JP2009283941A - 反射型光学センサ装置 - Google Patents
反射型光学センサ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009283941A JP2009283941A JP2009122952A JP2009122952A JP2009283941A JP 2009283941 A JP2009283941 A JP 2009283941A JP 2009122952 A JP2009122952 A JP 2009122952A JP 2009122952 A JP2009122952 A JP 2009122952A JP 2009283941 A JP2009283941 A JP 2009283941A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light source
- substrate
- optical sensor
- semiconductor light
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 InP series compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/16—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources
- H01L31/167—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers
- H01L31/173—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto the semiconductor device sensitive to radiation being controlled by the light source or sources the light sources and the devices sensitive to radiation all being semiconductor devices characterised by potential barriers formed in, or on, a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【課題】発光領域が備えられた半導体光源および受光領域が備えられた光検出素子が単一チップ上に集積された反射型光学センサ装置を提供する。
【解決手段】基板上の一定領域に発光領域を備えて形成された半導体光源；および前記半導体光源が形成された基板と同一の基板上に集積されて前記半導体光源の外周面を囲む構造で形成され、受光領域を備える光検出素子；を含み、前記半導体光源から発光された光が外部のオブジェクトによって反射して戻ってくれば、前記光検出素子は、前記反射した光を検出して前記オブジェクトを感知する反射型光学センサ装置を含むことによって費用の節減および小型化が可能であり、光検出素子が半導体光源の外周面を囲むように構成されているため、より正確に光検出を行うことができる効果がある。
【選択図】図２ａ
【解決手段】基板上の一定領域に発光領域を備えて形成された半導体光源；および前記半導体光源が形成された基板と同一の基板上に集積されて前記半導体光源の外周面を囲む構造で形成され、受光領域を備える光検出素子；を含み、前記半導体光源から発光された光が外部のオブジェクトによって反射して戻ってくれば、前記光検出素子は、前記反射した光を検出して前記オブジェクトを感知する反射型光学センサ装置を含むことによって費用の節減および小型化が可能であり、光検出素子が半導体光源の外周面を囲むように構成されているため、より正確に光検出を行うことができる効果がある。
【選択図】図２ａ
Description
本発明は、反射型光学センサ装置に関し、より詳しくは、反射型光学センサ装置に用いられる半導体光源および光検出素子が単一チップ上に集積され、より正確に光検出を行うことができる反射型光学センサ装置に関する。
一般的に、反射型光学センサは、感知するためのオブジェクトの同一側面上に光放出器および光受信器があり、オブジェクトの存在は、光放出器から放出された光がオブジェクトの表面から反射して光受信器によって受信されるときに感知される。
従来の反射型光学センサは、空洞（Ｃａｖｉｔｙ）内に搭載された発光ダイオードおよび光受信器を含む。しかしながら、発光ダイオードの光は、低い強度および過剰な交差通信によって不正確な検出を招来する。
したがって、最近では、発光ダイオードの代わりに垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を用いた反射型光学センサが提供されている。
したがって、最近では、発光ダイオードの代わりに垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）を用いた反射型光学センサが提供されている。
図１は、従来技術に係る反射型光学センサ装置を示す概念図である。図１に示したような反射型光学センサ装置を適用した従来の特許としては、韓国公開特許第２００７−８８５７３号（発明の名称：組み合わされたレーザ送信器および光検出器受信器パッケージ）がある。
図１を参照すれば、従来の反射型光学センサ装置１００は、オブジェクト１１０の存在有無を感知するために第１空洞（Ｃａｖｉｔｙ）１２０および第２空洞（Ｃａｖｉｔｙ）１３０を有する反射型センサパッケージを含み、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）１４０が光放出を生成するために第１空洞（Ｃａｖｉｔｙ）１２０内に位置し、光受信器１５０が第２空洞（Ｃａｖｉｔｙ）１３０内に位置する。
このとき、光受信器１５０は、垂直共振器面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）１４０から放出されてオブジェクト１１０から反射した光の少なくとも一部を受信するように構成され、前記反射した光が臨界強度を越えるときにオブジェクト１１０が存在するものとして決定する。
しかしながら、オブジェクトから反射した光は一方向に偏らないため、光受信器が一方向にのみ存在する従来の方式の場合には、不正確な検出を招来することがある。
