JP3232698B2 - 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置とその製造方法Info
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型半導体装
置、特に、薄型化、小型化を図ることができる樹脂封止
型半導体装置と、その製造方法に関する。
置、特に、薄型化、小型化を図ることができる樹脂封止
型半導体装置と、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は樹脂封止型半導体装置の従来例を
示す断面図である。図面において、ａはダイパッドで、
当初リードフレームの一部を成していたものであり、こ
の表面に接着剤ｂを介して半導体チップｃがダイボンデ
ィングされている。
示す断面図である。図面において、ａはダイパッドで、
当初リードフレームの一部を成していたものであり、こ
の表面に接着剤ｂを介して半導体チップｃがダイボンデ
ィングされている。
【０００３】ｄは内端がワイヤｅを介して半導体チップ
ｃの電極に接続されたリードで、内端部を除くほとんど
が封止樹脂ｆの外部に露出せしめられている。そして、
該リードｄの外端部が配線基板の配線膜に接続されるこ
とになる。
ｃの電極に接続されたリードで、内端部を除くほとんど
が封止樹脂ｆの外部に露出せしめられている。そして、
該リードｄの外端部が配線基板の配線膜に接続されるこ
とになる。
【０００４】尚、半導体チップｃをベアのまま保管し配
線基板の配線にバンプを介してフェイスダウンボンディ
ングし、その後、半導体チップと配線基板との間の部分
に樹脂を封止する方法、即ちフリップチップ実装方法も
ある。図８はこのような実装例を示す断面図である。同
図においてｇは配線基板、ｈは配線膜、ｉはバンプであ
る。
線基板の配線にバンプを介してフェイスダウンボンディ
ングし、その後、半導体チップと配線基板との間の部分
に樹脂を封止する方法、即ちフリップチップ実装方法も
ある。図８はこのような実装例を示す断面図である。同
図においてｇは配線基板、ｈは配線膜、ｉはバンプであ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図７に示し
た従来の樹脂封止型半導体装置には下記のような問題点
があった。樹脂封止型半導体装置全体の占有面積に占め
るリードの封止樹脂ｆから露出した部分の占有面積の割
合が大きく、そのことが樹脂封止型半導体装置の実装の
高密度化を制約する要因となる。
た従来の樹脂封止型半導体装置には下記のような問題点
があった。樹脂封止型半導体装置全体の占有面積に占め
るリードの封止樹脂ｆから露出した部分の占有面積の割
合が大きく、そのことが樹脂封止型半導体装置の実装の
高密度化を制約する要因となる。
【０００６】また、各リードｄの封止樹脂ｆから露出し
た部分を曲折し、その先端を配線基板の配線膜に接続す
るので、リードｄの曲り折げ具合によってリードｄ先端
の高さにバラツキが生じ、接続不良が生じる可能性があ
る。しかも、従来においてリードフレームを利用して組
み立てる場合、樹脂封止後封止樹脂漏れ防止用タイバー
をカットする必要があるが、リードの微細化、リードピ
ッチの微小化に伴ってそのタイバーカットが難しくなる
段階に至っている。具体的にはタイバーカット用金型の
製造が難しくなっているのである。
た部分を曲折し、その先端を配線基板の配線膜に接続す
るので、リードｄの曲り折げ具合によってリードｄ先端
の高さにバラツキが生じ、接続不良が生じる可能性があ
る。しかも、従来においてリードフレームを利用して組
み立てる場合、樹脂封止後封止樹脂漏れ防止用タイバー
をカットする必要があるが、リードの微細化、リードピ
ッチの微小化に伴ってそのタイバーカットが難しくなる
段階に至っている。具体的にはタイバーカット用金型の
製造が難しくなっているのである。
【０００７】また、図８に示すようにフリップチップ実
装した場合には、図７に示す場合において存在する問題
はないが、しかし別の問題がある。即ち、フリップチッ
プ実装の場合には、半導体チップは配線基板に実装され
るまではベアの状態に置かれ、その間に劣化が生じる虞
れがあり、また、半導体チップを基板に対してフェイス
ダウンボンディングをした後の半導体チップのバンプを
介しての配線基板の配線膜への接続状態の確認が難しい
という問題もある。
装した場合には、図７に示す場合において存在する問題
はないが、しかし別の問題がある。即ち、フリップチッ
