JPS59129467A - 複合光半導体素子 - Google Patents
複合光半導体素子Info
- Publication number
- JPS59129467A JPS59129467A JP58003359A JP335983A JPS59129467A JP S59129467 A JPS59129467 A JP S59129467A JP 58003359 A JP58003359 A JP 58003359A JP 335983 A JP335983 A JP 335983A JP S59129467 A JPS59129467 A JP S59129467A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- electrode
- light
- emitting element
- semiconductor light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 79
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 28
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
- H01L31/125—Composite devices with photosensitive elements and electroluminescent elements within one single body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/12—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は半導体発光素子と半導体検出素子とからなる
複合光半導体素子に関する。
複合光半導体素子に関する。
半導体発光素子どしての発光ダイオード（以下ＬＥＤと
略称する）の出力特性は、半導体レーザに比べ温度変化
が少く線形性も良く、応答性やパワーレベルの問題を除
けば非常に取り扱い易い光源である。
略称する）の出力特性は、半導体レーザに比べ温度変化
が少く線形性も良く、応答性やパワーレベルの問題を除
けば非常に取り扱い易い光源である。
しかしながら、例えばアナログ伝送等で実際に使用する
際は、温度特性や線形性をさらに補償して用いる。こと
が必要どされる。
際は、温度特性や線形性をさらに補償して用いる。こと
が必要どされる。
この補償方法では、近時主として温度・線形性の両方を
同時に補償し、かつ安定性に優れた広帯域光・電気負帰
還方式（Ｓ５６電子通信学会総合全国大会２２２６）が
用いられている。
同時に補償し、かつ安定性に優れた広帯域光・電気負帰
還方式（Ｓ５６電子通信学会総合全国大会２２２６）が
用いられている。
この広帯域光・電気負帰還方式は、半導体発光素子の光
出力の一部を検出し半導体発光素子の光出力の一部を検
出し半導体発光素子駆動回路部に負帰還することで前記
半導体発光素子の非線形ひずみの補償を行っている。
出力の一部を検出し半導体発光素子の光出力の一部を検
出し半導体発光素子駆動回路部に負帰還することで前記
半導体発光素子の非線形ひずみの補償を行っている。
即ち、非線形ひずみの補償を行うためには半導体発光素
子と半導体光検出素子とを一体化形成することが望まし
い。
子と半導体光検出素子とを一体化形成することが望まし
い。
従来、このよう、に半導体発光素子と半導体光検出素子
とを一体化形成したものでは、一部を断面で示す第１図
のような構造が考案されている。
とを一体化形成したものでは、一部を断面で示す第１図
のような構造が考案されている。
即ち、例えばＬＥｎ（１−１０）からなる半導体発光素
子の一方の表面のほぼ中央に、ＬＢＤ（１−１０）から
の光出力を外部に通過させる光通過部（１−３０）を中
心に設けた、例えばフォトダイオード（以下ＰＤと略称
する）（１−２０）からなる半導体光検出素子が層状に
一体化形成されている。
子の一方の表面のほぼ中央に、ＬＢＤ（１−１０）から
の光出力を外部に通過させる光通過部（１−３０）を中
心に設けた、例えばフォトダイオード（以下ＰＤと略称
する）（１−２０）からなる半導体光検出素子が層状に
一体化形成されている。
前記ＬＥＤ（１−１０）は例えばＰ型０ａＡｓからなる
基板（１−１１）上に例えばＮ型ＧａＡ、ｓからなる電
流狭窄層（１−１２）を介して、例えばＰ型ＧａＡｌＡ
ｓからなる＄１の組成層（１−１３）が形成されている
。
基板（１−１１）上に例えばＮ型ＧａＡ、ｓからなる電
流狭窄層（１−１２）を介して、例えばＰ型ＧａＡｌＡ
ｓからなる＄１の組成層（１−１３）が形成されている
。
さらに、この第１の組成層（１−１３）上に、例えばＮ
型ＧａＡｓからなる活性層（１−１４）を介して、例え
