CN112952021A - 显示面板及显示装置 - Google Patents
显示面板及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112952021A CN112952021A CN202110181264.1A CN202110181264A CN112952021A CN 112952021 A CN112952021 A CN 112952021A CN 202110181264 A CN202110181264 A CN 202110181264A CN 112952021 A CN112952021 A CN 112952021A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- electrode layer
- display panel
- auxiliary
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 16
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 2-Methylquinolin-8-ol Chemical compound C1=CC=C(O)C2=NC(C)=CC=C21 NBYLBWHHTUWMER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 4- (9, 10-bis (naphthalene-2-yl) anthracen-2-yl) phenyl Chemical group 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJWBRYKOJMOBHH-UHFFFAOYSA-N 9,9-dimethyl-n-[4-(9-phenylcarbazol-3-yl)phenyl]-n-(4-phenylphenyl)fluoren-2-amine Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC=CC=C3C2=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C(C=C1)=CC=C1C1=CC=CC=C1 GJWBRYKOJMOBHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- MESMXXUBQDBBSR-UHFFFAOYSA-N n,9-diphenyl-n-[4-[4-(n-(9-phenylcarbazol-3-yl)anilino)phenyl]phenyl]carbazol-3-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3=CC=CC=C3N(C=3C=CC=CC=3)C2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4=CC=CC=C4N(C=4C=CC=CC=4)C3=CC=2)C=C1 MESMXXUBQDBBSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 3-[3-[3,5-bis(3-pyridin-3-ylphenyl)phenyl]phenyl]pyridine Chemical compound C1=CN=CC(C=2C=C(C=CC=2)C=2C=C(C=C(C=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2C=NC=CC=2)=C1 CINYXYWQPZSTOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKMQPXRLLCWFES-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=CC=CC=C2C=2C=C(C=CC12)C1=C(C=CC(=C1)N)C1=CC=C(C=C1)N Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=CC=CC=C2C=2C=C(C=CC12)C1=C(C=CC(=C1)N)C1=CC=C(C=C1)N AKMQPXRLLCWFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
- H10K59/65—OLEDs integrated with inorganic image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明公开了一种显示面板及显示装置,显示面板包括第一显示区和第二显示区,第一显示区的透光率大于第二显示区的透光率,在第一显示区内,显示面板包括像素区和位于像素区之间的透光区,显示面板包括:发光单元层;辅助层,包括至少一个辅助部,辅助部位于对应的透光区内;第一电极层,设置于发光单元层和辅助层上;其中,辅助部包括平台部和位于平台部边缘的边缘部,第一电极层覆盖发光单元层和至少部分边缘部,位于边缘部上的第一电极层的厚度小于位于发光单元层上的第一电极层的厚度。本发明保减小了透光区边界处的阴极段差,减弱了透光区边界处亮度不均的现象,提高了显示面板的亮度均一性。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
在现有屏下摄像显示技术(Camera Under Panel,CUP)中,显示面板包括既用于显示又用于拍摄的第一显示区和仅用于显示的第二显示区,为了提高摄像头的拍摄效果,通常将第一显示区内透光区的阴极去除掉以提高该区域内显示面板的透光率。
然而,由于透光区和透光区以外的区域之间明显的阴极厚度差异,使得透光区的边界处出现明显的阴极段差,从而造成透光区的边界处出现明显的亮度不均现象,降低了显示面板亮度均一性。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,可以缓解透光区边界处亮度不均的现象,提高显示面板的亮度均一性。
