引线经过隔离部12的开口位置与发光区A的各个像素驱动电路200电连接，驱动位于发光区A的发光器件发光。
在一些实施例中，如图2所示，该发光基板1还包括设置于衬底11上且位于发光区A的第二绝缘图案层124和设置于衬底11上且覆盖发光区A和隔离区L的第一导电薄膜13。第一绝缘图案层123与第二绝缘图案层124同层设置且之间具有第二间隙G2。第一导电薄膜13位于第二绝缘图案层124远离衬底11的一侧，且第一导电薄膜13在隔离部12靠近发光区A的一侧断开。
根据该发光基板1可以为显示基板，该第二绝缘图案层124可以为平坦层，第一导电薄膜13可以为阳极或者阴极。
根据该第一导电薄膜13可以为阳极或阴极，该发光基板1可以为“正置式”发光基板或者“倒置式”发光基板。在该第一导电薄膜13为阳极的情况下，该发光基板1为“倒置式”发光基板，在该第一导电薄膜13为阴极的情况下，该发光基板1为“正置式”发光基板。与该发光基板1为顶发射型发光基板还是底发射型发光基板没有必然联系。
根据该发光基板1为顶发射型发光基板还是底发射型发光基板，该第一导电薄膜13的材料可以为透明材料或者非透明材料。在该发光基板1为顶发射型发光基板的情况下，该第一导电薄膜13的材料为透明材料，在此情况下，该第一导电薄膜13仍然可以为阳极或阴极。在该发光基板为底发射型发光基板的情况下，该第一导电薄膜的材料为非透明材料，在此情况下，该第一导电薄膜13也仍然可以为阳极或阴极。
在此，仅以该第一导电薄膜13为阴极为例，则在该发光基板1为顶发射型发光基板的情况下，该第一导电薄膜13的材料可以选自低功函，且厚度很薄的金属材料，此时，阳极的材料可以选自高功函的反光金属材料或叠层材料。在该发光基板1为底发射型发光基板的情况下，该第一导电薄膜13的材料可以选自低功函的反光金属材料，此时，阳极的材料可以选自高功函的透明材料。
其中，根据阳极的材料选自高功函材料，阴极的材料选自低功函材料，阳极的材料可以选自ITO(Indium Tin Oxides，氧化铟锡)、氧化锌、AZO(铝掺杂的氧化锌(ZnO))等材料，也可以选自Ni、Au、Pt、Al等金属材料，当然也可以选自ITO/金属/ITO等叠层材料。阴极的材料可以选自低功函金属和抗腐蚀金属的合金(如镁银合金、锂铝合金等)。
第一绝缘图案层123与第二绝缘图案层124同层设置且之间具有第二间隙G2，是指第一绝缘图案层123和第二绝缘图案层124通过同一次构图工艺形成，且二者之间的部分被完全去除。
该第一导电图案层121在衬底11上的正投影位于第二导电图案层122在衬底11上的正投影的边沿以内，可以参照图2所示，第一导电图案层121的侧面相对于第二导电图案层122的侧面向内缩进，形成有凹陷T。
本发明的实施例提供一种发光基板，通过在第二导电图案层122远离衬底11的一侧形成第一绝缘图案层123，与相关技术中隔离部12为工字型结构，包括第一导电图案层121、第二导电图案层122和设置在第一导电图案层121远离第二导电图案层122一侧的另一导电图案层(如图2中125所示)相比，能够增大隔离部12的整体厚度，尤其适用于通过喷墨打印在发光区A形成具有发光功能的薄膜14，以在像素界定层15限定出的开口K中形成发光功能层141，且该具有发光功能的薄膜14在衬底11上的正投影位于该第二绝缘图案层124在衬底11上的正投影的边沿以内的情形。具体的，通过增大隔离部12的整体厚度，在通过蒸镀形成整层覆盖的第一导电薄膜13时，能够增大第一导电薄膜13在隔离部12靠近发光区A一侧的爬坡难度，从而能够使第一导电薄膜13在隔离部12靠近发光区A的一侧断开，进而能够避免水汽沿该第一导电薄膜13进入发光区A的发光功能层141中。
在一些实施例中，如图5所示，该发光基板1还包括设置于衬底11上且覆盖发光区A和隔离区L的具有发光功能的薄膜14，该具有发光功能的薄膜14位于第一导电薄膜13靠近衬底11的一侧，且具有发光功能的薄膜14在隔离部12靠近发光区A的一侧断开。
