TWI567969B - 有機發光顯示裝置 - Google Patents
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Description
本申請案主張先前於2011年11月29日向韓國智慧財產局所提出申請案，申請案號第10-2011-0126274號之效益，其揭露完整納入此處作為參考。
實施例係關於一種有機發光顯示裝置。
一般而言，有機發光顯示裝置係藉由陽極與陰極所射出之電洞與電子於發光層再結合時發光以顯示顏色。有機發光顯示器具有將發光層插入作為陽極之像素電極與作為陰極之相對電極間之堆疊結構。
有機發光顯示裝置之單元像素包含結合以顯示所需顏色之紅、綠及藍次像素。更詳細而言，各次像素具有將用以發紅、綠及藍光之發光層設置於兩電極間之結構，且單元像素藉適當地結合紅、綠及藍光顯示顏色。
同時，目前，於許多情況中，於共振結構中形成次像素以增進有機發光裝置之光萃取效率(light extraction efficiency)。即，共振結構
引發於兩電極間之光之建設性干涉(constructive interference)，其係藉將陽極與陰極之其中一個形成為半透明電極(translucent electrode)以顯示影像，並將另一個形成全反射電極，從而可自各次像素萃取大幅增強之光。
然而，若使用強共振結構，雖然光萃取效率增加了，卻可能使視角特性退化。舉例而言，若使用強共振結構，根據視角可能會產生顯著之亮度減少及色偏移。
從而，為了實現具高可靠性之產品，需要可增進光萃取效率並滿足維持視角特性之新穎結構。
一或多個實施例可提供包含次像素之有機發光顯示裝置，各次像素包含：第一電極及第二電極，第二電極延伸於第一電極上；及設置於第一電極與第二電極間之中間層，該中間層包含發光層，其中第一電極之第一部分、第二電極之第一部分、及中間層之第一部分延伸於第一共振區域內，第一共振區域被配置以引發由第一電極與第二電極間之發光層產生之光的第一共振，且第一電極之第二部分、第二電極之第二部分、及中間層之第二部分延伸於第二共振區域內，第二共振區域被配置以引發由第一電極與第二電極間之發光層產生之光的第二共振，第二共振區域中之第二共振強於第一共振區域中之第一共振。
有機發光顯示裝置可更包含鏡面層以共振第一電極與第二電極間之光，鏡面層包含位於第一共振區域之第一部分與位於第二共振區域之第二部分，鏡面層之第二部分厚於鏡面層之第一部分。鏡面層可包含介電質鏡面層，介電質鏡面層之第一部分延伸於第一共振區域內，且介電質鏡面層之第二部分延伸於第二共振區域內。介電質鏡面層可包
含矽氧化物(SiOX)與矽氮化物(SiNX)之交錯堆疊層，且介電質鏡面層之第二部分可包含較介電質鏡面層之第一部分大之堆疊層數。
鏡面層可包含介電質鏡面層，介電質鏡面層之第一部分延伸於第一共振區域內，且介電質鏡面層之第二部分延伸於第二共振區域內；以及金屬鏡面層，其僅延伸於第二共振區域內。金屬鏡面層可包含銀(Ag)層，且介電質鏡面層可包含矽氧化物與矽氮化物之交錯堆疊層。
中間層可更包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、及電子傳輸層以分別注入與傳輸電洞與電子至發光層。第一共振區域中之電洞傳輸層之一部分之厚度可與第二共振區域中之電洞傳輸層之一部分之厚度不同，以便於調整第一電極與第二電極間之光之共振。
一或多個實施例可提供包含複數個單元像素之有機發光顯示裝置，各單元像素包含用以發出不同顏色光之次像素，該複數個單元像素包含用以引發第一共振之第一共振單元像素、及用以引發第二共振之第二共振單元像素，第二共振單元像素中之第二共振強於第一共振單元像素中之第一共振。各次像素可包含第一電極與第二電極，第二電極延伸於第一電極上；設置於第一電極與第二電極間之中間層，該中間層包含發光層；以及用以使自第一電極與第二電極間之發光層所產生之光共振之鏡面層，該鏡面層包含位於第一共振單元像素中之第一部分、與位於第二共振單元像素中之第二部分，其中鏡面層之第二部分厚於鏡面層之第一部分。
鏡面層可包含介電質鏡面層，介電質鏡面層之第一部分係於第一共振單元像素中，且介電質鏡面層之第二部分係於第二共振單元像素中。介電質鏡面層可包含矽氧化物(SiOX)與矽氮化物(SiNX)之交錯堆疊層，且介電質鏡面層之第二部分包含較介電質鏡面層之第一部分大
