CN112531092A - 微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备 - Google Patents

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CN112531092A CN202011380724.5A CN202011380724A CN112531092A CN 112531092 A CN112531092 A CN 112531092A CN 202011380724 A CN202011380724 A CN 202011380724A CN 112531092 A CN112531092 A CN 112531092A
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Abstract

本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备。在该微型发光二极管显示面板的制作方法中，将制备有多个微型发光二极管晶粒的供体基板直接与第一基板的粘结层贴合，同时在各供体基板和微型发光二极管晶粒远离第一基板的一侧依次制备遮光层和驱动电路层，并使得各微型发光二极管晶粒与驱动电路层电连接，然后再将各微型发光二极管晶粒与供体基板剥离。相比于先将微型发光二极管晶粒与供体基板剥离、再转移微型发光二极管晶粒的过程，本申请实施例的方案，能够避免微型发光二极管晶粒与驱动电路层之间出现位置偏差的情况，能够提升微型发光二极管晶粒与驱动电路层之间的对位精度，从而提高转移精度以及转移效率。

Description

微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备。
背景技术
微型发光二极管(μLED、包括MiniLED和Micro LED)显示面板是新一代显示技术，相较于现有的显示面板而言，具有亮度更高、发光效率更好和功耗更低的优点。
目前，在微型发光二极管显示面板的制备过程中，在微型发光二极管晶粒制备完成后，需要将微型发光二极管晶粒与生长衬底分离，然后通过巨量转移技术将微型发光二极管晶粒转移至驱动基板上。现有的巨量转移过程中，由于微型发光二极管晶粒的尺寸小，微型发光二极管晶粒与驱动基板的预设安装位置容易出现偏差，同时，转移过程中，多个微型发光二极管晶粒之间为间距也容易出现变动，从而导致转移效率低，转移精度低的问题。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备，用以解决现有技术存在的微型发光二极管晶粒转移效率低或转移精度低的技术问题。
第一个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板的制作方法，包括：
在至少一个供体基板中的每个供体基板的一侧，制备多个微型发光二极管晶粒；
在第一基板的一侧制备粘结层；
将至少一个供体基板与粘结层相贴合，使得微型发光二极管晶粒位于供体基板远离粘结层的一侧；
在各供体基板和微型发光二极管晶粒远离第一基板的一侧制备遮光层；
在遮光层远离第一基板的一侧制备驱动电路层，使得各微型发光二极管晶粒与驱动电路层电连接；
将各微型发光二极管晶粒与供体基板剥离。
第二个方面，本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板，包括：
遮光层；
多个微型发光二极管晶粒，设置于遮光层的一侧；
驱动电路层，设置于遮光层远离各微型发光二极管晶粒的一侧，并与各微型发光二极管晶粒电连接。
第三个方面，本申请实施例提供了一种显示设备，包括上述第二方面所提供的微型发光二极管显示面板。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
在本申请实施例提供的微型发光二极管显示面板的制作方法中，将制备有多个微型发光二极管晶粒的供体基板直接与第一基板的粘结层贴合，同时在各供体基板和微型发光二极管晶粒远离第一基板的一侧依次制备遮光层和驱动电路层，并使得各微型发光二极管晶粒与驱动电路层电连接，然后再将各微型发光二极管晶粒与供体基板剥离。相比于先将微型发光二极管晶粒与供体基板剥离、再转移微型发光二极管晶粒的过程，利用本申请实施例的方案，能够避免微型发光二极管晶粒与驱动电路层之间出现位置偏差的情况，能够提升微型发光二极管晶粒与驱动电路层之间的对位精度，从而大大提高了转移精度以及转移效率。本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板制作方法的流程示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种微型发光二极管显示面板制作方法的流程示意图；