在这些实施例中，该具有发光功能的薄膜14可以为整层覆盖，此时通过将该具有发光功能的薄膜14在隔离部12靠近发光区A的一侧断开，能够进一步提高水汽隔离效果，防止外界水汽经设置于隔离部12的具有发光功能的薄膜14进入发光区A，而对发光区A的发光功能层141造成损伤。根据该具有发光功能的薄膜14为整层覆盖，该具有发光功能的薄膜14也可以通过蒸镀形成，在蒸镀时，在隔离部12的隔离作用下，通过使具有发光功能的薄膜14在该隔离部12靠近发光区A的一侧断开，即可形成定制化发光区域，无需依赖于精细化的金属掩膜板，从而能够在形成定制化发光区域的同时节省适应发光区域的形状的金属掩膜板的制作成本。
在另一些实施例中，如图2所示，该发光基板1还包括设置于衬底11上且仅覆盖发光区A的具有发光功能的薄膜14，该具有发光功能的薄膜14位于第一导电薄膜13靠近衬底11的一侧，且具有发光功能层的薄膜14在衬底11上的正投影位于第二绝缘图案层124在衬底11上的正投影的边沿以内。
在这些实施例中，该具有发光功能的薄膜14可以通过喷墨打印工艺制备而成。根据在通过喷墨打印工艺制备该具有发光功能的薄膜14的情况下，通常需要将具有发光功能的薄膜14打印在像素界定层15所限定的开口K中，因此，在制备时，通过对工艺条件进行精确控制，即可使该具有发光功能的薄膜14仅覆盖在发光区A，并形成在开口K中，从而无需采用隔离部12对具有发光功能的薄膜14进行隔离。此时，仅需要将以上所述的第一导电薄膜13在隔离部12靠近发光区A的一侧断开，即可起到阻隔水汽进入的作用。
在又一些实施例中，如图2和图5所示，该发光基板1还包括设置于衬底11上且位于发光区A的像素界定层15，该像素界定层15限定出多个开口K，具有发光功能的薄膜14包括位于每个开口K中的部分。
其中，具有发光功能的薄膜14位于每个开口K中的部分即构成发光功能层141。在这些实施例中，通过设置像素界定层15，在具有发光功能的薄膜14覆盖发光区A和隔离区L的情况下，该具有发光功能的薄膜14可以通过蒸镀工艺形成，此时，如图5所示，该具有发光功能的薄膜14还包括覆盖在每个开口K以外的部分，且该具有发光功能的薄膜14在发光区可以为连续的薄膜。在具有发光功能的薄膜14仅覆盖发光区A的情况下，该具有发光功能的薄膜14可以通过喷墨打印工艺形成，此时，如图2所示，根据对喷墨打印工艺的喷墨位置的控制精确程度，该具有发光功能的薄膜14可以完全形成在多个开口K中，也可以部分形成在多个开口K中。
在实际制作过程中，为了使具有发光功能的薄膜14完全形成在多个开口K中，可选的，该像素界定层15的材料可以为疏水材料。
也即，通过采用疏水材料形成像素界定层15，使像素界定层15具有良好的疏液性能，墨水不会扩展攀爬或残留到开口K的侧壁上，从而能够防止墨水溢出。
在又一些实施例中，该像素界定层15的材料和第二绝缘图案层124的材料具有不同的玻璃化转变温度Tg。如果两种聚合物共混后，形成的共混物具有单一的玻璃化转变温度，则就可以认为该共混物为均相体系，这两种聚合物相容性较好，相反地，如果两种聚合物的玻璃化转变温度不同，则认为这两种聚合物的相容性较差。在这些实施例中，由于像素界定层15的材料和第二绝缘图案层124的材料具有不同的玻璃化转变温度Tg，因此，像素界定层15的材料和第二绝缘图案层124的材料相容性较差，不利于像素界定层15在隔离部12上成型，因此，为了保持第一绝缘图案层123一定的隔离形状，可以使该像素界定层15仅覆盖在发光区A。
在一些实施例中，如图2、图3和图5所示，该第一绝缘图案层123在远离衬底11的表面上形成有至少一个第一凹槽U1，每个第一凹槽U1沿第一导电图案121靠近发光区A的边沿延伸。
