JPH0945995A - 光学装置 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 78
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光記録媒体からの散乱光ないしは回折光から
の情報信号の検出を行う光学装置において、部品点数の
少量化、光学的位置調整の簡単化を図る。 【解決手段】 面発光レーザと受光素子とを有する半導
体基板と、光学系とを有し、受光素子の配置位置を、光
学系の共焦点領域外で、被照射部に対する面発光レーザ
のレーザ光照射による被照射部からの散乱光ないしは回
折光が得られる領域に選定した光学装置を構成する。
の情報信号の検出を行う光学装置において、部品点数の
少量化、光学的位置調整の簡単化を図る。 【解決手段】 面発光レーザと受光素子とを有する半導
体基板と、光学系とを有し、受光素子の配置位置を、光
学系の共焦点領域外で、被照射部に対する面発光レーザ
のレーザ光照射による被照射部からの散乱光ないしは回
折光が得られる領域に選定した光学装置を構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばバーコード
リーダー、光学記録再生装置における光学ピックアップ
等に適用して好適な光学装置に係わる。
リーダー、光学記録再生装置における光学ピックアップ
等に適用して好適な光学装置に係わる。
【0002】
【従来の技術】従来の光学装置、例えばバーコードリー
ダ(BCR)においては、各光学部品を個別に組み立て
るため装置全体の構成が複雑且つ大きくなり、また、共
通の基板上に各光学部品をハイブリッドに組み立てる場
合に、これら光学部品の光学的な配置設定に厳しいアラ
イメント精度を必要とする。
ダ(BCR)においては、各光学部品を個別に組み立て
るため装置全体の構成が複雑且つ大きくなり、また、共
通の基板上に各光学部品をハイブリッドに組み立てる場
合に、これら光学部品の光学的な配置設定に厳しいアラ
イメント精度を必要とする。
【0003】図5に従来のバーコードリーダを構成する
光学装置の例を示す。この図5に示すバーコードリーダ
は、He−Neレーザ21、集光レンズやビームスプリ
ッタ等からなる光学系22、バーコードB、スキャンニ
ングミラー23、そして光学系22により分離された光
路にフォトダイオードPD等による受光部24を有し、
これらが所定の位置関係に精度よく配置されてなる。
光学装置の例を示す。この図5に示すバーコードリーダ
は、He−Neレーザ21、集光レンズやビームスプリ
ッタ等からなる光学系22、バーコードB、スキャンニ
ングミラー23、そして光学系22により分離された光
路にフォトダイオードPD等による受光部24を有し、
これらが所定の位置関係に精度よく配置されてなる。
【0004】He−Neレーザ21から発生したレーザ
光Lは、光学系22を経由して、スキャンニングミラー
23により反射され、バーコードB上を走査する。バー
コードBに照射された光は、それぞれ黒バーで吸収さ
れ、白スペースで反射されることによって戻り光を生
じ、この戻り光が再度光学系22に入射し、ビームスプ
リッタ等で分離され受光部24にて信号検出される。こ
うして検出されたバーコードのパターンに合致したアナ
ログ信号AをAD変換器25によりデジタル信号Dに変
換し、図示しないがデコーダにて解読される。
光Lは、光学系22を経由して、スキャンニングミラー
23により反射され、バーコードB上を走査する。バー
コードBに照射された光は、それぞれ黒バーで吸収さ
れ、白スペースで反射されることによって戻り光を生
じ、この戻り光が再度光学系22に入射し、ビームスプ
リッタ等で分離され受光部24にて信号検出される。こ
うして検出されたバーコードのパターンに合致したアナ
ログ信号AをAD変換器25によりデジタル信号Dに変
換し、図示しないがデコーダにて解読される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このような光学装置に
おいては、光源として用いているHe−Neレーザが大
きいことから全体の光学装置を小型化することが困難
で、また電気から光へのエネルギー変換効率が低いもの
である。
おいては、光源として用いているHe−Neレーザが大
きいことから全体の光学装置を小型化することが困難
で、また電気から光へのエネルギー変換効率が低いもの
である。
【0006】これらの欠点に対処して、He−Neレー
ザの代わりに半導体レーザを光源として使用する構成の
光学装置が作られている。
ザの代わりに半導体レーザを光源として使用する構成の
光学装置が作られている。
【0007】しかしながら図5の光学装置において、半
導体レーザを光源としたときにも、光学系の部品点数が
多くなり、また各部品の配置設定には高い精度が要求さ
れるものである。
導体レーザを光源としたときにも、光学系の部品点数が
多くなり、また各部品の配置設定には高い精度が要求さ
れるものである。
【0008】この問題に対処して、本発明の出願人は先
に出願した特願平5−223859号出願「バーコード
リーダ用光学装置」において、図6に光学装置の構成図
を示すように、同一の半導体基板上に発光素子と受光素
子とをハイブリッドに固定したバーコードリーダ用光学
装置を提案した。
に出願した特願平5−223859号出願「バーコード
リーダ用光学装置」において、図6に光学装置の構成図
を示すように、同一の半導体基板上に発光素子と受光素
子とをハイブリッドに固定したバーコードリーダ用光学
装置を提案した。
【0009】図6に示す光学装置は、バーコードリーダ
用複合光学素子31と、集光用のレンズ32と、揺動可
能なミラー33とで構成されている。バーコードリーダ
用複合光学素子31は一つの面の一部にフォトダイオー
ドPDが形成された半導体チップ34を有しており、半
導体チップ34上のフォトダイオードPDの形成されて
いる領域外にサブマウント36が固定され、このサブマ
ウント36上にレーザ光Lを射出するレーザダイオード
LDが固定されてレーザダイオードLDの高さが調整さ
れている。
用複合光学素子31と、集光用のレンズ32と、揺動可
能なミラー33とで構成されている。バーコードリーダ
用複合光学素子31は一つの面の一部にフォトダイオー
ドPDが形成された半導体チップ34を有しており、半
導体チップ34上のフォトダイオードPDの形成されて
いる領域外にサブマウント36が固定され、このサブマ
ウント36上にレーザ光Lを射出するレーザダイオード
LDが固定されてレーザダイオードLDの高さが調整さ
れている。
【0010】フォトダイオードPD上には、断面が直角
三角形であるプリズム41がその斜面41aをレーザダ
イオードLDに向けた状態で固定され、斜面41aの一
部にはレーザ光Lに対してミラーまたはハーフミラーで
ある反射膜42が設けられており、斜面41aの反射膜
42以外の部分は入射したレーザ光Lの全部を透過させ
る。
三角形であるプリズム41がその斜面41aをレーザダ
イオードLDに向けた状態で固定され、斜面41aの一
部にはレーザ光Lに対してミラーまたはハーフミラーで
ある反射膜42が設けられており、斜面41aの反射膜
42以外の部分は入射したレーザ光Lの全部を透過させ
る。
【0011】この構成の光学装置において、レーザダイ
オードLDから射出されたレーザ光Lは、反射膜42で
上方に反射され、レンズ32で集光され、さらにミラー
33で反射されて、読みとるべきバーコードB上に収束
される。このとき、ミラー33が揺動されて、レーザ光
LはバーコードB上を走査する。バーコードBで反射さ
れたレーザ光Lは、ミラー33で反射され、レンズ32
で集光されて、斜面41aに入射する。斜面41aのう
ちで反射膜42以外の部分に入射したレーザ光Lは、こ
の斜面41aを透過して、フォトダイオードPDに入射
する。
オードLDから射出されたレーザ光Lは、反射膜42で
上方に反射され、レンズ32で集光され、さらにミラー
33で反射されて、読みとるべきバーコードB上に収束
される。このとき、ミラー33が揺動されて、レーザ光
LはバーコードB上を走査する。バーコードBで反射さ
れたレーザ光Lは、ミラー33で反射され、レンズ32
で集光されて、斜面41aに入射する。斜面41aのう
ちで反射膜42以外の部分に入射したレーザ光Lは、こ
の斜面41aを透過して、フォトダイオードPDに入射
する。
【0012】この光学装置は、サブマウント36上に固
定したレーザダイオードLDからなる発光素子と、フォ
トダイオードPDからなる受光素子とを、共に同一半導
体チップ34上に固定することにより、光学部品点数の
削減および光学部品のアライメントの簡素化をはかるも
のである。この図6の光学装置により光学系の部品点数
の低減やアライメントの簡素化がはかられるが、発光素
子やプリズムを半導体チップと別に形成して後に半導体
チップに取り付けるため、これらの配置についてのアラ
イメントを従来と同様に必要とするものである。
定したレーザダイオードLDからなる発光素子と、フォ
トダイオードPDからなる受光素子とを、共に同一半導
体チップ34上に固定することにより、光学部品点数の
削減および光学部品のアライメントの簡素化をはかるも
のである。この図6の光学装置により光学系の部品点数
の低減やアライメントの簡素化がはかられるが、発光素
子やプリズムを半導体チップと別に形成して後に半導体
チップに取り付けるため、これらの配置についてのアラ
イメントを従来と同様に必要とするものである。
【0013】本発明はこのような点を考慮してなされた
もので、バーコードリーダーなどの光学装置において、
その光学部品点数の削減及び光学的な配置設定に際して
のアライメントの簡単化を図り、装置全体の簡素化、小
型化を図り、また作製を容易にするとともに、さらにバ
ーコード等の所要の情報の記録がなされた光記録媒体か
らの読み出し情報を含む散乱光ないしは回折光を受光
し、情報信号の検出を行うようにするものである。
もので、バーコードリーダーなどの光学装置において、
その光学部品点数の削減及び光学的な配置設定に際して
のアライメントの簡単化を図り、装置全体の簡素化、小
型化を図り、また作製を容易にするとともに、さらにバ
ーコード等の所要の情報の記録がなされた光記録媒体か
らの読み出し情報を含む散乱光ないしは回折光を受光
し、情報信号の検出を行うようにするものである。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明による光学装置
は、面発光レーザと受光素子とを有する半導体基板と、
光学系とを有し、受光素子の配置位置を、光学系の共焦
点領域外で、被照射部に対する面発光レーザのレーザ光
照射による被照射部からの散乱光ないしは回折光が得ら
れる領域に選定した構成とする。
は、面発光レーザと受光素子とを有する半導体基板と、
光学系とを有し、受光素子の配置位置を、光学系の共焦
点領域外で、被照射部に対する面発光レーザのレーザ光
照射による被照射部からの散乱光ないしは回折光が得ら
れる領域に選定した構成とする。
【0015】上述の本発明の構成によれば、受光素子の
配置位置を、光学系の共焦点領域外で、被照射部に対す
る面発光レーザのレーザ光照射による被照射部からの散
乱光ないしは回折光が得られる領域にしたことにより、
散乱光ないしは回折光に含まれる被照射部からの情報信
号を検出することができる。
配置位置を、光学系の共焦点領域外で、被照射部に対す
る面発光レーザのレーザ光照射による被照射部からの散
乱光ないしは回折光が得られる領域にしたことにより、
散乱光ないしは回折光に含まれる被照射部からの情報信
号を検出することができる。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明においては、本発明の出願
人が先に出願した特願平5−210691号出願「光学
装置」において提案した共焦点光学系を有する光学装置
を構成するものである。この共焦点光学系は、発光素子
と受光素子とを同一半導体基板上にモノリシックに形成
し、光記録媒体と発光素子のレーザ光放射点とが集束レ
ンズに対してともに共焦点の位置にあるものである。
人が先に出願した特願平5−210691号出願「光学
装置」において提案した共焦点光学系を有する光学装置
を構成するものである。この共焦点光学系は、発光素子
と受光素子とを同一半導体基板上にモノリシックに形成
し、光記録媒体と発光素子のレーザ光放射点とが集束レ
ンズに対してともに共焦点の位置にあるものである。
【0017】以下に、本発明の光学装置の一例について
説明する。図1に本発明の光学装置の一例の概略図を示
すように、半導体基板1上に垂直共振器型の半導体レー
ザによる面発光レーザLDからなる発光素子2と、対物
レンズ3を配置し、面発光レーザLDと、被照射部すな
わち光記録媒体としてのバーコードBの面とが対物レン
ズ3による共焦点の位置にあるようにそれぞれの構成お
よび位置関係を設定する。さらに半導体基板1の共焦点
位置面S上の、後述する共焦点領域外にフォトダイオー
ド等よりなる受光素子4を配置形成する。すなわち面発
光レーザと受光素子とを、共通の半導体基板上に所定の
位置関係をもってモノリシックに形成する。
説明する。図1に本発明の光学装置の一例の概略図を示
すように、半導体基板1上に垂直共振器型の半導体レー
ザによる面発光レーザLDからなる発光素子2と、対物
レンズ3を配置し、面発光レーザLDと、被照射部すな
わち光記録媒体としてのバーコードBの面とが対物レン
ズ3による共焦点の位置にあるようにそれぞれの構成お
よび位置関係を設定する。さらに半導体基板1の共焦点
位置面S上の、後述する共焦点領域外にフォトダイオー
ド等よりなる受光素子4を配置形成する。すなわち面発
光レーザと受光素子とを、共通の半導体基板上に所定の
位置関係をもってモノリシックに形成する。
【0018】発光素子2からの放射レーザ光Lは、対物
レンズ3で収束されてバーコードB面に照射される。こ
のレーザ光照射によって、バーコードB面から、反射光
Lrと散乱光・回折光Lsが生じる。このうち反射光L
rは、そのまま往路の光路上を戻り、対物レンズ3によ
り、回折限界φr 内に収束される。対物レンズ3の開口
数をN.A.、レーザ光Lの波長をλとするとき、この
回折限界は光軸からの距離が1.22λ/N.A.の位
置にある。こうして反射光Lrは、共焦点位置面Sの発
光素子2を含む領域すなわち共焦点領域内に照射され
る。
レンズ3で収束されてバーコードB面に照射される。こ
のレーザ光照射によって、バーコードB面から、反射光
Lrと散乱光・回折光Lsが生じる。このうち反射光L
rは、そのまま往路の光路上を戻り、対物レンズ3によ
り、回折限界φr 内に収束される。対物レンズ3の開口
数をN.A.、レーザ光Lの波長をλとするとき、この
回折限界は光軸からの距離が1.22λ/N.A.の位
置にある。こうして反射光Lrは、共焦点位置面Sの発
光素子2を含む領域すなわち共焦点領域内に照射され
る。
【0019】一方、散乱光ないしは回折光Lsは、反射
光Lrが通る光路外を通って対物レンズ3に入射し、共
焦点位置面Sにおいて上述の回折限界外すなわち共焦点
領域外に照射される。従って、この共焦点領域外に受光
素子4を配置することにより散乱光・回折光Lsを受光
検出することができる。
光Lrが通る光路外を通って対物レンズ3に入射し、共
焦点位置面Sにおいて上述の回折限界外すなわち共焦点
領域外に照射される。従って、この共焦点領域外に受光
素子4を配置することにより散乱光・回折光Lsを受光
検出することができる。
【0020】バーコードBの形成される面は、その表面
の凹凸がレーザ波長と比較して大きいため、バーコード
Bのパターン信号すなわち情報信号は主として上述の散
乱光・回折光Lsに含まれる。従って、上述のように受
光素子4を配置し、散乱光・回折光Lsを受光検出する
ことにより、バーコードBのパターン信号を検出するこ
とができる。検出したパターン信号は前述の従来の例と
同様に、アナログ/デジタル変換され読みとりがなされ
る。
の凹凸がレーザ波長と比較して大きいため、バーコード
Bのパターン信号すなわち情報信号は主として上述の散
乱光・回折光Lsに含まれる。従って、上述のように受
光素子4を配置し、散乱光・回折光Lsを受光検出する
ことにより、バーコードBのパターン信号を検出するこ
とができる。検出したパターン信号は前述の従来の例と
同様に、アナログ/デジタル変換され読みとりがなされ
る。
【0021】上述の例では、発光素子2を垂直共振器型
の半導体レーザLDで構成したが、図2Aに本発明の光
学装置の他の例の概略構成図を示すように、発光素子2
を、水平共振器型の半導体レーザLDと、出射光を水平
方向から鉛直方向へ反射させる反射鏡5とによって構成
してもよい。このとき各素子の平面配置は、例えば図2
Bに図2Aの光学装置の平面図を示すように、反射鏡5
の周囲をフォトダイオード等による受光素子4で取り囲
むような構成とする。
の半導体レーザLDで構成したが、図2Aに本発明の光
学装置の他の例の概略構成図を示すように、発光素子2
を、水平共振器型の半導体レーザLDと、出射光を水平
方向から鉛直方向へ反射させる反射鏡5とによって構成
してもよい。このとき各素子の平面配置は、例えば図2
Bに図2Aの光学装置の平面図を示すように、反射鏡5
の周囲をフォトダイオード等による受光素子4で取り囲
むような構成とする。
【0022】また本発明の光学装置においては、発光素
子2および受光素子4と、これらを含む回路構成部を集
積化することができる。図3Aはそのブロック図で、こ
の場合、発光素子2すなわち半導体レーザLDと、第1
の回路部11と、第2の回路部12とよりなる。
子2および受光素子4と、これらを含む回路構成部を集
積化することができる。図3Aはそのブロック図で、こ
の場合、発光素子2すなわち半導体レーザLDと、第1
の回路部11と、第2の回路部12とよりなる。
【0023】第1の回路部11は、上述した受光素子4
と、これに係わる回路例えば受光素子4からの検出信号
の増幅を行う増幅回路、検出信号の信号処理回路等を有
してなる。また、第2の回路部12は、例えば発光素子
2を構成する半導体レーザLDの、被照射部へのレーザ
光Lの出射端とは反対側から出射されるレーザ光を受光
するモニタ用受光素子例えばモニタ用フォトダイオード
と、これに係わる回路たとえばこのモニタ用フォトダイ
オードによる検出信号の増幅を行う増幅回路等を有し、
これにより半導体レーザの出力制御を行う。
と、これに係わる回路例えば受光素子4からの検出信号
の増幅を行う増幅回路、検出信号の信号処理回路等を有
してなる。また、第2の回路部12は、例えば発光素子
2を構成する半導体レーザLDの、被照射部へのレーザ
光Lの出射端とは反対側から出射されるレーザ光を受光
するモニタ用受光素子例えばモニタ用フォトダイオード
と、これに係わる回路たとえばこのモニタ用フォトダイ
オードによる検出信号の増幅を行う増幅回路等を有し、
これにより半導体レーザの出力制御を行う。
【0024】図3Bは、このような回路部を集積化した
光学装置の一例の概略断面図で、この場合、半導体基板
1に発光素子2を構成する面発光レーザLDが、半導体
基板1の一主面側から上述のレーザ光を導出するように
配置され、この主面側に上述の第1の回路部11が形成
される。すなわち、受光素子4すなわちフォトダイオー
ドPDが形成されるとともにこれに係わる上述の増幅回
路、信号処理回路等のIC(集積)回路C1 が形成され
る。また、基板1の他方の主面側に、レーザLDの背部
からの出射光を受光するモニタ用受光素子4mとこれに
係わる上述の増幅回路等のIC回路C2 が形成される。
光学装置の一例の概略断面図で、この場合、半導体基板
1に発光素子2を構成する面発光レーザLDが、半導体
基板1の一主面側から上述のレーザ光を導出するように
配置され、この主面側に上述の第1の回路部11が形成
される。すなわち、受光素子4すなわちフォトダイオー
ドPDが形成されるとともにこれに係わる上述の増幅回
路、信号処理回路等のIC(集積)回路C1 が形成され
る。また、基板1の他方の主面側に、レーザLDの背部
からの出射光を受光するモニタ用受光素子4mとこれに
係わる上述の増幅回路等のIC回路C2 が形成される。
【0025】上述した例では、バーコードリーダーに用
いる光学装置について説明したが、被照射部となる光記
録媒体がバーコードである場合に限らず、本発明は、光
記録媒体が例えば凹凸情報ピットが形成された光ディス
クや、光磁気効果によって情報の読み出しがなされる光
磁気ディスクに対する光学ピックアップ等の光学装置に
適用することができる。
いる光学装置について説明したが、被照射部となる光記
録媒体がバーコードである場合に限らず、本発明は、光
記録媒体が例えば凹凸情報ピットが形成された光ディス
クや、光磁気効果によって情報の読み出しがなされる光
磁気ディスクに対する光学ピックアップ等の光学装置に
適用することができる。
【0026】例えばピット検出の場合には、ピットの段
差により生じる回折光を受光素子4で受光することによ
り、信号の検出を行うことができる。光磁気効果による
検出すなわちカー効果による偏光角の回転の検出は、図
4に本発明の光学装置のさらに他の例の要部の概略部を
示すように、受光素子4の上に偏光検出手段として例え
ばワイヤグリッド等からなる偏光分離可能な検光子15
を配置し、この検光子15により受光する光(散乱光・
回折光)を偏光分離することにより行う。このようにし
て、光磁気信号の検出すなわち記録情報の読み出しを行
うことができる。
差により生じる回折光を受光素子4で受光することによ
り、信号の検出を行うことができる。光磁気効果による
検出すなわちカー効果による偏光角の回転の検出は、図
4に本発明の光学装置のさらに他の例の要部の概略部を
示すように、受光素子4の上に偏光検出手段として例え
ばワイヤグリッド等からなる偏光分離可能な検光子15
を配置し、この検光子15により受光する光(散乱光・
回折光)を偏光分離することにより行う。このようにし
て、光磁気信号の検出すなわち記録情報の読み出しを行
うことができる。
【0027】尚、上述の実施例は本発明の一部の例であ
り、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成
が取り得る。
り、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成
が取り得る。
【0028】
【発明の効果】上述の本発明によれば、面発光レーザと
受光素子とを同一半導体基板上にモノリシックに配置
し、これと光学系を有する構成の光学装置において、光
学系の共焦点領域外で、被照射部からの散乱光ないしは
回折光が得られる領域に受光素子を配置したことによ
り、この散乱光ないしは回折光を受光検出する光学装置
を、部品点数を少なく位置調整が容易なものとして形成
することができる。これにより光学装置の小型化や、集
積化を図ることができ、また製造コストを低減すること
ができる。
受光素子とを同一半導体基板上にモノリシックに配置
し、これと光学系を有する構成の光学装置において、光
学系の共焦点領域外で、被照射部からの散乱光ないしは
回折光が得られる領域に受光素子を配置したことによ
り、この散乱光ないしは回折光を受光検出する光学装置
を、部品点数を少なく位置調整が容易なものとして形成
することができる。これにより光学装置の小型化や、集
積化を図ることができ、また製造コストを低減すること
ができる。
【図1】本発明による光学装置の一例を示す構成図であ
る。
る。
【図2】A 本発明の光学装置の他の例の概略構成図で
ある。 B 図2Aの光学装置の平面図である。
ある。 B 図2Aの光学装置の平面図である。
【図3】A 周辺回路のブロック図である。 B 周辺回路の回路素子の配置を示す構成図である。
【図4】本発明の光学装置のさらに他の例の要部の構成
図である。
図である。
【図5】従来のバーコードリーダを構成する光学装置の
例である。
例である。
【図6】光学装置の概略図である。
1 半導体基板 2 発光素子 3 対物レンズ 4 受光素子 4m モニタ用受光素子 5 反射鏡 11 第1の回路部 12 第2の回路部 13 配線 15 検光子 LD 半導体レーザ L レーザ光 Lr 反射光 Ls 散乱・回折光 S 共焦点位置面 B バーコード
Claims (4)
- 【請求項1】 面発光レーザと受光素子とを有する半導
体基板と、光学系とを有し、 上記受光素子の配置位置を、 上記光学系の共焦点領域外で、被照射部に対する上記面
発光レーザのレーザ光照射による前記被照射部からの散
乱光ないしは回折光が得られる領域に選定したことを特
徴とする光学装置。 - 【請求項2】 上記半導体基板に、上記面発光レーザの
制御回路を集積化したことを特徴とする請求項1に記載
の光学装置。 - 【請求項3】 上記半導体基板に、上記受光素子よりの
検出信号の信号処理回路を集積化したことを特徴とする
請求項1に記載の光学装置。 - 【請求項4】 上記受光素子に偏光検出手段を具備した
ことを特徴とする請求項1に記載の光学装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7190722A JPH0945995A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 光学装置 |
US08/681,480 US5900619A (en) | 1995-07-26 | 1996-07-23 | Optical device comprising a photodetector for detecting light scattered outside a diffraction limit of an objective lens |
KR1019960030039A KR970007890A (ko) | 1995-07-26 | 1996-07-24 | 광학장치 |
CN96112236A CN1110000C (zh) | 1995-07-26 | 1996-07-26 | 光学装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7190722A JPH0945995A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 光学装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0945995A true JPH0945995A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16262732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7190722A Pending JPH0945995A (ja) | 1995-07-26 | 1995-07-26 | 光学装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5900619A (ja) |
JP (1) | JPH0945995A (ja) |
KR (1) | KR970007890A (ja) |
CN (1) | CN1110000C (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001256665A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-09-21 | Rohm Co Ltd | 受発光複合素子およびそれを用いた光ピックアップ装置 |
JP2005038586A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-02-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光ピックアップ装置 |
JP2009283941A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Gwangju Inst Of Science & Technology | 反射型光学センサ装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6310689B1 (en) * | 1996-08-23 | 2001-10-30 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Pattern reading apparatus |
US6668000B2 (en) * | 1999-07-15 | 2003-12-23 | University Of Maryland, Baltimore County | System and method of optically testing multiple edge-emitting semiconductor lasers residing on a common wafer |
US6912076B2 (en) | 2000-03-17 | 2005-06-28 | Accu-Sort Systems, Inc. | Coplanar camera scanning system |
KR100875137B1 (ko) * | 2002-02-23 | 2008-12-22 | 주식회사 엘지이아이 | 자동 케이블 티브이 밴드 탐색 방법 |
GB0210411D0 (en) * | 2002-05-08 | 2002-06-12 | Zarlink Semiconductor Ab | Photonic device with monitor |
US7274882B2 (en) * | 2002-10-30 | 2007-09-25 | Finisar Corporation | Method and apparatus for monitoring the power level of two or more optical transmitters |
JP2004235190A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Sony Corp | 光半導体装置 |
JP5029079B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2012-09-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体素子および光学装置 |
CN104463069B (zh) * | 2014-12-10 | 2017-09-12 | 福建新大陆电脑股份有限公司 | 带双重激光扫描设备的便携式终端 |
CN111490447A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-08-04 | 江苏艾立特半导体科技有限公司 | 一种发射和光敏接收一体封装的激光器 |
CN114624004A (zh) * | 2020-12-11 | 2022-06-14 | 深圳中科飞测科技股份有限公司 | 检测系统、检测方法及检测设备 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5180909A (en) * | 1990-04-27 | 1993-01-19 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Optical pickup using diffracted light |
US5233595A (en) * | 1990-10-24 | 1993-08-03 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical pickup including waveguide light intensity detection means for controlling a position/intensity of a semiconductor laser |
JPH04348084A (ja) * | 1991-02-13 | 1992-12-03 | Ricoh Co Ltd | 光機能素子 |
JP2705326B2 (ja) * | 1991-02-19 | 1998-01-28 | 日本電気株式会社 | 光磁気ヘッド装置 |
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US5298735A (en) * | 1992-10-07 | 1994-03-29 | Eastman Kodak Company | Laser diode and photodetector circuit assembly |
JP2932868B2 (ja) * | 1992-11-13 | 1999-08-09 | 日本電気株式会社 | 半導体光集積素子 |
US5349210A (en) * | 1993-02-02 | 1994-09-20 | Motorola, Inc. | Optical reading head with angled array |
JP3603308B2 (ja) * | 1993-08-17 | 2004-12-22 | ソニー株式会社 | コードリーダ用光学装置 |
JPH07234382A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 超解像走査光学装置 |
US5606572A (en) * | 1994-03-24 | 1997-02-25 | Vixel Corporation | Integration of laser with photodiode for feedback control |
JPH07296441A (ja) * | 1994-04-28 | 1995-11-10 | Sony Corp | 光学装置 |
-
1995
- 1995-07-26 JP JP7190722A patent/JPH0945995A/ja active Pending
-
1996
- 1996-07-23 US US08/681,480 patent/US5900619A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-24 KR KR1019960030039A patent/KR970007890A/ko active IP Right Grant
- 1996-07-26 CN CN96112236A patent/CN1110000C/zh not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1110000C (zh) | 2003-05-28 |
KR970007890A (ko) | 1997-02-21 |
US5900619A (en) | 1999-05-04 |
CN1142105A (zh) | 1997-02-05 |
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