CN118159081A - 发光显示装置 - Google Patents

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light emitting
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李晙硕
琴都映
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LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
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Abstract

一种发光显示装置，该发光显示装置包括：电路层，其包括设置在基板上的薄膜晶体管TFT和辅助电源电极；至少一个保护层，其覆盖电路层；以及接触部，其穿过至少一个保护层，以暴露辅助电源电极的部分，其中，TFT包括有源层，并且辅助电源电极与有源层同层设置。

Description

发光显示装置
技术领域
本公开涉及发光显示装置。
背景技术
随着面向信息的社会的进步，对被配置为显示图像的显示装置的关注和要求不断增加。因此，利用诸如液晶显示器(LCD)、有机发光显示器(OLED)、微型发光二极管(微型LED)、量子点显示装置(QD)等之类的显示装置。
在这些显示装置当中，根据发光层的材料，将发光显示装置分类为无机发光显示装置或有机发光显示装置。例如，有机发光显示装置是自发光的，其中空穴和电子从用于空穴注入的阳极电极和用于电子注入的阴极电极被注入到发光层中，并且当其中所注入的空穴和电子结合在一起的激子从激发态下降至基态时发射光，从而显示图像。
根据发射光的方向，可以将发光显示装置划分为顶部发光型、底部发光型或双发光型。
在顶部发光型的发光显示装置的情况下，透明电极或半透射电极可以用作阴极以将光从发光层发射到上部。阴极电极具有薄的轮廓(或厚度)以改进透光性，从而增加电阻。具体地，在大尺寸发光显示装置的情况下，随着距电压供应焊盘的距离增加，可能更严重地生成电压降，由此可能出现发光显示装置的亮度不均匀性问题。
背景技术的上述内容可以由发明人为推导本公开而保留，或者可以是通过实践本公开的实施方式而获知的技术信息。然而，背景技术的上述内容可以不是在申请本公开之前向一般公众公布的现有技术。
发明内容
为了解决由于发光显示装置中阴极电极的电阻增加而出现电压降的问题，提出了一种通过向阴极电极提供辅助电力来降低电压降的方法。
然而，需要单独的辅助电极来向阴极电极提供辅助电力，并且添加使用光掩模的掩模工艺来制造单独的辅助电极。掩模工艺伴随着诸如清洗、曝光、显影和蚀刻工艺之类的子工艺，并且在增加掩模工艺时，用于制造发光显示装置的制造时间和制造成本增加，并且缺陷发生率增加，导致良率降低的问题。
本公开的一个方面涉及提供一种发光显示装置，其中可以在不增加掩模工艺的情况下提供辅助电极，因此可以简化配置和制造工艺。
本公开的附加优点和特征将部分地在下面的描述中阐述，并且部分地对于本领域的普通技术人员在检查以下内容或可以从本公开的实践中获知时将变得显而易见。本公开的目的和其他优点可以通过在书面说明书、权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其他优点并且根据本公开的目的，如本文所实施和广泛描述的，提供了一种发光显示装置，该发光显示装置包括：电路层，其包括设置在基板上的薄膜晶体管(TFT)和辅助电源电极；至少一个保护层，其覆盖电路层；以及接触部，其穿过至少一个保护层，以暴露辅助电源电极的部分，其中，TFT包括有源层，并且辅助电源电极与有源层同层设置。
在根据本公开的发光显示装置中，可以在不增加掩模工艺的情况下提供辅助电极，从而可以简化配置和制造工艺，可以减少制造成本用于工艺优化，并且可以提高生产率和可靠性。
应当理解，本公开的前述一般描述和以下详细描述都是示例性和解释性的，并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本公开的进一步理解并且被并入并且构成本申请的一部分的附图图示了本公开的实施方式并且与描述一起用于解释本公开的原理。在附图中：
图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的发光显示装置的框图；
图2是根据本公开的实施方式的发光显示装置的横截面图；
图3是示出图2的区域A的示图；
图4是示出图2的区域B的示图；
图5是根据本公开的另一实施方式的发光显示装置的横截面图；以及
图6至图16是根据本公开的实施方式的用于描述制造发光显示装置的方法的制造工艺图。
具体实施方式
通过以下参照附图描述的实施方式，将阐明本公开的优点和特征及其实现方式。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得本公开将是透彻和完整的，并且将本公开的范围完全传达给本领域技术人员。
在附图中公开的用于描述本公开的实施方式的形状、尺寸、比率、角度和数量仅仅是示例，并且因此，本公开不限于所示的细节。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元素。在以下描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述会不必要地模糊本公开的要点时，将省略该详细描述。
在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，除非使用了“仅～”，否则可以添加另一部分。除非另有规定，否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在解释一个元素时，该元素被解释为包括误差范围，尽管可能没有任何明确的描述。
在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在～上”、“在～上方”、“在～下方”和“紧挨着～”时，一个或更多个部分可以布置在其他两个部分之间，除非使用了“仅”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“之后”、“后续”、“紧接着”和“之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用了“仅”或“直接”。
应当理解，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元素，但是这些元素不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元素与另一元素分隔开。例如，第一元素可以被称为第二元素，并且类似地，第二元素可以被称为第一元素，而不脱离本发明的范围。
术语“第一水平轴线方向”、“第二水平轴线方向”和“竖直轴线方向”不应仅基于各自方向相互垂直的几何关系来解释，并且可以表示为在本公开的部件可以功能性地操作的范围内的近似方向。
术语“至少一个”应理解为包括相关联的所列项中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示第一项、第二项和第三项中的一个或更多个以及从第一项、第二项或第三项中的一个或更多个提出的所有项的组合。
本公开的各种实施方式的特征可以部分地或整体地彼此结合或组合，并且可以彼此不同地相互操作并且在技术上被驱动，如本领域技术人员可以充分理解的那样。本公开的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以共同依赖关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述根据本公开的发光显示装置的优选实施方式。在整个附图中，尽可能使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。由于为了便于描述，附图中所示的每个元素的比例与实际比例不同，因此本公开不限于所示的比例。
图1是示意性地示出根据本公开的实施方式的发光显示装置的框图。
参照图1，根据本公开的一个实施方式的发光显示装置100可以包括显示面板110、图像处理器120、定时控制器130、数据驱动器140、扫描驱动器150和电源部160。
显示面板110可以显示与从数据驱动器140提供的数据信号DATA、从扫描驱动器150提供的扫描信号和从电源部160提供的电力相对应的图像。
显示面板110可以包括设置在多条栅线GL和多条数据线DL的每个交叉点处的子像素SP。子像素SP的结构可以根据显示装置100的类型而变化。
例如，子像素SP可以根据结构而以顶部发光法、底部发光法或双发光法来形成。子像素SP是指能够在有或者没有特定类型的滤色器的情况下发射其自身颜色的光的单元。子像素SP可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。另选地，子像素SP可以包括红色子像素、蓝色子像素、白色子像素和绿色子像素。子像素SP可以根据发光特性而具有一个或更多个不同的发光区。
一个或更多个子像素SP可以构成一个单位像素。例如，一个单位像素可以包括红色、绿色和蓝色子像素，并且红色、绿色和蓝色子像素可以重复布置。另选地，一个单位像素可以包括红色、绿色、蓝色和白色子像素，其中红色、绿色、蓝色和白色子像素可以重复布置，或者红色、绿色、蓝色和白色子像素可以以四边形类型布置，例如以形状可以是方形的四个一组的形式布置。在根据本公开的实施方式中，子像素的颜色类型、布置类型、布置顺序等可以根据发光特性、器件的寿命、器件的规格等以各种形式来配置，因此不限于此。
显示面板110可以被划分为用于通过布置子像素SP来显示图像的显示区AA和围绕显示区AA的非显示区NA，但不限于此。扫描驱动器150可以设置在显示面板110的非显示区NA上。此外，非显示区NA可以包括焊盘区和链接线区域。
图像处理器120可以将数据使能信号DE与从外部提供的数据信号DATA一起输出。除了数据使能信号DE之外，图像处理器120还可以输出竖直同步信号、水平同步信号和时钟信号中的一个或更多个。
定时控制器130可以从图像处理器120接收数据信号DATA以及驱动信号。驱动信号可以包括数据使能信号DE。另选地，驱动信号可以包括竖直同步信号、水平同步信号和时钟信号。定时控制器130可以基于驱动信号来输出用于控制数据驱动器140的操作定时的数据定时控制信号DDC，以及用于控制扫描驱动器150的操作定时的栅极定时控制信号GDC。
数据驱动器140可以通过响应于从定时控制器130提供的数据定时控制信号DDC对从定时控制器130提供的数据信号DATA进行采样和锁存而将数据信号DATA转换成伽马参考电压，并且可以输出伽马参考电压。
数据驱动器140可以通过数据线DL输出数据信号DATA。数据驱动器140可以以集成电路IC的形式来实现。例如，数据驱动器140可以通过柔性电路膜电连接到设置在显示面板110的非显示区NA中的焊盘区。
扫描驱动器150可以响应于从定时控制器130提供的栅极定时控制信号GDC而输出扫描信号。扫描驱动器150可以通过栅线GL输出扫描信号。扫描驱动器150可以以集成电路IC的形式来实现，或者可以以面板内栅极GIP方案来实现。
电源部160可以输出用于驱动显示面板110的高电位电压和低电位电压。电源部160可以通过第一电源线EVDD(驱动电源线或像素电源线)向显示面板110提供高电位电压，并且可以通过第二电源线EVSS(辅助电源线或公共电源线)向显示面板110提供低电位电压。
图2是根据本公开的实施方式的发光显示装置100的横截面图。图3是示出图2的区域A的示图。图4是示出图2的区域B的示图。
参照图2至图4，根据本公开的实施方式的发光显示装置100可以包括在基板SUB上的显示区AA和焊盘区PA。例如，焊盘区PA可以是在显示区AA的外围的非显示区NA的部分。
根据本公开的实施方式的发光显示装置100可以包括基板SUB、光阻挡层LS、缓冲层BUF、薄膜晶体管(TFT)TR、存储电容器Cst、辅助电源电极AXE、栅极绝缘层GI、钝化层PAS(或第一保护层)、外涂层OC(或第二保护层)、发光器件ED、堤层BA、接触部CA和焊盘电极PE。
基板SUB可以是基础基板并且可以包括玻璃或塑料材料。例如，基板SUB可以包括诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚碳酸酯(PC)之类的塑料材料，并且可以具有柔性特性，但是本公开的实施方式不限于此。
可以在基板SUB上为多个子像素SP中的每一个设置包括各种线、TFT TR和存储电容器Cst的电路元件。例如，线可以包括栅线GL、数据线DL、第一电源线EVDD(驱动电源线或像素电源线)、第二电源线EVSS(辅助电源线或公共电源线)和参考线。例如，TFT TR可以包括驱动TFT、开关TFT和感测TFT，但是本公开的实施方式不限于此。
光阻挡层LS和辅助电源线EVSS(第二电源线或公共电源线)可以设置在基板SUB上。
光阻挡层LS可以设置为与TFT TR交叠。光阻挡层LS可以与TFT TR的有源层ACT交叠。例如，如平面图所示，光阻挡层LS可以设置为与有源层ACT的沟道区域ACT_CH(参见图3)交叠。光阻挡层LS可以防止或减少外部光穿透到有源层ACT中。此外，辅助电源线EVSS可以向公共电极CE施加辅助电力(或低电平电压)以减小公共电极CE的电阻。
光阻挡层LS和辅助电源线EVSS可以在基板SUB上由相同的材料同层形成。在这种情况下，光阻挡层LS和辅助电源线EVSS可以通过相同的工艺同时形成，但是本公开的实施方式不限于此。
光阻挡层LS可以由一层或更多层形成。例如，光阻挡层LS可以包括下光阻挡层LSa和上光阻挡层LSb(参见图3)。同样，辅助电源线EVSS可以由一层或更多层形成，并且可以包括下辅助电源线和上辅助电源线，其中下辅助电源线包括与下光阻挡层LSa的材料相同的材料，上辅助电源线包括与上光阻挡层LSb的材料相同的材料。
下光阻挡层LSa可以防止或减少上光阻挡层LSb的下表面的腐蚀。例如，下光阻挡层LSa可以包括氧化速率较低并且防腐蚀效果好的材料，例如可以包括钼(Mo)、钛(Ti)或Mo-Ti合金(MoTi)，但是本公开的实施方式不限于此。
上光阻挡层LSb可以包括铜(Cu)，铜(Cu)是具有比下光阻挡层LSa的电阻率低的电阻率的金属。此外，上光阻挡层LSb可以被配置为具有比下光阻挡层LSa的厚度大的厚度，以降低辅助电源线的总电阻，但是本公开的实施方式不限于此。
缓冲层BUF可以设置在基板SUB上，以覆盖光阻挡层LS和辅助电源线EVSS。缓冲层BUF可以通过层叠单层或多个无机层来形成。例如，缓冲层BUF可以由包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)的单层来形成。另选地，缓冲层BUF可以由其中层叠有SiOx、SiNx和SiOxNy中的至少两者的多层来形成。缓冲层BUF可以形成在基板SUB的整个上表面上方， 以便阻挡从基板SUB扩散的离子或杂质，并且防止或减少水渗透到发光器件ED中。
TFT TR、存储电容器Cst的第二电容器电极C2和第三电容器电极C3以及辅助电源电极AXE可以设置在缓冲层BUF上。TFT TR和存储电容器Cst可以设置在缓冲层BUF上的多个子像素SP中的每一个中。辅助电源电极AXE可以设置在缓冲层BUF上的多个子像素SP中的每一个中，或者可以设置在相邻的子像素SP之间。例如，可以为构成一个单位像素的多个子像素SP中的每一个设置辅助电源电极AXE，或者可以为任意多个子像素中的每一个设置辅助电源电极AXE。此外，可以为与栅线GL平行的每条水平线设置辅助电源电极AXE，或者可以为任意多条水平线中的每一条设置辅助电源电极AXE，但是本公开的实施方式不限于此。
TFT TR可以包括有源层ACT、栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2。此外，存储电容器Cst可以包括与光阻挡层LS1同层设置的第一电容器电极C1、与有源层ACT同层设置的第二电容器电极C2、以及与第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2同层设置的第三电容器电极C3。此外，辅助电源电极AXE可以与有源层ACT同层设置。
参照图3，根据本公开的实施方式的TFT TR可以包括在缓冲层BUF上的有源层ACT、与有源层ACT的沟道区域ACT_CH交叠的栅极电极GA(其中栅极绝缘层GI位于栅极电极GA与沟道区域ACT_CH之间)、与有源层ACT的第一区域ACT_C1连接的第一源极/漏极电极SD1、以及与有源层ACT的第二区域ACT_C2连接的第二源极/漏极电极SD2。
有源层ACT可以设置在缓冲层BUF上。有源层ACT可以由一层或更多层形成。例如，有源层ACT可以包括缓冲层BUF上的第一有源层ACTa、第一有源层ACTa上的第二有源层ACTb、以及第二有源层ACTb上的第三有源层ACTc。第一有源层ACTa、第二有源层ACTb和第三有源层ACTc可以包括不同的材料。例如，第一有源层ACTa可以包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)和氧化锌铟(ZIO)中的至少一种。此外，第二有源层ACTb可以包括导电氧化物层，该导电氧化物层包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一种。此外，第三有源层ACTc可以包括金属层，该金属层包括Mo、Ti和MoTi中的至少一种。
有源层ACT可以包括与栅极电极GA交叠的沟道区域ACT_CH(其中栅极绝缘层GI位于栅极电极GA与沟道区域ACT_CH之间)、与第一源极/漏极电极SD1连接的第一区域ACT_C1、以及与第二源极/漏极电极SD2连接的第二区域ACT_C2。例如，沟道区域ACT_CH可以设置在有源层ACT的中心区域中，并且可以是通过去除第一有源层ACTa的上表面上的第二有源层ACTb和第三有源层ACTc而暴露的部分。第一区域ACT_C1和第二区域ACT_C2可以平行于其间的沟道区域ACT_CH布置，并且可以各自是层叠有第一有源层ACTa、第二有源层ACTb和第三有源层ACTc的部分。
栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACT上。栅极绝缘层GI可以设置在有源层ACT的沟道区域ACT_CH上，并且可以使有源层ACT与栅极电极GA绝缘。栅极绝缘层GI可以包括无机绝缘材料。例如，栅极绝缘层GI可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy或其多层，但是本公开的实施方式不限于此。
栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2可以设置在栅极绝缘层GI上。栅极电极GA可以与有源层ACT的沟道区域ACT_CH交叠，其中栅极绝缘层GI位于栅极电极GA与沟道区域ACT_CH之间。第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2可以直接接触有源层ACT并且与有源层ACT连接。根据本公开的实施方式，栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2可以包括相同的材料。例如，可以通过相同的工艺同时形成栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2。栅极绝缘层GI可以与栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2一起被图案化，因此可以设置在栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2下方。
第一源极/漏极电极SD1或第二源极/漏极电极SD2可以通过穿过栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的接触孔CH2而与光阻挡层LS连接。例如，光阻挡层LS可以包括导电材料，并且当光阻挡层LS浮置时，可能不利地影响有源层ACT，例如当光阻挡层LS浮置时，可能存在可以影响像素/子像素操作的附加寄生电容。因此，第一源极/漏极电极SD1或第二源极/漏极电极SD2可以与光阻挡层LS电连接，以允许光阻挡层LS不浮置，从而防止或减少对有源层ACT的不利影响。
栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2中的每一个可以配置有一层或更多层。例如，栅极电极GA可以包括下栅极电极GAa和上栅极电极Gab。此外，第一源极/漏极电极SD1可以包括下第一源极/漏极电极SD1a和上第一源极/漏极电极SD1b。此外，第二源极/漏极电极SD2可以包括下第二源极/漏极电极SD2a和上第二源极/漏极电极SD2b。
下栅极电极GAa、下第一源极/漏极电极SD1a和下第二源极/漏极电极SD2a可以防止或减少上栅极电极GAb、上第一源极/漏极电极SD1b和上第二源极/漏极电极SD2b的下表面的腐蚀。例如，下栅极电极GAa、下第一源极/漏极电极SD1a和下第二源极/漏极电极SD2a可以包括相比于上栅极电极GAb、上第一源极/漏极电极SD1b和上第二源极/漏极电极SD2b氧化速率更低并且在防腐蚀方面更好的材料，并且例如可以包括Mo、Ti或MoTi，但是本公开的实施方式不限于此。上栅极电极GAb、上第一源极/漏极电极SD1b和上第二源极/漏极电极SD2b可以包括Cu，Cu是电阻率低于下栅极电极GAa、下第一源极/漏极电极SD1a和下第二源极/漏极电极SD2a的金属。此外，上栅极电极GAb、上第一源极/漏极电极SD1b和上第二源极/漏极电极SD2b可以被配置为具有大于下栅极电极GAa、下第一源极/漏极电极SD1a和下第二源极/漏极电极SD2a中的每一者的厚度的厚度，以便减小总电阻，但是本公开的实施方式不限于此。
根据本公开的实施方式的栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2可以通过相同的工艺同时形成，因此，可以省略在栅极电极GA与第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2之间形成的层间绝缘层。因此，制造工艺的数量可以减少，从而可以简化制造工艺，可以减少制造成本用于工艺优化，并且可以提高生产率和可靠性。
参照图3，根据本公开的实施方式的存储电容器Cst可以包括：第一电容器电极C1，其与基板SUB上的光阻挡层LS同层设置；第二电容器电极C2，其与缓冲层BUF上的有源层ACT同层设置；以及第三电容器电极C3，其与栅极绝缘层GI上的第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2同层设置。存储电容器Cst可以在缓冲层BUF设置在第一电容器电极C1与第二电容器电极C2之间时形成电容。此外，栅极绝缘层GI可以设置在第二电容器电极C2与第三电容器电极C3之间以形成电容。因此，存储电容器Cst可以用作双电容器。
第一电容器电极C1可以由与基板SUB上的光阻挡层LS相同的材料同层形成。第一电容器电极C1可以通过与光阻挡层LS相同的工艺同时形成。类似于光阻挡层LS，第一电容器电极C1可以配置有一层或更多层。例如，下第一电容器电极C1a可以包括相比于上第一电容器电极C1b氧化速率更低并且在防腐蚀方面更好的金属，并且例如可以包括Mo、Ti或MoTi。上第一电容器电极C1b可以包括Cu，Cu是电阻率低于下第一电容器电极C1a的金属。此外，上第一电容器电极C1b可以被配置为具有大于下第一电容器电极C1a的厚度的厚度，以便减小总电阻，但是本公开的实施方式不限于此。
第二电容器电极C2可以由与缓冲层BUF上的有源层ACT相同的材料同层形成。第二电容器电极C2可以通过与有源层ACT相同的工艺同时形成。类似于有源层ACT，第二电容器电极C2可以配置有一层或更多层。例如，第二电容器电极C2可以包括第2-1电容器电极C2a、第2-2电容器电极C2b和第2-3电容器电极C2c。第2-1电容器电极C2a、第2-2电容器电极C2b和第2-3电容器电极C2c可以包括不同的材料。例如，第2-1电容器电极C2a可以包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括IGZO、ZTO和ZIO中的至少一种。此外，第2-2电容器电极C2b可以包括导电氧化物层，该导电氧化物层包括ITO和IZO中的至少一种。此外，第2-3电容器电极C2c可以包括金属层，该金属层包括Mo、Ti和MoTi中的至少一种。
第三电容器电极C3可以由与栅极绝缘层GI上的第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2相同的材料同层形成。此外，第三电容器电极C3可以由与栅极绝缘层GI上的栅极电极GA相同的材料同层形成。第三电容器电极C3可以通过与栅极电极GA以及第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2相同的工艺同时形成。类似于栅极电极GA以及第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2，第三电容器电极C3可以配置有一层或更多层。例如，第三电容器电极C3可以包括下第三电容器电极C3a和上第三电容器电极C3b。下第三电容器电极C3a可以包括相比于上第三电容器电极C3b氧化速率更低并且在防腐蚀方面更好的材料，并且例如可以包括Mo、Ti或MoTi。上第三电容器电极C3b可以包括Cu，Cu是电阻率低于下第三电容器电极C3a的金属。此外，上第三电容器电极C3b可以被配置为具有大于下第三电容器电极C3a的厚度的厚度，以便减小总电阻，但是本公开的实施方式不限于此。
参照图4，根据本公开的实施方式的辅助电源电极AXE可以由与缓冲层BUF上的有源层ACT相同的材料同层形成。类似于有源层ACT，辅助电源电极AXE可以配置有一层或更多层。例如，辅助电源电极AXE可以包括第一辅助电源电极AXEa、第二辅助电源电极AXEb和第三辅助电源电极AXEc。第一辅助电源电极AXEa、第二辅助电源电极AXEb和第三辅助电源电极AXEc可以包括不同的材料。例如，第一辅助电源电极AXEa可以包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括IGZO、ZTO和ZIO中的至少一种。此外，第二辅助电源电极AXEb可以包括导电氧化物层，该导电氧化物层包括ITO和IZO中的至少一种。此外，第三辅助电源电极AXEc可以包括金属层，该金属层包括Mo、Ti和MoTi中的至少一种。根据本公开的实施方式的辅助电源电极AXE可以通过与有源层ACT相同的工艺同时形成，并且可以包括即使在辅助电源电极AXE的最上层上设置的第三辅助电源电极AXEc暴露于外部时也不会被氧化或腐蚀的材料，因此可以不添加用于形成辅助电源电极的单独工艺。因此，制造工艺的数量可以减少，从而可以简化制造工艺，可以减少制造成本用于工艺优化，并且可以提高生产率和可靠性。
根据本公开的实施方式的辅助电源电极AXE可以与辅助电源线EVSS连接，并且可以将从辅助电源线EVSS提供的辅助电源(低电平电压或公共电压)施加到公共电极CE(阴极电极或第二电极)。辅助电源电极AXE可以与辅助电源线EVSS一起减小公共电极CE的电阻。
根据本公开的实施方式，辅助电源连接图案AXE_CP可以设置在辅助电源电极AXE和辅助电源线EVSS之间。辅助电源连接图案AXE_CP可以由与栅极绝缘层GI上的第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2相同的材料同层形成。此外，辅助电源连接图案AXE_CP可以由与栅极绝缘层GI上的栅极电极GA相同的材料同层形成。
辅助电源连接图案AXE_CP的一端可以通过穿过栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的接触孔CH3与辅助电源线EVSS连接。此外，辅助电源连接图案AXE_CP的另一端可以通过穿过栅极绝缘层GI的接触孔CH4与辅助电源电极AXE连接。辅助电源电极AXE可以通过辅助电源连接图案AXE_CP与辅助电源线EVSS电连接。
辅助电源连接图案AXE_CP可以通过与栅极电极GA以及第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2相同的工艺同时形成。类似于栅极电极GA以及第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2，辅助电源连接图案AXE_CP可以配置有一层或更多层。例如，辅助电源连接图案AXE_CP可以包括下辅助电源连接图案AXE_CPa和上辅助电源连接图案AXE_CPb。下辅助电源连接图案AXE_Cpa可以包括相比于上辅助电源连接图案AXE_CPb氧化速率更低并且在防腐蚀方面更好的金属，并且例如可以包括Mo、Ti或MoTi。上辅助电源连接图案AXE_CPb可以包括Cu，Cu是电阻率低于下辅助电源连接图案AXE_Cpa的金属。此外，上辅助电源连接图案AXE_CPb可以被配置为具有大于下辅助电源连接图案AXE_Cpa的厚度的厚度，以便减小总电阻，但是本公开的实施方式不限于此。
TFT TR、存储电容器Cst和辅助电源电极AXE可以配置电路层(或TFT阵列层)。
钝化层PAS(或第一保护层)可以设置在包括TFT TR、存储电容器Cst和辅助电源电极AXE的电路层上。钝化层PAS可以设置为覆盖TFT TR、存储电容器Cst和辅助电源电极AXE。钝化层PAS可以保护电路层的TFT TR、存储电容器Cst和辅助电源电极AXE，并且可以包括无机绝缘材料。例如，钝化层PAS可以包括SiOx、SiNx、SiOxNy或其多层，但是本公开的实施方式不限于此。此外，钝化层PAS可以设置为从显示区AA向上延伸至焊盘区PA。例如，钝化层PAS可以形成为覆盖设置在焊盘区PA中的焊盘电极PE的部分。
外涂层OC(第二保护层或平坦化层)可以设置在钝化层PAS上。外涂层OC可以使下台阶高度平坦化，并且可以包括有机绝缘材料。例如，外涂层OC可以包括诸如丙烯酸、聚酰亚胺、苯并环丁烯树脂和丙烯酸酯之类的有机材料中的至少一种，但是本公开的实施方式不限于此。
像素电极PXE(阳极电极或第一电极)可以设置在外涂层OC上。像素电极PXE可以设置在外涂层OC上的多个子像素SP中的每一个中。像素电极PXE可以通过穿过外涂层OC和钝化层PAS的接触孔CH1与TFT TR的第一源极/漏极电极SD1或第二源极/漏极电极SD2连接。发光层EL(或有机发光层)和公共电极CE(阴极电极或第二电极)可以设置在像素电极PXE上。像素电极PXE、发光层EL和公共电极CE可以配置发光器件ED。
像素电极PXE可以包括金属、其合金或金属与氧化物金属的组合。例如，像素电极PXE可以形成为包括透明导电层和反射效率高的不透明导电层的多层结构。此外，像素电极PXE可以包括氧化速率低并且在防腐蚀方面良好的材料。例如，像素电极PXE可以包括在接触孔CH1上的第一像素电极PXE1和在第一像素电极PXE1上并且设置在外涂层OC的上表面上的第二像素电极PXE2。
第一像素电极PXE1可以包括相比于第二像素电极PXE2氧化速率更低并且在防腐蚀方面更好的材料，并且例如可以包括Mo、Ti或MoTi。第一像素电极PXE1可以设置在接触孔CH1以及外涂层OC的上表面的在接触孔CH1的周边的部分中。
第二像素电极PXE2可以形成为包括透明导电层和反射效率高的不透明导电层的多层结构。第二像素电极PXE2可以包括第2-1像素电极PXE2a、第2-2像素电极PXE2b和第2-3像素电极PXE2c。第2-1像素电极PXE2a和第2-3像素电极PXE2c可以设置在相对于位于第2-1像素电极PXE2a和第2-3像素电极PXE2c之间的第2-2像素电极PXE2b的下部和上部。第2-1像素电极PXE2a和第2-3像素电极PXE2c可以包括透明导电层。例如，第2-1像素电极PXE2a和第2-3像素电极PXE2c中的每一个可以包括具有相对大的功函数值的材料，例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。第2-2像素电极PXE2b可以设置在第2-1像素电极PXE2a与第2-3像素电极PXE2c之间。第2-2像素电极PXE2b可以包括电阻率低于第2-1像素电极PXE2a和第2-3像素电极PXE2c的不透明导电层。例如，第2-2像素电极PXE2b可以由包括从由银(Ag)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、镍(Ni)、铬(Cr)和钨(W)构成的组当中选择的一种材料或者其合金的单层或多层来形成。第2-2像素电极PXE2b可以被配置为具有比第2-1像素电极PXE2a和第2-3像素电极PXE2c中的每一个的厚度大的厚度，以减小像素电极PXE的总电阻，但是本公开的实施方式不限于此。
堤层BA可以设置在像素电极PXE和外涂层OC上。堤层BA可以覆盖像素电极PXE的边缘部并且可以限定子像素SP的开口部。堤层BA可以包括诸如聚酰亚胺、丙烯酸酯或苯并环丁烯系列树脂之类的有机材料，但是本公开的实施方式不限于此。像素电极PXE的被堤层BA暴露的中心部可以被定义为发光区域。此外，由堤层BA覆盖的部分可以被定义为非发光区域。
