JPH07296441A - 光学装置 - Google Patents
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- JPH07296441A JPH07296441A JP6092559A JP9255994A JPH07296441A JP H07296441 A JPH07296441 A JP H07296441A JP 6092559 A JP6092559 A JP 6092559A JP 9255994 A JP9255994 A JP 9255994A JP H07296441 A JPH07296441 A JP H07296441A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気信号を検出する光学装置の構成の簡潔
化、小型化を図る。 【構成】 光磁気信号を検出する光学装置において、発
光部４と受光部５とが共通の基板上に近接配置され、発
光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻り光を受
光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学素子１０
１を備え、光学素子１０１上の受光部５に戻り光の光軸
に対して傾斜した受光面を形成して該受光部表面に偏光
選択透過機能を持たせ、光磁気媒体３４からの戻り光を
光学素子１０１上の受光部５で受光検出するように構成
する。
化、小型化を図る。 【構成】 光磁気信号を検出する光学装置において、発
光部４と受光部５とが共通の基板上に近接配置され、発
光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻り光を受
光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学素子１０
１を備え、光学素子１０１上の受光部５に戻り光の光軸
に対して傾斜した受光面を形成して該受光部表面に偏光
選択透過機能を持たせ、光磁気媒体３４からの戻り光を
光学素子１０１上の受光部５で受光検出するように構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光磁気信号を検出する
光学装置、特に新規な光学素子を備えた光学装置に関す
る。
光学装置、特に新規な光学素子を備えた光学装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の光学装置、いわゆる光磁気ディス
クドライブの光磁気ピックアップ部では、ウォーラスト
ンプリズム、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）などの偏
光素子を用い、各光学部品をハイブリッドに組み立てて
構成されている。このため、光磁気ピックアップ全体の
構成が複雑且つ大きくなり、また光学的な配置設定に際
して高いアライメント精度を必要としていた。
クドライブの光磁気ピックアップ部では、ウォーラスト
ンプリズム、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）などの偏
光素子を用い、各光学部品をハイブリッドに組み立てて
構成されている。このため、光磁気ピックアップ全体の
構成が複雑且つ大きくなり、また光学的な配置設定に際
して高いアライメント精度を必要としていた。
【０００３】しかも、各光学素子単体が高価であるため
に、光磁気ピックアップのコストダウンが図りにくいと
いう問題があった。
に、光磁気ピックアップのコストダウンが図りにくいと
いう問題があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、光磁気信号
を検出する光学装置において、その光学部品点数の削減
及び光学的な配置設定に際してのアライメントの容易化
を可能にし、装置全体の構成の簡潔化及び小型化を図
り、併せて安価に提供できるようにするものである。
を検出する光学装置において、その光学部品点数の削減
及び光学的な配置設定に際してのアライメントの容易化
を可能にし、装置全体の構成の簡潔化及び小型化を図
り、併せて安価に提供できるようにするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、光磁気信
号を検出する光学装置において、発光部４と受光部５と
が共通の基板６上に近接配置され、発光部４からの出射
光の光磁気媒体３４からの戻り光を受光部５によって共
焦点近傍で受光検出する光学素子１（又は１０１，１０
２，１０３，１０４，１０５）を備え、光磁気媒体３４
からの戻り光を光学素子１（又は１０１，１０２，１０
３，１０４，１０５）上の受光部５で受光して光磁気信
号を検出する構成とする。
号を検出する光学装置において、発光部４と受光部５と
が共通の基板６上に近接配置され、発光部４からの出射
光の光磁気媒体３４からの戻り光を受光部５によって共
焦点近傍で受光検出する光学素子１（又は１０１，１０
２，１０３，１０４，１０５）を備え、光磁気媒体３４
からの戻り光を光学素子１（又は１０１，１０２，１０
３，１０４，１０５）上の受光部５で受光して光磁気信
号を検出する構成とする。
【０００６】第２の発明は、第１の発明の光学装置、即
ち発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置さ
れ、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻り
光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学素
子１を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学素子１
上の受光部５で受光して光磁気信号を検出する光学装置
において、互に直交する軸に関する透過率が異なる偏光
手段３２を配し、出射光と戻り光を上記偏光手段３２に
通過させる構成とする。
ち発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置さ
れ、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻り
光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学素
子１を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学素子１
上の受光部５で受光して光磁気信号を検出する光学装置
において、互に直交する軸に関する透過率が異なる偏光
手段３２を配し、出射光と戻り光を上記偏光手段３２に
通過させる構成とする。
【０００７】第３の発明は、第１の発明の光学装置、即
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学
素子１０１を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学
素子１０１上の受光部５で受光して光磁気信号を検出す
る光学装置において、光学素子１０１上の受光部５に戻
り光の光軸に対して傾斜した受光面４１を形成して該受
光部表面に偏光選択透過機能を持たせた構成とする。
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学
素子１０１を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学
素子１０１上の受光部５で受光して光磁気信号を検出す
る光学装置において、光学素子１０１上の受光部５に戻
り光の光軸に対して傾斜した受光面４１を形成して該受
光部表面に偏光選択透過機能を持たせた構成とする。
【０００８】第４の発明は、第３の発明の光学装置、即
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部によって共焦点近傍で受光検出する光学素
子１０２を備え、該光学素子１０２上の受光部５に戻り
光の光軸に対して傾斜した受光面４１を形成して受光部
表面に偏光選択透過機能を持たせ、光磁気媒体３４から
の戻り光を光学素子１０２上の受光部５で受光して光磁
気信号を検出する光学装置において、光学素子１０２
に、互いに異なる偏光選択透過特性を有する対の受光部
５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ〕を配し、この対の受光部
５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ〕を用いた差動構造により
光磁気信号を差動検出する構成とする。
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部によって共焦点近傍で受光検出する光学素
子１０２を備え、該光学素子１０２上の受光部５に戻り
光の光軸に対して傾斜した受光面４１を形成して受光部
表面に偏光選択透過機能を持たせ、光磁気媒体３４から
の戻り光を光学素子１０２上の受光部５で受光して光磁
気信号を検出する光学装置において、光学素子１０２
に、互いに異なる偏光選択透過特性を有する対の受光部
５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ〕を配し、この対の受光部
５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ〕を用いた差動構造により
光磁気信号を差動検出する構成とする。
【０００９】第５の発明は、第１の発明の受光装置、即
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学
素子１０３を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学
素子１０３上の受光部５で受光して光磁気信号を検出す
る光学装置において、光学素子１０３の受光部表面に金
属の櫛状格子５５を形成し、この櫛状格子５５による偏
光選択透過特性によって光磁気信号を検出する構成とす
る。
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学
素子１０３を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学
素子１０３上の受光部５で受光して光磁気信号を検出す
る光学装置において、光学素子１０３の受光部表面に金
属の櫛状格子５５を形成し、この櫛状格子５５による偏
光選択透過特性によって光磁気信号を検出する構成とす
る。
【００１０】第６の発明は、第１の発明の光学装置、即
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学
素子１０４を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学
素子１０４上の受光部５で受光して光磁気信号を検出す
る光学装置において、光学素子１０５に対の受光部５
〔５Ａ，５Ｂ〕を形成し、この対の受光部５〔５Ａ，５
Ｂ〕の表面に夫々異なる方向の金属の櫛状格子５５を形
成して異なる偏光選択透過特性を持たせ、対の受光部５
〔５Ａ，５Ｂ〕を用いた差動構造により、光磁気信号を
差動検出する構成とする。
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上に近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学
素子１０４を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学
素子１０４上の受光部５で受光して光磁気信号を検出す
る光学装置において、光学素子１０５に対の受光部５
〔５Ａ，５Ｂ〕を形成し、この対の受光部５〔５Ａ，５
Ｂ〕の表面に夫々異なる方向の金属の櫛状格子５５を形
成して異なる偏光選択透過特性を持たせ、対の受光部５
〔５Ａ，５Ｂ〕を用いた差動構造により、光磁気信号を
差動検出する構成とする。
【００１１】第７の発明は、第１の発明の光学装置、即
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上の近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学
素子１０５を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学
素子１０５上の受光部５で受光して光磁気信号を検出す
る光学装置において、光学素子１０５上に、異なる方向
の金属の櫛状格子５５を有して異なる偏光選択透過特性
を持つ対の受光部を複数組設け、（５ａ，５ｂ）、（５
ｃ，５ｄ）、（５ｅ，５ｆ）、（５ｇ，５ｈ）、（５
ｉ，５ｊ）、（５ｋ，５ｌ）、（５ｍ，５ｎ）、（５
ｏ，５ｐ）同方向の金属の櫛状格子５５を有する受光部
同士（５ａ，５ｃ，５ｅ，５ｇ，５ｉ，５ｋ，５ｍ，５
ｏ）、（５ｂ，５ｄ，５ｆ，５ｈ，５ｊ，５ｌ，５ｎ，
５ｐ）を市松模様状に配列する構成とする。
ち、発光部４と受光部５とが共通の基板６上の近接配置
され、発光部４からの出射光の光磁気媒体３４からの戻
り光を受光部５によって共焦点近傍で受光検出する光学
素子１０５を備え、光磁気媒体３４からの戻り光を光学
素子１０５上の受光部５で受光して光磁気信号を検出す
る光学装置において、光学素子１０５上に、異なる方向
の金属の櫛状格子５５を有して異なる偏光選択透過特性
を持つ対の受光部を複数組設け、（５ａ，５ｂ）、（５
ｃ，５ｄ）、（５ｅ，５ｆ）、（５ｇ，５ｈ）、（５
ｉ，５ｊ）、（５ｋ，５ｌ）、（５ｍ，５ｎ）、（５
ｏ，５ｐ）同方向の金属の櫛状格子５５を有する受光部
同士（５ａ，５ｃ，５ｅ，５ｇ，５ｉ，５ｋ，５ｍ，５
ｏ）、（５ｂ，５ｄ，５ｆ，５ｈ，５ｊ，５ｌ，５ｎ，
５ｐ）を市松模様状に配列する構成とする。
【００１２】
【作用】上述した第１〜第７の発明においては、発光部
４と受光部５が共通の基板６上に近接配置された光学素
子１〔又は１０１，１０２，１０３，１０４，１０５〕
を用い、光磁気媒体３４で反射した戻り光を受光部５で
受光して光磁気信号を検出することにより、光学装置を
構成する光学部品点数を削減することができ、装置全体
の構成の簡潔化及び小型化をはかることができる。
４と受光部５が共通の基板６上に近接配置された光学素
子１〔又は１０１，１０２，１０３，１０４，１０５〕
を用い、光磁気媒体３４で反射した戻り光を受光部５で
受光して光磁気信号を検出することにより、光学装置を
構成する光学部品点数を削減することができ、装置全体
の構成の簡潔化及び小型化をはかることができる。
【００１３】そして、光学素子において、発光部４と受
光部５が近接配置され、つまり集束手段（光学レンズ）
３３の共焦点位置にある発光部４に対し、その共焦点近
傍位置に受光部５が配置されるので、相互の光学的位置
関係が高精度に得られ、しかも、発光部４及び受光部５
を一体化した構成であるので、装置の組立てに際しても
アライメントが容易となる。
光部５が近接配置され、つまり集束手段（光学レンズ）
３３の共焦点位置にある発光部４に対し、その共焦点近
傍位置に受光部５が配置されるので、相互の光学的位置
関係が高精度に得られ、しかも、発光部４及び受光部５
を一体化した構成であるので、装置の組立てに際しても
アライメントが容易となる。
【００１４】第２の発明によれば、互いに直交する軸に
関する透過率が異なる偏光手段３２を配し、出射光を偏
光手段３２に通過して光磁気媒体３４に照射し、これら
かの戻り光を再び偏光手段３２に通過させて受光部５で
受光するので、光磁気媒体３４からの戻り光、即ちカー
効果によって偏光面が回転した戻り光の記録情報に応じ
た光強度差によって光磁気信号の検出が可能になる。
関する透過率が異なる偏光手段３２を配し、出射光を偏
光手段３２に通過して光磁気媒体３４に照射し、これら
かの戻り光を再び偏光手段３２に通過させて受光部５で
受光するので、光磁気媒体３４からの戻り光、即ちカー
効果によって偏光面が回転した戻り光の記録情報に応じ
た光強度差によって光磁気信号の検出が可能になる。
【００１５】第３の発明によれば、受光部５に戻り光の
光軸に対して傾斜した受光面４１を形成して受光部表面
に偏光選択透過機能を持たせた光学素子１０１を用いる
ことにより、偏光手段を別途配置することなく、光磁気
信号の検出ができ、さらに光学部品の削減を可能にし、
更なる構成の簡潔化及び小型化が図られる。
光軸に対して傾斜した受光面４１を形成して受光部表面
に偏光選択透過機能を持たせた光学素子１０１を用いる
ことにより、偏光手段を別途配置することなく、光磁気
信号の検出ができ、さらに光学部品の削減を可能にし、
更なる構成の簡潔化及び小型化が図られる。
【００１６】第４の発明によれば、第３の発明の光学装
置において、光学素子１０２上の互いに異なる偏光選択
透過特性を有する対の受光部５を用いた差動構造によっ
て、光磁気信号の差動検出を可能にし、光強度変動の影
響のない光磁気信号が得られる。
置において、光学素子１０２上の互いに異なる偏光選択
透過特性を有する対の受光部５を用いた差動構造によっ
て、光磁気信号の差動検出を可能にし、光強度変動の影
響のない光磁気信号が得られる。
【００１７】第５の発明によれば、光学素子１０３の受
光部表面に金属の櫛状格子５５を形成し、櫛状格子５５
による偏光選択透過特性によって、光磁気信号を検出す
るので、偏光手段を別途配置することなく光磁気信号の
検出ができ、さらに、光学部品の削減を可能にし、更な
る構成の簡潔化及び小型化がはかられる。
光部表面に金属の櫛状格子５５を形成し、櫛状格子５５
による偏光選択透過特性によって、光磁気信号を検出す
るので、偏光手段を別途配置することなく光磁気信号の
検出ができ、さらに、光学部品の削減を可能にし、更な
る構成の簡潔化及び小型化がはかられる。
【００１８】第６の本発明によれば、光学素子１０４に
対の受光部５を形成し、対の受光部５への表面に夫々異
なる方向の金属の櫛状格子５５を形成して異なる偏光選
択透過特性を持たせることにより、この対の受光部５を
用いた差動構造で光磁気信号の差動検出を可能にし、光
強度変動の影響のない光磁気信号が得られる。
対の受光部５を形成し、対の受光部５への表面に夫々異
なる方向の金属の櫛状格子５５を形成して異なる偏光選
択透過特性を持たせることにより、この対の受光部５を
用いた差動構造で光磁気信号の差動検出を可能にし、光
強度変動の影響のない光磁気信号が得られる。
【００１９】第７の発明によれば、光学素子１０５上
に、異なる方向の金属の櫛状格子５５を有して異なる偏
光選択透過特性を持つ対の受光部５を複数組設け、同方
向の金属の櫛状格子５５を有する受光部同士（５ａ，５
ｃ，５ｅ，５ｇ，５ｉ，５ｋ，５ｍ，５ｏ）、（５ｂ，
５ｄ，５ｆ，５ｈ，５ｉ，５ｌ，５ｎ，５ｐ）を市松模
様状に配列することにより、光学素子１０５の受光部５
に結像する光スポットの形状に偏りが生じた場合にも光
磁気信号の正確な差動検出が行なえる。
に、異なる方向の金属の櫛状格子５５を有して異なる偏
光選択透過特性を持つ対の受光部５を複数組設け、同方
向の金属の櫛状格子５５を有する受光部同士（５ａ，５
ｃ，５ｅ，５ｇ，５ｉ，５ｋ，５ｍ，５ｏ）、（５ｂ，
５ｄ，５ｆ，５ｈ，５ｉ，５ｌ，５ｎ，５ｐ）を市松模
様状に配列することにより、光学素子１０５の受光部５
に結像する光スポットの形状に偏りが生じた場合にも光
磁気信号の正確な差動検出が行なえる。
【００２０】
【実施例】本発明による光学装置の実施例を図面を参照
して詳細に説明する。
して詳細に説明する。
【００２１】先ず、図１０〜図１８を用いて本発明の光
学装置に使用される新規な光学素子の原理的構成につい
て説明する。図１０において、１は光学素子、２は例え
ば光記録媒体等の被照射部、３は収束手段即ち集光光学
レンズを示す。
学装置に使用される新規な光学素子の原理的構成につい
て説明する。図１０において、１は光学素子、２は例え
ば光記録媒体等の被照射部、３は収束手段即ち集光光学
レンズを示す。
【００２２】光学素子１は、発光部４と受光部５とが共
通の基板６上に一体化されて成り、発光部４からの出射
光が、被照射部２に収束照射し、この被照射部２から反
射された戻り光が収束手段３によって集光され、収束手
段３の共焦点の近傍位置に配置された受光部５に受光さ
れるように構成される。この構成では発光部４からの出
射光が、被照射部２において反射される前及び後におい
て、この光軸を鎖線ａで示すように、互いに同軸の経路
を通過して受光部５において受光される構成とする。
通の基板６上に一体化されて成り、発光部４からの出射
光が、被照射部２に収束照射し、この被照射部２から反
射された戻り光が収束手段３によって集光され、収束手
段３の共焦点の近傍位置に配置された受光部５に受光さ
れるように構成される。この構成では発光部４からの出
射光が、被照射部２において反射される前及び後におい
て、この光軸を鎖線ａで示すように、互いに同軸の経路
を通過して受光部５において受光される構成とする。
【００２３】この光学素子１では、発光部４が水平共振
器を有する半導体レーザ８、反射鏡７とで構成され、受
光部５がフォトダイオード（ＰＤ）で構成される。半導
体レーザ８は、これからの出射光を反射鏡７によって反
射させて被照射部２に向かう経路に一致させている。
器を有する半導体レーザ８、反射鏡７とで構成され、受
光部５がフォトダイオード（ＰＤ）で構成される。半導
体レーザ８は、これからの出射光を反射鏡７によって反
射させて被照射部２に向かう経路に一致させている。
【００２４】そして、受光部５に向かう戻り光ＬR は、
光回折限界近傍まで収束させるものであり、受光部５は
その少なくとも一部の受光面が、この光回折限界内、す
なわち発光部４からの出射光の波長をλ、収束手段３の
開口数をＮＡとするとき、受光面の配置基準面Ｓを横切
る発光部１からの出射光の光軸ａからの距離が１．２２
λ／ＮＡ以内の位置に設けられるようにする。
光回折限界近傍まで収束させるものであり、受光部５は
その少なくとも一部の受光面が、この光回折限界内、す
なわち発光部４からの出射光の波長をλ、収束手段３の
開口数をＮＡとするとき、受光面の配置基準面Ｓを横切
る発光部１からの出射光の光軸ａからの距離が１．２２
λ／ＮＡ以内の位置に設けられるようにする。
【００２５】また、この場合、図１０及び図１１に示す
ように、受光部５の受光面の配置基準面Ｓでの発光部４
の出射光の直径φs 外を、上記光回折限界の直径φd よ
り小とし、受光部５の有効受光面は、発光の直径φs 外
に位置するようにする。ここで発光部４の光源として半
導体レーザを用いると、その出射光の直径φs は、約１
〜２μｍ程度とすることができる。一方、収束手段３の
開口数ＮＡが例えば０．０９〜０．１、出射光の波長λ
が７８０ｎｍ程度の場合、回折限界すなわちφ d は１．
２２λ／ＮＡ≒１０μｍ程度となる。
ように、受光部５の受光面の配置基準面Ｓでの発光部４
の出射光の直径φs 外を、上記光回折限界の直径φd よ
り小とし、受光部５の有効受光面は、発光の直径φs 外
に位置するようにする。ここで発光部４の光源として半
導体レーザを用いると、その出射光の直径φs は、約１
〜２μｍ程度とすることができる。一方、収束手段３の
開口数ＮＡが例えば０．０９〜０．１、出射光の波長λ
が７８０ｎｍ程度の場合、回折限界すなわちφ d は１．
２２λ／ＮＡ≒１０μｍ程度となる。
【００２６】そして、収束手段３の一の焦点位置に発光
部４を配置する。具体的にはこの共焦点位置に半導体レ
ーザ８からの出射光のウエストが位置するようにする。
そして、収束手段３の他方の焦点に被照射部２が位置す
るようにする。
部４を配置する。具体的にはこの共焦点位置に半導体レ
ーザ８からの出射光のウエストが位置するようにする。
そして、収束手段３の他方の焦点に被照射部２が位置す
るようにする。
【００２７】この光学素子１においては、発光部４から
の出射光を収束手段３すなわち、集光光学レンズを介し
てその共焦点位置に配置した被照射部２の光記録媒体に
照射すると、その照射光の光記録媒体２から反射された
戻り光、すなわち記録情報を含んで反射した戻り光が再
び収束手段３によって集光され、共焦点位置近傍に配置
された受光部５のフォトダイオードに入射し、この戻り
光が受光部５で受光検出されるようになる。即ち電気信
号に変換され再生信号として取り出される。
の出射光を収束手段３すなわち、集光光学レンズを介し
てその共焦点位置に配置した被照射部２の光記録媒体に
照射すると、その照射光の光記録媒体２から反射された
戻り光、すなわち記録情報を含んで反射した戻り光が再
び収束手段３によって集光され、共焦点位置近傍に配置
された受光部５のフォトダイオードに入射し、この戻り
光が受光部５で受光検出されるようになる。即ち電気信
号に変換され再生信号として取り出される。
【００２８】このとき、受光部５のフォトダイオードの
受光面を、光軸ａからの距離がφs／２より大で少なく
ともφd ／２以内になる領域を含む位置に配置すれば、
受光部５によって被照射部２からの戻り光を出射光と確
実に分離して検出することができるようになる。
受光面を、光軸ａからの距離がφs／２より大で少なく
ともφd ／２以内になる領域を含む位置に配置すれば、
受光部５によって被照射部２からの戻り光を出射光と確
実に分離して検出することができるようになる。
【００２９】この光学素子１は、上述したように発光部
４と受光部５とを共通の基板６に一体化してつくりつけ
た構造とすることによって、両者を必要十分に上述した
所定の位置関係に、容易に、かつ確実に設定して構成す
ることができる。
４と受光部５とを共通の基板６に一体化してつくりつけ
た構造とすることによって、両者を必要十分に上述した
所定の位置関係に、容易に、かつ確実に設定して構成す
ることができる。
【００３０】次に、上述した光学素子１の製造方法の代
表例を説明する。この例は選択的ＭＯＣＶＤによって製
造する場合である。
表例を説明する。この例は選択的ＭＯＣＶＤによって製
造する場合である。
【００３１】図１２Ａに示すように、第１導電形例えば
ｎ形の（１００）結晶面を主面とするＧａＡｓ基板より
なる基板６上に、半導体レーザを構成する各半導体層を
エピタキシャル成長する。すなわち、例えば順次基板６
と同導電型のＡｌＧａＡｓよりなる第１のクラッド層１
２、例えばＧａＡｓよりなる活性層１３、第１のクラッ
ド層１２と異なる第２導電型例えばｐ型の第２のクラッ
ド層１４とを順次ＭＯＣＶＤ等によってエピタキシーし
た積層半導体層を構成する。
ｎ形の（１００）結晶面を主面とするＧａＡｓ基板より
なる基板６上に、半導体レーザを構成する各半導体層を
エピタキシャル成長する。すなわち、例えば順次基板６
と同導電型のＡｌＧａＡｓよりなる第１のクラッド層１
２、例えばＧａＡｓよりなる活性層１３、第１のクラッ
ド層１２と異なる第２導電型例えばｐ型の第２のクラッ
ド層１４とを順次ＭＯＣＶＤ等によってエピタキシーし
た積層半導体層を構成する。
【００３２】次に、図１２Ｂに示すように、これらエピ
タキシャル成長した半導体層１４，１３および１２の一
部を半導体レーザＬＤとして残して少なくとも最終的に
反射鏡７を形成する部分をＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）等によってエッチングする。そしてこのエッチン
グ面による半導体層の端面を半導体レーザＬＤの一方の
共振器端面１８Ａとし、この端面１８Ａと対向する面を
同様に例えばＲＩＥによってエッチングして他方の共振
器端面１８Ｂとし、両端面１８Ａおよび１８Ｂ間に半導
体レーザの水平共振器を構成する。この場合、図示しな
いが、最終的に半導体レーザの共振器を構成する領域を
挟むように電流阻止領域を不純物のイオン注入によって
形成する。
タキシャル成長した半導体層１４，１３および１２の一
部を半導体レーザＬＤとして残して少なくとも最終的に
反射鏡７を形成する部分をＲＩＥ（反応性イオンエッチ
ング）等によってエッチングする。そしてこのエッチン
グ面による半導体層の端面を半導体レーザＬＤの一方の
共振器端面１８Ａとし、この端面１８Ａと対向する面を
同様に例えばＲＩＥによってエッチングして他方の共振
器端面１８Ｂとし、両端面１８Ａおよび１８Ｂ間に半導
体レーザの水平共振器を構成する。この場合、図示しな
いが、最終的に半導体レーザの共振器を構成する領域を
挟むように電流阻止領域を不純物のイオン注入によって
形成する。
【００３３】次いで、図１２Ｃに示すように、基板６上
に残された積層半導体層すなわち半導体レーザＬＤの構
成部を覆って、選択的ＭＯＣＶＤのマスク層１９例えば
ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等の例えば絶縁層を被着形成する。
に残された積層半導体層すなわち半導体レーザＬＤの構
成部を覆って、選択的ＭＯＣＶＤのマスク層１９例えば
ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ等の例えば絶縁層を被着形成する。
【００３４】次に、図１３Ａに示すように、マスク層１
９によって覆われていない基板６上に例えば第１導電型
例えばｎ型のＧａＡｓによる第１の半導体層２０を選択
的にＭＯＣＶＤによって形成する。
９によって覆われていない基板６上に例えば第１導電型
例えばｎ型のＧａＡｓによる第１の半導体層２０を選択
的にＭＯＣＶＤによって形成する。
【００３５】続いて、図１３Ｂに示すように、第２導電
型例えばｐ型のＧａＡｓによる第２の半導体層２１を選
択的にＭＯＣＶＤによって形成し、第１および第２の半
導体層２０および２１によってフォトダイオードＰＤを
形成する。
型例えばｐ型のＧａＡｓによる第２の半導体層２１を選
択的にＭＯＣＶＤによって形成し、第１および第２の半
導体層２０および２１によってフォトダイオードＰＤを
形成する。
【００３６】次いで、図１３Ｃに示すように、マスク層
１９をエッチング除去し、半導体レーザＬＤ上と、第２
半導体層２０上の一部とに、夫々半導体レーザＬＤとフ
ォトダイオードＰＤの各一方の電極２３および２４をオ
ーミックに被着し、基板６の裏面に共通の電極２５をオ
ーミックに被着する。
１９をエッチング除去し、半導体レーザＬＤ上と、第２
半導体層２０上の一部とに、夫々半導体レーザＬＤとフ
ォトダイオードＰＤの各一方の電極２３および２４をオ
ーミックに被着し、基板６の裏面に共通の電極２５をオ
ーミックに被着する。
【００３７】この場合、図１３Ｂの基板６上に選択的に
エピタキシャル成長された半導体層、この例では第１お
よび第２の半導体層２０および２１の、共振器端面１８
Ａと対向する面２６が特定された結晶面となる。例え
ば、半導体レーザの端面１８Ａおよび１８Ｂ間に形成さ
れた半導体レーザの水平共振器の共振器長方向、即ち図
１３Ｃ中矢印ｂで示す方向を〔０１１〕結晶軸方向とす
るときは対向面２６は｛１１１｝Ａによる斜面として生
じ、方向ｂを〔０−１１〕結晶軸方向とするときは｛１
１１｝Ｂによる傾斜として生じ、いずれも基板６の板面
とのなす角が５４．７°となる。また方向ｂを〔１０
０〕結晶軸方向とするときは対向面２６は｛１１０｝と
して生じ、基板６の面に対し、４５°をなす。いずれも
原子面によるモフォロジーの良い斜面２６として形成さ
れる。
エピタキシャル成長された半導体層、この例では第１お
よび第２の半導体層２０および２１の、共振器端面１８
Ａと対向する面２６が特定された結晶面となる。例え
ば、半導体レーザの端面１８Ａおよび１８Ｂ間に形成さ
れた半導体レーザの水平共振器の共振器長方向、即ち図
１３Ｃ中矢印ｂで示す方向を〔０１１〕結晶軸方向とす
るときは対向面２６は｛１１１｝Ａによる斜面として生
じ、方向ｂを〔０−１１〕結晶軸方向とするときは｛１
１１｝Ｂによる傾斜として生じ、いずれも基板６の板面
とのなす角が５４．７°となる。また方向ｂを〔１０
０〕結晶軸方向とするときは対向面２６は｛１１０｝と
して生じ、基板６の面に対し、４５°をなす。いずれも
原子面によるモフォロジーの良い斜面２６として形成さ
れる。
【００３８】したがって、このようにして形成された特
定された結晶面による斜面２６を、図１３Ｃに示すよう
に、半導体レーザの水平共振器の端面１８Ａからの出射
光を反射させて所定方向に設ける反射鏡７とすることが
できる。この構成によれば、反射鏡７が、結晶面によっ
て形成されることから鏡面性にすぐれ、またその傾きの
設定が確実に行われる。
定された結晶面による斜面２６を、図１３Ｃに示すよう
に、半導体レーザの水平共振器の端面１８Ａからの出射
光を反射させて所定方向に設ける反射鏡７とすることが
できる。この構成によれば、反射鏡７が、結晶面によっ
て形成されることから鏡面性にすぐれ、またその傾きの
設定が確実に行われる。
【００３９】尚、図１３で説明した例では、フォトダイ
オードＰＤを、基板６上にこれと同導電型のｎ型の半導
体層２０と、これと異なる導電型のｐ型の半導体層２１
とを順次エピタキシャル成長した場合であるが、フォト
ダイオードＰＤと半導体レーザＬＤとのクロストークを
低減化させるために、図１２で示した工程を経て後、図
１４Ａに示すように、半導体層２０および２１のエピタ
キシャル成長に先立って基板６と異なる第２導電型の例
えばｐ型の半導体層２８をエピタキシャル成長し、これ
を介してフォトダイオードＰＤを構成する半導体層２０
および２１をエピタキシーする構成とすることもでき
る。そして、この場合は、図１４Ｂに示すように、上層
の半導体層２１の一部をエッチングして下層の半導体層
２０の一部を外部に露呈させ、ここに独立に電極２９を
オーミックに被着して、フォトダイオードＰＤの両電極
を独立に導出し、半導体層２８をもって半導体レーザＬ
Ｄを分離する構成とする。
オードＰＤを、基板６上にこれと同導電型のｎ型の半導
体層２０と、これと異なる導電型のｐ型の半導体層２１
とを順次エピタキシャル成長した場合であるが、フォト
ダイオードＰＤと半導体レーザＬＤとのクロストークを
低減化させるために、図１２で示した工程を経て後、図
１４Ａに示すように、半導体層２０および２１のエピタ
キシャル成長に先立って基板６と異なる第２導電型の例
えばｐ型の半導体層２８をエピタキシャル成長し、これ
を介してフォトダイオードＰＤを構成する半導体層２０
および２１をエピタキシーする構成とすることもでき
る。そして、この場合は、図１４Ｂに示すように、上層
の半導体層２１の一部をエッチングして下層の半導体層
２０の一部を外部に露呈させ、ここに独立に電極２９を
オーミックに被着して、フォトダイオードＰＤの両電極
を独立に導出し、半導体層２８をもって半導体レーザＬ
Ｄを分離する構成とする。
【００４０】上述した光学素子１の例では、発光部４と
受光部５とを並置的に形成した場合であるが、これと同
様に発光部４上にもフォトダイオードＰＤを配置した構
成とすることもできる。
受光部５とを並置的に形成した場合であるが、これと同
様に発光部４上にもフォトダイオードＰＤを配置した構
成とすることもできる。
【００４１】この場合の一例をその製造方法の一例と共
に説明する。本例では、図１５ＡおよびＢに示すよう
に、図１２ＡおよびＢで説明したと同様に、半導体レー
ザを構成する各半導体層１２，１３，１４を形成し、こ
の半導体レーザの構成部を残して半導体層１２，１３，
１４の除去、電流阻止領域の形成を行なう。
に説明する。本例では、図１５ＡおよびＢに示すよう
に、図１２ＡおよびＢで説明したと同様に、半導体レー
ザを構成する各半導体層１２，１３，１４を形成し、こ
の半導体レーザの構成部を残して半導体層１２，１３，
１４の除去、電流阻止領域の形成を行なう。
【００４２】その後、図１５Ｃに示すように、マスク層
１９を、半導体層１４上の少なくとも一部に開口１９Ｗ
を形成するようにして端面１８Ａに形成する。
１９を、半導体層１４上の少なくとも一部に開口１９Ｗ
を形成するようにして端面１８Ａに形成する。
【００４３】次いで、図１６Ａ，ＢおよびＣに示すよう
に、図１３Ａ，ＢおよびＣで説明したと同様に半導体層
２０および２１の形成を行う。このとき、マスク層１９
の開口１９Ｗを通じて半導体レーザＬＤ上すなわち半導
体層１４上にも半導体層２０および２１の形成を行うこ
とができてフォトダイオードＰＤを形成することができ
る。
に、図１３Ａ，ＢおよびＣで説明したと同様に半導体層
２０および２１の形成を行う。このとき、マスク層１９
の開口１９Ｗを通じて半導体レーザＬＤ上すなわち半導
体層１４上にも半導体層２０および２１の形成を行うこ
とができてフォトダイオードＰＤを形成することができ
る。
【００４４】また、この場合においても、図１７に示す
ように、図１５Ａ，ＢおよびＣの工程を経て後に、図１
７ＡおよびＢに示すように、半導体レーザＬＤ上に、半
導体層２８を介してフォトダイオードＰＤを構成する半
導体層２０および２１をエピタキシャル成長し、半導体
レーザＬＤ上においてもフォトダイオードＰＤを構成す
ることもできる。
ように、図１５Ａ，ＢおよびＣの工程を経て後に、図１
７ＡおよびＢに示すように、半導体レーザＬＤ上に、半
導体層２８を介してフォトダイオードＰＤを構成する半
導体層２０および２１をエピタキシャル成長し、半導体
レーザＬＤ上においてもフォトダイオードＰＤを構成す
ることもできる。
【００４５】図１５〜図１７において、図１２〜図１４
に対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
に対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略す
る。
【００４６】上述の選択的ＭＯＣＶＤは、ガリウム原料
ガスとしてＴＭＧ（トリ・メチル・ガリウム）を用いた
メチル系ＭＯＣＶＤによることもできるし、ＴＥＧ（ト
リ・エチル・ガリウム）を用いたエチル系ＭＯＣＶＤに
よることもできる。そして、上述した光学素子１の例で
は、フォトダイオードを構成する半導体層２０および２
１、更にこれの下の半導体層２８をＧａＡｓによって形
成する場合は、そのＭＯＣＶＤは常圧ＭＯＣＶＤ、減圧
ＭＯＣＶＤを問わないが、なんらかの要求から各半導体
層２０，２１および２８の少なくともいずれかをＡｌＧ
ａＡｓによって構成する場合には、減圧ＭＯＣＶＤによ
ってエピタキシャル成長させるものとする。
ガスとしてＴＭＧ（トリ・メチル・ガリウム）を用いた
メチル系ＭＯＣＶＤによることもできるし、ＴＥＧ（ト
リ・エチル・ガリウム）を用いたエチル系ＭＯＣＶＤに
よることもできる。そして、上述した光学素子１の例で
は、フォトダイオードを構成する半導体層２０および２
１、更にこれの下の半導体層２８をＧａＡｓによって形
成する場合は、そのＭＯＣＶＤは常圧ＭＯＣＶＤ、減圧
ＭＯＣＶＤを問わないが、なんらかの要求から各半導体
層２０，２１および２８の少なくともいずれかをＡｌＧ
ａＡｓによって構成する場合には、減圧ＭＯＣＶＤによ
ってエピタキシャル成長させるものとする。
【００４７】発光部４および受光部５の構造および配置
等は、種々の構造および配置を採ることができるもので
ある。また、各部の導電型を図示とは逆の導電型に選定
することもできる。
等は、種々の構造および配置を採ることができるもので
ある。また、各部の導電型を図示とは逆の導電型に選定
することもできる。
【００４８】例えば、発光部４の半導体レーザは、上述
したように第１および第２のクラッド層１２および１４
と活性層１３のみによる構造に限られるものでなく、活
性層を挟んでガイド層が配置された構成とすることもで
きるし、第２のクラッド層上にキャップ層を有する構成
とすることもできる。更に、特開平３−７６２１８号公
開公報に開示された半導体レーザにおけるように、｛１
００｝結晶面を主面とする半導体基板に〔０１１〕方向
に延びるストライプリッジを形成し、この半導体基板上
に少なくとも第１のクラッド層、活性層、第２のクラッ
ド層等をエピタキシャル成長することによってリッジ上
にそのストライプ方向に沿う縁部から上方斜め成長速度
が遅い｛１１１｝Ｂ面が発生してくることにより、この
｛１１１｝Ｂ面による斜面によって挟み込まれた断面３
角形の第１のクラッド層、活性層、第２のクラッド層の
積層による半導体レーザ部が、他部のリッジの両側の溝
上のエピタキシャル成長半導体層と分断されて形成され
るいわゆるＳＤＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｄｏｕｂｌｅ
Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）構造とすることもでき
る。
したように第１および第２のクラッド層１２および１４
と活性層１３のみによる構造に限られるものでなく、活
性層を挟んでガイド層が配置された構成とすることもで
きるし、第２のクラッド層上にキャップ層を有する構成
とすることもできる。更に、特開平３−７６２１８号公
開公報に開示された半導体レーザにおけるように、｛１
００｝結晶面を主面とする半導体基板に〔０１１〕方向
に延びるストライプリッジを形成し、この半導体基板上
に少なくとも第１のクラッド層、活性層、第２のクラッ
ド層等をエピタキシャル成長することによってリッジ上
にそのストライプ方向に沿う縁部から上方斜め成長速度
が遅い｛１１１｝Ｂ面が発生してくることにより、この
｛１１１｝Ｂ面による斜面によって挟み込まれた断面３
角形の第１のクラッド層、活性層、第２のクラッド層の
積層による半導体レーザ部が、他部のリッジの両側の溝
上のエピタキシャル成長半導体層と分断されて形成され
るいわゆるＳＤＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ Ｄｏｕｂｌｅ
Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）構造とすることもでき
る。
【００４９】また、フォトダイオードＰＤは、単数設け
ることもできるが、例えばフォトダイオードを複数分割
構成とすることもできる。図１８はこの場合の概略構成
を示し、この場合発光部４を構成する半導体レーザＬＤ
が、例えば上述したリッジ状のＳＤＨ構成を採り、その
活性層１３による水平共振器の光出射端面に対向して図
１２〜図１７で説明した結晶面によって形成した反射鏡
７を形成し、半導体レーザＬＤからの出射光が反射鏡７
によって反射されて被照射部（図示せず）に向かうよう
にし、その周囲に複数個、本例では４個のフォトダイオ
ードＰＤを分割配置した構成とした場合である。
ることもできるが、例えばフォトダイオードを複数分割
構成とすることもできる。図１８はこの場合の概略構成
を示し、この場合発光部４を構成する半導体レーザＬＤ
が、例えば上述したリッジ状のＳＤＨ構成を採り、その
活性層１３による水平共振器の光出射端面に対向して図
１２〜図１７で説明した結晶面によって形成した反射鏡
７を形成し、半導体レーザＬＤからの出射光が反射鏡７
によって反射されて被照射部（図示せず）に向かうよう
にし、その周囲に複数個、本例では４個のフォトダイオ
ードＰＤを分割配置した構成とした場合である。
【００５０】而して、本発明に係る光学装置は、上述し
た光学素子１を用いて成るものである。図１は、本発明
に係る光学装置の一実施例を示す。本例においては、前
述した発光部４と受光部５が共通の基板６上に近接配置
した一体化構造の光学素子１と、偏光手段３２と、収束
手段３３とを備え、光学素子１上の発光部４からの出射
光が偏光手段３２を透過して光磁気媒体例えば光磁気デ
ィスク３４上に収束照射され、ここで反射した戻り光が
再び偏光手段３２を透過して光学素子１上の受光部５に
て受光されるように構成する。
た光学素子１を用いて成るものである。図１は、本発明
に係る光学装置の一実施例を示す。本例においては、前
述した発光部４と受光部５が共通の基板６上に近接配置
した一体化構造の光学素子１と、偏光手段３２と、収束
手段３３とを備え、光学素子１上の発光部４からの出射
光が偏光手段３２を透過して光磁気媒体例えば光磁気デ
ィスク３４上に収束照射され、ここで反射した戻り光が
再び偏光手段３２を透過して光学素子１上の受光部５に
て受光されるように構成する。
【００５１】偏光手段３２は、互に直交する軸に関する
透過率が異なる偏光選択透過特性を有した偏光板、本例
では図１のＹ軸方向に対し透過率が１、Ｘ軸方向に対し
透過率がＴ（Ｔ＜１）の偏光選択透過特性を有する偏光
板（例えばラミポール）を用いる。偏光手段３２は光学
素子１の発光部４からの出射光の偏光方向３８と、偏光
手段３２のＹ軸方向とがθ1 だけずれるように配置す
る。
透過率が異なる偏光選択透過特性を有した偏光板、本例
では図１のＹ軸方向に対し透過率が１、Ｘ軸方向に対し
透過率がＴ（Ｔ＜１）の偏光選択透過特性を有する偏光
板（例えばラミポール）を用いる。偏光手段３２は光学
素子１の発光部４からの出射光の偏光方向３８と、偏光
手段３２のＹ軸方向とがθ1 だけずれるように配置す
る。
【００５２】収束手段３３は、収束光学レンズ、即ち光
磁気ディスク３４に対向する対物レンズ３５と、光学素
子１及び偏光手段３２間に配したコリメータレンズ３６
とを有して成る。
磁気ディスク３４に対向する対物レンズ３５と、光学素
子１及び偏光手段３２間に配したコリメータレンズ３６
とを有して成る。
【００５３】そして、ここでは、収束光学レンズ３３の
一の焦点位置に光学素子１の発光部４が存するように、
具体的には共焦点位置に半導体レーザＬＤからの出射光
のウエストが位置するように光学素子１を配し、上記収
束光学レンズ３３の他方の焦点位置に光磁気ディスク３
４が位置するようになす。
一の焦点位置に光学素子１の発光部４が存するように、
具体的には共焦点位置に半導体レーザＬＤからの出射光
のウエストが位置するように光学素子１を配し、上記収
束光学レンズ３３の他方の焦点位置に光磁気ディスク３
４が位置するようになす。
【００５４】かかる構成の光学装置３９では、光学素子
１の発光部４からの出射光（紙面に垂直な偏光方向３８
をもつ出射光）がコリメータレンズ３６を介して偏光手
段３２を透過し、さらに対物レンズ３５を介して光磁気
ディスク３４に収束照射される。光磁気ディスク３４に
照射された光は、記録情報に応じたカー効果によってそ
の偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４で反射した
戻り光が再び偏光手段３２を透過して、即ち出射光と同
じ光路を経て光学素子１上の共焦点位置近傍に配されて
いる受光部５に受光される。
１の発光部４からの出射光（紙面に垂直な偏光方向３８
をもつ出射光）がコリメータレンズ３６を介して偏光手
段３２を透過し、さらに対物レンズ３５を介して光磁気
ディスク３４に収束照射される。光磁気ディスク３４に
照射された光は、記録情報に応じたカー効果によってそ
の偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４で反射した
戻り光が再び偏光手段３２を透過して、即ち出射光と同
じ光路を経て光学素子１上の共焦点位置近傍に配されて
いる受光部５に受光される。
【００５５】ここで、偏光手段３２の透過率１のＹ軸方
向と発光部４からの出射光の偏光方向がθ1 ずれている
ので、光磁気ディスク３４からの戻り光は、偏光手段３
２を往復することになり、信号に対応して受光部５に入
る光の強度が変化し、光磁気信号、即ち光磁気ディスク
３４からの情報に応じた再生出力であるＲＦ（高周波）
信号が検出される。
向と発光部４からの出射光の偏光方向がθ1 ずれている
ので、光磁気ディスク３４からの戻り光は、偏光手段３
２を往復することになり、信号に対応して受光部５に入
る光の強度が変化し、光磁気信号、即ち光磁気ディスク
３４からの情報に応じた再生出力であるＲＦ（高周波）
信号が検出される。
【００５６】即ち、直線偏光の光の偏光方向と光の振幅
強度を、２次元平面でベクトルとして表した図２及び図
３を用いて説明すると、先ず、往路光に関する図２に示
すように、発光部４からの出射光はベクトルＡ0 で示す
偏光方向と強度を有している。この往路の出射光
（Ａ0 ）が、該出射光（Ａ0 ）とθ1 ずれた偏光板３
２、即ちＹ軸方向に対する透過率が１、Ｘ軸方向に対す
る透過率がＴ（Ｔ＜１）の偏光選択透過特性Ｍを有する
偏光板３２を通過することによって、その通過後の往路
光はベクトルＡ1 で示す偏光方向及び強度を有すること
になる。
強度を、２次元平面でベクトルとして表した図２及び図
３を用いて説明すると、先ず、往路光に関する図２に示
すように、発光部４からの出射光はベクトルＡ0 で示す
偏光方向と強度を有している。この往路の出射光
（Ａ0 ）が、該出射光（Ａ0 ）とθ1 ずれた偏光板３
２、即ちＹ軸方向に対する透過率が１、Ｘ軸方向に対す
る透過率がＴ（Ｔ＜１）の偏光選択透過特性Ｍを有する
偏光板３２を通過することによって、その通過後の往路
光はベクトルＡ1 で示す偏光方向及び強度を有すること
になる。
【００５７】この往路光Ａ1 が光磁気ディスク３４に入
射され、ディスク面で反射される。そして、復路光に関
する図３に示すように、ディスク面からのカー効果によ
り例えば−１信号が乗った戻り光（復路光）は、ベクト
ルＢ1 で示す偏光方向及び強度を有することになり、こ
の戻り光Ｂ1 が再び同じθ1 ずれている偏光板３２を通
過することで、通過後にベクトルＢ2 で示す偏光方向及
び強度を有することになる。
射され、ディスク面で反射される。そして、復路光に関
する図３に示すように、ディスク面からのカー効果によ
り例えば−１信号が乗った戻り光（復路光）は、ベクト
ルＢ1 で示す偏光方向及び強度を有することになり、こ
の戻り光Ｂ1 が再び同じθ1 ずれている偏光板３２を通
過することで、通過後にベクトルＢ2 で示す偏光方向及
び強度を有することになる。
【００５８】また、ディスク面からのカー効果により例
えば＋１信号が乗った戻り光（復路光）は、ベクトルＣ
1 で示す偏光方向及び強度を有することになり、この戻
り光Ｃ1 が同じ偏光板３２を通過することで、通過後に
ベクトルＣ2 で示す偏光方向及び強度を有することにな
る。
えば＋１信号が乗った戻り光（復路光）は、ベクトルＣ
1 で示す偏光方向及び強度を有することになり、この戻
り光Ｃ1 が同じ偏光板３２を通過することで、通過後に
ベクトルＣ2 で示す偏光方向及び強度を有することにな
る。
【００５９】従って、−１信号が乗った戻り光Ｂ2 と、
＋１信号が乗った戻り光Ｃ2 との間には、光強度差が生
じることになり、受光部５（フォトダイオードＰＤ）で
その強度変化のみを検出すれば、光磁気信号（ＲＦ）が
読みとれる。
＋１信号が乗った戻り光Ｃ2 との間には、光強度差が生
じることになり、受光部５（フォトダイオードＰＤ）で
その強度変化のみを検出すれば、光磁気信号（ＲＦ）が
読みとれる。
【００６０】発光部４からの出射光の偏光方向３８に対
し、偏光手段３２のＹ軸方向をθ1ずらしておいたと
き、偏光手段３２を透過した後の光の偏光方向θ2 は数
１の式で表される。
し、偏光手段３２のＹ軸方向をθ1ずらしておいたと
き、偏光手段３２を透過した後の光の偏光方向θ2 は数
１の式で表される。
【００６１】
【数１】θ2 ＝Ｔtan -1（Ｔtanθ1）
【００６２】光磁気信号が記録された光磁気ディスク３
４からの戻り光（この光強度Ｉ）は、カー回転角±φの
変化を伴っており、この偏光手段３２を再び透過した光
の強度Ｉ+ およびＩ- は、数２の式で表される。
４からの戻り光（この光強度Ｉ）は、カー回転角±φの
変化を伴っており、この偏光手段３２を再び透過した光
の強度Ｉ+ およびＩ- は、数２の式で表される。
【００６３】
【数２】
【００６４】ここで、Ｔ＝０．５，θ1 ＝４５°，φ＝
０．５°に対し、Ｉ+ およびＩ- の強度差は０．６５％
となり、光磁気信号が検出できる。
０．５°に対し、Ｉ+ およびＩ- の強度差は０．６５％
となり、光磁気信号が検出できる。
【００６５】上述の光学装置３９によれば、発光部４と
受光部５が互に近接した位置関係をもってモノリシック
に共通基板に集積されてなる光学素子１を用いて構成す
るので、光学部品点数を削減することができ、装置全体
の構成の簡潔化、小型化を図ることができる。そして、
従来の各光学部品をハイブリッドに組み立てて構成する
光磁気ピックアップの場合には、受光素子を厳密に収束
レンズの共焦点の位置に配置することが不可能であった
のに対し、本実施例では、光学素子１を用いることによ
り、その受光部５を例えば１μのオーダで共焦点近傍に
配置することが可能となり、高い位置精度をもった小型
の光磁気ピックアップを提供することができる。
受光部５が互に近接した位置関係をもってモノリシック
に共通基板に集積されてなる光学素子１を用いて構成す
るので、光学部品点数を削減することができ、装置全体
の構成の簡潔化、小型化を図ることができる。そして、
従来の各光学部品をハイブリッドに組み立てて構成する
光磁気ピックアップの場合には、受光素子を厳密に収束
レンズの共焦点の位置に配置することが不可能であった
のに対し、本実施例では、光学素子１を用いることによ
り、その受光部５を例えば１μのオーダで共焦点近傍に
配置することが可能となり、高い位置精度をもった小型
の光磁気ピックアップを提供することができる。
【００６６】図４及び図５は、本発明に係る光学装置の
他の実施例を示す。この光学装置４７は受光部表面に偏
光選択透過機能を有せしめた光学素子１０１を用いるよ
うにしたものである。本例の光学素子１０１は、前述と
同様に、共通の基板６上に水平共振器を有する半導体レ
ーザ８（ＬＤ）及び反射鏡７で構成される発光部４と、
フォトダイオードＰＤで構成される受光部５とを近接配
置して成るも、特に、受光部５として戻り光の光軸Ｃに
対して傾斜した受光面４１を形成して受光部表面に偏光
選択透過機能を持たせた構成とする。
他の実施例を示す。この光学装置４７は受光部表面に偏
光選択透過機能を有せしめた光学素子１０１を用いるよ
うにしたものである。本例の光学素子１０１は、前述と
同様に、共通の基板６上に水平共振器を有する半導体レ
ーザ８（ＬＤ）及び反射鏡７で構成される発光部４と、
フォトダイオードＰＤで構成される受光部５とを近接配
置して成るも、特に、受光部５として戻り光の光軸Ｃに
対して傾斜した受光面４１を形成して受光部表面に偏光
選択透過機能を持たせた構成とする。
【００６７】図５では、第１導電型例えばｎ型の（１０
０）結晶面を主面とするＧａＡｓ基板６上に半導体レー
ザを構成する各半導体層をエピタキシャル成長して水平
共振器を有する半導体レーザＬＤを形成し、半導体レー
ザＬＤの構成部を絶縁層で覆って、選択的ＭＯＣＶＤに
より、共振器端面１８Ａと対向する面が特定された斜め
結晶面、即ち反射鏡７となるｎ型半導体層２０を形成
し、更に選択的ＭＯＣＶＤを続けて斜め結晶面４１を有
するｎ型半導体層４２を形成し、次いで、このｎ型半導
体層の斜め結晶面４１を含んで拡散、選択結晶成長等に
よって第２導電型例えばｐ型層４３を形成してフォトダ
イオードＰＤを形成する。即ち、このフォトダイオード
ＰＤでは、斜め結晶面４１が受光面となる。
０）結晶面を主面とするＧａＡｓ基板６上に半導体レー
ザを構成する各半導体層をエピタキシャル成長して水平
共振器を有する半導体レーザＬＤを形成し、半導体レー
ザＬＤの構成部を絶縁層で覆って、選択的ＭＯＣＶＤに
より、共振器端面１８Ａと対向する面が特定された斜め
結晶面、即ち反射鏡７となるｎ型半導体層２０を形成
し、更に選択的ＭＯＣＶＤを続けて斜め結晶面４１を有
するｎ型半導体層４２を形成し、次いで、このｎ型半導
体層の斜め結晶面４１を含んで拡散、選択結晶成長等に
よって第２導電型例えばｐ型層４３を形成してフォトダ
イオードＰＤを形成する。即ち、このフォトダイオード
ＰＤでは、斜め結晶面４１が受光面となる。
【００６８】この場合、図５中矢印ｂで示す方向を〔０
１１〕結晶軸方向とするときは、前述したように反射面
７を含めて受光部５の受光面４１は｛１１１｝Ａによる
斜面として生じ、方向ｂを〔０−１１〕結晶軸方向とす
るときは｛１１１｝Ｂによる斜面として生じ、いずれも
基板６の板面とのなす角が５４．７°となる。また、方
向ｂを〔１００〕結晶軸方向とするときは受光面４１は
｛１１０｝の斜面として生じ、基板６の面とのなす角が
４５°となる。
１１〕結晶軸方向とするときは、前述したように反射面
７を含めて受光部５の受光面４１は｛１１１｝Ａによる
斜面として生じ、方向ｂを〔０−１１〕結晶軸方向とす
るときは｛１１１｝Ｂによる斜面として生じ、いずれも
基板６の板面とのなす角が５４．７°となる。また、方
向ｂを〔１００〕結晶軸方向とするときは受光面４１は
｛１１０｝の斜面として生じ、基板６の面とのなす角が
４５°となる。
【００６９】この受光部５では、その受光面４１が戻り
光の光軸に対し傾斜しているため、斜め入射した戻り光
の偏光方向によって、透過率、反射率が変わるので、受
光面自身が偏光選択透過機能を有することになる。そし
て、この傾斜した受光面４１上に、更に誘電体多層膜４
４を被着形成することにより、偏光感受特性を上げるこ
とができる。なお、反射鏡となる結晶面上に更に反射率
のよい金属層を形成することも可能である。
光の光軸に対し傾斜しているため、斜め入射した戻り光
の偏光方向によって、透過率、反射率が変わるので、受
光面自身が偏光選択透過機能を有することになる。そし
て、この傾斜した受光面４１上に、更に誘電体多層膜４
４を被着形成することにより、偏光感受特性を上げるこ
とができる。なお、反射鏡となる結晶面上に更に反射率
のよい金属層を形成することも可能である。
【００７０】そして、本例においては、図４に示すよう
に、上述した受光面４１を戻り光の光軸に対して傾斜さ
せて偏光選択透過機能を有せしめた受光部５と発光部４
が共通の基板６上に近接配置した一体化構造の光学素子
１０１と、収束手段４６とを備え、光学素子１０１上の
発光部４からの出射光が収束手段４６を介して光磁気デ
ィスク３４に収束照射され、ここで反射した戻り光が光
学素子１０１上の受光部５に斜め入射されて受光される
ように構成する。
に、上述した受光面４１を戻り光の光軸に対して傾斜さ
せて偏光選択透過機能を有せしめた受光部５と発光部４
が共通の基板６上に近接配置した一体化構造の光学素子
１０１と、収束手段４６とを備え、光学素子１０１上の
発光部４からの出射光が収束手段４６を介して光磁気デ
ィスク３４に収束照射され、ここで反射した戻り光が光
学素子１０１上の受光部５に斜め入射されて受光される
ように構成する。
【００７１】収束手段４６は、光磁気ディスク３４に対
向する対物レンズを有して成り、必要に応じてコリメー
タレンズを配することもできる。そして、ここでも前述
と同様に、収束手段４６の一の焦点位置に発光部即ちそ
の半導体レーザＬＤからの出射光のウエストが位置する
ように光学素子１０１を配し、上記収束手段４６の他方
の焦点に光磁気ディスク３４が位置するようになす。
向する対物レンズを有して成り、必要に応じてコリメー
タレンズを配することもできる。そして、ここでも前述
と同様に、収束手段４６の一の焦点位置に発光部即ちそ
の半導体レーザＬＤからの出射光のウエストが位置する
ように光学素子１０１を配し、上記収束手段４６の他方
の焦点に光磁気ディスク３４が位置するようになす。
【００７２】かかる構成の光学装置４７においては、光
学素子１０１の発光部４からの出射光が対物レンズ４６
を介して光磁気ディスク３４に収束照射される。光磁気
ディスク３４に照射された光は、記録情報に応じたカー
効果によって偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４
で反射した戻り光が光学素子１０１上の共焦点位置近傍
に配されている受光部５の受光面４１に斜め入射して受
光される。この戻り光の偏光方向によって透過率が変化
することにより、受光部５から光磁気信号（ＲＦ信号）
が得られる。
学素子１０１の発光部４からの出射光が対物レンズ４６
を介して光磁気ディスク３４に収束照射される。光磁気
ディスク３４に照射された光は、記録情報に応じたカー
効果によって偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４
で反射した戻り光が光学素子１０１上の共焦点位置近傍
に配されている受光部５の受光面４１に斜め入射して受
光される。この戻り光の偏光方向によって透過率が変化
することにより、受光部５から光磁気信号（ＲＦ信号）
が得られる。
【００７３】上述の光学装置４７によれば、発光部４と
受光部５が互に近接した位置関係で一体化した構造の光
学素子１０１を用い、しかもその受光部に偏光選択透過
機能を持たせることによって、光学部品点数の削減がで
き、特にプリズム等の偏光手段を一切用いることなく装
置全体の簡潔化、小型化を図ることができる。従って、
高い位置精度をもち、極めてシンプルな構造の光磁気ピ
ックアップを安価に提供できる。
受光部５が互に近接した位置関係で一体化した構造の光
学素子１０１を用い、しかもその受光部に偏光選択透過
機能を持たせることによって、光学部品点数の削減がで
き、特にプリズム等の偏光手段を一切用いることなく装
置全体の簡潔化、小型化を図ることができる。従って、
高い位置精度をもち、極めてシンプルな構造の光磁気ピ
ックアップを安価に提供できる。
【００７４】図６は、本発明に係る光学装置の他の実施
例を示す。この光学装置５３は、光学素子１０２上の受
光部５を分割配置し、夫々の受光部に異なる偏光選択透
過特性を持たせ、差動検出法を用いて光磁気信号（ＲＦ
信号）を検出するようにしたものである。
例を示す。この光学装置５３は、光学素子１０２上の受
光部５を分割配置し、夫々の受光部に異なる偏光選択透
過特性を持たせ、差動検出法を用いて光磁気信号（ＲＦ
信号）を検出するようにしたものである。
【００７５】本例の光学素子１０２は、前述と同様に共
通の水平共振器を有する半導体レーザＬＤと反射鏡７で
構成される発光部４と、フォトダイオードＰＤで構成さ
れる受光部５とを、近接配置して成るも、特に、受光部
５として戻り光の光軸に対して傾斜した受光面（斜線図
示）を形成して受光部表面に偏光選択透過機能を持た
せ、且つ、互に異なる偏光選択透過特性を有する対の受
光部本例では２対の受光部５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５
Ｄ〕を分割配置して構成する。
通の水平共振器を有する半導体レーザＬＤと反射鏡７で
構成される発光部４と、フォトダイオードＰＤで構成さ
れる受光部５とを、近接配置して成るも、特に、受光部
５として戻り光の光軸に対して傾斜した受光面（斜線図
示）を形成して受光部表面に偏光選択透過機能を持た
せ、且つ、互に異なる偏光選択透過特性を有する対の受
光部本例では２対の受光部５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５
Ｄ〕を分割配置して構成する。
【００７６】図６では、第１導電型例えばｎ型の（１０
０）結晶面を主面とするＧａＡｓ基板６上に半導体レー
ザを構成する各半導体層をエピタキシャル成長して水平
共振器を有する半導体レーザＬＤを形成し、半導体レー
ザＬＤの構成部を絶縁層で覆って選択ＭＯＣＶＤにより
共振器端面１８Ａと対向する面が前述したと同様の特定
された斜め結晶面、即ち反射鏡７となるｎ型半導体層２
０を形成する。
０）結晶面を主面とするＧａＡｓ基板６上に半導体レー
ザを構成する各半導体層をエピタキシャル成長して水平
共振器を有する半導体レーザＬＤを形成し、半導体レー
ザＬＤの構成部を絶縁層で覆って選択ＭＯＣＶＤにより
共振器端面１８Ａと対向する面が前述したと同様の特定
された斜め結晶面、即ち反射鏡７となるｎ型半導体層２
０を形成する。
【００７７】さらに、半導体層上面即ち（１００）結晶
面上に、フォトダイオードを形成すべき領域を除いて絶
縁膜を覆い、選択ＭＯＣＶＤによりｎ型半導体層５１
〔５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ〕を選択成長させ、
各半導体層５１の各１つの傾斜面に拡散又は選択結晶成
長等によってｐ型半導体層を形成して、２対のフォトダ
イオードＰＤからなる受光部５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５
Ｄ〕を形成する。
面上に、フォトダイオードを形成すべき領域を除いて絶
縁膜を覆い、選択ＭＯＣＶＤによりｎ型半導体層５１
〔５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ〕を選択成長させ、
各半導体層５１の各１つの傾斜面に拡散又は選択結晶成
長等によってｐ型半導体層を形成して、２対のフォトダ
イオードＰＤからなる受光部５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５
Ｄ〕を形成する。
【００７８】半導体層５１は四角面を有する形状、本例
では四角錐形状に形成され、その傾斜面は｛１１０｝結
晶面、又は｛１１１｝結晶面となる。受光面となる傾斜
面を｛１１１｝結晶面としたとき、（１１１）面と（１
１−１）面は光軸の周りで９０°回転した形となる。
では四角錐形状に形成され、その傾斜面は｛１１０｝結
晶面、又は｛１１１｝結晶面となる。受光面となる傾斜
面を｛１１１｝結晶面としたとき、（１１１）面と（１
１−１）面は光軸の周りで９０°回転した形となる。
【００７９】従って、各受光部５は、半導体レーザＬＤ
からの出射光の反射鏡７で反射する位置を中心（換言す
れば戻り光の光軸を中心に）に点対称的に配置すると共
に、隣り合う受光部５の各受光面のなす角が９０°とな
るように、且つ各受光面の底辺と出射光の偏光方向３８
に垂直な方向とのなす角が４５°となるように配置す
る。各斜めの受光面上には、図５と同様に、偏光感受特
性を向上するために誘電体多層膜を形成するを可とす
る。
からの出射光の反射鏡７で反射する位置を中心（換言す
れば戻り光の光軸を中心に）に点対称的に配置すると共
に、隣り合う受光部５の各受光面のなす角が９０°とな
るように、且つ各受光面の底辺と出射光の偏光方向３８
に垂直な方向とのなす角が４５°となるように配置す
る。各斜めの受光面上には、図５と同様に、偏光感受特
性を向上するために誘電体多層膜を形成するを可とす
る。
【００８０】これにより、点対称で相対向する受光部５
Ａと５Ｄ同士、受光部５Ｂと５Ｃ同士は、夫々同じ偏光
選択透過特性を有し、受光部５Ａ，５Ｄと受光部５Ｂ，
５Ｃは互に異なる偏光選択透過特性を有することにな
る。
Ａと５Ｄ同士、受光部５Ｂと５Ｃ同士は、夫々同じ偏光
選択透過特性を有し、受光部５Ａ，５Ｄと受光部５Ｂ，
５Ｃは互に異なる偏光選択透過特性を有することにな
る。
【００８１】そして、本例においては、上述した戻り光
の光軸に対して傾斜した受光面を有し且つ互に異なる偏
光選択透過特性をもつ対をなす受光部例えば２対の受光
部５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ〕と発光部４が共通の基
板６上に近接配置した一体化構造の光学素子１０２と、
図示せざるも、図４で説明したと同様の収束手段６４と
を備えて光学装置５３を構成する。即ち、図４におい
て、その光学素子１０１に代え図６の光学素子１０２を
配置した構成とする。
の光軸に対して傾斜した受光面を有し且つ互に異なる偏
光選択透過特性をもつ対をなす受光部例えば２対の受光
部５〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ〕と発光部４が共通の基
板６上に近接配置した一体化構造の光学素子１０２と、
図示せざるも、図４で説明したと同様の収束手段６４と
を備えて光学装置５３を構成する。即ち、図４におい
て、その光学素子１０１に代え図６の光学素子１０２を
配置した構成とする。
【００８２】かかる構成の光学装置５３においては、光
学素子１０２の発光部４からの出射光が収束手段６４を
介して光磁気ディスク３４に収束照射される。光磁気デ
ィスク３４に照射された光は、記録情報に応じたカー効
果によって偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４で
反射した戻り光が出射光と同じ光路を経て光学素子１０
２上の共焦点位置近傍に配されている対をなす受光部５
〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ〕に受光される。
学素子１０２の発光部４からの出射光が収束手段６４を
介して光磁気ディスク３４に収束照射される。光磁気デ
ィスク３４に照射された光は、記録情報に応じたカー効
果によって偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４で
反射した戻り光が出射光と同じ光路を経て光学素子１０
２上の共焦点位置近傍に配されている対をなす受光部５
〔５Ａ，５Ｂ，５Ｃ，５Ｄ〕に受光される。
【００８３】ここで受光部（５Ａ，５Ｄ）の斜め受光面
を透過した戻り光の信号成分と、受光部（５Ｂ，５Ｃ）
の斜め受光面を透過した戻り光の信号成分は逆相とな
る。
を透過した戻り光の信号成分と、受光部（５Ｂ，５Ｃ）
の斜め受光面を透過した戻り光の信号成分は逆相とな
る。
【００８４】従って、互に異なる偏光選択透過特性を有
する夫々の受光部（５Ａ，５Ｄ）および受光部（５Ｂ，
５Ｃ）からの検出信号を図示せざるも差動アンプに供給
し、その信号の差をとることにより、光強度に関するノ
イズが除去された光磁気信号（ＲＦ信号）が得られる。
する夫々の受光部（５Ａ，５Ｄ）および受光部（５Ｂ，
５Ｃ）からの検出信号を図示せざるも差動アンプに供給
し、その信号の差をとることにより、光強度に関するノ
イズが除去された光磁気信号（ＲＦ信号）が得られる。
【００８５】原理的には、偏光選択透過特性の異なる１
対の受光部、例えば受光部５Ａと５Ｂからの検出信号に
よって光磁気信号（ＲＦ信号）の差動検出ができるが、
図４に示すように点対称に２対の受光部５を配置すると
きには、受光部５に結像する光スポットの形状に偏りが
生じた場合にも、正確な差動検出を行うことが可能とな
る。
対の受光部、例えば受光部５Ａと５Ｂからの検出信号に
よって光磁気信号（ＲＦ信号）の差動検出ができるが、
図４に示すように点対称に２対の受光部５を配置すると
きには、受光部５に結像する光スポットの形状に偏りが
生じた場合にも、正確な差動検出を行うことが可能とな
る。
【００８６】かかる構成の光学装置５３によれば、前述
の図４と同様に、偏光選択透過特性をもつ受光部５と発
光部４を一体化した光学素子１０２を用いて構成するの
で、光学部品点数の削減、特にプリズム等の偏光手段の
省略ができ、装置全体をより簡潔化、小型化を図ること
ができる。しかも、差動構成によって光磁気信号を差動
検出するので、光の強度変動の影響がなくなり、高いＳ
／Ｎ比をもって光磁気信号を検出することができる。従
って、高い位置精度をもった極めてシンプルな構造の光
磁気ピックアップを安価に提供できる。
の図４と同様に、偏光選択透過特性をもつ受光部５と発
光部４を一体化した光学素子１０２を用いて構成するの
で、光学部品点数の削減、特にプリズム等の偏光手段の
省略ができ、装置全体をより簡潔化、小型化を図ること
ができる。しかも、差動構成によって光磁気信号を差動
検出するので、光の強度変動の影響がなくなり、高いＳ
／Ｎ比をもって光磁気信号を検出することができる。従
って、高い位置精度をもった極めてシンプルな構造の光
磁気ピックアップを安価に提供できる。
【００８７】図７は、本発明に係る光学装置の他の実施
例を示す。この光学装置５６は、受光部表面に金属薄膜
の櫛状格子を被着形成して偏光選択透過機能を有せしめ
た光学素子を用いるようにしたものである。
例を示す。この光学装置５６は、受光部表面に金属薄膜
の櫛状格子を被着形成して偏光選択透過機能を有せしめ
た光学素子を用いるようにしたものである。
【００８８】本例の光学素子１０３は、前述と同様に、
共通の基板６上に水平共振器を有する半導体レーザＬＤ
と反射鏡７で構成される発光部４と、フォトダイオード
ＰＤで構成される受光部５とを、近接配置して成るも、
特に受光部、例えば反射鏡７側の半導体層上面に形成し
た受光部５の受光面上に直接又は絶縁膜を介して金属薄
膜の櫛状格子５５を形成し、この櫛状格子５５によって
受光部表面に偏光選択透過特性をもたせた構成とする。
共通の基板６上に水平共振器を有する半導体レーザＬＤ
と反射鏡７で構成される発光部４と、フォトダイオード
ＰＤで構成される受光部５とを、近接配置して成るも、
特に受光部、例えば反射鏡７側の半導体層上面に形成し
た受光部５の受光面上に直接又は絶縁膜を介して金属薄
膜の櫛状格子５５を形成し、この櫛状格子５５によって
受光部表面に偏光選択透過特性をもたせた構成とする。
【００８９】金属薄膜の櫛状格子５５を被着形成するこ
とにより、櫛状格子５５の幅を、用いる出射光の波長以
下とすることによって直線偏光に対する偏光感受特性が
生まれる。櫛状格子５５の延長方向は、本例では出射光
の偏光方向３８に対して４５°の方向に設定される。
とにより、櫛状格子５５の幅を、用いる出射光の波長以
下とすることによって直線偏光に対する偏光感受特性が
生まれる。櫛状格子５５の延長方向は、本例では出射光
の偏光方向３８に対して４５°の方向に設定される。
【００９０】光の透過により、この偏光感度の効果を出
すものの一つとして、ラミポールと呼ばれるものがあ
る。これは、スパッタリングなどで誘電体と金属を積層
したものを縦に割り表面を研磨して構成される。上記の
受光部表面に金属薄膜による櫛状格子５５を形成すると
きは、丁度ラミポールに相当した構成となる。電子線描
画などの半導体プロセスを用いれば半導体表面に同様の
機能をもった素子を形成することが可能であり、この場
合、偏光選択透過特性を持つ受光部５と、発光部４が完
全に同一平面上に形成できる。
すものの一つとして、ラミポールと呼ばれるものがあ
る。これは、スパッタリングなどで誘電体と金属を積層
したものを縦に割り表面を研磨して構成される。上記の
受光部表面に金属薄膜による櫛状格子５５を形成すると
きは、丁度ラミポールに相当した構成となる。電子線描
画などの半導体プロセスを用いれば半導体表面に同様の
機能をもった素子を形成することが可能であり、この場
合、偏光選択透過特性を持つ受光部５と、発光部４が完
全に同一平面上に形成できる。
【００９１】そして、本例においては、上述した櫛状格
子５５による偏光選択透過特性を有する受光部５と発光
部４を共通基板６上に近接配置した一体化構造の光学素
子１０３と、図示せざるも、図４で説明したと同様の収
束手段６４とを備えて光学装置５６を構成する。即ち、
図４において、その光学素子１０１に代えて図７の光学
素子１０３を配置した構成とする。
子５５による偏光選択透過特性を有する受光部５と発光
部４を共通基板６上に近接配置した一体化構造の光学素
子１０３と、図示せざるも、図４で説明したと同様の収
束手段６４とを備えて光学装置５６を構成する。即ち、
図４において、その光学素子１０１に代えて図７の光学
素子１０３を配置した構成とする。
【００９２】かかる構成の光学装置５６においては、光
学素子１０３の発光部４からの出射光が収束手段６４を
介して光磁気ディスク３４に収束照射される。光磁気デ
ィスク３４に照射された光は、記録情報に応じたカー効
果によって偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４で
反射した戻り光が出射光と同じ光路を経て光学素子１０
３上の共焦点位置近傍に配されている受光部５にその表
面の金属薄膜の櫛状格子５５を透過して受光され、この
受光部５から光磁気信号（ＲＦ信号）が得られる。
学素子１０３の発光部４からの出射光が収束手段６４を
介して光磁気ディスク３４に収束照射される。光磁気デ
ィスク３４に照射された光は、記録情報に応じたカー効
果によって偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４で
反射した戻り光が出射光と同じ光路を経て光学素子１０
３上の共焦点位置近傍に配されている受光部５にその表
面の金属薄膜の櫛状格子５５を透過して受光され、この
受光部５から光磁気信号（ＲＦ信号）が得られる。
【００９３】上述の光学装置５６によれば、発光部４と
受光部５が互に近接した位置関係で一体化した構造の光
学素子１０３を用い、しかも、受光部５の表面に櫛状格
子５５によって偏光選択透過特性を持たせることによっ
て、光学部品点数の削減、特にプリズム等の偏光手段を
一切省略することができ、装置全体をより簡潔化、小型
化することができる。従って、高い位置精度をもち、極
めてシンプルな構造の光磁気ピックアップを安価に提供
できる。
受光部５が互に近接した位置関係で一体化した構造の光
学素子１０３を用い、しかも、受光部５の表面に櫛状格
子５５によって偏光選択透過特性を持たせることによっ
て、光学部品点数の削減、特にプリズム等の偏光手段を
一切省略することができ、装置全体をより簡潔化、小型
化することができる。従って、高い位置精度をもち、極
めてシンプルな構造の光磁気ピックアップを安価に提供
できる。
【００９４】図８は、本発明に係る光学装置の他の実施
例を示す。この光学装置５８は、図７の櫛状格子によっ
て偏光感受特性をもたせた受光部によって光磁気信号
（ＲＦ信号）を差動検出できるようにしたものである。
例を示す。この光学装置５８は、図７の櫛状格子によっ
て偏光感受特性をもたせた受光部によって光磁気信号
（ＲＦ信号）を差動検出できるようにしたものである。
【００９５】本発明の光学素子１０４は、前述と同様
に、共通の基板６上に水平共振器を有する半導体レーザ
ＬＤと反射鏡７で構成される発光部４と、フォトダイオ
ードＰＤで構成される受光部５とを、近接配置して成る
も、特に１対の受光部５〔５Ａ，５Ｂ〕を設けると共
に、夫々の受光部５Ａ及び５Ｂの受光面上に直接又は絶
縁膜を介して格子方向を互に異ならした金属薄膜の櫛状
格子５５を被着形成し、夫々の受光部表面に互に異なる
偏光選択透過特性をもたせた構成とする。本例では各金
属薄膜の櫛状格子５５の格子方向が互に９０°異なるよ
うにし、且つ出射光の偏光方向３８に対し４５°となる
ように設定される。
に、共通の基板６上に水平共振器を有する半導体レーザ
ＬＤと反射鏡７で構成される発光部４と、フォトダイオ
ードＰＤで構成される受光部５とを、近接配置して成る
も、特に１対の受光部５〔５Ａ，５Ｂ〕を設けると共
に、夫々の受光部５Ａ及び５Ｂの受光面上に直接又は絶
縁膜を介して格子方向を互に異ならした金属薄膜の櫛状
格子５５を被着形成し、夫々の受光部表面に互に異なる
偏光選択透過特性をもたせた構成とする。本例では各金
属薄膜の櫛状格子５５の格子方向が互に９０°異なるよ
うにし、且つ出射光の偏光方向３８に対し４５°となる
ように設定される。
【００９６】そして、本例においては、上述した光学素
子１０４と、図示せざるも図４で説明したと同様の収束
手段６４とを備えて光学装置５７を構成する。即ち、図
４において、その光学素子１０１に代えて図８の光学素
子１０４を配置した構成とする。
子１０４と、図示せざるも図４で説明したと同様の収束
手段６４とを備えて光学装置５７を構成する。即ち、図
４において、その光学素子１０１に代えて図８の光学素
子１０４を配置した構成とする。
【００９７】かかる構成の光学装置５８においては、光
学素子１０４の発光部４からの出射光が収束手段６４を
介して光磁気ディスク４に収束照射される光磁気ディス
ク３４に照射された光は、記録情報に応じたカー効果に
よって偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４で反射
した戻り光が出射光と同じ光路を経て光学素子１０４上
の共焦点位置近傍に配された１対の受光部５Ａ，５Ｂに
その表面の櫛状格子５５を透過して受光される。
学素子１０４の発光部４からの出射光が収束手段６４を
介して光磁気ディスク４に収束照射される光磁気ディス
ク３４に照射された光は、記録情報に応じたカー効果に
よって偏光面が回転し、その光磁気ディスク３４で反射
した戻り光が出射光と同じ光路を経て光学素子１０４上
の共焦点位置近傍に配された１対の受光部５Ａ，５Ｂに
その表面の櫛状格子５５を透過して受光される。
【００９８】ここで、受光部５Ａ上の櫛状格子５５を透
過した戻り光の信号成分と、受光部５Ｂ上の方向が９０
°異なる櫛状格子５５を透過した戻り光の信号成分とは
逆相となる。従って、この受光部５Ａ及び５Ｂからの検
出信号を図示せざるも差動アンプに供給し、その信号の
差をとることにより、光強度に関するノイズが除去され
た光磁気信号（ＲＦ信号）が得られる。
過した戻り光の信号成分と、受光部５Ｂ上の方向が９０
°異なる櫛状格子５５を透過した戻り光の信号成分とは
逆相となる。従って、この受光部５Ａ及び５Ｂからの検
出信号を図示せざるも差動アンプに供給し、その信号の
差をとることにより、光強度に関するノイズが除去され
た光磁気信号（ＲＦ信号）が得られる。
【００９９】かかる構成の光学装置５８によれば、受光
部５と発光部４を一体化した光学素子１０４を用い、し
かも、受光部５〔５Ａ，５Ｂ〕の表面に櫛状格子５５に
よって偏光選択透過特性をもたせることによって、光学
部品点数の削減、特にプリズム等の偏光手段を省略する
ことができ、装置全体のより簡潔化、小型化を図ること
ができる。更に差動構成によって光磁気信号を差動検出
するので、光の強度変動の影響がなくなり、高いＳ／Ｎ
比をもって光磁気信号を検出することができる。従っ
て、この例においても、高い位置精度をもった極めてシ
ンプルな構造の光磁気ピックアップを安価に提供でき
る。
部５と発光部４を一体化した光学素子１０４を用い、し
かも、受光部５〔５Ａ，５Ｂ〕の表面に櫛状格子５５に
よって偏光選択透過特性をもたせることによって、光学
部品点数の削減、特にプリズム等の偏光手段を省略する
ことができ、装置全体のより簡潔化、小型化を図ること
ができる。更に差動構成によって光磁気信号を差動検出
するので、光の強度変動の影響がなくなり、高いＳ／Ｎ
比をもって光磁気信号を検出することができる。従っ
て、この例においても、高い位置精度をもった極めてシ
ンプルな構造の光磁気ピックアップを安価に提供でき
る。
【０１００】図９は、本発明に係る光学装置の他の実施
例を示す。本例の光学素子１０５は、図６で示した受光
面上に夫々格子方向を９０°異にした金属薄膜の櫛状格
子５５を被着形成して互に異なる偏光選択透過特性をも
たせた対の受光部５を複数組本例では８組の受光部５
〔５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈ，
５ｉ，５ｊ，５ｋ，５ｌ，５ｍ，５ｎ，５ｏ，５ｐ〕を
配列した構成とする。
例を示す。本例の光学素子１０５は、図６で示した受光
面上に夫々格子方向を９０°異にした金属薄膜の櫛状格
子５５を被着形成して互に異なる偏光選択透過特性をも
たせた対の受光部５を複数組本例では８組の受光部５
〔５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｇ，５ｈ，
５ｉ，５ｊ，５ｋ，５ｌ，５ｍ，５ｎ，５ｏ，５ｐ〕を
配列した構成とする。
【０１０１】各、対をなす８組の受光部５は、半導体レ
ーザＬＤからの出射光の反射鏡７で反射する位置を中心
（換言すれば戻り光の光軸を中心に対称的に）例えば水
平共振器側と反射鏡側の半導体層表面上に４組ずつ分か
れて配列されると共に、各同じ格子方向の櫛状格子５５
を有する受光部が市松模様状に配列される。
ーザＬＤからの出射光の反射鏡７で反射する位置を中心
（換言すれば戻り光の光軸を中心に対称的に）例えば水
平共振器側と反射鏡側の半導体層表面上に４組ずつ分か
れて配列されると共に、各同じ格子方向の櫛状格子５５
を有する受光部が市松模様状に配列される。
【０１０２】そして、本例においては、この光学素子１
０５を図示せざるも図４で説明したと同様の収束手段６
４とを備えて光学装置６０を構成する。即ち図２におい
て、その光学素子１０１に代えて図９の光学素子１０５
を配置した構成とする。
０５を図示せざるも図４で説明したと同様の収束手段６
４とを備えて光学装置６０を構成する。即ち図２におい
て、その光学素子１０１に代えて図９の光学素子１０５
を配置した構成とする。
【０１０３】かかる構成の光学装置６０の動作は、前述
の図８で説明したと同様であり、受光部（５ａ，５ｄ，
５ｅ，５ｆ，５ｊ，５ｋ，５ｍ，５ｏ）の櫛状格子５５
を透過した戻り光の信号成分と、受光部（５ｂ，５ｃ，
５ｆ，５ｇ，５ｉ，５ｌ，５ｎ，５ｐ）の櫛状格子５５
を透過した戻り光の信号成分とは逆相であるので、受光
部（５ａ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｊ，５ｋ，５ｍ，５
ｏ）と受光部（５ｂ，５ｃ，５ｆ，５ｇ，５ｉ，５ｌ，
５ｎ，５ｐ）からの検出信号を差動アンプに供給しその
信号の差をとって光磁気信号（ＲＦ信号）を得る。但
し、本例では同じ格子方向の櫛状格子５５の受光部を市
松模様状に配置しているので、光学系にスキューが発生
した場合、あるいは半導体レーザＬＤからの出射光に非
点隔差が生じている場合などのように、光学素子１０５
上の受光部５に結像する光スポットの形状に偏りが生じ
たときにも、正確に差動検出を行うことができる。
の図８で説明したと同様であり、受光部（５ａ，５ｄ，
５ｅ，５ｆ，５ｊ，５ｋ，５ｍ，５ｏ）の櫛状格子５５
を透過した戻り光の信号成分と、受光部（５ｂ，５ｃ，
５ｆ，５ｇ，５ｉ，５ｌ，５ｎ，５ｐ）の櫛状格子５５
を透過した戻り光の信号成分とは逆相であるので、受光
部（５ａ，５ｄ，５ｅ，５ｆ，５ｊ，５ｋ，５ｍ，５
ｏ）と受光部（５ｂ，５ｃ，５ｆ，５ｇ，５ｉ，５ｌ，
５ｎ，５ｐ）からの検出信号を差動アンプに供給しその
信号の差をとって光磁気信号（ＲＦ信号）を得る。但
し、本例では同じ格子方向の櫛状格子５５の受光部を市
松模様状に配置しているので、光学系にスキューが発生
した場合、あるいは半導体レーザＬＤからの出射光に非
点隔差が生じている場合などのように、光学素子１０５
上の受光部５に結像する光スポットの形状に偏りが生じ
たときにも、正確に差動検出を行うことができる。
【０１０４】上述の光学装置６０によれば、上例と同様
に、光学素子１０５を用いて構成するので、プリズム等
の偏光手段を一切用いることなく、光学部品点数を削減
することができ、装置全体の構成のより簡潔化、小型化
を図ることができ、また、高い位置精度をもった極めて
シンプルな構造の光磁気ピックアップを安価に提供でき
る
に、光学素子１０５を用いて構成するので、プリズム等
の偏光手段を一切用いることなく、光学部品点数を削減
することができ、装置全体の構成のより簡潔化、小型化
を図ることができ、また、高い位置精度をもった極めて
シンプルな構造の光磁気ピックアップを安価に提供でき
る
【０１０５】尚、上例の図１，図４，図６，図７，図
８，図９において、サーボ信号は、光学素子１，１０
１，１０２，１０３，１０４上の受光部５を複数個のフ
ォトダイオードＰＤを分割配列した構成とすることによ
り、受光部５にて検出することができる。
８，図９において、サーボ信号は、光学素子１，１０
１，１０２，１０３，１０４上の受光部５を複数個のフ
ォトダイオードＰＤを分割配列した構成とすることによ
り、受光部５にて検出することができる。
【０１０６】
【発明の効果】上述したように、本発明に係る光学装置
によれば、光学部品点数を削減することができ、且つ高
い位置精度をもって構成の簡潔化を図り、装置全体の小
型化を図ることができる。
によれば、光学部品点数を削減することができ、且つ高
い位置精度をもって構成の簡潔化を図り、装置全体の小
型化を図ることができる。
【０１０７】更に、光学素子上の受光部に偏光機能を持
たせることにより、プリズム等の偏光手段を一切用いな
い極めてシンプルな構造となる。従って、光磁気ディス
ク等の光磁気媒体に対する光磁気ピックアップ装置とし
て、高い位置精度をもった小型の光磁気ピックアップ装
置を安価に実現することができる。
たせることにより、プリズム等の偏光手段を一切用いな
い極めてシンプルな構造となる。従って、光磁気ディス
ク等の光磁気媒体に対する光磁気ピックアップ装置とし
て、高い位置精度をもった小型の光磁気ピックアップ装
置を安価に実現することができる。
【図１】本発明に係る光学装置の一例を示す構成図であ
る。
る。
【図２】往路光の偏光方向及び強度を示す説明図であ
る。
る。
【図３】復路光の偏光方向及び強度を示す説明図であ
る。
る。
【図４】本発明に係る光学装置の他の例を示す構成図で
ある。
ある。
【図５】図４の要部の拡大図である。
【図６】本発明に係る光学装置（特にその光学素子）の
他の例を示す構成図である。
他の例を示す構成図である。
【図７】本発明に係る光学装置（特にその光学素子）の
他の例を示す構成図である。
他の例を示す構成図である。
【図８】本発明に係る光学装置（特にその光学素子）の
他の例を示す構成図である。
他の例を示す構成図である。
【図９】本発明に係る光学装置（特にその光学素子）の
他の例を示す構成図である。
他の例を示す構成図である。
【図１０】本発明に用いる光学素子の説明に供する構成
図である。
図である。
【図１１】本発明に用いる光学素子の基本的構成の説明
図である。
図である。
【図１２】本発明に用いる光学素子の製造方法の一例の
構成図（その１）である。Ａはその一工程図である。Ｂ
はその一工程図である。Ｃはその一工程図である。
構成図（その１）である。Ａはその一工程図である。Ｂ
はその一工程図である。Ｃはその一工程図である。
【図１３】本発明に用いる光学素子の製造方法の一例の
工程図（その２）である。Ａはその一工程図である。Ｂ
はその一工程図である。Ｃはその一工程図である。
工程図（その２）である。Ａはその一工程図である。Ｂ
はその一工程図である。Ｃはその一工程図である。
【図１４】本発明に用いる光学素子の製造方法の一例の
工程図（その３）である。Ａはその一工程図である。Ｂ
はその一工程図である。
工程図（その３）である。Ａはその一工程図である。Ｂ
はその一工程図である。
【図１５】本発明に用いる光学素子の製造方法の他の例
の工程図（その１）である。Ａはその一工程図である。
Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図である。
の工程図（その１）である。Ａはその一工程図である。
Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図である。
【図１６】本発明に用いる光学素子の製造方法の他の例
の工程図（その２）である。Ａはその一工程図である。
Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図である。
の工程図（その２）である。Ａはその一工程図である。
Ｂはその一工程図である。Ｃはその一工程図である。
【図１７】本発明に用いる光学素子の製造方法の他の例
の工程図（その３）である。Ａはその一工程図である。
Ｂはその一工程図である。
の工程図（その３）である。Ａはその一工程図である。
Ｂはその一工程図である。
【図１８】本発明に用いる光学素子の他の例の概略的斜
視図である。
視図である。
１，１０１，１０２，１０３，１０４，１０５ 光学素
子 ２ 被照射部 ３ 収束手段 ４ 発光部 ５ 受光部 ６ 基板 ７ 反射鏡 ８ 半導体レーザ ３２ 偏光手段 ３３ 収束手段 ３４ 光磁気ディスク ３９，４７，５３，５８，６０ 光学装置
子 ２ 被照射部 ３ 収束手段 ４ 発光部 ５ 受光部 ６ 基板 ７ 反射鏡 ８ 半導体レーザ ３２ 偏光手段 ３３ 収束手段 ３４ 光磁気ディスク ３９，４７，５３，５８，６０ 光学装置
フロントページの続き (72)発明者 松田 修 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 光磁気信号を検出する光学装置におい
て、 発光部と受光部とが共通の基板上に近接配置され、上記
発光部からの出射光の光磁気媒体からの戻り光を上記受
光部によって共焦点近傍で受光検出する光学素子を備
え、 上記光磁気媒体からの戻り光を上記光学素子上の受光部
で受光して光磁気信号を検出することを特徴とする光学
装置。 - 【請求項２】 互に直交する軸に関する透過率が異なる
偏光手段を配し、上記出射光と上記戻り光を上記偏光手
段に通過させることを特徴とする請求項１に記載の光学
装置。 - 【請求項３】 上記光学素子の受光部に上記戻り光の光
軸に対して傾斜した受光面を形成して該受光部表面に偏
光選択透過機能を持たせたことを特徴とする請求項１に
記載の光学装置。 - 【請求項４】 上記光学素子に、互に異なる偏光選択透
過特性を有する対の受光部を配し、上記対の受光部を用
いた差動構造により光磁気信号を差動検出することを特
徴とする請求項３に記載の光学装置。 - 【請求項５】 上記光学素子の受光部表面に金属の櫛状
格子を形成し、該櫛状格子による偏光選択透過特性によ
って光磁気信号を検出することを特徴とする請求項１に
記載の光学装置。 - 【請求項６】 上記光学素子に対の受光部を形成し、該
対の受光部の表面に夫々異なる方向の金属の櫛状格子を
形成して異なる偏光選択透過特性を持たせ、上記対の受
光部を用いた差動構造により、光磁気信号を差動検出す
ることを特徴とする請求項１に記載の光学装置。 - 【請求項７】 上記光学素子上に、異なる方向の金属の
櫛状格子を有して異なる偏光選択透過特性を持つ対の受
光部が複数組設けられ、該同方向の金属櫛状格子を有す
る受光部同士が市松模様状に配列されていることを特徴
とする請求項１に記載の光学装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6092559A JPH07296441A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 光学装置 |
| US08/429,828 US5608233A (en) | 1994-04-28 | 1995-04-27 | Optical device for magneto-optical disc system |
| KR1019950010231A KR950034132A (ko) | 1994-04-28 | 1995-04-28 | 광학장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6092559A JPH07296441A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 光学装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07296441A true JPH07296441A (ja) | 1995-11-10 |
Family
ID=14057786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6092559A Pending JPH07296441A (ja) | 1994-04-28 | 1994-04-28 | 光学装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5608233A (ja) |
| JP (1) | JPH07296441A (ja) |
| KR (1) | KR950034132A (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3541416B2 (ja) * | 1994-03-08 | 2004-07-14 | ソニー株式会社 | 光学装置 |
| JPH0818152A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Sony Corp | 光半導体装置及びその製造方法 |
| JPH0894938A (ja) * | 1994-09-21 | 1996-04-12 | Sony Corp | 共焦点顕微鏡並びに光記録再生装置 |
| JPH0945995A (ja) * | 1995-07-26 | 1997-02-14 | Sony Corp | 光学装置 |
| JP3732268B2 (ja) * | 1996-02-28 | 2006-01-05 | 富士通株式会社 | 光ディスク装置用光学ヘッド |
| US5771218A (en) * | 1996-09-27 | 1998-06-23 | Digital Optics Corporation | Passively aligned integrated optical head including light source, detector, and optical element and methods of forming same |
| US5912872A (en) | 1996-09-27 | 1999-06-15 | Digital Optics Corporation | Integrated optical apparatus providing separated beams on a detector and associated methods |
| US20080136955A1 (en) * | 1996-09-27 | 2008-06-12 | Tessera North America. | Integrated camera and associated methods |
| US8153957B2 (en) * | 1996-09-27 | 2012-04-10 | Digitaloptics Corporation East | Integrated optical imaging systems including an interior space between opposing substrates and associated methods |
| US5886971A (en) * | 1996-09-27 | 1999-03-23 | Digital Optics Corporation | Optical head structures including support substrates adjacent transparent substrates and related methods |
| US5737348A (en) * | 1996-10-28 | 1998-04-07 | Honeywell Inc. | Light source monitor with compensated tracking ratio |
| US6137121A (en) * | 1997-10-01 | 2000-10-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Integrated semiconductor light generating and detecting device |
| DE19812199C1 (de) | 1998-03-19 | 1999-11-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung und eine mindestens zwei Halbleiterelemente umfassende Halbleiteranordnung |
| US8442084B2 (en) * | 2002-10-03 | 2013-05-14 | Laser Operations Llc | High performance vertically emitting lasers |
| US20070110361A1 (en) * | 2003-08-26 | 2007-05-17 | Digital Optics Corporation | Wafer level integration of multiple optical elements |
| US20050180482A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-08-18 | Osowski Mark L. | Very low cost surface emitting laser diode arrays |
| WO2007103898A2 (en) * | 2006-03-03 | 2007-09-13 | Aculight Corporation | Diode-laser-pump module with integrated signal ports for pumping amplifying fibers |
| US20080198890A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-21 | Ungar Jeffrey E | Vertically emitting laser and method of making the same |
| JP5926278B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2016-05-25 | 京セラ株式会社 | 受発光一体型素子を用いた受発光装置およびセンサ装置 |
| US11456577B2 (en) * | 2020-07-28 | 2022-09-27 | Raytheon Company | Monolithic quantum cascade laser (QCL)/avalanche photodiode (APD) infrared transceiver |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5233595A (en) * | 1990-10-24 | 1993-08-03 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical pickup including waveguide light intensity detection means for controlling a position/intensity of a semiconductor laser |
| JP2932868B2 (ja) * | 1992-11-13 | 1999-08-09 | 日本電気株式会社 | 半導体光集積素子 |
| US5349210A (en) * | 1993-02-02 | 1994-09-20 | Motorola, Inc. | Optical reading head with angled array |
| US5406543A (en) * | 1993-04-07 | 1995-04-11 | Olympus Optical Co., Ltd. | Optical head with semiconductor laser |
-
1994
- 1994-04-28 JP JP6092559A patent/JPH07296441A/ja active Pending
-
1995
- 1995-04-27 US US08/429,828 patent/US5608233A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-28 KR KR1019950010231A patent/KR950034132A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950034132A (ko) | 1995-12-26 |
| US5608233A (en) | 1997-03-04 |
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