KR20210073333A

KR20210073333A - 표시장치

Info

Publication number: KR20210073333A
Application number: KR1020190164051A
Authority: KR
Inventors: 박지영; 이경훈; 김대희; 최혜주
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2019-12-10
Filing date: 2019-12-10
Publication date: 2021-06-18

Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 기판, 기판 상에서 제1 서브 화소 및 제1 서브 화소에 인접하게 배치된 제2 서브 화소 각각에 구비된 제1 전극, 제1 서브 화소에 구비된 제1 전극의 가장자리를 덮는 제1 뱅크, 제2 서브 화소에 구비된 제1 전극의 가장자리를 덮는 제2 뱅크, 제1 서브 화소의 제1 전극 및 제1 뱅크 상에 구비된 제1 발광층, 제2 서브 화소의 제1 전극 및 제2 뱅크 상에 구비된 제2 발광층, 및 제1 발광층 및 제2 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함한다. 제1 뱅크는 상면, 상면의 일단에서 제1 서브 화소에 구비된 제1 전극의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함하고, 제2 뱅크는 상면, 상면의 일단에서 제2 서브 화소에 구비된 제1 전극의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함한다. 제1 뱅크의 제2 측면은 제1 뱅크의 제1 측면 보다 테이퍼 각도가 크며, 제2 뱅크의 제2 측면은 제2 뱅크의 제1 측면 보다 테이퍼 각도가 크다.

Description

표시장치{DIPLAY DEVICE}

본 발명은 영상을 표시하는 표시장치에 관한 것이다.

정보화 사회가 발전함에 따라 영상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있다. 이에 따라, 최근에는 액정표시장치(LCD, Liquid Crystal DiPlay), 플라즈마표시장치(PDP, Plasma DiPlay Panel), 유기발광 표시장치(OLED, Organic Light Emitting DiPlay)와 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.

표시장치들 중에서 유기발광 표시장치는 자체발광형으로서, 액정표시장치(LCD)에 비해 시야각, 대조비 등이 우수하며, 별도의 백라이트가 필요하지 않아 경량 박형이 가능하며, 소비전력이 유리한 장점이 있다. 또한, 유기발광 표시장치는 직류저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 특히 제조비용이 저렴한 장점이 있다.

이와 같은 유기발광 표시장치는 포토 공정(Photolithography)을 이용하여 서브 화소 별로 발광층을 패턴 형성한다. 이때, 유기발광 표시장치는 포토 공정 과정에서 발광층이 손상되어 수명 및 효율이 저하되는 문제가 발생한다.

본 발명은 발광층의 손상을 최소화시킬 수 있는 표시장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.

본 발명에 따르면, 뱅크의 일측면의 테이퍼 각도를 크게 형성함으로써, 뱅크의 일측면에 발광층이 얇게 증착되도록 한다. 이에 따라, 본 발명은 발광층을 패턴 형성하기 위한 포토 공정에서 포토 레지스트 패턴 및 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되는 발광층의 측면의 면적을 줄일 수 있으며, 포토 공정에서 발광층이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다.

또한, 본 발명은 서브 화소들 각각에 구비된 뱅크들 사이에 절연 패턴을 형성함으로써, 뱅크들 사이에서 제1 전극과 제2 전극 간에 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명은 뱅크들 사이에서 발광층이 발광되는 것을 방지할 수 있다.

위에서 언급된 본 발명의 효과 외에도, 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다.
도 2는 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 3은 서브 화소들에 구비된 제1 전극 및 뱅크를 개략적으로 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 3의 I-I의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 A영역을 보여주는 확대도이다.
도 6은 도 4의 B영역을 보여주는 확대도이다.
도 7은 도 4의 C영역을 보여주는 확대도이다.
도 8은 테이퍼 각도에 따른 유기물 증착 두께를 보여주는 도면이다.
도 9는 도 3의 I-I의 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 10은 도 9의 A영역을 보여주는 확대도이다.
도 11은 도 9의 B영역을 보여주는 확대도이다.
도 12는 도 9의 C영역을 보여주는 확대도이다.
도 13은 도 3의 I-I의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다.
도 14는 도 13의 A영역을 보여주는 확대도이다.
도 15는 도 13의 B영역을 보여주는 확대도이다.
도 16는 도 13의 C영역을 보여주는 확대도이다.
도 17a 내지 도 17o는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.
도 18a 내지 도 18o는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.
도 19a 내지 도 19o는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.
도 20a내지 도 20c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 발명 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

제 1, 제 2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 구성요소일 수도 있다.

본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.

본 발명의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 표시장치의 예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다.

도 1는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치를 보여주는 사시도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 표시패널(100), 소스 드라이브 집적회로(integrated circuit, 이하 "IC"라 칭함)(210), 연성필름(220), 회로보드(230), 및 타이밍 제어부(240)를 포함한다.

표시패널(100)은 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 포함한다. 제2 기판(112)은 봉지 기판일 수 있다.

제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성된다. 화소들은 게이트 라인들과 데이터 라인들의 교차 구조에 의해 정의되는 영역에 마련된다.

화소들 각각은 박막 트랜지스터와 제1 전극, 발광층, 및 제2 전극을 구비하는 발광소자를 포함할 수 있다. 화소들 각각은 박막 트랜지스터를 이용하여 게이트 라인으로부터 게이트 신호가 입력되는 경우 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 유기발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 화소들 각각의 유기발광소자는 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다.

표시패널(100)은 화소들이 형성되어 화상을 표시하는 표시 영역과 화상을 표시하지 않는 비표시 영역으로 구분될 수 있다. 표시영역에는 게이트 라인들, 데이터 라인들, 및 화소들이 형성될 수 있다. 비표시 영역에는 게이트 구동부 및 패드들이 형성될 수 있다.

게이트 구동부는 타이밍 제어부(240)로부터 입력되는 게이트 제어신호에 따라 게이트 라인들에 게이트 신호들을 공급한다. 게이트 구동부는 표시패널(100)의 표시 영역의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시 영역에 GIP(gate driver in panel) 방식으로 형성될 수 있다. 또는, 게이트 구동부는 구동 칩으로 제작되어 연성필름에 실장되고 TAB(tape automated bonding) 방식으로 표시패널(100)의 표시 영역의 일측 또는 양측 바깥쪽의 비표시 영역에 부착될 수도 있다.

소스 드라이브 IC(210)는 타이밍 제어부(240)로부터 디지털 비디오 데이터와 소스 제어신호를 입력받는다. 소스 드라이브 IC(210)는 소스 제어신호에 따라 디지털 비디오 데이터를 아날로그 데이터전압들로 변환하여 데이터 라인들에 공급한다. 소스 드라이브 IC(210)가 구동 칩으로 제작되는 경우, COF(chip on film) 또는 COP(chip on plastic) 방식으로 연성필름(220)에 실장될 수 있다.

표시패널(100)의 비표시 영역에는 데이터 패드들과 같은 패드들이 형성될 수 있다. 연성필름(220)에는 패드들과 소스 드라이브 IC(210)를 연결하는 배선들, 패드들과 회로보드(160)의 배선들을 연결하는 배선들이 형성될 수 있다. 연성필름(220)은 이방성 도전 필름(antisotropic conducting film)을 이용하여 패드들 상에 부착되며, 이로 인해 패드들과 연성필름(220)의 배선들이 연결될 수 있다.

회로보드(230)는 연성필름(220)들에 부착될 수 있다. 회로보드(230)는 구동 칩들로 구현된 다수의 회로들이 실장될 수 있다. 예를 들어, 회로보드(230)에는 타이밍 제어부(240)가 실장될 수 있다. 회로보드(230)는 인쇄회로보드(printed circuit board) 또는 연성 인쇄회로보드(flexible printed circuit board)일 수 있다.

타이밍 제어부(240)는 회로보드(230)의 케이블을 통해 외부의 시스템 보드로부터 디지털 비디오 데이터와 타이밍 신호를 입력받는다. 타이밍 제어부(240)는 타이밍 신호에 기초하여 게이트 구동부의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호와 소스 드라이브 IC(210)들을 제어하기 위한 소스 제어신호를 발생한다. 타이밍 제어부(240)는 게이트 제어신호를 게이트 구동부에 공급하고, 소스 제어신호를 소스 드라이브 IC(210)들에 공급한다.

도 2는 제1 기판을 개략적으로 보여주는 평면도이고, 도 3은 서브 화소들에 구비된 제1 전극 및 뱅크를 개략적으로 보여주는 평면도이며, 도 4는 도 3의 I-I의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 5는 도 4의 A영역을 보여주는 확대도이고, 도 6은 도 4의 B영역을 보여주는 확대도이며, 도 7은 도 4의 C영역을 보여주는 확대도이다. 도 8은 테이퍼 각도에 따른 유기물 증착 두께를 보여주는 도면이다.

제1 기판(111)은 표시 영역(DA)과 비표시 영역(NDA)으로 구분되며, 비표시 영역(NDA)에는 패드들이 형성되는 패드 영역(PA)이 형성될 수 있다.

표시 영역(DA)에는 데이터 라인들, 데이터 라인들과 교차되는 게이트 라인들이 형성된다. 또한, 표시 영역(DA)에는 데이터 라인들과 게이트 라인들의 교차 영역에 매트릭스 형태로 화상을 표시하는 화소(P)들이 형성된다.

화소(P)들 각각은 제1 서브 화소(P1), 제2 서브 화소(P2) 및 제3 서브 화소(P3)를 포함할 수 있다. 제1 서브 화소(P1)는 적색 광을 방출하고, 제2 서브 화소(P2)는 녹색 광을 방출하고, 제3 서브 화소(P3)는 청색 광을 방출하도록 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 화소들 각각은 백색(W)의 광을 발광하는 제4 서브 화소가 더 구비될 수 있다. 또한, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)의 배열 순서는 다양하게 변경될 수 있다.

서브 화소(P1, P2, P3)들 각각은 게이트 라인의 게이트 신호가 입력되면 데이터 라인의 데이터 전압에 따라 발광소자에 소정의 전류를 공급한다. 이로 인해, 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각의 발광소자는 소정의 전류에 따라 소정의 밝기로 발광할 수 있다. 또한, 전원 라인에는 전원 전압이 공급된다. 전원 라인은 서브 화소(P1, P2, P3)들 각각에 전원 전압을 공급한다.

이하에서는 도 3 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 서브 화소(P1, P2, P3)들의 구조를 보다 상세히 살펴본다.

도 3 내지 도 8을 참조하면, 제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 구동 트랜지스터(TFT), 절연층(120), 제1 전극(200), 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250), 제3 뱅크(260), 유기 발광층(300), 제2 전극(400) 및 봉지막(500)을 포함한다.

제1 기판(111)은 유리 또는 플라스틱으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체 물질로 이루어질 수도 있다. 제1 기판(111)은 투명한 재료로 이루어질 수도 있고 불투명한 재료로 이루어질 수도 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 발광된 광이 상부쪽으로 방출되는 상부 발광(top emission) 방식으로 이루질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치가 발광된 광이 상부쪽으로 방출되는 상부 발광(top emission) 방식으로 이루어지는 경우, 제1 기판(111)은 투명한 재료뿐만 아니라 불투명한 재료가 이용될 수도 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 발광된 광이 하부쪽으로 방출되는 소위 하부 발광(bottom emission) 방식으로 이루어지는 경우, 제1 기판(111)은 투명한 재료가 이용될 수 있다.

제1 기판(111) 상에는 각종 신호 배선들, 박막 트랜지스터, 및 커패시터 등을 포함하는 회로 소자가 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 형성된다. 상기 신호 배선들은 게이트 배선, 데이터 배선, 전원 배선, 및 기준 배선을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 박막 트랜지스터는 스위칭 박막 트랜지스터, 구동 트랜지스터(TFT) 및 센싱 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어질 수 있다

상기 스위칭 박막 트랜지스터는 상기 게이트 배선에 공급되는 게이트 신호에 따라 스위칭되어 상기 데이터 배선으로부터 공급되는 데이터 전압을 상기 구동 박막 트랜지스터에 공급하는 역할을 한다.

구동 박막 트랜지스터(TFT)는 상기 스위칭 박막 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 전압에 따라 스위칭되어 상기 전원 배선에서 공급되는 전원으로부터 데이터 전류를 생성하여 제1 전극(200)에 공급하는 역할을 한다.

상기 센싱 박막 트랜지스터는 화질 저하의 원인이 되는 상기 구동 박막 트랜지스터의 문턱 전압 편차를 센싱하는 역할을 하는 것으로서, 상기 게이트 배선 또는 별도의 센싱 배선에서 공급되는 센싱 제어 신호에 응답하여 상기 구동 박막 트랜지스터의 전류를 상기 기준 배선으로 공급한다.