本发明实施例提供一种显示面板,包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,在所述第一显示区内,所述显示面板包括像素区和位于所述像素区之间的透光区,所述显示面板包括:
发光单元层;
辅助层,包括至少一个辅助部,所述辅助部位于对应的所述透光区内;
第一电极层,设置于所述发光单元层和所述辅助层上;
其中,所述辅助部包括平台部和位于所述平台部边缘的边缘部,所述第一电极层覆盖所述发光单元层和至少部分所述边缘部,位于所述边缘部上的所述第一电极层的厚度小于位于所述发光单元层上的所述第一电极层的厚度。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一电极层在所述辅助层上的附着力小于所述第一电极层在所述发光单元层上的附着力。
可选的,在本发明的一些实施例中,位于所述辅助部上的所述第一电极层的厚度小于位于所述发光单元层上的所述第一电极层的厚度。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一电极层在所述辅助层上的附着力随所述辅助层厚度增大而逐渐减小。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述第一电极层的厚度在所述边缘部上沿所述边缘部厚度增大的方向逐渐减小。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述边缘部的厚度沿远离所述平台部的方向逐渐减小。
可选的,在本发明的一些实施例中,在所述辅助层上,所述第一电极层仅覆盖部分所述边缘部。
可选的,在本发明的一些实施例中,在所述辅助层上,所述第一电极层完全覆盖所述边缘部。
可选的,在本发明的一些实施例中,在所述辅助层上,所述第一电极层完全覆盖所述边缘部和所述平台部。
可选的,在本发明的一些实施例中,位于所述发光单元层上的所述第一电极层的厚度为100-150纳米。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述辅助部的边缘与相邻所述像素区的边缘之间的距离为2-5微米。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述边缘部在所述发光单元层上的投影的宽度为2-5微米。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述辅助层与所述发光单元层的接触角的大小为0-90度。
可选的,在本发明的一些实施例中,所述平台部的厚度小于或等于位于所述发光单元层上的所述第一电极层的厚度。
相应的,本发明实施例还提供一种显示装置,包括本发明任意一种实施例提供的显示面板。
本发明实施例提供一种显示面板及显示装置,所述显示面板包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,在所述第一显示区内,所述显示面板包括像素区和位于所述像素区之间的透光区,所述显示面板包括:发光单元层;辅助层,包括至少一个辅助部,所述辅助部位于对应的所述透光区内;第一电极层,设置于所述发光单元层和所述辅助层上;其中,所述辅助部包括平台部和位于所述平台部边缘的边缘部,所述第一电极层覆盖所述发光单元层和至少部分所述边缘部,位于所述边缘部上的所述第一电极层的厚度小于位于所述发光单元层上的所述第一电极层的厚度。本发明实施例通过在透光区内设置辅助部,第一电极层覆盖发光单元层和至少部分边缘部,且位于边缘部上的第一电极层的厚度小于位于发光单元层上的第一电极层的厚度,降低了透光区边界处的阴极段差,减弱了透光区的边界处亮度不均的现象,提高了显示面板亮度均一性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的显示面板的第一种平面结构示意图;
图2是本发明实施例提供的显示面板的第二种平面结构示意图;
图3是本发明实施例提供的显示面板的第一种剖面结构示意图;
图4是本发明实施例提供的显示面板的第二种剖面结构示意图;
图5是本发明实施例提供的显示面板的第三种剖面结构示意图;
图6是本发明实施例提供的显示面板的第四种剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。此外,应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。在本发明中,在未作相反说明的情况下,使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下,具体为附图中的图面方向;而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本发明实施例提供一种显示面板及其制备方法、显示装置,以提高显示面板的亮度均一性。以下分别进行详细说明。需说明的是,以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
在一种实施例中,请参照图1至图6,图1示出了本发明实施例提供的显示面板的第一种平面结构示意图;图2示出了本发明实施例提供的显示面板的第二种平面结构示意图,具体为本发明实施例提供的显示面板的第一显示区的局部平面结构示意图;图3示出了本发明实施例提供的显示面板的第一种剖面结构示意图,具体为本发明实施例提供的显示面板的第一显示区的局剖面结构示意图,即图2中沿aa线的剖面结构示意图;图4示出了本发明实施例提供的显示面板的第二种剖面结构示意图,具体为图3中bb区域的第一种局部放大示意图;图5示出了本发明实施例提供的显示面板的第三种剖面结构示意图,具体为图3中bb区域的第二种局部放大示意图;图6示出了本发明实施例提供的显示面板的第四种剖面结构示意图,具体为图3中bb区域的第三种局部放大示意图。如图所示,本发明实施例提供的显示面板10包括第一显示区11和第二显示区12,第一显示区11的透光率大于第二显示区12的透光率,在第一显示区11内,显示面板10包括像素区AA和位于像素区之间的透光区TA。显示面板10包括发光单元层170、辅助层180和第一电极层190,辅助层180包括至少一个辅助部180,辅助部180位于对应的透光区TA内,第一电极层190设置于发光单元层170和辅助层180上;其中,辅助部180包括平台部181和位于平台部181边缘的边缘部182,第一电极层190覆盖发光单元层170和至少部分边缘部182,位于边缘部182上的第一电极层190的厚度小于位于发光单元层170上的第一电极层190的厚度。