ばＮ型ＧａＡｌＡｓからなる第２の組成層（１−１５）
が形成された構造となっている。
型ＧａＡｓからなる活性層（１−１４）を介して、例え
ばＮ型ＧａＡｌＡｓからなる第２の組成層（１−１５）
が形成された構造となっている。
次に、前記ＰＤ（１−２０）は、Ｎ型ＧａＡｌＡｓから
なるＮ型層上に、例えばＱａＡｌＡ、ｓからなる低不純
物濃度層（１−２１）を介してＰ型ＧａＡｓからなるＰ
型層（１−２２）が形成されてＰ−ｉ−Ｎ構造となって
おり、またＮ型ＧａＡｌＡｓからなるＮ型層は、ＬＥＤ
（１−１０）の第２の組成層（１−１５）と共用されて
いる。
なるＮ型層上に、例えばＱａＡｌＡ、ｓからなる低不純
物濃度層（１−２１）を介してＰ型ＧａＡｓからなるＰ
型層（１−２２）が形成されてＰ−ｉ−Ｎ構造となって
おり、またＮ型ＧａＡｌＡｓからなるＮ型層は、ＬＥＤ
（１−１０）の第２の組成層（１−１５）と共用されて
いる。
なお、ＬＥＴ）（１−１０）の一方の電極（１−１７）
は、ＬＥＤ（１−１０）の一方の表面でかつＰＤ（１−
２０）の受光部の外側（二股けられ、他方の電極（１−
１６）はＬＥＤ （１−１０）の他方の表面に設けられ
ている。
は、ＬＥＤ（１−１０）の一方の表面でかつＰＤ（１−
２０）の受光部の外側（二股けられ、他方の電極（１−
１６）はＬＥＤ （１−１０）の他方の表面に設けられ
ている。
また、ＰＤ（１−２０）の一方の電極は、Ｔ、ＥＤ （
１−１，０）の一方の電極（１−１７）が兼用されてお
り、他方の電極（１−２３）はＰＤ（１−２０）の受光
部の一方の表面に設けられている。
１−１，０）の一方の電極（１−１７）が兼用されてお
り、他方の電極（１−２３）はＰＤ（１−２０）の受光
部の一方の表面に設けられている。
上述の構造により活性層（１−１４）からの光出力は、
ＦＤ（１−２０）で検出されるとともに、その中心をく
り抜いて形成された中心部の光通過部（１−３０）を通
って外部にも一部出力され光ファイバ（１−４０）へ入
射する。
ＦＤ（１−２０）で検出されるとともに、その中心をく
り抜いて形成された中心部の光通過部（１−３０）を通
って外部にも一部出力され光ファイバ（１−４０）へ入
射する。
さら（二ＦＤ（１−２０）の出力は、外部に設けられた
電子回路へ導かれ前述の広帯域光・電気負帰還を構成し
ている。
電子回路へ導かれ前述の広帯域光・電気負帰還を構成し
ている。
しかしながら、この様な従来の構造に於いては、次の様
な問題点を有していた。
な問題点を有していた。
広・帯域光・電気負帰還方式を成す為には、ＬＢＤ（１
−１０）からの光出力の一部を検出するＰＤ（１−２０
）ニよ）Ｊ ＬＥＤ（１−１０）の真のモニタ電流を得
ることが必要であるが、上述の構造では正確なモニタ電
流を得ることは困難である。
−１０）からの光出力の一部を検出するＰＤ（１−２０
）ニよ）Ｊ ＬＥＤ（１−１０）の真のモニタ電流を得
ることが必要であるが、上述の構造では正確なモニタ電
流を得ることは困難である。
即ち、ＴＪＩ）（１−１０）およびＦＤ（１−２０）の
各一方の電極を兼用している電極（１−１７）がＦＤ（
１−２０）の光検出部の外側に形成されているため、Ｔ
、 Ｅ Ｄ（］、−１０）の電流経路とＰＤ（１−２０
）の電流経路とが接近している。
各一方の電極を兼用している電極（１−１７）がＦＤ（
１−２０）の光検出部の外側に形成されているため、Ｔ
、 Ｅ Ｄ（］、−１０）の電流経路とＰＤ（１−２０
）の電流経路とが接近している。
従って、前述の構造ではＬＥＤ（１−１０）側からＰＤ
（１−２０）側へ電流の漏れが生じるためＰＤ（１−２
０）でＬＥＩ）（１−１０）の誤ったモニタ電流を得る
ことがあり、高精度の広帯域光・電気負帰還を達成する
ことができなかった。
（１−２０）側へ電流の漏れが生じるためＰＤ（１−２
０）でＬＥＩ）（１−１０）の誤ったモニタ電流を得る
ことがあり、高精度の広帯域光・電気負帰還を達成する
ことができなかった。
この発明は上述の問題点を考慮してなされたものであり
、その目的とするところは半導体発光素子から半導体光
検出素子への電流の漏れ込みを防ぎ半導体光検出素子で
半導体発光素子の真のモニタ電流を得て、有効な広帯域
光・電気負帰還を行うことができる複合光半導体素子を
提供することである。
、その目的とするところは半導体発光素子から半導体光
検出素子への電流の漏れ込みを防ぎ半導体光検出素子で
半導体発光素子の真のモニタ電流を得て、有効な広帯域
光・電気負帰還を行うことができる複合光半導体素子を
提供することである。
この発明は半導体発光素子上に半導体発光素子の光出力
を検出する半導体光検出素子と光通過部とを一体化形成
し、かつ半導体発光素子と光検出素子の各一方の電極を
兼用する電極を光検出素子の検出部の内側に形成した複
合光半導体素子を得るようにしたものである。
を検出する半導体光検出素子と光通過部とを一体化形成