プ実装の場合には、半導体チップは配線基板に実装され
るまではベアの状態に置かれ、その間に劣化が生じる虞
れがあり、また、半導体チップを基板に対してフェイス
ダウンボンディングをした後の半導体チップのバンプを
介しての配線基板の配線膜への接続状態の確認が難しい
という問題もある。
【０００８】そのうえ、ファイスダウンボンディング
後、樹脂で封止すると後でリペアすることが不可能であ
り、一つの電極で接続不良が生じていたことが後で解っ
てももはやリペアすることは不可能である。また、配線
基板と半導体チップとの間には熱膨張係数の差があり、
温度変化による熱ストレスが半導体チップの電極と配線
基板との接合部に集中し破壊が生じ易くなる。また、配
線基板の半導体チップが取り付けられる部分の近傍の配
線膜のパターン、ピッチを半導体チップに応じて変えな
ければならず、配線基板の配線パターンの設計の標準化
が難しいという問題もある。
後、樹脂で封止すると後でリペアすることが不可能であ
り、一つの電極で接続不良が生じていたことが後で解っ
てももはやリペアすることは不可能である。また、配線
基板と半導体チップとの間には熱膨張係数の差があり、
温度変化による熱ストレスが半導体チップの電極と配線
基板との接合部に集中し破壊が生じ易くなる。また、配
線基板の半導体チップが取り付けられる部分の近傍の配
線膜のパターン、ピッチを半導体チップに応じて変えな
ければならず、配線基板の配線パターンの設計の標準化
が難しいという問題もある。
【０００９】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、接続後の確認を不能にしたり、リペ
ア性をなくしたり、接合部への熱ストレスの集中の問題
を生じることなく高密度実装を可能にし、封止後タイバ
ーを切断する必要をなくすことを目的とする。
されたものであり、接続後の確認を不能にしたり、リペ
ア性をなくしたり、接合部への熱ストレスの集中の問題
を生じることなく高密度実装を可能にし、封止後タイバ
ーを切断する必要をなくすことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の樹脂封止型半
導体装置は、内端が半導体チップの電極に接続されたイ
ンナーリードの外端にこれより厚い接続端片が接続さ
れ、該インナーリードの外端表面が封止樹脂の表面に露
出せしめられて外部端子とされたことを特徴とする。請
求項２の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、インナー
リードの外端をこれより厚い保持フレームに接続したリ
ードフレームを用意し、インナーリードの内端を半導体
チップの各電極に接続し、その後、半導体チップを樹脂
で封止し、しかる後、インナーリード及び保持フレーム
の封止樹脂から突出した部分をカットすることを特徴と
する。
導体装置は、内端が半導体チップの電極に接続されたイ
ンナーリードの外端にこれより厚い接続端片が接続さ
れ、該インナーリードの外端表面が封止樹脂の表面に露
出せしめられて外部端子とされたことを特徴とする。請
求項２の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、インナー
リードの外端をこれより厚い保持フレームに接続したリ
ードフレームを用意し、インナーリードの内端を半導体
チップの各電極に接続し、その後、半導体チップを樹脂
で封止し、しかる後、インナーリード及び保持フレーム
の封止樹脂から突出した部分をカットすることを特徴と
する。
【００１１】
【作用】請求項１の樹脂封止型半導体装置によれば、半
導体チップの封止樹脂表面に露出したインナーリード外
端の表面がそのまま外部端子となるので、封止樹脂の占
有面積がそのまま樹脂封止型半導体装置としての占有面
積になり、リードの封止樹脂外における占有面積を略０
にできる。従って、その分、樹脂封止型半導体装置の占
有面積を小さくして樹脂封止型半導体装置の小型化に寄
与できる。また、インナーリードの外端が接続端片によ
り補強されているのでインナーリード強度が弱くなると
いう虞れはない。
導体チップの封止樹脂表面に露出したインナーリード外
端の表面がそのまま外部端子となるので、封止樹脂の占
有面積がそのまま樹脂封止型半導体装置としての占有面
積になり、リードの封止樹脂外における占有面積を略０
にできる。従って、その分、樹脂封止型半導体装置の占
有面積を小さくして樹脂封止型半導体装置の小型化に寄
与できる。また、インナーリードの外端が接続端片によ