图3a-3g为本申请实施例提供的图2所示制作方法中制备得到的各微型发光二极管显示面板的中间结构的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的一种微型发光二极管显示面板的结构示意图。
附图标记说明：
100-供体基板；
110-微型发光二极管晶粒；111-微型发光二极管晶粒110的第一焊盘；112-微型发光二极管晶粒110的第二焊盘；
120-缓冲层；
130-遮光层；
140-驱动电路层；
150-透光封装层；
160-电路模组；161-柔性电路板；162-印制电路板；
200-第一基板；
210-粘结层。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”到另一元件时，它可以直接连接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
本申请的发明人进行研究发现，目前的巨量转移技术是在Micro/Mini LED(Micro/Mini Light Emitting Diode，微型发光二极管)晶粒制备完成后，利用激光剥离将Micro/Mini LED晶粒外延层与生长衬底(即供体基板)分离，再通过拾取等方式将Micro/Mini LED晶粒转移至驱动背板，这样的巨量转移技术及相应的Micro/Mini LED显示面板存在有如下问题点：Micro LED晶粒的Pad(焊盘)尺寸多在20微米以下，将如此小尺寸的MicroLED晶粒转移安装至驱动背板的预设安装位置，对驱动背板的制作精度及巨量转移精度要求很高，Micro LED晶粒批量转移困难，Micro LED显示面板的实际良率低；而且在巨量转移过程中，需要将Micro LED晶粒与驱动背板的驱动电路键合，在键合过程中需要使用Sn(锡)、In(铟)等传统显示面板制程不常用到金属材料，因此需要增加相应的设备资源，造成成本的增加；同时，巨量转移后，透光封装层与遮光层之间的界面容易出现不平整的情况，从而导致相邻Micro/Mini LED晶粒可能会出现串色问题。
本申请提供的微型发光二极管显示面板及制作方法、显示设备，旨在解决现有技术的如上技术问题。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板的制作方法，该制作方法的流程示意图如图1所示，包括步骤S101-S106：
S101，在至少一个供体基板100中的每个供体基板100的一侧，制备多个微型发光二极管晶粒110，之后执行步骤S103。
S102，在第一基板200的一侧制备粘结层210。
S103，将至少一个供体基板100与粘结层210相贴合，使得微型发光二极管晶粒110位于供体基板100远离粘结层210的一侧。
S104，在各供体基板100和微型发光二极管晶粒110远离第一基板200的一侧制备遮光层130。
S105，在遮光层130远离第一基板200的一侧制备驱动电路层140，使得各微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140电连接。
S106，将各微型发光二极管晶粒110与供体基板100剥离。
在本申请实施例提供的微型发光二极管显示面板的制作方法中，将制备有多个微型发光二极管晶粒110的供体基板100直接与第一基板200的粘结层210贴合，同时在各供体基板100和微型发光二极管晶粒110远离第一基板200的一侧依次制备遮光层130和驱动电路层140，并使得各微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140电连接，然后再将各微型发光二极管晶粒110与供体基板100剥离。相比于先将微型发光二极管晶粒110与供体基板100剥离、再转移微型发光二极管晶粒110的过程，利用本申请实施例的方案，能够避免微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140之间出现位置偏差的情况，能够提升微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140之间的对位精度，从而大大提高了转移精度以及转移效率。
本申请实施例中，先将制备有多个微型发光二极管晶粒110的供体基板100与第一基板200贴合，具体的，本申请实施例中是在第一基板200的一侧制备粘结层210，通过粘结层210实现供体基板100与第一基板200的贴合连接。然后，在供体基板100与第一基板200贴合后形成的过渡结构中，各供体基板100和微型发光二极管晶粒110远离第一基板200的一侧制备遮光层130，遮光层130起到隔离相邻微型发光二极管晶粒110的作用，防止相邻微型发光二极管晶粒110之间出现串色的问题，同时，遮光层130还可以粘结固定微型发光二极管晶粒110，防止后续剥离制程中，微型发光二极管晶粒110出现移动的问题，从而提高了转移精度和转移效率。
