JPS61167823A - 測光装置 - Google Patents
測光装置Info
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- JPS61167823A JPS61167823A JP819185A JP819185A JPS61167823A JP S61167823 A JPS61167823 A JP S61167823A JP 819185 A JP819185 A JP 819185A JP 819185 A JP819185 A JP 819185A JP S61167823 A JPS61167823 A JP S61167823A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、たとえばカメラなどの露出時間設定のために
有利に用いることができる測光装置に関する。
有利に用いることができる測光装置に関する。
背景技術
近年、カメラ用の測光装置においては、透明なパッケー
ジ内にリード線によって接続された７オトダイオードと
、フォトダイオードからの光電流を演算処理するための
半導体素子とを収納しており、被写体が低輝度であると
きに７オトダイオードからの光電流が微少電流となって
リークやノイズの発生を防止している。このような測光
装置では、半導体素子が光源からの光によって誤動作す
るのを防止するため、その半導体素子の部分だけを黒色
の樹脂でモールドしたり、半導体素子の上面に光を遮ぎ
るためのアルミニウム蒸着層をその配線層の上からさら
に蒸着して、受光による半導体素子の特性の変化を防い
でいる。
ジ内にリード線によって接続された７オトダイオードと
、フォトダイオードからの光電流を演算処理するための
半導体素子とを収納しており、被写体が低輝度であると
きに７オトダイオードからの光電流が微少電流となって
リークやノイズの発生を防止している。このような測光
装置では、半導体素子が光源からの光によって誤動作す
るのを防止するため、その半導体素子の部分だけを黒色
の樹脂でモールドしたり、半導体素子の上面に光を遮ぎ
るためのアルミニウム蒸着層をその配線層の上からさら
に蒸着して、受光による半導体素子の特性の変化を防い
でいる。
発明が解決しようとする問題点
このような先行技術では、黒色の樹脂で半導体素子の光
源に臨む面だけをモールドするのはコスト高となる。ま
たアルミニウム蒸着層をさらに付加する場合は、光源か
らの光を遮断することは可能であるが、ｌ５Ｏ（国際規
格に基づく感光指数）１６００のフィルムのような高感
度フィルムを用いた場合、被写体が低輝度であって数秒
から数十秒の露出時間が必要な場合に半導体素子のシャ
ンクシ１ンが発光し、その光をフォトダイオードが受光
して露出に誤差を与えるという問題を生じる。
源に臨む面だけをモールドするのはコスト高となる。ま
たアルミニウム蒸着層をさらに付加する場合は、光源か
らの光を遮断することは可能であるが、ｌ５Ｏ（国際規
格に基づく感光指数）１６００のフィルムのような高感
度フィルムを用いた場合、被写体が低輝度であって数秒
から数十秒の露出時間が必要な場合に半導体素子のシャ
ンクシ１ンが発光し、その光をフォトダイオードが受光
して露出に誤差を与えるという問題を生じる。
本発明の目的は、被写体からの光のみを受光素子に照射
させるようにし、これによって露出の誤差を可及的にな
くすようにした測光装置を提供することである。
させるようにし、これによって露出の誤差を可及的にな
くすようにした測光装置を提供することである。
問題点を解決するための手段
本発明は、光源からの光を受光する受光素子と、受光素
子からの出力に応答してその受光量の演算処理を行う半
導体素子とを含む測光装置において、半導体素子の光源
側の光路の途中に第１遮光性部材を配置し、 半導体素子の受光素子側の光路の途中に第１連光性部材
に連なる第２遮光性部材を配置したことを特徴とする測
光装置である。
子からの出力に応答してその受光量の演算処理を行う半
導体素子とを含む測光装置において、半導体素子の光源
側の光路の途中に第１遮光性部材を配置し、 半導体素子の受光素子側の光路の途中に第１連光性部材
に連なる第２遮光性部材を配置したことを特徴とする測
光装置である。
作 用
本発明に従えば、被写体からの光のみを受光素子に照射
させるようにしたことによって、露出の誤動作を可及的
になくすことができ、適正な測光動作を実現できる。
させるようにしたことによって、露出の誤動作を可及的
になくすことができ、適正な測光動作を実現できる。
実施例
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
この測光装置１は、ケーシング２内に収納される受光素
子３と、受光素子３からの出力に応答してその受光量の
演算処理を行う半導体素子４とを含む、ケーシング２は
、透明な合成樹脂製材料から成り、撮影されるべき被写
体に向けて一定時闇露出される。このケーシング２内に
は、被写体からの光を受光する受光素子３が基板５に一
体的に取り付けられて収納保持される。この基板５上の
受光素子３は、被写体側（第１図の上方）に臨んで配置
される。受光素子３はたとえば光のエネルギを □光電
流に変換する７オトダイオードであってもよい、この受
光素子３からの光電流は、リード線６を介して半導体素
子４に導かれる。半導体素子４は、基板７上に一体的に
取り付られる。基板７は、基板５と同一平面内に配置さ
れ、また半導体素子４は受光索子３と同様、被写体１ｍ
（第１図の上方）に臨んで配置される。このように受光
素子３の側方に配ｒ！ｌされる半導体素子４は、受光索
子３からの光電流が導かれてその演算処理を行ない、被
写体からの受光量を測定する機能を果たす、この半導体
素子４は、リード線８を介してピンクに電気的に接続さ
れる。
子３と、受光素子３からの出力に応答してその受光量の
演算処理を行う半導体素子４とを含む、ケーシング２は
、透明な合成樹脂製材料から成り、撮影されるべき被写
体に向けて一定時闇露出される。このケーシング２内に
は、被写体からの光を受光する受光素子３が基板５に一
体的に取り付けられて収納保持される。この基板５上の
受光素子３は、被写体側（第１図の上方）に臨んで配置
される。受光素子３はたとえば光のエネルギを □光電
流に変換する７オトダイオードであってもよい、この受
光素子３からの光電流は、リード線６を介して半導体素
子４に導かれる。半導体素子４は、基板７上に一体的に
取り付られる。基板７は、基板５と同一平面内に配置さ
れ、また半導体素子４は受光索子３と同様、被写体１ｍ
（第１図の上方）に臨んで配置される。このように受光
素子３の側方に配ｒ！ｌされる半導体素子４は、受光索
子３からの光電流が導かれてその演算処理を行ない、被
写体からの受光量を測定する機能を果たす、この半導体
素子４は、リード線８を介してピンクに電気的に接続さ
れる。
第２図は半導体素子４の斜視図であり、第３図は第２図
の切断面線■−■から見た断面図である。
の切断面線■−■から見た断面図である。
半導体素子４の受光素子３１ｍ（第３図の左方）の端部
４ａ付近には、シリコン基板１０上にたとえばＮＰＮ
）ランジスタＴｒが形成される。このＮＰＮトランジス
タＴｒのＰ＋分離層１１と、半導体素子４の前記端部４
ａとの間には、Ｐ拡散層１２が形成される。このシリコ
ン基板１０の表面には、透光性を有するＳ ｉ Ｏ２層
１３が全面にわたって形成される。このＳｉＯ□層１３
のトランジスタＴｒおよびＰ拡散層１２に対応する部分
は、それぞれパターニングされ、そのパターニングされ
た部分には、トランジスタ用配線端子１４および第１金
属層１５がそれぞれ蒸着される。その後、Ｓ ｉｏ ｚ
層１３、トランジスタ用配線端子１４お上り第１金属層
１５の表面にたとえばポリイミー系保護膜１６が全面に
わたって形成される。その後、保護［１１６の第１金属
層１５の部分をパターニングして第１金属層１５を露出
させ、このパターニング部分および保１ｉ１１１６の表
面に、全面にわたって第２金属層１７を蒸着する。この
第１金属層１５お上り第２金属層１７は、第２図に示さ
れるよるに半導体素子４の幅方向Ｙに向かって延在して
形成される。
４ａ付近には、シリコン基板１０上にたとえばＮＰＮ
）ランジスタＴｒが形成される。このＮＰＮトランジス
タＴｒのＰ＋分離層１１と、半導体素子４の前記端部４
ａとの間には、Ｐ拡散層１２が形成される。このシリコ
ン基板１０の表面には、透光性を有するＳ ｉ Ｏ２層
１３が全面にわたって形成される。このＳｉＯ□層１３
のトランジスタＴｒおよびＰ拡散層１２に対応する部分
は、それぞれパターニングされ、そのパターニングされ
た部分には、トランジスタ用配線端子１４および第１金
属層１５がそれぞれ蒸着される。その後、Ｓ ｉｏ ｚ
層１３、トランジスタ用配線端子１４お上り第１金属層
１５の表面にたとえばポリイミー系保護膜１６が全面に
わたって形成される。その後、保護［１１６の第１金属
層１５の部分をパターニングして第１金属層１５を露出
させ、このパターニング部分および保１ｉ１１１６の表
面に、全面にわたって第２金属層１７を蒸着する。この
第１金属層１５お上り第２金属層１７は、第２図に示さ
れるよるに半導体素子４の幅方向Ｙに向かって延在して
形成される。
Ｐ拡散層１２上に形成される第１金属層１５によって、
透光性のＳｉ０２層１３が半導体索子４の前記幅方向Ｙ
に沿って分断される。従ってトランジスタＴ「が発光し
て、その光が矢符Ａで示すように透明な５ｉＯｚ層１３
を介して、半導体素子４の受光素子３に臨む側面に漏出
するのを防ぐ。
透光性のＳｉ０２層１３が半導体索子４の前記幅方向Ｙ
に沿って分断される。従ってトランジスタＴ「が発光し
て、その光が矢符Ａで示すように透明な５ｉＯｚ層１３
を介して、半導体素子４の受光素子３に臨む側面に漏出
するのを防ぐ。
また第１金属層１５上に形成されて保護膜１６の表面を
全面にわたって覆う第２金属層１７によって、保１ｉｌ
ＩＩＩ１１６はＳｉ０２層１３と同様半導体素子４の前
記幅方向Ｙに沿って分断される。従って外光によってト
ランジスタＴｒに不要な電流が流れて、その誤動作を起
こすのを防ぐとともに、トランジスタＴｒが自ら発光し
てその光が半導体素子４の外部に漏れ、受光素子３に不
要な光が当たり、その光によって受光素子３の精度が低
下するのを防ぐ。
全面にわたって覆う第２金属層１７によって、保１ｉｌ
ＩＩＩ１１６はＳｉ０２層１３と同様半導体素子４の前
記幅方向Ｙに沿って分断される。従って外光によってト
ランジスタＴｒに不要な電流が流れて、その誤動作を起
こすのを防ぐとともに、トランジスタＴｒが自ら発光し
てその光が半導体素子４の外部に漏れ、受光素子３に不
要な光が当たり、その光によって受光素子３の精度が低
下するのを防ぐ。
このように第１金属層１５によって、半導体素子４のシ
ャンクシａン付近からの光の漏出を防ぎ、ｔｔＳ２金属
層１７によって半導体索子４内部への外光の侵入、およ
び半導体素子４内部からの光の漏出を防ぐようにしたこ
とによって、受光素子３および半導体素子４の誤動作を
確実に防止することができる。
ャンクシａン付近からの光の漏出を防ぎ、ｔｔＳ２金属
層１７によって半導体索子４内部への外光の侵入、およ
び半導体素子４内部からの光の漏出を防ぐようにしたこ
とによって、受光素子３および半導体素子４の誤動作を
確実に防止することができる。
本発明者の実験によれば、従来技術で示したｌ５Ｏ１６
００の高感度フィルムを用いて数秒から数十秒の露出を
行なって、低輝度の被写体の測光を行なったとｂ１７オ
トダイオードが感じる半導体系子４の発光による電流は
、従来の敗ＰＡから０、ＩＰＡ にまで減少させるこ
とができ、本件測光装置１の遮光性が極めて優れている
ことが確認されるに至った。
００の高感度フィルムを用いて数秒から数十秒の露出を
行なって、低輝度の被写体の測光を行なったとｂ１７オ
トダイオードが感じる半導体系子４の発光による電流は
、従来の敗ＰＡから０、ＩＰＡ にまで減少させるこ
とができ、本件測光装置１の遮光性が極めて優れている
ことが確認されるに至った。
第１金属層５のシリコン基板１０への蒸着位置は、Ｐ拡
散層１２上に限定されない。また、トランジスタＴ「の
他、ダイオードなど、すべての発光性を有しあるいは光
の侵入によってその特性が変化する構成要素を含む半導
体素子４に関連して、本発明に従う測光装置１が実施さ
れ得る。また受光素子３はフォトダイオードに限定され
ないことはいうまでもない。
散層１２上に限定されない。また、トランジスタＴ「の
他、ダイオードなど、すべての発光性を有しあるいは光
の侵入によってその特性が変化する構成要素を含む半導
体素子４に関連して、本発明に従う測光装置１が実施さ
れ得る。また受光素子３はフォトダイオードに限定され
ないことはいうまでもない。
効 果
以上のように本発明によれば、半導体素子の光源側の光
路の途中に第１１ｘ光性部材を配置し、半導体素子の受
光素子側の光路の途中に第１遮光性部材に連なる第２遮
光性部材を配置するようにしたことによって、受光素子
および半導体素子の光の漏れなどによる誤動作を確実に
防止することができ、適正な測光検出を行なうことが可
能となる。
路の途中に第１１ｘ光性部材を配置し、半導体素子の受
光素子側の光路の途中に第１遮光性部材に連なる第２遮
光性部材を配置するようにしたことによって、受光素子
および半導体素子の光の漏れなどによる誤動作を確実に
防止することができ、適正な測光検出を行なうことが可
能となる。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は半導体索
子４の斜視図、第３図は第２図の切断面線■−■から見
た断面図である。 １・・・測光装置、２・・・ケーシング、３・・・受光
素子、４・・・半導体素子、１０・・・シリコン基板、
１５・・・第１金属層、１７・・・第２金属層 代理人 弁理士 西教 圭一部 第２図
子４の斜視図、第３図は第２図の切断面線■−■から見
た断面図である。 １・・・測光装置、２・・・ケーシング、３・・・受光
素子、４・・・半導体素子、１０・・・シリコン基板、
１５・・・第１金属層、１７・・・第２金属層 代理人 弁理士 西教 圭一部 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光源からの光を受光する受光素子と、受光素子からの出
力に応答してその受光量の演算処理を行う半導体素子と
を含む測光装置において、 半導体素子の前記光源側の光路の途中に第１遮光性部材
を配置し、 半導体素子の前記受光素子側の光路の途中に第１連光性
部材に連なる第２遮光性部材を配置したことを特徴とす
る測光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP819185A JPS61167823A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 測光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP819185A JPS61167823A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 測光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61167823A true JPS61167823A (ja) | 1986-07-29 |
| JPH0518047B2 JPH0518047B2 (ja) | 1993-03-10 |
Family
ID=11686392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP819185A Granted JPS61167823A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 測光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61167823A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63157625U (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-17 |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP819185A patent/JPS61167823A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63157625U (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-17 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0518047B2 (ja) | 1993-03-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |