JPH0722567A - モールド樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents

モールド樹脂封止型半導体装置とその製造方法

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JPH0722567A
JPH0722567A JP16303093A JP16303093A JPH0722567A JP H0722567 A JPH0722567 A JP H0722567A JP 16303093 A JP16303093 A JP 16303093A JP 16303093 A JP16303093 A JP 16303093A JP H0722567 A JPH0722567 A JP H0722567A
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JP
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semiconductor device
mold resin
external
leads
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JP16303093A
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Yusuke Suzuki
裕介 鈴木
Yuichi Asano
祐一 浅野
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Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
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Fujitsu Miyagi Electronics Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、半導体装置のリードの構造に関
し、半導体組立て工程後における外部リードの変形を防
止し、パッケージの小型化を図ってプリント基板等への
実装密度を大きくすることを目的とする。 【構成】 モールド樹脂封止型半導体装置の外部リード
1が、モールド樹脂パッケージ2の実装面3に平行に、
且つ、密着露出して設けられた構造を有するように、或
いは、1個のリード4が、モールド樹脂パッケージ2の
実装面3に平行に、且つ、密着露出して設けられた第一
の外部リード5と、モールド樹脂パッケージ2の側面に
設けられた第二の外部リード6とに分岐して設けられた
構造を有するように構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の外部リー
ドの構造に関する。近年、LSI等の半導体装置の品質
向上の要求、並びに小型化、薄型化にともなうパッケー
ジの外部リード(アウターリード)の微細化に伴う精度
の安定化が課題となっている。
【0002】そのため、外部リードの微細化による外部
リードの変形防止に注意を払う必要がある。
【0003】
【従来の技術】図5は従来例の説明図である。図におい
て、21はリードフレーム、22はリード、23はタイバー、
24はダイステージ、25は半導体チップ、26はワイヤ、27
はモールド樹脂パッケージ、28は外部リード、29は内部
リード、30はモールド樹脂封止型半導体装置である。
【0004】従来のモールド樹脂封止型半導体装置30の
組立て工程においては、図5(a)にリードフレーム21
の主要部を平面図で示すように、リードフレーム21のダ
イステージ24上にLSI等の半導体チップ25をダイス付
け後、半導体チップ25上の図示しないパッドとリードフ
レーム21の各リード22の先端をワイヤ26のボンディング
により結線する。
【0005】リード22の数は多いもので数百本あるが、
簡単にするために10本図示するに止めた。リードは例え
ば 0.15 mmと薄く、また幅も 0.11 mm、間隔も 0.11 mm
と狭くて曲がったりし易いので、タイバー23で補強して
ある。
【0006】図5(a)の断面図を図5(b)に示す。
次に、図5(c)に示すように、リードフレーム21の中
央部をエポキシ樹脂等のモールド樹脂により封止してモ
ールド樹脂パッケージ27を成形する。
【0007】この時リード22のモールド樹脂内の部分を
内部リード( インナーリード) 29、モールド樹脂外の部
分を外部リード(アウターリード)28とする。外部リー
ド28は全面を半田めっきされる。
【0008】続いて、図5(d)に示すように、外部リ
ード28は成形されて曲げられる。そして、図5(e)に
示すように、外部リード28の先端を繋いでいたタイバー
23を切断(カット)して、モールド樹脂封止型半導体装
置30が完成する。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかし、リードフレー
ム21のリード22は高集積化され、多ピン化された半導体
装置では数百本に及び、各外部リード28は前述のように
薄く微小幅で直ぐ曲がりやすく、外部リード28の曲げ及
び切断後の工程において、外部リード28自身の変形に対
して、細心の注意を払わねばならず、また、完成品とし
て出来上がったモールド樹脂封止型半導体装置30に対し
ても同様に注意を払わねばならなかった。
【0010】又、従来のモールド樹脂封止型半導体装置
30では、実装上、出荷前の特性チエックがしやすい外部
リードと、ユーザーが使用するための実装しやすい外部
リードとを使い分けて、異なる方向に同じ信号のリード
を出すのは困難であった。
【0011】本発明は、上記の点を鑑み、半導体組立て
工程後における外部リードの変形を防止し、パッケージ
の小型化を図ってプリント基板等への実装密度を大きく
することを目的として提供されるものである。
【0012】
【課題を解決するための手段】図1は本発明の原理説明
図である。図において、1は外部リード、2はモールド
樹脂パッケージ、3はリード、4は実装面、5は第一の
外部リード、6は第二の外部リード、7は内部リード、
8はダイステージ、9は半導体チップ、10はワイヤ、11
はモールド樹脂封止型半導体装置、12はリードフレーム
である。
【0013】上記問題点の解決の手段として、本発明で
は、図1(a)に示すように、通常の位置にある第二の
外部リード6はモールド樹脂パッケージの端面でカット
してしまい、パッケージ2の実装面に平行密着してリー
ド3の内部リード7から分岐した第1の外部リード5を
設ける。
【0014】或いは、図1(b)に示すように、特性チ
エック用に従来の第二の外部リード6を残し、別に設け
た本発明の第一の外部リード5をプリント基板等への接
合用に、パッケージの実装面に平行に、且つ密着露出し
て設ける。
【0015】即ち、本発明の目的は、図1(a)に示す
ように、外部リード1が、モールド樹脂パッケージ2の
実装面4に平行に、且つ、密着露出して設けられた構造
を有することにより、或いは、図1(b)に示すよう
に、モールド樹脂封止型半導体装置11の外部リード1
が、モールド樹脂パッケージ2の実装面4に平行に、且
つ、密着露出して設けられた構造を有することにより、
或いは、1個のリード3が、モールド樹脂パッケージ2
の実装面4に平行に、且つ、密着露出して設けられた第
一の外部リード5と、モールド樹脂パッケージ2の側面
に設けられた第二の外部リード6とに分岐して設けられ
た構造を有することにより、更に、図1(c)に示すよ
うに、前記第二の外部リード6が複数方向に設けられた
構造を有することにより、又、図1(d)に示すよう
に、第一の外部リード5を特性試験終了後に切断して出
荷することにより達成される。
【0016】
【作用】本発明では、図1に示すように、実装用の外部
リードがモールド樹脂パッケージの側面になく、実装面
に平行に、且つ、密着露出して形成されているため、外
部リードが曲がったり、傷付いたりする心配がなく、ま
た、実装前の特性チェックは従来型の外部リードで容易
に行うことが出来る。
【0017】
【実施例】図2〜図4は本発明の一実施例の説明図であ
る。図において、1は外部リード、2はモールド樹脂パ
ッケージ、3はリード、4は実装面、5は第一の外部リ
ード、6は第二の外部リード、7は内部リード、8はダ
イステージ、9は半導体チップ、10はワイヤ、11はモー
ルド樹脂封止型半導体装置、12はリードフレーム、13は
バンプ、14は第一のTABテープ、15は第二のTABテ
ープである。
【0018】先ず、本発明の出荷前の特性試験用の第二
の外部リードとプリント基板への実装用の第一の外部リ
ードとを有する第一の実施例について図2により説明す
るが、従来例でのべたように、リードの微細化により外
部リードの幅及び間隔とも、0.1mmまで量産的にも微
細化されており、チップのリード数も千本近くなる。
【0019】そのため図面を簡略化して、左右対象のチ
ップ並びにリードフレームの左半分を図示し、リード数
も16ピンのみ表示する。第二、第三の実施例について
も同様である。
【0020】図2(a)に平面図で示すように、リード
フレーム12のダイステージ8上にダイス付けされた半導
体チップ9の図示しないパッドと内部リード7の先端を
30μm径の金(Au)線等のワイヤでボンディングし、結
線する。
【0021】この時、本発明のリード3は、図2(b)
に断面図で示すように、内部リード7から直線的に外方
に伸びた従来型の第二の外部リード6と、下方に分岐し
た本発明の第一の外部リード5に分かれて形成されてい
る。
【0022】図2(c)に示すように、このリードフレ
ーム12と半導体チップ9をエポキシ系の低粘度のモール
ド樹脂で封止した後、第一、及び第二の外部リード5、
6を半田でメッキし、成形し、モールド樹脂パッケージ
2の側面から出た第二の外部リード6を成形し、特性試
験を行った後、図2(d)に示すように、モールド樹脂
パッケージ2の側面で不要になった第二の外部リード6
を切断して出荷する。
【0023】従って,プリント板への実装は実装面4に
密着露出した第一の外部リード5を用いて行う。次に、
本発明の外部リードの分岐が異なる場合の第二の実施例
を図3により説明する。
【0024】図3(a)の平面図において、図の左側の
半分に外部リードが三方向に分岐した場合、右側の半分
に外部リードが1本の場合を示す。図3(b)に断面図
で示すように、リード3と半導体チップ2上の図示しな
いパッド間をワイヤボンディングする。
【0025】その場合に、リード3と半導体チップ9の
ワイヤ付けが長くて、長ループのワイヤボンディングが
問題に成る場合は、図3(b)の右側に示すように、リ
ード3の途中に窪みを作っても良い。
【0026】図3(c)に示すように、モールド樹脂で
封止する。その後、図3(d)に示すように、第一、及
び第二の外部リード5、6のめっき、成形、切断を行っ
た後、特性試験を行い、更に、モールド樹脂パッケージ
2の端面から、不要になった第二の外部リード6を切断
して出荷し、ユーザーは第一の外部リード5を用いてプ
リント板に半田付け実装する。
【0027】続いて、背中併せに2個積層したチップと
2個のTABフィルムを用いて1個のモールド樹脂パッ
ケージ型半導体装置11を形成する場合への本発明を応用
した外部リードの分岐数が異なる第三の実施例を図4に
より説明する。
【0028】図4(a)の平面図において、図の左側の
半分に外部リードを三方向に分岐した場合、右側の半分
に外部リードが1本の場合を示す。図4(b)に断面図
で示すように、2個の半導体チップ9の外面からバンプ
13を経由してTABフィルム14、15によりワイヤボンデ
ィングを行う。
【0029】図4(c)に示すように、モールド樹脂で
封止する。その後、必要により、モールド樹脂パッケー
ジ側面の第二の外部リードを切断して出荷する。
【0030】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
モールド樹脂封止型半導体装置の外部リードの曲がりや
痛むのを未然に防止することができ、LSI等の半導体
装置の信頼性の確保に寄与するところが大きい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の原理説明図
【図2】 本発明の第一の実施例の説明図
【図3】 本発明の第二の実施例の説明図
【図4】 本発明の第三の実施例の説明図
【図5】 従来例の説明図
【符号の説明】 1 外部リード 2 モールド樹脂パッケージ 3 リード 4 実装面 5 第一の外部リード 6 第二の外部リード 7 内部リード 8 ダイステージ 9 半導体チップ 10 ワイヤ 11 モールド樹脂封止型半導体装置 12 リードフレーム 13 バンプ 14 第一のTABテープ 15 第二のTABテープ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/28 A 8617−4M

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 外部リード(1) が、モールド樹脂パッケ
    ージ(2) の実装面(4) に平行に、且つ、密着露出して設
    けられた構造を有することを特徴とするモールド樹脂封
    止型半導体装置。
  2. 【請求項2】 1個のリード(3) が、モールド樹脂パッ
    ケージ(2) の実装面(4) に平行に、且つ、密着露出して
    設けられた第一の外部リード(5) と、該モールド樹脂パ
    ッケージ(2) の側面に設けられた第二の外部リード(6)
    とに分岐して設けられた構造を有することを特徴とする
    モールド樹脂封止型半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記第一の外部リード(5) が複数方向に
    設けられた構造を有することを特徴とする請求項2記載
    のモールド樹脂封止型半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記第二の外部リード(6) を特性試験終
    了後に切断して出荷することを特徴とするモールド樹脂
    封止型半導体装置の製造方法。
JP16303093A 1993-07-01 1993-07-01 モールド樹脂封止型半導体装置とその製造方法 Pending JPH0722567A (ja)

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