り補強されているのでインナーリード強度が弱くなると
いう虞れはない。
【００１２】請求項２の樹脂封止型半導体装置の製造方
法によれば、インナーリードが接続された保持フレーム
を部分的に含むように樹脂封止するか含まないように樹
脂封止するかによって樹脂封止型半導体装置を容易に得
ることができる。
法によれば、インナーリードが接続された保持フレーム
を部分的に含むように樹脂封止するか含まないように樹
脂封止するかによって樹脂封止型半導体装置を容易に得
ることができる。
【００１３】そして、インナーリードは薄くても樹脂封
止されるまでは保持フレームにより保持されているの
で、インナーリードの機械的強度が弱くてもインナーリ
ードの折れ曲りインナーリード間のショートの虞がな
い。また、樹脂封止後インナーリード及び保持フレーム
の封止樹脂から突出した部分すべてをカットし、タイバ
ーをカットするということは必要がないので、カット用
金型がインナーリードの高密度化によって製造が難しい
という虞がない。
止されるまでは保持フレームにより保持されているの
で、インナーリードの機械的強度が弱くてもインナーリ
ードの折れ曲りインナーリード間のショートの虞がな
い。また、樹脂封止後インナーリード及び保持フレーム
の封止樹脂から突出した部分すべてをカットし、タイバ
ーをカットするということは必要がないので、カット用
金型がインナーリードの高密度化によって製造が難しい
という虞がない。
【００１４】
【実施例】以下、本発明樹脂封止型半導体装置とその製
造方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１
（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置の一つの
実施例を示すもので、（Ａ）は樹脂封止型半導体装置を
上下逆さにして示す斜視図、（Ｂ）は樹脂封止型半導体
装置の断面図である。
造方法を図示実施例に従って詳細に説明する。図１
（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置の一つの
実施例を示すもので、（Ａ）は樹脂封止型半導体装置を
上下逆さにして示す斜視図、（Ｂ）は樹脂封止型半導体
装置の断面図である。
【００１５】１は半導体チップ、２はバンプ、３はイン
ナーリードで、薄い銅からなり、該インナーリード３の
内端はバンプ２を介して半導体チップ１の電極に接続さ
れている。該インナーリード３は外側に行くに従って半
導体チップ１から離れるように斜めに延びている。これ
はインナーリード３の半導体チップ１のエッジショート
不良を防止するためである。
ナーリードで、薄い銅からなり、該インナーリード３の
内端はバンプ２を介して半導体チップ１の電極に接続さ
れている。該インナーリード３は外側に行くに従って半
導体チップ１から離れるように斜めに延びている。これ
はインナーリード３の半導体チップ１のエッジショート
不良を防止するためである。
【００１６】４はインナーリード３の外端に形成された
アルミニウムからなる中間材（エッチングストッパ）
で、インナーリード３の外端に該中間材４を介して銅か
らなる接続端片５が形成されている。該接続端片５、中
間材４及びインナーリード３は樹脂封止後のカット前ま
では後述するように保持フレームによって複数の半導体
チップ分リードフレームとして一体化されたものであ
り、そして、接続端片５はその保持フレームの一部を成
していたものである。
アルミニウムからなる中間材（エッチングストッパ）
で、インナーリード３の外端に該中間材４を介して銅か
らなる接続端片５が形成されている。該接続端片５、中
間材４及びインナーリード３は樹脂封止後のカット前ま
では後述するように保持フレームによって複数の半導体
チップ分リードフレームとして一体化されたものであ
り、そして、接続端片５はその保持フレームの一部を成
していたものである。
【００１７】尚、この保持フレームによって複数の半導
体チップ分接続端片５、中間材４及びインナーリード３
を一体化したリードフレームは、例えば特願平１−２８
８１７３号、特願平３−３０６６６９号等により本願出
願人会社が提案したリードフレーム製造技術により製造
することができる。
体チップ分接続端片５、中間材４及びインナーリード３
を一体化したリードフレームは、例えば特願平１−２８
８１７３号、特願平３−３０６６６９号等により本願出
願人会社が提案したリードフレーム製造技術により製造
することができる。
【００１８】この場合、特願平１−２８８１７３号にお