し、かつ半導体発光素子と光検出素子の各一方の電極を
兼用する電極を光検出素子の検出部の内側に形成した複
合光半導体素子を得るようにしたものである。
この発明によりＬＥＴ）からＰＤへの電流の漏れ込みが
生じないようにＩ、ＥＤおよびＰＤの各電流経路を構成
できるため、ＰＤでＴ、 ＥＤの真のモニタ電流を得て
高精度の広帯域光・雷１気負帰還を行うことができる複
合光半導体素子を得ることができる。
生じないようにＩ、ＥＤおよびＰＤの各電流経路を構成
できるため、ＰＤでＴ、 ＥＤの真のモニタ電流を得て
高精度の広帯域光・雷１気負帰還を行うことができる複
合光半導体素子を得ることができる。
この発明の第１の実施例を一部を断面で示す第２図を参
照して説明する。
照して説明する。
即ち、発光部を形成するＰ−Ｎ接合を有する、例えばＬ
ＥＤ（２−１０）からなる半導体発光素子の一方の表面
に、このＬＥＤ（２−１０）からの光出力の一部を検出
する、例えばＦＤ（２−２０）からなる半導体光検出素
子が環状にかつ層状に一体化形成されている。
ＥＤ（２−１０）からなる半導体発光素子の一方の表面
に、このＬＥＤ（２−１０）からの光出力の一部を検出
する、例えばＦＤ（２−２０）からなる半導体光検出素
子が環状にかつ層状に一体化形成されている。
ＬＥＤ（２−１０）は、例えば不純物濃度が１．Ｘ１０
Ｉ８／ ｃｌで、厚さが１００乃至２００卸のＰ型（１
ａＡｓからなる基［（２−１１）上に、例えば不純物濃
度が１Ｘ １０ Ｉ８／ａｒｔＺで、Ｉσさが４乃至５
μｍのＮ型ＧａＡｓからなる電流狭窄層（２−１２）を
介して、例えば不純物濃度がｌＸｌ０Ｉ８／ｉで、厚さ
が４乃至５βｍのＰ型Ｇａ Ｉ−ｘＡｌｘＡｓ （ｘ
二０．３乃至０．４）からなる第１の組成層（２−１３
）が形成されている。
Ｉ８／ ｃｌで、厚さが１００乃至２００卸のＰ型（１
ａＡｓからなる基［（２−１１）上に、例えば不純物濃
度が１Ｘ １０ Ｉ８／ａｒｔＺで、Ｉσさが４乃至５
μｍのＮ型ＧａＡｓからなる電流狭窄層（２−１２）を
介して、例えば不純物濃度がｌＸｌ０Ｉ８／ｉで、厚さ
が４乃至５βｍのＰ型Ｇａ Ｉ−ｘＡｌｘＡｓ （ｘ
二０．３乃至０．４）からなる第１の組成層（２−１３
）が形成されている。
さらに、この第１の組成層（２−１３）上には、例えば
不純物濃度がＩ Ｘ １０”／ｃＩＩで、厚さが１μｍ
のＮ型ＧａＡｓからなる活性層（２−１４）を介して、
例えば不純物濃度が１ｘｌＯ”／ｉで、厚さが５卸のＮ
型Ｇａ１−ｘＡｌｘＡ、ｓ （ｘ ＝ ０．３乃至０．
４）からなる第２の組成層（４，−１５）が形成された
構造となっている。
不純物濃度がＩ Ｘ １０”／ｃＩＩで、厚さが１μｍ
のＮ型ＧａＡｓからなる活性層（２−１４）を介して、
例えば不純物濃度が１ｘｌＯ”／ｉで、厚さが５卸のＮ
型Ｇａ１−ｘＡｌｘＡ、ｓ （ｘ ＝ ０．３乃至０．
４）からなる第２の組成層（４，−１５）が形成された
構造となっている。
なお、電流狭窄層（２−１２）は、一部に電流集中を良
くして高発光効率を得るために形成されたものである。
くして高発光効率を得るために形成されたものである。
次に、ＦＤ（２−２０）は、Ｎ型層上に、例えば厚さ１
０ μｍのＧａＡｌＡｓからなる低不純物濃度＠（２−
２１） −を介して、例えば不純物濃度がｌＸ
ｌ０”／ｉで、厚さが３μｍのＰ型ＧａＡｓからなるＰ
型層（２−２２）が形成され、Ｐ−１−Ｎ構造となって
いる。
０ μｍのＧａＡｌＡｓからなる低不純物濃度＠（２−
２１） −を介して、例えば不純物濃度がｌＸ
ｌ０”／ｉで、厚さが３μｍのＰ型ＧａＡｓからなるＰ
型層（２−２２）が形成され、Ｐ−１−Ｎ構造となって
いる。
なお、この際のＮ型層は、ＬＥＤ（２−１０）の第２の
組成層（２−１５）と共用されている。
組成層（２−１５）と共用されている。
また、ＬＥＤ（２−１０）の一方の電極（２−１７）は
、第２の組成層（２−１５）の上部表面で、かつＦＤ（
２−２０）の光検出部の内側に環状に構成されており、
他方の電極（２−１６）は、基板（２−１１）の下部表
面に設けられている。また、ＰＩ）（２−２０）の一方
の電極は、ＬＥＤ（２−１０）の一方の電極（２−１７
）と兼用されており、他方の電極（２−２３）はＰＤ（
２−２０）のＰ型層（２−２２）の一部にオーミックコ
ンタクトを得るために形成された、例えばＰ＋型ＧａＡ
ｓからなる拡散層（２−２６）の上部表面に設けられて
いる。
、第２の組成層（２−１５）の上部表面で、かつＦＤ（
２−２０）の光検出部の内側に環状に構成されており、
他方の電極（２−１６）は、基板（２−１１）の下部表
面に設けられている。また、ＰＩ）（２−２０）の一方
の電極は、ＬＥＤ（２−１０）の一方の電極（２−１７
）と兼用されており、他方の電極（２−２３）はＰＤ（
２−２０）のＰ型層（２−２２）の一部にオーミックコ
ンタクトを得るために形成された、例えばＰ＋型ＧａＡ