本发明实施例提供一种显示面板,该显示面板通过在透光区内设置辅助部,第一电极层覆盖发光单元层和至少部分边缘部,且位于边缘部上的第一电极层的厚度小于位于发光单元层上的第一电极层的厚度,降低了透光区边界处的阴极段差,减弱了透光区的边界处亮度不均的现象,提高了显示面板亮度均一性。
下面将以具体的实施例结合附图对本发明实施例提供的显示面板作进一步的解释说明,下述实施例仅在于对本发明提供的显示面板进行举例说明,不在于限制本发明提供的显示面板,任何符合本发明发明构思的显示面板均在本发明保护的范围之内。
在一种实施例中,如图3所示,本发明实施例提供的显示面板具体包括阵列基板、第二电极层150、像素定义层160、发光单元层170、辅助层180和第一电极层190。
阵列基板又包括从下到上依次设置的衬底110、半导体有源层121、第一绝缘层131、第一栅极层122、第二绝缘层132、第二栅极层123、第三绝缘层133、源漏极层124和平坦化层140。其中,衬底111可以是刚性衬底或者柔性衬底,刚性衬底一般为玻璃衬底,柔性衬底通常包括第一有机衬底、无机衬底、以及第二无机衬底。半导体有源层121图案化形成薄膜晶体管的有源区,半导体有源层121的材料可以是氧化物半导体材料,也可以是多晶硅材料或单晶硅材料。第一栅极层122图案化形成薄膜晶体管的第一栅极,第二栅极层123图案化形成薄膜晶体管的第二栅极。源漏极层124图案化形成薄膜晶体管的源极和漏极。薄膜晶体管以及信号线共同构成显示面板10的驱动电路,用于驱动发光单元层170进行发光显示。第一绝缘层131设置于半导体有源层121和第一栅极层122之间,第二绝缘层132设置于第一栅极层122和第二栅极层123之间,第三绝缘层133设置于第二栅极层123和源漏极层124之间,第一绝缘层131、第二绝缘层132和第三绝缘层133分别用于隔绝与其相邻的两导电层。平坦化层140用于平坦化阵列基板,为平坦化层140上的第二电极层150的制备提供平坦的基底,平坦化层140的材料一般为有机物。
第二电极层150形成于阵列基板上,图案化形成彼此间隔设置且相互独立的第二电极150,第二电极150位于显示面板10的像素区AA内。
像素定义层160形成于第二电极层150上,图案化形成间隔设置的开口,开口位于像素区AA内对应于第二电极150且露出第二电极150。
发光单元层170形成于第二电极层150和像素定义层160上,发光单元层170包括第一发光单元层171、第二发光单元层172和第三发光单元层173。当第一电极层190为公共电极层且第二电极层150为像素电极层时,第一发光单元层171为空穴传输层且第三发光单元层173为电子传输层;当第一电极层190为像素电极层且第二电极层150为公共电极层时,第一发光单元层171为电子传输层且第三发光单元层173为空穴传输层;本发明实施例以当第一电极层190为公共电极层且第二电极层150为像素电极层为例。空穴传输层为具备高的空穴迁移率、高的热稳定性和良好的电子和激子阻挡能力的材料。空穴传输层的材料一般为2TNATA、NPB、TAPC中的一种或几种。电子传输层为具备高的电子迁移率、高的热稳定性和良好的空穴和激子阻挡能力的材料,电子传输层的材料为TPBi、BPhen、TmPyPB中的一种或几种。第二发光单元层172为发光材料层,包括红光发光材料层、绿光发光材料层和蓝光发光材料层,用于发射对应的像素颜色,如图2所示,像素包括红色像素R、绿色像素G和蓝色像素B。在本发明实施例中,像素的结构可以是如图2所示的结构,也可以是本领域所熟知的其他结构,在此不做限定。为了能够提高电子和空穴注入发光材料层的效率,第一发光单元层171进一步还可以是空穴传输层和空穴注入层的复合膜层,空穴注入层位于空穴传输层和发光材料层之间;第三发光单元层173进一步还可以是电子传输层和电子注入层的复合膜层,电子注入层位于电子传输层和发光材料层之间。第一发光单元层171为整层设置,覆盖像素区AA和透光区TA,沉积于像素定义层160上覆盖像素定义层160的开口且与第二电极150接触;第二发光单元层172设置于像素区AA内,沉积于第一发光单元层171上且对应于与其对应的第二电极150;第三发光单元层173为整层设置,覆盖像素区AA和透光区TA,沉积于第一发光单元层171和第二发光单元层172上。
辅助层180设置于第三发光单元层173上,图案化形成相互间隔且彼此独立的辅助部180,辅助部180位于对应的透光区TA内,辅助部180的边缘与像素定义层160开口之间的距离L1为2-5微米,辅助部180在衬底110上的投影与第二电极150在衬底上的投影不存在重叠。辅助部180包括位于辅助部180中间的平台部181和位于平台部181边缘的边缘部182,边缘部182的厚度沿远离平台部181的方向逐渐减小,边缘部182在第三发光单元层173上的投影的宽度L2为2-5微米,辅助层180与第三发光单元层173的接触角α的大小为0-90度。如图4至6中所示,在一种实施例中,辅助部180的侧边为连接辅助部180上顶面和下底面的直线,辅助部180的剖面是的规则的梯形结构;在其他的实施例中,辅助部180的侧边也可以是连接辅助部180上顶面和下底面的曲线、弧线或折线等结构,即辅助部180的形状为不规则的结构,在本发明实施例提供的显示面板中,所有满足边缘部182的厚度沿远离平台部181的方向逐渐减小的辅助部180结构都是本发明保护的技术范围。在本发明实施例提供的显示面板中,辅助层180的材料为透明的防附着材料,具体为与第一电极层190附着力弱、表面能不匹配的材料,包括但不限于N,N'-二苯基-N,N'-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺或4,4'-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(对苯基苯酚)合铝)、TAZ(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)。
第一电极层190设置于第三发光单元层173和辅助层180上且覆盖第三发光单元层173,第一电极层190为非透明电极层,具有反射第三发光单元层172发射出的光线的作用,同时具有阻挡外界光线透过透光区TA进入显示面板10的作用。在一种实施例中,第一电极层190为公共电极层,可由具有低逸出功的金属制成,包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)或钙(Ca),优选的,第一电极层190为镁或镁合金金属层。
如图4至图6所示,由于辅助层180的材料为防附着材料,防附着材料与第一电极层190的材料表面能不匹配,而第三发光单元层173的材料为非防附着材料,与第一电极层190的材料表面能相匹配,这样,第一电极层190在辅助层180上的附着力小于第一电极层190在第三发光单元层173上的附着力,因此位于辅助层180上的第一电极层190的厚度小于位于第三发光单元层173上的第一电极层190的厚度。又由于第一电极层190在辅助层180上的附着力随着辅助层180厚度增大而逐渐减小,且当辅助层180的厚度达到一定值d时,第一电极层190在辅助层180上的附着力达到极限值,第一电极层190将无法在辅助层180上附着,即在厚度大于d的辅助层180上无第一电极层180设置,因此第一电极层190至少覆盖部分辅助层180的边缘部182,且第一电极层190的厚度在边缘部182上沿所边缘部180厚度增大的方向逐渐减小,位于边缘部182上的第一电极层190的厚度与第三发光单元层173上第一电极层190的厚度相同。这使得第一电极层190的厚度在透光区TA的边界处平缓过度,极大的降低了透光区TA边界处的阴极段差,减弱了透光区TA的边界处亮度不均的现象,提高了显示面板亮度均一性。
综上可知,通过控制辅助层180的厚度可以控制第一电极层190在辅助层180上的沉积厚度,从而实现对第一电极层190相应部分的去除或对第一电极层190进行薄化处理。在本发明实施例中,位于第三发光单元层173上的第一电极层190的厚度为100-150纳米,辅助层180的平台部181的厚度小于或等于位于第三发光单元层173上的第一电极层190的厚度。
在一种实施例中,如图4所示,辅助层180的厚度D大于d,第一电极层190覆盖部分辅助层180的边缘部182。由于边缘部182的厚度沿靠近平台部181的方向上逐渐增大,第一电极层190在边缘部182上的附着力沿靠近平台部181的方向上逐渐减小,因此第一电极层190的厚度在边缘部182上沿靠近平台部181的方向逐渐减小;当边缘部182的厚度增大到d时,第一电极层190在边缘部182上的附着力减小到极限值,第一电极层190无法在厚度大于d的边缘部182和厚度为D的平台部181上附着,第一电极层190的厚度减小为0,使得第一电极层190仅覆盖边缘部182厚度小于等于d的部分,边缘部182厚度大于d的部分和平台部181无第一电极层190附着。这样,由于边缘部182厚度大于d的部分和平台部181无第一电极层190附着,使得该部分对应的透光区TA内无第一电极层190设置,减小了透光区TA内金属反射电极对外界光线的阻挡,提高了透光区TA的透光率;由于边缘部182厚度小于等于d的部分附着第一电极层190,使得透光区TA内保留有一定的金属反射电极,可以反射第三发光单元层172发射出的光线,减小透光区TA的亮度,减小了第一显示区和第二显示区的亮度差异,提高了显示面板的亮度均一性;另外,由于第一电极层190的厚度在边缘部182上沿靠近平台部181的方向逐渐减小,且位于辅助层180边缘的第一电极层190的厚度与第三发光单元层173上第一电极层190的厚度相同,使得第一电极层190的厚度在透光区TA的边界处平缓过度,且透光区TA内第一电极层190的厚度沿远离像素区AA的方向上逐渐减小,进而使得显示面板的透光率在透光区TA的边界处平缓过度且在远离像素区AA的方向上逐渐增大,第一电极层190对第三发光单元层173发射光线的阻挡强度在透光区TA的边界处平缓过度且在远离像素区AA的方向上逐渐降低,进一步提高了显示面板的亮度均一性。
在另一种实施例中,如图5所示,辅助层180的厚度D等于d,第一电极层190完全覆盖辅助层180的边缘部182且未覆盖辅助层180的平台部181。边缘部182的厚度沿靠近平台部181的方向上逐渐增大,第一电极层190在边缘部182上的附着力沿靠近平台部181的方向上逐渐减小,第一电极层190的厚度在边缘部182上沿靠近平台部181的方向逐渐减小,当边缘部182的厚度增大到d时,第一电极层190的厚度减小为0,使得第一电极层190仅覆盖边缘部182而未覆盖平台部181。同样的,平台部181上无第一电极层190覆盖,提高了透光区TA的透光率;边缘部182上覆盖第一电极层190,第一电极层190反射第三发光单元层172发射出的光线,减小透光区TA的亮度,减小了第一显示区和第二显示区的亮度差异,提高了显示面板的亮度均一性;第一电极层190的厚度在边缘部182上沿靠近平台部181的方向逐渐减小,且位于辅助层180边缘的第一电极层190的厚度与第三发光单元层173上第一电极层190的厚度相同,使得显示面板的透光率在透光区TA的边界处平缓过度且在远离像素区AA的方向上逐渐增大,第一电极层190对第三发光单元层173发射光线的阻挡强度在透光区TA的边界处平缓过度且在远离像素区AA的方向上逐渐降低,进一步提高了显示面板的亮度均一性。