在这些实施例中，设置至少一个第一凹槽U1，能够进一步增大第一导电薄膜13和具有发光功能的薄膜14在蒸镀时的爬坡难度，尤其对于第一导电薄膜13为阴极而言，阴极较薄，在至少一个第一凹槽U1存在的情况下，第一绝缘图案层123的纵截面呈梯形甚至三角形，使得阴极在尖角位置处更薄，一方面能够增大水汽的爬坡里程，另一方面在阴极较薄位置处，通过的水汽也会相应减少，因此能够进一步防止水汽进入。
在一些实施例中，如图2、图3和图5所示，沿远离发光区A的方向，每个第一凹槽U1的底部的尺寸W1为4微米～6微米。
在这些实施例中，同样能够增大水汽的爬坡里程，使得水汽可在行进过程中被阴极吸收掉，也能够减少水汽进入。
在又一些实施例中，如图2、图3和图5所示，第一凹槽U1的数量为至少两个，且至少两个第一凹槽U1沿远离发光区A的方向依次排列。能够进一步增大水汽的爬坡里程，更容易阻断水汽。
本发明的实施例提供了一种发光基板的制备方法，该发光基板1具有发光区A，以及与发光区A相邻的隔离区L。如图6和图7所示，该制备方法包括：
S1、在衬底11上，且位于隔离区L依次形成第一导电图案层121和第二导电图案层122，第一导电图案层121的侧面相对于第二导电图案层122的侧面向内缩进，形成有凹陷T。
其中，该第一导电图案层121和第二导电图案层122可以通过涂覆光刻胶，曝光、显影和刻蚀工艺制备形成。
具体的，该第一导电图案层121的材料可以为金属铝，该第二导电图案层122的材料可以为金属钛，此时，通过涂覆光刻胶，曝光、显影和刻蚀工艺形成第一导电图案层121和第二导电图案层122时，可以采用金属铝的刻蚀液(如包含有HNO3、H3PO4和AcH(乙酸)的混合酸)进行刻蚀，从而能够使第一导电图案层121的侧面相对于第二导电图案层122的侧面向内缩进，形成凹陷T。
S2、在形成有第一导电图案层121和第二导电图案层122的衬底11上形成绝缘薄膜300，并将绝缘薄膜300图案化形成位于发光区A的第二绝缘图案层124和位于凹陷处的刻蚀阻挡部301，该第二绝缘图案层124和刻蚀阻挡部301之间具有第三间隙G3。
其中，该第二绝缘图案层124和刻蚀阻挡部301的材料可以为第一光刻胶。
此时，在形成有第一导电图案层121和第二导电图案层122的衬底11上形成绝缘薄膜300，并将绝缘薄膜300图案化形成位于发光区A的第二绝缘图案层124和位于凹陷T处的刻蚀阻挡部301，可以包括：
S21、在衬底11上形成第一光刻胶。如可以通过涂覆形成第一光刻胶，该第一光刻胶覆盖发光区A和隔离区L，并填充在隔离区L中的凹陷T处。
S22、通过曝光、显影去除部分第一光刻胶，再通过后烘工艺形成位于发光区A的第二绝缘图案层124和位于凹陷T处的刻蚀阻挡部301。
具体的，以该第一光刻胶为正性光刻胶为例，则对除发光区A以外的区域进行曝光，显影，即可在发光区A形成第一光刻胶的保留图案，同时，由于第二导电图案层122对凹陷T处的遮挡，使得在凹陷T处也形成第一光刻胶的保留图案，从而能够在发光区A形成第二绝缘图案层124，以及在凹陷T处形成刻蚀阻挡部301。
S3、在形成有第二绝缘图案层124和刻蚀阻挡部301的衬底11上形成第二导电薄膜400，利用刻蚀液对第二导电薄膜400中的一部分进行刻蚀，形成多个电极16，刻蚀液能够与第一导电图案层121的材料发生反应。
根据以上所述的第一导电薄膜13可以为阳极或阴极，该多个电极16中的每个电极16可以为阴极或阳极。其中，在该第一导电薄膜13为阳极的情况下，该多个电极16中的每个电极16为阴极。在该第一导电薄膜13为阴极的情况下，该多个电极16中的每个电极16为阳极。具体材料也可参照以上关于阳极的材料和阴极的材料的相关描述。
在此，仍然以以上所述的第一导电薄膜13为阴极，多个电极16中的每个电极16为阳极为例，则第二导电薄膜400的材料可以为高功函的金属材料或叠层材料。