之后，在遮光层130远离第一基板200的一侧制备驱动电路层140，使得各微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140电连接，本申请实施例中，在制备驱动电路层140的同时，实现了制备驱动电路层140与微型发光二极管晶粒110电连接，避免了现有技术中需要单独将微型发光二极管晶粒110与提前制备好的驱动电路层140之间进行键合的作业，从而降低了生产成本，提高了转移效率。之后，将各微型发光二极管晶粒110与供体基板100剥离。
在一些可能的实施方式中，在遮光层130远离第一基板200的一侧制备驱动电路层140，使得各微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140电连接，具体包括：通过刻蚀工艺图案化遮光层130，在遮光层130的相应位置开孔使得各微型发光二极管晶粒110的第一焊盘111和第二焊盘112出露，然后制备驱动电路层140，使得各微型发光二极管晶粒110的第一焊盘111和第二焊盘112与驱动电路层140电连接，从而避免了现有现有技术中键合作业需要使用的Sn(锡)、In(铟)等金属材料，从而大大简化了微型发光二极管显示面板的生成流程和生产工艺，提高了生成效率，降低了生产成本。
在一些可能的实施方式中，图1提供的制作方法可以同时执行步骤S101和S102，以提高微型发光二极管显示面板的生产效率。然后，执行步骤S103，将供体基板100与第一基板200贴合后，再执行步骤S104-S106，完成遮光层130和驱动电路层140制备，并使得各微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140电连接，然后再将各微型发光二极管晶粒110与供体基板100剥离，由于供体基板100与第二基板200贴合连接，因此在剥离供体基板100的同时，第二基板200会随供体基板100一起脱落。
本申请实施例提供了另一种微型发光二极管显示面板的制作方法，该方法的流程示意图如图2所示，该方法包括步骤S201-S207：
S201，在至少一个供体基板100中的每个供体基板100的一侧，制备多个微型发光二极管晶粒110，且使得同一供体基板100中任意相邻两微型发光二极管晶粒110之间的间距符合第一设计尺寸，之后执行步骤S203。
经过上述步骤S201，可以制备得到如图3a所示的微型发光二极管显示面板的第一中间结构示意图。本申请实施例中，在后续剥离工艺中采用的是激光剥离工艺，因此，为了保障激光剥离工艺的顺利进行，供体基板100包括蓝宝石衬底。
可选地，在每个供体基板100的一侧制备阵列排布的多个微型发光二极管晶粒110，且使得同一供体基板100中任意相邻两微型发光二极管晶粒110之间的间距符合第一设计尺寸，第一设计尺寸与微型发光二极管显示面板的分辨率相关。
本申请实施例中，根据所要制备得到的微型发光二极管显示面板的分辨率的大小，来设置供体基板100中任意相邻两微型发光二极管晶粒110之间的间距，当微型发光二极管显示面板的分辨率越高，则第一设计尺寸的就越小，也就是供体基板100中任意相邻两微型发光二极管晶粒110之间的间距越小。当然，制备同一微型发光二极管显示面板的各个供体基板100中，可以设置每个供体基板100中任意相邻两微型发光二极管晶粒110之间的间距相同，也可以设置不同的供体基板100中任意相邻两微型发光二极管晶粒110之间的间距不同，本领域技术人员可以根据需要制作的微型发光二极管显示面板的具体应用场景来确定。
应当说明的是，每个供体基板100的尺寸大小既可以保持一致，也可以根据需求采用设置不同尺寸规格的供体基板100，例如，当需要制作异形微型发光二极管显示面板时，就需要采用多个不同尺寸规格的供体基板100，以拼接成异形微型发光二极管显示面板。其中，每个供体基板100的尺寸大小可以根据需要制作的微型发光二极管显示面板的尺寸规格来确定。
可选地，可以在一个衬底基板上制备多个微型发光二极管晶粒110，且使得同一供体基板100中任意相邻两微型发光二极管晶粒110之间的间距符合第一设计尺寸，然后通过切割的方式，将衬底基板切割成多个供体基板100。
S202，在第一基板200的一侧制备粘结层210。
经过上述步骤S202，可以制备得到如图3b所示的微型发光二极管显示面板的第二中间结构示意图。
可选地，本申请实施例中，在后续剥离工艺中采用的是激光剥离工艺，因此，为了保障激光剥离工艺的顺利进行，便于激光穿过第一基板200，作用到供体基板100与微型发光二极管晶粒110的连接部分，实现供体基板100与微型发光二极管晶粒110的剥离，第一基板200选用透明材质制成，本申请实施例中，第一基板200包括玻璃基板。
S203，将至少一个供体基板100与粘结层210相贴合，使得微型发光二极管晶粒110位于供体基板100远离粘结层210的一侧。
经过上述步骤S203，将图3a所示的微型发光二极管显示面板的第一中间结构和图3b所示的微型发光二极管显示面板的第二中间结构相贴合，可以制备得到如图3c所示的微型发光二极管显示面板的第三中间结构示意图。本申请实施例中，包括至少三个供体基板100，每个供体基板100上设置有至少三个微型发光二极管晶粒110，通过将至少三个供体基板100与第一基板200的粘结层210相贴合，使得各个微型发光二极管晶粒110均位于供体基板100远离粘结层210的一侧，从而便于后续工艺步骤的进行。
S204，在各供体基板100远离第一基板200一侧的未被微型发光二极管晶粒110覆盖的区域，制备缓冲层120。
可选地，在如图3c所示的微型发光二极管显示面板的第三中间结构的一侧制备缓冲层120。具体的，在微型发光二极管显示面板的第三中间结构中各供体基板100远离第一基板200一侧的未被微型发光二极管晶粒110覆盖的区域，制备缓冲层120。本申请实施例中，缓冲层120可采用氮化镓材质，氮化镓材质能够在激光的烧蚀作用下分解为氮气和金属镓，有利于实现后续激光剥离。
S205，在缓冲层120和微型发光二极管晶粒110远离第一基板200的一侧制备遮光层130，使得遮光层130覆盖微型发光二极管晶粒110。
经过上述步骤S204-S205，在如图3c所示的微型发光二极管显示面板的第三中间结构的一侧依次制备缓冲层120和遮光层130，并使得遮光层130覆盖微型发光二极管晶粒110和缓冲层120，得到如图3d所示的微型发光二极管显示面板的第四中间结构。
本申请实施例中，在图3d所示的微型发光二极管显示面板的第四中间结构中，缓冲层120设置于遮光层130与供体基板100之间，以便在后续激光剥离工艺中，氮化镓材质的缓冲层120在激光的烧蚀作用下分解为氮气和金属镓，有利于实现遮光层130与供体基板100的剥离。从而在激光剥离供体基板100与微型发光二极管晶粒110的过程中，有效避免激光烧蚀遮光层130，破坏遮光层130表面侧平整性，保障了透光封装层150与遮光层130之间的界面平整，防止了相邻微型发光二极管晶粒110出现串色的问题。
可选地，遮光层130为不透光材质，且为了固定微型发光二极管晶粒110，遮光层130还包括粘结胶材。
S206，在遮光层130远离第一基板200的一侧制备驱动电路层140，使得各微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140电连接。
经过上述步骤S206，在如图3d所示的微型发光二极管显示面板的第四中间结构中，遮光层130远离第一基板200的一侧制备驱动电路层140，得到如图3e所示的微型发光二极管显示面板的第五中间结构，且在微型发光二极管显示面板的第五中间结构使得各微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140电连接，具体的，通过刻蚀工艺图案化遮光层130，在遮光层130的相应位置开孔使得各微型发光二极管晶粒110的第一焊盘111和第二焊盘112出露，然后制备驱动电路层140，使得各微型发光二极管晶粒110的第一焊盘111和第二焊盘112与驱动电路层140电连接。驱动电路层140包括用于驱动各微型发光二极管晶粒110发光的驱动器件，例如：TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)或者μIC(微型控制电路)。
本申请实施例中，在制备驱动电路层140的同时，实现了制备驱动电路层140与各个微型发光二极管晶粒110的焊盘电连接，避免了现有技术中需要单独将微型发光二极管晶粒110与提前制备好的驱动电路层140之间进行键合的作业，提高了转移效率从，而降低了生产成本，提高了微型发光二极管显示面板的生产效率。
S207，将各微型发光二极管晶粒110与供体基板100剥离。
可选地，上述步骤S207中将各微型发光二极管晶粒110与供体基板100剥离，包括：对各微型发光二极管晶粒110与供体基板100的连接部分进行激光烧蚀，使各微型发光二极管晶粒110与供体基板100分离；对缓冲层120进行激光烧蚀，使遮光层130与供体基板100分离。经过上述步骤S207，通过激光剥离工艺处理如图3e所示的微型发光二极管显示面板的第五中间结构，得到如图3f所示的微型发光二极管显示面板的第六中间结构。
具体的，通过激光照射各微型发光二极管晶粒110与供体基板100的连接部分和缓冲层120，氮化镓材质的连接部分和氮化镓材质的缓冲层120在激光的烧蚀作用下分解为氮气和金属镓，从而实现各微型发光二极管晶粒110与供体基板100分以及遮光层130与供体基板100的剥离。本申请实施例中，由于供体基板100与微型发光二极管晶粒110和缓冲层120连接的一侧均需要激光照射，因此可以省去掩膜板的使用，进一步简化了微型发光二极管显示面板的制作方法流程，提高了生产效率，降低了生产成本。
可选地，激光剥离可使用型号为Excimer 248nm laser或266nm DPSS laser的激光设备。
S208，在遮光层130和各微型发光二极管晶粒110远离驱动电路层140的一侧，制备透光封装层150。
经过上述步骤S208，在如图3f所示的微型发光二极管显示面板的第六中间结构中，遮光层130和各微型发光二极管晶粒110远离驱动电路层140的一侧，制备透光封装层150，得到如图3g所示的微型发光二极管显示面板的第七中间结构。
可选地，本领域技术人员可以根据需要制备的微型发光二极管显示面板的应用场景，选择不同的透光封装层150，例如，亮面的透光封装层150、雾面的透光封装层150、带不同颜色的透光封装层150以及防蓝光的透光封装层150等。本申请实施例中，透光封装层150的材质包括光学胶、玻璃和柔性PI(Polyimide，聚酰亚胺)等。
S209，将电路模组160绑定在驱动电路层140远离各微型发光二极管晶粒110的一侧。
经过上述步骤S209，在如图3g所示的微型发光二极管显示面板的第七中间结构中，将电路模组160绑定在驱动电路层140远离各微型发光二极管晶粒110的一侧，得到如图4所示的微型发光二极管显示面板。
可选地，电路模组160包括柔性电路板161和印制电路板162。本申请实施例中，柔性电路板161具体为FPC(Flexible Printed Circuit，简称FPC)，印制电路板162具体为PCB(Printed Circuit Board，简称PCB)，印制电路板162为硬质电路板，可以起到直接支撑部分驱动电路层140的作用，印制电路板162通过柔性电路板161与驱动电路层140电连接，从而实现驱动信号的传输。
可选地，在上述任一种制备方法中，激光烧蚀至少满足以下条件中任一条件：激光烧蚀的激光照射频率为0.1Hz-1kHz(赫兹)，并且可以搭配相适应的工作循环或脉冲周期；激光烧蚀的环境气氛包括湿度低于5％的空气，例如CDA(即Cold Dry Air，冷干空气)；激光烧蚀的环境气氛中包括大于0.1摩尔浓度的雾化氯化氢，以利于移除氮化镓受激光作用而分解得到的金属镓，具体地，以CDA为载体，氯化氢为腐蚀性溶剂形成气溶胶悬浮于CDA中，将氮化镓分解得到的金属镓溶解并移除，这并可加速工艺，避免因为镓金属积累让工艺均匀度下降、或是剥离速率下降；激光烧蚀采用温度低于25℃的氮气进行冷却。
应当说明的是，为了便于了解区分微型发光二极管晶粒110，本申请实施例中，如图3a、图3c-图3g和图4所示，用虚线框示出微型发光二极管晶粒110。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种微型发光二极管显示面板，该微型发光二极管显示面板的结构示意图如图4所示，包括：
遮光层130；
多个微型发光二极管晶粒110，设置于遮光层130的一侧；
驱动电路层140，设置于遮光层130远离各微型发光二极管晶粒110的一侧，并与各微型发光二极管晶粒110电连接。
在本申请实施例中，微型发光二极管显示面板中的各个微型发光二极管晶粒110固定在遮光层130中，并与设置于遮光层130另一侧的驱动电路层140电连接。
在本申请的一个实施例中，微型发光二极管显示面板，还包括：透光封装层150，设置于遮光层130和各微型发光二极管晶粒110远离驱动电路层140的一侧。
可选地，本领域技术人员可以根据具体应用场景，选择不同的透光封装层150，例如，亮面的透光封装层150、雾面的透光封装层150、带不同颜色的透光封装层150以及防蓝光的透光封装层150等。本申请实施例中，透光封装层150的材质包括光学胶、玻璃和柔性PI(Polyimide，聚酰亚胺)等。
在本申请的一个实施例中，微型发光二极管显示面板，还包括：电路模组160，绑定于驱动电路层140远离遮光层130的一侧。
可选地，本申请实施例中，电路模组160包括柔性电路板161和印制电路板162。印制电路板162为硬质电路板，可以起到直接支撑部分驱动电路层140的作用，印制电路板162通过柔性电路板161与驱动电路层140电连接，从而实现驱动信号的传输。
基于同一发明构思，本申请实施例提供了一种显示设备，包括上述各个实施例所提供的微型发光二极管显示面板。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
在本申请实施例提供的微型发光二极管显示面板的制作方法中，将制备有多个微型发光二极管晶粒110的供体基板100直接与第一基板200的粘结层210贴合，同时在各供体基板100和微型发光二极管晶粒110远离第一基板200的一侧依次制备遮光层130和驱动电路层140，并使得各微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140电连接，然后再将各微型发光二极管晶粒110与供体基板100剥离。相比于先将微型发光二极管晶粒110与供体基板100剥离、再转移微型发光二极管晶粒110的过程，利用本申请实施例的方案，能够避免微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140之间出现位置偏差的情况，能够提升微型发光二极管晶粒110与驱动电路层140之间的对位精度，从而大大提高了转移精度以及转移效率。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在至少一个供体基板中的每个所述供体基板的一侧，制备多个微型发光二极管晶粒；
在第一基板的一侧制备粘结层；
将至少一个所述供体基板与所述粘结层相贴合，使得所述微型发光二极管晶粒位于所述供体基板远离所述粘结层的一侧；
在各所述供体基板和所述微型发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧制备遮光层；
在所述遮光层远离所述第一基板的一侧制备驱动电路层，使得各所述微型发光二极管晶粒与所述驱动电路层电连接；
将各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板剥离。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述在各所述供体基板和所述微型发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧制备遮光层，包括：
在各所述供体基板远离所述第一基板一侧的未被所述微型发光二极管晶粒覆盖的区域，制备缓冲层；
在所述缓冲层和所述微型发光二极管晶粒远离所述第一基板的一侧制备遮光层，使得所述遮光层覆盖所述微型发光二极管晶粒。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述将各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板剥离，包括：
对各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板的连接部分进行激光烧蚀，使各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板分离；
对所述缓冲层进行激光烧蚀，使所述遮光层与所述供体基板分离。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述将各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板剥离之后，还包括：
在所述遮光层和各所述微型发光二极管晶粒远离所述驱动电路层的一侧，制备透光封装层。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述将各所述微型发光二极管晶粒与所述供体基板剥离之后，还包括：
将电路模组绑定在所述驱动电路层远离所述各微型发光二极管晶粒的一侧。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板的制作方法，其特征在于，所述在至少一个供体基板中的每个所述供体基板的一侧，制备多个微型发光二极管晶粒，包括：
在每个所述供体基板的一侧制备阵列排布的多个所述微型发光二极管晶粒，且使得同一所述供体基板中任意相邻两所述微型发光二极管晶粒之间的间距符合第一设计尺寸，所述第一设计尺寸与所述微型发光二极管显示面板的分辨率相关。
7.一种微型发光二极管显示面板，其特征在于，包括：
遮光层；
多个微型发光二极管晶粒，设置于所述遮光层的一侧；
驱动电路层，设置于所述遮光层远离各所述微型发光二极管晶粒的一侧，并与各所述微型发光二极管晶粒电连接。
8.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，还包括：
透光封装层，设置于所述遮光层和各所述微型发光二极管晶粒远离所述驱动电路层的一侧。
9.根据权利要求7所述的微型发光二极管显示面板，其特征在于，还包括：
电路模组，绑定于所述驱动电路层远离所述遮光层的一侧。
10.一种显示设备，其特征在于，包括如权利要求7-9中任一项所述的微型发光二极管显示面板。
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