상기 커패시터는 구동 트랜지스터(TFT)에 공급되는 데이터 전압을 한 프레임 동안 유지시키는 역할을 하는 것으로서, 구동 트랜지스터(TFT)의 게이트 단자 및 소스 단자에 각각 연결된다.

절연층(120)은 구동 트랜지스터(TFT)를 포함한 회로 소자 상에 형성된다. 절연층(120)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지는 않는다. 절연층(120)은 유기막, 예를 들어 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등으로 형성될 수도 있다. 또는 절연층(120)은 적어도 하나의 무기막 및 적어도 하나의 유기막으로 구성된 다중막으로 형성될 수도 있다.

절연층(120)에는 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 콘택홀(CH)이 구비되어 있어, 콘택홀(CH)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 단자 또는 드레인 단자가 노출된다. 콘택홀(CH)은 도시된 바와 같이 비발광 영역(NEA)에 구비될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고 발광 영역(EA)에 구비될 수도 있다.

제1 전극(200)은 절연층(120) 상에서 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성된다. 제1 서브 화소(P1)에 하나의 제1 전극(210)이 형성되고, 제2 서브 화소(P2)에 다른 하나의 제1 전극(220)이 형성되고, 제3 서브 화소(P3)에 또 다른 하나의 제1 전극(230)이 형성된다.

제1 전극(210, 220, 230)은 구동 박막 트랜지스터(TFT)와 연결된다. 구체적으로, 제1 전극(210, 220, 230)은 절연층(120)에 구비된 콘택홀(CH)을 통해서 구동 박막 트랜지스터(TFT)의 소스 단자 또는 드레인 단자와 연결되어, 광을 발광시키기 위한 전압이 인가된다.

이러한 제1 전극(210, 220, 230)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 및 반사율이 높은 금속물질 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.

표시장치가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(210, 220, 230)은 반사율이 높은 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질과 투명한 금속물질의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제1 전극(210, 220, 230)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다.

표시장치가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제1 전극(210, 220, 230)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, TranParent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다. 이러한 제1 전극(210, 220, 230)은 애노드 전극일 수 있다.

유기 발광층(300)은 제1 전극(200) 상에 형성된다. 유기 발광층(300)은 뱅크 상에도 형성될 수 있다. 즉, 유기 발광층(300)은 각각의 서브 화소(P1, P2, P3) 및 그들 사이의 경계 영역에도 형성될 수 있다.

유기 발광층(300)은 정공 수송층(Hole TranPorting Layer; HTL), 발광층(Emitting Layer; EML), 및 전자 수송층(Electron TranPorting Layer; ETL)을 포함할 수 있다. 유기 발광층(300)은 정공 주입층(Hole Injecting Layer; HIL), 정공 차단층(Hole Blocking Layer; HBL) 및 전자 주입층(Electron Injecting Layer; EIL)을 더 포함할 수 있다. 유기 발광층(300)은 제1 전극(200)과 제2 전극(400)에 전압이 인가되면 정공과 전자가 각각 정공 수송층(HTL)과 전자 수송층(ETL)을 통해 발광층(EML)으로 이동하게 되며, 발광층(EML)에서 서로 결합하여 발광하게 된다.

유기 발광층(300)은 일부가 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성될 수 있다. 예컨대, 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 발광층(EML) 및 정공 차단층(HBL)은 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성되며, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)은 서브 화소(P1, P2, P3)에 공통으로 형성될 수 있다.

제1 서브 화소(P1)에는 제1 전극(210) 상에 제1 정공 주입층(HIL), 제1 정공 수송층(HTL), 제1 색 광을 방출하는 제1 발광층(EML) 및 제1 정공 차단층(HBL)이 패턴 형성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제1 서브 화소(P1)에 형성된 제1 정공 주입층(HIL), 제1 정공 수송층(HTL), 제1 색 광을 방출하는 제1 발광층(EML) 및 제1 정공 차단층(HBL)을 제1 유기 발광층(310)이라 한다.

제2 서브 화소(P2)에는 제1 전극(220) 상에 제2 정공 주입층(HIL), 제2 정공 수송층(HTL), 제2 색 광을 방출하는 제2 발광층(EML) 및 제2 정공 차단층(HBL)이 패턴 형성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제2 서브 화소(P2)에 형성된 정공 주입층(HIL), 정공 수송층(HTL), 제2 색 광을 방출하는 제2 발광층(EML) 및 정공 차단층(HBL)을 제2 유기 발광층(320)이라 한다.

제3 서브 화소(P3)에는 제1 전극(230) 상에 제3 정공 주입층(HIL), 제3 정공 수송층(HTL), 제3 색 광을 방출하는 제3 발광층(EML) 및 데3 정공 차단층(HBL)이 패턴 형성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 제3 서브 화소(P3)에 형성된 제3 정공 주입층(HIL), 제3 정공 수송층(HTL), 제3 색 광을 방출하는 제3 발광층(EML) 및 제3 정공 차단층(HBL)을 제3 유기 발광층(330)이라 한다.

이때, 제1 색 광은 적색 광이고, 제2 색 광은 녹색 광이고, 제3 색 광은 청색 광일 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 또한, 유기 발광층(300)은 제4 서브 화소(미도시)에 백색 광을 방출하는 제4 발광층(미도시)을 더 포함할 수 있다.

제1, 제2 및 제3 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에 구비된 제1, 제2 및 제3 발광층(310, 320, 33) 상에는 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)이 전면에 형성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 공통층(340)이라 한다. 공통층(340)은 패턴 형성되지 않으며, 제1, 제2 및 제3 발광층(310, 320, 33)을 덮도록 형성될 수 있다.

제2 전극(400)은 유기 발광층(300) 상에 형성된다. 제2 전극(400)은 서브 화소(P1, P2, P3)들에 공통적으로 형성되는 공통층일 수 있다.

이러한 제2 전극(400)은 투명한 금속물질, 반투과 금속물질 및 반사율이 높은 금속물질 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.

표시장치가 상부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제2 전극(400)은 광을 투과시킬 수 있는 ITO, IZO와 같은 투명한 금속물질(TCO, TranParent Conductive Material), 또는 마그네슘(Mg), 은(Ag), 또는 마그네슘(Mg)과 은(Ag)의 합금과 같은 반투과 금속물질(Semi-transmissive Conductive Material)로 형성될 수 있다.

표시장치가 하부 발광 방식으로 이루어지는 경우, 제2 전극(400)은 반사율이 높은 금속물질 또는 반사율이 높은 금속물질과 투명한 금속물질의 적층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 제2 전극(400)은 알루미늄과 티타늄의 적층 구조(Ti/Al/Ti), 알루미늄과 ITO의 적층 구조(ITO/Al/ITO), Ag 합금, 및 Ag 합금과 ITO의 적층 구조(ITO/Ag 합금/ITO)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성될 수 있다. Ag 합금은 은(Ag), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu) 등의 합금일 수 있다. 이러한 제2 전극(400)은 캐소드 전극일 수 있다.

뱅크는 절연층(120) 및 제1 전극(200) 상에 형성되어, 복수의 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에 발광 영역(EA)을 정의한다. 즉, 각각의 서브 화소(P1, P2, P3)에서 뱅크가 형성되지 않고 제1 전극(200)이 노출된 영역이 발광 영역(EA)이 된다. 반면, 발광 영역(EA)을 제외한 영역은 비발광 영역(NEA)이 된다.

본 발명의 일 실시예에 따른 뱅크는 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260)를 포함한다.

제1 뱅크(240)는 도 3에 도시된 바와 같이 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 가장자리에 형성되어, 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 끝단에 전류가 집중되어 발광 효율이 저하되는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

제1 뱅크(240)는 상면(241), 상면(241)의 일단에서 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 상면까지 연결된 제1 측면(242), 및 제1 측면(242)과 마주보는 제2 측면(243)을 포함할 수 있다.

제1 뱅크(240)는 상면(241)이 평탄면을 가지며, 제1 측면(242)과 제2 측면(243)이 경사면을 가질 수 있다. 제1 뱅크(240)는 제1 측면(242)과 제2 측면(243) 각각의 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2)는 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ1) 보다 클 수 있다. 여기서, 테이퍼 각도는 하면과의 각도를 나타낼 수 있다. 즉, 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2)는 제1 뱅크(240)와 절연층(120)이 접하는 하면과 제2 측면(243)이 이루는 각도를 나타낼 수 있다. 또한, 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ1)는 제1 뱅크(240)와 제1 전극(210)이 접하는 하면과 제1 측면(242)이 이루는 각도를 나타낼 수 있다.

제1 서브 화소(P1)는 제1 뱅크(240) 상에 제1 유기 발광층(310)이 형성될 수 있다. 이때, 제1 유기 발광층(310)은 제1 전극(210)뿐만 아니라 제1 뱅크(240) 상에도 형성될 수 있다. 구체적으로, 제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제1 전극(210)의 상면 상에 형성될 수 있다. 또한, 제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)의 상면(241), 제1 측면(242) 및 제2 측면(243) 상에 형성될 수 있다. 제1 유기 발광층(310)은 도 4, 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이 제1 뱅크(240)의 상면(241), 제1 측면(242) 및 제2 측면(243)을 덮을 수도 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 일부를 노출시킬 수도 있다. 즉, 제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243) 중 상면(241)과 연결되는 일부면 상에만 형성될 수 있다. 또한, 제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)으로부터 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 일부까지 연장될 수도 있다. 이때, 제1 유기 발광층(310)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253) 상에서 제2 유기 발광층(320)과 중첩될 수 있다.

제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)에서 충분한 두께로 형성될 수 있다. 제1 유기 발광층(310)이 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)에서 얇게 형성되거나 끊어지는 경우에는 제1 서브 화소(P1)에 점등 불량이 발생할 수 있기 때문이다. 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)은 제1 유기 발광층(310)이 충분한 두께로 형성될 수 있도록, 제1 테이퍼 각도(θ1)가 70도 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ1)는 30도 내지 40도 일 수 있다.

한편, 제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)에서 얇은 두께로 형성될 수 있다. 이때, 제1 유기 발광층(310)은 제1 포토 공정(Photolithography)을 이용하여 제1 서브 화소(P1)에 패턴 형성될 수 있다. 제1 포토 공정은 실드층 형성하는 공정, 포토 레지스트를 도포하는 공정, 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정을 포함할 수 있다.

구체적으로, 제1 유기 발광층(310)을 형성하기 위한 제1 포토 공정은 제1 유기 발광층(310)이 손상되는 것을 방지하기 위하여 제1 유기 발광층(310) 상에 실드층을 도포한 후 포토 레지스트를 도포할 수 있다. 이와 같이, 제1 유기 발광층(310) 상에 실드층을 도포하더라도, 제1 유기 발광층(310)의 상면은 실드층에 의하여 덮히나, 제1 유기 발광층(310)의 측면은 노출될 수 밖에 없다. 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정이 진행되면서, 노출된 제1 유기 발광층(310)의 측면은 손상될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 유기 발광층(310)이 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)에서 최대한 얇은 두께로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되는 제1 유기 발광층(310)의 측면의 면적을 최소화시킬 수 있으며, 이에 따라, 제1 포토 공정에서 제1 유기 발광층(310)이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다.

도 8은 유기물 Alq3를 열 증착(Thermal Evaporation) 기법으로 뱅크 상에 증착한 경우 뱅크의 테이퍼 각도에 따른 유기물 증착 두께를 보여주는 도면이다. 도 8을 보면, 뱅크의 테이퍼 각도가 30도인 경우, 유기물은 뱅크의 경사면 상에 충분한 두께로 증착될 수 있다. 뱅크의 테이퍼 각도가 커질수록, 유기물은 뱅크의 경사면 상에 증착되는 두께가 얇아진다. 특히, 뱅크의 테이퍼 각도가 70인 경우, 유기물은 뱅크의 평탄면 대비 경사면 상에서 급격하게 얇아지는 것을 알 수 있다.

이러한 점에 비추어, 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)은 제1 유기 발광층(310)이 얇은 두께로 형성될 수 있도록, 제2 테이퍼 각도(θ2)가 70도와 같거나 클 수 있다. 예컨대, 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2)는 70도 내지 90도 일 수 있다. 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2)가 90도 보다 커지면, 제2 전극(400)은 제1 뱅크(240) 상에서 끊어질 수 있다. 이러한 경우, 서브 화소(P1, P2, P3)들 간에 제2 전극(400)이 연결되지 못하여, 서브 화소(P1, P2, P3)들이 발광하지 못할 수 있다.

결과적으로, 제1 뱅크(240)는 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2)가 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ1) 보다 클 수 있다. 이때, 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243) 상에 형성된 제1 유기 발광층(310)의 제3 두께(T3)는 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242) 상에 형성된 제1 유기 발광층(310)의 제2 두께(T2) 보다 작을 수 있다. 그리고, 제1 뱅크(240)의 상면(241) 상에 형성된 제1 유기 발광층(310)의 제1 두께(T1)는 제2 두께(T2) 및 제3 두께(T3) 보다 클 수 있다.

이러한 제1 뱅크(240)는 무기 물질, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 뱅크(240)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수도 있다.

제2 뱅크(250)는 도 3에 도시된 바와 같이 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제1 전극(220)의 가장자리에 형성되어, 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제1 전극(220)의 끝단에 전류가 집중되어 발광 효율이 저하되는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

제2 뱅크(250)는 제1 뱅크(240)와 접하고 있을 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 뱅크(250)는 제1 뱅크(240)와 이격되어 절연층(120)의 일부가 노출될 수도 있다.

제2 뱅크(250)는 상면(251), 상면(251)의 일단에서 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제1 전극(220)의 상면까지 연결된 제1 측면(252), 및 제1 측면(252)과 마주보는 제2 측면(253)을 포함할 수 있다.

제2 뱅크(250)는 상면(251)이 평탄면을 가지며, 제1 측면(252)과 제2 측면(253)이 경사면을 가질 수 있다. 제2 뱅크(250)는 제1 측면(252)과 제2 측면(253) 각각의 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)는 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3) 보다 클 수 있다. 여기서, 테이퍼 각도는 하면과의 각도를 나타낼 수 있다. 즉, 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)는 제2 뱅크(250)와 절연층(120)이 접하는 하면과 제2 측면(253)이 이루는 각도를 나타낼 수 있다. 또한, 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3)는 제2 뱅크(250)와 제1 전극(220)이 접하는 하면과 제1 측면(252)이 이루는 각도를 나타낼 수 있다.

제2 서브 화소(P2)는 제2 뱅크(250) 상에 제2 유기 발광층(320)이 형성될 수 있다. 이때, 제2 유기 발광층(320)은 제1 전극(220)뿐만 아니라 제2 뱅크(250) 상에도 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제1 전극(220)의 상면 상에 형성될 수 있다. 또한, 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 상면(251), 제1 측면(252) 및 제2 측면(253) 상에 형성될 수 있다. 제2 유기 발광층(320)은 도 4, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 제2 뱅크(250)의 상면(251), 제1 측면(252) 및 제2 측면(253)을 덮을 수도 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 일부를 노출시킬 수도 있다. 즉, 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253) 중 상면(251)과 연결되는 일부면 상에만 형성될 수 있다. 또한, 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)으로부터 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 일부까지 연장될 수도 있다. 이러한 경우, 제2 유기 발광층(320)은 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243) 상에서 제1 유기 발광층(310)과 중첩될 수 있다. 또는, 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)으로부터 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 일부까지 연장될 수도 있다. 이러한 경우, 제2 유기 발광층(320)은 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263) 상에서 제3 유기 발광층(330)과 중첩될 수 있다.

이와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1 유기 발광층(310), 제2 유기 발광층(320) 및 제3 유기 발광층(330)을 정밀하게 패턴하지 않더라도, 제1, 제2 및 제3 유기 발광층(310, 320, 330)이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 공정 난이도를 낮추고, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.

제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)에서 충분한 두께로 형성될 수 있다. 제2 유기 발광층(320)이 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)에서 얇게 형성되거나 끊어지는 경우에는 제2 서브 화소(P2)에 점등 불량이 발생할 수 있기 때문이다. 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)은 제2 유기 발광층(320)이 충분한 두께로 형성될 수 있도록, 제3 테이퍼 각도(θ3)가 70도 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3)는 30도 내지 40도 일 수 있다. 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3)는 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ3)와 동일할 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3)는 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ3)와 상이할 수도 있다.

한편, 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)에서 얇은 두께로 형성될 수 있다. 이때, 제2 유기 발광층(320)은 제2 포토 공정을 이용하여 제2 서브 화소(P2)에 패턴 형성될 수 있다. 제2 포토 공정은 실드층 형성하는 공정, 포토 레지스트를 도포하는 공정, 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정을 포함할 수 있다. 제2 유기 발광층(320)을 패턴 형성하기 위한 제2 포토 공정은 제1 유기 발광층(310)을 패턴 형성하기 위한 제1 포토 공정 이후에 진행될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 포토 공정은 제1 포토 공정 보다 먼저 진행될 수도 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제2 포토 공정이 제1 포토 공정 이후에 진행되는 것으로 설명하도록 한다.

제2 유기 발광층(320)을 패턴 형성하기 위한 제2 포토 공정은 제2 유기 발광층(320)이 손상되는 것을 방지하기 위하여 제2 유기 발광층(320) 상에 실드층을 도포한 후 포토 레지스트를 도포할 수 있다. 이와 같이, 제2 유기 발광층(320) 상에 실드층을 도포하더라도, 제2 유기 발광층(320)의 상면은 실드층에 의하여 덮히나, 제2 유기 발광층(320)의 측면은 노출될 수 밖에 없다. 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정이 진행되면서, 노출된 제2 유기 발광층(320)의 측면은 손상될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제2 유기 발광층(320)이 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)에서 최대한 얇은 두께로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제2 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되는 제2 유기 발광층(320)의 측면의 면적을 최소화시킬 수 있으며, 이에 따라, 제2 포토 공정에서 제2 유기 발광층(320)이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다.

제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)은 제2 유기 발광층(320)이 얇은 두께로 형성될 수 있도록, 제4 테이퍼 각도(θ4)가 70도와 같거나 클 수 있다. 예컨대, 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)는 70도 내지 90도 일 수 있다. 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)가 90도 보다 커지면, 제2 전극(400)은 제2 뱅크(250) 상에서 끊어질 수 있다. 이러한 경우, 서브 화소(P1, P2, P3)들 간에 제2 전극(400)이 연결되지 못하여, 서브 화소(P1, P2, P3)들이 발광하지 못할 수 있다.

제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)는 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2)와 동일할 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)는 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2)와 상이할 수도 있다.

결과적으로, 제2 뱅크(250)는 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)가 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3) 보다 클 수 있다. 이때, 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253) 상에 형성된 제2 유기 발광층(320)의 제6 두께(T6)는 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252) 상에 형성된 제2 유기 발광층(320)의 제5 두께(T5) 보다 작을 수 있다. 그리고, 제2 뱅크(250)의 상면(251) 상에 형성된 제2 유기 발광층(320)의 제4 두께(T4)는 제5 두께(T5) 및 제6 두께(T6) 보다 클 수 있다.

한편, 제2 포토 공정이 제1 포토 공정 이후에 진행되는 경우, 제2 뱅크(250)는 제1 뱅크(240) 보다 높이가 작을 수 있다. 구체적으로, 제1 뱅크(240)는 제1 높이(H1)를 가지며, 제2 뱅크(250)는 제1 높이(H1) 보다 작은 제2 높이(H2)를 가질 수 있다.

제1 뱅크(240)는 제1 포토 공정 및 제2 포토 공정에서 포토 레지스트 패턴 및 실드층 아래에 구비되어 있으므로, 포토 레지스트 패턴 및 실드층에 의하여 손상되지 않을 수 있다. 반면, 제2 뱅크(250)는 제1 포토 공정에서 포토 레지스트 패턴 및 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되므로, 제1 포토 공정이 진행되면서 일부 손상 또는 제거될 수 있다. 이에 따라, 제2 뱅크(250)는 제1 포토 공정 전에 제1 뱅크(240)와 동일한 제1 높이(H1)를 가질 수 있으나, 제1 포토 공정 후에 제1 높이(H1) 보다 작은 제2 높이(H2)를 가질 수 있다.

이러한 제2 뱅크(250)는 무기 물질, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 뱅크(250)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수도 있다. 제2 뱅크(250)는 제1 뱅크(240)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 뱅크(250)는 제1 뱅크(240)와 상이한 물질로 이루어질 수도 있다.

제3 뱅크(260)는 도 3에 도시된 바와 같이 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제1 전극(230)의 가장자리에 형성되어, 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제1 전극(230)의 끝단에 전류가 집중되어 발광 효율이 저하되는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

제3 뱅크(260)는 제2 뱅크(250) 및 제1 뱅크(240) 각각과 접하고 있을 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제3 뱅크(260)는 제2 뱅크(250) 및 제1 뱅크(240) 각각과 이격되어 절연층(120)의 일부가 노출될 수도 있다.

제3 뱅크(260)는 상면(261), 상면(261)의 일단에서 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제1 전극(230)의 상면까지 연결된 제1 측면(262), 및 제1 측면(262)과 마주보는 제2 측면(263)을 포함할 수 있다.

제3 뱅크(260)는 상면(261)이 평탄면을 가지며, 제1 측면(262)과 제2 측면(263)이 경사면을 가질 수 있다. 제3 뱅크(260)는 제1 측면(262)과 제2 측면(263) 각각의 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 제6 테이퍼 각도(θ6)는 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)의 제5 테이퍼 각도(θ5) 보다 클 수 있다. 여기서, 테이퍼 각도는 하면과의 각도를 나타낼 수 있다. 즉, 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 제6 테이퍼 각도(θ6)는 제3 뱅크(260)와 절연층(120)이 접하는 하면과 제2 측면(263)이 이루는 각도를 나타낼 수 있다. 또한, 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)의 제5 테이퍼 각도(θ5)는 제3 뱅크(260)와 제1 전극(230)이 접하는 하면과 제1 측면(262)이 이루는 각도를 나타낼 수 있다.

제3 서브 화소(P3)는 제3 뱅크(260) 상에 제3 유기 발광층(330)이 형성될 수 있다. 이때, 제3 유기 발광층(330)은 제1 전극(230)뿐만 아니라 제3 뱅크(260) 상에도 형성될 수 있다. 구체적으로, 제3 유기 발광층(330)은 제3 뱅크(260)에 의하여 덮이지 않고 노출된 제1 전극(230)의 상면 상에 형성될 수 있다. 또한, 제3 유기 발광층(330)은 제3 뱅크(260)의 상면(261), 제1 측면(262) 및 제2 측면(263) 상에 형성될 수 있다. 제3 유기 발광층(330)은 도 4, 도 6 및 도 7에 도시된 바와 같이 제3 뱅크(260)의 상면(261), 제1 측면(262) 및 제2 측면(263)을 덮을 수도 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제3 유기 발광층(330)은 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 일부를 노출시킬 수도 있다. 즉, 제3 유기 발광층(330)은 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263) 중 상면(261)과 연결되는 일부면 상에만 형성될 수 있다. 또한, 제3 유기 발광층(330)은 제조공정의 오차로 인하여 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)으로부터 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 일부까지 연장될 수도 있다. 이러한 경우, 제3 유기 발광층(330)은 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243) 상에서 제1 유기 발광층(310)과 중첩될 수 있다. 또는, 제3 유기 발광층(330)은 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)으로부터 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 일부까지 연장될 수도 있다. 이러한 경우, 제3 유기 발광층(330)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253) 상에서 제2 유기 발광층(320)과 중첩될 수 있다.

제3 유기 발광층(330)은 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)에서 충분한 두께로 형성될 수 있다. 제3 유기 발광층(330)이 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)에서 얇게 형성되거나 끊어지는 경우에는 제3 서브 화소(P3)에 점등 불량이 발생할 수 있기 때문이다. 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)은 제3 유기 발광층(330)이 충분한 두께로 형성될 수 있도록, 제5 테이퍼 각도(θ5)가 70도 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)의 제5 테이퍼 각도(θ5)는 30도 내지 40도 일 수 있다. 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)의 제5 테이퍼 각도(θ5)는 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ3) 및 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3)와 동일할 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)의 제5 테이퍼 각도(θ5)는 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ3) 및 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3)와 상이할 수도 있다.