示例的，该第二导电薄膜400的材料可以为ITO/Al/ITO的叠层材料。此时，在以上所述的第一导电图案层121的材料为金属铝，且采用金属铝的刻蚀液(如以上所述的包含有HNO3、H3PO4和AcH(乙酸)的混合酸)对第二导电薄膜400中的一部分进行刻蚀的情况下，该刻蚀液即能够与第一导电图案层121的材料发生反应。
而在此步骤S3之前，通过在第一导电图案层121的侧面相对于第二导电图案层122的侧面向内缩进形成的凹陷T处形成刻蚀阻挡部301，能够防止在此步骤S3中，对第二导电薄膜400中的一部分进行刻蚀时，也将第一导电图案层121刻蚀掉，从而能够避免第二导电图案层122发生坍塌，不利于隔离部12的形成。
S4、去除刻蚀阻挡部301。
在该刻蚀阻挡部301为光刻胶的情况下，可以通过灰化工艺将其去除。与相关技术中若第二导电图案层124发生坍塌，则需要重新通过mask工艺制作该第一导电图案层121和第二导电图案层122相比，仅增加一道灰化工艺即可恢复工字型结构，无需增加mask工艺。
本发明的实施例提供一种发光基板1的制备方法，通过在形成多个电极16之前，在第一导电图案层121相对于第二导电图案层122的侧面向内缩进形成的凹陷T处形成刻蚀阻挡部301，能够在刻蚀形成多个电极16时，避免将第一导电图案层121刻蚀掉，与相关技术中在将第一导电图案层121刻蚀掉之后，需要增加一道mask工艺重新制作工字型结构相比，仅增加一道灰化工艺即可恢复工字型结构。
在一些实施例中，该制备方法还包括：如图8所示，在将绝缘薄膜300图案化形成位于发光区A的第二绝缘图案层124和位于凹陷T处的刻蚀阻挡部301的同时，还形成位于隔离区L的第三绝缘图案层500。以及在去除刻蚀阻挡部301的同时，还去除部分第三绝缘图案层500，形成位于隔离区L的第一绝缘图案层123。
在这些实施例中，仍然以该第二绝缘图案层124和刻蚀阻挡部301的材料为正性光刻胶为例，则在将绝缘薄膜300图案化形成位于发光区A的第二绝缘图案层124和位于凹陷处的刻蚀阻挡部301的同时，还形成位于隔离区L的第三绝缘图案层500，可以包括：
通过曝光、显影在发光区A形成第一光刻胶的保留图案的同时，还在隔离区L也形成第一光刻胶的保留图案。
在去除刻蚀阻挡部301的同时，还去除部分第三绝缘图案层500，形成位于隔离区L的第一绝缘图案层123，可以包括：
通过灰化工艺去除刻蚀阻挡部301，并对灰化工艺进行控制，去除部分第三绝缘图案层500，以在隔离区A形成第一绝缘图案层123。
灰化工艺是指使光刻胶(这里是指第一光刻胶的保留图案)中的C、H、O、N等元素与氧等离子体反应生成气体挥发掉，从而将第一光刻胶的保留图案不断减薄，减少的工艺。在这些实施例中，可以通过曝光、显影先形成第一光刻胶的保留图案，并通过对第一光刻胶的保留图案的厚度进行控制，即可形成一定厚度的第三绝缘图案层500和第二绝缘图案层124，而再通过后续的灰化工艺，能够将第三绝缘图案层500减薄为第一绝缘图案层123，从而能够增大隔离部12的整体厚度，提高隔离效果。
其中，为了保持第一绝缘图案层123较高的厚度，可以通过半色调掩膜工艺形成该第三绝缘图案层500和第二绝缘图案层124，例如，可以控制第三绝缘图案层500的厚度大于第二绝缘图案层124的厚度，从而在通过灰化工艺去除部分第三绝缘图案层500时，保持第一绝缘图案层123具有较高的厚度。
当然，在以上所形成的第三绝缘图案层500的厚度等于第二绝缘图案层124的厚度的情况下，也可以对灰化时间进行控制，以保持第一绝缘图案层123较高的厚度。
在一些实施例中，该第一绝缘图案层123的厚度为第二绝缘图案层124的厚度的1/3～2/3。
在又一些实施例中，该制备方法还包括：如图8所示，在形成位于隔离区L的第三绝缘图案层500的同时，还在第三绝缘图案层500远离衬底的表面形成至少一个第二凹槽U2，每个第二凹槽U2沿第一导电图案层123靠近发光区A的边沿延伸。以及在去除部分第三绝缘图案层500，形成位于隔离区L的第一绝缘图案层123的同时，还将至少一个第二凹槽U2形成为至少一个第一凹槽U1。