之堆疊層數。鏡面層可包含介電質鏡面層，介電質鏡面層之第一部分係於第一共振單元像素之次像素中，且介電質鏡面層之第二部分係於第二共振單元像素之次像素中；以及金屬鏡面層，其僅形成於第二共振單元像素之次像素中。金屬鏡面層可包含銀(Ag)層，且介電質鏡面層可包含矽氧化物與矽氮化物之交錯堆疊層。中間層可更包含電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、及電子傳輸層以分別注入與傳輸電洞與電子至發光層。第一共振單元像素之次像素中之電洞傳輸層之一部分的厚度可與第二共振單元像素之次像素中之電洞傳輸層之一部分的厚度不同，以便於調整第一電極與第二電極間之光之共振。
101、201‧‧‧弱共振區域
102、202‧‧‧強共振區域
110‧‧‧絕緣基板
210、310‧‧‧基板
120、220、320、420‧‧‧鏡面層
121、123、126、221、321、323、326、421‧‧‧矽氮化物層
122、124、125、222、322、324、325、422‧‧‧矽氧化物層
127‧‧‧接觸孔
130、230、330、430‧‧‧第一電極
140、240、340、440‧‧‧中間層
141、241、341、441‧‧‧電洞注入層
142、242、342、442‧‧‧電洞傳輸層
143、243、343、443‧‧‧發光層
144、244、344、444‧‧‧電子傳輸層
145、245、345、445‧‧‧電子注入層
150、250、350、450‧‧‧第二電極
160、260、360、460‧‧‧像素定義層
121‧‧‧掃描訊號線
171‧‧‧資料線
172‧‧‧驅動電壓線
223、423‧‧‧銀層
224、424‧‧‧氧化銦錫層
301、401‧‧‧弱共振單元像素
302、402‧‧‧強共振單元像素
370、470‧‧‧間隙調節電極
Cst‧‧‧儲存電容
ILD‧‧‧輸出電流
LD‧‧‧有機發光元件
PX‧‧‧次像素
Qs‧‧‧開關電晶體
Qd‧‧‧驅動電晶體
T1‧‧‧控制端
T2、T4‧‧‧輸入端
T3‧‧‧輸出端
T5‧‧‧輸出端
Vss‧‧‧共通電壓線
R‧‧‧紅色次像素
G‧‧‧綠色次像素
B‧‧‧藍色次像素
本實施例之上述與其他之特徵與優點藉參照附圖而詳細描述例示性實施例以變的更加顯而易知，其中：第1圖 係繪示根據一實施例之有機發光顯示裝置之次像素之剖面圖；第2圖 係繪示於第1圖中所描繪之次像素之等效電路圖；第3圖 係繪示根據另一實施例修改自第1圖之次像素之剖面圖；第4圖 係繪示根據一實施例之有機發光顯示裝置之單元像素之剖面圖；以及第5圖 係繪示根據另一實施例修改自第4圖之單元像素之剖面圖。
下文中將藉參照附圖解釋實施例以詳盡描述實施例。
第1圖係描繪根據一實施例之用以形成有機發光顯示裝置之單元像素的次像素之剖面圖。第2圖係繪示於第1圖中所描繪之次像素之等效電路圖。單元像素可包含例如紅色次像素R、綠色次像素G、及藍色次像素B之三色次像素。第1圖繪示一個次像素。其他兩次像素皆可具有如第1圖中所繪示之結構。另外，於有機發光顯示裝置中，各具有三色次像素之單元像素可重複地排列於行及列之方向。
參照第2圖，複數條訊號線(121、171及172)可被連接至次像素PX。
訊號線可包含用以傳輸閘訊號(或掃描訊號)之掃瞄訊號線121、用以傳輸資料訊號之資料線171、以及用以傳輸驅動電壓之驅動電壓線172。
次像素PX可包含開關電晶體Qs、驅動電晶體Qd、儲存電容Cst、以及有機發光元件LD。
開關電晶體Qs可包含控制端T1、輸入端T2、及輸出端T3，其中控制端T1被連接至掃瞄訊號線121，輸入端T2被連接至資料線171，且輸出端T3被連接至驅動電晶體Qd。開關電晶體Qs可對應接收自掃瞄訊號線121之掃描訊號而傳輸接收自資料線171之資料訊號至驅動電晶體Qd。
驅動電晶體Qd可包含控制端(即，開關電晶體Qs之輸出端T3)、輸入端T4、及輸出端T5，其中控制端被連接至開關電晶體Qs、
