JP2013187331A - 半導体レーザ装置、磁気記録ヘッド装置、およびハードディスク装置 - Google Patents

Abstract

【課題】塵埃の発生を抑制することを可能とする、小型の半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】半導体レーザチップ２と、サブマウント３と、樹脂６とから成り、樹脂６の厚みは、０．１ｍｍ以下である。樹脂６は、半導体レーザチップ２におけるケガキ傷１２が設けられた箇所、および、サブマウント３におけるダイシングを行うための切断面１５の少なくとも一方を覆う。
【選択図】図１

Description

本発明は、熱アシスト磁気記録装置等に用いられる、小型の半導体レーザ装置に関する。また、本発明は、半導体レーザ装置を備えた磁気記録ヘッド装置、およびハードディスク装置に関する。

ハードディスク装置において記録密度を向上させる手法として、半導体レーザ装置を用いた熱アシスト磁気記録装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

また、従来、半導体レーザ装置において、樹脂によるモールドを行う技術が知られている（例えば、特許文献２〜９参照）。

特開２００６−１８５５４８号公報（２００６年７月１３日公開） 特開昭６２−１５０７９６号公報（１９８７年７月４日公開） 特開平４−３４６２８１号公報（１９９２年１２月２日公開） 特開平８−３４０１５７号公報（１９９６年１２月２４日公開） 特開平５−２５１８２３号公報（１９９３年９月２８日公開） 特開平６−１９６８１７号公報（１９９４年７月１５日公開） 特開平６−３１４８４７号公報（１９９４年１１月８日公開） 特開平６−３３４２６９号公報（１９９４年１２月２日公開） 特開平７−２２７１１号公報（１９９５年１月２４日公開）

例えば特許文献１に開示されている熱アシスト磁気記録装置では、サイズの制約から、５．６φまたは３．３φ等の大きなパッケージを、半導体レーザ装置として用いる（すなわち、磁気記録ヘッド装置に設ける）ことができないのが一般的である。このため、レーザチップ単品である半導体レーザ装置、または、サブマウントにレーザチップをダイボンドしたものである半導体レーザ装置が、熱アシスト磁気記録装置用として用いられるのが一般的である。

特許文献２〜９に係る半導体レーザ装置はいずれも、上記パッケージにおいて、レーザチップに対して樹脂によるモールドを行ったものに過ぎないので、熱アシスト磁気記録装置用の半導体レーザ装置として用いるには引き続き大きすぎる。

また、一般に、レーザチップは、ウエハに形成され、ケガキ針等を用いてウエハに設けたケガキ傷（ケガキ線）の両側に力を加えて、ウエハをへき開することにより製造される。このため、レーザチップにおいては、ケガキ屑（ケガキ傷を設けることに起因して発生した塵埃）等の、微細な塵埃が発生する。

また、一般に、サブマウントはダイシングによりウエハから切り出される。このため、サブマウントにレーザチップをダイボンドして半導体レーザ装置を構成する場合、サブマウントにおいては、ダイシングを行うための切断面から発生した塵埃等の、微細な塵埃が発生する。

さらに近年、サブマウントの材料として、窒化アルミが積極的に用いられているが、この窒化アルミは、熱伝導率を高めるために粒子の径をある程度大きくするのが一般的である。そしてこれにより、切断面の凹凸が増すため、塵埃が発生する可能性が高くなる。

一方、熱アシスト磁気記録装置をはじめとするハードディスク装置の磁気記録ヘッド装置は、塵埃に対して非常に弱いことが知られており、上述した塵埃の発生を抑制することが望まれる。

本発明は、上記の問題に鑑みて為されたものであり、その目的は、塵埃の発生を抑制することを可能とする、小型の半導体レーザ装置等を提供することにある。

本発明の半導体レーザ装置は、上記の問題を解決するために、へき開対象物に設けたケガキ傷に沿って、該へき開対象物をへき開することにより製造されたレーザチップと、少なくとも上記ケガキ傷が設けられた箇所を覆う樹脂とから成り、上記樹脂の厚みは、０．１ｍｍ以下であることを特徴としている。

また、本発明の半導体レーザ装置は、上記の問題を解決するために、へき開対象物に設けたケガキ傷に沿って、該へき開対象物をへき開することにより製造されたレーザチップと、上記レーザチップが搭載されており、ダイシングによりウエハから切り出されて製造されたサブマウントと、上記レーザチップにおける上記ケガキ傷が設けられた箇所、および、上記サブマウントにおける上記ダイシングを行うための切断面の少なくとも一方を覆う樹脂とから成り、上記樹脂の厚みは、０．１ｍｍ以下であることを特徴としている。

上記の構成によれば、レーザチップにおけるケガキ傷が設けられた箇所を樹脂により覆うことで、ケガキ屑の発生を抑制することが可能となる。従って、半導体レーザ装置から塵埃が発生することを抑制することが可能となる。

また、レーザチップがサブマウントに搭載されている場合、上記の構成によれば、サブマウントにおけるダイシングを行うための切断面を樹脂により覆うことで、該切断面からの塵埃の発生を抑制することが可能となる。レーザチップにおけるケガキ傷が設けられた箇所、および、該切断面の少なくとも一方を樹脂により覆うことで、半導体レーザ装置から塵埃が発生することを抑制することが可能となる。

また例えば、半導体レーザ装置を、熱アシスト磁気記録装置（ハードディスク装置）用の磁気記録ヘッド装置の光源として用いる場合を考える。該磁気記録ヘッド装置は一般的に、浮力により浮上した状態で保持されており、かつ、半導体レーザ装置を設ける空間は、上述したパッケージを設けることができない程度に狭い。このため、半導体レーザ装置の樹脂が厚すぎると、たとえレーザチップ（または、レーザチップおよびサブマウント）と樹脂とから成る半導体レーザ装置であっても、該磁気記録ヘッド装置の光源としての実用化は困難である。

従って、上記の構成によれば、樹脂の厚みを０．１ｍｍ以下としている。これにより、熱アシスト磁気記録装置用の磁気記録ヘッド装置の光源としても用いることが可能な、小型の半導体レーザ装置を実現することが可能となる。

ここで、特許文献２〜９に係る半導体レーザ装置はいずれも、熱アシスト磁気記録装置用の磁気記録ヘッド装置に設けることができない程度に大きく、該磁気記録ヘッド装置の光源として用いることを想定したものではない。換言すれば、特許文献２〜９に係る半導体レーザ装置において、モールドに用いている樹脂は、該磁気記録ヘッド装置において問題となる塵埃の発生を抑制することを目的として設けられたものであるとは言えない。実際、特許文献２〜９に係る半導体レーザ装置において、樹脂によるモールドを行う目的は、放熱、モニター電流の確保、保持のためのパッケージとしての活用等に過ぎない。また、特許文献２〜９に係る半導体レーザ装置はいずれも、ケガキ傷および／または切断面を樹脂により覆うこと、ならびにこのような樹脂の厚みについて特定されていない。

一方、熱アシスト磁気記録装置用の磁気記録ヘッド装置に設ける半導体レーザ装置においては、放熱、モニター電流の確保、保持のためのパッケージとしての活用等を目的として、樹脂によるモールドを行う必要は特に無い。但し、塵埃の発生を抑制する必要がある。本発明の半導体レーザ装置において樹脂を設ける目的は、該塵埃の発生を抑制することにあり、特許文献２〜９に係る半導体レーザ装置において樹脂によるモールドを行う目的と異なっている。

また、本発明の半導体レーザ装置の、上記樹脂は、上記レーザチップから出射された光を透過するのが好ましい。

上記の構成によれば、レーザチップにおける光が出射される箇所を、樹脂により覆うことができる。

また、本発明の半導体レーザ装置の、上記樹脂は、シリコンを含むのが好ましい。

また、本発明の半導体レーザ装置の、上記レーザチップは、該レーザチップの外部の回路と電気的に接続している。

また、本発明の半導体レーザ装置の、上記レーザチップは、電極を備えており、上記樹脂は、上記電極を覆っていない。

また、本発明の半導体レーザ装置の、上記レーザチップおよび上記サブマウントの少なくとも一方は、電極を備えており、上記樹脂は、上記電極を覆っていない構成であってもよい。

また、本発明の半導体レーザ装置の、上記樹脂は、上記レーザチップにおける光が出射される面、および該面と対向する面の少なくとも一方を覆っていないのが好ましい。

レーザチップにおける光が出射される面は、ケガキ傷が設けられていない場合が多く、この場合、この面を樹脂により覆う必然性は無い。レーザチップにおける光が出射される面を樹脂で覆わないことにより、半導体レーザ装置のさらなる小型化、ならびに、樹脂の使用量を減らすことによる低コスト化が可能となる。レーザチップにおける光が出射される面と対向する面についても同様である。

また、本発明の半導体レーザ装置の、上記樹脂は、上記レーザチップにおける上記ケガキ傷が設けられた箇所のみを覆っているのが好ましい。

また、本発明の半導体レーザ装置の、上記樹脂は、上記レーザチップにおける上記ケガキ傷が設けられた箇所、および、上記切断面の少なくとも一方のみを覆っている構成であってもよい。

上記の構成によれば、半導体レーザ装置のさらなる小型化、ならびに、樹脂の使用量を減らすことによる低コスト化が可能となる。

また、本発明の半導体レーザ装置は、上記樹脂により覆われていない箇所が、アッシング、マスキング、および該箇所を該樹脂に浸漬しないことのいずれかにより設けられているのが好ましい。

上記の構成によれば、樹脂により覆われていない箇所を容易に設けることができる。

また、本発明の磁気記録ヘッド装置は、本発明の半導体レーザ装置を光源として備えたことを特徴としている。

また、本発明のハードディスク装置は、本発明の磁気記録ヘッド装置を備えたことを特徴としている。

上記の構成によれば、塵埃の発生が抑制された本発明の半導体レーザ装置を光源として備えているため、塵埃に起因する悪影響が好適に抑制された、高品質の熱アシスト磁気記録装置を実現することができる。

以上のとおり、本発明の半導体レーザ装置は、へき開対象物に設けたケガキ傷に沿って、該へき開対象物をへき開することにより製造されたレーザチップと、少なくとも上記ケガキ傷が設けられた箇所を覆う樹脂とから成り、上記樹脂の厚みは、０．１ｍｍ以下である。

また、本発明の半導体レーザ装置は、へき開対象物に設けたケガキ傷に沿って、該へき開対象物をへき開することにより製造されたレーザチップと、上記レーザチップが搭載されており、ダイシングによりウエハから切り出されて製造されたサブマウントと、上記レーザチップにおける上記ケガキ傷が設けられた箇所、および、上記サブマウントにおける上記ダイシングを行うための切断面の少なくとも一方を覆う樹脂とから成り、上記樹脂の厚みは、０．１ｍｍ以下である。

従って、塵埃の発生を抑制することを可能とする、小型の半導体レーザ装置等を実現することが可能であるという効果を奏する。

本発明の実施の形態１に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態２に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態３に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態４に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態５に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。 本発明の実施の形態６に係る半導体レーザ装置の構成を示す平面図である。 図７（ａ）は、図６に示す半導体レーザ装置の、Ａ−Ａ´線断面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す半導体レーザ装置において導通を確保する一例を示す図である。 本発明の実施の形態７に係る半導体レーザ装置の構成を示す平面図である。 図８に示す半導体レーザ装置の、Ａ−Ａ´線断面図である。 レーザチップを製造する方法を示す斜視図であり、ウエハにケガキ傷を設ける工程を示している。 レーザチップを製造する方法を示す斜視図であり、ウエハをへき開する工程を示している。 図１１に示すへき開後のレーザチップを示す斜視図である。 本発明の実施の形態８に係るレーザチップおよび樹脂の構成を示す斜視図である。 本発明の実施の形態８に係るレーザチップおよび樹脂の構成を示す断面図である。 サブマウントを製造する方法を示す斜視図であり、ダイシング前のウエハを示している。 サブマウントを製造する方法を示す斜視図であり、ウエハをダイシングする工程を示している。 図１６に示すダイシング後のサブマウントを示す斜視図である。 本発明の実施の形態８に係るサブマウントおよび樹脂の構成を示す斜視図である。 本発明の実施の形態８に係るサブマウントおよび樹脂の構成を示す断面図である。 レーザチップを製造する方法を示す平面図である。 レーザチップをサブマウントに実装する一例を示す斜視図である。

〔実施の形態１〕
図１は、実施の形態１に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。

図１に示す磁気記録ヘッド装置１００は、ヒートシンク１、半導体レーザチップ（レーザチップ）２、サブマウント３、導波路４、および樹脂６を備えている。

半導体レーザチップ２、サブマウント３、および樹脂６は、半導体レーザ装置２００を構成している。半導体レーザ装置２００は、半導体レーザチップ２、サブマウント３、および樹脂６から成るものであり、換言すれば、５．６φまたは３．３φ等の大きなパッケージではないと言える。磁気記録ヘッド装置１００において、半導体レーザ装置２００は、ヒートシンク１の上面に設けられている。

半導体レーザチップ２は、磁気記録ヘッド装置の光源であり、レーザ光５を出射するものである。

磁気記録ヘッド装置１００において、レーザ光５は、ヒートシンク１を貫通するように設けられた導波路４に入射される。ここで、半導体レーザ装置２００は、半導体レーザチップ２の光軸と導波路４の光軸とが同一直線（直線Ｌ）上に位置するように配置されている。このため、レーザ光５は、半導体レーザチップ２から、導波路４を介して、磁気記録ヘッド装置１００の外部に出射される。

なお、導波路４の具体例としては、光ファイバー等の導光部材が挙げられるが、導波路４の構成は、これに限定されるものではない。また、導波路４のかわりに、貫通孔を設ける構成であってもよい。

サブマウント３は、半導体レーザチップ２が搭載されている小型の基板である。

さらに、半導体レーザ装置２００では、半導体レーザチップ２およびサブマウント３を覆うように、樹脂６が設けられている。樹脂６は、ヒートシンク１および導波路４のいずれにも接していない、半導体レーザチップ２およびサブマウント３の表面の全てを覆っている。

熱アシスト磁気記録装置の磁気記録ヘッド装置は一般に、空気の流れによって発生する浮力により、浮上された状態で保持される。このとき、該磁気記録ヘッド装置が浮上している距離はごく僅かである。該磁気記録ヘッド装置は、その構造上、塵埃に対して非常に弱い。該磁気記録ヘッド装置が塵埃を浴びると、該熱アシスト磁気記録装置の動作に、なにかしらの不具合が発生する虞がある。

ところで、半導体レーザチップ２は、ウエハに設けたケガキ傷に沿って、該ウエハをへき開することにより製造される。半導体レーザチップ２の製造工程について、図１０〜図１２、および図２０を参照して説明する。

図１０は、ウエハにケガキ傷を設ける工程を示している。

図１１は、ウエハをへき開する工程を示している。

図１２は、上記へき開後の半導体レーザチップ２を示す斜視図である。

図２０は、半導体レーザチップ２を製造する方法を示す平面図である。

図２０に示すウエハ（へき開対象物）２０は、行列を構成するようにウエハ２０に配置された、多数の半導体レーザチップ２を備えている（図示の便宜上、図２０には図示していない）。このウエハ２０を分割し、１つの半導体レーザチップ２を製造する。ここでは、図２０の左右方向、図２０の上下方向の順にウエハ２０を分割する例について説明する。

ウエハ２０に対して、まず左右方向にケガキ傷２１を設け、ケガキ傷２１に沿ってウエハ２０をへき開することにより、レーザチップバー（へき開対象物）２２を製造する。レーザチップバー２２は、多数の半導体レーザチップ２による上記行列における１行に相当し、該１行を構成する全ての半導体レーザチップ２を備えている。

続いて、レーザチップバー２２に対して、上下方向にケガキ傷２３を設け、ケガキ傷２３に沿ってレーザチップバー２２をへき開することにより、１つの半導体レーザチップ２を製造する。

図２０に示す工程により１つの半導体レーザチップ２を製造する場合、ケガキ傷２１およびケガキ傷２３において多くのケガキ屑が発生する。一方、へき開を行った面において塵埃はそれほど多く発生しない。

図１０〜図１２には、レーザチップバーから１つの半導体レーザチップ２を製造するまでの様子を、より分かり易く示している。

図１０に示すレーザチップバー（へき開対象物）１３は、レーザチップバー２２と同様に、ウエハ（へき開対象物）をへき開して製造されたものである。これにより、レーザチップバー１３には、複数の半導体レーザチップ２が、レーザチップバー１３の長手方向に並んで設けられている（図示しない）。レーザチップバー１３から個々の半導体レーザチップ２を製造するために、レーザチップバー１３の短手方向にケガキ傷１２が設けられる（図１０参照）。

そして、ケガキ傷１２に沿ってレーザチップバー１３をへき開する（図１１参照）。

上記へき開により、１つの半導体レーザチップ２が製造される。この半導体レーザチップ２には、ケガキ傷１２が残ったままとなる（図１２参照）。

なお、１つの半導体レーザチップ２を製造するまでの工程において、レーザチップバーを製造する工程は必須でない。すなわち、へき開対象物に設けたケガキ傷に沿って、該へき開対象物をへき開することにより、１つの半導体レーザチップ２を製造すれば、この半導体レーザチップ２はケガキ傷を有することになる。

また、サブマウント３は、ダイシングによりウエハから切り出されて製造される。サブマウント３の製造工程について、図１５〜図１７を参照して説明する。

図１５は、ダイシング前のウエハを示している。

図１６は、ウエハをダイシングする工程を示している。

図１７は、上記ダイシング後のサブマウント３を示す斜視図である。

サブマウントウエハ（ウエハ）１４を、図１５に示している。このサブマウントウエハ１４がダイシングされ（図１６参照）、１つのサブマウント３が製造される。なお、サブマウント３の切断面１５は、該ダイシングを行うための切断面である（図１７参照）。

サブマウント３の単品は、切断面１５が露出しており、切断面１５において塵埃が多く発生する。

また、サブマウント３の材料として、窒化アルミが積極的に用いられているが、この窒化アルミは、熱伝導率を高めるために粒子の径をある程度大きくするのが一般的である。そしてこれにより、切断面の凹凸が増すため、塵埃が発生する可能性が高くなる。

そこで、図１に示す磁気記録ヘッド装置１００では、上記の塵埃の発生を抑制することを目的として、半導体レーザチップ２およびサブマウント３を樹脂６により覆っている。樹脂６により、半導体レーザチップ２およびサブマウント３を覆うことで、例えば磁気記録ヘッド装置１００の動作中における振動に起因して、半導体レーザチップ２またはサブマウント３から塵埃が発生することを抑制することができる。

なお、（Ａ）および（Ｂ）の少なくとも一方を満足する構成および作用が実現されれば、半導体レーザ装置２００から塵埃が発生することを抑制することが可能となる。

（Ａ）半導体レーザチップ２におけるケガキ傷（ケガキ傷１２、ケガキ傷２１、およびケガキ傷２３の少なくとも１つ）が設けられた箇所を樹脂６により覆うことで、ケガキ屑の発生を抑制する。

（Ｂ）半導体レーザチップ２がサブマウント３に搭載されている場合、サブマウント３における切断面１５を樹脂６により覆うことで、切断面１５からの塵埃の発生を抑制する。

つまり、樹脂６は、半導体レーザチップ２におけるケガキ傷が設けられた箇所、および、サブマウント３におけるダイシングを行うための切断面１５の少なくとも一方を覆うものである。

また、磁気記録ヘッド装置１００が熱アシスト磁気記録装置（ハードディスク装置）用である場合、磁気記録ヘッド装置１００における半導体レーザ装置２００を設ける空間は、上述したパッケージを設けることができない程度に狭い。また、この場合、磁気記録ヘッド装置１００は、上述したとおり浮上した状態で保持されていることから、重量についても制限されることとなる。

そこで、半導体レーザ装置２００では、樹脂６の厚みを０．１ｍｍ以下としている。これにより、熱アシスト磁気記録装置用の磁気記録ヘッド装置１００の光源としても用いることが可能な、小型の半導体レーザ装置２００を実現することが可能となる。半導体レーザチップ２における共振器長、および樹脂６の比重等を考慮しても、樹脂６の厚みは、０．１ｍｍ以下とするのが妥当である。

一方、樹脂６は、半導体レーザチップ２および／またはサブマウント３から発生する塵埃の保持を目的として設けられる。半導体レーザチップ２に設けられたケガキ傷１２から発生するケガキ屑は、その大きさが２０μｍ以下程度となる（ケガキ傷２１およびケガキ傷２３も同様）。また、サブマウント３を窒化アルミにより構成する場合、該窒化アルミの粒子の径は、５０μｍ以下程度となる。以上のことを考慮すると、半導体レーザチップ２を覆う樹脂６の厚みを２０μｍ以上とし、サブマウント３を覆う樹脂６の厚みを５０μｍ以上とするのが有効である。

また、樹脂６は十分薄いため、半導体レーザチップ２を樹脂６により覆う場合においても、これらの熱膨張率の差を考慮する必要が無い。従って、樹脂６の材料として様々な材料を用いることができる。

半導体レーザチップ２においては、Ｐ側およびＮ側（図２１参照）の両方において、導通を確保する必要がある。なお、該導通を確保する方法としては、金配線を用いたワイヤボンディング、半田を用いた各種手法等が考えられるが、これらに限定されるものではない。

また、半導体レーザチップ２は、サブマウント３に、ジャンクションダウンで実装されてもよいし、ジャンクションアップで実装されてもよい。半導体レーザ装置２００では、金錫等のロウ材を用いて、半導体レーザチップ２におけるサブマウント３側の電極２４（Ｐ側およびＮ側のいずれか）と、サブマウント３の電極（図示しない）とを、物理的にかつ電気的に接続するのが一般的である（図２１参照）。

半導体レーザチップ２とサブマウント３とを、物理的にかつ電気的に接続した後、これらを樹脂６により覆えばよい。

〔実施の形態２〕
以下の各実施の形態に関し、説明の便宜上、先の実施の形態にて説明した図面と概略同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、同じ機能についてはその説明を省略する。

図２は、実施の形態２に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。

図２に示す磁気記録ヘッド装置１０１は、図１に示す磁気記録ヘッド装置１００の構成に加え、光学素子７を備えている。

光学素子７は、半導体レーザチップ２が出射したレーザ光５を反射させるものである。光学素子７としては例えば、レーザ光５を反射させる領域の形状が三角錐である透明の光学素子を用いることができる。

また、図２に示す磁気記録ヘッド装置１０１は、図１に示す磁気記録ヘッド装置１００の構成と比べ、下記の点が異なる。

すなわち、半導体レーザ装置２００は、半導体レーザチップ２の光軸と導波路４の光軸とが同一直線（直線Ｌ）上に位置するように配置されていない。むしろ、半導体レーザ装置２００は、半導体レーザチップ２の光軸と導波路４の光軸とが略垂直となるように配置されている。その一方で、光学素子７は、光学素子７により反射された後のレーザ光５の進路と、導波路４の光軸とが同一直線（直線Ｌ）上に位置するように配置されている。このため、レーザ光５は、半導体レーザチップ２から、光学素子７に入射され光学素子７にて反射された後、導波路４を介して、磁気記録ヘッド装置１０１の外部に出射される。

また、樹脂６は、ヒートシンク１に接していない、半導体レーザチップ２およびサブマウント３の表面の全てを覆っている。そして、半導体レーザ装置２００は、半導体レーザチップ２におけるレーザ光５が出射される面２ｓが、樹脂６により覆われている。

面２ｓが樹脂６により覆われている場合、樹脂６は、このレーザ光５を透過するものとすべきである。換言すれば、樹脂６が、このレーザ光５を透過するものであれば、面２ｓを、樹脂６により覆うことができる。

樹脂６は、半導体レーザチップ２の発光波長に対して、概ね透明であるような特性を示すものであるのが好ましいとも言える。

樹脂６の材料は、特に限定されるわけではない。樹脂６の材料の一例として、シリコン系樹脂とキシレン溶剤とを１：１０から１：２０（重量比）の割合で混合した樹脂材料が挙げられる（特許文献５参照）。該樹脂材料を樹脂６の材料として用いることにより、樹脂６の厚みを均一にすることが容易となる。このように、樹脂６を、シリコンを含むものとすることが考えられる。

〔実施の形態３〕
図３は、実施の形態３に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。

図３に示す磁気記録ヘッド装置１０２は、図２に示す磁気記録ヘッド装置１０１の構成と比べ、下記の点が異なる。

すなわち、磁気記録ヘッド装置１０２の半導体レーザ装置２０１は、半導体レーザ装置２００と異なり、サブマウント３を備えていない。つまり、半導体レーザ装置２０１は、半導体レーザチップ２、および樹脂６から成るものである。

半導体レーザ装置２０１は、サブマウント３を備えていない分、半導体レーザ装置２００よりも小型とすることが可能である。半導体レーザ装置２０１においても、樹脂６の厚みは、０．１ｍｍ以下とする。

また、樹脂６は、ヒートシンク１に接していない、半導体レーザチップ２の表面の全てを覆っている。面２ｓが樹脂６により覆われているため、樹脂６は、レーザ光５を透過するものとすべきであるのは言うまでも無い。

〔実施の形態４〕
図４は、実施の形態４に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。

図４に示す磁気記録ヘッド装置１０３は、図１に示す磁気記録ヘッド装置１００の構成と比べ、下記の点が異なる。

すなわち、磁気記録ヘッド装置１００において、半導体レーザ装置２００は、ヒートシンク１の上面に設けられていた。一方、磁気記録ヘッド装置１０３において、半導体レーザ装置２００は、ヒートシンク１の側面に設けられている。但し、半導体レーザ装置２００の半導体レーザチップ２がレーザ光５を出射する方向は、磁気記録ヘッド装置１００と磁気記録ヘッド装置１０３とで同じである。

ヒートシンク１の側面に半導体レーザ装置２００を設けることにより、ヒートシンク１を貫通する導波路４または貫通孔を、ヒートシンク１に設ける必要が無くなる。そして、磁気記録ヘッド装置１０３には、ヒートシンク１を貫通する導波路４または貫通孔が設けられていない。従って、磁気記録ヘッド装置１０３は、磁気記録ヘッド装置１００よりも低コストで製造することが可能である。

また、樹脂６は、ヒートシンク１に接していない、半導体レーザチップ２およびサブマウント３の表面の全てを覆っている。面２ｓが樹脂６により覆われているため、樹脂６は、レーザ光５を透過するものとすべきであるのは言うまでも無い。

〔実施の形態５〕
図５は、実施の形態５に係る磁気記録ヘッド装置の構成を示す断面図である。

図５に示す磁気記録ヘッド装置１０４は、図４に示す磁気記録ヘッド装置１０３の構成と比べ、下記の点が異なる。

すなわち、磁気記録ヘッド装置１０３は、半導体レーザ装置２００を備えていたが、磁気記録ヘッド装置１０４は、半導体レーザ装置２００のかわりに、サブマウント３を備えていない半導体レーザ装置２０１を備えている。

また、樹脂６は、ヒートシンク１に接していない、半導体レーザチップ２の表面の全てを覆っている。面２ｓが樹脂６により覆われているため、樹脂６は、レーザ光５を透過するものとすべきであるのは言うまでも無い。

〔実施の形態６〕
図６は、実施の形態６に係る半導体レーザ装置の構成を示す平面図である。

図７（ａ）は、図６に示す半導体レーザ装置の、Ａ−Ａ´線断面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す半導体レーザ装置において導通を確保する一例を示す図である。

図６に示す半導体レーザ装置２０２は、半導体レーザチップ２、サブマウント３、および樹脂６から成るものであり、この点については、半導体レーザ装置２００（図１等参照）と同じである。

一方、半導体レーザ装置２０２は、樹脂６に開口部８および開口部９が設けられている。樹脂６は、開口部８および開口部９を除く、半導体レーザチップ２およびサブマウント３の表面の全てを覆っている。一方、開口部８および開口部９はいずれも、樹脂６が設けられていない。

図７（ａ）に示すとおり、開口部８は、半導体レーザチップ２の上面に設けられており、半導体レーザチップ２に設けられた電極１６を露出させている。図７（ａ）に示すとおり、開口部９は、サブマウント３の上面に設けられており、サブマウント３に設けられた電極１７を露出させている。

すなわち、半導体レーザ装置２０２は、半導体レーザチップ２が電極１６を備えており、樹脂６が電極１６を覆っていない構成であると言える。また、半導体レーザ装置２０２は、サブマウント３が電極１７を備えており、樹脂６が電極１７を覆っていない構成であると言える。

そして、図７（ｂ）に示すとおり、電極１６に配線１８を接続する。半導体レーザチップ２は、配線１８を介して、半導体レーザチップ２の外部の回路（図示しない）と電気的に接続されている。

また、図７（ｂ）に示すとおり、電極１７に配線１９を接続する。サブマウント３は、配線１９を介して、サブマウント３の外部の回路（図示しない）と電気的に接続されている。

なお、電極１６および電極１７はそれぞれ、金電極から成るのが一般的である。金電極から塵埃が発生する虞は非常に低い。従って、電極１６に配線１８を接続した後は、図７（ｂ）に示すように開口部８を樹脂６により塞いでもよいし、塞がなくてもよい。同様に、電極１７に配線１９を接続した後は、図７（ｂ）に示すように開口部９を樹脂６により塞いでもよいし、塞がなくてもよい。

なお、半導体レーザ装置２０２において、電極１６を露出させるように開口部８を設ける構成と、電極１７を露出させるように開口部９を設ける構成との両方を有していることは、必須でない。すなわち、半導体レーザ装置２０２においては、これらの構成のいずれか一方のみを有していてもよい。

また、本実施の形態では、サブマウント３を備えている半導体レーザ装置２０２を例に説明を行った。一方、半導体レーザ装置２０１（図３等参照）のような、サブマウント３を備えていない半導体レーザ装置については、電極１６を露出させるように開口部８を設ける構成のみを有していればよいということは言うまでも無い。

〔実施の形態７〕
図８は、実施の形態７に係る半導体レーザ装置の構成を示す平面図である。

図９は、図８に示す半導体レーザ装置の、Ａ−Ａ´線断面図である。

図８に示す半導体レーザ装置２０３は、半導体レーザチップ２、サブマウント３、および樹脂６から成るものであり、この点については、半導体レーザ装置２００（図１等参照）と同じである。

一方、半導体レーザ装置２０３は、樹脂６に開口部１１が設けられている。樹脂６は、開口部１１を除く、半導体レーザチップ２およびサブマウント３の表面の全てを覆っている。一方、開口部１１は、樹脂６が設けられていない。

図９に示すとおり、開口部１１は、半導体レーザチップ２のチップ端面１０に設けられており、チップ端面１０を露出させている。

なお、図８および図９では、チップ端面１０が、半導体レーザチップ２におけるレーザ光５が出射される面２ｓであるものとしている。チップ端面１０に該当する他の面として、面２ｓと対向する面が挙げられる。つまり、チップ端面１０とは、面２ｓおよびそれと対向する面の少なくとも１面を意味する。

他方、以下では、へき開が行われた面であって、チップ端面１０に該当しない面を、チップ側面と称する。なお、半導体レーザチップ２の上面、およびそれと対向するサブマウント３への搭載面については、へき開が行われていない。

図２０に示す方法により、半導体レーザチップ２を製造する場合について考える。

図２０に示すケガキ傷２１は、ウエハ２０におけるレーザチップバー２２の長手方向に相当する方向に、レーザチップバー２２の長辺に比べて極めて短い長さで設けられる。ケガキ傷２１に沿ってへき開が行われた面が、チップ端面１０を構成する。

一方、図２０に示すケガキ傷２３は、レーザチップバー２２の短手方向に、レーザチップバー２２の短辺に近い長さで設けられる。ケガキ傷２３に沿ってへき開が行われた面が、チップ側面を構成する。

この結果、ウエハ２０に設けられたほとんどの半導体レーザチップ２は、チップ端面１０にケガキ傷２１を有していない。一方、ウエハ２０に設けられた全ての半導体レーザチップ２は、チップ側面に少なくとも１つのケガキ傷２３を有することになる。これは、チップ端面１０においてケガキ屑が発生せず、チップ側面においてケガキ屑が発生することを意味している。

そこで、半導体レーザ装置２０３の樹脂６は、チップ側面を覆っている一方、チップ端面１０を覆っていないように設けられている。

なお、チップ端面１０は、無機物（端面コート）から成り、塵埃が発生する虞が非常に低い。

各実施の形態において、樹脂６の厚みは０．１ｍｍ以下と十分薄い。また、選択する樹脂６の材料次第では、樹脂６の厚みを均一とすることも比較的容易である。このことから、面２ｓを樹脂６により覆っても、レーザ光５の品質は高いものを維持することができる。しかしながら、面２ｓを樹脂６により覆わなければ、面２ｓを樹脂６により覆う場合よりも、レーザ光５の品質を高くすることができる。

また、チップ端面１０を樹脂６で覆わないことにより、半導体レーザ装置２０３では、さらなる小型化、ならびに、樹脂６の使用量を減らすことによる低コスト化が可能となる。

なお、開口部１１、さらには上述した開口部８および開口部９を設ける方法としては例えば、アッシングによりこれらを形成する方法、マスキングによりこれらを形成する方法が挙げられる。他にも、液状の樹脂に浸漬して樹脂６を設ける場合、開口部８、開口部９、および開口部１１を設けるべき位置を樹脂に浸漬しなければ、これらを容易に設けることができる。

〔実施の形態８〕
図１３は、実施の形態８に係るレーザチップおよび樹脂の構成を示す斜視図である。

図１４は、実施の形態８に係るレーザチップおよび樹脂の構成を示す断面図である。

図１２を参照すると、半導体レーザチップ２において塵埃の発生が懸念されるのは、主にケガキ傷１２が設けられた部分であり、その他の部分については、塵埃の発生がそれほど懸念されない。

そこで、最低限、半導体レーザチップ２におけるケガキ傷１２が設けられた箇所のみを、樹脂６により覆う構成であれば、塵埃の発生を抑制する構成としては有効である。

例えば図１３においては、一方のケガキ傷１２について、ケガキ傷１２およびその近傍のみを樹脂６により覆っており、他方のケガキ傷１２について、ケガキ傷１２のみを樹脂６により覆っている。図１４には、図１３に対応する断面図を示している。

図１８は、実施の形態８に係るサブマウントおよび樹脂の構成を示す斜視図である。

図１９は、実施の形態８に係るサブマウントおよび樹脂の構成を示す断面図である。

図１７を参照すると、サブマウント３において塵埃の発生が懸念されるのは、主に切断面１５であり、その他の部分については、塵埃の発生がそれほど懸念されない。

そこで、最低限、サブマウント３におけるダイシングを行うための切断面１５のみを、樹脂６により覆う構成であれば、塵埃の発生を抑制する構成としては有効である。

例えば図１８においては、切断面１５のみを樹脂６により覆っている。図１９には、図１８に対応する断面図を示している。

これにより、半導体レーザ装置のさらなる小型化、ならびに、樹脂の使用量を減らすことによる低コスト化が可能となる。

本実施の形態に係る構成を、上述した半導体レーザ装置２００〜２０３のいずれかに適用してもよい。また、本実施の形態に係る構成を、上述した磁気記録ヘッド装置１００〜１０４のいずれかに適用してもよい。

〔実施の形態９〕
本実施の形態のハードディスク装置は、磁気記録ヘッド装置１００〜１０４のいずれかを備えたものであると言える。また、本実施の形態のハードディスク装置は、半導体レーザ装置２００〜２０３のいずれかを備えたものであるとも言える。この場合、半導体レーザ装置２００〜２０３は、磁気記録ヘッド装置１００〜１０４およびハードディスク装置の光源を構成する。

上記の構成によれば、塵埃の発生が抑制された半導体レーザ装置を光源として備えているため、塵埃に起因する悪影響が好適に抑制された、高品質の熱アシスト磁気記録装置を実現することができる。

なお、上記半導体レーザ装置は、熱アシスト磁気記録装置の用途に限定されるものではない。

すなわち、熱アシスト磁気記録装置以外にも、塵埃に弱く、小型化が必要とされる用途への応用が考えられる。

本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

本発明は、半導体レーザ装置、磁気記録ヘッド装置、およびハードディスク装置に利用することができる。特に、ハードディスク装置が熱アシスト磁気記録装置である場合に、本発明は有効である。

２ 半導体レーザチップ（レーザチップ）
３ サブマウント
６ 樹脂
１０ チップ端面
１２、２１、２３ ケガキ傷
１３、２２ レーザチップバー（へき開対象物）
１４ サブマウントウエハ（ウエハ）
１５ 切断面
１６、１７ 電極
２０ ウエハ（へき開対象物）
１００〜１０４ 磁気記録ヘッド装置
２００〜２０３ 半導体レーザ装置
２ｓ レーザチップにおける光が出射される面

Claims (13)

1. へき開対象物に設けたケガキ傷に沿って、該へき開対象物をへき開することにより製造されたレーザチップと、
   少なくとも上記ケガキ傷が設けられた箇所を覆う樹脂とから成り、
   上記樹脂の厚みは、０．１ｍｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. へき開対象物に設けたケガキ傷に沿って、該へき開対象物をへき開することにより製造されたレーザチップと、
   上記レーザチップが搭載されており、ダイシングによりウエハから切り出されて製造されたサブマウントと、
   上記レーザチップにおける上記ケガキ傷が設けられた箇所、および、上記サブマウントにおける上記ダイシングを行うための切断面の少なくとも一方を覆う樹脂とから成り、
   上記樹脂の厚みは、０．１ｍｍ以下であることを特徴とする半導体レーザ装置。
3. 上記樹脂は、上記レーザチップから出射された光を透過することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
4. 上記樹脂は、シリコンを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
5. 上記レーザチップは、該レーザチップの外部の回路と電気的に接続していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
6. 上記レーザチップは、電極を備えており、
   上記樹脂は、上記電極を覆っていないことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
7. 上記レーザチップおよび上記サブマウントの少なくとも一方は、電極を備えており、
   上記樹脂は、上記電極を覆っていないことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
8. 上記樹脂は、上記レーザチップにおける光が出射される面、および該面と対向する面の少なくとも一方を覆っていないことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
9. 上記樹脂は、上記レーザチップにおける上記ケガキ傷が設けられた箇所のみを覆っていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
10. 上記樹脂は、上記レーザチップにおける上記ケガキ傷が設けられた箇所、および、上記切断面の少なくとも一方のみを覆っていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
11. 上記樹脂により覆われていない箇所が、アッシング、マスキング、および該箇所を該樹脂に浸漬しないことのいずれかにより設けられていることを特徴とする請求項６〜１０のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
12. 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置を光源として備えたことを特徴とする磁気記録ヘッド装置。
13. 請求項１２に記載の磁気記録ヘッド装置を備えたことを特徴とするハードディスク装置。

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