在又一种实施例中,如图6所示,辅助层180的厚度D小于d,第一电极层190完全覆盖辅助层180的边缘部182和平台部181。边缘部182的厚度沿靠近平台部181的方向上逐渐增大,第一电极层190在边缘部182上的附着力沿靠近平台部181的方向上逐渐减小,第一电极层190的厚度在边缘部182上沿靠近平台部181的方向逐渐减小;当边缘部182的厚度增大到D时,由于D小于d,第一电极层190可以继续在厚度为D的辅助部180上附着,因此,第一电极层190完全覆盖边缘部182和平台部181,且覆盖平台部181的第一电极层190的厚度小于覆盖边缘部182的厚度。这样,平台部181和边缘部182上设置厚度减薄的第一电极层190,提高了透光区TA的透光率;第一电极层190覆盖平台部181和边缘部182,反射第三发光单元层172发射出的光线,进一步减小透光区TA的亮度,减小了第一显示区和第二显示区的亮度差异,提高了显示面板的亮度均一性;第一电极层190的厚度在边缘部182上沿靠近平台部181的方向逐渐减小,且位于辅助层180边缘的第一电极层190的厚度与第三发光单元层173上第一电极层190的厚度相同,使得显示面板的透光率在透光区TA的边界处平缓过度且在远离像素区AA的方向上逐渐增大,第一电极层190对第三发光单元层173发射光线的阻挡强度在透光区TA的边界处平缓过度且在远离像素区AA的方向上逐渐降低,在保证显示面板透光率的前提下,进一步提高了显示面板的亮度均一性。
本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法,用于制备本发明任意一种实施例提供的显示面板,该制备方法包括:
S1、制备发光单元层。
具体的,在像素定义层上蒸镀第一发光单元层,第一发光单元层为整层设置,覆盖像素区和透光区,沉积于像素定义层上覆盖像素定义层且与第二电极接触,第一发光单元层为空穴传输层或空穴传输层和空穴注入层的复合膜层,空穴传输层位于空穴注入层和第二电极层之间;在像素区AA内第一发光单元层上蒸镀第二发光单元层,第二发光单元层对应于其所在像素区被的第二电极,第二发光单元层为发光材料层,包括红光发光材料层、绿光发光材料层和蓝光发光材料层;在第一发光单元层和第二发光单元层上蒸镀第三发光单元层,第三发光单元层为整层设置,覆盖像素区和透光区,第三发光单元层为电子传输层或电子传输层和电子注入层的复合膜层,电子注入层位于电子传输层和发光材料层之间。
S2、在透光区内制备辅助层,其中,辅助层包括至少一个辅助部,辅助部包括平台部和位于平台部边缘的边缘部。
具体的,采用一套精细掩膜版在第三发光单元层上制备辅助层,形成相互间隔且彼此独立的辅助部,辅助部位于对应的透光区内,辅助部的边缘与像素定义层开口之间的距离为2-5微米。辅助部包括位于辅助部中间的平台部和位于平台部边缘的边缘部,边缘部的厚度沿远离平台部的方向逐渐减小,边缘部在第三发光单元层上的投影的宽度为2-5微米,辅助层与第三发光单元层的接触角的大小为0-90度。其中,辅助层的材料为透明的防附着材料,具体为与第一电极层附着力弱、表面能不匹配的材料,包括但不限于N,N'-二苯基-N,N'-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4,4'-二胺、N-(联苯-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺、2-(4-(9,10-二(萘-2-基)蒽-2-基)苯基)-1-苯基-1H-苯并-[D]咪唑、4,4',4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺或4,4'-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉)-4-(对苯基苯酚)合铝)、TAZ(3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑)。
S3、在发光单元层和辅助层上制备第一电极层,其中,第一电极层覆盖发光单元层和至少部分边缘部,位于边缘部上的第一电极层的厚度小于位于发光单元层上的第一电极层的厚度。
具体的,在第三发光单元层和辅助层上沉积第一电极层,第一电极层覆盖第三发光单元层和至少部分边缘部,第一电极层为非透明电极层,具有反射第三发光单元层发射出的光线的作用,同时具有阻挡外界光线透过透光区进入显示面板的作用。
由于辅助层的材料为防附着材料,防附着材料与第一电极层的材料表面能不匹配,而第三发光单元层的材料为非防附着材料,与第一电极层的材料表面能相匹配,这样,第一电极层在辅助层上的附着力小于第一电极层在第三发光单元层上的附着力,位于辅助层上的第一电极层的厚度小于位于第三发光单元层上的第一电极层的厚度。又由于第一电极层在辅助层上的附着力随着辅助层厚度增大而逐渐减小,且当辅助层的厚度达到一定值d时,第一电极层在辅助层上的附着力达到极限值,第一电极层将无法在辅助层上附着,即在厚度大于d的辅助层上无第一电极层设置,因此第一电极层至少覆盖部分辅助层的边缘部,且第一电极层的厚度在边缘部上沿所边缘部厚度增大的方向逐渐减小,位于辅助层边缘的第一电极层的厚度与第三发光单元层上第一电极层的厚度相同。这使得第一电极层的厚度在透光区的边界处平缓过度,极大的降低了透光区边界处的阴极段差,减弱了透光区的边界处亮度不均的现象,提高了显示面板亮度均一性。
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法,该制备方法通过在透光区内设置辅助部,在发光单元层和辅助部上设置第一电极层,第一电极层覆盖发光单元层和至少部分边缘部,且位于边缘部上的第一电极层的厚度小于位于发光单元层上的第一电极层的厚度,降低了透光区边界处的阴极段差,减弱了透光区的边界处亮度不均的现象,提高了显示面板亮度均一性。
在一种实施例中,本发明进一步提供一种显示装置,该显示装置包括本发明实施例提供的任意一种显示面板,具备本发明实施例提供的任意一种显示面板的技术特征和技术效果,具体实施方式及工作原理请参照上述具体实施例,在此不再赘述。
综上所述,本发明实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置,该显示面板通过在透光区内设置辅助部,第一电极层覆盖发光单元层和至少部分边缘部,且位于边缘部上的第一电极层的厚度小于位于发光单元层上的第一电极层的厚度,降低了透光区边界处的阴极段差,减弱了透光区的边界处亮度不均的现象,提高了显示面板亮度均一性。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (15)