在这些实施例中，在形成第三绝缘图案层500时，可以对隔离区L的不同区域去除不同的厚度，以在隔离区L的不同区域形成不同的厚度的保留部分，从而在第三绝缘图案层500的表面形成至少一个第二凹槽U2，或者，可以对隔离区L的部分区域全部去除，其余区域完全保留，以在第三绝缘图案层500的表面形成至少一个第二凹槽U2。以及在形成第三绝缘图案层500之后，通过灰化工艺，去除部分第三绝缘图案层500，在此过程中，以该灰化工艺在具有各向同性的等离子体刻蚀设备中进行为例，则随着第三绝缘图案层500不断减薄，第三绝缘图案层500也逐渐变细，从而使至少一个第二凹槽U2灰化为至少一个第一凹槽U1，并使沿远离发光区A的方向，每个第一凹槽U1的底部的尺寸W1大于每个第二凹槽U2的底部的尺寸W2。
基于此，在一些实施例中，如图8所示，沿远离发光区A的方向，每个第二凹槽U2的底部的尺寸W2为2～3微米。也即，在灰化完成之后，第二凹槽U2的底部的尺寸W2可以变为灰化前的1.5～3倍，从而能够增大水汽的爬坡里程，提高水汽隔离效果。
其中，需要说明的是，在以上的实施例中，在形成第三绝缘图案层500，并在第三绝缘图案层500远离衬底11的一侧形成至少一个第二凹槽U2，以及在形成多个电极16使得刻蚀阻挡部301起到阻挡刻蚀的作用之后，可以通过灰化工艺直接将刻蚀阻挡部301去除，也可以在后续的工艺中将刻蚀阻挡部301去除，在此不做具体限定。
需要说明的是，在形成第三绝缘图案层500，并在第三绝缘图案层500远离衬底11的一侧形成至少一个第二凹槽U2，以及在形成多个电极16使得刻蚀阻挡部301起到阻挡刻蚀的作用之后，在通过灰化工艺直接将刻蚀阻挡部301去除的情况下，还会将第二绝缘图案层124也灰化掉一部分，不利于平坦层的平坦化。
基于此，在一些实施例中，该制备方法还包括：如图9所示，在去除刻蚀阻挡部301之前，在形成有多个电极16的衬底11上形成第二光刻胶600，并通过曝光、显影去除部分第二光刻胶600，在衬底11上且位于发光区A形成第二光刻胶600的保留图案。以及，通过灰化工艺去除刻蚀阻挡部301，并同时去除部分第二光刻胶600的保留图案，形成像素界定层15，像素界定层15限定出多个开口K，每个开口K露出一个电极16。
在这些实施例中，通过采用第二光刻胶600形成像素界定层15，能够在形成第二光刻胶600的保留图案之后，通过灰化工艺形成像素界定层15的同时，将刻蚀阻挡部301一同去除，能够节省制备工艺，避免额外增加一步灰化工艺去除刻蚀阻挡部301。
同时，与在形成多个电极16使得刻蚀阻挡部301起到阻挡刻蚀的作用之后，直接通过灰化工艺将刻蚀阻挡部301去除相比，还能够避免第二绝缘图案层124也被灰化掉一部分，使得不利于平坦层的形成的缺陷。
在另一些实施例中，该制备方法还包括：如图10所示，在通过曝光、显影去除部分第二光刻胶，在衬底11上且位于发光区A形成第二光刻胶的保留图案的同时，增加显影时间将刻蚀阻挡部301显影掉一部分。
在这些实施例中，通过控制显影时间，将刻蚀阻挡部301显影掉一部分，能够在减少灰化时间的同时，保证将刻蚀阻挡部301完全去除掉，避免刻蚀阻挡部301发生残留。
在一些实施例中，该制备方法还包括：如图11和图12所示，在衬底11上形成具有发光功能的薄膜14，以在衬底11上且位于每个开口K中形成发光功能层141。其中，如图11所示，具有发光功能的薄膜14覆盖发光区A和隔离区L，且具有发光功能的薄膜14在隔离部12靠近所述发光区A的一侧断开；或者，如图12所示，具有发光功能的薄膜14仅覆盖发光区A，且具有发光功能的薄膜14在衬底11上的正投影位于第二绝缘图案层124在衬底11上的正投影的边沿以内。
