KR100205982B1 - 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디 - Google Patents
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Abstract
이 발명은 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디에 관한 것으로서, 전류가 인가되면 적외광을 방출하는 적외발광용 반도체칩(20)과; 적외발광용 반도체칩(20)이 상부면에 놓여져 고정되고, 상부면 중 적외발광용 반도체칩(20)을 포함하는 주변 일부를 제외한 부분이 무반사 도장 처리(30)된 반사 리드프레임(40)과; 적외발광용 반도체칩(20)을 보호하기 위하여 적외발광용 반도체칩(20)이 외부와 단절되도록 반사 리드프레임(40)의 모서리에 접하여 상부에 반구형으로 형성되어 있는 투명 레진(50)과; 적외발광용 반도체칩(20)에 전류를 인가하기 위하여 반사 리드프레임(40)의 하부면에 형성되어 있는 전류인가단자(60)를 포함하며, 반사 리드프레임(40)의 일부분을 무반사 도장 처리(30)함으로써 적외발광용 반도체칩(20)으로부터 방출되는 적외광의 반사광인 2차광을 제거함으로써 측거 성능을 확보할 수 있다.
Description
이 발명은 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디(infrared radiation light emitting diode : IRED)에 관한 것으로서, 더욱 상세하게 말하자면 카메라에서 초점을 자동으로 조절하는 자동초점 시스템에서 사용되는 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디에 관한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 하여 종래의 적외발광 엘이디에 대하여 설명한다.
도 1은 종래 적외발광 엘이디의 정면도이고, 도 2는 그 평면도 및 1, 2차광의 발광 비율을 나타내는 도면이다.
도 1에 도시되어 있듯이, 종래 적외발광 엘이디의 구성은, 전류가 인가되면 적외광을 방출하는 적외발광용 반도체칩(1)과; 적외발광용 반도체칩(1)이 상부면에 놓여져 고정되고, 적외발광용 반도체칩(1)으로부터 방출되는 적외광 중 일부를 반사시키는 반사 리드프레임(3)과; 적외발광용 반도체칩(1)을 보호하기 위하여 적외발광용 반도체칩(1)이 포함되도록 반사 리드프레임(3)의 모서리에 접하여 상부에 반구형으로 형성되어 있는 투명 레진(5)과; 반도체칩(1)에 전류를 인가하기 위하여 반사 리드프레임(3)의 하부면에 형성되어 있는 전류인가단자(7)를 포함한다.
이와 같은 종래의 적외발광 엘이디의 동작은 다음과 같다.
먼저, 적외발광용 반도체칩(1)이 적외광을 방출할 수 있도록 전류인가단자(7)에 적정 전류를 인가하여야 한다.
그러면, 전류인가단자(7)에 연결되어 있는 적외발광용 반도체칩(1)은 적외광을 방출시킨다.
이 때, 적외발광용 반도체칩(1)에서 방출된 적외광의 대부분은 투명레진(5)을 통과하여 외부로 방출되고, 나머지 일부가 투명레진(5)에서 역반사되어 반사용 리드프레임(3)에 입사되고, 여기서 다시 재반사되어 투명레진(5)을 통과하여 외부로 방출된다.
이와 같이 적외발광용 반도체칩(1)으로부터 방출되어 1차적으로 투명레진(5)을 통과한 1차광(주광)과, 투명레진(5)으로부터 역반사되고 다시 반사 리드프레임(3)으로부터 재반사되어 투명레진(5)을 통과하는 2차광(반사광)의 비율이 첨부한 도 2에 도시되어 있다.
도 2에 도시되어 있듯이, 적외발광용 반도체칩(1)으로부터 직접 방출되는 1차광(9)은 거의 100%가 되고, 반사 리드프레임(3)에서 반사되어 방출되는 2차광(11)은 적외발광용 반도체칩(1) 주변에서는 100%에 근접하지만 적외발광용 반도체칩(1)으로부터 멀어질수록 감소하여 결국 반사 리드프레임(3)의 모서리에서는 약 10% ∼ 15%가 된다.
이와 같이 비율이 100%가 안되고 10% 내지 15%에 근접하는 2차광(11)의 광크기(파장)는 1차광(9)의 광크기에 비해 수배 이상 크기 때문에, 이 2차광(11)으로 인해 카메라에서 피사체까지의 거리 측정이 잘못되어 자동초점 조절이 오동작되는 경우가 발생된다.
이와 같은 오동작으로 인해 카메라의 자동초점 시스템의 성능 저하가 초래되는 문제점이 있다.
따라서, 이 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 카메라에서 초점을 자동으로 조절하기 위해 피사체까지의 거리를 측정할 때, 적외발광용 반도체칩으로부터 방출되는 적외광의 반사광인 2차광을 제거함으로써 측거 성능을 확보할 수 있는 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디를 제공하는데 있다.
도 1은 종래 적외발광 엘이디의 정면도이고,
도 2는 종래 적외발광 엘이디의 평면도 및 1, 2차광의 발광 비율을 나타내는 도면이고,
도 3은 이 발명의 실시예에 따른 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디의 정면도이고,
도 4는 이 발명의 실시예에 따른 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디의 평면도 및 1, 2차광의 발광 비율을 나타내는 도면이고,
도 5는 이 발명의 실시예에 따른 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디의 무반사 도장 처리되는 부분을 결정하는 것을 나타내는 도면이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 수단으로서 이 발명은,
전류를 인가받아서 적외광을 방출하는 적외광 방출 수단과; 일측면에 상기 적외광 방출 수단을 장착하여 고정시키는 고정 수단과; 상기 적외광 방출 수단이 외부와 단절되도록 상기 적외광 방출 수단을 둘러싸 보호하도록 상기 고정 수단에 지지되어 있고, 상기 적외광 방출 수단으로부터 방출되는 적외광이 통과할 수 있도록 된 투명 보호 수단과; 상기 고정 수단의 타측면에 형성되어 전류가 인가되면 인가되는 전류를 상기 적외광 방출 수단으로 전달하는 전류 입력 수단을 포함하는 카메라의 자동초점 시스템의 적외발광 엘이디에 있어서,
상기 고정 수단의 일부분을 무반사 도장 처리하여, 상기 적외광 방출 수단으로부터 방출된 후 상기 투명 보호 수단에 의해 반사되어 상기 고정 수단의 무반사 도장 처리된 부분으로 입사하는 적외광이 재반사되어 상기 투명 보호 수단을 통과하여 방출되지 못하도록 하는 것을 특징으로 한다.
이하, 이 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 이 발명을 용이하게 실시할 수 있는 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조로 하여 상세히 설명한다.
도 3은 이 발명의 실시예에 따른 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디의 정면도이고, 도 4는 그 평면도 및 1, 2차광의 발광 비율을 나타내는 도면이다.
도 3에 도시되어 있듯이, 이 고안의 실시예에 따른 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디는, 전류가 인가되면 적외광을 방출하는 적외발광용 반도체칩(20)과; 적외발광용 반도체칩(20)이 상부면에 놓여져 고정되고, 상부면 중 적외발광용 반도체칩(20)을 포함하는 주변 일부를 제외한 부분이 무반사 도장 처리(30)된 반사 리드프레임(40)과; 적외발광용 반도체칩(20)을 보호하기 위하여 적외발광용 반도체칩(20)이 외부와 단절되도록 반사 리드프레임(40)의 모서리에 접하여 상부에 반구형으로 형성되어 있는 투명 레진(50)과; 적외발광용 반도체칩(20)에 전류를 인가하기 위하여 반사 리드프레임(40)의 하부면에 형성되어 있는 전류인가단자(60)를 포함한다.
상기한 구성에 의한, 이 발명의 실시예에 따른 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디의 작용은 다음과 같다.
먼저, 전류인가단자(60)를 통해 전류가 인가되면, 전류인가단자에 연결되어 있는 적외발광용 반도체칩(20)은 적외광을 방출한다.
이 때, 적외발광용 반도체칩(20)에서 방출된 적외광의 대부분은 투명레진(50)을 직접 통과하여 외부로 방출되고, 나머지 일부가 투명레진에서 역반사되어 반사 리드프레임(40)에 입사된다.
이와 같이 투명레진(50)에 의해 역반사되어 반사 리드프레임(40)으로 입사되는 적외광 중 무반사 도장 처리(30)되지 않은 반사 리드프레임(40)으로 입사되는 적외광은 반사 리드프레임(40)에 의해 재반사되어 투명레진(50)을 통과하여 방출된다.
그리고, 나머지 적외광은 반사 리드프레임(40)의 무반사 도장 처리(30)된 부분으로 입사되어 흡수되어 버려 재반사가 일어나지 않게 된다. 그러므로 무반사 도장 처리(30)된 부분에 의한 2차광이 제거된다.
이와 같이 적외발광용 반도체칩(20)으로부터 방출되어 1차적으로 투명레진(50)을 통과한 1차광(70)과, 투명레진(50)으로부터 역반사되고 다시 반사 리드프레임(40)으로부터 재반사되어 투명레진(50)을 통과하는 2차광(80)의 비율이 첨부한 도 4에 도시되어 있다.
도 4에 도시되어 있듯이, 적외발광용 반도체칩(20)으로부터 직접 방출되는 1차광(70)은 거의 100%가 되고, 적외발광용 반도체칩(20) 주변에 위치하는 무반사 도장 처리(30)되지 않은 반사 리드프레임(40)에 의해 재반사되어 방출되는 2차광(80)은 100%에는 미치지 못하지만 1차광(70)에 비하여 큰 차이가 나지 않을 정도의 비율이다.
한편, 반사 리드프레임(40)의 무반사 도장 처리(30)된 부분으로 입사되는 적외광 중 극히 일부도 재반사되어 2차광(80)을 형성하는데 이 비율은 극히 적어 약 5% 내지 8%밖에 되지 않는다. 결국 반사 리드프레임(40)에 무반사 도장 처리(30)를 함으로써 비율이 매우 작은 2차광이 감소된다. 도 2에 도시되어 있는 부분(90)이 감소된 부분이다.
이와 같이, 1차광에 비해 그 광크기가 매우 큰 2차광을 제거하기 위해 반사 리드프레임(40)의 일부분을 무반사 도장 처리(30)하는데, 이 때 무반사 도장 처리(30)되는 부분을 결정하여야 한다.
도 5는 이 발명의 실시예에 따른 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디의 무반사 도장 처리되는 부분을 결정하는 것을 나타내는 도면이다.
도 5에 도시되어 있듯이, 적외발광 엘이디의 적외발광용 반도체칩(20)의 길이가 1mm이고, 적외발광용 반도체칩(20)으로부터 방출된 적외광이 3m 떨어져 있는 자막(100)에 30mm 크기의 1차광을 조사한다.
이 때, 무반사 도장 처리(30)될 부분을 결정하기 위해 먼저 자막(100)에 조사될 2차광(80)의 크기를 결정한다.
여기서는 자막(100)에 조사될 2차광(80)의 크기를 60mm라고 한다.
상기와 같이 자막(100)에 조사될 2차광(80)의 크기가 60mm로 1차광(70)의 크기에 비해 2배 크므로, 적외발광용 반도체칩(20)의 중심으로부터 그 지름이 2mm인 원이 광원이 되어야 하기 때문에 적외발광용 반도체칩(20)의 중심으로부터 지름이 2mm인 원을 제외한 반사 리드프레임(40)의 나머지 부분을 무반사 도장 처리(30)한다.
이상에서와 같이 이 발명의 실시예에서, 반사 리드프레임(40)의 일부분을 무반사 도장 처리(30)함으로써 적외발광용 반도체칩(20)으로부터 방출되는 적외광의 반사광인 2차광을 제거함으로써 측거 성능을 확보할 수 있는 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디를 제공할 수 있다.
Claims (2)
- 전류를 인가받아서 적외광을 방출하는 적외광 방출 수단과; 일측면에 상기 적외광 방출 수단을 장착하여 고정시키고, 상기 적외광 방출 수단으로부터 방출되는 적외광을 반사시키는 반사 고정 수단과; 상기 적외광 방출 수단이 외부와 단절되도록 상기 적외광 방출 수단을 둘러싸 보호하도록 상기 반사 고정 수단에 지지되어 있고, 상기 적외광 방출 수단으로부터 방출되는 적외광이 통과할 수 있도록 된 투명 보호 수단과; 상기 반사 고정 수단의 타측면에 형성되어 전류가 인가되면 인가되는 전류를 상기 적외광 방출 수단으로 전달하는 전류 입력 수단을 포함하는 카메라의 자동초점 시스템의 적외발광 엘이디에 있어서,상기 반사 고정 수단의 일부분을 무반사 도장 처리하여, 상기 적외광 방출 수단으로부터 방출된 후 상기 투명 보호 수단에 의해 반사되어 상기 반사 고정 수단의 무반사 도장 처리된 부분으로 입사하는 적외광이 재반사되어 상기 투명 보호 수단을 통과하여 방출되지 못하도록 하는 것을 특징으로 하는 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디.
- 청구항 1에 있어서, 상기 반사 고정 수단으로부터 일정 거리만큼 떨어져 있는 곳에 상기 적외광이 조사되어 상을 형성할 수 있는 자막을 설치하고, 상기 전류 입력 수단에 전류를 인가하여 상기 적외광 방출 수단으로부터 방출되어 상기 투명 보호 수단을 직접 통과하는 1차광이 상기 자막에 형성하는 상의 크기인 1차상크기를 측정하고, 상기 반사 고정 수단에 의해 재반사되어 상기 자막에 상을 형성할 2차광의 크기인 2차상크기를 결정한 다음, 상기 1차상크기와 상기 2차상크기와 상기 적외광 방출 수단의 길이에 의해 상기 반사 고정 수단의 무반사 도장 처리되지 않는 상기 일부분을 결정하는 것을 특징으로 하는 무반사 도장 처리된 적외발광 엘이디.
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