接触部CA可以穿过钝化层PAS和外涂层OC以暴露辅助电源电极AXE的部分。接触部CA可以包括形成在钝化层PAS中的第一开口部PAS_H和形成在外涂层OC中的第二开口部OC_H。例如，第一开口部PAS_H可以包括第一斜面PAS_HS1和第二斜面PAS_HS2。第二开口部OC_H可以包括第一斜面OC_HS1和第二斜面OC_HS2。钝化层PAS的第一开口部PAS_H和外涂层OC的第二开口部OC_H可以配置辅助电源电极AXE上的底切区域UCA。
钝化层PAS的第一开口部PAS_H可以形成为暴露辅助电源电极AXE的一部分。外涂层OC的第二开口部OC_H可以形成为暴露辅助电源电极AXE的一部分。外涂层OC的第二开口部OC_H可以包括与钝化层PAS的第一开口部PAS_H的至少一部分交叠的突出部。外涂层OC的第二开口部OC_H可以形成为第二开口部OC_H的第二斜面OC_HS2相比于钝化层PAS的第一开口部PAS_H的第二斜面PAS_HS2突出的形状。底切区域UCA可以形成在相比于钝化层PAS的第一开口部PAS_H的第二斜面PAS_HS2突出的外涂层OC的第二开口部OC_H的第二斜面OC_HS2下方。
发光层EL可以设置在像素电极PXE和堤层BA上。发光层EL可以设置在通过接触部CA暴露的辅助电源电极AXE上。在接触部CA中，外涂层OC的第二开口部OC_H可以包括尺寸大于或等于钝化层PAS的第一开口部PAS_H的部分。这里，钝化层PAS的上表面的部分可以被外涂层OC的第二开口部OC_H的第一斜面OC_HS1暴露。因此，可以沿着外涂层OC的第二开口部OC_H的第一斜面OC_HS1、钝化层PAS的上表面和钝化层PAS的第一开口部PAS_H的第一斜面PAS_HS1形成台阶区域。发光层EL可以沿着由接触部CA中的外涂层OC和钝化层PAS形成的台阶区域部分地形成在辅助电源电极AXE上。此外，在接触部CA中，外涂层OC的第二开口部OC_H可以包括相比于钝化层PAS的第一开口部PAS_H的至少一部分突出并且与钝化层PAS的第一开口部PAS_H的至少一部分交叠的部分。这里，底切区域UCA可以形成在相比于钝化层PAS的第一开口部PAS_H的第二斜面PAS_HS2突出的外涂层OC的第二开口部OC_H的第二斜面OC_HS2下方。发光层EL可以不设置在与由接触部CA中的外涂层OC和钝化层PAS形成的底切区域UCA相对应的辅助电源电极AXE上。发光层EL可以包括台阶覆盖性不好的材料，因此，发光层EL可以形成为直到仅除了底切区域UCA之外的部分，并且可以断开连接而不形成在与底切区域UCA相对应的辅助电源电极AXE上。如本文所使用的，台阶覆盖性是指台阶上的厚度均匀性，并且不好的台阶覆盖性是指厚度的均匀性不一致。因此，发光层EL可以在底切区域UCA中断开连接，因此，可以暴露与底切区域UCA相对应的辅助电源电极AXE的上表面，并且公共电极CE可以与辅助电源电极AXE直接接触并且与其电连接。这有助于减轻由于发光显示装置中的公共电极CE(也称为阴极电极)的电阻增加而发生的电压降。
公共电极CE(阴极电极或第二电极)可以设置在发光层EL上。公共电极CE可以与像素电极PXE和发光层EL交叠以配置发光器件ED。公共电极CE可以广泛地设置在基板SUB的整个表面上。公共电极CE可以包括诸如ITO或IZO之类的透明导电材料，或者可以包括具有使得能够透射光的薄厚度的Ag、Al、镁(Mg)、钙(Ca)或其合金，但是本公开的实施方式不限于此。公共电极CE可以沿着由接触部CA中的外涂层OC和钝化层PAS形成的台阶区域设置在发光层EL上。公共电极CE可以设置在与由接触部CA中的外涂层OC和钝化层PAS形成的底切区域UCA相对应的辅助电源电极AXE上。公共电极CE可以设置在由底切区域UCA中的发光层EL暴露的辅助电源电极AXE上。公共电极CE可以包括在台阶覆盖性方面比发光层EL更好的材料，因此可以被设置到其中未设置有发光层EL的底切区域UCA的辅助电源电极AXE。公共电极CE可以与辅助电源电极AXE直接接触并且与其直接电连接。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置100中，焊盘电极PE可以设置在基板SUB上的焊盘区PA中。
缓冲层BUF可以设置在基板SUB上的焊盘区PA中。焊盘电极PE可以设置在缓冲层BUF上。焊盘电极PE可以配置有一层或更多层。例如，焊盘电极PE可以包括第一焊盘电极PE1、第二焊盘电极PE2和第三焊盘电极PE3。
第一焊盘电极PE1和第二焊盘电极PE2可以设置在缓冲层BUF上。第一焊盘电极PE1和第二焊盘电极PE2可以由与栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2相同的材料形成在不同的层上。例如，栅极绝缘层GI可以不设置在基板SUB上的焊盘区PA中，并且第一焊盘电极PE1和第二焊盘电极PE2可以通过与缓冲层BUF上的栅极绝缘层GI上的栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1和第二源极/漏极电极SD2相同的工艺同时形成。第一焊盘电极PE1可以包括相比于第二焊盘电极PE2氧化速率更低并且在防腐蚀方面更好的材料，并且例如可以包括Mo、Ti或MoTi。第二焊盘电极PE2可以包括Cu，Cu是电阻率低于第一焊盘电极PE1的金属。此外，第二焊盘电极PE2可以被配置为具有大于第一焊盘电极PE1的厚度的厚度，以便减小总电阻，但是本公开的实施方式不限于此。
包括使得第二焊盘电极PE2的上表面的部分暴露的接触孔CH5的钝化层PAS可以设置在第一焊盘电极PE1和第二焊盘电极PE2上。通过接触孔CH5与第二焊盘电极PE2连接并且由与第一像素电极PXE1的材料相同的材料形成的第三焊盘电极PE3可以设置在钝化层PAS上。
第三焊盘电极PE3可以由与像素电极PXE的第一像素电极PXE1相同的材料形成在不同的层上。例如，外涂层OC可以不设置在基板SUB上的焊盘区PA中，并且第三焊盘电极PE3可以通过与钝化层PAS上的外涂层OC上的第一像素电极PXE1相同的工艺同时形成。类似于第一像素电极PXE1，第三焊盘电极PE3可以包括氧化速率低并且在防腐蚀方面良好的材料，并且例如可以包括Mo、Ti或MoTi。根据本公开的实施方式的焊盘电极PE可以包括即使在焊盘电极PE的最上层上设置的第三焊盘电极PE3暴露于外部时也不会被氧化或腐蚀的材料，因此可以防止或减少第二焊盘电极PE2被氧化或腐蚀。
图5是根据本公开的另一实施方式的发光显示装置100的截面图。图5示出了通过修改上文参照图2至图4所描述的发光显示装置100中的接触部CA的配置而实现的实施方式。在下文中，因此，省略或将简要地给出对除了接触部CA和相关元件的修改后的配置之外的其他元件的重复描述。
参照图5，根据本公开的另一实施方式的发光显示装置100可以包括使得辅助电源电极AXE的部分暴露的接触部CA。
接触部CA可以穿过钝化层PAS、外涂层OC和堤层BA以暴露辅助电源电极AXE的部分。包括底切区域UCA的底切结构UC可以设置在由接触部CA暴露的辅助电源电极AXE上。
钝化层PAS可以包括使得辅助电源电极AXE的部分暴露的第一开口部PAS_H。包括底切区域UCA的底切结构UC可以设置在由钝化层PAS的第一开口部PAS_H暴露的辅助电源电极AXE的上表面上。例如，钝化层PAS的第一开口部PAS_H可以形成为围绕底切结构UC的周边的形状，其中底切结构UC位于第一开口部PAS_H之间。
外涂层OC可以设置在钝化层PAS上，并且可以包括第二开口部OC_H，第二开口部OC_H的尺寸大于或等于钝化层PAS的第一开口部PAS_H。例如，外涂层OC的第二开口部OC_H可以形成为与钝化层PAS的第一开口部PAS_H的周边相对应的形状，并且可以具有大于第一开口部PAS_H的尺寸的尺寸。钝化层PAS的部分可以通过外涂层OC的第二开口部OC_H暴露。例如，外涂层OC的第二开口部OC_H可以形成为围绕底切结构UC的周边的形状，其中底切结构UC位于第二开口部OC_H之间。
堤层BA可以设置在外涂层OC和钝化层PAS上，并且可以包括大于或等于外涂层OC的第二开口部OC_H的第三开口部BA_H。例如，堤层BA的第三开口部BA_H可以以沿着外涂层OC的第二开口部OC_H的周边的对应形状来形成，并且可以具有大于第二开口部OC_H的尺寸的尺寸。外涂层OC的部分可以通过堤层BA的第三开口部BA_H暴露。例如，堤层BA的第三开口部BA_H可以形成为围绕底切结构UC的周边的形状，其中底切结构UC位于第三开口部BA_H之间。
钝化层PAS的第一开口部PAS_H、外涂层OC的第二开口部OC_H、以及堤层BA的第三开口部BA_H可以包括沿着堤层BA的第三开口部BA_H的侧表面、外涂层OC的上表面、第二开口部OC_H的侧表面，钝化层PAS的上表面和第一开口部PAS_H的侧表面形成的台阶区域。
底切结构UC可以设置在辅助电源电极AXE的部分上，并且可以包括底切区域UCA。底切结构UC可以形成为在辅助电源电极AXE的部分上具有岛状图案，并且在底切结构UC的外围周边处暴露的辅助电源电极AXE可以与公共电极CE(阴极电极或第二电极)接触并且与其电连接。
底切结构UC可以包括第一图案PAS_P和第二图案OC_P。底切结构UC的第一图案PAS_P和第二图案OC_P可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。例如，底切结构UC的第一图案PAS_P可以包括与钝化层PAS的材料相同的材料。底切结构UC的第二图案OC_P可以包括与外涂层OC的材料相同的材料。
第一图案PAS_P可以形成在辅助电源电极AXE的上表面上。第一图案PAS_P可以形成有岛状图案并且可以包括具有第一宽度并且与第二图案OC_P接触的上表面、具有大于第一宽度的第二宽度并且与辅助电源电极AXE接触的下表面、以及位于上表面和下表面之间的斜面PAS_PS。例如，第一图案PAS_P的斜面PAS_PS可以以与钝化层PAS的第一开口部PAS_H的斜面PAS_HS的倾斜角相同的倾斜角来布置。相同的倾斜角允许更简单或相同的制造工艺。例如，第一图案PAS_P可以由与钝化层PAS相同的材料同层形成。第一图案PAS_P可以通过与钝化层PAS的第一开口部PAS_H相同的工艺而与第一开口部PAS_H一起形成。
第二图案OC_P可以形成在第一图案PAS_P的上表面上。第二图案OC_P可以由第一图案PAS_P支撑。第二图案OC_P可以形成在第一图案PAS_P上以具有岛状图案并且可以形成为相比于第一图案PAS_P突出的形状。底切区域UCA可以形成在相比于第一图案PAS_P的侧表面突出的第二图案OC_P的边缘下方。第二图案OC_P可以具有大于第一图案PAS_P的第一宽度和第二宽度的宽度，并且可以包括与第一图案PAS_P接触的下表面、宽度小于下表面的上表面、以及位于上表面和下表面之间的斜面OC_PS。例如，第二图案OC_P的斜面OC_PS可以以与外涂层OC的第二开口部OC_H的斜面OC_HS的倾斜角相同的倾斜角来布置。例如，第二图案OC_P可以由与外涂层OC相同的材料同层形成。第二图案OC_P可以通过与外涂层OC的第二开口部OC_H相同的工艺而与第二开口部OC_H一起形成。
发光层EL可以设置在像素电极PXE和堤层BA上。此外，发光层EL可以设置在底切结构UC的第二图案OC_P上。发光层EL可以部分地设置在通过接触部CA暴露的辅助电源电极AXE上。发光层EL可以沿着由接触部CA中的堤层BA、外涂层OC和钝化层PAS形成的台阶区域而部分地形成在辅助电源电极AXE上。通过设置在接触部CA处的底切结构UC，发光层EL可以在底切区域UCA中断开连接。例如，发光层EL可以包括台阶覆盖性不好的材料。因此，发光层EL可以具有设置在辅助电源电极AXE上并且被底切结构UC最小化的区域，并且可以在底切结构UC的底切区域UCA中断开连接。
公共电极CE(阴极电极或第二电极)可以设置在发光层EL上。公共电极CE可以设置在底切结构UC的第二图案OC_P上的发光层EL上。公共电极CE可以与像素电极PXE和发光层EL交叠以配置发光器件ED。公共电极CE可以被广泛地设置在基板SUB的整个表面上。公共电极CE可以包括诸如ITO或IZO之类的透明导电材料，或者可以包括具有使得能够透射光的薄厚度的Ag、Al、Mg、Ca或其合金，但是本公开的实施方式不限于此。
公共电极CE可以沿着由接触部CA中的堤层BA、外涂层OC和钝化层PAS形成的台阶区域而形成在发光层EL上。公共电极CE可以通过设置在接触部CA中的底切结构UC而形成在与底切区域UCA相对应的辅助电源电极AXE上。例如，公共电极CE可以包括台阶覆盖性良好的材料。相比于通过蒸发工艺形成的发光层EL，公共电极CE在台阶覆盖性方面可以更好，因此，发光层EL可以在底切结构UC的底切区域UCA中断开连接，并且可以形成在暴露于底切区域的外部的辅助电源电极AXE上。因此，发光层EL可以不设置在底切结构UC的底切区域UCA中的辅助电源电极AXE上，但是公共电极CE可以设置在其中未设置有发光层EL的辅助电源电极AXE上并且可以与辅助电源电极AXE电连接。
在下文中，将参照图6至图16详细描述根据本公开的实施方式的制造发光显示装置的方法。
图6至图16是用于描述根据本公开的实施方式的制造发光显示装置的方法的制造工艺图。
参照图6，可以通过使用第一掩模在基板SUB上形成光阻挡层LS。存储电容器Cst的第一电容器电极C1和辅助电源线EVSS可以与光阻挡层LS一起形成在基板SUB上。光阻挡层LS、第一电容器电极C1和辅助电源线EVSS可以由相同的材料形成，并且可以通过使用第一掩模同时被图案化。
此外，缓冲层BUF可以形成在光阻挡层LS、第一电容器电极C1和辅助电源线EVSS上。缓冲层BUF可以形成在整个基板SUB上方。例如，缓冲层BUF可以形成为从基板SUB的显示区AA向上延伸至焊盘区PA。
此外，构成有源层ACT的一个或更多个材料层300可以形成在缓冲层BUF上。例如，构成有源层ACT的一个或更多个材料层300可以包括第一材料层301、第二材料层302和第三材料层303。例如，第一材料层301可以包括氧化物半导体层，该氧化物半导体层包括IGZO、ZTO和ZIO中的至少一种。第二材料层302可以包括导电氧化物层，该导电氧化物层包括ITO和IZO中的至少一种。第三材料层303可以包括金属层，该金属层包括Mo、Ti和MoTi中的至少一种。
参照图7，可以在一个或更多个材料层300上涂覆光刻胶，并且可以通过使用作为第二掩模的半色调掩模对光刻胶执行曝光工艺和显影工艺，因此可以形成具有不同高度的第一光刻胶PR1和第二光刻胶PR2。例如，第一光刻胶PR1可以设置在第一材料层301、第二材料层302和第三材料层303全部保留的区域中，并且第二光刻胶PR2可以设置在第一材料层301保留的区域中。有源层ACT、第二电容器电极C2和辅助电源电极AXE可以通过完全蚀刻未被光刻胶PR掩蔽的区域的一个或更多个材料层300而被图案化。
参照图8，通过使用光刻胶PR作为掩模来执行初次蚀刻工艺，可以去除第二光刻胶PR2，并且可以保留高度减小的第一光刻胶PR1。有源层ACT、第二电容器电极C2和辅助电源电极AXE的轮廓可以通过初次蚀刻工艺而被图案化。
参照图9，通过使用第一光刻胶PR1作为掩模来执行二次蚀刻工艺，可以进一步减小第一光刻胶PR1的高度，并且可以去除与未被第一光刻胶PR1掩蔽的有源层ACT的沟道区域ACT_CH相对应的第二材料层302和第三材料层303，因此可以暴露第一材料层301的上表面，并且可以保留与被第一光刻胶PR1掩蔽的有源层ACT的第一区域ACT_C1和第二区域ACT_C2相对应的第一材料层301、第二材料层302和第三材料层303。此外，可以保留与被第一光刻胶PR1掩蔽的第二电容器电极C2的区域相对应的第一材料层301、第二材料层302和第三材料层303。此外，可以保留与被第一光刻胶PR1掩蔽的辅助电源电极AXE的区域相对应的第一材料层301、第二材料层302和第三材料层303。
参照图10，可以通过完全去除剩余的光刻胶PR来图案化有源层ACT、第二电容器电极C2和辅助电源电极AXE。
参照图11，可以通过使用第三掩模来形成栅极绝缘层GI。此外，穿过栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的接触孔CH2和接触孔CH3以及穿过栅极绝缘层GI的接触孔CH4可以通过使用第三掩模一起形成。此外，栅极电极GA、第一源极/漏极电极SD1、第二源极/漏极电极SD2、第三电容器电极C3和辅助电源连接图案AXE_CP可以通过使用第四掩模一起形成。此外，焊盘电极PE的第一焊盘电极PE1和第二焊盘电极PE2可以通过使用第四掩模一起形成在基板SUB的焊盘区PA中。
参照图12，钝化层PAS可以形成在整个基板SUB上方。钝化层PAS可形成在基板SUB的显示区AA和焊盘区PA中。例如，钝化层PAS可以形成为从基板SUB的显示区AA向上延伸至焊盘区PA。
参照图13，外涂层OC可以通过使用第五掩模来形成。外涂层OC可以形成在基板SUB的显示区AA中。此外，穿过外涂层OC的接触孔CH1的部分可以通过使用第五掩模一起形成。此外，用于形成接触部CA的外涂层OC的第二开口部OC_H可以通过使用第五掩模一起形成。此外，钝化层PAS的部分可以通过使用第六掩模来去除。可以去除通过外涂层OC的接触孔CH1的部分暴露的钝化层PAS，因此，可以完全形成穿过外涂层OC和钝化层PAS的接触孔CH1。此外，可以通过使用第六掩模在基板SUB的焊盘区PA中形成穿过钝化层PAS以暴露第二焊盘电极PE2的部分的接触孔CH5。
参照图14，可以通过使用第七掩模来图案化像素电极PXE的第一像素电极PXE1。第一像素电极PXE1可以形成在穿过外涂层OC和钝化层PAS的接触孔CH1中。此外，与通过接触孔CH5暴露的第二焊盘电极PE2连接的第三焊盘电极PE3可以形成在基板SUB的焊盘区PA中。此外，像素电极PXE的第二像素电极PXE2可以通过使用第八掩模来图案化。像素电极PXE可以完全形成在基板SUB的显示区AA中，并且焊盘电极PE可以完全形成在焊盘区PA中。
参照图15，可以通过使用第九掩模来形成堤层BA。此外，在接触部CA中，可以通过使用第十掩模在外涂层OC的第二开口部OC_H下方形成底切区域UCA。例如，第十掩模可以覆盖钝化层PAS的上表面的部分，并且可以不设置在将在接触部CA中形成底切区域UCA的部分中，使得接触部CA中的外涂层OC的第二开口部OC_H大于或等于钝化层PAS的第一开口部PAS_H。例如，通过使用第十掩模作为掩模的蚀刻工艺，钝化层PAS的部分可以突出得超过外涂层OC的第二开口部OC_H，并且比外涂层OC的第二开口部OC_H更向内突出的第一开口部PAS_H可以形成在钝化层PAS的另一部分中。因此，可以由钝化层PAS和外涂层OC在一侧形成台阶区域，并且可以在另一侧形成底切区域UCA。
参照图16，可以形成堤层BA，并且可以通过钝化层PAS和外涂层OC形成底切区域UCA，然后可以形成发光层EL和公共电极CE。发光层EL可以形成在像素电极PXE和堤层BA上，并且可以断开连接而不形成在底切区域UCA中。公共电极CE可以形成在发光层EL上。公共电极CE可以在底切区域UCA中形成在被发光层EL暴露的辅助电源电极AXE上。公共电极CE可以与辅助电源电极AXE直接接触并且与其电连接。
根据本公开的实施方式的发光显示装置可以如下所述。
根据本公开的实施方式的发光显示装置可以包括：电路层，其包括设置在基板上的薄膜晶体管(TFT)和辅助电源电极；至少一个保护层，其覆盖电路层；以及接触部，其穿过至少一个保护层，以暴露辅助电源电极的部分。TFT可以包括有源层，并且辅助电源电极可以与有源层同层设置。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，辅助电源电极可以包括与有源层的材料相同的材料。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，有源层可以包括一层或更多层。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，有源层可以包括第一有源层、位于第一有源层上的第二有源层和位于第二有源层上的第三有源层。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，第一有源层可以包括氧化物半导体层，氧化物半导体层包括氧化铟镓锌(IGZO)、氧化锌锡(ZTO)和氧化锌铟(ZIO)中的至少一种，第二有源层可以包括导电氧化物层，导电氧化物层包括氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)中的至少一种，并且第三有源层可以包括金属层，金属层包括钼(Mo)、钛(Ti)和Mo-Ti合金(MoTi)中的至少一种。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，TFT可以包括：有源层；栅极电极，其与有源层的沟道区域交叠；第一源极/漏极电极，其与有源层的第一区域连接；以及第二源极/漏极电极，其与有源层的第二区域连接；并且栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极可以包括相同的材料。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极中的每一个可以包括一层或更多层。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极中的每一个可以包括：第一金属层；以及第二金属层，其位于第一金属层上；并且第二金属层可以包括电阻率低于第一金属层的金属。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，第一金属层可以包括钼(Mo)、钛(Ti)和Mo-Ti合金(MoTi)中的至少一种，并且第二金属层可以包括铜(Cu)。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，电路层还可以包括：光阻挡层，其设置在基板上以与TFT的有源层交叠；辅助电源线，其与辅助电源电极连接；以及辅助电源连接图案，其连接在辅助电源电极与辅助电源线之间。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，辅助电源线可以包括与光阻挡层的材料相同的材料，并且可以与光阻挡层同层设置。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，辅助电源连接图案可以包括与栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极中的每一个的材料相同的材料，并且可以与栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极同层设置。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，电路层还可以包括：存储电容器，并且存储电容器可以包括：第一电容器电极，其由与光阻挡层的材料相同的材料与光阻挡层同层形成；第二电容器电极，其由与有源层的材料相同的材料与有源层同层形成；以及第三电容器电极，其由与栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极中的每一个的材料相同的材料与栅极电极、第一源极/漏极电极和第二源极/漏极电极同层形成。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，至少一个保护层可以包括：第一保护层，其由无机绝缘材料形成在辅助电源电极上；以及第二保护层，其由有机绝缘材料形成在第一保护层上。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，底切区域可以设置在第一保护层和第二保护层中，底切区域使得辅助电源电极的在接触部中的至少一部分暴露。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，该发光显示装置还可以包括：像素电极，其设置在第二保护层上并且与TFT连接；发光层，其位于像素电极上；以及公共电极，其位于发光层上，该公共电极可以在底切区域中与辅助电源电极直接接触。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，第一保护层可以包括第一开口部，第一开口部使得辅助电源电极的部分暴露，第二保护层可以包括第二开口部，第二开口部包括与第一开口部的至少一部分交叠的突出部，并且底切区域可以设置在第二开口部的突出部下方。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，该发光显示装置还可以包括：底切结构，其由与至少一个保护层的材料相同的材料形成在辅助电源电极的在接触部中的部分上，底切结构可以包括：第一图案，其由与第一保护层的材料相同的材料形成在辅助电源电极的部分上；以及第二图案，其由与第二保护层的材料相同的材料形成为在第一图案上相比于第一图案突出；并且底切区域可以设置在相比于第一图案的侧表面突出的第二图案下方。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，底切结构可以形成为辅助电源电极的部分上的岛状图案。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，至少一个保护层还可以包括使得TFT的第一源极/漏极电极或第二源极/漏极电极暴露的接触孔，并且像素电极可以包括：第一像素电极，其位于接触孔上；以及第二像素电极，其位于第一像素电极上。
在根据本公开的实施方式的发光显示装置中，该发光显示装置还可以包括设置在基板的焊盘区中的焊盘电极，焊盘电极的至少一部分可以包括与第一像素电极的材料相同的材料。
对于本领域技术人员而言将显而易见的是，上述本公开不受上述实施方式和附图的限制，并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下，可以在本公开中进行各种替换、修改和变化。因此，本公开的范围由所附权利要求限定，并且旨在使得从权利要求的含义、范围和等同概念中导出的所有变型或修改都落入本公开的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年12月5日提交的韩国专利申请No.10-2022-0167577的权益，该韩国专利申请通过引用并入本文，如同在本文中完全阐述一样。

Claims (21)

1.一种发光显示装置，所述发光显示装置包括：
电路层，所述电路层包括设置在基板上的薄膜晶体管TFT和辅助电源电极；
至少一个保护层，所述至少一个保护层覆盖所述电路层；以及
接触部，所述接触部穿过所述至少一个保护层，以暴露所述辅助电源电极的部分，其中，所述TFT包括有源层，并且所述辅助电源电极与所述有源层同层设置。
2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述辅助电源电极包括与所述有源层的材料相同的材料。
3.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述有源层包括一层或更多层。
4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，所述有源层包括：
第一有源层；
第二有源层，所述第二有源层位于所述第一有源层上；以及
第三有源层，所述第三有源层位于所述第二有源层上。
5.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，所述第一有源层包括氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括氧化铟镓锌IGZO、氧化锌锡ZTO和氧化锌铟ZIO中的至少一种，
所述第二有源层包括导电氧化物层，所述导电氧化物层包括氧化铟锡ITO和氧化铟锌IZO中的至少一种，并且
所述第三有源层包括金属层，所述金属层包括钼Mo、钛Ti和Mo-Ti合金中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述TFT包括：
所述有源层；
栅极电极，所述栅极电极与所述有源层的沟道区域交叠；
第一源极/漏极电极，所述第一源极/漏极电极与所述有源层的第一区域连接；以及
第二源极/漏极电极，所述第二源极/漏极电极与所述有源层的第二区域连接；并且
所述栅极电极、所述第一源极/漏极电极和所述第二源极/漏极电极包括相同的材料。
7.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述栅极电极、所述第一源极/漏极电极和所述第二源极/漏极电极中的每一个包括一层或更多层。
8.根据权利要求7所述的发光显示装置，其中，所述栅极电极、所述第一源极/漏极电极和所述第二源极/漏极电极中的每一个包括：
第一金属层；以及
第二金属层，所述第二金属层位于所述第一金属层上；并且
所述第二金属层包括电阻率低于所述第一金属层的金属。
9.根据权利要求8所述的发光显示装置，其中，所述第一金属层包括钼Mo、钛Ti和Mo-Ti合金中的至少一种，并且
所述第二金属层包括铜Cu。
10.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述电路层还包括：
光阻挡层，所述光阻挡层设置在所述基板上以与所述TFT的所述有源层交叠；
辅助电源线，所述辅助电源线与所述辅助电源电极连接；以及
辅助电源连接图案，所述辅助电源连接图案连接在所述辅助电源电极与所述辅助电源线之间。
11.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中，所述辅助电源线包括与所述光阻挡层的材料相同的材料，并且与所述光阻挡层同层设置。
12.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中，所述辅助电源连接图案包括与所述栅极电极、所述第一源极/漏极电极和所述第二源极/漏极电极中的每一个的材料相同的材料，并且与所述栅极电极、所述第一源极/漏极电极和所述第二源极/漏极电极同层设置。
13.根据权利要求10所述的发光显示装置，其中，所述电路层还包括存储电容器，并且
所述存储电容器包括：
第一电容器电极，所述第一电容器电极由与所述光阻挡层的材料相同的材料与所述光阻挡层同层形成；
第二电容器电极，所述第二电容器电极由与所述有源层的材料相同的材料与所述有源层同层形成；以及
第三电容器电极，所述第三电容器电极由与所述栅极电极、所述第一源极/漏极电极和所述第二源极/漏极电极中的每一个的材料相同的材料与所述栅极电极、所述第一源极/漏极电极和所述第二源极/漏极电极同层形成。
14.根据权利要求6所述的发光显示装置，其中，所述至少一个保护层包括：
第一保护层，所述第一保护层由无机绝缘材料形成在所述辅助电源电极上；以及
第二保护层，所述第二保护层由有机绝缘材料形成在所述第一保护层上。
15.根据权利要求14所述的发光显示装置，其中，底切区域设置在所述第一保护层和所述第二保护层中，所述底切区域使得所述辅助电源电极的在所述接触部中的至少一部分暴露。
16.根据权利要求15所述的发光显示装置，所述发光显示装置还包括：
像素电极，所述像素电极设置在所述第二保护层上并且与所述TFT连接；
发光层，所述发光层位于所述像素电极上；以及
公共电极，所述公共电极位于所述发光层上，
其中，所述公共电极在所述底切区域中与所述辅助电源电极直接接触。
17.根据权利要求15所述的发光显示装置，其中，所述第一保护层包括第一开口部，所述第一开口部使得所述辅助电源电极的部分暴露，
所述第二保护层包括第二开口部，所述第二开口部包括与所述第一开口部的至少一部分交叠的突出部，并且
所述底切区域设置在所述第二开口部的所述突出部下方。
18.根据权利要求15所述的发光显示装置，所述发光显示装置还包括底切结构，所述底切结构由与所述至少一个保护层的材料相同的材料形成在所述辅助电源电极的在所述接触部中的部分上，
其中，所述底切结构包括：
第一图案，所述第一图案由与所述第一保护层的材料相同的材料形成在所述辅助电源电极的部分上；以及
第二图案，所述第二图案由与所述第二保护层的材料相同的材料形成为在所述第一图案上相比于所述第一图案突出；并且
所述底切区域设置在相比于所述第一图案的侧表面突出的所述第二图案下方。
19.根据权利要求18所述的发光显示装置，其中，所述底切结构形成为所述辅助电源电极的部分上的岛状图案。
20.根据权利要求16所述的发光显示装置，其中，所述至少一个保护层还包括使得所述TFT的所述第一源极/漏极电极或所述第二源极/漏极电极暴露的接触孔，并且
所述像素电极包括：
第一像素电极，所述第一像素电极位于所述接触孔上；以及
第二像素电极，所述第二像素电极位于所述第一像素电极上。
21.根据权利要求20所述的发光显示装置，所述发光显示装置还包括设置在所述基板的焊盘区中的焊盘电极，
其中，所述焊盘电极的至少一部分包括与所述第一像素电极的材料相同的材料。
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