在这些实施例中，可以通过蒸镀或者喷墨打印在衬底11上形成具有发光功能的薄膜14，以在衬底11上且位于每个开口K中形成发光功能层141。在该具有发光功能的薄膜14覆盖发光区A和隔离区L的情况下，由于该隔离部12的存在，可以使具有发光功能的薄膜14在隔离部12靠近发光区A的一侧断开，从而能够对外界水汽进行隔离，防止外界水汽进入发光功能层141中。在该具有发光功能的薄膜14仅覆盖发光区A的情况下，可以通过控制喷墨打印工艺，使该具有发光功能的薄膜14在衬底11上的正投影位于第二绝缘图案层124在衬底11上的正投影的边沿以内。
在一些实施例中，如图13和图14所示，该制备方法还包括：在形成有发光功能层141的衬底11上形成第一导电薄膜13，第一导电薄膜13覆盖发光区A和隔离区L，且第一导电薄膜13在隔离部12靠近发光区A的一侧断开。
在这些实施例中，可以通过蒸镀形成第一导电薄膜13。由于隔离部12的存在，可以使第一导电薄膜13在隔离部12靠近所述发光区A的一侧断开，同样能够对外界水汽进行隔离，防止外界水汽经过第一导电薄膜13进入发光功能层141中。
在一些实施例中，该制备方法还包括：如图15所示，在形成第一导电图案层121和第二导电图案层122的同时，还在衬底11上且位于隔离区L形成第三导电图案层125，该第三导电图案层125位于第一导电图案层121靠近衬底11的一侧，第三导电图案层125的材料与第二导电图案层122的材料相同。
也即，在该第二导电图案层122的材料为金属钛的情况下，该第三导电图案层125的材料也为金属钛，在制作时，可以在衬底11上依次形成金属钛薄膜、金属铝薄膜和金属钛薄膜，而后在最上层的金属钛薄膜上形成光刻胶，再通过曝光、显影去除部分光刻胶，并采用金属铝的刻蚀液对层叠设置的金属钛薄膜、金属铝薄膜和金属钛薄膜进行刻蚀，形成沿远离衬底的方向依次层叠设置的第三导电图案层125、第一导电图案层121和第二导电图案层122，使得第一导电图案层121的侧面相对于第二导电图案层122和第三导电图案层125的侧面均向内缩进，形成凹陷T。
在另一些实施例中，该制备方法还包括：如图15所示，在形成第一导电图案层121、第二导电图案层122和第三导电图案层125的同时，还形成位于发光区A的源漏极图案，源漏极图案包括与第一导电图案层121同层的导电图案、与第二导电图案层122同层的导电图案和与第三导电图案层125同层的导电图案。
也即，该源漏极图案与隔离部12中的工字型结构通过同一次构图工艺形成，该源漏极图案可以包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的源漏极(源极用191表示，漏极用192表示)和数据线D，这样一来，该薄膜晶体管TFT的源漏极的纵截面和数据线的纵截面也均为工字型结构。
基于以上结构，在一些实施例中，还包括：
在形成隔离部12之前，在衬底11上形成缓冲层18和驱动电路层中的其余图案层。
其中，以该驱动电路层包括像素驱动电路200，像素驱动电路200包括薄膜晶体管TFT为例，则该薄膜晶体管TFT除包括以上所述的源漏极图案之外，如图15所示，还包括栅极193、栅绝缘层194、有源层195和层间绝缘层196等。
其中，以上所述的薄膜晶体管TFT可以为底栅型薄膜晶体管或者顶栅型薄膜晶体管。
在此，以薄膜晶体管TFT为顶栅型薄膜晶体管为例，在衬底11上形成缓冲层18和驱动电路层的其他图案层，可以包括：
在衬底11上连续沉积缓冲层18和半导体薄膜层。
其中，缓冲层18可以包括层叠设置的氮化硅层和氧化硅层。氮化硅层的厚度为0.3微米～0.7微米，氧化硅层的厚度为1.0微米～1.2微米。
半导体薄膜层的材料可以为非晶硅(a-Si)。非晶硅的厚度可以为0.05微米。
而后，在对非晶硅进行ELA(Excimer Laser Annealing，准分子激光晶化)结晶化处理前，先在高温条件(如300℃～350℃)下进行脱氢处理，以防止在ELA时出现氢爆现象。
ELA工艺是利用准分子激光作为热源，激光经过投射系统后，产生能量分布均匀的光束，投射于玻璃基板(也就是衬底11)上，当非晶硅结构吸收准分子激光的能量后，会转变成为多晶硅结构(p-Si)。
使用数字曝光机或掩膜形成硅岛掩膜，而后进行干刻，示例的，可以使用CF4和O2的混合气体进行干刻，并湿法剥离后形成硅岛图形。
硅岛形成后，形成非电容区掩膜，进行离子注入，将电容区多晶硅导体化，掺杂可使用磷烷或硼烷(为轻度掺杂，以形成沟道区)。得到如图16所示结构。
随后，沉积一层栅绝缘层194，可以为氧化硅和氮化硅的层叠结构，氧化硅的厚度可以为0.03微米～0.06微米，氮化硅的厚度可以为0.05微米～0.09微米。
而后，沉积一层栅金属层，可以为钼金属，厚度为0.25微米～0.3微米。使用数字曝光机或掩膜形成栅极掩膜，随后使用SF6和O2进行干法刻蚀，可采用高流量CF4和低流量O2混合气体进行干刻，(其中，CF4的流量可以为2000sccm(Standard Cubic Centimeter perMinute，每分钟标准毫升)～2500sccm，O2的流量可以为1000sccm～1500sccm)，干法刻蚀后，使用栅极自对准工艺对与源漏极SD欧姆接触的多晶硅区域掺杂导体化，掺杂亦可使用磷烷或硼烷(为中度掺杂，以在沟道中靠近源漏极的附近设置一个低掺杂的漏区)，湿法刻蚀去除掩膜。而后进行退火以修复受离子掺杂损伤的多晶硅和无机膜膜层，退火温度为500℃～600℃，得到如图17所示结构。
接着，沉积一层层间绝缘层196，可以为SiO、SiN和SiO的层叠结构，上下层SiO厚度可以为0.15微米～0.25微米，中间的SiN的厚度为0.1微米～0.15微米。光刻形成接触孔，以连接源漏极SD和有源层195，得到如图18所示结构。
在另一些实施例中，该制备方法还包括：如图2和图5所示，在形成有第一导电薄膜13的衬底11上形成封装层17，该封装层17覆盖发光区A和隔离区L。该封装层17可以包括无机材料层和有机材料层。
具体的，在实际制作过程中，在形成封装层17之前，可以在衬底11上且位于边框区S形成挡墙，该封装层17可以延伸至挡墙靠近发光区A的一侧，以对发光器件进行封装，防止水汽进入第一导电薄膜13和发光功能层141中。
本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (12)

1.一种发光基板，其特征在于，发光基板具有发光区和与所述发光区相邻的隔离区；
所述发光基板包括：
衬底；
设置于所述衬底上且位于所述隔离区的隔离部，所述隔离部包括：沿远离所述衬底的方向依次设置的第一导电图案层、第二导电图案层和第一绝缘图案层；所述第一导电图案层在所述衬底上的正投影位于所述第二导电图案层在所述衬底上的正投影的边沿以内，且所述第一导电图案层在衬底上的正投影与所述第二导电图案层在衬底上的正投影之间具有第一间隙；所述第一绝缘图案层在远离所述衬底的表面上形成有至少一个第一凹槽，每个所述第一凹槽沿所述第一导电图案层靠近所述发光区的边沿延伸；
设置于所述衬底上且位于所述发光区的第二绝缘图案层，所述第一绝缘图案层与所述第二绝缘图案层同层设置且之间具有第二间隙；
设置于所述衬底上且覆盖所述发光区和所述隔离区的第一导电薄膜，所述第一导电薄膜位于所述第二绝缘图案层远离所述衬底的一侧，且所述第一导电薄膜在所述隔离部靠近所述发光区的一侧断开。
2.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，还包括：
设置于所述衬底上且覆盖所述发光区和所述隔离区的具有发光功能的薄膜，所述具有发光功能的薄膜位于所述第一导电薄膜靠近所述衬底的一侧，且所述具有发光功能的薄膜在所述隔离部靠近所述发光区的一侧断开；
或者
还包括：设置于所述衬底上且仅覆盖所述发光区的具有发光功能的薄膜，所述具有发光功能的薄膜位于所述第一导电薄膜靠近所述衬底的一侧，且所述具有发光功能的薄膜在所述衬底上的正投影位于所述第二绝缘图案层在所述衬底上的正投影的边沿以内。
3.根据权利要求2所述的发光基板，其特征在于，还包括：
设置于所述衬底上且位于所述发光区的像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口，所述具有发光功能的薄膜包括位于每个开口中的部分。
4.根据权利要求3所述的发光基板，其特征在于，所述像素界定层的材料为疏水材料，且所述像素界定层的材料和所述第二绝缘图案层的材料具有不同的玻璃化转变温度。
5.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，
沿远离所述发光区的方向，每个第一凹槽的底部的尺寸为4微米~6微米。
6.根据权利要求1所述的发光基板，其特征在于，
所述第一凹槽的数量为至少两个，且至少两个第一凹槽沿远离所述发光区的方向依次排列。
7.一种发光基板的制备方法，其特征在于，所述发光基板具有发光区，以及与所述发光区相邻的隔离区；所述制备方法包括：
在衬底上，且位于所述隔离区依次形成第一导电图案层和第二导电图案层；所述第一导电图案层的侧面相对于第二导电图案层的侧面向内缩进，形成有凹陷；
在形成有所述第一导电图案层和第二导电图案层的衬底上形成绝缘薄膜，并将所述绝缘薄膜图案化形成位于所述发光区的第二绝缘图案层和位于所述凹陷处的刻蚀阻挡部，所述第二绝缘图案层和所述刻蚀阻挡部之间具有第三间隙；同时，形成位于所述隔离区的第三绝缘图案层；在所述第三绝缘图案层远离所述衬底的表面形成至少一个第二凹槽，每个第二凹槽沿所述第一导电图案层靠近所述发光区的边沿延伸；
在形成有所述第二绝缘图案层和所述刻蚀阻挡部的衬底上形成第二导电薄膜，利用刻蚀液对所述第二导电薄膜中的一部分进行刻蚀，形成多个电极，所述刻蚀液能够与所述第一导电图案层的材料发生反应；
去除所述刻蚀阻挡部，同时，去除部分第三绝缘图案层，形成位于所述隔离区的第一绝缘图案层；将所述至少一个第二凹槽形成为至少一个第一凹槽。
8.根据权利要求7所述的发光基板的制备方法，其特征在于，所述绝缘薄膜的材料为第一光刻胶；
所述去除所述刻蚀阻挡部，包括：通过灰化工艺去除所述刻蚀阻挡部。
9.根据权利要求8所述的发光基板的制备方法，其特征在于，还包括：
在去除所述刻蚀阻挡部之前，在形成有所述多个电极的衬底上形成第二光刻胶，并通过曝光、显影去除部分第二光刻胶，在所述衬底上且位于所述发光区形成第二光刻胶的保留图案；以及
通过灰化工艺去除所述刻蚀阻挡部，并同时去除部分第二光刻胶的保留图案，形成像素界定层，所述像素界定层限定出多个开口，每个开口露出一个电极。
10.根据权利要求9所述的发光基板的制备方法，其特征在于，还包括：在通过曝光、显影去除部分第二光刻胶，在所述衬底上且位于所述发光区形成第二光刻胶的保留图案的同时，增加显影时间将所述刻蚀阻挡部显影掉一部分。
11.根据权利要求9所述的发光基板的制备方法，其特征在于，还包括：
在所述衬底上形成具有发光功能的薄膜，以在所述衬底上且位于每个开口中形成发光功能层；
其中，所述具有发光功能的薄膜覆盖所述发光区和隔离区，且所述具有发光功能的薄膜在所述隔离区靠近所述发光区的一侧断开；或者
所述具有发光功能的薄膜仅覆盖所述发光区，且所述具有发光功能的薄膜在所述衬底上的正投影位于所述第二绝缘图案层在所述衬底上的正投影的边沿以内。
12.根据权利要求11所述的发光基板的制备方法，其特征在于，还包括：
在形成有发光功能层的衬底上形成第一导电薄膜，所述第一导电薄膜覆盖所述发光区和隔离区，且所述第一导电薄膜在所述隔离区靠近所述发光区的一侧断开。
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