ｓからなる拡散層（２−２６）の上部表面に設けられて
いる。
ここで、ＬＥＤ（２−１０）とＰＤ（２−２０）との各
一方の電極を兼ねる電極の幅は、例えば３０μｍとされ
、さらにＦＤ（２−２０）の幅は、例えば５０μｍ乃至
７０μｍとされている。
一方の電極を兼ねる電極の幅は、例えば３０μｍとされ
、さらにＦＤ（２−２０）の幅は、例えば５０μｍ乃至
７０μｍとされている。
上述の構造に於いて、活性層（２−１４）からの光出力
は、Ｐｌ’）（２−２０）で一部検出されるとともに、
その内側に環状に設けられた電極（２−１７）の内側若
しくは両側の光通過部（２−３０）を通って外部にも一
部出力され光ファイバ（１−４０）へ入射する。
は、Ｐｌ’）（２−２０）で一部検出されるとともに、
その内側に環状に設けられた電極（２−１７）の内側若
しくは両側の光通過部（２−３０）を通って外部にも一
部出力され光ファイバ（１−４０）へ入射する。
一方、ＰＤ（２−２０）の出力は外部の電子回路へ導か
れ、広帯域光・電気負帰還を構成している。
れ、広帯域光・電気負帰還を構成している。
即ち、ＬＥＤ（２−１０）とＰＩ）（２−２０）との各
一方の電極を兼ねる電極（２−１７）をＰＤ（２−２０
）の光検出部の内側に設けた構造となっているため、Ｌ
ＥＤ（２−１０）とＰＤ（２−２０）との各電流経路を
十分に分離することができる。
一方の電極を兼ねる電極（２−１７）をＰＤ（２−２０
）の光検出部の内側に設けた構造となっているため、Ｌ
ＥＤ（２−１０）とＰＤ（２−２０）との各電流経路を
十分に分離することができる。
従って、ＬＥＤ（２−１０）側からＰＤ（２−２０）側
への電流の漏れ込みを防ぐことができ、ＰＤ（２−２０
）でＩＪＤ（２−１０）の真のモニタ電流を得ることが
できる。
への電流の漏れ込みを防ぐことができ、ＰＤ（２−２０
）でＩＪＤ（２−１０）の真のモニタ電流を得ることが
できる。
なお、上述の第１の実施例では、ＰＤ（２−２０）およ
び、ＬＥＤ （２−１０）とＰＤ（２−２０）の各一方
の電極を兼ねる電極（２−１７＞は、環状に形成されて
いるが、この形状は三角形や四角形等の多角形または楕
円であってもよいことは明らかである。
び、ＬＥＤ （２−１０）とＰＤ（２−２０）の各一方
の電極を兼ねる電極（２−１７＞は、環状に形成されて
いるが、この形状は三角形や四角形等の多角形または楕
円であってもよいことは明らかである。
次に、この発明の第２の実施例を第３図を用いて説明す
る。
る。
第３図に示す実施例は、ＰＴ）の光検出部を複数に分割
した例を示したものである。
した例を示したものである。
即ちＬＥＤ（３−１０）とＰＤ（３−２０）の各一方の
電極を兼用する電極（３−１７）の外側に、低不純物濃
度層（３−２１）、Ｐ型層（３−２２）、Ｐ＋型拡散層
（３−２６）、電極（３−２３）の積層構造が同心状（
二複数個形成されている。
電極を兼用する電極（３−１７）の外側に、低不純物濃
度層（３−２１）、Ｐ型層（３−２２）、Ｐ＋型拡散層
（３−２６）、電極（３−２３）の積層構造が同心状（
二複数個形成されている。
なお、ＬＥＤ（３−１０）を形成する各層は、第２図で
示したものと同様である。
示したものと同様である。
第３図に示した構造によってもＴ、ＥＤ（３−１０）側
からＰＤ（３−２０）側への電流の漏れ込みを有効に防
止でき、ＰＤ（３−２０）でＬＥＤ（３−１０）の真の
モニタ電流を得ることができる。
からＰＤ（３−２０）側への電流の漏れ込みを有効に防
止でき、ＰＤ（３−２０）でＬＥＤ（３−１０）の真の
モニタ電流を得ることができる。
さらに次に、この発明の第３の実施例を第４図を用いて
説明する。
説明する。
この第４図に示す実施例は、ＬＥＩ）（４−１０）とＰ
Ｄ（４−２０）の各一方の電極を兼用する電極（４−１
７）が、ＦＤ（４−２０）の積層部の一部（二設けられ
た拡散層（４−３０）の上部表面に形成されたものであ
る。
Ｄ（４−２０）の各一方の電極を兼用する電極（４−１
７）が、ＦＤ（４−２０）の積層部の一部（二設けられ
た拡散層（４−３０）の上部表面に形成されたものであ
る。
前記ＬＥＤ（４−１０）は、例えばＮ型の基板上（二Ｐ
型の電流狭窄層を介してＮ型層が形成され、さらにこの
Ｎ型層上に活性層を介してＰ型層が形成されている。
型の電流狭窄層を介してＮ型層が形成され、さらにこの
Ｎ型層上に活性層を介してＰ型層が形成されている。
ＦＤ（４−２０）は、前記Ｐ型層上に低不純物濃度層を
介してＮ型層が形成されている。
介してＮ型層が形成されている。
即ち、この第３の実施例ではｐＤ（４−２０）の一部を
形成する低不純物濃度層およびＮ型層の一部をＰ＋型の
拡散層（４−３０）とし、この拡散層（４−３０）の上
部表面にＬＥＤ（４−１０）とＰＩ）（４−２ｏ）の各
一方の電極を兼用する電極（４−１７）が形成された構
造となっている。
形成する低不純物濃度層およびＮ型層の一部をＰ＋型の
