JPH0645363U - 半導体レーザ素子 - Google Patents

半導体レーザ素子

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JPH0645363U
JPH0645363U JP8206892U JP8206892U JPH0645363U JP H0645363 U JPH0645363 U JP H0645363U JP 8206892 U JP8206892 U JP 8206892U JP 8206892 U JP8206892 U JP 8206892U JP H0645363 U JPH0645363 U JP H0645363U
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JP
Japan
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light
semiconductor laser
receiving element
laser device
package
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Pending
Application number
JP8206892U
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English (en)
Inventor
茂博 山田
伸幸 宮内
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体レーザ装置のパッケージ内での光の乱
反射を防止し、光学的特性に支障をきたさないようにす
る。 【構成】 半導体レーザチップ２とこのレーザチップ２
の光出力をモニタするためのフォトダイオード３とをそ
れぞれヒートシンク４とステム５に取付け、円筒パッケ
ージ６によって気密封止されて構成し、前記フォトダイ
オード３は、遮蔽箱２２で覆われ、該遮蔽箱２２にはレ
ーザチップ２からの光をフォトダイオード３へ入射する
開口部２２ａを設けている。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体レーザ装置に係り、特に光出力モニタ用受光素子の乱反射を 防止する構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、この種の半導体レーザ装置１は、図３に示すように、半導体レーザチッ プ２とこのレーザチップ２の光出力をモニタするためのフォトダイオード３とを 、それぞれヒートシンク４とステム５に取り付け、円筒パッケージ６によって気 密封止されて構成されている。
【０００３】 上記構成の半導体レーザ装置１において、半導体レーザチップ２の光Ａは、ホ トダイオード３に入射され、ホトダイオード３より光Ｂ方向に反射させていた。 該反射光Ｂは、円筒パッケージ６内壁で反射し、乱反射光Ｃが発生する。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】
上記のように、パッケージ６内で乱反射光Ｃが発生すると、乱反射光Ｃは、出 力をモニタするフォトダイオード３に入射する。そのため、フォトダイオード３ の出力にオフセットが加えられ、出射光の出力制御に誤差を生じ光学的特性に悪 い影響を及ぼしていた。
【０００５】 本考案は、半導体レーザ装置のパッケージ内での光の乱反射を防止し、正確な 出力制御が行なえる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本考案は、光源と光出力モニタ用受光素子（以下受 光素子という）とを同一パッケージ内に具備した半導体レーザ装置において、前 記光源から受光素子への光の入射を妨げず、受光素子からの反射光を前記パッケ ージへの入射を防止する遮蔽装置を設ける。
【０００７】 また、前記遮蔽装置として、受光素子への光の入射孔を有する遮蔽箱を設け、 該遮蔽箱で受光素子を覆うことによって本考案の目的を達成することができる。
【０００８】 さらに、前記受光素子を透明樹脂で埋設し、該透明樹脂の表面を無透過膜で被 覆しても本考案の目的を達成することができる。
【０００９】
【作用】
光源から受光素子へ入射した光は、受光素子より反射しても、パッケージ内壁 への入射は妨げられ、パッケージ内での乱反射を防止することができる。
【００１０】
【実施例】
図１は本考案の一実施例を示す半導体レーザ装置の要部断面図である。なお、 従来の技術と同一の箇所には同じ符号を付している。
【００１１】 本考案の半導体レーザ装置２１は、半導体レーザチップ２とこのレーザチップ ２の光出力をモニタするためのフォトダイオード３とを、それぞれヒートシンク ４とステム５に取付け、円筒パッケージ６によって気密封止されて構成されてい る。
【００１２】 前記フォトダイオード３は、遮蔽箱２２で覆われている。該遮蔽箱２２は、レ ーザチップ２からの光をフォトダイオード３へ入射する開口部２２ａを有してい る。
【００１３】 上記のように構成された半導体レーザ装置２１において、レーザチップ２から の光は、開口部２２ａよりフォトダイオード３に入射される。入射光Ａは、反射 光Ｂとして反射されるが、遮蔽箱２２の内壁で遮られ、パッケージ６内での乱反 射は生じない。
【００１４】 また、他の実施例としては、図２の要部断面図に示すように、フォトダイオー ド３を透明樹脂２３で埋設し、該透明樹脂２３の表面２３ａを無透過膜２４で被 覆すると、レーザチップ２からフォトダイオード３へ入射された入射光Ａは、反 射光Ｂとして反射されるが、無透過膜２４で遮られ、パッケージ６内での乱反射 は生じない。
【００１５】
【考案の効果】
本考案の半導体レーザ装置は、上記の如く構成されているので以下のような効 果を奏する。レーザチップ２からフォトダイオード３へ入射された入射光Ａは、 パッケージ６内へ漏れることがないので、パッケージ６内での乱反射光を防止で き、その結果、乱反射光の影響を受けることなく安定した光学的特性を得ること ができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の半導体レーザ装置の要部断面図であ
る。
【図２】同じく他の実施例の半導体装置の要部断面図で
ある。
【図３】従来の半導体レーザ装置の要部断面図である。
【符号の説明】
２ レーザチップ ３ フォトダイオード ４ ヒートシンク ５ ステム ６ 円筒パッケージ ２２ 遮蔽箱 ２３ 透明樹脂 ２４ 無透過膜 Ａ 入射光 Ｂ，Ｃ 反射光

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 光源と光出力モニタ用受光素子とを同一
    パッケージ内に具備した半導体レーザ装置において、前
    記光源から光出力モニタ用受光素子への光の入射を妨げ
    ず、光出力モニタ用受光素子からの反射光を前記パッケ
    ージへの入射を防止する遮蔽装置を設けたことを特徴と
    する半導体レーザ装置。
  2. 【請求項２】 前記光出力モニタ用受光素子への光の入
    射孔を有する光出力モニタ用受光素子を覆う遮蔽箱を設
    けたことを特徴する請求項１記載の半導体レーザ装置。
  3. 【請求項３】 前記光出力モニタ用受光素子を透明樹脂
    で埋設し、該透明樹脂の表面を無透過膜で被覆したこと
    を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
JP8206892U 1992-11-27 1992-11-27 半導体レーザ素子 Pending JPH0645363U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001066525A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Ricoh Co Ltd 複数ビーム走査装置

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JPS6154689A (ja) * 1984-08-24 1986-03-18 Fujitsu Ltd 光半導体装置
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JPH0411795A (ja) * 1990-04-28 1992-01-16 Rohm Co Ltd レーザダイオード
JPH0414888A (ja) * 1990-05-08 1992-01-20 Rohm Co Ltd レーザダイオード

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