JP3438365B2 - 複合光学装置およびその製造方法 - Google Patents
複合光学装置およびその製造方法Info
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- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
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- G02B2006/12104—Mirror; Reflectors or the like
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- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
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- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、複合光学装置および
その製造方法に関し、例えば、プリズムのような光学部
品が接着剤により基体上に接着される複合光学装置に適
用して好適なものである。
その製造方法に関し、例えば、プリズムのような光学部
品が接着剤により基体上に接着される複合光学装置に適
用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の複合光学装置として、レ
ーザカプラと呼ばれるものがある。図８および図９に、
例えばＣＤプレーヤの光ピックアップとして用いられて
いる従来のレーザカプラを示す。ここで、図８はこのレ
ーザカプラの斜視図、図９はこのレーザカプラの長手方
向に沿っての断面図である。図８および図９に示すよう
に、このレーザカプラにおいては、フォトダイオードＩ
Ｃ１０１上に、光学ガラスから成るマイクロプリズム１
０２と、フォトダイオード１０３上に半導体レーザ１０
４を載せたＬＯＰ（Laser on Photodiode)チップとが互
いに隣接してマウントされている。ここで、フォトダイ
オードＩＣ１０１は、光信号検出用の一対のフォトダイ
オードＰＤ１およびＰＤ２のほか、信号の電流−電圧
（Ｉ−Ｖ）変換アンプおよび演算処理部（図示せず）が
ＩＣ化されたものである。また、フォトダイオード１０
３は、半導体レーザ１０４のリア側の端面からの光出力
をモニターし、それによってフロント側の端面からの光
出力をモニターするためのものである。
ーザカプラと呼ばれるものがある。図８および図９に、
例えばＣＤプレーヤの光ピックアップとして用いられて
いる従来のレーザカプラを示す。ここで、図８はこのレ
ーザカプラの斜視図、図９はこのレーザカプラの長手方
向に沿っての断面図である。図８および図９に示すよう
に、このレーザカプラにおいては、フォトダイオードＩ
Ｃ１０１上に、光学ガラスから成るマイクロプリズム１
０２と、フォトダイオード１０３上に半導体レーザ１０
４を載せたＬＯＰ（Laser on Photodiode)チップとが互
いに隣接してマウントされている。ここで、フォトダイ
オードＩＣ１０１は、光信号検出用の一対のフォトダイ
オードＰＤ１およびＰＤ２のほか、信号の電流−電圧
（Ｉ−Ｖ）変換アンプおよび演算処理部（図示せず）が
ＩＣ化されたものである。また、フォトダイオード１０
３は、半導体レーザ１０４のリア側の端面からの光出力
をモニターし、それによってフロント側の端面からの光
出力をモニターするためのものである。
【０００３】図９に示すように、マイクロプリズム１０
２の斜面１０２ａにはハーフミラー１０５が設けられ、
上面１０２ｂには全反射膜１０６が設けられ、底面１０
２ｃには反射防止膜１０７が設けられ、ＬＯＰチップ側
の端面１０２ｄは鏡面に構成され、ＬＯＰチップと反対
側の端面１０２ｅには光吸収膜１０８が設けられてい
る。マイクロプリズム１０２の底面１０２ｃに設けられ
た反射防止膜１０７はさらにＳｉＯ2 膜１０９により覆
われている。そして、このＳｉＯ2 膜１０９が接着剤１
１０によりフォトダイオードＩＣ１０１に接着されてマ
イクロプリズム１０２がフォトダイオードＩＣ１０１上
にマウントされている。ここで、ＳｉＯ2膜１０９は、
接着剤１１０によるマイクロプリズム１０２の接着力を
強化するためのものである。ハーフミラー１０５として
は例えば真空蒸着法により形成されたアモルファスＳｉ
膜が用いられ、全反射膜１０６としては例えば誘電体多
層膜が用いられ、反射防止膜１０７としては例えばＣｅ
Ｆ3 膜が用いられ、光吸収膜１０８としては例えばＣｒ
／ＣｒＯ系多層膜が用いられる。また、接着剤１１０と
しては、紫外線硬化樹脂であるシリコーン樹脂系の接着
剤などが用いられる。なお、図示は省略するが、マイク
ロプリズム１０２の底面１０２ｃのうちＬＯＰチップ側
の片側半分の部分における反射防止膜１０７の上にハー
フミラーが形成されることがある。
２の斜面１０２ａにはハーフミラー１０５が設けられ、
上面１０２ｂには全反射膜１０６が設けられ、底面１０
２ｃには反射防止膜１０７が設けられ、ＬＯＰチップ側
の端面１０２ｄは鏡面に構成され、ＬＯＰチップと反対
側の端面１０２ｅには光吸収膜１０８が設けられてい
る。マイクロプリズム１０２の底面１０２ｃに設けられ
た反射防止膜１０７はさらにＳｉＯ2 膜１０９により覆
われている。そして、このＳｉＯ2 膜１０９が接着剤１
１０によりフォトダイオードＩＣ１０１に接着されてマ
イクロプリズム１０２がフォトダイオードＩＣ１０１上
にマウントされている。ここで、ＳｉＯ2膜１０９は、
接着剤１１０によるマイクロプリズム１０２の接着力を
強化するためのものである。ハーフミラー１０５として
は例えば真空蒸着法により形成されたアモルファスＳｉ
膜が用いられ、全反射膜１０６としては例えば誘電体多
層膜が用いられ、反射防止膜１０７としては例えばＣｅ
Ｆ3 膜が用いられ、光吸収膜１０８としては例えばＣｒ
／ＣｒＯ系多層膜が用いられる。また、接着剤１１０と
しては、紫外線硬化樹脂であるシリコーン樹脂系の接着
剤などが用いられる。なお、図示は省略するが、マイク
ロプリズム１０２の底面１０２ｃのうちＬＯＰチップ側
の片側半分の部分における反射防止膜１０７の上にハー
フミラーが形成されることがある。
【０００４】上述のように構成されたレーザカプラは、
図１０に示すように、例えばセラミックス製のフラット
パッケージ１１１に収められ、ウィンドウキャップによ
り封止される。
図１０に示すように、例えばセラミックス製のフラット
パッケージ１１１に収められ、ウィンドウキャップによ
り封止される。
【０００５】上述のレーザカプラにおいては、図８およ
び図９に示すように、半導体レーザ１０４のフロント側
の端面から出射されたレーザ光Ｌは、マイクロプリズム
１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー１０５で反射さ
れて、このレーザ光Ｌにより信号の読み取りを行うディ
スク（図示せず）に向かう。このディスクで反射された
レーザ光Ｌは、ハーフミラー１０５を通ってマイクロプ
リズム１０２の斜面１０２ａからその内部に入り、その
うち半分の光はフォトダイオードＰＤ１に入射し、残り
の半分の光はこのフォトダイオードＰＤ１の表面とマイ
クロプリズム１０２の上面１０２ｂとで順次反射されて
フォトダイオードＰＤ２に入射する。ここで、レーザ光
Ｌがディスクの記録面上に焦点を結んでいるときは、前
後のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上のスポット
サイズは同じであるが、焦点位置が記録面からずれる
と、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上の
スポットサイズは互いに異なってくる。そこで、これら
のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２からの出力信号
の差を焦点位置のずれに対応させると、フォーカスエラ
ー信号を検出することができる。このフォーカスエラー
信号のゼロ点が、焦点位置がディスクの記録面に一致し
た点、つまりジャストフォーカス点に対応し、このフォ
ーカスエラー信号がゼロとなるようにフォーカスサーボ
系にフィードバックを与える。このようにして、ジャス
トフォーカス状態が維持され、ディスクの再生が支障な
く行われる。
び図９に示すように、半導体レーザ１０４のフロント側
の端面から出射されたレーザ光Ｌは、マイクロプリズム
１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー１０５で反射さ
れて、このレーザ光Ｌにより信号の読み取りを行うディ
スク（図示せず）に向かう。このディスクで反射された
レーザ光Ｌは、ハーフミラー１０５を通ってマイクロプ
リズム１０２の斜面１０２ａからその内部に入り、その
うち半分の光はフォトダイオードＰＤ１に入射し、残り
の半分の光はこのフォトダイオードＰＤ１の表面とマイ
クロプリズム１０２の上面１０２ｂとで順次反射されて
フォトダイオードＰＤ２に入射する。ここで、レーザ光
Ｌがディスクの記録面上に焦点を結んでいるときは、前
後のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上のスポット
サイズは同じであるが、焦点位置が記録面からずれる
と、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上の
スポットサイズは互いに異なってくる。そこで、これら
のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２からの出力信号
の差を焦点位置のずれに対応させると、フォーカスエラ
ー信号を検出することができる。このフォーカスエラー
信号のゼロ点が、焦点位置がディスクの記録面に一致し
た点、つまりジャストフォーカス点に対応し、このフォ
ーカスエラー信号がゼロとなるようにフォーカスサーボ
系にフィードバックを与える。このようにして、ジャス
トフォーカス状態が維持され、ディスクの再生が支障な
く行われる。
【０００６】さて、上述のようなレーザカプラは、従
来、次のような方法により製造されている。すなわち、
まず、図１１に示すように、所定のウエーハプロセスに
よりフォトダイオードＩＣウエーハ１１１を製造する。
符号１１１ａは一つのフォトダイオードＩＣに相当する
チップ領域を示す。
来、次のような方法により製造されている。すなわち、
まず、図１１に示すように、所定のウエーハプロセスに
よりフォトダイオードＩＣウエーハ１１１を製造する。
符号１１１ａは一つのフォトダイオードＩＣに相当する
チップ領域を示す。
【０００７】次に、図１２に示すように、フォトダイオ
ードＩＣウエーハ１１１の各チップ領域１１１ａ上に銀
ペースト（図示せず）によりＬＯＰチップをマウントす
る。この後、所定のキュア処理を行う。
ードＩＣウエーハ１１１の各チップ領域１１１ａ上に銀
ペースト（図示せず）によりＬＯＰチップをマウントす
る。この後、所定のキュア処理を行う。
【０００８】次に、図１３に示すように、フォトダイオ
ードＩＣウエーハ１１１の複数個、例えば１０個のチッ
プ領域１１１ａ毎に、これらのチップ領域１１１ａにま
たがる長さのバー状のマイクロプリズム１０２を紫外線
硬化樹脂であるシリコーン樹脂系の接着剤（図示せず）
を用いて仮留めする。この後、キュア処理を行う。すな
わち、紫外線照射により接着剤を硬化させる。
ードＩＣウエーハ１１１の複数個、例えば１０個のチッ
プ領域１１１ａ毎に、これらのチップ領域１１１ａにま
たがる長さのバー状のマイクロプリズム１０２を紫外線
硬化樹脂であるシリコーン樹脂系の接着剤（図示せず）
を用いて仮留めする。この後、キュア処理を行う。すな
わち、紫外線照射により接着剤を硬化させる。
【０００９】次に、フォトダイオードＩＣウエーハ１１
１の裏面を延伸シート（図示せず）に貼り付けた後、図
１４に示すように、図示省略した所定のダイサー（ダイ
シング装置）によりバー状のマイクロプリズム１０２を
ハーフカットする。
１の裏面を延伸シート（図示せず）に貼り付けた後、図
１４に示すように、図示省略した所定のダイサー（ダイ
シング装置）によりバー状のマイクロプリズム１０２を
ハーフカットする。
【００１０】次に、バー状のマイクロプリズム１０２、
接着剤およびフォトダイオードＩＣウエーハ１１１をダ
イサーによりフルカットし、最終的に図１５に示すよう
に、各チップ、すなわち各フォトダイオードＩＣに分割
する。
接着剤およびフォトダイオードＩＣウエーハ１１１をダ
イサーによりフルカットし、最終的に図１５に示すよう
に、各チップ、すなわち各フォトダイオードＩＣに分割
する。
【００１１】この後、延伸シートの延伸を行って各チッ
プを離間させた状態で、各チップをピックアップし、図
１０に示すように、パッケージングを行う。
プを離間させた状態で、各チップをピックアップし、図
１０に示すように、パッケージングを行う。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】上述の従来のレーザカ
プラの製造方法においては、フォトダイオードＩＣウエ
ーハ１１１をダイサーによりフルカットする場合、バー
状のマイクロプリズム１０２、接着剤１１０およびフォ
トダイオードＩＣウエーハ１１１が順次切断されるが、
この切断の際に発生する切屑によりマイクロプリズム１
０２やフォトダイオードＩＣ１０１の表面に汚れが付着
する。ここで、マイクロプリズム１０２の斜面１０２ａ
および上面１０２ｂは光入射面または光反射面であるた
め、これらの面に汚れが付着した場合には、レーザ光Ｌ
の入射や反射に悪影響が生じるおそれがある。そこで、
これを防止するために、切断中に切断部およびダイサー
のブレードに水を吹き付けて切屑を洗い流し、また、切
断終了後には水の吹き付けおよびドライエアーの吹き付
けにより汚れを除去するようにしている。
プラの製造方法においては、フォトダイオードＩＣウエ
ーハ１１１をダイサーによりフルカットする場合、バー
状のマイクロプリズム１０２、接着剤１１０およびフォ
トダイオードＩＣウエーハ１１１が順次切断されるが、
この切断の際に発生する切屑によりマイクロプリズム１
０２やフォトダイオードＩＣ１０１の表面に汚れが付着
する。ここで、マイクロプリズム１０２の斜面１０２ａ
および上面１０２ｂは光入射面または光反射面であるた
め、これらの面に汚れが付着した場合には、レーザ光Ｌ
の入射や反射に悪影響が生じるおそれがある。そこで、
これを防止するために、切断中に切断部およびダイサー
のブレードに水を吹き付けて切屑を洗い流し、また、切
断終了後には水の吹き付けおよびドライエアーの吹き付
けにより汚れを除去するようにしている。
【００１３】しかしながら、接着剤１１０の切断時に
は、この接着剤１１０として用いられるシリコーン樹脂
などが粘着性を有することにより、上述のような洗浄方
法では落ちない汚れがマイクロプリズム１０２などの表
面に付着してしまうという問題があった。
は、この接着剤１１０として用いられるシリコーン樹脂
などが粘着性を有することにより、上述のような洗浄方
法では落ちない汚れがマイクロプリズム１０２などの表
面に付着してしまうという問題があった。
【００１４】このような切断に伴う汚れを除去するため
に、超音波洗浄を行ったり、有機溶剤を用いて洗浄を行
ったりする方法も考えられるが、前者の方法では、フォ
トダイオードＩＣウエーハ１１１などに歪が生じるおそ
れがあり、後者の方法では、有機溶剤によりシリコーン
樹脂などから成る接着剤１１０の溶解や膨潤が生じてし
まうため、好ましくない。
に、超音波洗浄を行ったり、有機溶剤を用いて洗浄を行
ったりする方法も考えられるが、前者の方法では、フォ
トダイオードＩＣウエーハ１１１などに歪が生じるおそ
れがあり、後者の方法では、有機溶剤によりシリコーン
樹脂などから成る接着剤１１０の溶解や膨潤が生じてし
まうため、好ましくない。
【００１５】以上のような問題は、レーザカプラばかり
でなく、基体上にバー状の光学部品を接着剤、特に樹脂
系の接着剤により接着し、それらをダイサーなどで切断
することにより製造される複合光学装置全般に存在しう
るものであり、その解決が望まれるものである。
でなく、基体上にバー状の光学部品を接着剤、特に樹脂
系の接着剤により接着し、それらをダイサーなどで切断
することにより製造される複合光学装置全般に存在しう
るものであり、その解決が望まれるものである。
【００１６】したがって、この発明の目的は、光学部
品、接着剤および基体の切断に伴う光学部品の表面への
汚れの付着を有効に防止することができる複合光学装置
およびその製造方法を提供することにある。
品、接着剤および基体の切断に伴う光学部品の表面への
汚れの付着を有効に防止することができる複合光学装置
およびその製造方法を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述の問題
を解決すべく鋭意研究を行った結果、上述のダイサーに
よる切断に伴うマイクロプリズムなどの光学部品の表面
への汚れの付着を防止するためには、水の吹き付けなど
による洗浄だけでは不十分であり、光学部品の表面に汚
れそのものが付着しにくくなるような構造上の対策を講
じない限り、この問題を根本的に解決することは困難で
あるという結論に至った。そして、この観点からさらに
研究を進めた結果、切断前に光学部品の表面をあらかじ
め親水性物質から成る膜により覆っておき、切断時に切
断部やダイサーのブレードに水を吹き付けて洗浄を行う
ことが、光学部品の表面への汚れの付着を防止するのに
有効であることを見いだし、この発明を案出するに至っ
た。
を解決すべく鋭意研究を行った結果、上述のダイサーに
よる切断に伴うマイクロプリズムなどの光学部品の表面
への汚れの付着を防止するためには、水の吹き付けなど
による洗浄だけでは不十分であり、光学部品の表面に汚
れそのものが付着しにくくなるような構造上の対策を講
じない限り、この問題を根本的に解決することは困難で
あるという結論に至った。そして、この観点からさらに
研究を進めた結果、切断前に光学部品の表面をあらかじ
め親水性物質から成る膜により覆っておき、切断時に切
断部やダイサーのブレードに水を吹き付けて洗浄を行う
ことが、光学部品の表面への汚れの付着を防止するのに
有効であることを見いだし、この発明を案出するに至っ
た。
【００１８】すなわち、上記目的を達成するために、こ
の発明の第１の発明は、受光素子を有する基体と、基体
上に設けられた発光素子と、基体上に接着剤により接着
された、光入射面および光反射面を備えた光学部品とを
有する複合光学装置において、光学部品の光入射面にハ
ーフミラーと光学部品、接着剤および基体の切屑の付着
を防止する親水性物質から成る膜とが順次設けられ、 光
学部品の光反射面に全反射膜と光学部品、接着剤および
基体の切屑の付着を防止する親水性物質から成る膜とが
順次設けられていることを特徴とするものである。
の発明の第１の発明は、受光素子を有する基体と、基体
上に設けられた発光素子と、基体上に接着剤により接着
された、光入射面および光反射面を備えた光学部品とを
有する複合光学装置において、光学部品の光入射面にハ
ーフミラーと光学部品、接着剤および基体の切屑の付着
を防止する親水性物質から成る膜とが順次設けられ、 光
学部品の光反射面に全反射膜と光学部品、接着剤および
基体の切屑の付着を防止する親水性物質から成る膜とが
順次設けられていることを特徴とするものである。
【００１９】この発明の第２の発明は、受光素子を有す
る基体と、基体上に設けられた発光素子と、基体上に接
着剤により接着された、光入射面および光反射面を備え
た光学部品とを有し、光学部品の光入射面にハーフミラ
ーと光学部品、接着剤および基体の切屑の付着を防止す
る親水性物質から成る膜とが順次設けられ、光学部品の
光反射面に全反射膜と光学部品、接着剤および基体の切
屑の付着を防止する親水性物質から成る膜とが順次設け
られている複合光学装置の製造方法であって、光学部品
の幅の少なくとも２倍以上の長さを有し、かつ光入射面
にハーフミラーと親水性物質から成る膜とが順次設けら
れ、光反射面に全反射膜と親水性物質から成る膜とが順
次設けられているバー状の光学部品を基体上に接着剤に
より接着し、少なくとも切断部に水を供給しながらバー
状の光学部品、接着剤および基体を切断するようにした
ことを特徴とするものである。
る基体と、基体上に設けられた発光素子と、基体上に接
着剤により接着された、光入射面および光反射面を備え
た光学部品とを有し、光学部品の光入射面にハーフミラ
ーと光学部品、接着剤および基体の切屑の付着を防止す
る親水性物質から成る膜とが順次設けられ、光学部品の
光反射面に全反射膜と光学部品、接着剤および基体の切
屑の付着を防止する親水性物質から成る膜とが順次設け
られている複合光学装置の製造方法であって、光学部品
の幅の少なくとも２倍以上の長さを有し、かつ光入射面
にハーフミラーと親水性物質から成る膜とが順次設けら
れ、光反射面に全反射膜と親水性物質から成る膜とが順
次設けられているバー状の光学部品を基体上に接着剤に
より接着し、少なくとも切断部に水を供給しながらバー
状の光学部品、接着剤および基体を切断するようにした
ことを特徴とするものである。
【００２０】この発明の第２の発明の一実施形態におい
ては、バー状の光学部品、接着剤および基体をダイサー
により切断する。このとき、典型的には、切断部および
ダイサーのブレードに水を吹き付けながらバー状の光学
部品、接着剤および基体を切断する。
ては、バー状の光学部品、接着剤および基体をダイサー
により切断する。このとき、典型的には、切断部および
ダイサーのブレードに水を吹き付けながらバー状の光学
部品、接着剤および基体を切断する。
【００２１】この発明の第１の発明および第２の発明に
おいては、好適には、光学部品の少なくとも光入射面が
親水性物質から成る膜により覆われ、典型的には、光学
部品の光入射面および光反射面が親水性物質から成る膜
により覆われる。
おいては、好適には、光学部品の少なくとも光入射面が
親水性物質から成る膜により覆われ、典型的には、光学
部品の光入射面および光反射面が親水性物質から成る膜
により覆われる。
【００２２】この発明の第１の発明および第２の発明に
おいて、光学部品としては、複合光学装置の用途や機能
に応じたものが用いられる。この光学部品は、例えばプ
リズムである。
おいて、光学部品としては、複合光学装置の用途や機能
に応じたものが用いられる。この光学部品は、例えばプ
リズムである。
【００２３】この発明の第１の発明および第２の発明に
おいて、接着剤は、典型的には、紫外線硬化樹脂を用い
た接着剤であり、具体的には、例えばシリコーン樹脂系
接着剤である。
おいて、接着剤は、典型的には、紫外線硬化樹脂を用い
た接着剤であり、具体的には、例えばシリコーン樹脂系
接着剤である。
【００２４】この発明の第１の発明および第２の発明に
おいて、典型的には、基体は半導体基板であり、特に、
半導体レーザなどの発光素子、フォトダイオードなどの
受光素子、電子回路などが設けられた半導体基板であ
る。
おいて、典型的には、基体は半導体基板であり、特に、
半導体レーザなどの発光素子、フォトダイオードなどの
受光素子、電子回路などが設けられた半導体基板であ
る。
【００２５】この発明の第１の発明および第２の発明に
おいて、親水性物質は、例えばＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＢｅＯ、ＺｎＯ、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｉＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｃｕ3 Ｏ、Ｎａ2 Ｓ、Ｂ2
Ｏ3 、ＣａＳおよびＣｕＯから成る群より選ばれた少な
くとも一種の物質である。
おいて、親水性物質は、例えばＭｇＦ2 、ＣａＦ2 、Ｃ
ａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ2 Ｏ3 、ＢｅＯ、ＺｎＯ、Ｔｉ
Ｏ2 、ＳｉＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｃｕ3 Ｏ、Ｎａ2 Ｓ、Ｂ2
Ｏ3 、ＣａＳおよびＣｕＯから成る群より選ばれた少な
くとも一種の物質である。
【００２６】この親水性物質から成る膜の水に対する濡
れ性は、その物質の種類によって異なるほか、膜の密度
や表面状態などによっても異なる。そして、この膜の密
度や表面状態は、その形成方法や形成条件などによって
異なる。例えば、同一の親水性物質から成る膜であって
も、この膜を真空蒸着法により形成した場合とスパッタ
リング法により形成した場合とでは、膜の密度や表面状
態は異なる。具体例を挙げると、ＳｉＯ2 膜は、密度が
高く緻密な膜よりも、密度が低く粗い膜の方が水に対す
る濡れ性は良好である。実際に、このＳｉＯ2 膜は、そ
の形成条件によって、水の接触角が５０°（濡れ性が非
常に良好）から９０°（濡れ性が良好でない）近くまで
大きく変化する。以上のことからわかるように、親水性
物質から成る膜は、その親水性物質として可能な限り親
水性の高いものを選ぶほか、その形成方法や形成条件な
どを適切に選ぶ必要がある。
れ性は、その物質の種類によって異なるほか、膜の密度
や表面状態などによっても異なる。そして、この膜の密
度や表面状態は、その形成方法や形成条件などによって
異なる。例えば、同一の親水性物質から成る膜であって
も、この膜を真空蒸着法により形成した場合とスパッタ
リング法により形成した場合とでは、膜の密度や表面状
態は異なる。具体例を挙げると、ＳｉＯ2 膜は、密度が
高く緻密な膜よりも、密度が低く粗い膜の方が水に対す
る濡れ性は良好である。実際に、このＳｉＯ2 膜は、そ
の形成条件によって、水の接触角が５０°（濡れ性が非
常に良好）から９０°（濡れ性が良好でない）近くまで
大きく変化する。以上のことからわかるように、親水性
物質から成る膜は、その親水性物質として可能な限り親
水性の高いものを選ぶほか、その形成方法や形成条件な
どを適切に選ぶ必要がある。
【００２７】この発明の第１の発明および第２の発明の
典型的な一実施形態において、複合光学装置はレーザカ
プラである。
典型的な一実施形態において、複合光学装置はレーザカ
プラである。
【００２８】
【作用】上述のように構成されたこの発明の第１の発明
による複合光学装置によれば、光学部品の表面の少なく
とも一部が親水性物質から成る膜により覆われているの
で、切断部などに水を吹き付けながら光学部品、接着剤
および基体をダイサーなどにより一括して切断するとき
には、この親水性物質から成る膜の表面の水に対する濡
れ性が良好であることにより、その表面に水による被膜
が容易に形成される。このため、切断時に発生する切屑
などが光学部品の表面に付着しにくい。また、光学部品
の表面に切屑などの汚れが付着した場合においても、そ
の汚れとこの親水性物質から成る膜との界面に水が入り
込みやすいことにより、この汚れは洗浄により除去され
やすい。以上により、光学部品、接着剤および基体の切
断に伴う光学部品の表面への汚れの付着を有効に防止す
ることができる。
による複合光学装置によれば、光学部品の表面の少なく
とも一部が親水性物質から成る膜により覆われているの
で、切断部などに水を吹き付けながら光学部品、接着剤
および基体をダイサーなどにより一括して切断するとき
には、この親水性物質から成る膜の表面の水に対する濡
れ性が良好であることにより、その表面に水による被膜
が容易に形成される。このため、切断時に発生する切屑
などが光学部品の表面に付着しにくい。また、光学部品
の表面に切屑などの汚れが付着した場合においても、そ
の汚れとこの親水性物質から成る膜との界面に水が入り
込みやすいことにより、この汚れは洗浄により除去され
やすい。以上により、光学部品、接着剤および基体の切
断に伴う光学部品の表面への汚れの付着を有効に防止す
ることができる。
【００２９】上述のように構成されたこの発明の第２の
発明による複合光学装置の製造方法によれば、光学部品
の幅の少なくとも２倍以上の長さを有し、かつその表面
の少なくとも一部が親水性物質から成る膜により覆われ
ているバー状の光学部品を基体上に接着剤により接着
し、少なくとも切断部に水を供給しながらバー状の光学
部品、接着剤および基体を切断するようにしているの
で、第１の発明による複合光学装置と同様に、親水性物
質から成る膜が設けられていることにより、その切断に
伴う光学部品の表面への汚れの付着を有効に防止するこ
とができる。
発明による複合光学装置の製造方法によれば、光学部品
の幅の少なくとも２倍以上の長さを有し、かつその表面
の少なくとも一部が親水性物質から成る膜により覆われ
ているバー状の光学部品を基体上に接着剤により接着
し、少なくとも切断部に水を供給しながらバー状の光学
部品、接着剤および基体を切断するようにしているの
で、第１の発明による複合光学装置と同様に、親水性物
質から成る膜が設けられていることにより、その切断に
伴う光学部品の表面への汚れの付着を有効に防止するこ
とができる。
【００３０】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。
【００３１】図１はこの発明の一実施例によるレーザカ
プラを示す断面図である。この一実施例によるレーザカ
プラの斜視図は、図８に示すと同様である。
プラを示す断面図である。この一実施例によるレーザカ
プラの斜視図は、図８に示すと同様である。
【００３２】図１に示すように、この一実施例によるレ
ーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ１上に、
例えば光学ガラスから成るマイクロプリズム２と、フォ
トダイオード３上に半導体レーザ４を載せたＬＯＰチッ
プとが互いに隣接してマウントされている。ここで、フ
ォトダイオードＩＣ１は、光信号検出用の一対のフォト
ダイオードのほか、信号のＩ−Ｖ変換アンプおよび演算
処理部（いずれも図示せず）がＩＣ化されたものであ
る。また、フォトダイオード３は、半導体レーザ４のリ
ア側の端面からの光出力をモニターし、それによってフ
ロント側の端面からの光出力をモニターするためのもの
である。なお、フォトダイオードＩＣ１およびフォトダ
イオード３は例えばＳｉチップから成り、半導体レーザ
４としては例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ
が用いられる。
ーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ１上に、
例えば光学ガラスから成るマイクロプリズム２と、フォ
トダイオード３上に半導体レーザ４を載せたＬＯＰチッ
プとが互いに隣接してマウントされている。ここで、フ
ォトダイオードＩＣ１は、光信号検出用の一対のフォト
ダイオードのほか、信号のＩ−Ｖ変換アンプおよび演算
処理部（いずれも図示せず）がＩＣ化されたものであ
る。また、フォトダイオード３は、半導体レーザ４のリ
ア側の端面からの光出力をモニターし、それによってフ
ロント側の端面からの光出力をモニターするためのもの
である。なお、フォトダイオードＩＣ１およびフォトダ
イオード３は例えばＳｉチップから成り、半導体レーザ
４としては例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体レーザ
が用いられる。
【００３３】この場合、マイクロプリズム２の斜面２ａ
にはハーフミラー５が設けられ、上面２ｂには全反射膜
６が設けられ、底面２ｃには反射防止膜７が設けられ、
ＬＯＰチップ側の端面２ｄは鏡面に構成され、ＬＯＰチ
ップと反対側の端面２ｅには光吸収膜８が設けられてい
る。マイクロプリズム２の底面２ｃに設けられた反射防
止膜７はさらにＳｉＯ2 膜９により覆われている。そし
て、このＳｉＯ2 膜９が接着剤１０によりフォトダイオ
ードＩＣ１に接着されてマイクロプリズム２がフォトダ
イオードＩＣ１上にマウントされている。ここで、Ｓｉ
Ｏ2 膜９は、接着剤１０によるマイクロプリズム２の接
着力を強化するためのものである。ハーフミラー５とし
ては例えば真空蒸着法により形成されたアモルファスＳ
ｉ膜が用いられ、その反射率は例えば２０％である。全
反射膜６としては例えば誘電体多層膜が用いられ、反射
防止膜７としては例えばＣｅＦ3 膜が用いられ、光吸収
膜８としては例えばＣｒ／ＣｒＯ系多層膜が用いられ
る。また、接着剤１０としては、紫外線硬化樹脂である
シリコーン樹脂系の接着剤が用いられる。なお、図示は
省略するが、マイクロプリズム２の底面２ｃのうちＬＯ
Ｐチップ側の片側半分の部分における反射防止膜７の上
にハーフミラーが形成されることがある。
にはハーフミラー５が設けられ、上面２ｂには全反射膜
６が設けられ、底面２ｃには反射防止膜７が設けられ、
ＬＯＰチップ側の端面２ｄは鏡面に構成され、ＬＯＰチ
ップと反対側の端面２ｅには光吸収膜８が設けられてい
る。マイクロプリズム２の底面２ｃに設けられた反射防
止膜７はさらにＳｉＯ2 膜９により覆われている。そし
て、このＳｉＯ2 膜９が接着剤１０によりフォトダイオ
ードＩＣ１に接着されてマイクロプリズム２がフォトダ
イオードＩＣ１上にマウントされている。ここで、Ｓｉ
Ｏ2 膜９は、接着剤１０によるマイクロプリズム２の接
着力を強化するためのものである。ハーフミラー５とし
ては例えば真空蒸着法により形成されたアモルファスＳ
ｉ膜が用いられ、その反射率は例えば２０％である。全
反射膜６としては例えば誘電体多層膜が用いられ、反射
防止膜７としては例えばＣｅＦ3 膜が用いられ、光吸収
膜８としては例えばＣｒ／ＣｒＯ系多層膜が用いられ
る。また、接着剤１０としては、紫外線硬化樹脂である
シリコーン樹脂系の接着剤が用いられる。なお、図示は
省略するが、マイクロプリズム２の底面２ｃのうちＬＯ
Ｐチップ側の片側半分の部分における反射防止膜７の上
にハーフミラーが形成されることがある。
【００３４】この一実施例によるレーザカプラにおいて
は、図８および図９に示す上述の従来のレーザカプラと
同様な上述の構成に加えて、マイクロプリズム２の斜面
２ａ上のハーフミラー５および上面２ｂ上の全反射膜６
を覆うように親水性物質から成る膜１１がそれぞれ設け
られている。ここで、この親水性物質から成る膜１１と
しては、例えばＭｇＦ2 膜が用いられる。
は、図８および図９に示す上述の従来のレーザカプラと
同様な上述の構成に加えて、マイクロプリズム２の斜面
２ａ上のハーフミラー５および上面２ｂ上の全反射膜６
を覆うように親水性物質から成る膜１１がそれぞれ設け
られている。ここで、この親水性物質から成る膜１１と
しては、例えばＭｇＦ2 膜が用いられる。
【００３５】上述のように構成されたこの一実施例によ
るレーザカプラは、図１０に示すと同様に、例えばセラ
ミックス製のフラットパッケージに収められ、ウィンド
ウキャップにより封止される。
るレーザカプラは、図１０に示すと同様に、例えばセラ
ミックス製のフラットパッケージに収められ、ウィンド
ウキャップにより封止される。
【００３６】この一実施例によるレーザカプラの動作
は、上述の従来のレーザカプラと同様であるので、説明
を省略する。
は、上述の従来のレーザカプラと同様であるので、説明
を省略する。
【００３７】次に、この一実施例によるレーザカプラの
製造方法について説明する。まず、図２に示すように、
所定のウエーハプロセスによりフォトダイオードＩＣウ
エーハ１２を製造する。符号１２ａは一つのフォトダイ
オードＩＣに相当するチップ領域を示す。
製造方法について説明する。まず、図２に示すように、
所定のウエーハプロセスによりフォトダイオードＩＣウ
エーハ１２を製造する。符号１２ａは一つのフォトダイ
オードＩＣに相当するチップ領域を示す。
【００３８】次に、図３に示すように、フォトダイオー
ドＩＣウエーハ１２の各チップ領域１２ａ上に例えば銀
ペースト（図示せず）によりＬＯＰチップをマウントす
る。この後、所定のキュア処理を行う。
ドＩＣウエーハ１２の各チップ領域１２ａ上に例えば銀
ペースト（図示せず）によりＬＯＰチップをマウントす
る。この後、所定のキュア処理を行う。
【００３９】次に、図４に示すように、フォトダイオー
ドＩＣウエーハ１２の複数個、例えば１０個のチップ領
域１２ａ毎に、これらのチップ領域１２ａにまたがる長
さ、例えば長さ１８．６ｍｍのバー状のマイクロプリズ
ム２を紫外線硬化樹脂であるシリコーン樹脂系の接着剤
（図示せず）を用いて仮留めする。この後、キュア処理
を行う。すなわち、紫外線照射により接着剤を硬化させ
る。
ドＩＣウエーハ１２の複数個、例えば１０個のチップ領
域１２ａ毎に、これらのチップ領域１２ａにまたがる長
さ、例えば長さ１８．６ｍｍのバー状のマイクロプリズ
ム２を紫外線硬化樹脂であるシリコーン樹脂系の接着剤
（図示せず）を用いて仮留めする。この後、キュア処理
を行う。すなわち、紫外線照射により接着剤を硬化させ
る。
【００４０】ここで、図５に示すように、バー状のマイ
クロプリズム２の斜面２ａにはハーフミラー５および親
水性物質から成る膜１１が設けられ、上面２ｂには全反
射膜６および親水性物質から成る膜１１が設けられ、底
面２ｃには反射防止膜７およびＳｉＯ2 膜９が設けら
れ、端面２ｄは鏡面に構成され、端面２ｅには光吸収膜
８が設けられている。
クロプリズム２の斜面２ａにはハーフミラー５および親
水性物質から成る膜１１が設けられ、上面２ｂには全反
射膜６および親水性物質から成る膜１１が設けられ、底
面２ｃには反射防止膜７およびＳｉＯ2 膜９が設けら
れ、端面２ｄは鏡面に構成され、端面２ｅには光吸収膜
８が設けられている。
【００４１】次に、フォトダイオードＩＣウエーハ１２
の裏面を延伸シート（図示せず）に貼り付けた後、図６
に示すように、ダイサーによりバー状のマイクロプリズ
ム２をハーフカットする。
の裏面を延伸シート（図示せず）に貼り付けた後、図６
に示すように、ダイサーによりバー状のマイクロプリズ
ム２をハーフカットする。
【００４２】次に、バー状のマイクロプリズム２、接着
剤およびフォトダイオードＩＣウエーハ１２をダイサー
によりフルカットし、最終的に、図７に示すように、各
チップ、すなわち各フォトダイオードＩＣに分割する。
このとき、バー状のマイクロプリズム２は、例えば１０
個のマイクロプリズム２に分割される。
剤およびフォトダイオードＩＣウエーハ１２をダイサー
によりフルカットし、最終的に、図７に示すように、各
チップ、すなわち各フォトダイオードＩＣに分割する。
このとき、バー状のマイクロプリズム２は、例えば１０
個のマイクロプリズム２に分割される。
【００４３】この後、延伸シートの延伸を行って各チッ
プを離間させた状態で、各チップをピックアップし、図
１０に示すと同様に、パッケージングを行う。
プを離間させた状態で、各チップをピックアップし、図
１０に示すと同様に、パッケージングを行う。
【００４４】ここで、上述のバー状のマイクロプリズム
２のハーフカット並びにバー状のマイクロプリズム２、
接着剤１０およびフォトダイオードＩＣウエーハ１２の
フルカットを行う際には、切断部およびダイサーのブレ
ードに水を吹き付けて切屑を洗い流し、また、切断終了
後には水の吹き付けおよびドライエアーの吹き付けによ
り汚れを除去するようにする。図５に示すように、バー
状のマイクロプリズム２のうち汚れの付着が特に問題と
なる斜面２ａおよび上面２ｂに形成された最も外側の膜
は親水性物質から成る膜１１であることにより、この水
の吹き付けによる洗浄時には、この親水性物質から成る
膜１１の表面に水による被膜が容易に形成され、したが
ってマイクロプリズム２の表面への切屑などの汚れの付
着は起こりにくい。また、このマイクロプリズム２の表
面に汚れが付着した場合においても、この汚れと親水性
物質から成る膜１１との界面に水が入りやすいため、こ
の汚れは洗浄により除去されやすい。
２のハーフカット並びにバー状のマイクロプリズム２、
接着剤１０およびフォトダイオードＩＣウエーハ１２の
フルカットを行う際には、切断部およびダイサーのブレ
ードに水を吹き付けて切屑を洗い流し、また、切断終了
後には水の吹き付けおよびドライエアーの吹き付けによ
り汚れを除去するようにする。図５に示すように、バー
状のマイクロプリズム２のうち汚れの付着が特に問題と
なる斜面２ａおよび上面２ｂに形成された最も外側の膜
は親水性物質から成る膜１１であることにより、この水
の吹き付けによる洗浄時には、この親水性物質から成る
膜１１の表面に水による被膜が容易に形成され、したが
ってマイクロプリズム２の表面への切屑などの汚れの付
着は起こりにくい。また、このマイクロプリズム２の表
面に汚れが付着した場合においても、この汚れと親水性
物質から成る膜１１との界面に水が入りやすいため、こ
の汚れは洗浄により除去されやすい。
【００４５】以上のように、この一実施例によれば、マ
イクロプリズム２の汚れが特に問題となる斜面２ａおよ
び上面２ｂの最も外側に親水性物質から成る膜１１が設
けられていることにより、マイクロプリズム２、接着剤
１０およびフォトダイオードＩＣウエーハ１２の切断に
伴うマイクロプリズム２の表面への汚れの付着を有効に
防止することができる。これによって、レーザカプラの
光学特性の劣化を防止し、あるいは、レーザカプラの製
造歩留まりの向上を図ることができる。
イクロプリズム２の汚れが特に問題となる斜面２ａおよ
び上面２ｂの最も外側に親水性物質から成る膜１１が設
けられていることにより、マイクロプリズム２、接着剤
１０およびフォトダイオードＩＣウエーハ１２の切断に
伴うマイクロプリズム２の表面への汚れの付着を有効に
防止することができる。これによって、レーザカプラの
光学特性の劣化を防止し、あるいは、レーザカプラの製
造歩留まりの向上を図ることができる。
【００４６】以上、この発明の一実施例について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
【００４７】例えば、上述の実施例においては、この発
明をレーザカプラに適用した場合について説明したが、
この発明は、レーザカプラ以外の各種の複合光学装置に
適用することが可能である。
明をレーザカプラに適用した場合について説明したが、
この発明は、レーザカプラ以外の各種の複合光学装置に
適用することが可能である。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、光学部品の光入射面にハーフミラーと光学部品、接
着剤および基体の切屑の付着を防止する親水性物質から
成る膜とが順次設けられ、光学部品の光反射面に全反射
膜と光学部品、接着剤および基体の切屑の付着を防止す
る親水性物質から成る膜とが順次設けられているので、
光学部品、接着剤および基体の切断に伴う光学部品の光
入射面および光反射面への汚れの付着を有効に防止する
ことができる。
ば、光学部品の光入射面にハーフミラーと光学部品、接
着剤および基体の切屑の付着を防止する親水性物質から
成る膜とが順次設けられ、光学部品の光反射面に全反射
膜と光学部品、接着剤および基体の切屑の付着を防止す
る親水性物質から成る膜とが順次設けられているので、
光学部品、接着剤および基体の切断に伴う光学部品の光
入射面および光反射面への汚れの付着を有効に防止する
ことができる。
【図１】この発明の一実施例によるレーザカプラを示す
断面図である。
断面図である。
【図２】この発明の一実施例によるレーザカプラの製造
方法を説明するための略線図である。
方法を説明するための略線図である。
【図３】この発明の一実施例によるレーザカプラの製造
方法を説明するための略線図である。
方法を説明するための略線図である。
【図４】この発明の一実施例によるレーザカプラの製造
方法を説明するための略線図である。
方法を説明するための略線図である。
【図５】この発明の一実施例によるレーザカプラの製造
方法において用いられるバー状のマイクロプリズムの断
面図である。
方法において用いられるバー状のマイクロプリズムの断
面図である。
【図６】この発明の一実施例によるレーザカプラの製造
方法を説明するための略線図である。
方法を説明するための略線図である。
【図７】この発明の一実施例によるレーザカプラの製造
方法を説明するための略線図である。
方法を説明するための略線図である。
【図８】従来のレーザカプラを示す斜視図である。
【図９】従来のレーザカプラを示す断面図である。
【図１０】フラットパッケージによりパッケージングさ
れた従来のレーザカプラを示す斜視図である。
れた従来のレーザカプラを示す斜視図である。
【図１１】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
【図１２】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
【図１３】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
【図１４】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
【図１５】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。
めの略線図である。
１ フォトダイオードＩＣ
２ マイクロプリズム
３ フォトダイオード
４ 半導体レーザ
５ ハーフミラー
６ 全反射膜
７ 反射防止膜
８ 光吸収膜
９ ＳｉＯ2 膜
１０ 接着剤
１１ 親水性物質から成る膜
１２ フォトダイオードＩＣウエーハ
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭63−193337（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−69825（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−258505（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−214112（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−169136（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−210534（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−138305（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−315036（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−127444（ＪＰ，Ａ)
実開 平３−73911（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 31/12
G11B 7/12 - 7/22
G02B 1/10 - 1/12
Claims (18)
- 【請求項１】 受光素子を有する基体と、 上記基体上に設けられた発光素子と、 上記基体上に接着剤により接着された、光入射面および
光反射面を備えた光学部品とを有する複合光学装置にお
いて、 上記光学部品の上記光入射面にハーフミラーと上記光学
部品、上記接着剤および上記基体の切屑の付着を防止す
る親水性物質から成る膜とが順次設けられ、 上記光学部品の上記光反射面に全反射膜と上記光学部
品、上記接着剤および上記基体の切屑の付着を防止する
親水性物質から成る膜とが順次設けられている ことを特
徴とする複合光学装置。 - 【請求項２】 上記ハーフミラーはアモルファスＳｉ膜
から成ることを特徴とする請求項１記載の複合光学装
置。 - 【請求項３】 上記光学部品はプリズムであることを特
徴とする請求項１または２記載の複合光学装置。 - 【請求項４】 上記接着剤は紫外線硬化樹脂を用いた接
着剤であることを特徴とする請求項１記載の複合光学装
置。 - 【請求項５】 上記接着剤はシリコーン樹脂系接着剤で
あることを特徴とする請求項１記載の複合光学装置。 - 【請求項６】 上記基体は半導体基板であることを特徴
とする請求項１記載の複合光学装置。 - 【請求項７】 上記親水性物質はＭｇＦ 2 、ＣａＦ 2 、
ＣａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ 2 Ｏ 3 、ＢｅＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ
2 、ＳｉＯ 2 、ＳｎＯ 2 、Ｃｕ 3 Ｏ、Ｎａ 2 Ｓ、Ｂ 2 Ｏ
3 、ＣａＳおよびＣｕＯから成る群より選ばれた少なく
とも一種の物質であることを特徴とする請求項１記載の
複合光学装置。 - 【請求項８】 上記複合光学装置はレーザカプラである
ことを特徴とする請求項３記載の複合光学装置。 - 【請求項９】 受光素子を有する基体と、 上記基体上に設けられた発光素子と、 上記基体上に接着剤により接着された、光入射面および
光反射面を備えた光学 部品とを有し、 上記光学部品の上記光入射面にハーフミラーと上記光学
部品、上記接着剤および上記基体の切屑の付着を防止す
る親水性物質から成る膜とが順次設けられ、上記光学部
品の上記光反射面に全反射膜と上記光学部品、上記接着
剤および上記基体の切屑の付着を防止する親水性物質か
ら成る膜とが順次設けられている複合光学装置の製造方
法であって、 上記光学部品の幅の少なくとも２倍以上の長さを有し、
かつ上記光入射面に上記ハーフミラーと上記親水性物質
から成る膜とが順次設けられ、上記光反射面に上記全反
射膜と上記親水性物質から成る膜とが順次設けられてい
るバー状の上記光学部品を上記基体上に上記接着剤によ
り接着し、 少なくとも切断部に水を供給しながら上記バー状の上記
光学部品、上記接着剤および上記基体を切断するように
した ことを特徴とする複合光学装置の製造方法。 - 【請求項１０】 上記ハーフミラーはアモルファスＳｉ
膜から成ることを特徴とする請求項９記載の複合光学装
置の製造方法。 - 【請求項１１】 上記バー状の上記光学部品、上記接着
剤および上記基体をダイサーにより切断するようにした
ことを特徴とする請求項９記載の複合光学装置の製造方
法。 - 【請求項１２】 上記切断部および上記ダイサーのブレ
ードに水を吹き付けながら上記バー状の上記光学部品、
上記接着剤および上記基体を切断するようにしたことを
特徴とする請求項１１記載の複合光学装置の製造方法。 - 【請求項１３】 上記光学部品はプリズムであることを
特徴とする請求項９、１０、１１または１２記載の複合
光学装置の製造方法。 - 【請求項１４】 上記接着剤は紫外線硬化樹脂を用いた
接着剤であることを特徴とする請求項９記載の複合光学
装置の製造方法。 - 【請求項１５】 上記接着剤はシリコーン樹脂系接着剤
であることを特徴とする請求項９記載の複合光学装置の
製造方法。 - 【請求項１６】 上記基体は半導体基板であることを特
徴とする請求項９記載の複合光学装置の製造方法。 - 【請求項１７】 上記親水性物質はＭｇＦ 2 、Ｃａ
Ｆ 2 、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ 2 Ｏ 3 、ＢｅＯ、ＺｎＯ、
ＴｉＯ 2 、ＳｉＯ 2 、ＳｎＯ 2 、Ｃｕ 3 Ｏ、Ｎａ 2 Ｓ、
Ｂ 2 Ｏ 3 、ＣａＳおよびＣｕＯから成る群より選ばれた
少なくとも一種の物質であることを特徴とする請求項９
記載の複合光学装置の製造方法。 - 【請求項１８】 上記複合光学装置はレーザカプラであ
ることを特徴とする請求項９記載の複合光学装置の製造
方法。
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