CN113363307A - 显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种显示基板，其包括：基底；多条第一信号线和多条第二信号线，均设置在基底上；多条第一信号线沿第一方向延伸，且沿第二方向并排设置；多条第二信号线沿第二方向延伸，且沿第一方向并排设置；多个修复结构，设置在基底上，第一信号线和第二信号线的任一交叉位置均设置有一个修复结构；彩膜层，设置在修复结构背离基底的一侧，且彩膜层在基底上的正投影覆盖修复结构在基底上的正投影。本公开还提供了一种显示装置以及一种显示基板的制备方法。

Description

显示基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Device，简称OLED)显示基板，是一种与传统的液晶显示(Liquid Crystal Display，简称LCD)不同的显示基板，具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点，其已成为新一代显示装置的重要发展发现之一，并且受到越来越多的关注，其中，如何提高产品良率以及器件稳定性是一个重要的研究课题。

发明内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种显示基板及其制备方法、显示装置。

为实现上述目的，第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，其包括：

基底；

多条第一信号线和多条第二信号线，均设置在所述基底上；所述多条第一信号线沿第一方向延伸，且沿第二方向并排设置；所述多条第二信号线沿所述第二方向延伸，且沿所述第一方向并排设置；

多个修复结构，设置在所述基底上，所述第一信号线和所述第二信号线的任一交叉位置均设置有一个所述修复结构；

彩膜层，设置在所述修复结构背离所述基底的一侧，且所述彩膜层在所述基底上的正投影覆盖所述修复结构在所述基底上的正投影。

在一些实施例中，所述显示基板包括多个子像素，且沿所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组，沿所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组；

相邻设置的所述第一像素组之间设置至少一条所述第一信号线；相邻设置的所述第二像素组之间设置至少一条所述第二信号线；

每个所述子像素包括非显示区和显示区；所述彩膜层包括第一彩膜结构和第二彩膜结构，至少部分所述显示区中设置有一个第一彩膜结构，一个所述第一像素组中的各个所述非显示区中设置有一个所述第二彩膜结构，且该第二彩膜结构在所述基底上的正投影覆盖与之最近的所述修复结构在所述基底上的正投影。

在一些实施例中，所述第二彩膜结构包括第一子结构和第二子结构，所述第二子结构在所述基底上的正投影覆盖与之最近的所述修复结构在所述基底上的正投影，所述第一子结构的厚度大于所述第二子结构的厚度。

在一些实施例中，每个所述子像素包括像素电路和发光器件，所述像素电路至少包括开关晶体管、驱动晶体管、感测晶体管以及存储电容；

所述第一信号线包括栅线和/或控制信号线，所述第二信号线包括数据线和电源线。

在一些实施例中，所述显示基板还包括：设置在所述基底上多条感测信号线；

对于每一个所述像素电路，所述开关晶体管和所述驱动晶体管在所述第二方向上位于所述存储电容的一侧，所述感测晶体管在所述第二方向上位于所述存储电容的另一侧；所述开关晶体管位于与之连接的所述栅线和所述数据线的交叉位置，且所述开关晶体管与所述驱动晶体管在所述第一方向上相邻设置；所述感测晶体管位于与之连接的所述控制信号线和所述感测信号线的交叉位置。

在一些实施例中，所述修复结构连接所述栅线，和/或，所述修复结构连接所述控制信号线。

在一些实施例中，所述修复结构与所述栅线同层设置，和/或，所述修复结构与所述控制信号线同层设置。

第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，其包括：显示基板；

其中，所述显示基板采用如上述实施例中任一所述的显示基板。

第三方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，其包括：

在基底上涂覆遮光材料，形成彩膜层；其中，所述基底上形设置有多条第一信号线、多条第二信号线以及多个修复结构；所述多条第一信号线沿第一方向延伸，且沿第二方向并排设置；所述多条第二信号线沿所述第二方向延伸，且沿所述第一方向并排设置；所述第一信号线和所述第二信号线的任一交叉位置均设置有一个所述修复结构；

利用掩模板，对所述彩膜层分区域进行曝光；

对所述彩膜层进行显影，以除去部分所述遮光材料，形成显示基板，其中，显影后的所述彩膜层在所述基底上的正投影覆盖所述修复结构在所述基底上的正投影。

在一些实施例中，所述基底上设置有多个子像素，且沿所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组，沿所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组；相邻设置的所述第一像素组之间设置至少一条所述第一信号线；相邻设置的所述第二像素组之间设置至少一条所述第二信号线；每个所述子像素包括非显示区和显示区；

所述利用掩模板，对所述彩膜层分区域进行曝光，包括：

将至少部分所述显示区对应的彩膜层作为遮光区，将每个所述第一像素组中的各个所述非显示区所对应的彩膜层作为曝光区，所述曝光区在所述基底上的正投影覆盖与之最近的所述修复结构在所述基底上的正投影；

利用掩模板，对所述曝光区进行曝光；

所述对所述彩膜层进行显影，包括：

对所述曝光区进行显影，以除去所述曝光区的部分所述遮光材料，形成第二彩膜结构，以及，保留所述遮光区的所述遮光材料，形成第一彩膜结构。

在一些实施例中，所述曝光区包括第一曝光区和第二曝光区，所述第二曝光区在所述基底上的正投影覆盖与之最近的所述修复结构在所述基底上的正投影；

所述利用掩模板，对所述曝光区进行曝光，包括：

利用掩模板，仅对所述第二曝光区进行曝光；

所述对所述曝光区进行显影，包括：

对所述第二曝光区进行显影，以除去所述第二曝光区的部分所述遮光材料，形成第二子结构，以及，保留所述第一曝光区的所述遮光材料，形成第一子结构。

附图说明

附图用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开，并不构成对本公开的限制。通过参考附图对详细示例实施例进行描述，以上和其他特征和优点对本领域技术人员将变得更加显而易见，在附图中：

图1为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图；

图2为本公开实施例提供的另一种显示基板的结构示意图；

图3为本公开实施例提供的又一种显示基板的结构示意图；

图4为本公开实施例提供的一种子像素的电路结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种驱动晶体管和发光器件的截面图；

图6为本发明实施例提供的另一种驱动晶体管和发光器件的截面图；

图7为本公开实施例提供的一种遮光层的示意图；

图8为本公开实施例提供的一种遮光层和半导体有源层叠加后的示意图；

图9为本公开实施例提供的一种遮光层、半导体有源层以及第一导电层叠加后的结构示意图；

图10为本公开实施例提供的一种遮光层、半导体有源层、第一导电层以及第二导电层叠加后的示意图；

图11为本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图；

图12为图11中部分子像素对应的截面示意图；

图13为本公开实施例提供的一种修复结构及其修复过程的示意图；

图14为本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图；

图15为本公开实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图；

图16为本公开实施例提供的又一种显示基板的制备方法的流程图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本公开的技术方案，下面结合附图对本公开提供的显示基板及其制备方法、显示装置进行详细描述。

在下文中将参考附图更充分地描述示例实施例，但是所述示例实施例可以以不同形式来体现且不应当被解释为限于本文阐述的实施例。反之，提供这些实施例的目的在于使本公开透彻和完整，并将使本领域技术人员充分理解本公开的范围。

本文所使用的术语仅用于描述特定实施例，且不意欲限制本公开。如本文所使用的，单数形式“一个”和“该”也意欲包括复数形式，除非上下文另外清楚指出。还将理解的是，当本说明书中使用术语“包括”和/或“由……制成”时，指定存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组。

将理解的是，虽然本文可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但这些元件不应当受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件和另一元件。因此，在不背离本公开的指教的情况下，下文讨论的第一元件、第一组件或第一模块可称为第二元件、第二组件或第二模块。

除非另外限定，否则本文所用的所有术语(包括技术和科学术语)的含义与本领域普通技术人员通常理解的含义相同。还将理解，诸如那些在常用字典中限定的那些术语应当被解释为具有与其在相关技术以及本公开的背景下的含义一致的含义，且将不解释为具有理想化或过度形式上的含义，除非本文明确如此限定。

本公开实施例提供了一种显示基板，其包括：基底、多条第一信号线、多条第二信号线、多个修复结构以及彩膜层。

其中，多条第一信号线和多条第二信号线均设置在基底上；多条第一信号线沿第一方向延伸，且沿第二方向并排设置；多条第二信号线沿第二方向延伸，且沿第一方向并排设置。

多个修复结构，设置在基底上，第一信号线和第二信号线的任一交叉位置均设置有一个修复结构。

彩膜层，设置在修复结构背离基底的一侧，且彩膜层在基底上的正投影覆盖修复结构在基底上的正投影。

在一些实施例中，显示基板包括多个子像素，且沿第一方向并排设置的子像素形成第一像素组，沿第二方向并排设置的子像素形成第二像素组；相邻设置的第一像素组之间设置至少一条第一信号线；相邻设置的所述第二像素组之间设置至少一条第二信号线。

在一些实施例中，第一信号线包括栅线和/或控制信号线，第二信号线包括数据线和电源线。

在一些实施例中，修复结构连接栅线，和/或，修复结构连接控制信号线。以及，在一些实施例中，修复结构与栅线同层设置，和/或，修复结构与控制信号线同层设置。

具体地，若彩膜层不能覆盖修复结构，彩膜层上会在修复结构对应位置留有彩膜孔，但彩膜孔与孔间，彩膜孔与边缘的保留尺寸较小，在工艺过程中易引起剥离(Peeling)工艺不良，剥离时修复结构所在区域遮光效果会受到严重损失，导致器件稳定性受到影响。

基于本公开实施例所提供的显示基板即显示装置，可实现通过修复结构对各条第一信号线以及各条第二信号线的线路故障进行修复，提高产品良率以及晶体管特性稳定性，并且，在修复结构上方保留一定的彩膜结构，可增大非显示区对应的彩膜结构的整体尺寸，避免预留彩膜孔导致的在工艺过程中发生剥离工艺不良的问题。

需要说明的是，在下述的部分实施例中，以第一方向和第二方向相互垂直为例进行说明，此时，第一方向为行方向，第二方向为列方向。应当理解的是，第一方向和第二方向垂直并不构成对本公开实施例的限制，只要是第一方向和第二方向相交即可。

图1为本公开实施例提供的一种显示基板的结构示意图。具体地，该显示基板包括上述的基底、多条第一信号线、多条第二信号线、多个修复结构、彩膜层以及多个子像素，其中，栅线和控制信号线沿第一方向延伸，数据线、电源线和感测信号线沿第二方向延伸，第一方向和第二方向相交，也即栅线和数据线交叉设置。每个第一像素组A包括位于栅线和数据线交叉位置处的多个子像素a，如图1所示，在本实施例中，一个第一像素组A包括三个子像素a，子像素a包括红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B，在一些实施例中，该三个子像素a还可以呈品字形排布；在一些实施例中，第一像素组A又称为像素单元，各个像素单元可呈阵列排布或按照一定规律进行排布。

图2为本公开实施例提供的另一种显示基板的结构示意图。具体地，该显示基板包括上述的基底、多条第一信号线、多条第二信号线、多个修复结构、彩膜层以及多个子像素。如图2所示，一个第一像素组A包括四个子像素a，子像素a包括红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B以及白色子像素W，其中，该四个子像素a采用正方形(square)形式排布，即一个第一像素组A包括两行两列四个子像素a，此时该四个子像素a共用一条栅线，且该四个子像素a分别连接一条数据线。

图3为本公开实施例提供的又一种显示基板的结构示意图。具体地，该显示基板包括上述的基底、多条第一信号线、多条第二信号线、多个修复结构、彩膜层以及多个子像素。每个第一像素组A包括位于栅线和数据线交叉位置处的多个子像素a，如图3所示，一个第一像素组A包括四个子像素a，子像素a包括红色子像素R、绿色子像素G、蓝色子像素B以及白色子像素W。

在一些实施例中，每个子像素包括像素电路和发光器件，像素电路至少包括开关晶体管、驱动晶体管、感测晶体管以及存储电容；第一信号线包括栅线和/或控制信号线，第二信号线包括数据线和电源线。相应地，在一些实施例中，显示基板还包括：设置在基底上多条感测信号线。

图4为本公开实施例提供的一种子像素的电路结构示意图。如图4所示，该子像素包括开关晶体管4、驱动晶体管5、感测晶体管6、存储电容3以及发光器件；其中，发光器件为有机发光二极管(OLED)；开关晶体管4的栅极连接栅线1，开关晶体管4的源极连接驱动晶体管5的栅极，开关晶体管4的漏极连接数据线7；驱动晶体管5的栅极连接存储电容3的第一电极，驱动晶体管5的源极连接存储电容3的第二电极、感测晶体管6的源极和发光器件OLED的阳极连接，驱动晶体管5的漏极连接电源线8；感测晶体管6的栅极连接控制信号线2，感测晶体管6的漏极连接感测信号线9；发光器件OLED的阴极连接其他电源线或者接地。

在需要对该像素电路仅需外部补偿时，该像素电路在工作过程中至少包括如下两个阶段：显示阶段(包括数据电压写入过程)和感测阶段(包括电流读取过程)。

显示阶段：给栅线1写入高电平信号，开关晶体管4打开，将数据线7中的数据电压写入至驱动晶体管5的栅极，并给存储电容3充电，通过驱动晶体管5驱动发光器件OLED发光。

感测阶段：给栅线1和控制信号线2写入高电平信号，感测晶体管6和驱动晶体管5打开，通过数据线7将一个测试电压写入至驱动晶体管5的栅极，通过感测晶体管6读取驱动晶体管5的源极处的电信号并输出，以使外界补偿电路通过输出的电信号针对驱动晶体管5的迁移率进行补偿。

在一些实施例中，栅线1和控制信号线2平行设置，且二者在第二方向上位于子像素的两侧。

在一些实施例中，开关晶体管4、驱动晶体管5、感测晶体管6均位于存储电容3的同一侧，存储电容3则位于子像素的中间区域；开关晶体管位4于与之连接的栅线和数据线的交叉位置，开关晶体管4与驱动晶体管5在第一方向上相邻设置；并且，开关晶体管4与感测晶体管6在第一方向上相邻设置。

或者，在一些实施例中，开关晶体管4和驱动晶体管5在第二方向上位于存储电容3的一侧，感测晶体管6在第二方向上位于存储电容3的另一侧，存储电容3则位于子像素的中间区域，即开关晶体管4和驱动晶体管5位于存储电容3靠近栅线的一侧，感测晶体管6位于存储电容3靠近控制信号线的一侧；开关晶体管4位于与之连接的栅线和数据线的交叉位置，且开关晶体管4与驱动晶体管5在第一方向上相邻设置；感测晶体管6位于与之连接的控制信号线和感测信号线的交叉位置。

其中，开关晶体管4、驱动晶体管5、感测晶体管6均可以为氧化物薄膜晶体管，也可以为多晶硅、非晶硅薄膜晶体管，在下述描述中以本公开实施例中的晶体管为氧化物晶体管为例进行说明。对于开关晶体管4、驱动晶体管5、感测晶体管6均可以为顶栅型晶体管，也可以为底栅型晶体管，在下述描述中以本公开实施例中的晶体管为顶栅型晶体管为例进行说明。由于开关晶体管4、驱动晶体管5、感测晶体管6均包括依次设置的半导体有源层、栅极、同层设置的源极和漏极，下面示例性地基于驱动晶体管和发光器件的各层结构对显示基板上的各膜层进行说明。

图5为本发明实施例提供的一种驱动晶体管和发光器件的截面图。如图5所示，驱动晶体管为顶栅型氧化物薄膜晶体管，为避免光照影响半导体有源层51的电子迁移率，故形成晶体管之前在基底10上依次形成有遮光层311和缓冲层301。驱动晶体管包括依次设置在基底10背离缓冲层301一侧的半导体有源层51、栅极绝缘层302、栅极52、层间绝缘层303、源极53和漏极54。其中，源极53和漏极54分别位于栅极52的相对两侧，该源极53和漏极54分别通过过孔(例如金属过孔)与位于半导体有源层51的相对两侧的源极接触区和漏极接触区接触。应当理解的是，在一些实施例中，此驱动晶体管也可为底栅型。

其中，存储电容包括第一电极和第二电极32；第二电极32包括第一子极板和第二子极板312；其中，第一电极、第一子极板和第二子极板312在基底10上的正投影至少部分重叠。

具体地，第一电极与半导体有源层51同层设置且材料相同；第一子极板与遮光层311同层设置且材料相同；第二子极板312与驱动晶体管5的源极53同层设置且材料相同；第一子极板和第二子极板312通过贯穿所述缓冲层301、栅极绝缘层302、层间绝缘层303的过孔连接。其中，该过孔包括贯穿缓冲层301的过孔、贯穿栅极绝缘层302的过孔，以及贯穿层间绝缘层303的过孔，且这三个过孔套设在一起。

举例而言，栅极52和遮光层311的材料可以包括金属材料或者合金材料，例如包括钼、铝及钛等。源极53和漏极54可以包括金属材料或者合金材料，例如由钼、铝及钛等形成的金属单层或多层结构，例如，该多层结构为多金属层叠层，例如钛、铝、钛三层金属叠层(Al/Ti/Al)等。半导体有源层51的材料可以包括氧化物半导体材料，例如氧化铟镓锌、氧化铟镓锡等。

其中，在驱动晶体管背离基底10的一侧设置有平坦化层304。其中，平坦化层304通常采用有机材料制作而成，例如：光刻胶、丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料。

其中，发光器件(有机发光二极管)包括依次形成在平坦化层304上的阳极401和像素限定层306，应当理解的是，该发光器件还可包括发光层402和阴极403。

其中，发光器件的阳极401可通过贯穿平坦化层304的过孔与驱动晶体管的源极53电性连接，此阳极401可为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)等材料制作而成；像素限定层306可覆盖平坦化层304，此像素限定层306可为有机材料制作而成，例如：光刻胶等有机材料，且像素限定层306可具有露出阳极401的容纳部；发光层402位于容纳部内并形成在阳极401上，该发光层402可包括小分子有机材料或聚合物分子有机材料，可以为荧光发光材料或磷光发光材料，可以发红光、绿光、蓝光，或可以发白光等；并且，在一些实施例中，发光层402还可以进一步包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层等功能层；阴极403覆盖发光层402，此阴极403可由锂(Li)、铝(Al)、镁(Mg)、银(Ag)等金属材料制作而成。

需要说明的是，阳极401、发光层402和阴极403构成一个有机发光二极管，其中，显示基板中包括呈阵列排布的有机发光二极管。此外，还需说明的是，各有机发光二极管的阳极401相互独立，各有机发光二极管的阴极403可整面连接；即阴极403为设置在显示基板上的整面结构，为多个有机发光二极管的公共电极。

图6为本发明实施例提供的另一种驱动晶体管和发光器件的截面图。如图6所示，在一些实施例中，发光器件的阳极401还可通过转接电极501与驱动晶体管的源极53电性连接。以及，当阳极401通过转接电极501与驱动晶体管5的电性连接时，在平坦化层304与驱动晶体管的源极53和漏极54所在层之间还可形成钝化(PVX)层305，该钝化层305可由氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等材料形成；该钝化层305覆盖源极53和漏极54所在层；而转接电极501形成在平坦化层304与钝化层305之间，并依次通过钝化层305上的过孔(例如金属过孔)与驱动晶体管的源极53电性连接；而发光器件的阳极401可通过平坦化层304上的过孔(例如金属过孔)与转接电极501电性连接，以此完成发光器件的阳极401与驱动晶体管的源极53的连接。

当然，在发光器件之上还可以包括封装层等结构，其中，封装层包括依次层叠设置的第一封装层、第二封装层和第三封装层。第一封装层、第三封装层用于防止水、氧进入到发光层中；该第一封装层、第三封装层可采用氮化硅、氧化硅等无机材料制作而成。第二封装层用于实现平坦化作用，以便于第三封装薄膜层层的制作，此第二封装层可采用丙烯酸基聚合物、硅基聚合物等材料制作而成。

图7为本公开实施例提供的一种遮光层的示意图，图8为本公开实施例提供的一种遮光层和半导体有源层叠加后的示意图，图9为本公开实施例提供的一种遮光层、半导体有源层以及第一导电层叠加后的结构示意图，图10为本公开实施例提供的一种遮光层、半导体有源层、第一导电层以及第二导电层叠加后的示意图。具体地，上述各层结构为基于图3所示的子像素排布方式的一种具体化可选实施方式。显示基板包括基底、多条第一信号线、多条第二信号线、多个修复结构、彩膜层以及多个子像素，各组件对应的位置区域参见图7至图10，具体附图标记参见图10，其中，以红色子像素及其相关信号线为例标记出了各组件。如图7至图10所示，一个第一像素组包括四个子像素，子像素包括红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素以及白色子像素，其依次在第一方向上相邻设置，同时，红色子像素与蓝色子像素对称设置，绿色子像素与白色子像素对称设置。

其中，遮光层和半导体有源层采用如图5及图6所示结构中的遮光层和半导体有源层；存储电容3包括第一电极和第二电极，第二电极包括第一子极板和第二子极板，如图7，存储电容3的第一子极板与遮光层同层设置，如图8，存储电容3的第一电极与半导体有源层同层设置；以及，开关晶体管4、驱动晶体管5、感测晶体管6对应的半导体有源层部分如图8。

其中，第一信号线设置于第一导电层，其包括平行设置的栅线1和控制信号线2；第二信号线设置于第二导电层，其包括平行设置的多条数据线7和电源线8，在一些实施例中，不同于图10中蓝色子像素、绿色子像素对应不同数据线7的情况，蓝色子像素、绿色子像素可共用一条数据线7；修复结构100与栅线1、控制信号线2同层设置，栅线1和数据线7、栅线1和电源线8、控制信号线2和数据线7、控制信号线2和电源线8的交叉位置均设置有一个修复结构100；开关晶体管4和驱动晶体管5在第二方向上位于存储电容3的一侧，感测晶体管6在第二方向上位于存储电容3的另一侧，存储电容3则位于子像素的中间区域，即开关晶体管4和驱动晶体管5位于存储电容3靠近栅线1的一侧，感测晶体管6位于存储电容3靠近控制信号线2的一侧；开关晶体管4位于与之连接的栅线1和数据线7的交叉位置，且开关晶体管4与驱动晶体管5在第一方向上相邻设置；感测晶体管6位于与之连接的控制信号线2和感测信号线(图中未示出)的交叉位置。

在一些实施例中，每个子像素包括非显示区和显示区；彩膜层包括第一彩膜结构和第二彩膜结构，至少部分显示区中设置有一个第一彩膜结构，一个第一像素组中的各个非显示区中设置有一个第二彩膜结构，且该第二彩膜结构在基底上的正投影覆盖与之最近的修复结构在基底上的正投影。具体地，例如，对于一个第一像素组包括三个子像素，子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素的情况，每个子像素的显示区中均设置有一个第一彩膜结构；对于一个第一像素组包括四个子像素，子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素的情况，对应图7至图10所示的结构，仅其中的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素的显示区中设置有第一彩膜结构，白色子像素的显示区不设置第一彩膜结构。

在一些实施例中，第二彩膜结构包括第一子结构和第二子结构，第二子结构在基底上的正投影覆盖与之最近的修复结构在基底上的正投影，第一子结构的厚度大于第二子结构的厚度。在一些实施例中，第一子结构的厚度与第一彩膜结构的厚度相等，或者第一子结构的厚度小于第一彩膜结构的厚度。

由此，修复结构可用于对各条第一信号线以及各条第二信号线的线路故障进行修复，并且，在修复结构上方留存一层较薄的彩膜结构，在不影响修复过程的同时可增大非显示区对应的彩膜结构的整体尺寸，避免在工艺过程中发生剥离工艺不良的问题。

图11为本公开实施例提供的再一种显示基板的结构示意图。具体地，该结构为基于图7至图10所示结构的一种具体化可选实施方式，其在图10所示的遮光层、半导体有源层、第一导电层以及第二导电层叠加后的结构上设置彩膜层。如图11所示，红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素的显示区中设置有第一彩膜结构200，第一像素组的非显示区中设置有第二彩膜结构300，第二彩膜结构300在基底上的正投影覆盖与之最近的修复结构100在基底上的正投影；具体地，第二彩膜结构300包括第一子结构310和第二子结构320，第二子结构320在基底上的正投影覆盖与之最近的修复结构100在基底上的正投影，且第一子结构310的厚度大于第二子结构320的厚度。

图12为图11中部分子像素对应的截面示意图。其中，红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素的显示区230中设置有第一彩膜结构200，并且对应的第一像素组的非显示区330中设置有第二彩膜结构300；如图12中(a)，其示出了红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素对应彩膜层分布情况，以红色子像素为例，其示例性地示出了第一彩膜结构200与第二彩膜结构300的第一子结构310、第二子结构320之间的一种厚度关系，如图12中(b)，其示出了白色子像素对应的彩膜层分布情况，仅非显示区330对应设置有包括第一子结构310、第二子结构320的第二彩膜结构300。

图13为本公开实施例提供的一种修复结构及其修复过程的示意图。如图13所示，以设置于栅线1和数据线7交叉位置的修复结构为例：在(a)中，栅线1上检测到第一短路(short)点110，则可基于修复结构，在第一方向上对第一短路点110两侧进行切断，使用栅线1在第二方向上并行设置的另一侧进行走线；在(b)中，数据线7上检测到第二短路点720和第三短路点730，则可基于修复结构，在第二方向上对第二短路点720的一侧及第三短路点730的相对侧进行切断，并用过气相沉积法(ChemicalVapor Deposition，简称CVD)沉积钼(MO)引线，重新连接数据线7。

本公开实施例还提供了一种显示装置，其包括：显示基板；其中，该显示基板采用如上述实施例中任一的显示基板。

图14为本公开实施例提供的一种显示基板的制备方法的流程图。如图14所示，该方法包括：

步骤S1、在基底上涂覆遮光材料，形成彩膜层。

其中，基底上形设置有多条第一信号线、多条第二信号线以及多个修复结构；多条第一信号线沿第一方向延伸，且沿第二方向并排设置；多条第二信号线沿第二方向延伸，且沿第一方向并排设置；第一信号线和第二信号线的任一交叉位置均设置有一个修复结构。

在一些实施例中，第一信号线包括栅线和/或控制信号线，第二信号线包括数据线和电源线。

步骤S2、利用掩模板，对彩膜层分区域进行曝光。

在一些实施例中，利用掩模板对彩膜层分区域进行曝光，使得未被掩模板遮挡的彩膜层区域可以发生化学反应，改变该处部分遮光材料的溶解度，从而使得经过曝光的部分遮光材料可以溶于相应溶液。

在一些实施例中，该掩膜板为半色调掩膜板(HalfTone Mask)。

步骤S3、对彩膜层进行显影，以除去部分遮光材料，形成显示基板。

其中，显影后的彩膜层在基底上的正投影覆盖修复结构在基底上的正投影。

在一些实施例中，由于经过曝光的部分遮光材料可以溶于相应溶液，利用该溶液对经过曝光的部分遮光材料进行显影，使得经过曝光的部分遮光材料溶解，从而除去经过曝光的部分遮光材料，保留未被曝光的遮光材料。

图15为本公开实施例提供的另一种显示基板的制备方法的流程图。如图15所示，具体地，该方法为基于图14所示方法的一种具体化可选实施方案；基底上设置有多个子像素，且沿第一方向并排设置的子像素形成第一像素组，沿第二方向并排设置的子像素形成第二像素组；相邻设置的第一像素组之间设置至少一条第一信号线；相邻设置的第二像素组之间设置至少一条第二信号线；每个所述子像素包括非显示区和显示区；该方法不仅包括步骤S1，还包括步骤S201、步骤S202和步骤S301，步骤S201、步骤S202为步骤S2的一种具体实施方式，步骤S301为步骤S3的一种具体实施方式。下面仅对步骤S201、步骤S202和步骤S301进行详细描述。

步骤S2，利用掩模板，对彩膜层分区域进行曝光，包括：步骤S201和步骤S202。

步骤S201、将至少部分显示区对应的彩膜层作为遮光区，将每个第一像素组中的各个非显示区所对应的彩膜层作为曝光区。

其中，曝光区在基底上的正投影覆盖与之最近的修复结构在基底上的正投影。

步骤S202、利用掩模板，对曝光区进行曝光。

步骤S3，对彩膜层进行显影，包括：步骤S301。

步骤S301、对曝光区进行显影，以除去曝光区的部分遮光材料，形成第二彩膜结构，以及，保留遮光区的遮光材料，形成第一彩膜结构。

具体地，对于一个第一像素组包括三个子像素，子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素的情况，则相应将全部显示区对应的彩膜层作为遮光区，每个子像素的显示区中均形成一个第一彩膜结构；对于一个第一像素组包括四个子像素，子像素包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素的情况，则相应将部分显示区对应的彩膜层作为遮光区，使得仅其中的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素的显示区中形成第一彩膜结构，白色子像素的显示区对应彩膜层进行充分曝光。

图16为本公开实施例提供的又一种显示基板的制备方法的流程图。如图16所示，具体地，该方法为基于图15所示方法的一种具体化可选实施方案；曝光区包括第一曝光区和第二曝光区，第二曝光区在基底上的正投影覆盖与之最近的修复结构在基底上的正投影；该方法不仅包括步骤S1和步骤S201，还包括步骤S2021和步骤S3011，步骤S2021为步骤S202的一种具体实施方式，步骤S3011为S301的一种具体实施方式。下面仅对步骤S2021和步骤S3011进行详细描述。

步骤S202，利用掩模板，对曝光区进行曝光，包括：

步骤S2021、利用掩模板，仅对第二曝光区进行曝光。

步骤S301，对曝光区进行显影，包括：

步骤S3011、对第二曝光区进行显影，以除去第二曝光区的部分遮光材料，形成第二子结构，以及，保留第一曝光区的遮光材料，形成第一子结构。

其中，最终形成的第二子结构在基底上的正投影覆盖与之最近的修复结构在基底上的正投影，第一子结构的厚度大于第二子结构的厚度。在一些实施例中，第一子结构的厚度与第一彩膜结构的厚度相等，或者第一子结构的厚度小于第一彩膜结构的厚度。

本文已经公开了示例实施例，并且虽然采用了具体术语，但它们仅用于并仅应当被解释为一般说明性含义，并且不用于限制的目的。在一些实例中，对本领域技术人员显而易见的是，除非另外明确指出，否则可单独使用与特定实施例相结合描述的特征、特性和/或元素，或可与其他实施例相结合描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域技术人员将理解，在不脱离由所附的权利要求阐明的本公开的范围的情况下，可进行各种形式和细节上的改变。

Claims (11)

1.一种显示基板，其包括：

基底；

多条第一信号线和多条第二信号线，均设置在所述基底上；所述多条第一信号线沿第一方向延伸，且沿第二方向并排设置；所述多条第二信号线沿所述第二方向延伸，且沿所述第一方向并排设置；

多个修复结构，设置在所述基底上，所述第一信号线和所述第二信号线的任一交叉位置均设置有一个所述修复结构；

彩膜层，设置在所述修复结构背离所述基底的一侧，且所述彩膜层在所述基底上的正投影覆盖所述修复结构在所述基底上的正投影。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，

所述显示基板包括多个子像素，且沿所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组，沿所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组；

相邻设置的所述第一像素组之间设置至少一条所述第一信号线；相邻设置的所述第二像素组之间设置至少一条所述第二信号线；

每个所述子像素包括非显示区和显示区；所述彩膜层包括第一彩膜结构和第二彩膜结构，至少部分所述显示区中设置有一个第一彩膜结构，一个所述第一像素组中的各个所述非显示区中设置有一个所述第二彩膜结构，且该第二彩膜结构在所述基底上的正投影覆盖与之最近的所述修复结构在所述基底上的正投影。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，

所述第二彩膜结构包括第一子结构和第二子结构，所述第二子结构在所述基底上的正投影覆盖与之最近的所述修复结构在所述基底上的正投影，所述第一子结构的厚度大于所述第二子结构的厚度。

4.根据权利要求2所述的显示基板，其中，

每个所述子像素包括像素电路和发光器件，所述像素电路至少包括开关晶体管、驱动晶体管、感测晶体管以及存储电容；

所述第一信号线包括栅线和/或控制信号线，所述第二信号线包括数据线和电源线。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，

所述显示基板还包括：设置在所述基底上多条感测信号线；

对于每一个所述像素电路，所述开关晶体管和所述驱动晶体管在所述第二方向上位于所述存储电容的一侧，所述感测晶体管在所述第二方向上位于所述存储电容的另一侧；所述开关晶体管位于与之连接的所述栅线和所述数据线的交叉位置，且所述开关晶体管与所述驱动晶体管在所述第一方向上相邻设置；所述感测晶体管位于与之连接的所述控制信号线和所述感测信号线的交叉位置。

6.根据权利要求4所述的显示基板，其中，

所述修复结构连接所述栅线，和/或，所述修复结构连接所述控制信号线。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，

所述修复结构与所述栅线同层设置，和/或，所述修复结构与所述控制信号线同层设置。

8.一种显示装置，其包括：显示基板；

其中，所述显示基板采用如权利要求1-7中任一所述的显示基板。

9.一种显示基板的制备方法，其包括：

在基底上涂覆遮光材料，形成彩膜层；其中，所述基底上形设置有多条第一信号线、多条第二信号线以及多个修复结构；所述多条第一信号线沿第一方向延伸，且沿第二方向并排设置；所述多条第二信号线沿所述第二方向延伸，且沿所述第一方向并排设置；所述第一信号线和所述第二信号线的任一交叉位置均设置有一个所述修复结构；

利用掩模板，对所述彩膜层分区域进行曝光；

对所述彩膜层进行显影，以除去部分所述遮光材料，形成显示基板，其中，显影后的所述彩膜层在所述基底上的正投影覆盖所述修复结构在所述基底上的正投影。

10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法，其中，

所述基底上设置有多个子像素，且沿所述第一方向并排设置的所述子像素形成第一像素组，沿所述第二方向并排设置的所述子像素形成第二像素组；相邻设置的所述第一像素组之间设置至少一条所述第一信号线；相邻设置的所述第二像素组之间设置至少一条所述第二信号线；每个所述子像素包括非显示区和显示区；

所述利用掩模板，对所述彩膜层分区域进行曝光，包括：

将至少部分所述显示区对应的彩膜层作为遮光区，将每个所述第一像素组中的各个所述非显示区所对应的彩膜层作为曝光区，所述曝光区在所述基底上的正投影覆盖与之最近的所述修复结构在所述基底上的正投影；

利用掩模板，对所述曝光区进行曝光；

所述对所述彩膜层进行显影，包括：

对所述曝光区进行显影，以除去所述曝光区的部分所述遮光材料，形成第二彩膜结构，以及，保留所述遮光区的所述遮光材料，形成第一彩膜结构。

11.根据权利要求10所述的显示基板的制备方法，其中，所述曝光区包括第一曝光区和第二曝光区，所述第二曝光区在所述基底上的正投影覆盖与之最近的所述修复结构在所述基底上的正投影；

所述利用掩模板，对所述曝光区进行曝光，包括：

利用掩模板，仅对所述第二曝光区进行曝光；

所述对所述曝光区进行显影，包括：

对所述第二曝光区进行显影，以除去所述第二曝光区的部分所述遮光材料，形成第二子结构，以及，保留所述第一曝光区的所述遮光材料，形成第一子结构。

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