CN113782553A - 巨量转移Micro LED模块、显示屏及制造方法 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及显示器技术领域，尤其涉及一种巨量转移Micro LED模块、显示屏及制造方法。包括转移模块衬底，所述转移模块衬底上设有三合一LED模块，所述三合一LED模块依次包括显示驱动IC层、驱动控制层、LED芯片层，所述三合一LED模块在所述转移模块衬底上阵列排布；所述转移模块衬底边缘处设有用于电连接的引脚。本申请的目的是提供一种巨量转移Micro LED模块、显示屏及制造方法，其能克服LED芯片巨量转移工艺带来的效率和良率低，芯片固位精度差，封装胶与基板因热膨胀系数不同产生的剥离，IC功耗高，设备投入高的问题。
Description
【技术领域】
本申请涉及显示器技术领域，尤其涉及一种巨量转移Micro LED模块、显示屏及制造方法。
【背景技术】
随着人们对显示屏高清的要求越来越高，显示屏小间距产品发展迅猛，且间距越做越小。目前常见的小间距RGB显示产品主要有以下有两种。一种是Micro LED显示，其芯片尺寸小于50μm，像素中心间距小于0.3mm。通常采用倒装封装方式，巨量转移生成；另一种是Mini LED显示，其芯片尺寸在50-200μm之间，像素中心间距为0.3-1.5mm。通过倒装封装方式，采用普通或巨量转移方式生成。Micro LED因其功耗低、像素密度高、亮度高、响应速度快、可视角度宽、宽色域、高对比度和长寿命等不可替代的优势成为下一代主流显示技术。
目前市场上现有的Micro LED显示技术产品，大多采用传统的固晶、封胶等LED生产工艺，通常都面临LED芯片巨量转移工艺带来的效率和良率低，芯片固位精度差，封装胶与基板因热膨胀系数不同产生的剥离，IC功耗高等技术难题，另外巨量转移工艺对设备要求高，设备投入成本高。
【发明内容】
本申请的目的在于提供巨量转移Micro LED模块、显示屏及制造方法，克服LED芯片巨量转移工艺带来的效率和良率低，芯片固位精度差，封装胶与基板因热膨胀系数不同产生的剥离，IC功耗高，设备投入高的问题。
本发明的技术方案在于：一种巨量转移Micro LED模块，包括转移模块衬底10，所述转移模块衬底10上设有三合一LED模块20，所述三合一LED模块20依次包括显示驱动IC层201、驱动控制层202、LED芯片层203，所述三合一LED模块20在所述转移模块衬底10上阵列排布；所述转移模块衬底10边缘处设有用于电连接的引脚30。
进一步地，所述驱动控制层202为有源驱动。
进一步地，所述LED芯片层203为蓝色LED芯片层。
一种巨量转移Micro LED模块的制造方法，包括以下步骤：
步骤S1：在晶圆Wafer衬底上外延生长显示驱动IC层201；
步骤S2：在显示驱动IC层201上外延生长驱动控制层202；
步骤S3：在驱动控制层202上外延生长LED芯片层203；
步骤S4：将外延生长LED芯片层203进行像素化，制成Micro LED阵列；整个晶圆Wafer衬底作为巨量转移Micro LED模块。
进一步地，将晶圆Wafer衬底按照Micro LED阵列的间隙进行切割，制成多个巨量转移Micro LED模块。
一种巨量转移Micro LED模块的制造方法，包括以下步骤：
步骤S10：在衬底上分别单独生长出显示驱动IC层201、驱动控制层202、LED芯片层203；
步骤S20：将所述显示驱动IC层201、所述驱动控制层202、所述LED芯片层203去衬底；
步骤S30：将去衬底后的所述显示驱动IC层201、所述驱动控制层202、所述LED芯片层203Banding联合形成模块。
一种巨量转移Micro LED显示屏，包括背光模组1，所述背光模组1包括背光基板11和多个Micro LED显示屏模块12，所述Micro LED显示屏模块12在所述背光基板11上阵列排布；所述背光模组1表面设有量子点薄膜层2，所述量子点薄膜层2表面设有封装模块3。
进一步地，所述封装模块3为密封胶体。
进一步地，所述Banding联合方式为加压加热。
一种巨量转移Micro LED显示屏的制造方法，包括以下步骤：
步骤S1：在晶圆Wafer衬底上外延生长显示驱动IC层201；
步骤S2：在显示驱动IC层201上外延生长驱动控制层202；
步骤S3：在驱动控制层202上外延生长LED芯片层203；
步骤S4：将外延生长LED芯片层203进行像素化，制成Micro LED阵列；整个晶圆Wafer衬底作为巨量转移Micro LED模块；
步骤S5：将所述巨量转移Micro LED模块转移到背光基板11上，阵列排布，组成蓝光LED背光模组1；
步骤S6：在所述背光模组1表面覆盖一层量子点薄膜层2；
步骤S7：在所述量子点薄膜层2表面覆盖一层密封胶体。
与现有技术相比，本申请有如下优点：