1.一种显示面板,其特征在于,包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的透光率大于所述第二显示区的透光率,在所述第一显示区内,所述显示面板包括像素区和位于所述像素区之间的透光区,所述显示面板包括:
发光单元层;
辅助层,包括至少一个辅助部,所述辅助部位于对应的所述透光区内;
第一电极层,设置于所述发光单元层和所述辅助层上;
其中,所述辅助部包括平台部和位于所述平台部边缘的边缘部,所述第一电极层覆盖所述发光单元层和至少部分所述边缘部,位于所述边缘部上的所述第一电极层的厚度小于位于所述发光单元层上的所述第一电极层的厚度。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层在所述辅助层上的附着力小于所述第一电极层在所述发光单元层上的附着力。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,位于所述辅助部上的所述第一电极层的厚度小于位于所述发光单元层上的所述第一电极层的厚度。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层在所述辅助层上的附着力随所述辅助层厚度增大而逐渐减小。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层的厚度在所述边缘部上沿所述边缘部厚度增大的方向逐渐减小。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述边缘部的厚度沿远离所述平台部的方向逐渐减小。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,在所述辅助层上,所述第一电极层仅覆盖部分所述边缘部。
8.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,在所述辅助层上,所述第一电极层完全覆盖所述边缘部。
9.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,在所述辅助层上,所述第一电极层完全覆盖所述边缘部和所述平台部。
10.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,位于所述发光单元层上的所述第一电极层的厚度为100-150纳米。
11.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助部的边缘与相邻所述像素区的边缘之间的距离为2-5微米。
12.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述边缘部在所述发光单元层上的投影的宽度为2-5微米。
13.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述辅助部与所述发光单元层的接触角的大小为0-90度。
14.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述平台部的厚度小于或等于位于所述发光单元层上的所述第一电极层的厚度。
15.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至14任意一项所述的显示面板。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110181264.1A CN112952021B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 显示面板及显示装置 |
US17/285,105 US20240032381A1 (en) | 2021-02-09 | 2021-03-19 | Display panel and display device |
PCT/CN2021/081697 WO2022170660A1 (zh) | 2021-02-09 | 2021-03-19 | 显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110181264.1A CN112952021B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112952021A true CN112952021A (zh) | 2021-06-11 |
CN112952021B CN112952021B (zh) | 2022-08-05 |
Family
ID=76245227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110181264.1A Active CN112952021B (zh) | 2021-02-09 | 2021-02-09 | 显示面板及显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240032381A1 (zh) |
CN (1) | CN112952021B (zh) |
WO (1) | WO2022170660A1 (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113555395A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-10-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US11700747B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-07-11 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US11744101B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-08-29 | Oti Lumionics Inc. | Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition |
US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US11985841B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-05-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101488515A (zh) * | 2008-01-17 | 2009-07-22 | 统宝光电股份有限公司 | 有机发光显示器装置、模块及电子装置 |
CN103700685A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置 |
US20170010734A1 (en) * | 2014-11-28 | 2017-01-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel Structure, Transparent Touch Display Screen and Manufacturing Method Thereof, and Display Device |
EP3306697A1 (en) * | 2016-10-10 | 2018-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
WO2020134007A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、电子设备及显示面板的制作方法 |
CN111697029A (zh) * | 2019-03-12 | 2020-09-22 | 三星显示有限公司 | 显示装置及制造该显示装置的方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012014868A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sony Corp | 表示装置 |
KR101931176B1 (ko) * | 2012-06-11 | 2018-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR102117607B1 (ko) * | 2013-07-23 | 2020-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP5787015B2 (ja) * | 2013-09-02 | 2015-09-30 | 大日本印刷株式会社 | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 |
JP6685675B2 (ja) * | 2015-09-07 | 2020-04-22 | 株式会社Joled | 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 |
CN111029392A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-04-17 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制备方法和显示装置 |
CN111834432B (zh) * | 2020-07-16 | 2022-09-02 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
-
2021
- 2021-02-09 CN CN202110181264.1A patent/CN112952021B/zh active Active
- 2021-03-19 US US17/285,105 patent/US20240032381A1/en active Pending
- 2021-03-19 WO PCT/CN2021/081697 patent/WO2022170660A1/zh active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101488515A (zh) * | 2008-01-17 | 2009-07-22 | 统宝光电股份有限公司 | 有机发光显示器装置、模块及电子装置 |
CN103700685A (zh) * | 2013-12-12 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板、显示装置 |
US20170010734A1 (en) * | 2014-11-28 | 2017-01-12 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Pixel Structure, Transparent Touch Display Screen and Manufacturing Method Thereof, and Display Device |
EP3306697A1 (en) * | 2016-10-10 | 2018-04-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
WO2020134007A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、电子设备及显示面板的制作方法 |
CN111384284A (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、电子设备及显示面板的制作方法 |
CN111697029A (zh) * | 2019-03-12 | 2020-09-22 | 三星显示有限公司 | 显示装置及制造该显示装置的方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11700747B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-07-11 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US11832473B2 (en) | 2019-06-26 | 2023-11-28 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US12004383B2 (en) | 2019-06-26 | 2024-06-04 | Oti Lumionics Inc. | Optoelectronic device including light transmissive regions, with light diffraction characteristics |
US11744101B2 (en) | 2019-08-09 | 2023-08-29 | Oti Lumionics Inc. | Opto-electronic device including an auxiliary electrode and a partition |
US11985841B2 (en) | 2020-12-07 | 2024-05-14 | Oti Lumionics Inc. | Patterning a conductive deposited layer using a nucleation inhibiting coating and an underlying metallic coating |
CN113555395A (zh) * | 2021-07-07 | 2021-10-26 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN112952021B (zh) | 2022-08-05 |
WO2022170660A1 (zh) | 2022-08-18 |
US20240032381A1 (en) | 2024-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN113053978B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN112952021B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN112928147B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
US10644052B2 (en) | Display device with separation member including steps | |
CN107564937B (zh) | 有机发光显示装置 | |
US7495389B2 (en) | Organic light emitting element including auxiliary electrode, display device including the same and method for manufacturing the organic light emitting element | |
KR101407587B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
CN106711340B (zh) | 有机发光显示设备 | |
US20200358036A1 (en) | Display device and electronic apparatus | |
CN116997218A (zh) | 显示装置和电子设备 | |
KR20040017152A (ko) | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 | |
JP2004342432A (ja) | 有機el表示装置 | |
US11678526B2 (en) | Display device having an emitting area and a reflecting area | |
TW201017877A (en) | Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof | |
US9000426B2 (en) | Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same | |
KR20160017339A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
KR20050111152A (ko) | 양방향 유기 el 디스플레이 패널 및 그 제조 방법 | |
CN112447926A (zh) | 显示设备与电子装置 | |
KR20120002467A (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR20180078848A (ko) | 양면 발광형 백색 유기발광 표시장치 | |
WO2023100672A1 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
TWI811838B (zh) | 發光顯示裝置 | |
KR20220079173A (ko) | 전계발광 표시장치 | |
JP2024108116A (ja) | 発光表示装置及びその製造方法 | |
KR20230101124A (ko) | 디스플레이 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |