JP4445220B2 - 半導体レーザ装置及びピックアップ装置 - Google Patents

Description

本発明は、光記録媒体への情報記録および／または情報読出に用いる光ピックアップ装置と光ピックアップ装置に用いられる半導体レーザ装置に関する。

近年、ＣＤ、ＤＶＤ等に代表される光ディスク技術はめざましい進歩を遂げている。特に、光ディスクへの情報の記録を行う光ピックアップ装置は、記録速度の高速化や装置の小型化が図られており、そこに用いられる半導体レーザ装置では、レーザ出射光の高出力化が要求されている。

図７は、従来の半導体レーザ装置（例えば、特許文献１）を示す断面図である。

この半導体レーザ装置は、シリコン基板７０１に形成された凹部７０２の底面７０３に半導体レーザ７０４が載置されており、半導体レーザ７０４からの出射光を凹部７０２の側面に形成された反射ミラー７０５で反射し、シリコン基板７０１の上方に位置する光ディスク（図示せず）に照射する構成である。

なお、シリコン基板７０１の基板主軸に５°〜１５°傾いた結晶面（１００）に、リソグラフィーにより矩形開口パターンを形成し、異方性ウェットエッチングにより凹部７０２を形成すると、凹部７０２の側面の一つは、結晶面（１１１）の斜面となる。この斜面に反射ミラー７０５を形成すると、反射ミラー７０５で反射される半導体レーザ７０４からの出射光軸７０６を底面７０３の上方向にすることができる。

また、半導体レーザ７０４の出射端面７０７と反対側の端面（以下、「後方端面」という）７０８からも半導体レーザ７０４からの光が出射されるように後方端面７０８の反射率が調整されている。シリコン基板７０１の凹部７０２の後方端面７０８に対向する側面にフォトダイオード７０９が形成されている。半導体レーザ７０４の後方端面７０８から出射される光をフォトダイオード７０９で受光し、フォトダイオード７０９の信号を半導体レーザ７０４の出力モニタ信号としている。

ところが、この半導体レーザ装置では、本来用いられるべき半導体レーザ７０４の出射端面７０７から出射される光（以下、「前方光」という）の一部を後方端面７０８から出射させているため、前方光の強度が低下し、レーザ光の高出力化という要請に反することになる。

このような、半導体レーザ装置の課題を解決するため、例えば、半導体レーザから出射される前方光のうち、有効に利用されていない光を出力モニタ光として利用する構成が提案されている（例えば、特許文献２）。

図８は、特許文献２に示された従来のピックアップ装置の構成を示す模式図である。

半導体レーザ８０１から出射された前方光は、コリメータレンズ８０２により平行ビームに変換された後、ビームスプリッタ８０３に入射する。ビームスプリッタ８０３では、透過光と反射光とに分離され、透過光は対物レンズ８０４で絞られ、光ディスク８０５に入射し、微小レーザ光スポットとして照射され、情報の記録、消去または再生が行なわれる。

光ディスク８０５での反射光は、入射光と同じ経路を戻り、ビームスプリッタ８０３に入射し、分岐されて受光素子８０６に入射する。受光素子８０６で光電変換された信号は、光ディスク８０５のピット情報信号、フォーカスエラー検出信号、トラッキングエラー検出信号として用いられる。

コリメータレンズ８０２の外方には、半導体レーザ８０１からの前方光を検出する前方光受光素子８０７が設けられている。前方光受光素子８０７は、コリメータレンズ８０２の外方に出射された前方光を検出し、出力モニタ信号として出力制御回路８０８に出力している。

出力制御回路８０８は、半導体レーザ８０１の出射光の強度が所定の値となるよう、半導体レーザ８０１に供給する電力を制御している。

ところが、従来の光ピックアップ装置では、コリメータレンズ８０２の外方に前方光受光素子８０７を設ける必要があり、光ピックアップ装置全体が大型化し、装置の小型化の要請に反することになる。
特開平４−１９６１８９号公報 特開平４−３３６４６号公報

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、装置の大型化を防止し、かつ、半導体レーザからのレーザ出射光の高出力化を実現するピックアップ装置及びそれに用いられる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を解決するため、載置基板に形成された凹部の底面に載置された半導体レーザと、前記凹部の側面に設けられ、前記半導体レーザの出射光を反射して上方へ光路変更する反射ミラーと、前記半導体レーザの出射光の強度を検出する受光素子とを備える半導体レーザ装置であって、前記側面の半導体レーザの照射域に、階段状の斜面が形成され、前記底面に略平行な前記半導体レーザの光軸と交差する一の斜面に前記反射ミラーが形成され、前記受光素子の受光面が前記一の斜面と平行な他の斜面に形成されていることとしている。

上記目的は、載置基板に形成された凹部の底面に載置された半導体レーザと、前記凹部の側面に設けられ、前記半導体レーザの出射光を反射して上方へ光路変更する反射ミラーと、前記半導体レーザの出射光の強度を検出する受光素子とを備える半導体レーザ装置であって、前記側面の半導体レーザの照射域に、階段状の斜面が形成され、前記底面に略平行な前記半導体レーザの光軸と交差する一の斜面に前記反射ミラーが形成され、前記受光素子の受光面が前記一の斜面と平行な他の斜面に形成されていることで達成することができる。

このような構成によって、半導体レーザから前方光のみを出射して、反射ミラーで反射されない一部の光を利用して出射光の強度を検出できるので、レーザ光の高出力化を図ることができ、かつ、外部に出射光の強度を検出する受光素子を配置することもないので、装置の小型化を図ることができる。

また、前記側面は、１段の階段状の斜面であり、前記底面に接する下段の斜面に前記反射ミラーが形成され、前記受光面は、上段の斜面に形成されていることとしている。

このような構成によって、半導体レーザから出射される出射光を底面から上方向に反射ミラーで反射することができ、反射ミラーで反射されない出射光の強度を検出することができる。

また、前記底面と斜面との角度を４５°とし、前記半導体レーザの出射光軸と前記反射ミラーとの交点から反射ミラーの上端までの前記出射光軸と平行な方向の距離をａ、前記半導体レーザの出射端面から前記半導体レーザの出射光軸と前記反射ミラーとの交点までの距離をｂ、前記反射ミラーと前記受光面との間に形成されたステップの出射光軸に平行な方向の距離をｃ、前記受光面の高さをｄとするとき、
（ｄ／（ｃ＋ｄ））＞（ａ／（ａ＋ｂ））
の関係を満たすようにすることとしている。

このような構成によって、受光面において、確実に半導体レーザから直接出射された出射光の強度を検出することができる。

また、前記半導体レーザの上方に載置され、前記半導体レーザの波長と異なる波長の光を出射する別の半導体レーザを更に備え、前記側面は、２段の階段状の斜面であり、前記底面に接する下段の斜面に前記反射ミラーが形成され、前記側面の上段の斜面に前記別の半導体レーザの出射光を前記底面の上方に反射する別の反射ミラーが更に形成され、前記受光面が前記側面の中段の斜面に形成され、前記受光素子は、前記別の半導体レーザの出射光の強度を別個に検出することとしている。

このような構成によって、異なる波長の光を出射する半導体レーザの強度を共通する受光素子で別個に検出することができるので、半導体レーザ装置の小型化を図ることができ、また前方光だけを利用するので、高出力化も図ることができる。

また、前記受光素子で検出される半導体レーザの出射光の強度を所定の強度に保持するよう前記半導体レーザへの電力供給を制御する制御手段を更に備えることとしている。

このような構成によって、半導体レーザから出射される光の一部をモニタ光として、出射される光の強度を所定の強度に保持することができる。

また、前記受光面には、前記半導体レーザの出射光を透過する反射防止膜が形成されていることとしている。

このような構成によって、受光面から効率よくモニタ光を受光して、その強度の検出感度を向上することができる。

また、前記半導体レーザ装置と、前記反射ミラーで反射された半導体レーザからの光を光記録媒体に入射する入射手段と、光記録媒体から反射された戻り光を分岐する光分岐手段と、分岐された反射戻り光を受光する受光素子とを備えることとしている。

このような構成によって、高出力のレーザ光を出射でき、小型化された光ピックアップ装置を得ることができる。

また、前記光ピックアップ装置の光学倍率をｗとし、前記光記録媒体における焦点位置がｚμｍシフトした場合に、前記光記録媒体から反射した戻り光の広がり角がφ'とするとき、前記反射ミラーと前記受光面との間に形成されたステップの出射光軸に平行な方向の距離ｃを
ｃ＞２ｚｗ²ｔａｎφ'
の関係を満たすようにすることとしている。

このような構成によって、光記録媒体の面ぶれ等による戻り光によって、半導体レーザ装置から出射されるモニタ光の強度検出の精度に悪影響を及ぼすことのない光ピックアップ装置を得ることができる。

以下、本発明に係る光ピックアップ装置及びそれに用いられる半導体レーザ装置の実施の形態について、図面を用いて説明する。

（実施の形態１）
図１は、本発明に係る光ピックアップ装置の実施の形態１を説明する模式図である。

この光ピックアップ装置は、半導体レーザ装置１０１と、半導体レーザ装置１０１からの出射光を半導体レーザ装置１０１の上方に配置された光記録媒体１０２の情報記録面１０３に入射する入射部１０４と、情報記録面１０３から反射された戻り光を分岐する光分岐部１０５と、分岐された戻り光を受光する受光素子１０６とを備えている。

半導体レーザ装置１０１は、載置基板である半導体基板１１１の凹部１１２の底面１１３に載置された半導体レーザ１１４と、半導体レーザ１１４からの出射光を上方に反射する反射ミラー１１５と、半導体レーザ１１４からの出射光を検出するモニタ光検出用フォトダイオード１１６と、モニタ光検出用フォトダイオード１１６が検出した出射光の強度を所定の値にするための出力制御回路１１７とを備えている。なお、モニタ光検出用フォトダイオード１１６が出射光を検出する受光面１１８と反射ミラー１１５とは、凹部１１２の平行な斜面に形成されている。

光記録媒体１０２は、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクであり、特に書換え可能なＤＶＤ−ＲＡＭ等に有効である。

入射部１０４は、反射ミラー１１５からの反射光を平行光とするコリメータレンズ１２１と、光記録媒体１０２の情報記録面１０３の微小スポットに平行光を集光する対物レンズ１２２とからなる。

光分岐部１０５は、ホログラム素子からなり、情報記録面１０３で反射された戻り光を回折して受光素子１０６に受光させる。

受光素子１０６で検出された信号は、ピット情報信号やフォーカスエラー検出信号、トラッキングエラー検出信号として光記録媒体１０２からの情報読み出し及び光ピックアップ装置の位置制御に利用される。

図２は、半導体レーザ装置の構造を説明する半導体レーザからの出射光軸に沿う縦断面図である。なお、半導体レーザ装置１０１の半導体基板１１１のハッチングを省略している。

半導体レーザ１１４のレーザ光の出射端面２０１に対向する半導体基板１１１に形成された凹部１１２の側面には、平行な斜面２０２とその上方の斜面２０３とが形成されている。これらの斜面２０２、２０３は、凹部１１２の底面１１３と４５°の角度で形成されている。斜面２０２とその上方の斜面２０３との間には、出射光軸に平行な方向の距離ｃのステップ２０４が形成されている。

なお、図３は、この凹部１１２の生成処理を説明する断面図である。

半導体基板１１１をシリコン基板とし、シリコン基板の基板主軸が５°〜１５°、好ましくは９．７°傾いた結晶面（１００）の表面に絶縁膜３０１、例えばＳｉＯ₂等で図３（ａ）に示すように、リソグラフィーにより矩形開口部３０１を形成した後、図３（ｂ）に示すように、異方性ウェットエッチングを用いて凹部３０３を形成する。

このとき、凹部３０３の両側面には、結晶面（１１１）が露出し、基板主軸の傾きを９．７°としているときには、凹部３０３の一つの側面は、底面１１３に対して正確に４５°の角度をなす斜面２０２になる。

次に、露出した凹部３０３の斜面２０２と他の側面および底面１１３を再び絶縁膜３０４等で覆い、斜面２０２の上縁部近傍の絶縁膜３０４等を除去し、矩形開口部３０５を図３（ｃ）に示すように形成する。更に、異方性ウェットエッチングを行うことにより、図３（ｄ）に示すように、斜面２０３とステップ２０４とを形成する。

絶縁膜３０４等を除去すると、図３（ｅ）に示すように、半導体基板１１１に斜面２０２とその上方の斜面２０３とステップ２０４とが形成された凹部１１２が生成される。

なお、この凹部１１２の生成処理は、特開平６−２０４２０８号公報に詳細に記載されている。

底面１１３に接する斜面２０２には、反射ミラー１１５が形成されている。反射ミラー１１５は、ＳｉＯ₂,ＴｉＯ₂等の酸化膜、Ｓｉ₃Ｎ₄等の窒化膜の多層膜やＡｕ等の金属膜で形成される。

なお、反射ミラー１１５の開口数は、光ピックアップ装置の対物レンズ１２２の開口数よりも大きく設定されている。

上方の斜面２０３には、反射防止膜が形成され、半導体レーザ１１４の出射光を透過する受光面１１８が構成されている。なお、反射防止膜は、誘電体の多層膜で形成されている。

モニタ光検出用フォトダイオード１１６は、受光面１１８の近傍に設けられ、受光面に入射したモニタ光の強度を検出し、その強度信号を出力制御回路１１７に出力する。

出力制御回路１１７は、モニタ光検出用フォトダイオード１１６から出力された強度信号が所定の値を保持するよう、半導体レーザ１１４に電力を供給し、半導体レーザ１１４からの出射光の強度を一定とする。

半導体レーザ１１４の出射端面２０１からレーザ光が出射され、反射ミラー１１５で反射された反射光が底面１１３の上方のコリメータレンズ１２１（図１参照）に入射される。この出射端面２０１から反射ミラー１１５までの出射光軸２０５の距離をｂ、出射光軸２０５と反射ミラー１１５との交点から反射ミラー１１５の上端までの高さをａとし、反射ミラー１１５の出射光の取り込み角をθとする。

受光面１１８の下端と反射ミラー１１５の上端との間に形成されたステップ２０４の距離をｃ、受光面１１８の高さをｄとし、受光面１１８の出射光の取り込み角をθ´とする。

受光面１１８で直接出射光を受光するためには、θ´＞θの関係に従う必要がある。
ここで、
θ ＝ｔａｎ^-1（ａ／（ａ＋ｂ））・・・（１）
θ´＝ｔａｎ^-1（ｄ／（ｃ＋ｄ））・・・（２）
であるので、
ｄ／（ｃ＋ｄ）＞ａ／（ａ＋ｂ）・・・・（３）
の条件を満足するような位置関係に設定される。

受光面１１８と出射端面２０１との距離を縮めた状態で前方光を検出できるため、受光面１１８の面積が小さくても十分なモニタ光の検出精度が得られる。また、半導体レーザ１１４を載置した半導体基板１１１にモニタ光検出用フォトダイオード１１６を形成するため、部品点数の削減および装置の小型化が図れる。

次に、光ピックアップ装置からの戻り光について説明する。光ピックアップ装置では、光記録媒体１０２の情報記録面１０３で反射された戻り光は、光分岐部１０５で分岐され、受光素子１０６に検出されるが、その一部は光分岐部１０５から反射ミラー１１５からの入射光と逆の経路を辿り反射ミラー１１５側に戻ってくる。

光記録媒体１０２の情報記録面１０３の微小スポットに正確に照射されている場合には、図４に示すようにフォーカス光として示すように、光軸４０１と広がり角φの戻り光となる。

光ピックアップ装置の光学倍率をｗとし、情報記録面１０３における焦点を結ぶ位置がｚμｍシフトした場合、半導体レーザ光の出射位置よりも約２ｚｗ²μｍシフトして焦点を結ぶ。この場合、焦点シフトがない場合と比べて、戻り光の広がり幅ｙは、
ｙ＝２ｚｗ²ｔａｎφ´・・・（４）
となる。ここで、φ´は、デフォーカスしたときの戻り光の広がり角である。

そこで、ステップ２０４の距離ｃをｙより大きくなるように設定すると、光記録媒体１０２の回転による面ぶれ等によって、ディスク側での焦点がシフトしても、戻り光を受光面１１８で受光することが防止され、受光面１１８は、半導体レーザ１１４から直接出射される光だけを受光することができる。

ｃ＞２ｚｗ²ｔａｎφ´・・・（５）
ステップ２０４の距離ｃは、式（５）に従うように設定される。

図５は、上記実施の形態とは異なる半導体レーザ装置の構造を説明する模式図である。

この半導体レーザ５０１は、半導体基板５０２の凹部５０３の底面５０４に半導体レーザ５０５が載置されている。

半導体レーザ５０５から出射されるレーザ光は、凹部５０３に形成された斜面５０６の下方に設けられた反射ミラー５０７で底面５０４の上方に反射される。反射ミラー５０７の上方の斜面に受光面５０８が設けられ、受光面５０８にモニタ光検出用フォトダイオード５０９が設けられている。

上記実施の形態と異なり、ステップが形成されていないので、単に反射ミラー５０７が形成された斜面のうち、反射ミラーが形成されていない領域に前方光検出用の受光面５０８を設けたのでは、光記録媒体の記録／再生時におけるディスク回転によって生じる面ぶれにより、戻り光のスポットサイズが変動するため、戻り光の一部がモニタ光検出用フォトダイオード５０９で検出され、正確にモニタ光の検出をすることができない。この結果、半導体レーザ５０５から出射されるレーザ光出力が不安定になる虞がある。

本実施の形態では、反射ミラー１１５が設けられた斜面２０２と受光面１１８が設けられた斜面２０３との間にステップ２０４を介しているので、戻り光のスポットサイズがある程度変動しても、直接受光面１１８に戻り光が入射することが無く、半導体レーザ１１４の出射端面２０１と受光面１１８との距離を近づけても戻り光の影響を受けにくい。

すなわち、ステップ２０４を設けて、受光面１１８との距離を取ることにより、戻り光のスポットサイズが正常な面積よりも拡がっても、ステップ２０４の上面に戻り光が入射するだけで斜面２０３の受光面１１８には入射しない。

（実施の形態２）
図６は、本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態２の構造を説明する模式図である。

この半導体レーザ装置６０１は、載置基板である半導体基板６０２と凹部６０３の底面６０４に載置された赤色半導体レーザ６０５とその上部に載置された青色半導体レーザ６０６と、凹部６０３の一方の側面に形成され、底面６０４に接する斜面６０７に形成された第１反射ミラー６０８と、上方の斜面６０９に形成された第２反射ミラー６１０と、斜面６０７と斜面６０９とに挟まれた斜面６１１に形成された受光面６１２と、前方光検出用フォトダイオード６１３と、斜面６０７の上部と斜面６１１の下部との間のステップ６１４と、斜面６１１の上部と斜面６０９の下部との間のステップ６１５とを備えている。

なお、各斜面６０７,６１１,６０９は、底面６０４と４５°の角度に形成されている。

また、第１反射ミラー６０８は、例えば、Ａｕ等の金属膜で形成されており、第２反射ミラー６１０は、誘電体多層膜で形成されている。

赤色半導体レーザ６０５の出射端面から出射される赤色レーザ光は、第１反射ミラー６０８で反射され、底面６０４の上方に導かれる。同様に青色レーザ光は、第２反射ミラー６１０で反射され、底面６０４の上方に導かれる。

第１反射ミラー６０８と第２反射ミラー６１０との中間の斜面６１１には、受光面６１２を形成する反射防止膜が形成されている。

この受光面６１２は、赤色半導体レーザ６０５から赤色レーザ光が第１反射ミラー６０８に出射されているとき、その上端より上側に出射される前方光の一部を受光し、受光面６１２に設けられたモニタ光検出フォトダイオード６１３で強度が検出される。

また、青色半導体レーザ６０６から青色レーザ光が第２反射ミラー６０９に出射されているとき、その下端より下側に出射される前方光の一部を受光し、受光面６１２に設けられたモニタ光検出フォトダイオード６１３で強度が検出される。

モニタ光検出用フォトダイオード６１３で検出された赤色レーザ光又は青色レーザ光の強度は、上記実施の形態と同様出力制御回路（図６では図示せず）にその信号が与えられ、赤色レーザ光又は青色レーザ光の強度を所定の値に保持させる。

また、ステップ６１４とステップ６１５との出射光軸に平行な方向の距離は、上記実施の形態と同様に、数式（５）に従い赤色レーザ光の戻り光又は青色レーザ光の戻り光が受光面６１２に入射しない距離にそれぞれ選ばれる。

本実施の形態では、赤色と青色との異なる波長の光を発生する半導体レーザを上下に一体化して配置し、両半導体レーザのモニタ光の受光面を共通にする構造としている。このことにより、部品点数の削減効果が大幅に向上し、半導体レーザ装置の小型化が更に進められる。

なお、第１反射ミラー６０８と第２反射ミラー６１０の材質を共通化すると、それぞれの反射率を最大化することはできないけれども、上述したように第１反射ミラー６０８と第２反射ミラー６１０の材質を異ならしめることによって、それぞれのレーザ光の反射率を大にすることができ、実効的にレーザ光の高出力化が図れる。

また、第１反射ミラー６０８では青色光を吸収し、第２反射ミラー６１０では赤色光を吸収するように膜構造を調製しておくと、それぞれの出射光が対応しない反射ミラーに漏れ込んでも、底面６０４の上方に導かれることがなく、ノイズ光の発生を抑えることができる。

また、各レーザ光の取り込み角の範囲は、上記実施の形態１の数式（３）を基に同様に算出することができる。

本発明の活用例としては、ＤＶＤプレーヤやＣＤプレーヤに用いられる光ピックアップ装置であり、光ピックアップ装置には、半導体レーザ装置を利用することができる。

本発明に係る半導体レーザ装置を用いた光ピックアップ装置の実施の形態１の模式図である。 上記実施の形態の半導体レーザ装置の縦断面図である。 上記実施の形態の半導体基板の凹部の生成処理を説明する断面図である。 上記実施の形態の斜面のステップの距離についての説明図である。 上記実施の形態と異なり、ステップを形成しない半導体レーザ装置を示す図である。 本発明に係る半導体レーザ装置の実施の形態２の構造を説明する断面図である。 従来の半導体レーザ装置を示す断面図である。 従来の光ピックアップ装置を示す模式図である。

符号の説明

１０１,６０１ 半導体レーザ装置
１０２ 光記録媒体
１０４ 入射部
１０５ 光分岐部
１０６ 受光素子
１１１,６０２ 半導体基板
１１２,６０３ 凹部
１１３,６０４ 底面
１１４ 半導体レーザ
１１５ 反射ミラー
１１６,６１３ モニタ光検出用フォトダイオード
１１７ 出力制御回路
１１８,６１２ 受光面
１２１ コリメータレンズ
１２２ 対物レンズ
２０１ 出射端面
２０２ 斜面
２０３ 上方の斜面
２０４ ステップ
２０５ 出射光軸
６０５ 赤色半導体レーザ
６０６ 青色半導体レーザ
６０７,６０９,６１１ 斜面
６０８ 第１反射ミラー
６１０ 第２反射ミラー
６１２ 受光面
６１３ モニタ光検出用フォトダイオード
６１４,６１５ ステップ

Claims (7)

1. 載置基板に形成された凹部の底面に載置された半導体レーザと、前記凹部の側面に設けられ、前記半導体レーザの出射光を反射して上方へ光路変更する反射ミラーと、前記半導体レーザの出射光の強度を検出する受光素子とを備える半導体レーザ装置であって、
   前記側面の半導体レーザの照射域に、階段状の斜面が形成され、
   前記底面に略平行な前記半導体レーザの光軸と交差し、前記底面に接する下段の斜面内に前記反射ミラーが形成され、
   前記受光素子の受光面が前記下段の斜面と平行な上段の斜面に形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 前記底面と斜面との角度を４５°とし、
   前記半導体レーザの出射光軸と前記反射ミラーとの交点から反射ミラーの上端までの前記出射光軸と平行な方向の距離をａ、
   前記半導体レーザの出射端面から前記半導体レーザの出射光軸と前記反射ミラーとの交点までの距離をｂ、
   前記反射ミラーと前記受光面との間に形成されたステップの出射光軸に平行な方向の距離をｃ、
   前記受光面の高さをｄとするとき、
   （ｄ／（ｃ＋ｄ））＞（ａ／（ａ＋ｂ））
   の関係を満たすようにすることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
3. 載置基板に形成された凹部の底面に載置された半導体レーザと、前記凹部の側面に設けられ、前記半導体レーザの出射光を反射して上方へ光路変更する反射ミラーと、前記半導体レーザの出射光の強度を検出する受光素子とを備える半導体レーザ装置であって、
   前記側面の半導体レーザの照射域に、階段状の斜面が形成され、
   前記底面に略平行な前記半導体レーザの光軸と交差する一の斜面に前記反射ミラーが形成され、
   前記受光素子の受光面が前記一の斜面と平行な他の斜面に形成されており、
   前記半導体レーザの上方に載置され、前記半導体レーザの波長と異なる波長の光を出射する別の半導体レーザを更に備え、
   前記側面は、２段の階段状の斜面であり、
   前記底面に接する下段の斜面に前記反射ミラーが形成され、
   前記側面の上段の斜面に前記別の半導体レーザの出射光を前記底面の上方に反射する別の反射ミラーが更に形成され、
   前記受光面が前記側面の中段の斜面に形成され、前記受光素子は、前記別の半導体レーザの出射光の強度を別個に検出することを特徴とする半導体レーザ装置。
4. 前記受光素子で検出される半導体レーザの出射光の強度を所定の強度に保持するよう前記半導体レーザへの電力供給を制御する制御手段を更に備えることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
5. 前記受光面には、前記半導体レーザの出射光を透過する反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
6. 請求項１記載の半導体レーザ装置と、
   前記反射ミラーで反射された半導体レーザからの光を光記録媒体に入射する入射手段と、
   光記録媒体から反射された戻り光を分岐する光分岐手段と、
   分岐された反射戻り光を受光する受光素子とを備えることを特徴とする光ピックアップ装置。
7. 載置基板に形成された凹部の底面に載置された半導体レーザと、前記凹部の側面に設けられ、前記半導体レーザの出射光を反射して上方へ光路変更する反射ミラーと、前記半導体レーザの出射光の強度を検出する受光素子とを備える半導体レーザ装置であって、
   前記側面の半導体レーザの照射域に、階段状の斜面が形成され、
   前記底面に略平行な前記半導体レーザの光軸と交差する一の斜面に前記反射ミラーが形成され、
   前記受光素子の受光面が前記一の斜面と平行な他の斜面に形成されてなる半導体レーザ装置と、
   前記反射ミラーで反射された半導体レーザからの光を光記録媒体に入射する入射手段と、
   光記録媒体から反射された戻り光を分岐する光分岐手段と、
   分岐された反射戻り光を受光する受光素子とを備え、
   光学倍率をｗとし、
   前記光記録媒体における焦点位置がｚμｍシフトした場合に、
   前記光記録媒体から反射した戻り光の広がり角がφ'とするとき、
   前記反射ミラーと前記受光面との間に形成されたステップの出射光軸に平行な方向の距離ｃを
   ｃ＞２ｚｗ2ｔａｎφ'
   の関係を満たすようにすることを特徴とする光ピックアップ装置。

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