輸入端T4被連接至驅動電壓線172，且輸出端T5被連接至有機發光元件LD。開關電晶體Qs之輸出端T3可作為驅動電晶體Qd之控制端。驅動電晶體Qd可提供根據施加於控制端與輸出端T5間之電壓而改變大小之輸出電流ILD。
儲存電容Cst可被連接於驅動電晶體Qd之控制端與輸入端T4間。儲存電容Cst可負載提供至驅動電晶體Qd之控制端之資料訊號並甚至於開關電晶體Qs關閉後保留資料訊號。
有機發光元件LD可包含連接至驅動電晶體Qd之輸出端T5之像素電極(下文中表示為第一電極)、連接至共通電壓線Vss之相對電極(下文中表示為第二電極)、及設置於第一電極與第二電極間，並因施加於第一電極與第二電極間之電壓而發光之發光層。
有機發光元件LD之詳細結構將參照第1圖描述之。
參照第1圖，首先，驅動電晶體Qd可形成於以透明玻璃或塑膠形成之絕緣基板110上。雖然未示於第1圖，繪示於第2圖中之開關電晶體Qs及訊號線(121、171及172)亦可形成於絕緣基板110上。
鏡面層(mirrior layer)120可為形成於驅動電晶體Qd上之介電質鏡面層(dielectric mirror layer)。第一電極130可經由形成於鏡面層120上之接觸孔127連接至驅動電晶體Qd。
包含發光層143之中間層140與第二電極150可依序堆疊於第一電極130上，且可更形成用以防止溼氣及氧氣滲入之密封層(圖未示)於第二電極150上。舉例而言，第二電極150可延伸於第一電極130上。參考符號160係指像素定義層。
鏡面層120可反射產生自發光層143之光以使其於第一電極130與第二電極150間共振。鏡面層120可將各次像素劃分為弱共振區域101與強共振區域102。舉例而言，於第1圖中，次像素之左側區域可為弱共振區域101，且次像素之右側區域可為強共振區域102。鏡面層120之第一部分可於弱共振區域101中，且鏡面層120之第二部分可於強共振區域102中。鏡面層120之第一部分可具有矽氧化物(SiOX)層125與矽氮化物(SiNX)層126堆疊之雙層結構，例如，矽氮化物(SiNX)層126可被堆疊於矽氧化物(SiOX)層125上。鏡面層120之第二部分可具有矽氮化物層121及123與矽氧化物層122及124交錯堆疊之四層結構。另外，弱共振區域101之矽氧化物層125與矽氮化物層126可延伸至強共振區域102。因此，鏡面層120之第二部分(於強共振區域102中)可具有六層結構。舉例而言，鏡面層120之第二部分(於強共振區域102中)可包含較鏡面層120之第一部分(於弱共振區域101中)大之堆疊層數。
相較於具有相對少之堆疊層之鏡面層120，具有相對大之堆疊層數之鏡面層120可使產生自第一電極130與第二電極150間之發光層143之光更強地共振。從而，鏡面層120包含較大之堆疊層數之強共振區域102，可引發強於弱共振區域101之共振。因此，強共振區域102可具有較弱共振區域101高之光萃取效率。相較於強共振區域102，包含相對弱之共振的弱共振區域101可能具有相對低之光萃取效率，但相對大之視角。舉例而言，強共振區域102可增進光萃取效率且弱共振區域101可確保足夠之視角。
另外，根據本實施例，除了鏡面層120，中間層140(包含發光層143)亦可被構成以劃分次像素為弱共振區域101與強共振區域102。於中間層140中，電洞注入層141與電洞傳輸層142(用以分別注
入與傳輸電洞至發光層143)、發光層143、電子傳輸層144與電子注入層145(用以分別注入與傳輸電子至發光層143)，根據弱共振區域101與強共振區域102具有不同厚度。電洞傳輸層142之厚度，具體而言，可於弱共振區域101與強共振區域102間顯著變化。舉例而言，弱共振區域101中之電洞傳輸層142可具有明顯大於強共振區域102中之電洞傳輸層142之厚度。一般而言，共振可引發光之建設性干涉。由發光層143產生之光可於第一電極130與第二電極150間之一定間距有效率地造成建設性干涉。從而，若間距被調整，共振可被強或弱地引發。於本實施例中，次像素亦可藉依據弱共振區域101與強共振區域102變化厚度之電洞傳輸層142劃分為弱共振區域101與強共振區域102。