拡散層（４−３０）とし、この拡散層（４−３０）の上
部表面にＬＥＤ（４−１０）とＰＩ）（４−２ｏ）の各
一方の電極を兼用する電極（４−１７）が形成された構
造となっている。
従って、上述の構造により、ＰＤを形成した後の凹状部
にＬＥＤとＰＤの各一方の電極を兼用する電極を形成す
るようにした第２図、第３図の場合に比べ、マスク合わ
せが極めて容易となり精度よく前記電極（４−１７）を
形成することができる。
にＬＥＤとＰＤの各一方の電極を兼用する電極を形成す
るようにした第２図、第３図の場合に比べ、マスク合わ
せが極めて容易となり精度よく前記電極（４−１７）を
形成することができる。
第１図は、ＬＥＤとＦＤとを一体化形成した従来例の一
部を断面で示す斜視図、第２図はこの発明の第１の実施
例を示す複合光半導体素子の一部を断面で示す斜視図、
第３図はこの発明の第２の実施例の一部を断面で示す斜
視図、第４図はこの発明の第３の実施例の一部を断面で
示す斜視図である。 ２−１０．３−１０．４−１０・・・ＬＥＤ２−１１・
・・基板 ２−１２・・・電流狭窄層 ２−１３・・・第１の組成層 ２−１４・・・活性層 ２−１５・・・第２の組成層 ２−１６・・・Ｔ、 Ｅ Ｄの他方の電極２−１７ 、
３−１７ 、４−１７・・・ＬＥＤおよびＦＤの一方の
電極 ２−２０．３−２０．４−２０・・・ＥＤ２−２１・・
・低不純物濃度層 ２−２２・・・Ｐ型層 ２−２３・・・ＰＤの他方の電極 ２−３０・・・光通過部 １−４０・・・光ファイバ ４−３ｏ＋・・・拡散層 第８図 第４図 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和５８年特願第３３５９号 ２、発明の名称 複合光半導体素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−６ 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり補正する
。 （２）明細書第２頁第１１行目の「半導体検出素子」を
「半導体光検出素子」と補正する。 （３）明細書第３頁第７行目乃至第８行目の「検出し半
導体発光素子の光出力の一部を検出し半導体発光素子駆
動回路部」を「検出し半導体発光素子駆動回路部」と補
正する。 （４）明細書第４頁第８行目の［ＧａＡｓ Ｊを「Ｇａ
Ａｓ又はＧａＡｌＡｓ Ｊと補正する。 （５）明細書第４頁第１２行目の［ＧａｕＡｓ Ｊを［
ＧａＡｌＡｓ又はＧａＡｓ Ｊと補正する。 （６）明細書第６頁第３行目の「電流経路とＰＤ（１−
２０）の電流経路」を「電流径路とＰＤ（１−２０）の
電流径路」と補正する。 （力明細書第７頁第７行目の「各電流経路」を「各電流
径路」と補正する。 （８）明細書第８頁第１０行目のｌ” ＧａＡｓ Ｊを
［ＧａＡｓ又はＧａＡｇＡｓ Ｊと補正する。 （９）明細書第８頁第１３行目の１−（４−１５）Ｊを
「（２−１５）」と補正する。 ０（Ｉｌ明細書第８頁第１８行目の［１０μｍのＧａＡ
ｇＡｓ Ｊを［１０１１ｍ （７） ＧａＡｇＡｓ又は
５μｍのＧａＡｓ Ｊと補正するっ０１）明細書筒８真
第ｍ行目の「３μｍ」を「１μｍ」と補正する。 ａの明細書第１０頁第８行目の「各電流経路」を「各電
流径路」と補正する。 以上 ２、特許請求の範囲 （１）半導体発光素子と、この半導体発光素子の一方の
表面の一部に層状に一体化形成され前記半導体発光素子
からの光出力の一部を検出する半導体光検出素子と、前
記半導体発光素子の一方の表面の他の一部に設けられ前
記半導体発光素子の光出力の他の一部を外部に通過させ
る光通過部とを有する複合光半導体素子において、前記
半導体発光素子および前記半導体光検出素子の各一方の
電極を兼ねる電極が前記半導体発光素子の一方の表面で
かつ前記半導体光検出素子の光検出部の内側に形成され
ていることを特徴とする複合光半導体素子０ （２）前記半導体光検出素子の光検出部は、環状若しく
は所定の幅を有する多角形状に形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合光半導体素子
。 （３）前記半導体発光素子および前記半導体光検出素子
の各一方の電極を兼ねる電極の内側に前記光通過部が設
けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の複合光半導体素子。 （４）前記半導体表検出素子の光検出部は、前記半導体
発光素子の一方の表面上に複数個形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合光半導体素
子。
部を断面で示す斜視図、第２図はこの発明の第１の実施
例を示す複合光半導体素子の一部を断面で示す斜視図、
第３図はこの発明の第２の実施例の一部を断面で示す斜
視図、第４図はこの発明の第３の実施例の一部を断面で
示す斜視図である。 ２−１０．３−１０．４−１０・・・ＬＥＤ２−１１・
・・基板 ２−１２・・・電流狭窄層 ２−１３・・・第１の組成層 ２−１４・・・活性層 ２−１５・・・第２の組成層 ２−１６・・・Ｔ、 Ｅ Ｄの他方の電極２−１７ 、
３−１７ 、４−１７・・・ＬＥＤおよびＦＤの一方の
電極 ２−２０．３−２０．４−２０・・・ＥＤ２−２１・・
・低不純物濃度層 ２−２２・・・Ｐ型層 ２−２３・・・ＰＤの他方の電極 ２−３０・・・光通過部 １−４０・・・光ファイバ ４−３ｏ＋・・・拡散層 第８図 第４図 手続補正書（自発） １．事件の表示 昭和５８年特願第３３５９号 ２、発明の名称 複合光半導体素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （３０７） 東京芝浦電気株式会社 ４、代理人 〒１００ 東京都千代田区内幸町１−１−６ 明細書の特許請求の範囲の欄 明細書の発明の詳細な説明の欄 ６、補正の内容 （１）明細書の特許請求の範囲を別紙のとおり補正する
。 （２）明細書第２頁第１１行目の「半導体検出素子」を
「半導体光検出素子」と補正する。 （３）明細書第３頁第７行目乃至第８行目の「検出し半
導体発光素子の光出力の一部を検出し半導体発光素子駆
動回路部」を「検出し半導体発光素子駆動回路部」と補
正する。 （４）明細書第４頁第８行目の［ＧａＡｓ Ｊを「Ｇａ
Ａｓ又はＧａＡｌＡｓ Ｊと補正する。 （５）明細書第４頁第１２行目の［ＧａｕＡｓ Ｊを［
ＧａＡｌＡｓ又はＧａＡｓ Ｊと補正する。 （６）明細書第６頁第３行目の「電流経路とＰＤ（１−
２０）の電流経路」を「電流径路とＰＤ（１−２０）の
電流径路」と補正する。 （力明細書第７頁第７行目の「各電流経路」を「各電流
径路」と補正する。 （８）明細書第８頁第１０行目のｌ” ＧａＡｓ Ｊを
［ＧａＡｓ又はＧａＡｇＡｓ Ｊと補正する。 （９）明細書第８頁第１３行目の１−（４−１５）Ｊを
「（２−１５）」と補正する。 ０（Ｉｌ明細書第８頁第１８行目の［１０μｍのＧａＡ
ｇＡｓ Ｊを［１０１１ｍ （７） ＧａＡｇＡｓ又は
５μｍのＧａＡｓ Ｊと補正するっ０１）明細書筒８真
第ｍ行目の「３μｍ」を「１μｍ」と補正する。 ａの明細書第１０頁第８行目の「各電流経路」を「各電
流径路」と補正する。 以上 ２、特許請求の範囲 （１）半導体発光素子と、この半導体発光素子の一方の
表面の一部に層状に一体化形成され前記半導体発光素子
からの光出力の一部を検出する半導体光検出素子と、前
記半導体発光素子の一方の表面の他の一部に設けられ前
記半導体発光素子の光出力の他の一部を外部に通過させ
る光通過部とを有する複合光半導体素子において、前記
半導体発光素子および前記半導体光検出素子の各一方の
電極を兼ねる電極が前記半導体発光素子の一方の表面で
かつ前記半導体光検出素子の光検出部の内側に形成され
ていることを特徴とする複合光半導体素子０ （２）前記半導体光検出素子の光検出部は、環状若しく
は所定の幅を有する多角形状に形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合光半導体素子
。 （３）前記半導体発光素子および前記半導体光検出素子
の各一方の電極を兼ねる電極の内側に前記光通過部が設
けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の複合光半導体素子。 （４）前記半導体表検出素子の光検出部は、前記半導体
発光素子の一方の表面上に複数個形成されていることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合光半導体素
子。
Claims (3)
- （１）半導体発光素子と、この半導体発光素子の一方の
表面の一部に層状に一体化形成され前記半導体発光素子
からの光出力の一部を検出する半導体検出素子と、前記
半導体発光素子の一方の表面の他の一部に設けられ前記
半導体発光素子の光出力の他の一部を外部に通過させる
光通過部とを有する複合光半導体素子において、前記半
導体発光素子および前記半導体光検出素子の各一方の電
極を兼ねる電極が前記半導体発光素子の一方の表面でか
つ前記半導体光検出素子の光検出部の内側に形成されて
いることを特徴とする複合光半導体素子。 - （２）前記半導体光検出素子の光検出部は、環状若しく
は所定の幅を有する多角形状に形成されていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の複合光半導体素子
。 - （３）前記半導体発光素子および前記半導体光検出素子
の各一方の電極を兼ねる電極の内側に前記光通過部が設
けられていることを特徴とする特許導体発光素子の一方
の表面上に複数個形成されていることを特徴とする特許