提供一种新型Micro LED显示屏模块，降低了LED芯片因固位精度差而导致的良率低问题；用传统的固晶设备即可实现转移拾取过程，简化了工艺流程；无需高精度高效率设备，降低了设备成本投入；本模块将AM(有源)驱动电路集成到模块中，每个Micro-LED像素有其对应的独立驱动电路，驱动电流由驱动晶体管提供，没有无缘驱动电流连线复杂所产生的寄生电阻电容影响效率问题，大大降低功耗；结合量子点技术，得到全彩RGB三色光，避免了三色光在同一衬底上难以生产的技术难题。
【附图说明】
图1为本申请所述巨量转移Micro LED模块的俯视示意图。
图2为本申请所述巨量转移Micro LED模块的结构示意图。
图3为本申请所述巨量转移Micro LED显示屏的背光模组的结构示意图。
图4为本申请所述巨量转移Micro LED显示屏的结构示意图。
【具体实施方式】
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下，但本发明并不限于此。
如图1-4所示，本申请实施例提出一种巨量转移Micro LED模块，包括转移模块衬底10，所述转移模块衬底10上设有三合一LED模块20，所述三合一LED模块20依次包括显示驱动IC层201、驱动控制层202、LED芯片层203，所述三合一LED模块20在所述转移模块衬底10上阵列排布；所述转移模块衬底10边缘处设有用于电连接的引脚30；所述巨量转移MicroLED模块将显示驱动IC，驱动控制和LED芯片集成在一起，形成自带驱动的三合一LED模块，避免了巨量转移带来的固晶效率低、精度差及良率低等问题。
优选的，所述驱动控制层202为有源驱动，每个Micro LED像素均有其对应的独立驱动电路，驱动电流由驱动晶体管提供，有源驱动相较无源驱动能大大降低功耗。
优选的，所述LED芯片层203为蓝色LED芯片层，采用单一蓝色LED芯片，避免了三色光在同一衬底上难以生产的技术难题。
一种巨量转移Micro LED模块的制造方法，包括以下步骤：
步骤S1：通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)或等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)等外延生长技术在晶圆Wafer衬底上外延生长显示驱动IC层201；
步骤S2：通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)或等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)等外延生长技术在显示驱动IC层201上外延生长驱动控制层202；
步骤S3：通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)或等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)等外延生长技术在驱动控制层202上外延生长LED芯片层203；
步骤S4：将外延生长LED芯片层203进行像素化，制成Micro LED阵列；整个晶圆Wafer衬底作为巨量转移Micro LED模块。
优选的，将晶圆Wafer衬底按照Micro LED阵列的间隙进行切割，制成多个巨量转移Micro LED模块。
本发明所述巨量转移Micro LED模块还可采用另一种制造方法，包括以下步骤：
步骤S10：在衬底上分别单独生长出显示驱动IC层201、驱动控制层202、LED芯片层203；
步骤S20：将所述显示驱动IC层201、所述驱动控制层202、所述LED芯片层203去衬底；
步骤S30：将去衬底后的所述显示驱动IC层201、所述驱动控制层202、所述LED芯片层203Banding联合形成模块。
一种巨量转移Micro LED显示屏，包括背光模组1，所述背光模组1包括背光基板11和多个Micro LED显示屏模块12，所述Micro LED显示屏模块12在所述背光基板11上阵列排布且相互连接；所述背光模组1表面设有量子点薄膜层2，所述量子点薄膜层2表面设有封装模块3。
优选的，所述封装模块3为密封胶体。
优选的，所述Banding联合方式为加压加热。
一种巨量转移Micro LED显示屏的制造方法，包括以下步骤：
步骤S1：在晶圆Wafer衬底上外延生长显示驱动IC层201；
步骤S2：在显示驱动IC层201上外延生长驱动控制层202；
步骤S3：在驱动控制层202上外延生长LED芯片层203；
步骤S4：将外延生长LED芯片层203进行像素化，制成Micro LED阵列；整个晶圆Wafer衬底作为巨量转移Micro LED模块；
步骤S5：将所述巨量转移Micro LED模块转移到背光基板11上，阵列排布，组成蓝光LED背光模组1；
步骤S6：在所述背光模组1表面覆盖一层量子点薄膜层2；
步骤S7：在所述量子点薄膜层2表面覆盖一层密封胶体。
Claims (10)