한편, 제3 유기 발광층(330)은 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)에서 얇은 두께로 형성될 수 있다. 이때, 제3 유기 발광층(330)은 제3 포토 공정을 이용하여 제3 서브 화소(P3)에 패턴 형성될 수 있다. 제3 포토 공정은 실드층 형성하는 공정, 포토 레지스트를 도포하는 공정, 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정을 포함할 수 있다. 제3 유기 발광층(330)을 형성하기 위한 제3 포토 공정은 제1 유기 발광층(310)을 형성하기 위한 제1 포토 공정 및 제2 유기 발광층(320)을 형성하기 위한 제2 포토 공정 이후에 진행될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제3 포토 공정은 제1 포토 공정 보다 먼저 진행되거나 제2 포토 공정 보다 먼저 진행될 수도 있다. 다만, 이하에서는 설명의 편의를 위하여 제3 포토 공정이 제1 포토 공정 및 제2 포토 공정 이후에 진행되는 것으로 설명하도록 한다.

제3 유기 발광층(330)을 형성하기 위한 제3 포토 공정은 제3 유기 발광층(330)이 손상되는 것을 방지하기 위하여 제3 유기 발광층(330) 상에 실드층을 도포한 후 포토 레지스트를 도포할 수 있다. 이와 같이, 제3 유기 발광층(330) 상에 실드층을 도포하더라도, 제3 유기 발광층(330)의 상면은 실드층에 의하여 덮히나, 제3 유기 발광층(330)의 측면은 노출될 수 밖에 없다. 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정이 진행되면서, 노출된 제3 유기 발광층(330)의 측면은 손상될 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제3 유기 발광층(330)이 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)에서 최대한 얇은 두께로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제3 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되는 제3 유기 발광층(330)의 측면의 면적을 최소화시킬 수 있으며, 이에 따라, 제3 포토 공정에서 제3 유기 발광층(330)이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다.

제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)은 제3 유기 발광층(330)이 얇은 두께로 형성될 수 있도록, 제6 테이퍼 각도(θ6)가 70도와 같거나 클 수 있다. 예컨대, 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 제6 테이퍼 각도(θ6)는 70도 내지 90도 일 수 있다. 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 제6 테이퍼 각도(θ6)가 90도 보다 커지면, 제2 전극(400)은 제3 뱅크(260) 상에서 끊어질 수 있다. 이러한 경우, 서브 화소(P1, P2, P3)들 간에 제2 전극(400)이 연결되지 못하여, 서브 화소(P1, P2, P3)들이 발광하지 못할 수 있다.

제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 제6 테이퍼 각도(θ6)는 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2) 및 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)와 동일할 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 제6 테이퍼 각도(θ6)는 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2) 및 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)와 상이할 수도 있다.

결과적으로, 제3 뱅크(260)는 제2 측면(263)의 제6 테이퍼 각도(θ6)가 제1 측면(262)의 제5 테이퍼 각도(θ5) 보다 클 수 있다. 이때, 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263) 상에 형성된 제3 유기 발광층(330)의 제9 두께(T9)는 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262) 상에 형성된 제3 유기 발광층(330)의 제8 두께(T8) 보다 작을 수 있다. 그리고, 제3 뱅크(260)의 상면(261) 상에 형성된 제3 유기 발광층(330)의 제7 두께(T7)는 제8 두께(T8) 및 제9 두께(T9) 보다 클 수 있다.

한편, 제3 포토 공정이 제1 포토 공정 및 제2 포토 공정 이후에 진행되는 경우, 제3 뱅크(260)는 제1 뱅크(240) 및 제2 뱅크(250) 보다 높이가 작을 수 있다. 구체적으로, 제1 뱅크(240)는 제1 높이(H1)를 가지며, 제2 뱅크(250)는 제1 높이(H1) 보다 작은 제2 높이(H2)를 가지며, 제3 뱅크(260)는 제2 높이(H2) 보다 작은 제3 높이(H3)를 가질 수 있다.

제1 뱅크(240)는 제1 포토 공정, 제2 포토 공정 및 제3 포토 공정에서 실드층 아래에 구비되어 있으므로, 실드층에 의하여 손상되지 않을 수 있다. 제2 뱅크(250)는 제1 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되므로, 제1 포토 공정이 진행되면서 일부 손상 또는 제거될 수 있다. 이에 따라, 제2 뱅크(250)는 제1 포토 공정 전에 제1 뱅크(240)와 동일한 제1 높이(H1)를 가질 수 있으나, 1회의 포토 공정이 진행된 후 제1 높이(H1) 보다 작은 제2 높이(H2)를 가질 수 있다.

제3 뱅크(260)는 제1 포토 공정 및 제2 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되므로, 제1 포토 공정 및 제2 포토 공정이 진행되면서 일부 손상 또는 제거될 수 있다. 이에 따라, 제3 뱅크(260)는 제1 포토 공정 전에 제1 뱅크(240)와 동일한 제1 높이(H1)를 가질 수 있으나, 2회의 포토 공정이 진행된 후 제1 높이(H1) 보다 작은 제3 높이(H3)를 가질 수 있다.

이러한 제3 뱅크(260)는 무기 물질, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제3 뱅크(260)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수도 있다. 제3 뱅크(260)는 제1 뱅크(240) 및 제2 뱅크(250)와 동일한 물질로 이루어질 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제3 뱅크(260)는 제1 뱅크(240) 및 제2 뱅크(250)와 상이한 물질로 이루어질 수도 있다.

봉지막(500)은 제2 전극(400)을 덮도록 형성될 수 있다. 봉지막(500)은 유기 발광층(300)과 제2 전극(400)에 산소 또는 수분이 침투되는 것을 방지하는 역할을 한다. 이를 위하여, 봉지막(500)은 적어도 하나의 무기막과 적어도 하나의 유기막을 포함할 수 있다.

구체적으로, 봉지막(500)은 제1 무기막 및 유기막을 포함할 수 있다. 일 실시예에 있어서, 봉지막(500)은 제2 무기막을 더 포함할 수 있다.

제1 무기막은 제2 전극(400)을 덮도록 형성된다. 유기막은 제1 무기막 상에 형성되며, 이물들(particles)이 제1 무기막을 뚫고 유기 발광층(300)과 제2 전극(400)에 투입되는 것을 방지하기 위해 충분한 길이로 형성되는 것이 바람직하다. 제2 무기막은 유기막을 덮도록 형성된다.

제1 및 제2 무기막들 각각은 실리콘 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 질화물, 티타늄 질화물, 하프늄 질화물, 탄탈륨 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성될 수 있다. 제1 및 제2 무기막들은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 기법 또는 ALD(Atomic Layer Deposition) 기법으로 증착될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.

유기막은 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin) 또는 폴리이미드 수지(polyimide resin)로 형성될 수 있다. 유기막는 유기물을 사용하는 기상 증착(vapour deposition), 프린팅(printing), 슬릿 코팅(slit coating) 기법으로 형성될 수 있으나, 이에 제한되지 않으며, 유기막는 잉크젯(ink-jet) 공정으로 형성될 수도 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제1, 제2 및 제3 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에 구비된 뱅크(240, 250, 260)가 제1 측면(242, 252, 262) 및 제2 측면(243, 253, 263)을 포함하며, 제1 측면(242, 252, 262) 및 제2 측면(243, 253, 263) 각각의 테이퍼 각도가 상이한 것을 특징으로 한다. 구체적으로, 뱅크(240, 250, 260)의 제1 측면(242, 252, 262)은 발광층(310, 320, 330)이 충분한 두께로 증착될 수 있도록 70도 보다 작은 테이퍼 각도를 가질 수 있다. 그리고, 뱅크(240, 250, 260)의 2 측면(243, 253, 263)은 발광층(310, 320, 330)이 최대한 얇은 두께로 증착될 수 있도록 70도와 같거나 큰 테이퍼 각도를 가질 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 서브 화소(P1, P2, P3)에서 점등 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 포토 공정에서 발광층(310, 320, 330)의 노출 면적을 최소화시킴으로써, 발광층(310, 320, 330)이 손상되는 것을 줄일 수 있다.

도 9는 도 3의 I-I의 다른 예를 보여주는 단면도이다. 도 10은 도 9의 A영역을 보여주는 확대도이고, 도 11은 도 9의 B영역을 보여주는 확대도이며, 도 12는 도 9의 C영역을 보여주는 확대도이다.

도 9 내지 도 12를 참조하면, 제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 구동 트랜지스터(TFT), 절연층(120), 제1 전극(200), 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250), 제3 뱅크(260), 유기 발광층(300), 절연 패턴(350), 제2 전극(400) 및 봉지막(500)을 포함한다.

도 9 내지 도 12에 도시된 제1 기판(111), 구동 트랜지스터(TFT), 절연층(120), 제1 전극(200), 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250), 제3 뱅크(260), 유기 발광층(300), 제2 전극(400) 및 봉지막(500)은 도 3 내지 도 7에 도시된 제1 기판(111), 구동 트랜지스터(TFT), 절연층(120), 제1 전극(200), 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250), 제3 뱅크(260), 유기 발광층(300), 제2 전극(400) 및 봉지막(500)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.

또한, 도 9 내지 도 12에 도시된 표시장치는 제1, 제2 및 제3 뱅크들(240, 250, 260) 사이에 절연 패턴(350)이 구비된다는 점에서 도 3 내지 도 7에 도시된 표시장치와 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 설명을 생략하고, 상기 차이점을 중점적으로 설명하도록 한다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 뱅크는 도 9에 도시된 바와 같이 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260)를 포함한다.

제1 뱅크(240)는 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 가장자리에 형성되어, 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 끝단에 전류가 집중되어 발광 효율이 저하되는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

제1 뱅크(240)는 상면(241)이 평탄면을 가지며, 제1 측면(242)과 제2 측면(243)이 경사면을 가질 수 있다. 제1 뱅크(240)는 제1 측면(242)과 제2 측면(243) 각각의 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2)는 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ1) 보다 클 수 있다.

제1 서브 화소(P1)는 제1 뱅크(240) 상에 제1 유기 발광층(310)이 형성될 수 있다. 제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)에서 충분한 두께로 형성될 수 있다. 제1 유기 발광층(310)이 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)에서 얇게 형성되거나 끊어지는 경우에는 제1 서브 화소(P1)에 점등 불량이 발생할 수 있기 때문이다. 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)은 제1 유기 발광층(310)이 충분한 두께로 형성될 수 있도록, 제1 테이퍼 각도(θ1)가 70도 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1 뱅크(240)의 제1 측면(242)의 제1 테이퍼 각도(θ1)는 30도 내지 40도 일 수 있다.

한편, 제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)에서 얇은 두께로 형성될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는 제1 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되는 제1 유기 발광층(310)의 측면의 면적을 최소화시킬 수 있으며, 이에 따라, 제1 포토 공정에서 제1 유기 발광층(310)이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다.

제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)은 제1 유기 발광층(310)이 얇은 두께로 형성될 수 있도록, 제2 테이퍼 각도(θ2)가 70도와 같거나 클 수 있다. 예컨대, 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)의 제2 테이퍼 각도(θ2)는 70도 내지 90도 일 수 있다.

제2 뱅크(250)는 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제1 전극(220)의 가장자리에 형성되어, 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제1 전극(220)의 끝단에 전류가 집중되어 발광 효율이 저하되는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

제2 뱅크(250)는 상면(251)이 평탄면을 가지며, 제1 측면(252)과 제2 측면(253)이 경사면을 가질 수 있다. 제2 뱅크(250)는 제1 측면(252)과 제2 측면(253) 각각의 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)는 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3) 보다 클 수 있다.

제2 서브 화소(P2)는 제2 뱅크(250) 상에 제2 유기 발광층(320)이 형성될 수 있다. 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)에서 충분한 두께로 형성될 수 있다. 제2 유기 발광층(320)이 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)에서 얇게 형성되거나 끊어지는 경우에는 제2 서브 화소(P2)에 점등 불량이 발생할 수 있기 때문이다. 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)은 제2 유기 발광층(320)이 충분한 두께로 형성될 수 있도록, 제3 테이퍼 각도(θ3)가 70도 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제2 뱅크(250)의 제1 측면(252)의 제3 테이퍼 각도(θ3)는 30도 내지 40도 일 수 있다.

한편, 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)에서 얇은 두께로 형성될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치는 제2 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되는 제2 유기 발광층(320)의 측면의 면적을 최소화시킬 수 있으며, 이에 따라, 제2 포토 공정에서 제2 유기 발광층(320)이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다.

제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)은 제2 유기 발광층(320)이 얇은 두께로 형성될 수 있도록, 제4 테이퍼 각도(θ4)가 70도와 같거나 클 수 있다. 예컨대, 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)의 제4 테이퍼 각도(θ4)는 70도 내지 90도 일 수 있다.

제3 뱅크(260)는 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제1 전극(230)의 가장자리에 형성되어, 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제1 전극(230)의 끝단에 전류가 집중되어 발광 효율이 저하되는 문제가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

제3 뱅크(260)는 상면(261)이 평탄면을 가지며, 제1 측면(262)과 제2 측면(263)이 경사면을 가질 수 있다. 제3 뱅크(260)는 제1 측면(262)과 제2 측면(263) 각각의 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 제6 테이퍼 각도(θ6)는 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)의 제5 테이퍼 각도(θ5) 보다 클 수 있다.

제3 서브 화소(P3)는 제3 뱅크(260) 상에 제3 유기 발광층(330)이 형성될 수 있다. 제3 유기 발광층(330)은 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)에서 충분한 두께로 형성될 수 있다. 제3 유기 발광층(330)이 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)에서 얇게 형성되거나 끊어지는 경우에는 제3 서브 화소(P3)에 점등 불량이 발생할 수 있기 때문이다. 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)은 제3 유기 발광층(330)이 충분한 두께로 형성될 수 있도록, 제5 테이퍼 각도(θ5)가 70도 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제3 뱅크(260)의 제1 측면(262)의 제5 테이퍼 각도(θ5)는 30도 내지 40도 일 수 있다.

한편, 제3 유기 발광층(330)은 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)에서 얇은 두께로 형성될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치는 제3 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되는 제3 유기 발광층(330)의 측면의 면적을 최소화시킬 수 있으며, 이에 따라, 제3 포토 공정에서 제3 유기 발광층(330)이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다.

제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)은 제3 유기 발광층(330)이 얇은 두께로 형성될 수 있도록, 제6 테이퍼 각도(θ6)가 70도와 같거나 클 수 있다. 예컨대, 제3 뱅크(260)의 제2 측면(263)의 제6 테이퍼 각도(θ6)는 70도 내지 90도 일 수 있다.

이러한 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260)는 무기 물질, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제3 뱅크(260)는 아크릴 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드 수지(polyamide resin), 폴리이미드 수지(polyimide resin) 등의 유기 물질로 형성될 수도 있다.

한편, 절연 패턴(350)은 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260) 사이에 구비될 수 있다. 절연 패턴(350)은 제1 뱅크(240)와 제2 뱅크(250) 사이에 구비된 제1 절연 패턴(351), 제2 뱅크(250)와 제3 뱅크(260) 사이에 구비된 제2 절연 패턴(352) 및 제3 뱅크(260)와 제1 뱅크(240) 사이에 구비된 제3 절연 패턴(353)을 포함할 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1 포토 공정의 에칭 공정에서 에칭 조건을 조절하여 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260) 사이에 구비된 실드층의 일부를 남길 수 있다.

제1 뱅크(240)와 제2 뱅크(250) 사이에 구비된 실드층의 일부를 남김으로써, 제1 뱅크(240)와 제2 뱅크(250) 사이에 제1 절연 패턴(351)이 형성될 수 있다. 이때, 식각되지 않고 남겨진 제1 절연 패턴(351)은 제1 뱅크(240)의 높이(H1) 및 제2 뱅크(250)의 높이(H2) 보다 작은 높이를 가질 수 있다.

제2 뱅크(250)와 제3 뱅크(260) 사이에 구비된 실드층의 일부를 남김으로써, 제2 뱅크(250)와 제3 뱅크(260) 사이에 제2 절연 패턴(352)이 형성될 수 있다. 이때, 식각되지 않고 남겨진 제2 절연 패턴(352)은 제2 뱅크(250)의 높이(H2) 및 제3 뱅크(260)의 높이(H3) 보다 작은 높이를 가질 수 있다.

제3 뱅크(260)와 제1 뱅크(240) 사이에 구비된 실드층의 일부를 남김으로써, 제3 뱅크(260)와 제1 뱅크(240) 사이에 제3 절연 패턴(353)이 형성될 수 있다. 이때, 식각되지 않고 남겨진 제3 절연 패턴(353)은 제1 뱅크(240)의 높이(H1) 및 제3 뱅크(260)의 높이(H3) 보다 작은 높이를 가질 수 있다.

상술한 바와 같이, 제1, 제2 및 제3 절연 패턴(351, 352, 353)은 제1 포토 공정의 에칭 공정에서 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260) 사이에 구비된 실드층의 일부를 남김으로써 형성된다. 이에 따라, 제1, 제2 및 제3 절연 패턴(351, 352, 353) 아래에 형성된 제1 유기 발광층(310)은 제1 포토 공정의 에칭 공정에 의해 식각되지 않을 수 있다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260) 사이에 제1, 제2 및 제3 절연 패턴(351, 352, 353)을 구비함으로써, 제1 전극(200)과 제2 전극(400)이 합선되는 것을 안정적으로 방지할 수 있다. 제1 뱅크(240)는 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 가장자리 상에 구비되며, 제2 뱅크(250)는 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제1 전극(220)의 가장자리 상에 구비될 수 있다. 또한, 제3 뱅크(260)는 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제1 전극(230)의 가장자리 상에 구비될 수 있다. 이때, 공정 오차로 인하여, 제1, 제2 및 제3 서브 화소(P1, P2, P3) 각각에 구비된 제1 전극(210, 220, 230)의 가장자리 일부가 노출될 수 있다. 특히, 헤드 장착형 디스플레이(Head Mounted DiPlay, HMD)와 같이 초고해상도를 가진 표시장치는 서브 화소(P1, P2, P3)들 간의 간격이 매우 작기 때문에, 제1 전극(210, 220, 230)의 가장자리 일부가 노출될 가능성이 높아질 수 있다.

제1, 제2 및 제3 절연 패턴(351, 352, 353)은 노출된 제1 전극(210, 220, 230)과 제2 전극(400) 사이에 구비되어, 제1 전극(210, 220, 230)과 제2 전극(400)간에 쇼트가 발생하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260) 사이에는 제1, 제2 및 제3 발광층(310, 320, 330) 중 적어도 하나가 증착될 수 있다. 예컨대, 제1 뱅크(240)와 제2 뱅크(250) 사이에는 도 9 및 도 10에 도시된 바와 같이 제1 유기 발광층(310)과 제2 유기 발광층(320)이 증착될 수 있다. 제2 뱅크(250)와 제3 뱅크(260) 사이에는 도 9 및 도 11에 도시된 바와 같이 제1 유기 발광층(310), 제2 유기 발광층(320) 및 제3 유기 발광층(330)이 증착될 수 있다. 제3 뱅크(260)와 제1 뱅크(240) 사이에는 도 9 및 도 12에 도시된 바와 같이 제1 유기 발광층(310) 및 제3 유기 발광층(330)이 증착될 수 있다.

제1 전극(210, 220, 230)의 가장자리 일부가 노출되는 경우, 노출된 제1 전극(210, 220, 230)과 제2 전극(400) 사이에 형성된 발광층(310, 320, 330)이 발광될 수 있다. 제1, 제2 및 제3 절연 패턴(351, 352, 353)은 제1, 제2 및 제3 발광층(310, 320, 330)들 사이에 구비되어, 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260) 사이에서 제1, 제2 및 제3 발광층(310, 320, 330)이 발광되는 것을 방지할 수 있다. 예컨대, 제1 절연 패턴(351)은 제1 뱅크(240)와 제2 뱅크(250) 사이에서 제1 유기 발광층(310)과 제2 유기 발광층(320) 사이에 구비되어, 제1 유기 발광층(310)과 제2 유기 발광층(320)이 발광되는 것을 방지할 수 있다. 제2 절연 패턴(352)은 제2 뱅크(250)와 제3 뱅크(260) 사이에서 제1 유기 발광층(310)과 제3 유기 발광층(330) 사이에 구비되어, 제1 유기 발광층(310)과 제3 유기 발광층(330)이 발광되는 것을 방지할 수 있다. 제3 절연 패턴(353)은 제3 뱅크(260)와 제1 뱅크(240) 사이에서 제1 유기 발광층(310)과 제3 유기 발광층(330) 사이에 구비되어, 제1 유기 발광층(310)과 제3 유기 발광층(330)이 발광되는 것을 방지할 수 있다.

도 13은 도 3의 I-I의 또 다른 예를 보여주는 단면도이다. 도 14는 도 13의 A영역을 보여주는 확대도이고, 도 15는 도 13의 B영역을 보여주는 확대도이며, 도 16는 도 13의 C영역을 보여주는 확대도이다.

도 13 내지 도 16을 참조하면, 제2 기판(112)과 마주보는 제1 기판(111)의 일면 상에는 구동 트랜지스터(TFT), 절연층(120), 제1 전극(200), 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250), 제3 뱅크(260), 유기 발광층(300), 절연 패턴(350), 제2 전극(400) 및 봉지막(500)을 포함한다.

도 13 내지 도 16에 도시된 제1 기판(111), 구동 트랜지스터(TFT), 절연층(120), 제1 전극(200), 유기 발광층(300), 절연 패턴(350), 제2 전극(400) 및 봉지막(500)은 도 9 내지 도 12에 도시된 제1 기판(111), 구동 트랜지스터(TFT), 절연층(120), 제1 전극(200), 유기 발광층(300), 절연 패턴(350), 제2 전극(400) 및 봉지막(500)과 실질적으로 동일하므로, 이에 대한 구체적인 설명은 생략하도록 한다.

또한, 도 13 내지 도 16에 도시된 표시장치는 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250), 제3 뱅크(260) 각각의 높이가 동일하다는 점에서 도 9 내지 도 12에 도시된 표시장치와 차이가 있다. 이하에서는 중복되는 설명을 생략하고, 상기 차이점을 중점적으로 설명하도록 한다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 뱅크는 도 13에 도시된 바와 같이 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260)를 포함한다.

한편, 제1 유기 발광층(310)은 제1 뱅크(240)의 제2 측면(243)에서 얇은 두께로 형성될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치는 제1 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되는 제1 유기 발광층(310)의 측면의 면적을 최소화시킬 수 있으며, 이에 따라, 제1 포토 공정에서 제1 유기 발광층(310)이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다.

한편, 제2 유기 발광층(320)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면(253)에서 얇은 두께로 형성될 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치는 제2 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되는 제2 유기 발광층(320)의 측면의 면적을 최소화시킬 수 있으며, 이에 따라, 제2 포토 공정에서 제2 유기 발광층(320)이 손상되는 것을 최소화시킬 수 있다.

한편, 도 3 내지 도 12에 도시된 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260)들은 서로 높이가 상이한 것으로 도시하고 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치는 도 13 내지 도 16에 도시된 바와 같이 제1 뱅크(240)의 높이(H1), 제2 뱅크(250)의 높이(H2) 및 제3 뱅크(260)의 높이(H3)가 모두 동일할 수 있다.

제1 포토 공정, 제2 포토 공정 및 제3 포토 공정 순서대로 진행되는 경우, 제1 포토 공정 전에, 제3 뱅크(260)는 제2 뱅크(250) 및 제1 뱅크(240) 보다 높이가 클 수 있다. 제2 뱅크(250)는 제1 뱅크(240) 보다 높이가 클 수 있다.

제1 뱅크(240)는 제1 포토 공정, 제2 포토 공정 및 제3 포토 공정에서 실드층 아래에 구비되어 있으므로, 실드층에 의하여 손상되지 않을 수 있다. 제2 뱅크(250)는 제1 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되므로, 제1 포토 공정이 진행되면서 일부 손상 또는 제거될 수 있다. 이에 따라, 제2 뱅크(250)는 제1 포토 공정 전에 제1 뱅크(240)의 제1 높이(H1) 보다 큰 높이를 가졌으나, 1회의 포토 공정이 진행된 후 제1 뱅크(240)의 제1 높이(H1)와 동일한 제2 높이(H2)를 가질 수 있다.

제3 뱅크(260)는 제1 포토 공정 및 제2 포토 공정에서 실드층에 의하여 덮이지 않고 노출되므로, 제1 포토 공정 및 제2 포토 공정이 진행되면서 일부 손상 또는 제거될 수 있다. 이에 따라, 제3 뱅크(260)는 제1 포토 공정 전에 제1 뱅크(240)의 제1 높이(H1) 보다 큰 높이를 가졌으나, 2회의 포토 공정이 진행된 후 제1 뱅크(240)의 제1 높이(H1)와 동일한 제3 높이(H3)를 가질 수 있다.

도 17a 내지 도 17o는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.

먼저, 제1 기판(111) 상에 제1 전극(200)을 형성한다.

보다 구체적으로, 도 17a와 같이 제1 기판(111) 상에 구동 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 그리고 나서, 구동 박막 트랜지스터(TFT) 상에 절연층(120)을 형성한다. 절연층(120)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 절연층(120)을 관통하여 구동 박막 트랜지스터(TFT)에 접속되는 컨택홀(CH)을 형성한다. 그리고 나서, 절연층(120) 상에 제1 전극(210, 220, 230)을 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성한다.

다음, 뱅크를 형성한다.

도 17b와 같이 제1 전극(210, 220, 230)들 각각의 가장자리를 덮도록 뱅크를 형성한다. 보다 구체적으로, 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 가장자리를 덮도록 제1 뱅크(240)를 형성한다. 제1 뱅크(240)는 상면, 상면의 일단에서 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다.

제1 뱅크(240)는 상면이 평탄면을 가지며, 제1 측면과 제2 측면이 경사면을 가질 수 있다. 이때, 제1 뱅크(240)는 제1 측면과 제2 측면 각각의 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제1 뱅크(240)의 제2 측면의 제2 테이퍼 각도는 제1 뱅크(240)의 제1 측면의 제1 테이퍼 각도 보다 클 수 있다. 제1 뱅크(240)의 제1 측면은 제1 테이퍼 각도가 70도 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제1 뱅크(240)의 제1 측면의 제1 테이퍼 각도는 30도 내지 40도 일 수 있다. 제1 뱅크(240)의 제2 측면은 제2 테이퍼 각도가 70도와 같거나 클 수 있다. 예컨대, 제1 뱅크(240)의 제2 측면의 제2 테이퍼 각도는 70도 내지 90도 일 수 있다.

제2 서브 화소(P2)에 구비된 제1 전극(220)의 가장자리를 덮도록 제2 뱅크(250)를 형성한다. 제2 뱅크(250)는 상면, 상면의 일단에서 제2 서브 화소(P2)에 구비된 제1 전극(220)의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다.

제2 뱅크(250)는 상면이 평탄면을 가지며, 제1 측면과 제2 측면이 경사면을 가질 수 있다. 이때, 제2 뱅크(250)는 제1 측면과 제2 측면 각각의 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제2 뱅크(250)의 제2 측면의 제4 테이퍼 각도는 제2 뱅크(250)의 제1 측면의 제3 테이퍼 각도 보다 클 수 있다. 제2 뱅크(250)의 제1 측면은 제3 테이퍼 각도가 70도 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제2 뱅크(250)의 제1 측면의 제3 테이퍼 각도는 30도 내지 40도 일 수 있다. 제2 뱅크(250)의 제2 측면은 제4 테이퍼 각도가 70도와 같거나 클 수 있다. 예컨대, 제2 뱅크(250)의 제2 측면의 제4 테이퍼 각도는 70도 내지 90도 일 수 있다.

제3 서브 화소(P3)에 구비된 제1 전극(230)의 가장자리를 덮도록 제3 뱅크(260)를 형성한다. 제3 뱅크(260)는 상면, 상면의 일단에서 제3 서브 화소(P3)에 구비된 제1 전극(230)의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다.

제3 뱅크(260)는 상면이 평탄면을 가지며, 제1 측면과 제2 측면이 경사면을 가질 수 있다. 이때, 제3 뱅크(260)는 제1 측면과 제2 측면 각각의 테이퍼 각도가 서로 상이할 수 있다. 구체적으로, 제3 뱅크(260)의 제2 측면의 제6 테이퍼 각도는 제3 뱅크(260)의 제1 측면의 제5 테이퍼 각도 보다 클 수 있다. 제3 뱅크(260)의 제1 측면은 제5 테이퍼 각도가 70도 보다 작을 수 있다. 예컨대, 제3 뱅크(260)의 제1 측면의 제5 테이퍼 각도는 30도 내지 40도 일 수 있다. 제3 뱅크(260)의 제2 측면은 제6 테이퍼 각도가 70도와 같거나 클 수 있다. 예컨대, 제3 뱅크(260)의 제2 측면의 제4 테이퍼 각도는 70도 내지 90도 일 수 있다.

이러한 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260)는 동일한 높이를 가질 수 있다.

다음, 제1 유기 발광층(310)을 패턴 형성한다.

먼저, 도 17c와 같이 제1 유기 발광층(310)을 이루는 제1 발광물질층(311)을 전면 증착한다. 제1 발광물질층(311)은 제1 정공 주입층(HIL)을 이루는 물질층, 제1 정공 수송층(HTL)을 이루는 물질층, 제1 색 광을 방출하는 제1 발광층(EML)을 이루는 물질층 및 제1 정공 차단층(HBL)을 이루는 물질층을 포함할 수 있다.

제1 발광물질층(311)은 열 증착(Thermal Evaporation) 기법으로 제1 전극(210, 220, 230), 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260) 상에 증착될 수 있다. 열 증착 기법으로 증착된 제1 발광물질층(311)은 스텝 커버리지(Step Coverage)가 좋지 않기 때문에, 제1 뱅크(240), 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260) 각각의 제2 측면에서 얇게 증착될 수 있다.

다음, 도 17d와 같이 제1 발광물질층(311) 상에 제1 실드층(SL1)을 도포한다. 그리고 나서, 제1 실드층(SL1) 상에 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)을 형성한다. 이때, 제1 포토 레지스터 패턴(PR1)은 제1 서브 화소(P1)가 형성될 위치에 형성될 수 있다.

다음, 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)에 의해 덮이지 않은 제1 실드층(SL1) 및 제1 발광물질층(311)을 건식 식각하여 도 17e와 같이 제1 실드 패턴(SLP1) 및 제1 유기 발광층(310)을 형성하고, 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)을 제거한다. 이때, 제1 실드 패턴(SLP1)은 도 17e와 같이 제1 뱅크(240)를 덮을 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제1 실드 패턴(SLP1)은 제1 뱅크(240)의 제2 측면의 일부를 노출시킬 수도 있다.

한편, 제1 뱅크(240)는 건식 식각 공정에서 제1 포토 레지스트 패턴(PR1) 및 제1 실드층(SL1)에 의하여 보호될 수 있다. 반면, 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260)는 건식 식각 공정에서 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)에 의해 덮이지 않고 있어, 제1 실드층(SL1)이 제거되면서 일부 손상 또는 제거될 수 있다. 이에 따라, 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260)는 건식 식각 공정 전에 제1 뱅크(240)의 높이(H1)와 동일한 높이를 가질 수 있으나, 건식 식각 공정 후에 제1 뱅크(240)의 높이(H1) 보다 작은 높이(H2)를 가질 수 있다.

다음, 제2 유기 발광층(320)을 패턴 형성한다.

먼저, 도 17f와 같이 제2 유기 발광층(320)을 이루는 제2 발광물질층(321)을 전면 증착한다. 제2 발광물질층(321)은 제2 정공 주입층(HIL)을 이루는 물질층, 제2 정공 수송층(HTL)을 이루는 물질층, 제2 색 광을 방출하는 제2 발광층(EML)을 이루는 물질층 및 제2 정공 차단층(HBL)을 이루는 물질층을 포함할 수 있다.

제2 발광물질층(321)은 열 증착(Thermal Evaporation) 기법으로 제1 실드 패턴(SLP1), 제1 전극(220, 230), 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260) 상에 증착될 수 있다. 열 증착 기법으로 증착된 제2 발광물질층(321)은 스텝 커버리지(Step Coverage)가 좋지 않기 때문에, 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260) 각각의 제2 측면에서 얇게 증착될 수 있다.

다음, 도 17g와 같이 제2 발광물질층(321) 상에 제2 실드층(SL2)을 도포한다. 그리고 나서, 제2 실드층(SL2) 상에 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)을 형성한다. 이때, 제2 포토 레지스터 패턴(PR2)은 제2 서브 화소(P2)가 형성될 위치에 형성될 수 있다.

다음, 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)에 의해 덮이지 않은 제2 실드층(SL2) 및 제2 발광물질층(321)을 건식 식각하여 도 17h와 같이 제2 실드 패턴(SLP2) 및 제2 유기 발광층(320)을 형성하고, 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)을 제거한다. 이때, 제2 실드 패턴(SLP2)은 도 17h와 같이 제2 뱅크(250)를 덮을 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제2 실드 패턴(SLP2)은 제2 뱅크(250)의 제2 측면의 일부를 노출시킬 수도 있다.

한편, 제1 뱅크(240)는 건식 식각 공정에서 제1 실드 패턴(SLP1)에 의하여 보호될 수 있으며, 제2 뱅크(250)는 건식 식각 공정에서 제2 포토 레지스트 패턴(PR2) 및 제2 실드층(SL2)에 의하여 보호될 수 있다. 반면, 제3 뱅크(260)는 건식 식각 공정에서 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)에 의해 덮이지 않고 있어, 제2 실드층(SL2)이 제거되면서 일부 손상 또는 제거될 수 있다. 이에 따라, 제3 뱅크(260)는 건식 식각 공정 전에 제2 뱅크(250)의 높이(H2)와 동일한 높이를 가질 수 있으나, 건식 식각 공정 후에 제2 뱅크(250)의 높이(H2) 보다 작은 높이(H3)를 가질 수 있다.

다음, 제3 유기 발광층(330)을 패턴 형성한다.

먼저, 도 17i와 같이 제3 유기 발광층(330)을 이루는 제3 발광물질층(331)을 전면 증착한다. 제3 발광물질층(331)은 제3 정공 주입층(HIL)을 이루는 물질층, 제3 정공 수송층(HTL)을 이루는 물질층, 제3 색 광을 방출하는 제3 발광층(EML)을 이루는 물질층 및 제3 정공 차단층(HBL)을 이루는 물질층을 포함할 수 있다.

제3 발광물질층(331)은 열 증착(Thermal Evaporation) 기법으로 제1 실드 패턴(SLP1), 제2 실드 패턴(SLP2), 제1 전극(230) 및 제3 뱅크(260) 상에 증착될 수 있다. 열 증착 기법으로 증착된 제3 발광물질층(331)은 스텝 커버리지(Step Coverage)가 좋지 않기 때문에, 제3 뱅크(260)의 제2 측면에서 얇게 증착될 수 있다.

다음, 도 17j와 같이 제3 발광물질층(331) 상에 제3 실드층(SL3)을 도포한다. 그리고 나서, 제3 실드층(SL3) 상에 제3 포토 레지스트 패턴(PR3)을 형성한다. 이때, 제3 포토 레지스터 패턴(PR3)은 제3 서브 화소(P3)가 형성될 위치에 형성될 수 있다.

다음, 제3 포토 레지스트 패턴(PR3)에 의해 덮이지 않은 제3 실드층(SL3) 및 제3 발광물질층(331)을 건식 식각하여 도 17k와 같이 제3 실드 패턴(SLP3) 및 제3 유기 발광층(330)을 형성하고, 제3 포토 레지스트 패턴(PR3)을 제거한다. 이때, 제3 실드 패턴(SLP3)은 도 17k와 같이 제3 뱅크(260)를 덮을 수 있으나, 반드시 이에 한정되지 않는다. 제3 실드 패턴(SLP3)은 제3 뱅크(260)의 제2 측면의 일부를 노출시킬 수도 있다.

그리고 나서, 도 17l과 같이 제1 실드 패턴(SLP1), 제2 실드 패턴(SLP2) 및 제3 실드 패턴(SLP3)을 제거한다.

다음, 공통층(340)을 형성한다.

구체적으로, 도 17m과 같이 제1 유기 발광층(310), 제2 유기 발광층(320) 및 제3 유기 발광층(330) 상에 공통층(340)을 형성한다. 공통층(340)은 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다.

다음, 제2 전극(400)을 형성한다.

구체적으로, 도 17n과 같이 공통층(340) 상에 제2 전극(400)을 형성한다. 제2 전극(400)은 스퍼터링법(Puttering)과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다.

다음, 봉지막(500)을 형성한다.

구체적으로, 도 17o와 같이 제2 전극(400) 상에 봉지막(500)을 형성한다. 그리고 나서, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착한다.

도 18a 내지 도 18o는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.

먼저, 제1 기판(111) 상에 제1 전극(200)을 형성한다.

보다 구체적으로, 도 18a와 같이 제1 기판(111) 상에 구동 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 그리고 나서, 구동 박막 트랜지스터(TFT) 상에 절연층(120)을 형성한다. 절연층(120)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 절연층(120)을 관통하여 구동 박막 트랜지스터(TFT)에 접속되는 컨택홀(CH)을 형성한다. 그리고 나서, 절연층(120) 상에 제1 전극(210, 220, 230)을 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성한다.

다음, 뱅크를 형성한다.

도 18b와 같이 제1 전극(210, 220, 230)들 각각의 가장자리를 덮도록 뱅크를 형성한다. 보다 구체적으로, 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 가장자리를 덮도록 제1 뱅크(240)를 형성한다. 제1 뱅크(240)는 상면, 상면의 일단에서 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다.

이러한 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260)는 동일한 높이를 가질 수 있다

다음, 제1 유기 발광층(310)을 패턴 형성한다.

먼저, 도 18c와 같이 제1 유기 발광층(310)을 이루는 제1 발광물질층(311)을 전면 증착한다. 제1 발광물질층(311)은 제1 정공 주입층(HIL)을 이루는 물질층, 제1 정공 수송층(HTL)을 이루는 물질층, 제1 색 광을 방출하는 제1 발광층(EML)을 이루는 물질층 및 제1 정공 차단층(HBL)을 이루는 물질층을 포함할 수 있다.

다음, 도 18d와 같이 제1 발광물질층(311) 상에 제1 실드층(SL1)을 도포한다. 그리고 나서, 제1 실드층(SL1) 상에 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)을 형성한다. 이때, 제1 포토 레지스터 패턴(PR1)은 제1 서브 화소(P1)가 형성될 위치에 형성될 수 있다.

다음, 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)에 의해 덮이지 않은 제1 실드층(SL1) 및 제1 발광물질층(311)을 건식 식각하여 도 18e와 같이 제1 실드 패턴(SLP1) 및 제1 유기 발광층(310)을 형성한다. 이때, 식각 조건을 조절하여, 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260) 사이에 구비된 제1 실드층(SL1)의 일부를 남길 수 있다.

제1 뱅크(240)와 제2 뱅크(250) 사이에 형성된 제1 실드층(SL1)의 일부를 남김으로써, 제1 뱅크(240)와 제2 뱅크(250) 사이에 제1 절연 패턴(351)이 형성될 수 있다. 이때, 건식 식각 공정에 의하여 식각되지 않고 남겨진 제1 절연 패턴(351)은 제1 뱅크(240) 및 제2 뱅크(250) 보다 작은 높이를 가질 수 있다.

제2 뱅크(250)와 제3 뱅크(260) 사이에 구비된 제1 실드층(SL1)의 일부를 남김으로써, 제2 뱅크(250)와 제3 뱅크(260) 사이에 제2 절연 패턴(352)이 형성될 수 있다. 이때, 건식 식각 공정에 의하여 식각되지 않고 남겨진 제2 절연 패턴(352)은 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260) 보다 작은 높이를 가질 수 있다.

제3 뱅크(260)와 제1 뱅크(240) 사이에 구비된 제1 실드층(SL1)의 일부를 남김으로써, 제3 뱅크(260)와 제1 뱅크(240) 사이에 제3 절연 패턴(353)이 형성될 수 있다. 이때, 건식 식각 공정에 의하여 식각되지 않고 남겨진 제3 절연 패턴(353)은 제1 뱅크(240) 및 제3 뱅크(260) 보다 작은 높이를 가질 수 있다.

그리고, 제1, 제2 및 제3 절연 패턴(351, 352, 353) 아래에는 제1 유기 발광층(310)이 식각되지 않고 남겨질 수 있다.

그리고 나서, 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)을 제거한다.

다음, 제2 유기 발광층(320)을 패턴 형성한다.

먼저, 도 18f와 같이 제2 유기 발광층(320)을 이루는 제2 발광물질층(321)을 전면 증착한다. 제2 발광물질층(321)은 제2 정공 주입층(HIL)을 이루는 물질층, 제2 정공 수송층(HTL)을 이루는 물질층, 제2 색 광을 방출하는 제2 발광층(EML)을 이루는 물질층 및 제2 정공 차단층(HBL)을 이루는 물질층을 포함할 수 있다.

다음, 도 18g와 같이 제2 발광물질층(321) 상에 제2 실드층(SL2)을 도포한다. 그리고 나서, 제2 실드층(SL2) 상에 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)을 형성한다. 이때, 제2 포토 레지스터 패턴(PR2)은 제2 서브 화소(P2)가 형성될 위치에 형성될 수 있다.

다음, 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)에 의해 덮이지 않은 제2 실드층(SL2) 및 제2 발광물질층(321)을 건식 식각하여 도 18h와 같이 제2 실드 패턴(SLP2) 및 제2 유기 발광층(320)을 형성하고, 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)을 제거한다.

다음, 제3 유기 발광층(330)을 패턴 형성한다.

먼저, 도 18i와 같이 제3 유기 발광층(330)을 이루는 제3 발광물질층(331)을 전면 증착한다. 제3 발광물질층(331)은 제3 정공 주입층(HIL)을 이루는 물질층, 제3 정공 수송층(HTL)을 이루는 물질층, 제3 색 광을 방출하는 제3 발광층(EML)을 이루는 물질층 및 제3 정공 차단층(HBL)을 이루는 물질층을 포함할 수 있다.

다음, 도 18j와 같이 제3 발광물질층(331) 상에 제3 실드층(SL3)을 도포한다. 그리고 나서, 제3 실드층(SL3) 상에 제3 포토 레지스트 패턴(PR3)을 형성한다. 이때, 제3 포토 레지스터 패턴(PR3)은 제3 서브 화소(P3)가 형성될 위치에 형성될 수 있다.

다음, 제3 포토 레지스트 패턴(PR3)에 의해 덮이지 않은 제3 실드층(SL3) 및 제3 발광물질층(331)을 건식 식각하여 도 18k와 같이 제3 실드 패턴(SLP3) 및 제3 유기 발광층(330)을 형성하고, 제3 포토 레지스트 패턴(PR3)을 제거한다.

그리고 나서, 도 18l과 같이 제1 실드 패턴(SLP1), 제2 실드 패턴(SLP2) 및 제3 실드 패턴(SLP3)을 제거한다.

다음, 공통층(340)을 형성한다.

구체적으로, 도 18m과 같이 제1 유기 발광층(310), 제2 유기 발광층(320) 및 제3 유기 발광층(330) 상에 공통층(340)을 형성한다. 공통층(340)은 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다.

다음, 제2 전극(400)을 형성한다.

구체적으로, 도 18n과 같이 공통층(340) 상에 제2 전극(400)을 형성한다. 제2 전극(400)은 스퍼터링법(Puttering)과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다.

다음, 봉지막(500)을 형성한다.

구체적으로, 도 18o와 같이 제2 전극(400) 상에 봉지막(500)을 형성한다. 그리고 나서, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착한다.

도 19a 내지 도 19o는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치의 제조방법을 보여주는 단면도들이다.

먼저, 제1 기판(111) 상에 제1 전극(200)을 형성한다.

보다 구체적으로, 도 19a와 같이 제1 기판(111) 상에 구동 박막 트랜지스터(TFT)를 형성한다. 그리고 나서, 구동 박막 트랜지스터(TFT) 상에 절연층(120)을 형성한다. 절연층(120)은 무기막, 예를 들어 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 또는 이들의 다중막으로 형성될 수 있다. 그리고 나서, 절연층(120)을 관통하여 구동 박막 트랜지스터(TFT)에 접속되는 컨택홀(CH)을 형성한다. 그리고 나서, 절연층(120) 상에 제1 전극(210, 220, 230)을 서브 화소(P1, P2, P3) 별로 패턴 형성한다.

다음, 뱅크를 형성한다.

도 19b와 같이 제1 전극(210, 220, 230)들 각각의 가장자리를 덮도록 뱅크를 형성한다. 보다 구체적으로, 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 가장자리를 덮도록 제1 뱅크(240)를 형성한다. 제1 뱅크(240)는 상면, 상면의 일단에서 제1 서브 화소(P1)에 구비된 제1 전극(210)의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함할 수 있다.

이러한 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260)는 서로 상이한 높이를 가질 수 있다. 구체적으로, 제1 뱅크(240)는 제4 높이(H4)를 가질 수 있다. 제2 뱅크(250)는 제4 높이(H4) 보다 큰 제5 높이(H5)를 가질 수 있다. 제3 뱅크(260)는 제5 높이(H5) 보다 큰 제6 높이(H6)를 가질 수 있다.

다음, 제1 유기 발광층(310)을 패턴 형성한다.

먼저, 도 19c와 같이 제1 유기 발광층(310)을 이루는 제1 발광물질층(311)을 전면 증착한다. 제1 발광물질층(311)은 제1 정공 주입층(HIL)을 이루는 물질층, 제1 정공 수송층(HTL)을 이루는 물질층, 제1 색 광을 방출하는 제1 발광층(EML)을 이루는 물질층 및 제1 정공 차단층(HBL)을 이루는 물질층을 포함할 수 있다.

다음, 도 19d와 같이 제1 발광물질층(311) 상에 제1 실드층(SL1)을 도포한다. 그리고 나서, 제1 실드층(SL1) 상에 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)을 형성한다. 이때, 제1 포토 레지스터 패턴(PR1)은 제1 서브 화소(P1)가 형성될 위치에 형성될 수 있다.

다음, 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)에 의해 덮이지 않은 제1 실드층(SL1) 및 제1 발광물질층(311)을 건식 식각하여 도 19e와 같이 제1 실드 패턴(SLP1) 및 제1 유기 발광층(310)을 형성한다. 이때, 식각 조건을 조절하여, 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260) 사이에 구비된 제1 실드층(SL1)의 일부를 남길 수 있다.

한편, 제1 뱅크(240)는 건식 식각 공정에서 제1 포토 레지스트 패턴(PR1) 및 제1 실드층(SL1)에 의하여 보호될 수 있다. 반면, 제2 뱅크(250) 및 제3 뱅크(260)는 건식 식각 공정에서 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)에 의해 덮이지 않고 있어, 제1 실드층(SL1)이 제거되면서 일부 손상 또는 제거될 수 있다.

이에 따라, 제1 뱅크(240)는 건식 식각 공정 전과 건식 식각 공정 후 간에 높이 차이가 발생하지 않는다. 즉, 제1 뱅크(240)는 제4 높이(H4)를 가질 수 있다. 반면, 제2 뱅크(250)는 건식 식각 공정 전에 제4 높이(H4) 보다 큰 제5 높이(H5)를 가질 수 있으나, 건식 식각 공정 후에 제4 높이(H4)와 동일한 높이를 가질 수 있다. 제3 뱅크(260)는 건식 식각 공정 전에 제6 높이(H6)를 가질 수 있으나, 건식 식각 공정 후에 제6 높이(H6) 보다 작은 제7 높이(H7)를 가질 수 있다.

그리고 나서, 제1 포토 레지스트 패턴(PR1)을 제거한다.

다음, 제2 유기 발광층(320)을 패턴 형성한다.

먼저, 도 19f와 같이 제2 유기 발광층(320)을 이루는 제2 발광물질층(321)을 전면 증착한다. 제2 발광물질층(321)은 제2 정공 주입층(HIL)을 이루는 물질층, 제2 정공 수송층(HTL)을 이루는 물질층, 제2 색 광을 방출하는 제2 발광층(EML)을 이루는 물질층 및 제2 정공 차단층(HBL)을 이루는 물질층을 포함할 수 있다.

다음, 도 19g와 같이 제2 발광물질층(321) 상에 제2 실드층(SL2)을 도포한다. 그리고 나서, 제2 실드층(SL2) 상에 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)을 형성한다. 이때, 제2 포토 레지스터 패턴(PR2)은 제2 서브 화소(P2)가 형성될 위치에 형성될 수 있다.

다음, 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)에 의해 덮이지 않은 제2 실드층(SL2) 및 제2 발광물질층(321)을 건식 식각하여 도 19h와 같이 제2 실드 패턴(SLP2) 및 제2 유기 발광층(320)을 형성하고, 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)을 제거한다.

한편, 제1 뱅크(240)는 건식 식각 공정에서 제1 실드 패턴(SLP1)에 의하여 보호될 수 있으며, 제2 뱅크(250)는 건식 식각 공정에서 제2 포토 레지스트 패턴(PR2) 및 제2 실드층(SL2)에 의하여 보호될 수 있다. 반면, 제3 뱅크(260)는 건식 식각 공정에서 제2 포토 레지스트 패턴(PR2)에 의해 덮이지 않고 있어, 제2 실드층(SL2)이 제거되면서 일부 손상 또는 제거될 수 있다.

이에 따라, 제1 뱅크(240) 및 제2 뱅크(250)는 건식 식각 공정 전과 건식 식각 공정 후 간에 높이 차이가 발생하지 않는다. 즉, 제1 뱅크(240) 및 제2 뱅크(250)는 제4 높이(H4)를 가질 수 있다. 반면, 제3 뱅크(260)는 제4 높이(H4) 보다 큰 제7 높이(H7)를 가질 수 있으나, 건식 식각 공정 후에 제4 높이(H4)와 동일한 높이를 가질 수 있다.

결과적으로, 제1, 제2 및 제3 뱅크(240, 250, 260)는 모두 동일한 높이를 가질 수 있다.

다음, 제3 유기 발광층(330)을 패턴 형성한다.

먼저, 도 19i와 같이 제3 유기 발광층(330)을 이루는 제3 발광물질층(331)을 전면 증착한다. 제3 발광물질층(331)은 제3 정공 주입층(HIL)을 이루는 물질층, 제3 정공 수송층(HTL)을 이루는 물질층, 제3 색 광을 방출하는 제3 발광층(EML)을 이루는 물질층 및 제3 정공 차단층(HBL)을 이루는 물질층을 포함할 수 있다.

다음, 도 19j와 같이 제3 발광물질층(331) 상에 제3 실드층(SL3)을 도포한다. 그리고 나서, 제3 실드층(SL3) 상에 제3 포토 레지스트 패턴(PR3)을 형성한다. 이때, 제3 포토 레지스터 패턴(PR3)은 제3 서브 화소(P3)가 형성될 위치에 형성될 수 있다.

다음, 제3 포토 레지스트 패턴(PR3)에 의해 덮이지 않은 제3 실드층(SL3) 및 제3 발광물질층(331)을 건식 식각하여 도 19k와 같이 제3 실드 패턴(SLP3) 및 제3 유기 발광층(330)을 형성하고, 제3 포토 레지스트 패턴(PR3)을 제거한다.

그리고 나서, 도 19l과 같이 제1 실드 패턴(SLP1), 제2 실드 패턴(SLP2) 및 제3 실드 패턴(SLP3)을 제거한다.

다음, 공통층(340)을 형성한다.

구체적으로, 도 19m과 같이 제1 유기 발광층(310), 제2 유기 발광층(320) 및 제3 유기 발광층(330) 상에 공통층(340)을 형성한다. 공통층(340)은 전자 수송층(ETL) 및 전자 주입층(EIL)을 포함할 수 있다.

다음, 제2 전극(400)을 형성한다.

구체적으로, 도 19n과 같이 공통층(340) 상에 제2 전극(400)을 형성한다. 제2 전극(400)은 스퍼터링법(Puttering)과 같은 물리적 기상 증착법(physics vapor deposition)으로 형성될 수 있다.

다음, 봉지막(500)을 형성한다.

구체적으로, 도 19o와 같이 제2 전극(400) 상에 봉지막(500)을 형성한다. 그리고 나서, 제1 기판(111)과 제2 기판(112)을 합착한다.

도 20a내지 도 20c는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시장치에 관한 것으로서, 이는 헤드 장착형 표시(HMD) 장치에 관한 것이다. 도 20a는 개략적인 사시도이고, 도 20b는 VR(Virtual Reality) 구조의 개략적인 평면도이고, 도 20c는 AR(Augmented Reality) 구조의 개략적인 단면도이다.

도 20a에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 헤드 장착형 표시 장치는 수납 케이스(10), 및 헤드 장착 밴드(30)를 포함하여 이루어진다.

수납 케이스(10)는 그 내부에 표시 장치, 렌즈 어레이, 및 접안 렌즈 등의 구성을 수납하고 있다.

헤드 장착 밴드(30)는 수납 케이스(10)에 고정된다. 헤드 장착밴드(30)는 사용자의 머리 상면과 양 측면들을 둘러쌀 수 있도록 형성된 것을 예시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 헤드 장착 밴드(30)는 사용자의 머리에 헤드 장착형 디스플레이를 고정하기 위한 것으로, 안경테 형태 또는 헬멧 형태의 구조물로 대체될 수 있다.

도 20b에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 VR(Virtual Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)를 포함하여 이루어진다.

좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11), 렌즈 어레이(13), 및 좌안 접안 렌즈(20a)와 우안 접안 렌즈(20b)는 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.

좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11)는 동일한 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 2D 영상을 시청할 수 있다. 또는, 좌안용 표시 장치(12)는 좌안 영상을 표시하고 우안용 표시장치(11)는 우안 영상을 표시할 수 있으며, 이 경우 사용자는 입체 영상을 시청할 수 있다. 좌안용 표시 장치(12)와 우안용 표시 장치(11) 각각은 전술한 도 1 내지 도 16에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 16에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 봉지막(500)이 상기 렌즈 어레이(13)와 마주하게 된다.

렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시 장치(12) 각각과 이격되면서 좌안 접안 렌즈(20a)와 좌안용 표시 장치(12) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)의 전방 및 좌안용 표시 장치(12)의 후방에 위치할 수 있다. 또한, 렌즈 어레이(13)는 우안 접안 렌즈(20b)와 우안용 표시 장치(11) 각각과 이격되면서 우안 접안 렌즈(20b)와 우안용 표시 장치(11) 사이에 구비될 수 있다. 즉, 렌즈 어레이(13)는 우안 접안 렌즈(20b)의 전방 및 우안용 표시 장치(11)의 후방에 위치할 수 있다.

렌즈 어레이(13)는 마이크로 렌즈 어레이(Micro Lens Array)일 수 있다. 렌즈 어레이(13)는 핀홀 어레이(Pin Hole Array)로 대체될 수 있다. 렌즈 어레이(13)로 인해 좌안용 표시장치(12) 또는 우안용 표시장치(11)에 표시되는 영상은 사용자에게 확대되어 보일 수 있다.

좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안(LE)이 위치하고, 우안 접안 렌즈(20b)에는 사용자의 우안(RE)이 위치할 수 있다.

도 20c에서 알 수 있듯이, 본 발명에 따른 AR(Augmented Reality) 구조의 헤드 장착형 표시 장치는 좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)을 포함하여 이루어진다. 도 20c에는 편의상 좌안쪽 구성만을 도시하였으며, 우안쪽 구성도 좌안쪽 구성과 동일하다.

좌안용 표시 장치(12), 렌즈 어레이(13), 좌안 접안 렌즈(20a), 투과 반사부(14), 및 투과창(15)은 전술한 수납 케이스(10)에 수납된다.

좌안용 표시 장치(12)는 투과창(15)을 가리지 않으면서 투과 반사부(14)의 일측, 예로서 상측에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 좌안용 표시 장치(12)가 투과창(15)을 통해 보이는 외부 배경을 가리지 않으면서 투과 반사부(14)에 영상을 제공할 수 있다.

좌안용 표시 장치(12)는 전술한 도 1 내지 도 16에 따른 표시 장치로 이루어질 수 있다. 이때, 도 1 내지 도 16에서 화상이 표시되는 면에 해당하는 상측 부분, 예로서 봉지막(500)이 투과 반사부(14)와 마주하게 된다.

렌즈 어레이(13)는 좌안 접안 렌즈(20a)와 투과반사부(14) 사이에 구비될 수 있다.

좌안 접안 렌즈(20a)에는 사용자의 좌안이 위치한다.

투과 반사부(14)는 렌즈 어레이(13)와 투과창(15) 사이에 배치된다. 투과 반사부(14)는 광의 일부를 투과시키고, 광의 다른 일부를 반사시키는 반사면(14a)을 포함할 수 있다. 반사면(14a)은 좌안용 표시 장치(12)에 표시된 영상이 렌즈 어레이(13)로 진행하도록 형성된다. 따라서, 사용자는 투과층(15)을 통해서 외부의 배경과 좌안용 표시 장치(12)에 의해 표시되는 영상을 모두 볼 수 있다. 즉, 사용자는 현실의 배경과 가상의 영상을 겹쳐 하나의 영상으로 볼수 있으므로, 증강현실(Augmented Reality, AR)이 구현될 수 있다.

투과층(15)은 투과 반사부(14)의 전방에 배치되어 있다.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형 실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 청구 범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

111: 제1 기판 TFT: 구동 박막 트랜지스터
120: 절연층 200: 제1 전극
300: 유기 발광층 400: 제2 전극
240: 제1 뱅크 250: 제2 뱅크
260: 제3 뱅크 500: 봉지막
112: 제2 기판

Claims

기판;
상기 기판 상에서 제1 서브 화소 및 상기 제1 서브 화소에 인접하게 배치된 제2 서브 화소 각각에 구비된 제1 전극;
상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 전극의 가장자리를 덮는 제1 뱅크;
상기 제2 서브 화소에 구비된 제1 전극의 가장자리를 덮는 제2 뱅크;
상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 전극 및 상기 제1 뱅크 상에 구비된 제1 발광층;
상기 제2 서브 화소에 구비된 제1 전극 및 상기 제2 뱅크 상에 구비된 제2 발광층; 및
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 상에 구비된 제2 전극을 포함하고,
상기 제1 뱅크는 상면, 상기 상면의 일단에서 상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 전극의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함하고,
상기 제2 뱅크는 상면, 상기 상면의 일단에서 상기 제2 서브 화소에 구비된 제1 전극의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함하고,
상기 제1 뱅크의 제2 측면은 상기 제1 뱅크의 제1 측면 보다 테이퍼 각도가 크며, 상기 제2 뱅크의 제2 측면은 상기 제2 뱅크의 제1 측면 보다 테이퍼 각도가 큰, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 뱅크의 제2 측면에 구비된 제1 발광층은 상기 제1 뱅크의 제1 측면에 구비된 제1 발광층 보다 두께가 작으며,
상기 제2 뱅크의 제2 측면에 구비된 제2 발광층은 상기 제2 뱅크의 제1 측면에 구비된 제2 발광층 보다 두께가 작은, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 뱅크의 제2 측면 및 상기 제2 뱅크의 제2 측면은 테이퍼 각도가 70도와 같거나 크고 90도 보다 작은, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 상기 제1 뱅크의 제2 측면 또는 상기 제2 뱅크의 제2 측면 상에서 중첩되는 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 뱅크 및 상기 제2 뱅크 사이에 구비된 절연 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
제5항에 있어서,
상기 절연 패턴은 상기 제1 뱅크 및 상기 제2 뱅크 보다 높이가 작은, 표시 장치.
제5항에 있어서,
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층은 상기 제1 뱅크 및 상기 제2 뱅크 사이에서 상기 절연 패턴을 사이에 두고 중첩되는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 뱅크와 상기 제2 뱅크는 높이가 상이한, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 발광층은 상기 제1 뱅크의 상면, 제1 측면 및 제2 측면과 상기 제2 뱅크의 제2 측면의 일부 상에 구비되고,
상기 제1 뱅크 및 상기 제2 뱅크 사이에서 상기 제1 발광층 상에 구비된 절연 패턴을 더 포함하는, 표시 장치.
제9항에 있어서,
상기 제2 발광층은 상기 제2 뱅크의 상면, 제1 측면 및 제2 측면과 상기 절연 패턴 상에 구비되는, 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 제2 발광층은 상기 제2 뱅크의 제2 측면에서 상기 제1 발광층이 구비되지 않은 나머지 일부 상에 구비되는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제2 서브 화소에 인접하게 배치된 제3 서브 화소에 더 형성되고,
상기 제3 서브 화소에 구비된 제1 전극의 가장자리를 덮는 제3 뱅크; 및
상기 제3 서브 화소에 구비된 제1 전극 및 상기 제3 뱅크 상에 구비된 제3 발광층을 더 포함하는, 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 제1 뱅크, 상기 제2 뱅크 및 상기 제3 뱅크는 높이가 상이한, 표시 장치.
제12항에 있어서,
상기 제3 뱅크는 상면, 상기 상면의 일단에서 상기 제3 서브 화소에 구비된 제1 전극의 상면까지 연결된 제1 측면, 및 상기 제1 측면과 마주보는 제2 측면을 포함하고,
상기 제1 발광층은 상기 제2 뱅크의 제2 측면의 일부 및 상기 제3 뱅크의 제2 측면의 일부 상에 구비되는, 표시 장치.
제14항에 있어서,
상기 제2 뱅크 및 상기 제3 뱅크 사이에서 상기 제1 발광층 상에 구비된 절연 패턴을 더 포함하고,
상기 제3 발광층 및 상기 제1 발광층은 상기 제2 뱅크 및 상기 제3 뱅크 사이에서 상기 절연 패턴을 사이에 두고 중첩되는, 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 서브 화소에 구비된 제1 전극과 상기 제1 발광층 사이에 구비된 제1 정공 수송층;
상기 제2 서브 화소에 구비된 제1 전극과 상기 제2 발광층 사이에 구비된 제2 정공 수송층; 및
상기 제1 발광층 및 상기 제2 발광층 상에 구비된 전자 수송층을 더 포함하는, 표시 장치.