請求の範囲＄１項記載の複合光半導体素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003359A JPS59129467A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 複合光半導体素子 |
| DE8484100337T DE3484443D1 (de) | 1983-01-14 | 1984-01-13 | Zusammengesetzte optische halbleiteranordnung. |
| EP19840100337 EP0116304B1 (en) | 1983-01-14 | 1984-01-13 | Composite optical semiconductor device |
| US06/571,379 US4605943A (en) | 1983-01-14 | 1984-01-16 | Composite optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58003359A JPS59129467A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 複合光半導体素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59129467A true JPS59129467A (ja) | 1984-07-25 |
Family
ID=11555150
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58003359A Pending JPS59129467A (ja) | 1983-01-14 | 1983-01-14 | 複合光半導体素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4605943A (ja) |
| JP (1) | JPS59129467A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177101A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| CN110277462A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | X-Fab半导体制造有限公司 | 电调制光电二极管及其制造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2597975B2 (ja) * | 1985-03-26 | 1997-04-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| JPS6218076A (ja) * | 1985-07-16 | 1987-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
| US5181220A (en) * | 1985-07-16 | 1993-01-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor light emitting light concentration device |
| JPH0750799B2 (ja) * | 1986-04-17 | 1995-05-31 | 株式会社東芝 | 発光装置 |
| US4701646A (en) * | 1986-11-18 | 1987-10-20 | Northern Telecom Limited | Direct coupled FET logic using a photodiode for biasing or level-shifting |
| US5903016A (en) * | 1995-06-30 | 1999-05-11 | Siemens Components, Inc. | Monolithic linear optocoupler |
| DE19754222A1 (de) * | 1997-12-06 | 1999-06-10 | Volkswagen Ag | Vorrichtung zur Funktionskontrolle von Lumineszenzdioden |
| US7719091B2 (en) * | 2002-06-28 | 2010-05-18 | M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. | Diode with improved switching speed |
| JP2005019695A (ja) * | 2003-06-26 | 2005-01-20 | Toshiba Corp | 半導体発光装置 |
| KR101360294B1 (ko) * | 2008-05-21 | 2014-02-11 | 광주과학기술원 | 반사형 광학 센서장치 |
| WO2013089554A1 (en) * | 2011-12-14 | 2013-06-20 | Mimos Berhad | A light receiving and emitting device and method of producing thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414691A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-03 | Fujitsu Ltd | Liminous semiconductor device |
-
1983
- 1983-01-14 JP JP58003359A patent/JPS59129467A/ja active Pending
-
1984
- 1984-01-16 US US06/571,379 patent/US4605943A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5414691A (en) * | 1977-07-06 | 1979-02-03 | Fujitsu Ltd | Liminous semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009177101A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
| CN110277462A (zh) * | 2018-03-13 | 2019-09-24 | X-Fab半导体制造有限公司 | 电调制光电二极管及其制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4605943A (en) | 1986-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59129467A (ja) | 複合光半導体素子 | |
| US20160141839A1 (en) | Vertical cavity surface emitting laser array | |
| JP2005057197A (ja) | 面発光型半導体レーザ、光モジュール、ならびに光伝達装置 | |
| JPS62188385A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4470819B2 (ja) | 光素子 | |
| JPH021521A (ja) | 光検出装置 | |
| JP2005005600A (ja) | 半導体受光素子 | |
| KR20130090473A (ko) | 광모니터링 집적 표면방출레이저 어레이 | |
| JPH0312474B2 (ja) | ||
| JP3189723B2 (ja) | 面発光型半導体装置及びそれを用いた発光モジュール | |
| JPS59200475A (ja) | 複合光半導体素子 | |
| JPH04159784A (ja) | 半導体発光素子ならびにその製造方法 | |
| JPH0155586B2 (ja) | ||
| WO2022201798A1 (ja) | 受光素子アレイおよびその製造方法 | |
| JPS6114750A (ja) | 光半導体複合素子 | |
| JPS60123083A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6293990A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS6346782A (ja) | 半導体受光・増幅装置 | |
| JPS63204645A (ja) | 受光素子およびこの受光素子を内蔵した光電子装置 | |
| Choquette et al. | 2-dimensional integrated VCSEL and PiN photodetector arrays for a bidirectional optical links | |
| JPH03201571A (ja) | 波長多重受光装置 | |
| JPS61185979A (ja) | 集積型光電変換素子 | |
| JP3846596B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ、光モジュール、ならびに光伝達装置 | |
| JP2004241402A (ja) | 半導体受光素子 | |
| JPS6239080A (ja) | 半導体光位置検出装置 |