1.一种巨量转移Micro LED模块，其特征在于，包括转移模块衬底(10)，所述转移模块衬底(10)上设有三合一LED模块(20)，所述三合一LED模块(20)依次包括显示驱动IC层(201)、驱动控制层(202)、LED芯片层(203)，所述三合一LED模块(20)在所述转移模块衬底(10)上阵列排布；所述转移模块衬底(10)边缘处设有用于电连接的引脚(30)。
2.根据权利要求1所述的巨量转移Micro LED模块，其特征在于，所述驱动控制层(202)为有源驱动。
3.根据权利要求1所述的巨量转移Micro LED模块，其特征在于，所述LED芯片层(203)为蓝色LED芯片层。
4.一种巨量转移Micro LED模块的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在晶圆Wafer衬底上外延生长显示驱动IC层(201)；
步骤S2：在显示驱动IC层(201)上外延生长驱动控制层(202)；
步骤S3：在驱动控制层(202)上外延生长LED芯片层(203)；
步骤S4：将外延生长LED芯片层(203)进行像素化，制成Micro LED阵列；整个晶圆Wafer衬底作为巨量转移Micro LED模块。
5.根据权利要求4所述的巨量转移Micro LED模块的制造方法，其特征在于，将晶圆Wafer衬底按照Micro LED阵列的间隙进行切割，制成多个巨量转移Micro LED模块。
6.一种巨量转移Micro LED模块的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S10：在衬底上分别单独生长出显示驱动IC层(201)、驱动控制层(202)、LED芯片层(203)；
步骤S20：将所述显示驱动IC层(201)、所述驱动控制层(202)、所述LED芯片层(203)去衬底；
步骤S30：将去衬底后的所述显示驱动IC层(201)、所述驱动控制层(202)、所述LED芯片层(203)Banding联合形成模块。
7.一种巨量转移Micro LED显示屏，其特征在于，包括背光模组(1)，所述背光模组(1)包括背光基板(11)和多个Micro LED显示屏模块(12)，所述Micro LED显示屏模块(12)在所述背光基板(11)上阵列排布；所述背光模组(1)表面设有量子点薄膜层(2)，所述量子点薄膜层(2)表面设有封装模块(3)。
8.根据权利要求7所述的巨量转移Micro LED显示屏，其特征在于，所述封装模块(3)为密封胶体。
9.根据权利要求6所述的巨量转移Micro LED模块的制造方法，其特征在于，所述Banding联合方式为加压加热。
10.一种巨量转移Micro LED显示屏的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：在晶圆Wafer衬底上外延生长显示驱动IC层(201)；
步骤S2：在显示驱动IC层(201)上外延生长驱动控制层(202)；
步骤S3：在驱动控制层(202)上外延生长LED芯片层(203)；
步骤S4：将外延生长LED芯片层(203)进行像素化，制成Micro LED阵列；整个晶圆Wafer衬底作为巨量转移Micro LED模块；
步骤S5：将所述巨量转移Micro LED模块转移到背光基板(11)上，阵列排布，组成蓝光LED背光模组(1)；
步骤S6：在所述背光模组(1)表面覆盖一层量子点薄膜层(2)；
步骤S7：在所述量子点薄膜层(2)表面覆盖一层密封胶体。
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| CB02 | Change of applicant information | ||
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Country or region after: China Address after: 343000 No.288, Nantang Road, Jinggangshan economic and Technological Development Zone, Ji'an City, Jiangxi Province Applicant after: JIAN MULINSEN PHOTOELECTRICITY Co.,Ltd. Address before: 343000 No.288, Nantang Road, Jinggangshan economic and Technological Development Zone, Ji'an City, Jiangxi Province Applicant before: Ji'an Mulinsen Display Co.,Ltd. Country or region before: China |