JP2728211B2 - 光ヘッド - Google Patents

光ヘッド

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JP2728211B2
JP2728211B2 JP63244478A JP24447888A JP2728211B2 JP 2728211 B2 JP2728211 B2 JP 2728211B2 JP 63244478 A JP63244478 A JP 63244478A JP 24447888 A JP24447888 A JP 24447888A JP 2728211 B2 JP2728211 B2 JP 2728211B2
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【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は光学的情報記録再生装置に用いられる光ヘッ
ドに関するものであり、とりわけ、半導体レーザを光源
とする光ヘッドに関するものである。
[従来の技術] 従来から光を用いて情報を記録・再生する媒体の形態
として光ディスク、光カード、光テープ等の各種のもの
が知られている。これらはそれぞれ特徴をもっており、
目的、用途等によって使いわけられているが、そのうち
光カードは製造の容易さ、携帯性のよさ、アクセス性の
よさといった特徴を生かし、今後、用途がますます広ま
ってゆくと考えられる。
第10図は上記カード状の記録媒体に対して構成された
光情報記録再生装置の一例を示す概略ブロック図であ
る。
同図において101は情報を記録すべき光カード、103は
光ヘッド(第10図において点線で囲まれた部分)、104
は光ビーム、105は光カード101を載置するシャトル、10
8は半導体レーザ光源、109はコリメーターレンズであ
る。110は偏光ビームスプリッタ、130は1/4波長板で該
2つの部材の組み合わせによって図の上から下へ向う光
は透過させるが、下から上へ向う光は直角方向に曲げら
れる。111は対物レンズで平行光を光カード101上で集光
させる働きをする。
112は光センサ、113はプリアンプ、114はオートフォ
ーカシングサーボ、115はオートトラッキングサーボ、1
16はデコーダ、117はインターフェイス、118はコンピュ
ータ、119はエンコーダ、120はレーザドライバ、121は
ステッピングモータで光学ヘッド103を紙面と垂直方向
に移動させる働きをもつ。
122,123はそれぞれプーリでプーリ122,123には、ベル
ト124がかけられている。該ベルト124には光カード101
を載置すると共に固定するシャトル105が取付けられて
いる。プーリ122はモータ126のシャフトに取り付けられ
ており、モータ126の回転によって光カード101は図の矢
印A方向に往復運動する。
次に第10図に示された装置の動作を情報再生の場合を
例にとり説明する。
第10図において、半導体レーザ108から発振された光
ビームは、コリメータレンズ109で平行光になり、偏光
ビームスプリッタ110及び1/4波長板130を通り、さらに
対物レンズ111により、集光されて、光カード101上に微
小スポットを形成する。光カード101からの反射光は微
小スポットにより照射された部分に情報ビットがあるか
ないかによって変調を受け、この変調光が再び対物レン
ズ111によって平行光となり、偏光ビームスプリッタ110
によって光センサ112へ入射される。光センサ112は変調
光の光量変化を検知し、電気信号に変えてプリアンプ11
3へ送る。プリアンプ113からオートフォーカシングサー
ボ114に信号が送られ、オートフォーカシングサーボ114
からの信号により、図示されていないアクチュエータに
より対物レンズ111をB方向に移動させ、光ビーム104が
光カード101上で焦点を結ぶように対物レンズ111と光カ
ード101との距離を制御する。
またプリアンプ113からは、オートトラッキングサー
ボ115にも信号が送られ、オートトラッキングサーボ115
からの信号は、不図示のアクチュエータにより対物レン
ズ111を紙面と垂直方向に移動させ、光ビーム104が所定
の位置に焦点を結ぶように制御する。なお、装置の初期
動作時には、インターフェイス117からオートフォーカ
シングサーボ114、オートトラッキングサーボ115へサー
ボの引込み指令が送られる。オートフォーカシングサー
ボ114とオートトラッキングサーボ115については、いく
つかの具体的な方法が提案されているが、例えば光ビー
ム104をグレーティング等で複数に分け、光カード101に
あらかじめオートフォーカシング用の、又はオートトラ
ッキング用のトラックをプリフォーマットしておき、複
数の光ビームの少なくとも1つで情報を再生し、他のビ
ームでオートフォーカス用およびオートトラッキング用
の信号を取り出す例が提案されている。更に、プリアン
プ113からの信号は、デコーダ116に送られて電気的に必
要な処理をされた後、インターフェース117に送られ
る。インターフェース117からはコンピュータ118に情報
信号が送られる。またインターフェース117からは、エ
ンコーダ119に信号が送られ、必要に応じて変調をうけ
た後、レーザドライバ120を経て半導体レーザ108の発振
を制御する。
更に、インターフェース117からはステッピングモー
タ121とモータサーボ127に信号が送られ、それぞれ光ヘ
ッド103の紙面に対して垂直方向の位置制御、モータ126
の回転制御が行なわれる。
[発明が解決しようとする課題] 第10図を用いて説明した光ヘッド103において、情報
の謝った記録、或いは誤った再生を防止する為に重要な
技術課題として半導体レーザ108の出力の安定化技術が
挙げられる。この技術課題に対しては従来より種々の提
案が成されており、例えば特公昭54-10481号公報にその
一例が記されている。同公報においては、半導体レーザ
の再生用レーザ光と反対側より放射するレーザ光を光電
変換素子により捕集し、前記光電変換素子からの出力電
圧と基準電圧とを比較して、その比較結果に基づき半導
体レーザの出力を制御する技術が開示されている。
しかしながらこの技術を第10図に示す光ヘッドに適用
する場合には次のような欠点を有する場合がある。第11
図は光カード101の模式図を示したものである。光カー
ド101は透明保護層131と支持基盤132とが接着して構成
され、その接着面に情報記録層133が設けられる。光は
透明保護層131側より入射する。光カード101の持つ携帯
性、フレキシビリティ等の特長を生かすために透明保護
層131、支持基盤132は高分子樹脂を材料とする例が多
く、とりわけ、ポリカーボネートは製造上の好便さもあ
って広く使われている。しかしながらポリカーボネート
は製造時もしくは携帯、保管時に複屈折を生じると云う
欠点が知られている。このような複屈折を有する光カー
ド101に対して第10図に示す光ヘッド103で情報の記録・
再生を行なう場合には、光カード101からの反対光束を
偏光ビームスプリッタ110で完全に光センサ112へ向ける
ことができず、その一部光束は半導体レーザ108へもど
ってしまう。この時前述の如く特公昭54-10481号公報に
記される技術を用いて半導体レーザ108の出力の安定化
を行なう光ヘッドであれば、前記もどり光が半導体レー
ザ108内部の前記光電変換素子へ到達してしまい、その
結果、半導体レーザ108の出力を低下させるように制御
回路が作動する。このため、たとえば記録時においては
充分な光量が光カード101に到達せず良好な記録が行な
えなくなる。
半導体レーザ108の出力の安定化を達成する為の更な
る従来例としては特公昭63-18354号公報に記される技術
がある。同公報中の実施例によれば、記録媒体からの反
射光束を情報再生用光検出器へ反射する為のプリズム
を、半導体レーザから記録媒体へ到る光路中に設け、前
記プリズムにより半導体レーザから記録媒体へ向う光束
の一部を反射させ、2分割センサの一方へ導き、そのセ
ンサの出力と他方のセンサとの出力との差信号をもって
半導体レーザの発光量を制御するものである。この方法
によれば、半導体レーザの発光量を制御するための光検
出器が半導体レーザの外部に存在するものであるから、
前述の光カードから半導体レーザへのもどり光による問
題点は解消される。
しかしながら、上記従来例においては下記の欠点があ
る。
即ち、上記従来例においては光検出器をプリズムの外
部に設ける必要があるため、光ヘッド筐体に光検出器の
保持部を設ける必要があり、ヘッドの重量が増加する。
更に、コリメートされた光束の如く径の大きな光束を受
光しようとすると大面積の受光部を有する光検出器が必
要になり、検出器の応答性やコストの面で不利となる。
受光部面積の小さい光検出器を用いる場合には必然的に
集光用のレンズが必要となり、これもヘッド重量やコス
トの点で不利である。
又、他の半導体レーザ108の出力の安定化技術として
は、特公昭61-8495号公報に開示された技術がある。同
公報中の実施例によれば、半導体レーザからの発散光束
のうち、対物レンズにて集光されない位置での光束を検
出器にて取り込み、この検出器の出力によって半導体レ
ーザの出力の安定化を図るものであり、上記2従来例の
問題点は解決される。しかし、上記手段にあっては、検
出器へ達する光量が少なく、前記検出器の出力のS/N比
が低下し、正確な半導体レーザの安定化の点において問
題がある。又、逆に充分な光量を前記光検出器で受光す
るためには、半導体レーザの高出力化が必要となり、好
ましくない。
[課題を解決するための手段] 本発明の目的は、上記従来技術の問題点に鑑み、従来
の光ヘッドに比べて重量を増やすことなく、また構成も
複雑化することなしに半導体レーザ発光量の安定化を達
成できる光ヘッドを提供することにある。
本発明によれば、以上の如き目的を達成するものとし
て、 半導体レーザから発せられる光束をコリメータレンズ
により平行光束となし、該平行光束を無偏光ビームスプ
リッタにより振幅分割して得られた光束のうちの一方の
光束を対物レンズを介して光学的情報記録媒体に照射
し、その反射光を前記対物レンズ及び集光レンズを介し
て第1の光検出器に導いて情報の記録及び/又は再生を
行なう光ヘッドであって、 前記無偏光ビームスプリッタにより振幅分割して得ら
れた光束のうちの他方の光束を反射するための反射面を
有し、該反射面で反射された光束が前記集光レンズによ
って集光される位置に第2の光検出器が設けられてお
り、該第2の光検出器の出力を用いて前記半導体レーザ
の発光量を制御することを特徴とする光ヘッドA、 が提供される。
また、本発明によれば、以上の如き目的を達成するも
のとして、 半導体レーザから発せられる光束をコリメータレンズ
により平行光束となし、該平行光束を無偏光ビームスプ
リッタにより振幅分割して得られた光束のうちの一方の
光束を対物レンズを介して光学的情報記録媒体に照射
し、その反射光を前記対物レンズを介して第1の光検出
器に導いて情報の記録及び/又は再生を行なう光ヘッド
であって、 前記無偏光ビームスプリッタにより振幅分割して得ら
れた光束のうちの他方の光束を反射するための反射面を
有し、該反射面で反射された光束が前記コリメータレン
ズによって集光される位置に第2の光検出器が設けられ
ており、該第2の光検出器の出力を用いて前記半導体レ
ーザの発光量を制御することを特徴とする光ヘッドB、 が提供される。
[作用] 上記本発明に係る光ヘッドA及び光ヘッドBによれ
ば、それぞれ第1の光検出器に光を集光する為の集光レ
ンズ、コリメーターレンズをそれら本来の機能と共に、
半導体レーザの出力を制御するための第2の光検出器に
光を集光する集光レンズとしても使用することにより、
そのための集光レンズを新たに設ける必要がなくなる。
又、前記無偏光ビームスプリッタによって振幅分割さ
れた光束のうち前記光学的情報記録媒体に向かわない光
束をその主光線に対して傾いた平面状の反射面により反
射させ、それぞれ上記第1の光検出器に光を集光する為
の集光レンズ、コリメーターレンズによって本来の光の
位置とは違う位置に集光させることにより、それぞれ情
報信号光、レーザ方向に向かう光と簡便に分離すること
ができる。
又、本発明は従来の光ヘッドに比べ新たに要する部材
は、基本的には反射面の設置だけであり、且つ光学系の
位置調整が簡単であり、しかも十分な光量で検出でき、
S/N比の良好な安定した信号が得られる。
[実施例] 以下、本発明に係る光ヘッドについて具体的な実施例
に基づき詳細に説明する。
第1図は本発明に係る光ヘッドAの第1実施例を説明
する図で、同図は焦点制御に非点収差方式、トラッキン
グ制御にプッシュプル方式を用いた光ヘッドの概略ブロ
ック図である。
同図において、7はシステム全体を制御するCPU、1
はインターフェイス、2はエンコーダ、3は比較器6か
らの信号及びエンコーダ2の信号によりレーザドライバ
4を制御するレーザ制御部、5はセンサ28からの出力を
増幅するアンプ、6はCPU7からの基準信号と比較する比
較器である。108は半導体レーザ、109は光束を平行化す
るコリメーターレンズ、11は無偏光ビームスプリッタ、
17は無偏光ビームスプリッタの一面に設けられた反射
面、12は球面レンズ、13は円筒レンズ、28は情報再生用
センサ及び半導体の発光量制御用センサが設けられたセ
ンサである。
CPU7の指令により、記録すべき信号はインターフェイ
ス1、エンコーダ2を経由してレーザ制御部3へ送ら
れ、その結果に基づきレーザドライバ4は半導体レーザ
108を変調する。半導体レーザ108から出射した光束はコ
リメーターレンズ109により平行光に変換され、無偏光
ビームスプリッタ11で振幅分割を受けた後、透過した光
束は対物レンズ111により光カード101上に光スポットと
して絞り込まれ、記録を行なう。光カード101で反射さ
れた光束は光路を逆進し、無偏光ビームスプリッタ11で
反射された後、球面レンズ12、円筒レンズ13から成る非
点収差発生光学系を通過してセンサ28の受光部へ到達す
る。
他方、無偏光ビームスプリッタ11で反射された光束
は、該無偏光ビームスプリッタ11の出射面の1つに形成
された誘電体等からなる反射面17で再び反射され、再び
無偏光ビームスプリッタ11を通過して、破線で示す光路
をたどり、センサ28の受光部に到達する。反射面17は傾
斜がつけてあり、そのため反射された光束は光カード10
1で反射された光束とは異なる角度で進行し、従ってセ
ンサ28の受光部においても光カード101からの反射光束
とは異なる位置に集光される。
第2図は前記センサ28の受光部を示すものであり、図
中21は情報再生用センサ、23は発光量制御用センサを表
わす。情報再生用センサ21は4分割された受光部211,21
2,213,214から成り、その中央部に前記光カード101から
反射された光束20が集光される。そして各受光部からの
出力に対して、受光部211と213の出力の和と受光部212
と214の和との差を非点収差方式によるオートフォーカ
ス制御用の信号とする。また受光部211と212の出力の和
と受光部213と214の和との差をプッシュプル方式により
オートトラッキング制御用の信号とする。更に4つの受
光部からの出力の総和を情報再生信号として用いる。
発光量制御用センサ23は単一の受光面から成り、該受
光面上に前記反射面17で反射された光束22が集光され
る。
再び第1図において、前記発光量制御用センサ23の出
力はアンプ5を経て比較器6へ入る。他方CPU7からの指
令によりインターフェイス1は記録・再生の状態にそれ
ぞれ対応して好適な発光量を示す基準信号を比較器6に
送る。比較器6においては両者の信号を比較した結果を
レーザ制御部3へ送り、この信号に基づいてレーザ制御
部3は好適である発光状態となるようにレーザドライバ
4を制御する。
本実施例の特徴は、既に述べたように反射面17が、該
面に入射する光束の主光線に対して傾けて配置されてい
ることである。この配置により反射光は光カード101か
らの反射光とは異なる角度でセンサ28に向かい、従って
受光面上での分離が可能となる。また、反射面17で反射
された光束の一部は無偏光ビームスプリッタ11で反射さ
れて半導体レーザ108へ向かう光束となるが、該光束も
半導体レーザからの出射光束とは角度が異なるので半導
体レーザ108の発光部上に集光することはなく、従って
再結合により発生するレーザのノイズ等の有害な現象を
防ぐことができる。また、必要なら適当な位置でこのも
どり光だけ遮光することも可能である。
第3図及び第4図は本発明に係る光ヘッドAの第2実
施例を説明する図である。同図で示す実施例が第1の実
施例と異なる所はオートトラッキング制御に回折格子30
を用いた3ビーム法を適用する点にある。また第3図
が、第1図と異なるところは、上述の回折格子30が付加
された事の他に、反射面17′の傾き方向が回折格子30に
よって発生する3ビームの並び方向と略直交する方向で
あること、後に第4図を用いて説明するようにセンサ28
の受光面配置が若干異なることである。その他の部材は
第1図と同じであるので、同一番号を付し、説明は省略
する。
第4図はセンサ28の受光部の構成を示す図である。該
受光部は、情報再生並びにオートフォーカス制御のため
の4分割された受光部21とオートトラッキング制御のた
めの2つの受光部32,33、および発光量制御用センサの
受光部41が好ましくは同一基板上に配置されて成るもの
である。光カード101で反射されて受光部21,32,33に集
光した光束43,44,45はオートフォーカス制御、オートト
ラッキング制御及び情報再生に用いられる。他方、反射
面17′で反射されて受光部41上に集光された光束34,35,
36は半導体レーザのの発光量制御に用いられる。
前に述べたように反射面17′を傾けて光束34,35,36
を、光束43,44,45の並び方向と略直交する方向にずらし
てその集光位置で受光するような構成としたことによ
り、受光部間の距離が短かくなり同一基板上に上記セン
サを配置するうえで好都合となる。また、反射面17′と
ビームスプリッタの振幅分割面は所謂2枚鏡構成となっ
て光束を反射するのでビームスプリッタ11の組立時の位
置設定誤差の影響を受けにくく、センサ28へ向かう光束
の方向は常に一定となる。従って受光部41と21,32,33は
予め同一基板上に所定の間隔で配置することが可能とな
り、調整作業が容易となる。
なお、発光量制御に用いるセンサ41は単一の受光部で
3つの光束34,35,36を受光する構造としたが、これは半
導体レーザ108のモードホップ等に起因する回折効率の
変動があった場合でも、複数の光束の光量和を受光する
ため上記変動の影響を受けにくくなり好都合である。勿
論前記受光部を光束34,35,36各々に対応した個別の受光
部に分割し、後でそれらの和信号を得る方式にしても良
い。
受光部41で検出された信号は発光量制御用信号として
第3図のアンプ5に入力され、以下第1の実施例と同様
の過程を経て半導体レーザ108の発光量が安定に制御さ
れる。
本発明の光ヘッドAの第3実施例を第5図及び第6図
を用いて説明する。本実施例の特徴は、光源としてそれ
ぞれが独立駆動可能な複数の発光点を有する半導体レー
ザアレイ51を光源として用いる点にある。半導体レーザ
アレイ51からの複数の光束は光カード101により反射さ
れ、第6図に示すようにセンサ50上に設けられた情報再
生用の受光部61,62,63で受光され、例えばそれぞれが情
報の記録・再生オートフォーカシング制御、オートトラ
ッキング制御、記録情報の再生確認、光カード101上の
異物検知等の役割を持つ。他方コリメーターレンズ109
を通過後、無偏光ビームスプリッタ11により反射された
光束は第2実施例と同様の反射面17′により、前記光カ
ード101で反射された光束とは半導体レーザアレイ51の
発光点の並びと略直交する方向に角度を有する光束とな
ってセンサ50上の受光部71,72,73にそれぞれ分離して集
光され、発光量制御用信号を発生する。受光部71,72,73
は第2実施例とは異なり個々の光束に対応して独立に設
けられる。従って隣り合った半導体レーザの発光量の影
響を受けることなくそれぞれの発光部の発光量を検知す
る事ができる。各受光部71,72,73からの出力はアンプ5
1,52,53を通じて比較器6へ送られ、その後第1又は第
2実施例と同様の出力を独立に制御することが可能とな
る。
次に、本発明に係る光ヘッドBの実施例を説明する。
第7図は本発明に係る光ヘッドBの第1実施例の構成
を示すブロック図である。同図は焦点制御に非点収差方
式、トラッキング制御にプッシュプル方式を用いた光ヘ
ッドを表わす。
同図において、108は半導体レーザ、109は該半導体レ
ーザから出射した光束を平行光化するためのコリメータ
ーレンズ、10は光束の断面を略円形に整形するための整
形プリズム、11はビームスプリッタ、111は対物レン
ズ、101は光カード、12は球面レンズ、13は円筒レン
ズ、14は情報再生用センサ、15は発光量制御用センサ、
16は反射ミラーをあらわす。また、4は半導体レーザ10
8を駆動するためのレーザドライバ回路、6は比較器、2
5は比較器6に入力されるレーザ駆動用の基準信号、5
は発光量制御用センサの出力を増幅するためのアンプ回
路をあらわす。
以下、係る光ヘッドによる発光量制御の方法を順を追
って説明する。
半導体レーザ108より出射し、コリメーター109、整形
プリズム10を通過した光束は、ビームスプリッタ11で透
過光と反射光に分割される。反射光は対物レンズ111で
光カード101の媒体面に光スポットに絞り込まれ、不図
示の駆動機構を用いて光スポットと光カードを相対的に
移動させながら情報をピットの形で記録してゆく。光カ
ード101の媒体面で反射された光束は、光路を逆進し、
ビームスプリッタ11を透過した後球面レンズ12、円筒レ
ンズ13を経て情報再生用センサ14に入射し、情報信号、
焦点制御及びトラッキング制御用の信号を得る。
一方、整形プリズム10を通過した後、ビームスプリッ
タ11を透過した光束は反射ミラー16によって反射され、
図中に破線で示すように該反射ミラーに至った光路を逆
進して、コリメーターレンズ109で集光され、発光量制
御用センサ15に入射する。反射ミラー16の反射面は誘導
体膜等を蒸着して形成され、レーザ光に対する反射率を
できるだけ高くしたものが好ましい。また反射ミラー16
は、反射光を半導体レーザの傍に設けた発光量制御用セ
ンサ15に入射させるため若干傾きを持たせて固設してあ
る。
発光量制御用センサ15で検出された光信号はアンプ回
路5で増幅された後、比較器6に入力される。他方、該
比較器には不図示の上位制御装置から記録、再生状態に
それぞれ対応して好適な発光量を示す基準信号25が入力
され、これら2つの入力信号を比較して、最終的に半導
体レーザの発光量が所望の状態になるようにレーザドラ
イバ4にフィードバック制御がかけられる。
ここで光カード101が前述の如く複屈折性を有するも
のである場合には、情報再生用センサ14に到達する光量
の複屈折に起因する変動を避けるために、前記ビームス
プリッタ11を無偏光ビームスプリッタにする事が好適で
ある。
また、発光量制御用センサ15は半導体レーザ108の内
部に内臓して一体化することも可能である。
本発明の利点は上記説明からも分るように、コリメー
ターレンズ109が受光量制御用センサ15に対する集光レ
ンズも兼ねていることである。従って、新たな集光レン
ズを設ける必要なしに十分な光量を得ることができ、信
号のS/Nを良好に保つことができる。
第8図は本発明に係る光ヘッドBの第2実施例の構成
を示すブロック図である。同図に示す構成は第7図とほ
ぼ同様であるが、異なる所はビームスプリッタ11を透過
した光束側に対物レンズ111を配置したことと、反射ミ
ラー16を一枚の反射鏡ではなく、図示するように2枚の
反射面を有する所謂2枚鏡にしたことにある。この場
合、ビームスプリッタ11で反射した光束を反射ミラー16
で発光量制御用センサ15に戻すことになる。光ヘッドの
構成上、対物レンズ111を上記の位置に置く必要がある
場合は係る配置とする。また反射ミラー16の2枚の反射
面のなす角度は直角からわずかにずれた角度に設定して
おくことにより、半導体レーザ側から入射した光束はそ
の方向によらず、必ず入射光束に対して一定の角度を成
すもどり光となる。従って発光量制御用センサ15は予め
半導体レーザ108と一定の距離を置いた状態で一体化し
ておけば、必ずもどり光が該センサ上に集光されるため
位置調整は簡単である。
第9図(a)及び(b)は本発明に係る光ヘッドBの
第3実施例の構成を示すブロック図である。図中、第7
図と同一の番号を付した部材については説明を省略す
る。本実施例が第7図で示した実施例と異なる所は、反
射ミラー16を設けるかわりにビームスプリッタ11を構成
するプリズムの面17が反射面と成っていることである。
また、発光量制御用センサ15は第9図(b)に示すよう
に、半導体レーザ内部に収納されている。第9図(b)
は半導体レーザ108を光軸方向から見た図をあらわし、1
08−1はマウント、108−2はサブマウント、108−3は
レーザ発光部をあらわす。発光制御用センサ15はマウン
ト108−1上に、レーザ発光部108−3と所定の距離をお
いて設けられている。該発光量制御用センサ15は、通常
の半導体レーザにおいて半導体レーザの後方に光量モニ
ター用のホトダイオードを設けるのと同様の手法を用い
て形成することが出来る。またその光軸方向の位置はレ
ーザ発光部108−3と正確に同一面内にある必要はな
く、後述するようにもどり光を検出できる範囲内で任意
に設定できる。
本実施例においては、ビームスプリッタ11の一面17に
金属又は誘電体の反射膜を形成することにより、第1の
実施例の如く新たな反射ミラー16を設ける必要もなく、
従って部品数を増やさずに同様の効果を得ることができ
る。このようにビームスプリッタ11の1面を反射面とす
ることにより、機械的にも安定なものになるという効果
を有する。
数値例を挙げると、例えば ・コリメーターレンズの焦点距離…fC=4.5mm ・整形プリズムの整形比…γ=2 ・ビームスプリッタ11のハーフミラー面と反射面17の成
す角度θ=46° ・ビームスプリッタプリズムの屈折率n=1.5 としたとき、破線で示すもどり光がコリメーターレンズ
によって結像される位置lは、レーザ発光部から測っ
て、概略、 l=2nγ・fCtan(θ−45°)=470(μm) となり、半導体レーザのパッケージ内に発光量制御用セ
ンサも容易に封入できる寸法であることが分る。なお、
この発光量制御用センサは単に光量を検出することが目
的であるから、コリメーターレンズの設計仕様で示され
る画角特性を越える範囲の入射角でもどる光を受光した
としても、それによる結像性能の劣化は無視し得る。
また、実施例中に用いた反射ミラー16、反射面17によ
って情報再生用センサ14の方向に戻る光も存在するが、
既に説明したように反射面(反射ミラー16、ビームスプ
リッタに設けられた反射面17を含む)は傾けられてお
り、該センサ14に直接光が入射することはない。あるい
は必要ならば光路の途中で遮光することも可能である。
[発明の効果] 以上実施例を用いて説明したように、本発明に係る光
ヘッドA及び光ヘッドBによれば、 集光用のレンズを新たに設ける必要がなく、単に平
面状の反射面を一面追加するだけで十分な光量が検出で
き、S/N比の良好な安定した信号が得られる。
反射面とビームスプリッタの組合せにより、2枚鏡
を構成したもので発光量制御用センサーの位置調整が容
易になる。
等の特長を有し、従って従来の光ヘッドに比べて重量
を増やすことなく、また構成も複雑化することなしにレ
ーザ発光量の安定化を達成できるという効果を有するも
のである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る光ヘッドAの第1実施例の構成を
示すブロック図、第2図はその光ヘッドに使用するセン
サを示す図である。 第3図は本発明に係る光ヘッドAの第2実施例の構成を
示すブロック図、第4図はその光ヘッドに使用するセン
サを示す図である。 第5図は本発明に係る光ヘッドAの第3実施例の構成を
示すブロック図、第6図はその光ヘッドに使用するセン
サを示す図である。 第7図,第8図,第9図(a)はそれぞれ本発明に係る
光ヘッドBの第1,第2,第3実施例の構成を示すブロック
図であり、第9図(b)はその第3実施例の半導体レー
ザ及びセンサを示す図である。 第10図は光カード記録再生装置を説明する為の図であ
る。 第11図は光カードを説明する為の図である。 1……インターフェイス、2……エンコーダ、3……レ
ーザ制御部、4……レーザドライバ、5……アンプ、6
……比較器、7……CPU、108……半導体レーザ、109…
…コリメーターレンズ、11……ビームスプリッタ、12…
…球面レンズ、13……円筒レンズ、14……情報再生用セ
ンサ、15……発光量制御用センサ、16……反射ミラー、
17……反射面、101……光カード、111……対物レンズ。

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体レーザから発せられる光束をコリメ
    ータレンズにより平行光束となし、該平行光束を無偏光
    ビームスプリッタにより振幅分割して得られた光束のう
    ちの一方の光束を対物レンズを介して光学的情報記録媒
    体に照射し、その反射光を前記対物レンズ及び集光レン
    ズを介して第1の光検出器に導いて情報の記録及び/又
    は再生を行なう光ヘッドであって、 前記無偏光ビームスプリッタにより振幅分割して得られ
    た光束のうちの他方の光束を反射するための反射面を有
    し、該反射面で反射された光束が前記集光レンズによっ
    て集光される位置に第2の光検出器が設けられており、
    該第2の光検出器の出力を用いて前記半導体レーザの発
    光量を制御することを特徴とする光ヘッド。
  2. 【請求項2】前記第2の光検出器と前記第1の光検出器
    とが同一基板上に一体形成されていることを特徴とす
    る、請求項1に記載の光ヘッド。
  3. 【請求項3】半導体レーザから発せられる光束をコリメ
    ータレンズにより平行光束となし、該平行光束を無偏光
    ビームスプリッタにより振幅分割して得られた光束のう
    ちの一方の光束を対物レンズを介して光学的情報記録媒
    体に照射し、その反射光を前記対物レンズを介して第1
    の光検出器に導いて情報の記録及び/又は再生を行なう
    光ヘッドであって、 前記無偏光ビームスプリッタにより振幅分割して得られ
    た光束のうちの他方の光束を反射するための反射面を有
    し、該反射面で反射された光束が前記コリメータレンズ
    によって集光される位置に第2の光検出器が設けられて
    おり、該第2の光検出器の出力を用いて前記半導体レー
    ザの発光量を制御することを特徴とする光ヘッド。
  4. 【請求項4】前記無偏光ビームスプリッタは振幅分割面
    を間に介在させて2つのプリズムを接合して成り、且つ
    該2つのプリズムのうちの一方には前記振幅分割面で振
    幅分割して得られた前記他方の光束が入射する前記反射
    面が形成されていることを特徴とする、請求項1または
    3に記載の光ヘッド。
  5. 【請求項5】前記反射面は前記他方の光束の主光線に対
    して傾けて設けられていることを特徴とする、請求項1,
    3または4に記載の光ヘッド。
  6. 【請求項6】前記反射面は2枚鏡で構成され、且つ該2
    枚鏡により前記他方の光束がその進行方向と略同一の方
    向を逆向きに反射せしめられることを特徴とする、請求
    項3に記載の光ヘッド。
  7. 【請求項7】前記第2の光検出器は前記半導体レーザ内
    にその発光部の近傍に一体形成されていることを特徴と
    する、請求項3に記載の光ヘッド。
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