また、光放出器と光受信器がそれぞれ付着している従来の方式では、反射型光学センサ装置が携帯電話などの超小型機器に搭載される場合に、体積が大きいために適用が不可能であるという短所がある。
本発明は、上述した問題点を解決するために案出されたものであって、発光領域が備えられた半導体光源および受光領域が備えられた光検出素子が単一チップ上に集積された反射型光学センサ装置を提供することを目的とする。
上述した目的を達成するために、本発明は、基板上の一定領域に発光領域を備えて形成された半導体光源；および前記半導体光源が形成された基板と同一の基板上に集積されて前記半導体光源の外周面を囲む構造で形成され、受光領域を備える光検出素子；を含み、前記半導体光源から発光された光が外部のオブジェクトによって反射して戻ってくれば、前記光検出素子は前記反射した光を検出して前記オブジェクトを感知する反射型光学センサ装置を提供することを特徴とする。
ここで、前記半導体光源の外周面および前記光検出素子の間の一定領域にブロッキング層（Ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）がさらに形成されることが好ましい。
好ましくは、前記半導体光源は、トップエミッション方式で前記基板の上部に発光することができる。
好ましくは、前記半導体光源は、前記基板側に背面発光することができる。
好ましくは、前記半導体光源の発光経路上にはマイクロレンズがさらに追加され、前記マイクロレンズは前記半導体光源の上面に集積されることができる。
好ましくは、前記半導体光源は、前記基板側に背面発光することができる。
好ましくは、前記半導体光源の発光経路上にはマイクロレンズがさらに追加され、前記マイクロレンズは前記半導体光源の上面に集積されることができる。
好ましくは、前記半導体光源の発光経路上にはマイクロレンズがさらに追加され、前記マイクロレンズは前記半導体光源が形成された領域の基板下部に集積されることができる。
好ましくは、前記半導体光源は、前記基板から第１分散ブラッグ反射器、発光領域、および第２分散ブラッグ反射器を備え、前記光検出素子は、前記基板から第１分散ブラッグ反射器、受光領域、および第２分散ブラッグ反射器を備えることができる。
以上で説明したような本発明の反射型光学センサ装置によれば、発光領域が備えられた半導体光源および受光領域が備えられた光検出素子が単一チップ上に位置するようにして、反射型光学センサ装置の体積を最小化することができるという利点がある。
また、本発明によれば、光検出素子が半導体光源の外周面を囲むように形成され、より正確な光検出が可能であるという利点がある。
また、本発明によれば、光検出素子が半導体光源の外周面を囲むように形成され、より正確な光検出が可能であるという利点がある。
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。しかしながら、次に例示する本発明の実施形態は多様な形態に変形することができ、本発明の範囲が後述する実施形態に限定されることはない。本発明の実施形態は、当業界において通常の知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
図２ａは、本発明の一実施形態に係る反射型光学センサ装置を説明するための平面図である。図２ｂは、図２ａのＩ−Ｉ’を切断した断面図である。
図２ａを参照すれば、本発明の一実施形態に係る反射型光学センサ装置は、大きく、半導体光源２１０および光検出素子２２０を含む。
図２ａを参照すれば、本発明の一実施形態に係る反射型光学センサ装置は、大きく、半導体光源２１０および光検出素子２２０を含む。
ここで、半導体光源２１０および光検出素子２２０は同一の基板上に形成され、光検出素子２２０が半導体光源２１０の外周面を囲む構造を有する。
このとき、半導体光源２１０の外周面および光検出素子２２０の間の一定空間には、半導体光源２１０からの自発放出する光を遮断するためのブロッキング層（Ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）Ｂがさらに形成されることが好ましい。
すなわち、半導体光源２１０から放出される光は、自発放出する光（Ｓｐｏｎｔａｎｅｏｕｓ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）と誘導放出する光（Ｓｔｉｍｕｌａｔｅｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）とがあり、半導体光源２１０としては、例えば半導体レーザなどが用いられる場合、大部分の光は誘導放出する光であるため垂直方向に進むが、自発放出する光もある程度存在するようになる。
このとき、自発光する光が光検出素子２２０の一定部分に入る場合、ノイズが発生するようになる。したがって、自発放出する光が光検出素子２２０に入らないようにする必要があるが、そうするためにブロッキング層（Ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）Ｂを形成するようになる。
ここで、ブロッキング層（Ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）Ｂは、例えば光を吸収することができる金属または透過性が極めて弱いポリマ（Ｐｏｌｙｍｅｒ）などが用いられる。
一方、図２ｂを参照すれば、本発明の一実施形態に係る反射型光学センサ装置は、例えば基板２３０と、第１分散ブラッグ反射器（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ Ｂｒａｇｇ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ；ＤＢＲ）２４０と、ｎ型オーミック接触層２５０、２５０’と、活性層（すなわち、発光領域および受光領域）２６０、２６０’と、ｐ型オーミック接触層２７０、２７０’と、第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２８０、２８０’とを含んでなされる。
また、発光の開口部および受光の開口部を露出させて前記形成された反射型光学センサ装置の全体構造を覆う形式として、例えば前記反射型光学センサ装置の全体構造にポリイミドなどの樹脂を塗布することによって形成されたポリマ層Ｐを含む。
ここで、基板２３０は半導体基板であり、ｎ型半導体基板を用いることができるが、好ましくは、例えばＧａＡｓまたはＩｎＰ系列の化合物半導体が用いられる。
あれば、基板２３０の種類は特に限定せずに用いることができ、必要によっては、例えばガラス基板またはサファイア基板などの利用も可能である。
第1分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０, 第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２８０および２８０’は、互いに異なる屈折率を有する少なくとも２つの物質層、例えば高い屈折率を有する物質層と低い屈折率を有する物質層とがそれぞれ所定の厚さを有し、互いに順番に積層された構造を有するように形成されることができる。
このような第１および第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０、２８０、２８０’は、例えば反射特性を調節することにより、発光領域２６０で反射した光が第１および第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０、２８０、２８０’の上部ｄまたは下部に進むようにすることができる。
また、例えば、積層された層数を加減して反射率を調節することにより、前記上部または下部方向に放出される光の量を調節することもできる。
また、例えば、積層された層数を加減して反射率を調節することにより、前記上部または下部方向に放出される光の量を調節することもできる。
発光領域２６０は、陰極および陽極から供給されたそれぞれの電子と正孔の再結合がなされることによって発光が行われる領域であり、このような発光領域２６０は、例えばバルク型、半導体量子井戸、または量子ドットなどが可能である。
最後に、ポリマ層Ｐの一定領域には、選択的エッチング工程の後に金属蒸着およびパターニング工程などを介して形成されたｎ型電極２９５、２９５’と、ｐ型電極２９６、２９６’と、ブロッキング層Ｂとがそれぞれ形成される。
一方、本発明の一実施形態に係る反射型光学センサ装置を製造するための方法の一例について、図２ｂを参照しながら詳細に説明する。
図２ｂを参照すれば、まず、第１分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０、ｎ型オーミック接触層２５０、２５０’、活性層（すなわち、発光領域および受光領域）２６０、２６０’、ｐ型オーミック接触層２７０、２７０’、および第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２８０、２８０’を順に積層して形成された基板２３０、例えばｎ型半導体基板を準備する。
図２ｂを参照すれば、まず、第１分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０、ｎ型オーミック接触層２５０、２５０’、活性層（すなわち、発光領域および受光領域）２６０、２６０’、ｐ型オーミック接触層２７０、２７０’、および第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２８０、２８０’を順に積層して形成された基板２３０、例えばｎ型半導体基板を準備する。
この後、第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２８０、２８０’を上部から選択的にエッチングし、ｐ型オーミック接触層２７０、２７０’および活性層２６０、２６０’を選択的にエッチングした後、ｎ型オーミック接触層２５０、２５０’および第１分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０を選択的にエッチングする。
この後、上述のように製作された全体構造で発光の開口部および受光の開口部をそれぞれ露出させ、前記反射型光学センサ装置の全体構造を覆う方式、例えば前記反射型光学センサ装置の全体構造にポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などの樹脂を塗布することでポリマ層（Ｐｏｌｙｍｅｒ ｌａｙｅｒ）Ｐを形成する。
この後、ポリマ層Ｐの一定領域を選択的にエッチングした後、金属蒸着およびパターニング工程によってｎ型電極２９５、２９５’、ｐ型電極２９６、２９６’、およびブロッキング層Ｂをそれぞれ形成するようになれば、本発明の一実施形態に係る反射型光学センサ装置を完成することができる。
このような本発明の一実施形態に係る反射型光学センサ装置は、半導体光源２１０および光検出素子２２０が単一チップで集積されており、従来技術（図１参照）とは違って半導体光源２１０および光検出素子２２０の間の空洞が存在しない。
また、光検出素子２２０が半導体光源２１０の外周面を囲んでいるため、オブジェクトによって反射した光をより効率的に検出することができる。
また、光検出素子２２０が半導体光源２１０の外周面を囲んでいるため、オブジェクトによって反射した光をより効率的に検出することができる。
このとき、半導体光源２１０は、トップエミッション（Ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式、すなわち基板２３０の上部を発光する方式で実現することもでき、基板２３０の下部で発光する方式で実現することもできる。
図３ａは、本発明の他の実施形態に係る反射型光学センサ装置を説明するための平面図である。図３ｂは、図３ａのＩＩ−ＩＩ’を切断した断面図である。
図３ａおよび図３ｂを参照すれば、本発明の他の実施形態に係る反射型光学センサ装置は、基板２３０、例えばｎ型半導体基板上に第１分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０と、ｎ型オーミック接触層２５０、２５０’と、活性層（すなわち、発光領域および受光領域）２６０、２６０’と、ｐ型オーミック接触層２７０、２７０’と、第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２８０、２８０’と、ｎ型電極２９５、２９５’と、ｐ型電極２９６、２９６’と、ブロッキング層Ｂとを含んでなされる。
また、発光の開口部および受光の開口部を露出させて反射型光学センサ装置の全体構造を覆う形式、例えば前記反射型光学センサ装置の全体構造にポリイミドなどの樹脂を塗布することによって形成されたポリマ層Ｐを含む。
このような本発明の他の実施形態に係る反射型光学センサ装置は、上述した図２ａおよび２ｂの反射型光学センサ装置との差異点を中心として説明すれば、図３ａおよび図３ｂに示すように、半導体光源２１０の上部にマイクロレンズＬが共に集積されている構造を有する。
このとき、マイクロレンズＬは、半導体光源２１０の上部に選別的に集積されることが可能であり、これは反射型光学センサの製作段階において容易になすことができる。さらに、その製作方法は特に限定されず、多様な方式での製作が可能である。
例えば、本発明の同発明者によって出願された韓国公開特許第２００６−４３９１２号（発明の名称：マイクロレンズが集積された光電素子の製造方法）または第２００７−５５７６４号（発明の名称：化合物半導体の選択的エッチングを用いたマイクロレンズおよびマイクロレンズが集積された光電素子の製造方法）に開示された方式などを用いた製作が可能である。
一方、マイクロレンズＬを製作する方法の一例として、上述した韓国公開特許第２００６−４３９１２号（発明の名称：マイクロレンズが集積された光電素子の製造方法）に開示された方式を参照しながら説明すれば、図３ｂのように、基板２３０、例えばｎ型半導体基板上に第１分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０、ｎ型オーミック接触層２５０、２５０’、活性層（すなわち、発光領域および受光領域）２６０、２６０’、ｐ型オーミック接触層２７０、２７０’、および第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２８０、２８０’を順に積層する。
この後、マイクロレンズＬを製造するために、例えばアルミニウムの比率を徐々に増加させながら化合物半導体酸化可能層３１０を形成する。
この後、マイクロレンズＬを製造するために、例えばアルミニウムの比率を徐々に増加させながら化合物半導体酸化可能層３１０を形成する。
この後、高温で酸化をさせれば、アルミニウム比率が高い部分３２０は酸化物となって屈折率が低くなり、アルミニウム比率が低い部分３３０は本来の化合物半導体状態として残るようになって、高い屈折率を有するようになることで、レンズの役割をするようになり、マイクロレンズＬを形成できるようになる。
このとき、マイクロレンズＬの焦点距離は、例えば酸化時間、温度、および酸化可能層の成長条件などを調節して変化させることができる。
このとき、マイクロレンズＬの焦点距離は、例えば酸化時間、温度、および酸化可能層の成長条件などを調節して変化させることができる。
図４ａは、本発明のさらに他の実施形態に係る反射型光学センサ装置を説明するための平面図である。図４ｂは、図４ａのＩＩＩ−ＩＩＩ’を切断した断面図である。
図４ａおよび図４ｂを参照すれば、本発明のさらに他の実施形態に係る反射型光学センサ装置は、基板２３０、例えばｎ型半導体基板上に第１分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０と、ｎ型オーミック接触層２５０、２５０’と、活性層（すなわち、発光領域および受光領域）２６０、２６０’と、ｐ型オーミック接触層２７０、２７０’と、第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２８０、２８０’と、ｎ型電極２９５、２９５’と、ｐ型電極２９６、２９６’と、ブロッキング層Ｂとを含んでなされる。
また、発光の開口部および受光の開口部を露出しながら反射型光学センサ装置の全体構造を覆う形式として、例えばポリイミドなどの樹脂を塗布することによって形成されたポリマ層Ｐを含む。
このような本発明のさらに他の実施形態に係る反射型光学センサ装置は、図２ａおよび２ｂの反射型光学センサ装置との差異点を中心として説明すれば、図４ａおよび図４ｂに示すように、基板２３０の下部にマイクロレンズＬが共に集積されている構造を有する。
また、このような構造は、上述した図３ａおよび図３ｂの反射型光学センサ装置と比較したときにも互いに異なる構造を有する。
すなわち、図３ａおよび図３ｂでは半導体光源２１０の上部にマイクロレンズＬが形成される反面、図４ａおよび図４ｂでは基板２３０の下部、すなわち半導体光源２１０が形成された領域の基板２３０下部にマイクロレンズＬが形成される構造を有する。
すなわち、図３ａおよび図３ｂでは半導体光源２１０の上部にマイクロレンズＬが形成される反面、図４ａおよび図４ｂでは基板２３０の下部、すなわち半導体光源２１０が形成された領域の基板２３０下部にマイクロレンズＬが形成される構造を有する。
また、上述した図２ａ〜図３ｂは、半導体光源２１０から放出された光が基板２３０の上部に発光する場合を示しており、図４ａおよび図４ｂは、半導体光源２１０から放出された光が基板２３０を貫通してその下面に発光する場合を示している。
したがって、図４ａおよび図４ｂでは半導体光源２１０が基板２３０の下面に発光するので、図２ａ〜図３ｂとは異なる構造上の差異点を有するようになる。
例えば、第１分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０および第２分散ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２８０、２８０’の機能が発光領域２６０で発光された光を基板２３０の下部に進めることができるように各反射特性が調節される。
一方、基板２３０の下部にマイクロレンズＬを形成する方法としては、例えばリフロー（Ｒｅｆｌｏｗ）方法などを用いることができる。
このようなリフロー（Ｒｅｆｌｏｗ）方法によって基板２３０の下部にマイクロレンズＬを形成するためには、まず、基板２３０の下部に、例えばフォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）方法などを用いて所望する大きさのフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）円筒形パターンを形成する。
このようなリフロー（Ｒｅｆｌｏｗ）方法によって基板２３０の下部にマイクロレンズＬを形成するためには、まず、基板２３０の下部に、例えばフォトリソグラフィ（Ｐｈｏｔｏ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）方法などを用いて所望する大きさのフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）円筒形パターンを形成する。
この後、これを加熱してリフロー（Ｒｅｆｌｏｗ）させれば、表面張力によって円筒形のフォトレジストが中心軸からエッジ領域に次第に薄くなるようにすることにより、ふくらんだ形態の曲率半径を有するレンズ形態に変わるようになる。
この後、このようなレンズ形態のフォトレジストをマスクで用いて、例えば乾式エッチングなどの方法によってエッチングするようになれば、基板２３０の下部の一定領域、すなわち半導体光源２１０が形成された領域の基板２３０の下部にマイクロレンズＬが形成されるようになる。
このように形成されたマイクロレンズＬは、半導体光源２１０の発光領域２６０で発光された光が開口部を介して放出されるときにマイクロレンズＬを通過して進むようにすることにより、ビーム広がり（Ｂｅａｍ ｄｉｖｅｒｇｅｎｃｅ）が減少するようにする。
上述した本発明に係る反射型光学センサ装置の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、特許請求の範囲と発明の詳細な説明、および添付の図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これもまた本発明に属する。
Claims (7)
- 基板上の一定領域に発光領域を備えて形成された半導体光源と、
前記半導体光源が形成された基板と同一の基板上に集積されて前記半導体光源の外周面を囲む構造で形成され、受光領域を有する光検出素子とを備え、
前記半導体光源から発光された光が外部の対象によって反射して戻ってくれば、前記光検出素子は、前記反射した光を検出して前記対象を感知することを特徴とする反射型光学センサ装置。 - 前記半導体光源の外周面および前記光検出素子の間の一定領域にブロッキング層がさらに形成されることを特徴とする、請求項１に記載の反射型光学センサ装置。
- 前記半導体光源は、トップエミッション方式で前記基板の上部に発光することを特徴とする、請求項１に記載の反射型光学センサ装置。
- 前記半導体光源は、前記基板側に背面発光することを特徴とする、請求項１に記載の反射型光学センサ装置。
- 前記半導体光源の発光経路上にはマイクロレンズがさらに追加され、前記マイクロレンズは、前記半導体光源の上部に集積されることを特徴とする、請求項１に記載の反射型光学センサ装置。
- 前記半導体光源の発光経路上にはマイクロレンズがさらに追加され、前記マイクロレンズは、前記半導体光源が形成された領域の基板下部に集積されることを特徴とする、請求項１に記載の反射型光学センサ装置。
- 前記半導体光源は、前記基板から第１分散ブラッグ反射器、発光領域、および第２分散ブラッグ反射器を含み、前記光検出素子は、前記基板から第１分散ブラッグ反射器、受光領域、および第２分散ブラッグ反射器を含むことを特徴とする、請求項１に記載の反射型光学センサ装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080047166A KR101360294B1 (ko) | 2008-05-21 | 2008-05-21 | 반사형 광학 센서장치 |
| KR10-2008-0047166 | 2008-05-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009283941A true JP2009283941A (ja) | 2009-12-03 |
| JP5175243B2 JP5175243B2 (ja) | 2013-04-03 |
Family
ID=41056976
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009122952A Expired - Fee Related JP5175243B2 (ja) | 2008-05-21 | 2009-05-21 | 反射型光学センサ装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7982226B2 (ja) |
| EP (1) | EP2124263B1 (ja) |
| JP (1) | JP5175243B2 (ja) |
| KR (1) | KR101360294B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017117891A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 株式会社リコー | 光学センサ、光学検査装置、及び光学特性検出方法 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8395226B2 (en) * | 2009-01-27 | 2013-03-12 | Insiava (Pty) Limited | Microchip-based MOEMS and waveguide device |
| DE112011105262A5 (de) * | 2011-05-19 | 2014-02-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Vorrichtungen |
| US8796724B2 (en) | 2011-12-20 | 2014-08-05 | Todd W Hodrinsky | Light emitting systems and methods |
| JP6006108B2 (ja) * | 2012-12-20 | 2016-10-12 | 株式会社アルファ | 光センサユニット |
| US9018645B2 (en) * | 2013-08-29 | 2015-04-28 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Optoelectronics assembly and method of making optoelectronics assembly |
| WO2015055600A1 (en) | 2013-10-16 | 2015-04-23 | Koninklijke Philips N.V. | Compact laser device |
| US20150330897A1 (en) * | 2014-05-14 | 2015-11-19 | Semiconductor Components Industries, Llc | Image sensor and method for measuring refractive index |
| JP6380973B2 (ja) | 2014-06-16 | 2018-08-29 | 日東電工株式会社 | 光学式センサ |
| EP3176888A1 (en) * | 2015-12-03 | 2017-06-07 | Koninklijke Philips N.V. | Sensor chip |
| JP6747910B2 (ja) * | 2016-08-10 | 2020-08-26 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
| US11031751B2 (en) * | 2016-08-10 | 2021-06-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light-emitting device |
| US10734786B2 (en) | 2016-09-07 | 2020-08-04 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light emitting element and light emitting device including same |
| US11646546B2 (en) | 2017-03-27 | 2023-05-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light emitting array with phase modulation regions for generating beam projection patterns |
| US11637409B2 (en) | 2017-03-27 | 2023-04-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor light-emitting module and control method therefor |
| JP6959042B2 (ja) | 2017-06-15 | 2021-11-02 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置 |
| US10928438B2 (en) | 2017-07-20 | 2021-02-23 | International Business Machines Corporation | Embedded photodetector as device health monitor for hot carrier injection (HCI) in power semiconductors |
| JP7245169B2 (ja) | 2017-12-08 | 2023-03-23 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| US20200035862A1 (en) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | Bolb Inc. | Light-emitting device with optical power readout |
| US10811400B2 (en) * | 2018-09-28 | 2020-10-20 | Apple Inc. | Wafer level optical module |
| US20210098962A1 (en) * | 2019-10-01 | 2021-04-01 | Facebook Technologies, Llc | Vertical cavity surface-emitting laser (vcsel) with a light barrier |
| EP3901612A1 (en) * | 2020-04-23 | 2021-10-27 | Sensirion AG | Integrated particulate matter sensor with cavity |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440907B1 (ja) * | 1969-06-02 | 1979-12-05 | ||
| JPS5967671A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Nec Corp | 発光受光素子 |
| JPS61265742A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ヘツド |
| JPH02106981A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 完全密着型イメージセンサ |
| JPH04207079A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Hitachi Ltd | 受発光複合素子 |
| JPH08250813A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Olympus Optical Co Ltd | 面発光半導体レーザ及び面発光半導体レーザを用いた光学式エンコーダ |
| JPH08330679A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-12-13 | Samsung Electron Co Ltd | 光検出器一体型表面光レーザとこれを用いた光ピックアップ装置 |
| JPH0945995A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Sony Corp | 光学装置 |
| JPH0983084A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2000031526A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| JP2001155366A (ja) * | 2000-10-04 | 2001-06-08 | Hitachi Ltd | 光ヘッドおよび光ヘッドの製造方法 |
| JP2002374039A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-12-26 | Ricoh Co Ltd | 光送受信システムおよび光通信システム |
| JP2004235190A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Sony Corp | 光半導体装置 |
| JP2005064183A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Murata Mfg Co Ltd | 反射型センサ |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2425855C2 (de) * | 1974-05-28 | 1982-09-23 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Fotoelektrische Leseeinheit zum Lesen optisch abtastbarer Vorlagen |
| JPS59129467A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-25 | Toshiba Corp | 複合光半導体素子 |
| US5648979A (en) * | 1995-12-29 | 1997-07-15 | Samsung Electronics Co. Ltd. | Assembly of VCSEL light source and VCSEL optical detector |
| KR100657252B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 근접장 기록재생용 광헤드 및 그 제조방법 |
| US7489401B2 (en) * | 2004-03-01 | 2009-02-10 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Device for detecting emission light of micro-object |
-
2008
- 2008-05-21 KR KR1020080047166A patent/KR101360294B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-05-19 US US12/468,664 patent/US7982226B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-20 EP EP09160742.4A patent/EP2124263B1/en not_active Not-in-force
- 2009-05-21 JP JP2009122952A patent/JP5175243B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440907B1 (ja) * | 1969-06-02 | 1979-12-05 | ||
| JPS5967671A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Nec Corp | 発光受光素子 |
| JPS61265742A (ja) * | 1985-05-20 | 1986-11-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ヘツド |
| JPH02106981A (ja) * | 1988-10-17 | 1990-04-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 完全密着型イメージセンサ |
| JPH04207079A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-29 | Hitachi Ltd | 受発光複合素子 |
| JPH08250813A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Olympus Optical Co Ltd | 面発光半導体レーザ及び面発光半導体レーザを用いた光学式エンコーダ |
| JPH08330679A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-12-13 | Samsung Electron Co Ltd | 光検出器一体型表面光レーザとこれを用いた光ピックアップ装置 |
| JPH0945995A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Sony Corp | 光学装置 |
| JPH0983084A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-03-28 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2000031526A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Matsushita Electron Corp | 光半導体装置 |
| JP2001155366A (ja) * | 2000-10-04 | 2001-06-08 | Hitachi Ltd | 光ヘッドおよび光ヘッドの製造方法 |
| JP2002374039A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-12-26 | Ricoh Co Ltd | 光送受信システムおよび光通信システム |
| JP2004235190A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Sony Corp | 光半導体装置 |
| JP2005064183A (ja) * | 2003-08-11 | 2005-03-10 | Murata Mfg Co Ltd | 反射型センサ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017117891A (ja) * | 2015-12-22 | 2017-06-29 | 株式会社リコー | 光学センサ、光学検査装置、及び光学特性検出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20090289266A1 (en) | 2009-11-26 |
| JP5175243B2 (ja) | 2013-04-03 |
| EP2124263B1 (en) | 2017-05-03 |
| US7982226B2 (en) | 2011-07-19 |
| KR20090121057A (ko) | 2009-11-25 |
| KR101360294B1 (ko) | 2014-02-11 |
| EP2124263A2 (en) | 2009-11-25 |
| EP2124263A3 (en) | 2012-11-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5175243B2 (ja) | 反射型光学センサ装置 | |
| US7085300B2 (en) | Integral vertical cavity surface emitting laser and power monitor | |
| KR100809413B1 (ko) | 광검출기를 구비한 수직 공진 표면방출레이저 및 그제조방법 | |
| JP2018508122A (ja) | 光センシング応用のための安全なレーザデバイス | |
| US20210013703A1 (en) | Surface-emitting laser array, detection device, and laser device | |
| JP2010192650A (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光送信装置および光情報処理装置 | |
| US20080151961A1 (en) | Vertical cavity surface-emitting laser and method of fabricating the same | |
| JP6206669B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザアレイ、面発光型半導体レーザの製造方法、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 | |
| US20210165085A1 (en) | Sensor with cross talk suppression | |
| KR20070055764A (ko) | 화합물 반도체의 선택적 식각을 이용한 마이크로렌즈 및마이크로 렌즈가 집적된 광전소자 제조 방법 | |
| US20190386464A1 (en) | Opto-electronic device having a backside illuminating vcsel array with integrated diffractive optical elements (doe), diffuser and/or lens | |
| JP2007165658A (ja) | Ｐｉｎフォトダイオード及び光受信装置 | |
| US8194714B2 (en) | Light emitting and receiving device | |
| KR100317576B1 (ko) | 모니터용 광검출기 일체형 표면광 레이저장치 | |
| TWI645637B (zh) | 面射型雷射裝置及其製造方法 | |
| US8437085B1 (en) | Optical element assembly with integrally formed microlens | |
| US20060039429A1 (en) | Device for bi-directional optical communication and method for fabricating the same | |
| JP2006216845A (ja) | 面発光型装置及びその製造方法 | |
| KR100821359B1 (ko) | 광 조향 센서장치 및 이를 이용하는 광모듈 | |
| KR102569495B1 (ko) | 표면 광방출 레이저 소자 및 이를 포함하는 발광장치 | |
| KR100734565B1 (ko) | Ｒｃｅ-ｐｄ의 제조 방법 | |
| KR102645382B1 (ko) | 표면발광 레이저소자 및 이를 포함하는 발광장치 | |
| JP5655532B2 (ja) | 光センサ及びその製造方法 | |
| KR102563217B1 (ko) | 표면발광 레이저소자 및 이를 포함하는 발광장치 | |
| WO2023031058A1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser (vcsel), laser sensor and method of producing a vcsel |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110912 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120605 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120904 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120907 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121004 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121211 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130104 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5175243 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |