CN109841654B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示装置。提供一种能够通过去除有机发光显示器中产生的湿气来防止发光层劣化并提高可靠性的显示装置。该显示装置包括：TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板处形成有机发光二极管；滤色器阵列基板，所述滤色器阵列基板面对所述TFT阵列基板并且包括黑底；以及吸气剂层，所述吸气剂层被设置在所述TFT阵列基板与所述滤色器阵列基板之间，并且包括与所述黑底交叠的吸气剂图案。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置，并且更具体地，涉及一种能够防止由湿气引起的可靠性下降的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展，对用于显示图像的显示装置的各种需求不断增加。在显示装置领域中，薄而轻并且可覆盖大面积的平板显示装置(FPD)已经迅速取代体积庞大的阴极射线管(CRT)。平板显示装置包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)、电泳显示器(ED)等。
在这些类型的显示器当中，有机发光显示器是自发光装置，并且具有快速响应时间、高发光效率、高亮度和宽视角。值得注意的是，有机发光显示器可被制造在柔性塑料基板上，并且相比于等离子体显示面板或无机发光显示器具有以下优点：有机发光显示器与等离子体显示面板或无机电致发光(EL)显示器相比可在低电压下操作，具有较低的功耗并且提供鲜艳的色彩再现。
有机发光显示器包括位于作为阳极的第一电极与作为阴极的第二电极之间的发光层。来自第一电极的空穴和来自第二电极的电子在发光层内复合，形成激子(即，空穴-电子对)。然后，当激子返回基态时产生能量，从而使有机发光显示器发光。发光层由易受湿气影响的有机材料制成，并且在暴露于湿气时容易降解。为了保护发光层免受湿气影响，有机发光显示器包括用于吸收其中的湿气的吸气剂(getter)。然而，如果吸气剂是不透明的，则它不能形成在光被送出所经由的路径上，因此仅用在有机发光显示器周围的外边缘的边框上。因此，有机发光显示器中产生的湿气不能被去除，从而导致发光层容易降解。
发明内容
本发明提供一种能够通过去除有机发光显示器中产生的湿气来防止发光层劣化并提高可靠性的显示装置。
根据本发明的一种示例性实施方式，一种显示装置包括：TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板处形成有机发光二极管；滤色器阵列基板，所述滤色器阵列基板面对所述TFT阵列基板并且包括黑底；以及吸气剂层(getter layer)，所述吸气剂层位于所述TFT阵列基板与所述滤色器阵列基板之间，并且包括与所述黑底交叠的吸气剂图案。
所述吸气剂层包括基膜，并且所述吸气剂图案设置在所述基膜上。
所述吸气剂层包括设置在所述基膜上并具有孔或凹槽的树脂层。
所述吸气剂层包括设置在所述滤色器阵列基板上并具有孔或凹槽的树脂层。
所述吸气剂图案填充所述孔或所述凹槽。
该显示装置还包括粘合层，所述粘合层被设置在所述吸气剂层与所述滤色器阵列基板之间。
所述吸气剂图案为网格形状。
所述吸气剂图案为条纹形状。
所述吸气剂图案具有与所述黑底相同的形状。
所述吸气剂层的厚度为1μm至100μm。
该显示装置还包括密封剂，所述密封剂用于将所述滤色器阵列基板和所述TFT阵列基板保持在一起，其中，所述密封剂包含吸气剂。
根据本发明的另一种示例性实施方式，一种显示装置包括：TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板处形成有机发光二极管；滤色器阵列基板，所述滤色器阵列基板面对所述TFT阵列基板并且包括黑底；以及吸气剂图案，所述吸气剂图案被设置在所述TFT阵列基板与所述滤色器阵列基板之间并且与所述黑底交叠。
所述吸气剂层的厚度为1μm至100μm。
附图说明
附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图例示了本发明的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是有机发光显示器的示意性框图；
图2是子像素的示意电路图；
图3是子像素的详细电路图的说明图；
图4是有机发光显示器的俯视图；
图5是示出根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器的截面图；
图6和图7是根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器中的子像素的截面图；
图8和图9是示出根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器的一部分的俯视图；
图10和图11是根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器的截面图；以及
图12和图13是根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器的截面图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本发明的示例性实施方式。在整个说明书中，相同的附图标记表示基本相同的组件。在描述本发明时，当认为与本发明相关的已知功能或配置会不必要地模糊本发明的主题时，将省略其详细描述。本文使用的元件的术语和名称是为了便于描述而选择的，并且可以与实际产品中使用的部件的名称不同。当使用术语“在…上”、“在…上方”、“在…下方”、“在…旁边”等描述两个部件之间的位置关系时，只要不使用术语“直接”或“正好”，一个或更多个部件就可位于这两个部件之间。
根据本发明的显示装置是其中显示元件被形成在玻璃基板或柔性基板上的显示装置。尽管显示装置的示例包括有机发光显示器、液晶显示器和电泳显示器等，但是将针对有机发光显示器来描述本发明。有机发光显示器包括由位于作为阳极的第一电极与作为阴极的第二电极之间的有机材料组成的有机层。来自第一电极的空穴和来自第二电极的电子在有机层内复合，形成激子(即，空穴-电子对)。然后，当激子返回基态时产生能量，从而使自发光显示器发光。
图1是有机发光显示器的示意性框图。图2是子像素的示意电路图。图3是子像素的详细电路图的说明图。图4是有机发光显示器的俯视图。图5是示出根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器的截面图。图6和图7是根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器中的子像素的截面图。
参照图1，有机发光显示器包括图像处理器110、定时控制器120、数据驱动器130、扫描驱动器140和显示面板150。
图像处理器110将数据使能信号DE等连同外部提供的数据信号DATA一起输出。除了数据使能信号DE之外，图像处理器110还可输出垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号当中的一个或更多个，但是为了便于说明而未在附图中示出这些信号。
定时控制器120从图像处理器110接收数据信号DATA以及数据使能信号DE或者包括垂直同步信号、水平同步信号和时钟信号在内的驱动信号。基于驱动信号，定时控制器120输出用于控制扫描驱动器140的操作定时的选通定时控制信号GDC和用于控制数据驱动器130的操作定时的数据定时控制信号DDC。
响应于从定时控制器120提供的数据定时控制信号DDC，数据驱动器130对从定时控制器120提供的数据信号DATA进行采样和锁存，将其转换为伽玛参考电压，并输出伽玛参考电压。数据驱动器130通过数据线DL1至DLn输出数据信号DATA。数据驱动器130可按IC(集成电路)的形式来形成。
响应于从定时控制器120提供的选通定时控制信号GDC，扫描驱动器140输出扫描信号。扫描驱动器140通过选通线GL1至GLm输出扫描信号。扫描驱动器140以IC(集成电路)的形式形成，或者通过面板内栅极(GIP)技术形成在显示面板150上。
显示面板150显示与从数据驱动器130提供的数据信号DATA和从扫描驱动器140提供的扫描信号对应的图像。显示面板150包括显示图像的子像素SP。
子像素SP包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，或者包括白色子像素、红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。子像素SP可根据其发光特性而具有一个或更多个发光区域。
如图2所示，每个子像素SP包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、补偿电路CC和有机发光二极管OLED。
响应于通过第一选通线GL1提供的扫描信号，开关晶体管SW导通，使得通过第一数据线DL1提供的数据信号作为数据电压被存储在电容器Cst中。驱动晶体管DR响应于存储在电容器Cst中的数据电压而操作，以使得驱动电流在电源线EVDD(高电平电压)与阴极电源线EVSS(低电平电压)之间流动。有机发光二极管OLED操作以通过由驱动晶体管DR形成的驱动电流来发光。
补偿电路CC是被添加到子像素中以补偿驱动晶体管DR的阈值电压等的电路。补偿电路CC包括一个或更多个晶体管。补偿电路CC根据补偿方法而具有各种各样的配置，因此将省略对其的详细说明和描述。
如图3所示，补偿电路CC包括感测晶体管ST和感测线VREF(或参考线)。感测晶体管ST操作以将通过感测线VREF传递的复位电压(或感测电压)提供到驱动晶体管DR的源极，或者以感测驱动晶体管DR的源极节点处的电压或电流或者感测线VREF处的电压或电流。
开关晶体管SW的第一电极连接到第一数据线DL1，并且开关晶体管SW的第二电极连接到驱动晶体管DR的栅极。驱动晶体管DR的第一电极连接到电源线EVDD，驱动晶体管DR的第二电极(即，源极)连接到有机发光二极管OLED的阳极(以下，感测节点)。电容器Cst的第一电极连接到驱动晶体管DR的栅极，并且电容器Cst的第二电极连接到有机发光二极管OLED的阳极。有机发光二极管OLED的阳极连接到驱动晶体管DR的第二电极，而有机发光二极管OLED的阴极连接到第二电源线EVSS。感测晶体管ST的第一电极连接到感测线VREF，并且感测晶体管ST的第二电极连接到有机发光二极管OLED的阳极和驱动晶体管DR的第二电极。
根据外部补偿算法(或补偿电路的配置)，感测晶体管ST的操作时间可以与开关晶体管SW的操作时间类似/相同。例如，开关晶体管SW的栅极可连接到第一选通线GL1，而感测晶体管ST的栅极可连接到第二选通线GL2。在这种情况下，向第一选通线GL1发送扫描信号Scan，并且向第二选通线GL2发送感测信号Sense。在另一示例中，与开关晶体管SW的栅极连接的第一选通线GL1和与感测晶体管ST的栅极连接的第二选通线GL2可以被连接以便被共享。
感测线VREF可连接到数据驱动器。在这种情况下，数据驱动器可在图像非显示时段内或在N帧的时段(N是等于或大于1的整数)内实时感测子像素的感测节点，并且生成感测结果。同时，开关晶体管SW和感测晶体管ST可同时导通。在这种情况下，通过感测线VREF的感测操作和用于输出数据信号的数据输出操作基于数据驱动器的时分方法彼此区分开。
可根据感测结果来补偿数字数据信号、模拟数据信号或伽玛电压。另外，基于感测结果产生补偿信号(或补偿电压)的补偿电路可在数据驱动器内、在定时控制器内实现，或者作为单独的电路来实现。
遮光层LS可仅形成在驱动晶体管DR的沟道区域下方，或者可形成在开关晶体管SW和感测晶体管ST的沟道区域下方以及驱动晶体管DR的沟道区域下方。遮光层LS可被用于仅阻挡外部光，或者可被用作便于连接到其它电极或线并构成电容器等的电极。因此，遮光层LS可由多层金属(多层不同的金属)构成以具有遮光性。
此外，尽管图3示出了每个子像素具有包括开关晶体管SW、驱动晶体管DR、电容器Cst、有机发光二极管OLED和感测晶体管ST的3T(晶体管)1C(电容器)结构的示例，但是例如，如果将补偿电路CC添加到子像素，则每个像素则可具有各种替代结构，如3T2C、4T2C、5T1C、6T2C等。
参照图4，有机发光显示器的显示面板包括TFT阵列基板TSUB、滤色器阵列基板CSUB、显示区域A/A和驱动电路基板PCB。
TFT阵列基板TSUB包括多个薄膜晶体管和多个有机发光二极管。滤色器阵列基板CSUB包括红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器和白色滤色器以及限定这些滤色器的黑底。TFT阵列基板TSUB和滤色器阵列基板CSUB被保持在一起以形成显示面板。
显示区域A/A是包括多个子像素SP的图像显示区域。如上所述，多个子像素SP各自包括薄膜晶体管和有机发光二极管以发光。除显示区域A/A之外的区域被定义为边框区域BZ。其中安装有选通驱动器的选通膜上芯片GCOF和其中安装有数据驱动器的数据膜上芯片DCOF布置在边框区域BZ中。在示例中，数据膜上芯片DCOF连接到驱动电路基板PCB。因此，信号从驱动电路基板PCB被施加到选通膜上芯片GCOF和数据膜上芯片DCOF，并被传输到显示区域A/A中的子像素SP。
参照图5，根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器包括其中TFT阵列基板TSUB和滤色器阵列基板CSUB通过密封剂SEL保持在一起的结构。
TFT阵列基板TSUB包括多个薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED。子像素SP各自包括多个薄膜晶体管TFT和有机发光二极管OLED。滤色器阵列基板CSUB包括黑底BM、多个滤色器CF以及覆盖黑底BM和滤色器CF的涂覆层OCL。
吸气剂层GL位于TFT阵列基板TSUB与滤色器阵列基板CSUB之间。吸气剂层GL包括位于吸气剂图案GT之间的树脂层RL。吸气剂图案GT被设置为与上述黑底BM交叠。粘合层ADL位于吸气剂层GL与TFT阵列基板TSUB之间。稍后将描述吸气剂层GL的更详细描述。
同时，将参照本发明的子像素SP的区域的截面结构来描述每个元件。
参照图6，参照图5，根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器包括其中TFT阵列基板TSUB和滤色器阵列基板CSUB保持在一起的结构。在TFT阵列基板TSUB中，缓冲层BUF位于第一基板SUB1上。第一基板SUB1由玻璃、塑料或金属制成。缓冲层BUF用于保护在后续工艺中形成的薄膜晶体管免受从第一基板SUB1漏出的诸如碱离子之类的杂质的影响。缓冲层BUF可以是硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或这些化合物的多层。
半导体层ACT位于缓冲层BUF上。半导体层ACT可由硅半导体或氧化物半导体制成。硅半导体可包含非晶硅或结晶的多晶多晶硅。多晶硅具有高迁移率(例如，大于100cm2/Vs)、低功耗和优异的可靠性。因此，多晶硅可被应用于用于驱动元件和/或复用器(MUX)的选通驱动器或者被应用于像素中的驱动TFT。因为氧化物半导体具有低截止电流，所以氧化物半导体适合于具有短导通时间和长截止时间的开关TFT。此外，因为氧化物半导体可由于低截止电流而增加像素的电压保持时间，所以氧化物半导体适合于需要低速操作和/或低功耗的显示装置。此外，半导体层ACT包括各自包含p型杂质或n型杂质的漏极区域和源极区域，并且还包括漏极区域与源极区域之间的沟道。半导体层ACT还可包括与沟道相邻的源极区域与漏极区域之间的低掺杂区域。
栅极绝缘膜GI位于半导体层ACT上。栅极绝缘膜GI可以是硅氧化物SiOx、硅氮化物SiNx或这些化合物的多层。栅极GAT位于与半导体层ACT的特定区域(即，用于注入杂质的沟道)对应的栅极绝缘膜GI上。栅极GAT用作驱动晶体管的栅极。栅极GAT可由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或者这些元素的多层合金组成的组中的任何一种组成。此外，栅极GAT可以是由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)、铜(Cu)或者这些元素的合金中的一种形成的多层。例如，栅极GAT可由钼/铝-钕或钼/铝的双层构成。
用于使栅极GAT绝缘的层间绝缘膜ILD位于栅极GAT和缓冲层BUF上。层间绝缘膜ILD可以是硅氧化物膜(SiOx)、硅氮化物膜(SiNx)或这些化合物的多层。使半导体层ACT的一部分暴露的接触孔CH位于层间绝缘膜ILD的一些区域中。漏极DE和源极SE位于层间绝缘膜ILD上。源极SE和漏极DE经由接触孔CH连接到半导体层ACT。
源极SE和漏极DE可由单层或多层构成。如果源极SE和漏极DE由单层构成，则它们可由选自由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或者这些元素的合金组成的组中的任何一种组成。另一方面，如果源极SE和漏极DE由多层构成，则它们可由钼/铝-钕的两层或钛/铝/钛、钼/铝/钼或钼/铝-钕/钼的三层组成。这样，形成包括半导体层ACT、栅极GAT、漏极DE和源极SE的薄膜晶体管TFT。
平整层OC位于包括薄膜晶体管TFT的第一基板SUB1上。平整层OC用于使下层结构上的不规则性平滑，并且由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂、丙烯酸酯等的有机材料制成。
使源极SE暴露的通孔VIA位于平整层OC的一些区域中。第一电极ANO位于平整层OC上。第一电极ANO可用作像素电极，并且经由通孔VIA连接到薄膜晶体管TFT的源极SE。第一电极ANO是阳极，并且可由例如ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)或ZnO(锌氧化物)的透明导电材料制成。如果第一电极ANO是反射电极，则第一电极ANO还可包括反射层。反射层可由铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、镍(Ni)或这些元素的合金(优选地，APC(银/钯/铜合金))制成。
用于限定像素的堤层BNK位于包括第一电极ANO的第一基板SUB1上。堤层BNK由诸如聚酰亚胺、苯并环丁烯基树脂、丙烯酸酯等的有机材料制成。堤层BNK具有使第一电极ANO暴露的开口部OP。与第一电极ANO接触的发光层EML位于开口部OP中。发光层EML是通过电子和空穴的复合而发光的层。可在发光层EML与第一电极ANO之间形成空穴注入层或空穴传输层，并且可在发光层EML上形成电子传输层或电子注入层。
第二电极CAT位于发光层EML上。第二电极CAT位于显示区域A/A的整个表面上并且是阴极，其可由具有低功函数的镁(Mg)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)或其合金制成。如果第二电极CAT是透射电极，则可使其足够薄以使光穿过。如果第二电极CAT是反射电极，则可使其足够厚以反射光。尽管未示出，但是钝化膜可位于第二电极CAT上。因此，TFT阵列基板TSUB被配置。
同时，TFT阵列基板TSUB通过粘合层ADL粘接到滤色器阵列基板CSUB。在滤色器阵列基板CSUB中，黑底BM位于第二基板SUB2的一个表面上。第二基板SUB2由玻璃、塑料或金属制成，并且在本发明中，第二基板SUB2可由光能够穿过的透明玻璃或塑料制成。黑底BM用于屏蔽从子像素SP以外的其它区域发射的光。黑底BM包含光吸收材料-例如，炭黑。滤色器布置在由黑底BM限定的区域中。滤色器CF将从发光层EML发射的白光转换成红光、绿光和蓝光，并且包括红色滤色器R、绿色滤色器G和蓝色滤色器(未示出)。从发光层EML发射的白光穿过没有滤色器CF的区域，从而产生白光。因此，有机发光显示器可总共具有红色、绿色、蓝色和白色四个子像素。然而，本发明不限于此，并且子像素可按三种颜色提供而没有白色。用于保护滤色器CF和黑底BM的涂覆层OCL位于滤色器CF和黑底BM的一个表面上，以配置滤色器阵列基板CSUB。TFT阵列基板TSUB和滤色器阵列基板CSUB通过粘合层ADL保持在一起。
同时，吸气剂层GL位于TFT阵列基板TSUB与滤色器阵列基板CSUB之间。吸气剂层GL用于吸收显示装置中产生的湿气，并且包括含有吸气剂的吸气剂图案GT。
更具体地，根据本发明的示例性实施方式的吸气剂层GL可包括吸气剂图案GT和围绕吸气剂图案GT的树脂层RL。
吸气剂图案GT由包含吸气剂、粘结剂和溶剂的吸气剂组合物形成。吸气剂是能够吸收湿气的材料-例如，选自由钙氧化物、镁氧化物、锶氧化物、铝氧化物、钡氧化物、氯化钙、碳酸钾、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、硫酸锂、硫酸钠、硫酸钙、硫酸镁、硫酸钴、硫酸镓、硫酸钛、硫酸镍、五氧化二磷以及它们的混合物组成的组中的一种。
粘结剂用于固定吸气剂并调节组合物的粘度，并且可以是选自由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、卡多(cardo)树脂和乙基纤维素树脂组成的组中的一种。另外，这些树脂可以是含有酸基或环氧基的化合物。
溶剂可用于分散上述吸气剂和粘结剂并调节组合物的粘度。溶剂可以是选自由以下成分组成的组中的一种或者可组合使用其中至少两种：水；醇类，诸如乙醇、甲醇、异丙醇、丁醇、2-乙基己醇、甲氧基戊醇、丁氧基乙醇、乙氧乙氧基乙醇、丁氧乙氧基乙醇、甲氧丙氧基丙醇、十二醇脂和萜品醇(例如，α-萜品醇)；四氢呋喃(THF)；甘油；烷撑二醇，诸如乙二醇、三甘醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、二己二醇或其烷基醚(例如，丙二醇甲醚(PGME)、二乙二醇丁醚、二乙二醇乙醚和二丙二醇甲醚、二己二醇乙醚)；甘油，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，2-吡咯烷酮、乙酰丙酮，1,3-二甲基咪唑啉酮，硫二甘醇，二甲基亚砜(DMSO)，N,N-二甲基乙酰胺(DMAc)，二甲基甲酰胺(DMF)、环丁砜，二乙醇胺和三乙醇胺，以及诸如甲基乙基酮、环戊酮等酮类；芳香族化合物，诸如二甲苯、甲苯和苯；醚类，诸如二丙二甲基醚；以及脂肪烃，诸如二氯甲烷和氯仿。
围绕吸气剂图案GT的树脂层RL可由光致抗蚀剂制成，当暴露于光时，该光致抗蚀剂变得不溶于或可溶于特定溶液。吸气剂图案GT看起来像是填充形成在树脂层RL中的孔RCH。
包含上述吸气剂图案GT和树脂层RL的吸气剂层GL可如下形成。将光致抗蚀剂涂敷到其上形成滤色器CF、黑底BM和涂覆层OCL的滤色器阵列基板CSUB上，并且在与黑底BM交叠的区域中形成孔RCH以形成树脂层RL。例如，如果光致抗蚀剂是负型，则可通过在与黑底BM交叠的区域中使光致抗蚀剂暴露于光并将其显影来形成孔RCH。相反，如果光致抗蚀剂是正型，则可通过在除了与黑底BM交叠的区域之外的区域中使光致抗蚀剂暴露于光并将其显影来形成孔RCH。通过挤压将吸气剂组合物涂敷到树脂层RL上，以在树脂层RL的孔RCH中形成吸气剂图案GT。因此，可在滤色器阵列基板CSUB上形成吸气剂层GL。相反，如图7所示，可通过在树脂层RL中形成凹槽RGR而不是孔并且将吸气剂组合物填充在凹槽RGR中来形成吸气剂图案GT。
吸气剂层GL可以是1μm至100μm厚。如果吸气剂层GL为1μm厚或更厚，则吸气剂的量可增加并吸收显示装置中产生的湿气。如果吸气剂层GL为100μm厚或更薄，则即使吸气剂图案GT的宽度受到限制，也可在树脂层RL中容易地形成孔或凹槽。
如果上述吸气剂层GL的吸气剂是不透明的，则它不能形成在光被送出所经由的路径上，并且即使它是透明的，也会降低透光率。因此，本发明的吸气剂图案GT被设置为与黑底BM交叠。
图8和图9是示出根据本发明的第一示例性实施方式的有机发光显示器的一部分的俯视图。当从上方观察时，图5的有机发光显示器可被描绘为如图8和图9所示。
黑底BM限定R子像素、G子像素、B子像素和W子像素，并且在设置有黑底BM的区域中，来自每个子像素的光不被发射而是被黑底BM吸收。例如，黑底BM具有限定子像素的网格形状。本发明的吸气剂图案GT在与黑底BM交叠的同时具有与黑底BM相同的形状。也就是说，吸气剂图案GT具有限定R子像素、G子像素、B子像素和W子像素的形状。例如，吸气剂图案GT可具有网格形状。因此，吸气剂图案GT不位于从子像素发出的光的路径上，由此孔径比不受影响。
如图9所示，黑底BM具有限定子像素的网格形状，而吸气剂图案GT可具有条纹形状。本发明的吸气剂图案GT可具有任何形状，只要在吸气剂图案GT与黑底BM交叠时孔径比不降低即可。
同时，在根据本发明的有机发光显示装置中，粘合层ADL形成在其上形成有吸气剂层GL的滤色器阵列基板CSUB与TFT阵列基板TSUB之间，从而将这些基板连接在一起。如图5所示，在滤色器阵列基板CSUB和TFT阵列基板TSUB的边缘上形成密封剂SEL，从而将这些基板连接在一起。具体地，上述吸气剂被包含在密封剂SEL中，使得吸气剂可吸收从外部渗透的湿气。
如上所述，根据本发明的一种示例性实施方式的有机发光显示装置可通过以与黑底交叠的方式在其显示装置形成吸气剂图案来在不影响孔径比的情况下吸收显示装置中产生的湿气。因此，可提高有机发光显示器的可靠性。
此外，本发明的有机发光显示器可根据吸气剂层的制造方法而具有各种结构。
图10和图11是根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器的截面图。图12和图13是根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器的截面图。在下文中，与上述示例性实施方式相同的组件将由相同的附图标记表示，并且将省略对它们的描述。
参照图10，在根据第二示例性实施方式的有机发光显示器中，吸气剂层GL位于TFT阵列基板TSUB与滤色器阵列基板CSUB之间。吸气剂层GL用于吸收显示装置中产生的湿气，并且包括含有吸气剂的吸气剂图案GT。
更具体地，根据本发明的吸气剂层GL可以是一种包括基膜BF以及位于基膜BF上的吸气剂图案GT和树脂层RL的膜。
吸气剂图案GT和树脂层RL位于基膜BF上。基膜BF是透明支承膜，其可由诸如聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)和聚乙烯(PE)之类的公知材料制成。覆盖基膜BF的树脂层RL具有形成于树脂层RL中的孔RCH，并且吸气剂组合物填充孔RCH以形成吸气剂图案GT。
包括上述膜型吸气剂层GL的有机发光显示器可被如下制造。将光致抗蚀剂涂敷到基膜BF上并暴露于光且显影以形成孔RCH，从而形成树脂层RL。通过挤压将吸气剂组合物涂敷到树脂层RL上以形成吸气剂图案GT。由此制成的膜型吸气剂层GL通过粘合层ADL粘接到TFT阵列基板上。然后，滤色器阵列基板CSUB和TFT阵列基板TSUB通过粘合层ADL保持在一起，由此制造出有机发光显示器。
另一方面，如图11所示，可通过经由粘合层ADL将膜型吸气剂层GL粘接到滤色器阵列基板CSUB上然后将TFT阵列基板TSUB和滤色器阵列基板CSUB接合来制造有机发光显示器。如图10和图11所示的上述膜型吸气剂层GL可按任何方式来制造，只要使基板以吸气剂图案GT与黑底BM交叠的方式保持在一起即可。
如上所述，由于吸气剂层被形成为膜型，根据本发明的第二示例性实施方式的有机发光显示器可因为便于处理而提高生产率。
同时，参照图12，根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器具有位于TFT阵列基板TSUB与滤色器阵列基板CSUB之间的吸气剂图案GT。吸气剂图案GT用于吸收显示装置中产生的湿气，并且包含用于吸收湿气的吸气剂。
与第一示例性实施方式和第二示例性实施方式中的吸气剂层不同，根据本发明的第三示例性实施方式的吸气剂层仅由吸气剂图案GT组成。吸气剂图案GT位于滤色器阵列基板CSUB的涂覆层OCL上并且与黑底BM交叠。
上述吸气剂图案GT可被如下制造。通过使用喷嘴印刷机将吸气剂组合物印刷到其上形成有涂覆层OCL的滤色器阵列基板CSUB上。在这种情况下，通过以与黑底BM交叠的方式印刷吸气剂组合物来形成吸气剂图案GT。因此制成的滤色器阵列基板CSUB通过粘合层ADL粘接到TFT阵列基板TSUB，从而制造出有机发光显示器。
另一方面，如图13所示，可通过将吸气剂图案GT印刷到其上形成有无机钝化膜IPAS的TFT阵列基板TSUB上然后经由粘合层ADL将TFT阵列基板TSUB粘接到滤色器阵列基板CSUB来制造有机发光显示器。图12和图13所示的上述吸气剂图案GT可按任何方式来制造，只要使基板以吸气剂图案GT与黑底BM交叠的方式保持在一起即可。
如上所述，根据本发明的第三示例性实施方式的有机发光显示器可通过简化结构和由于吸气剂图案通过印刷方法形成而和便于处理，来提高生产率。
尽管已参照本发明的多个示例性实施方式描述了实施方式，然而应理解的是，本领域技术人员能够设计出将落入本公开的原理的范围内的众多其它修改和实施方式。更具体地，可以在本公开、附图和所附的权利要求的范围内对主题组合布置的组成部分和/或布置进行各种变型和修改。除了对这些组成部分和/或布置的变型和修改之外，对于本领域技术人员而言替代使用也将是显而易见的。

Claims (11)

1.一种显示装置，该显示装置包括：
薄膜晶体管TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板处形成有机发光二极管；
滤色器阵列基板，所述滤色器阵列基板面对所述TFT阵列基板并且包括黑底；以及
吸气剂层，所述吸气剂层位于所述TFT阵列基板与所述滤色器阵列基板之间，
其中，所述吸气剂层包括基膜、与所述黑底交叠的吸气剂图案以及设置在所述基膜处的树脂层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述吸气剂图案位于所述基膜上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述树脂层设置在所述基膜上并具有孔或凹槽。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述树脂层设置在所述滤色器阵列基板上并具有孔或凹槽。
5.根据权利要求3或4所述的显示装置，其中，所述吸气剂图案通过填充所述孔或所述凹槽形成。
6.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括粘合层，所述粘合层被设置在所述吸气剂层与所述滤色器阵列基板之间。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述吸气剂图案具有网格形状。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述吸气剂图案具有条纹形状。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述吸气剂图案具有与所述黑底相同的形状。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述吸气剂层的厚度为1μm至100μm。
11.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括密封剂，所述密封剂用于将所述滤色器阵列基板和所述TFT阵列基板粘接在一起，
其中，所述密封剂包含吸气剂。
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