由一個次像素之發光層143產生之光可根據弱共振區域101與強共振區域102而以不同之強度放出。舉例而言，強共振區域102可放出具相對高光萃取效率之光，且弱共振區域101可放出具相對低光萃取效率但確保足夠之視角之光。於是，自弱共振區域101放出之光與自強共振區域102放出之光可於一個次像素中混合。藉由混合弱共振光與強共振光可達到光萃取效率與視角特性皆被增進之效果。
自強共振區域102放出之光因為強共振而具有增進之強度與方向性。從而，可增進光萃取效率。然而，因為高度之方向性，縱然於視角輕微地偏離螢幕中心時，光之亮度等級與色座標可能有大幅之改變。另一方面，弱共振區域101不增進光萃取效率但可具較強共振區域102佳之視角特性。因此，相較於僅包含弱共振區域101之次像素可達到增進光萃取效率之功效，而相較於僅包含強共振區域102之次像素時可達成較佳之視角特性之功效。
從而，若使用根據本實施例之有機發光顯示裝置，光萃取效率與視角特性皆可被增進。
於上述實施例中雖然弱共振區域101與強共振區域102具有相似之尺寸，於某些案例中，弱共振區域101與強共振區域102可被不對稱的形成以強調單一效果。根據某些實施例，為了最大化光萃取效率，強共振區域102可具有大於弱共振區域101之尺寸。根據某些實施例，為了最大化視角特性，弱共振區域101可具有大於強共振區域102之尺寸。
第3圖係繪示根據其他實施例修改自第1圖之次像素之剖面圖。
根據本實施例之次像素(描繪於第3圖)亦包含弱共振區域201與強共振區域202。
舉例而言，如繪示於第1圖之次像素，第3圖中之次像素具有將鏡面層220、第一電極230、中間層240、及第二電極250依序堆疊於基板210上之結構，且於強共振區域202之鏡面層220相對厚於弱共振區域201之鏡面層220。
然而，於本實施例中，強共振區域202之鏡面層220可更包含金屬鏡面層(223與224)，而弱共振區域201之鏡面層220可能不包含。弱共振區域201之鏡面層220可被形成具有矽氮化物層221與矽氧化物層222堆疊之兩層結構之介電質鏡面層。強共振區域202之鏡面層220可更包含依序堆疊於第一電極230上(形成於介電質鏡面層上)之包含銀(Ag)層223與氧化銦錫(ITO)層224之金屬鏡面層。因為上述之增強結構，相較於弱共振區域201，強共振區域202可引發更增強之共振
且可進而增進光萃取效率。窄視角的問題可藉由弱共振區域201彌補如上關於第1圖之描述。
中間層240可如上述之前實施例(繪示於第1圖)而構成。舉例而言，於中間層240中，電洞注入層241、電洞傳輸層242、發光層243、電子傳輸層244、與電子注入層245可根據弱共振區域201與強共振區域202而具有不同厚度，使得強共振區域202引發強共振。電洞傳輸層242之厚度，具體而言，可於弱共振區域201與強共振區域202間顯著變化。舉例而言，弱共振區域201中之電洞傳輸層242可具有明顯大於強共振區域202中之電洞傳輸層242之厚度。有機發光顯示裝置可更包含像素定義層260。
根據本實施例之有機發光顯示裝置可達成光萃取效率與視角特性皆被增進之效果。
雖然一個次像素可被劃分為強共振區域與弱共振區域，如上所述，上述之原理亦可被應用於下述之單元像素。
第4圖係繪示根據一實施例之有機發光顯示裝置之單元像素之剖面圖。繪示於第1圖之次像素結構係整合入繪示於第4圖之單元像素中。
一般而言，像素，即單元像素，包含三色(紅、綠及藍)次像素。於第4圖中，弱共振單元像素301與強共振單元像素302可被交錯排列。於一平面上，弱共振單元像素301與強共振單元像素302可於行及列之方向交錯排列。
於弱共振單元像素301中，位於基板310上之鏡面層320具有矽氧化物層325與矽氮化物層326堆疊之雙層結構。然而，於強共振單元像素302中，鏡面層320具六層結構，其中包含雙層結構(325與
326)與矽氮化物層321與323及矽氧化物層322及324交錯堆疊之四層結構。可更提供像素定義層360與間隙調節電極370。間隙調節電極370可調節第一電極330與第二電極350間之間隙以符合各次像素之共振條件。
於比較弱共振單元像素301與強共振單元像素302中之同色次像素時，第一電極330與第二電極350間之中間層340可具有稍微不同之結構。於中間層340之電洞注入層341、電洞傳輸層342、發光層343、電子傳輸層344、與電子注入層345中，具體而言，於比較弱共振單元像素301與強共振單元像素302中之同色次像素時，電洞傳輸層342可具有不同厚度。從而，如上關於第1圖之描述，強共振單元像素302可引發強於弱共振單元像素301之共振。
從而，自弱共振單元像素301與強共振單元像素302所放之光可被混合。藉由混合弱共振光與強共振光可達成光萃取效率與視角特性皆被增進之效果。
第5圖係繪示根據另一實施例之單元像素之剖面圖。繪示於第3圖之次像素結構被整合入第5圖之單元像素中。
各包含三色(紅、綠及藍)次像素之弱共振單元像素401與強共振單元像素402可被交錯排列。於一平面上，弱共振單元像素401與強共振單元像素402可於行及列之方向交錯排列。
弱共振單元像素401之鏡面層420可被形成具有矽氮化物層421與矽氧化物層422堆疊之兩層結構的介電質鏡面層。強共振單元像素402之鏡面層420可更包含依序堆疊於第一電極430上(形成於介電質鏡面層上)之包含銀層423與氧化銦錫層424之金屬鏡面層。因為上述之增強結構，相較於弱共振區域401，強共振區域402可引發更增強之
共振。從而可增進光萃取效率。窄視角的問題可如上述關於第1圖之描述，被弱共振區域401彌補。
於比較弱共振單元像素401與強共振單元像素402中之同色次像素時，第一電極430與第二電極450間之中間層440可具有稍微不同之結構。於中間層440之電洞注入層441、電洞傳輸層442、發光層443、電子傳輸層444、與電子注入層445中，具體而言，於比較弱共振單元像素401與強共振單元像素402中之同色次像素時，電洞傳輸層442可具有不同厚度。從而，如上關於第3圖之描述，強共振單元像素402可引發較強之共振。
亦可提供像素定義層460與間隙調節電極470。間隙調節電極470可調節第一電極430與第二電極450間之間隙以符合各次像素之共振條件。
從而，自弱共振單元像素401與強共振單元像素402所放之光可被混合。藉由混合弱共振光與強共振光可達成光萃取效率與視角特性皆被增進之效果。
如上所述，因為根據一實施例之有機發光顯示裝置可包含強共振結構與弱共振結構，故光萃取效率與視角特性皆可被增進。從而，藉由使用有機發光顯示裝置可實現具高可靠性之產品。
當實施例已參照例示性實施例而被具體顯示及描述時，將被習知技藝者了解的是，於不超出下述申請專利範圍所定義之本發明之精神與範圍下可進行各種形式與細節上之改變。
101‧‧‧弱共振區域
102‧‧‧強共振區域
110‧‧‧絕緣基板
120‧‧‧鏡面層
121、123、126‧‧‧矽氮化物層
122、124、125‧‧‧矽氧化物層
127‧‧‧接觸孔
130‧‧‧第一電極
140‧‧‧中間層
141‧‧‧電洞注入層
142‧‧‧電洞傳輸層
143‧‧‧發光層
144‧‧‧電子傳輸層
145‧‧‧電子注入層
150‧‧‧第二電極
160‧‧‧像素定義層
Qd‧‧‧驅動電晶體
Claims (16)
- 一種包含複數個次像素之有機發光顯示裝置，該複數個次像素之每一個包含：一第一電極與一第二電極，該第二電極延伸於該第一電極上；以及一中間層，其係設置於該第一電極與該第二電極間，該中間層包含一發光層，其中：該第一電極之一第一部分、該第二電極之一第一部分、及該中間層之一第一部分延伸於一第一共振區域內，該第一共振區域被配置以引發由該第一電極與該第二電極間之該發光層產生之光的一第一共振，且該第一電極之一第二部分、該第二電極之一第二部分、及該中間層之一第二部分延伸於一第二共振區域內，該第二共振區域被配置以引發由該第一電極與該第二電極間之該發光層產生之光的一第二共振，其中該第二共振區域之該第二共振強於該第一共振區域中之該第一共振；其中，該第一共振區域及該第二共振區域為不對稱形成以具有不同的尺寸。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，更包含用以共振該第一電極與該第二電極間之光之一鏡面層，該鏡面層包含位於該第一共振區域之一第一部分與位於該第二共振區域之一第二部分，該鏡面層之該第二部分厚於該鏡面層之該第一部 分。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該鏡面層包含一介電質鏡面層，該介電質鏡面層之一第一部分延伸於該第一共振區域內，且該介電質鏡面層之一第二部分延伸於該第二共振區域內。
- 如申請專利範圍第3項所述之有機發光顯示裝置，其中：該介電質鏡面層包含矽氧化物(SiOX)與矽氮化物(SiNX)之交錯堆疊層，且該介電質鏡面層之該第二部分包含較該介電質鏡面層之該第一部分大之一堆疊層數。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示裝置，其中該鏡面層包含：一介電質鏡面層，該介電質鏡面層之一第一部分延伸於該第一共振區域內，且該介電質鏡面層之一第二部分延伸於該第二共振區域內；以及一金屬鏡面層，其僅延伸於該第二共振區域內。
- 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示裝置，其中：該金屬鏡面層包含一銀(Ag)層，且該介電質鏡面層包含矽氧化物與矽氮化物之交錯堆疊層。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示裝置，其中該中間層更包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子注入層、及一電子傳輸層以分別注入與傳輸電洞與電子至該發光層。
- 如申請專利範圍第7項所述之有機發光顯示裝置，其中該第一共振區域中之該電洞傳輸層之一部分的厚度與該第二共振區域中之該電洞傳輸層之一部分的厚度不同，以便於調整該第一電極與該第二電極間之光之共振。
- 一種包含複數個單元像素之有機發光顯示裝置，各該複數個單元像素包含用以發出不同顏色光之複數個次像素，該複數個單元像素包含：用以引發一第一共振之多個第一共振單元像素，以及用以引發一第二共振之多個第二共振單元像素，其中該些第二共振單元像素中之該第二共振強於該些第一共振單元像素中之該第一共振；其中該些第一共振單元像素及該些第二共振單元像素為不對稱形成以具有不同的尺寸。
- 如申請專利範圍第9項所述之有機發光顯示裝置，其中該些次像素中之每一個包含：一第一電極與一第二電極，該第二電極延伸於該第一電極上；一中間層，其係設置於該第一電極與該第二電極間，該中間層包含一發光層；以及一鏡面層，其係用以共振自該第一電極與該第二電極間之該發光層所產生之光，該鏡面層包含位於該些第一共振單元像素中之一第一部分與位於該些第二共振單元像素中之一第二部分， 其中該鏡面層之該第二部分厚於該鏡面層之該第一部分。
- 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，其中該鏡面層包含一介電質鏡面層，該介電質鏡面層之一第一部分係於該些第一共振單元像素中，且該介電質鏡面層之一第二部分係於該些第二共振單元像素中。
- 如申請專利範圍第11項所述之有機發光顯示裝置，其中：該介電質鏡面層包含矽氧化物(SiOX)與矽氮化物(SiNX)之交錯堆疊層，且該介電質鏡面層之該第二部分包含較該介電質鏡面層之該第一部分大之一堆疊層數。
- 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，其中該鏡面層包含：一介電質鏡面層，該介電質鏡面層之一第一部分係於該些第一共振單元像素之該複數個次像素中，且該介電質鏡面層之一第二部分係於該些第二共振單元像素之該複數個次像素中；以及一金屬鏡面層，其僅形成於該些第二共振單元像素之該些次像素中。
- 如申請專利範圍第13項所述之有機發光顯示裝置，其中：該金屬鏡面層包含一銀(Ag)層，且該介電質鏡面層包含矽氧化物與矽氮化物之交錯堆疊層。
- 如申請專利範圍第10項所述之有機發光顯示裝置，其中該中間層更包含一電洞注入層、一電洞傳輸層、一電子注入層、及 一電子傳輸層以分別注入與傳輸電洞與電子至該發光層。
- 如申請專利範圍第15項所述之有機發光顯示裝置，其中該些第一共振單元像素之該複數個次像素中之該電洞傳輸層之一部分的厚度與該些第二共振單元像素之該複數個次像素中之該電洞傳輸層之一部分的厚度不同，以便於調整該第一電極與該第二電極間之光之共振。
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