けるインナーリード、エッチングストップ層が本樹脂封
止型半導体装置におけるインナーリード３、中間材４に
相当し、特願平１−２８８１７３号等におけるアウター
リードが保持フレームに相当する。そして、インナーリ
ードを微細加工する必要性は特願平１−２８８１７３号
等の半導体装置においても本樹脂封止型半導体装置にお
いても同様に高いが、特願平１−２８８１７３号におけ
るアウターリードの微細加工の必要性に対して本樹脂封
止型半導体装置における保持フレームの微細加工の必要
性は低くて済む。というのは、保持フレームは樹脂封止
までインナーリードの形を保持する役割を果せば良く、
樹脂封止が終れば切断され、アウターリードとしての役
割を果す必要がないからである。尚、保持フレームに関
しては後で改めて説明する。
けるインナーリード、エッチングストップ層が本樹脂封
止型半導体装置におけるインナーリード３、中間材４に
相当し、特願平１−２８８１７３号等におけるアウター
リードが保持フレームに相当する。そして、インナーリ
ードを微細加工する必要性は特願平１−２８８１７３号
等の半導体装置においても本樹脂封止型半導体装置にお
いても同様に高いが、特願平１−２８８１７３号におけ
るアウターリードの微細加工の必要性に対して本樹脂封
止型半導体装置における保持フレームの微細加工の必要
性は低くて済む。というのは、保持フレームは樹脂封止
までインナーリードの形を保持する役割を果せば良く、
樹脂封止が終れば切断され、アウターリードとしての役
割を果す必要がないからである。尚、保持フレームに関
しては後で改めて説明する。
【００１９】６は封止樹脂であり、上記インナーリード
３の外端表面が封止樹脂６の表面に露出するように封止
が為されており、後述する保持フレームの一部を成して
いた接続端片５も封止樹脂６に封止されている。７はイ
ンナーリード３の封止樹脂６表面に露出した外端表面に
形成された半田メッキ層であり、インナーリード３の封
止樹脂６表面に露出した表面がそのまま外部端子として
半田層７を介して配線基板の配線膜に接続される。
３の外端表面が封止樹脂６の表面に露出するように封止
が為されており、後述する保持フレームの一部を成して
いた接続端片５も封止樹脂６に封止されている。７はイ
ンナーリード３の封止樹脂６表面に露出した外端表面に
形成された半田メッキ層であり、インナーリード３の封
止樹脂６表面に露出した表面がそのまま外部端子として
半田層７を介して配線基板の配線膜に接続される。
【００２０】図２は樹脂封止型半導体装置が配線基板に
接続された状態を示す拡大断面図である。同図におい
て、８はインナーリード３の外端表面を配線基板９の配
線膜１０に接続する半田層である。
接続された状態を示す拡大断面図である。同図におい
て、８はインナーリード３の外端表面を配線基板９の配
線膜１０に接続する半田層である。
【００２１】このような樹脂封止型半導体装置には下記
の利点がある。先ず第１に、リードの封止樹脂６から突
出しする部分がカットされており、リードの封止樹脂６
外における占有面積が０になる。従って、その分樹脂封
止型半導体装置の占有面積を小さくして樹脂封止型半導
体装置の小型化に寄与できる。そして、それが樹脂封止
型半導体装置の高密度実装につながる。また、インナー
リード３の外端が接続端片５により補強されているので
インナーリード３が微細化のために薄くされていても強
度を充分に強くできる。
の利点がある。先ず第１に、リードの封止樹脂６から突
出しする部分がカットされており、リードの封止樹脂６
外における占有面積が０になる。従って、その分樹脂封
止型半導体装置の占有面積を小さくして樹脂封止型半導
体装置の小型化に寄与できる。そして、それが樹脂封止
型半導体装置の高密度実装につながる。また、インナー
リード３の外端が接続端片５により補強されているので
インナーリード３が微細化のために薄くされていても強
度を充分に強くできる。
【００２２】次に、外部端子となるインナーリード３の
外端表面は封止樹脂６の表面に露出して該表面の一部を
成すように形成され、従って、従来の樹脂封止型半導体
装置におけるようなリードの曲りによる配線基板に接続
されるリード先端の高さがバラツイて半田付け不良が生
じるという問題は生じない。
外端表面は封止樹脂６の表面に露出して該表面の一部を
成すように形成され、従って、従来の樹脂封止型半導体
装置におけるようなリードの曲りによる配線基板に接続
されるリード先端の高さがバラツイて半田付け不良が生
じるという問題は生じない。
【００２３】そして、樹脂封止後、保持フレームの封止
樹脂６から突出した部分がカットされ、樹脂漏れ防止用
タイバーのみをカットする必要がなく、タイバーのみを
カットするためにリードの微細化、高密度化が妨げられ
ることはない。
樹脂６から突出した部分がカットされ、樹脂漏れ防止用
タイバーのみをカットする必要がなく、タイバーのみを
カットするためにリードの微細化、高密度化が妨げられ
ることはない。
【００２４】また、インナーリード３が斜めに延びるよ
うに形成されているので、半導体チップ１のエッジとシ
ョートする事故の生じる虞れも少ない。しかも、インナ
ーリード３の外端表面が封止樹脂６の表面に露出してい
る構造であり、封止樹脂６を徒らに厚くしなくても済
む。
うに形成されているので、半導体チップ１のエッジとシ
ョートする事故の生じる虞れも少ない。しかも、インナ
ーリード３の外端表面が封止樹脂６の表面に露出してい
る構造であり、封止樹脂６を徒らに厚くしなくても済
む。
【００２５】尚、フリップチップ実装しないので、実装
後半導体チップと配線基板との接続状態を確認できない
という問題はなく、半導体チップが実装までにベアのま
まの状態におかれて劣化するという虞れもなく、また、
実装後半田付け不良が発見されたときリペアできないと
いう問題もない。そして、半導体チップと配線基板との
熱膨張係数の違いによる熱ストレスが生じてもインナー
リード３の撓み具合の変化によりその熱ストレスを吸収
することができる。従って、熱ストレスによって樹脂封
止型半導体装置と配線基板との接合部が破壊する虞れも
ない。
後半導体チップと配線基板との接続状態を確認できない
という問題はなく、半導体チップが実装までにベアのま
まの状態におかれて劣化するという虞れもなく、また、
実装後半田付け不良が発見されたときリペアできないと
いう問題もない。そして、半導体チップと配線基板との
熱膨張係数の違いによる熱ストレスが生じてもインナー
リード３の撓み具合の変化によりその熱ストレスを吸収
することができる。従って、熱ストレスによって樹脂封
止型半導体装置と配線基板との接合部が破壊する虞れも
ない。
【００２６】図３（Ａ）、（Ｂ）は図１に示す樹脂封止
型半導体装置の各別の変形例を示す拡大断面図で、
（Ａ）はよりエッジショート防止を強めた変形例であ
り、（Ｂ）はインナーリード３の封止樹脂６から露出し
た表面を湾曲した形状にして半田フィレットの形状を改
善した変形例である。このように種々の変形例が考えら
れ得る。
型半導体装置の各別の変形例を示す拡大断面図で、
（Ａ）はよりエッジショート防止を強めた変形例であ
り、（Ｂ）はインナーリード３の封止樹脂６から露出し
た表面を湾曲した形状にして半田フィレットの形状を改
善した変形例である。このように種々の変形例が考えら
れ得る。
【００２７】図４（Ａ）乃至（Ｃ）は図１に示す樹脂封
止型半導体装置の製造方法を工程順に示す平面図であ
る。 （Ａ）先ず、複数半導体チップ分のインナーリード３を
それより厚い保持フレーム１１により一体化したリード
フレーム１２を用意し、各インナーリード３、３、…の
内端をそれに対応する半導体チップ１の各電極にバンプ
を介してボンディングする。尚、１３は樹脂漏れ防止用
タイバーである。
止型半導体装置の製造方法を工程順に示す平面図であ
る。 （Ａ）先ず、複数半導体チップ分のインナーリード３を
それより厚い保持フレーム１１により一体化したリード
フレーム１２を用意し、各インナーリード３、３、…の
内端をそれに対応する半導体チップ１の各電極にバンプ
を介してボンディングする。尚、１３は樹脂漏れ防止用
タイバーである。
【００２８】（Ｂ）次に、図４（Ｂ）に示すように樹脂
封止をする。６ａは漏れた樹脂、１４は金型のキャビテ
ィである。その後、インナーリード３及び保持フレーム
１１の表面に半田メッキを施す。本実施例においては、
保持フレーム１１も部分的に樹脂封止されて接続端片５
となるようにしている。
封止をする。６ａは漏れた樹脂、１４は金型のキャビテ
ィである。その後、インナーリード３及び保持フレーム
１１の表面に半田メッキを施す。本実施例においては、
保持フレーム１１も部分的に樹脂封止されて接続端片５
となるようにしている。
【００２９】（Ｃ）次に、図４（Ｃ）に示すように保持
フレーム１１の封止樹脂６から突出した部分をカットす
る。尚、インナーリードが接続された保持フレームを部
分的に含むように樹脂するか含まないように樹脂するか
によって請求項１又は２の樹脂封止型半導体装置を容易
に得ることができる。
フレーム１１の封止樹脂６から突出した部分をカットす
る。尚、インナーリードが接続された保持フレームを部
分的に含むように樹脂するか含まないように樹脂するか
によって請求項１又は２の樹脂封止型半導体装置を容易
に得ることができる。
【００３０】そして、インナーリード３は薄くても樹脂
封止されるまでは保持フレーム１１により保持されてい
るので、インナーリード３の機械的強度が弱くてもイン
ナーリード３の折れ曲り、インナーリード３・３間のシ
ョートの虞れがない。また、樹脂封止後インナーリード
３及び保持フレーム１１の封止樹脂６から突出した部分
すべてをカットし、タイバー１３をカットするというこ
とは必要がないので、カット用金型がインナーリードの
高密度化によって製造が難しいという虞れがない。
封止されるまでは保持フレーム１１により保持されてい
るので、インナーリード３の機械的強度が弱くてもイン
ナーリード３の折れ曲り、インナーリード３・３間のシ
ョートの虞れがない。また、樹脂封止後インナーリード
３及び保持フレーム１１の封止樹脂６から突出した部分
すべてをカットし、タイバー１３をカットするというこ
とは必要がないので、カット用金型がインナーリードの
高密度化によって製造が難しいという虞れがない。
【００３１】図５（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半
導体装置の他の実施例を示す断面図で、（Ａ）は完成後
の状態を示し、（Ｂ）は封止前の状態を示す。本樹脂封
止型半導体装置は完成段階で図１の樹脂封止型半導体装
置とはインナーリード３の外端に中間材４及び接続端片
５が形成されていないという点である。
導体装置の他の実施例を示す断面図で、（Ａ）は完成後
の状態を示し、（Ｂ）は封止前の状態を示す。本樹脂封
止型半導体装置は完成段階で図１の樹脂封止型半導体装
置とはインナーリード３の外端に中間材４及び接続端片
５が形成されていないという点である。
【００３２】勿論、本樹脂封止型半導体装置も図１に示
した樹脂封止型半導体装置の場合と略同じ方法で製造さ
れるが、樹脂封止領域が保持フレームを含まないように
設定され、そして、樹脂封止後封止樹脂６から突出しす
るインナーリード３の先端部をカットするという点での
み相違する。従って、カットされるまではインナーリー
ド３が保持フレーム１１によって形が保持されているの
である。本実施例も図１の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
した樹脂封止型半導体装置の場合と略同じ方法で製造さ
れるが、樹脂封止領域が保持フレームを含まないように
設定され、そして、樹脂封止後封止樹脂６から突出しす
るインナーリード３の先端部をカットするという点での
み相違する。従って、カットされるまではインナーリー
ド３が保持フレーム１１によって形が保持されているの
である。本実施例も図１の実施例と同様の効果を得るこ
とができる。
【００３３】図６は図５の樹脂封止型半導体装置の変形
例を示す断面図である。本樹脂封止型半導体装置は、半
導体チップ１の裏面が封止樹脂６の表面から露出するよ
うにしたもので、このような構造にすることにより封止
樹脂６をより薄型化することができる。また、放熱性も
高めることができる。
例を示す断面図である。本樹脂封止型半導体装置は、半
導体チップ１の裏面が封止樹脂６の表面から露出するよ
うにしたもので、このような構造にすることにより封止
樹脂６をより薄型化することができる。また、放熱性も
高めることができる。
【００３４】
【発明の効果】請求項１の樹脂封止型半導体装置は、内
端が半導体チップの電極に接続されたインナーリードの
外端にこれより厚い接続端片が接続され、該インナーリ
ードの外端表面が封止樹脂の表面に露出せしめられて外
部端子とされたことを特徴とするものである。従って、
請求項１の樹脂封止型半導体装置によれば、半導体チッ
プの封止樹脂表面に露出した表面がそのまま外部端子と
なるので、封止樹脂の占有面積がそのまま樹脂封止型半
導体装置としての占有面積になり、リードの封止樹脂外
における占有面積を略０にできる。従って、その分樹脂
封止型半導体装置の占有面積を小さくして樹脂封止型半
導体装置の小型化に寄与できる。また、インナーリード
の外端が接続端片により補強されているのでインナーリ
ード強度が弱くなるという虞れはない。
端が半導体チップの電極に接続されたインナーリードの
外端にこれより厚い接続端片が接続され、該インナーリ
ードの外端表面が封止樹脂の表面に露出せしめられて外
部端子とされたことを特徴とするものである。従って、
請求項１の樹脂封止型半導体装置によれば、半導体チッ
プの封止樹脂表面に露出した表面がそのまま外部端子と
なるので、封止樹脂の占有面積がそのまま樹脂封止型半
導体装置としての占有面積になり、リードの封止樹脂外
における占有面積を略０にできる。従って、その分樹脂
封止型半導体装置の占有面積を小さくして樹脂封止型半
導体装置の小型化に寄与できる。また、インナーリード
の外端が接続端片により補強されているのでインナーリ
ード強度が弱くなるという虞れはない。
【００３５】請求項２の樹脂封止型半導体装置の製造方
法は、インナーリードの外端をこれより厚い保持フレー
ムに接続したリードフレームを用意し、該インナーリー
ドの内端を半導体チップの各電極に接続し、その後、半
導体チップを樹脂で封止し、しかる後、インナーリード
及び保持フレームの封止樹脂から突出した部分をカット
する。
法は、インナーリードの外端をこれより厚い保持フレー
ムに接続したリードフレームを用意し、該インナーリー
ドの内端を半導体チップの各電極に接続し、その後、半
導体チップを樹脂で封止し、しかる後、インナーリード
及び保持フレームの封止樹脂から突出した部分をカット
する。
【００３６】従って、請求項２の樹脂封止型半導体装置
の製造方法によれば、インナーリードが接続された保持
フレームを部分的に含むように樹脂するか含まないよう
に樹脂するかによって樹脂封止型半導体装置を容易に得
ることができる。
の製造方法によれば、インナーリードが接続された保持
フレームを部分的に含むように樹脂するか含まないよう
に樹脂するかによって樹脂封止型半導体装置を容易に得
ることができる。
【００３７】そして、インナーリードは薄くても樹脂封
止されるまでは保持フレームにより保持されているの
で、インナーリードの機械的強度が弱くてもインナーリ
ードの折れ曲り不良やインナーリード間のショート不良
の発生する虞れがない。また、樹脂封止後インナーリー
ド及び保持フレームの封止樹脂から突出した部分すべて
をカットし、タイバーをカットするということは必要が
ないので、カット用金型がインナーリードの高密度化に
伴って製造が難しくなるという虞れがない。
止されるまでは保持フレームにより保持されているの
で、インナーリードの機械的強度が弱くてもインナーリ
ードの折れ曲り不良やインナーリード間のショート不良
の発生する虞れがない。また、樹脂封止後インナーリー
ド及び保持フレームの封止樹脂から突出した部分すべて
をカットし、タイバーをカットするということは必要が
ないので、カット用金型がインナーリードの高密度化に
伴って製造が難しくなるという虞れがない。
【図１】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は樹脂封止型半導
体装置を上下逆さにして示す斜視図、（Ｂ）は断面図で
ある。
の一つの実施例を示すもので、（Ａ）は樹脂封止型半導
体装置を上下逆さにして示す斜視図、（Ｂ）は断面図で
ある。
【図２】図１に示す樹脂封止型半導体装置の配線基板へ
の接続状態を示す断面図である。
の接続状態を示す断面図である。
【図３】（Ａ）、（Ｂ）は図１に示す樹脂封止型半導体
装置の各別の変形例を示す拡大断面図である。
装置の各別の変形例を示す拡大断面図である。
【図４】（Ａ）乃至（Ｃ）は図１に示す樹脂封止型半導
体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５】（Ａ）、（Ｂ）は本発明樹脂封止型半導体装置
の他の実施例を示すもので、（Ａ）は完成後の状態を示
し、（Ｂ）は樹脂封止前の状態を示す。
の他の実施例を示すもので、（Ａ）は完成後の状態を示
し、（Ｂ）は樹脂封止前の状態を示す。
【図６】図５に示す樹脂封止型半導体装置の変形例を示
す断面図である。
す断面図である。
【図７】一つの従来例を示す断面図である。
【図８】他の従来例を示す断面図である。
１ 半導体チップ ３ インナーリード ５ 接続端片 ６ 封止樹脂 １１ 保持フレーム １２ リードフレーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 秀幸 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−227143（ＪＰ，Ａ) 実開 昭59−6839（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 23/50 H01L 23/04 H01L 23/28
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体チップの各電極にインナーリード
の内端が接続され、 上記インナーリードの外端に該インナーリードより厚い
接続端片が接続され、 上記インナーリードの外端の表面が上記半導体チップを
封止する封止樹脂の表面に露出せしめられて外部端子と
されたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置 - 【請求項２】 内端が半導体チップの各電極に接続され
る各インナーリードの外端を該インナーリードより厚い
保持フレームに接続してなるリードフレームを用意し、 次に、上記各インナーリードの内端を半導体チップの各
電極に接続し、 その後、半導体チップをインナーリードの表面が封止樹
脂表面に露出するように樹脂封止し、 しかる後、上記インナーリード及び保持フレームの封止
樹脂から突出した部分をカットすることを特徴とする樹
脂封止型半導体装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27241592A JP3232698B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27241592A JP3232698B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0697349A JPH0697349A (ja) | 1994-04-08 |
| JP3232698B2 true JP3232698B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=17513593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27241592A Expired - Fee Related JP3232698B2 (ja) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3232698B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6084309A (en) * | 1992-10-20 | 2000-07-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
| US6165819A (en) * | 1992-10-20 | 2000-12-26 | Fujitsu Limited | Semiconductor device, method of producing semiconductor device and semiconductor device mounting structure |
| JP3150253B2 (ja) * | 1994-07-22 | 2001-03-26 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法並びに実装方法 |
| KR100338225B1 (ko) | 1997-10-07 | 2002-05-27 | 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시 | 반도체장치 |
| JP3297387B2 (ja) | 1998-11-20 | 2002-07-02 | 沖電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| DE19964252A1 (de) * | 1999-12-30 | 2002-06-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle |
| KR100369907B1 (ko) | 2001-02-12 | 2003-01-30 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 패키지와 그 반도체 패키지의 기판 실장 구조 및적층 구조 |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP27241592A patent/JP3232698B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0697349A (ja) | 1994-04-08 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |