JP2002298397A - 半導体レーザ装置及びそれを備えた光ピックアップ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 トラッキング制御信号が乱れるのを防止で
き、しかも低コストで製造できる半導体レーザ装置及び
それを備えた光ピックアップを提供する。 【解決手段】 ステム３は、搭載面３ａと、この搭載面
３ａに垂直な垂直面３ｂとを有する。このステム３の搭
載面３ａには半導体レーザチップ１を搭載しており、半
導体レーザチップ１の垂直面３ｂ側の光出射端面からレ
ーザが発射される。そして、垂直面３ｂの搭載面３ａの
近傍には梨地７を形成している。これにより、垂直面３
ｂの搭載面３ａの近傍における出射方向の反射率が低く
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置及
びそれを備えた光ピックアップに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、いわゆる３ビーム法を用いる光ピ
ックアップとしては、図８に示すようなものがある。こ
の光ピックアップは、半導体レーザチップ１をステム８
３の搭載面８３ａに搭載している。上記ステム８３で
は、搭載面８３ａに垂直な垂直面８３ｂに光検出器２を
搭載している。また、上記半導体レーザチップ１と光デ
ィスク６との間には、ホログラム素子４，対物レンズ５
を配置していて、そのホログラム素子４，対物レンズ５
を半導体レーザチップ１のレーザ光が経由する。上記ホ
ログラム素子４は、透明基板からなり、半導体レーザチ
ップ１側の端面に回折格子４ａを有し、光ディスク６側
の端面にホログラム４ｂを有している。また、上記ホロ
グラム素子４はステム８３と一体にされる場合もある。

【０００３】上記構成の光ピックアップは、半導体レー
ザチップ１から出射されたレーザ光を、回折格子４ａに
より０次光(メインビームＢ０)及び±１次光(サイドビ
ームＢ１，Ｂ２)に分ける。上記メインビームＢ０及び
サイドビームＢ１，Ｂ２は、対物レンズ５により光ディ
スク６の情報記録面６ａ上に集光される。これにより、
上記情報記録面６ａでは、図８（ｂ）に示すように、メ
インビームＢ０に対応するメインビームスポットＳ０が
生じると共に、サイドビームＢ１，Ｂ２に対応するサイ
ドビームスポットＳ１，Ｓ２が生じる。このとき、上記
メインビームスポットＳ０及びサイドビームスポットＳ
１，Ｓ２は、信号ピットＰが並んだトラックＴに対し数
度（φ）傾いた方向に並ぶように配置される。上記メイ
ンビームＢ０が、信号を記録した信号ピット列(トラッ
クＴ)の中心にある場合、２つのサイドビームＢ１，Ｂ
２はトラックの中心から互いに反対方向に同じ距離だけ
離れた位置にある。即ち、２つのサイドビームＢ１，Ｂ
２は同じ面積だけ信号ピットＰにかかっている。一方、
上記メインビームＢ０がトラックＴの中央からずれた場
合、２つのサイドビームＢ１，Ｂ２は信号ピットＰにか
かる面積が異なってくる。

【０００４】そして、図８（ａ）に示すように、上記光
ディスク６からの反射光は、ホログラム４ｂ等のビーム
スプリット機能を有する光学素子(ビームスプリッター)
により光検出器２に照射される。この光検出器２は、複
数の光検出素子２ａ，２ｂ，…，２ｅからなり、サイド
ビームＢ１を光検出素子２ｄで検出し、サイドビームＢ
２を光検出素子２ｅで検出する。

【０００５】上記トラックＴとメインビームスポットＳ
０の位置関係をサイドビームＢ１，Ｂ２を検出する光検
出器２の信号の大きさでいうと、メインビームスポット
Ｓ０がトラックＴの中心にあるときは２つのサイドビー
ムＢ１，Ｂ２を検出する光検出器２の信号の大きさは等
しく(Ｓｄ＝Ｓｅ)、メインビームスポットＳ０がトラッ
クＴの中心からずれた場合、そのずれ方向に対応して、
いずれかのサイドビームＢ１，Ｂ２の信号が大きくなる
ので、サイドビームＢ１，Ｂ２の信号の大きさの差(Ｓ
ｄ−Ｓｅ)を検出し、その差が０になるように対物レン
ズ５の位置を制御する。これにより、上記メインビーム
スポットＳ０をトラックＴの中心に保持することができ
る。以上が通常の３ビーム法によるトラッキング誤差制
御の原理である。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記３ビーム法を用い
た光ピックアップでは、ビームスプリッターの特性にも
よるが、光ディスク６からの反射光のすべてが光検出器
２に照射されるわけではない。上記光ディスク６からの
反射光の一部は、直進してホログラム素子４を通過し、
図９に示すように、戻り光のメインビームＲ０と戻り光
のサイドビームＲ１，Ｒ２の３つのビームとなって、半
導体レーザチップ１の垂直面８３ｂ側の光出射端面１
ａ、及び、その光出射端面１ａ近傍に向かって戻ってく
る。３つのビームは互いに数度の傾きを有しており、ス
テム８３の垂直面８３ｂの近傍では、戻り光のメインビ
ームＲ０と戻り光のサイドビームＲ１の間隔ｄは略７０
〜１２０μｍになっている。そして、上記ステム８３の
垂直面８３ｂに入射する戻り光のサイドビームＲ１は、
垂直面８３ｂの搭載面８３ａ近傍で反射されて光ディス
ク６の方に戻り、ホログラム４ｂで回折され、光検出素
子２ｄまたは光検出素子２ｅに照射されてしまう。

【０００７】このように、上記ステム８３の垂直面８３
ｂで再び反射された反射光のサイドビームＲ１は、半導
体レーザチップの光出力が小さい再生専用の光ピックア
ップでは問題にならなかった。しかし、光出射端面での
光出力が５０ｍＷ以上の高出力の半導体レーザチップを
使用する情報の書き換えが可能な光ピックアップでは、
反射されたサイドビームＲ１の出力が大きい為、トラッ
キング制御信号を乱すという問題がある。

【０００８】この問題を解決するための方法が、特開昭
６１―２５０８４４号公報に開示されている。特開昭６
１―２５０８４４号公報では、ステムにおいて戻り光の
サイドビームが照射される部分を照射方向に対して傾け
ている。しかしながら、このような方法では、戻り光の
サイドビームが照射される部分を照射方向に対して傾く
ようにステムを形成する為に、ステムの製造が困難にな
り、ステムが高価なものとなるという欠点がある。

【０００９】そこで、本発明の課題は、トラッキング制
御信号が乱れるのを防止でき、しかも低コストで製造で
きる半導体レーザ装置及びそれを備えた光ピックアップ
を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、発明の半導体レーザ装置は、搭載面とこの搭載面に
略垂直な垂直面とを有するステムと、上記搭載面に搭載
された半導体レーザチップとを備えて、上記半導体レー
ザチップの上記垂直面側の光出射端面からレーザ光を出
射する半導体レーザ装置において、上記垂直面は上記搭
載面の近傍に、レーザ光の出射方向への反射を防止する
出射方向反射防止部を備えたことを特徴としている。

【００１１】上記構成の半導体レーザ装置によれば、上
記半導体レーザチップの光出射端面からレーザ光を例え
ば光ディスクへ向けて出射した場合、光ディスクで反射
されたレーザ光の一部が、ステムの垂直面に向かって戻
って、垂直面の搭載面の近傍に照射される。このとき、
上記垂直面の搭載面の近傍には、レーザ光の出射方向へ
の反射を防止する出射方向反射防止部があるから、戻り
光のレーザ光が出射方向へ反射するのを防げる。したが
って、例えば光ピックアップに使用すると、３ビーム法
またはそれに類似のサイドビーム法を採用するトラッキ
ング誤差制御システムによりトラッキング誤差信号を安
定かつ正確に得られるので、トラッキング制御信号が乱
れるのを阻止できる。

【００１２】また、上記半導体レーザ装置は、戻り光の
レーザ光が出射方向へ反射するのを防げるから、半導体
レーザチップが高出力であっても、トラッキング制御信
号を乱さない。したがって、高出力の半導体レーザチッ
プを必要とする情報書き換え用光ディスクシステムに使
用できる。

【００１３】一実施形態の半導体レーザ装置は、上記出
射方向反射防止部は梨地である。

【００１４】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、例えば、放電加工により表面を荒らした金型を用い
て、梨地を有するステムを製造できる。このように、上
記梨地の形成が容易であるから、ステムを簡単・安価に
製造できる。

【００１５】一実施形態の半導体レーザ装置は、上記出
射方向反射防止部は凹部または黒色部である。

【００１６】上記実施形態の半導体レーザ装置によれ
ば、例えば、レーザマーカによる加工によって、凹部ま
たは黒色部を有するステムを製造できる。このように、
上記凹部および黒色部の形成は容易であるから、ステム
の製造は簡単で、かつ、その製造のコストが安価であ
る。

【００１７】本発明の光ピックアップは、上記半導体レ
ーザ装置と、上記半導体レーザ装置の上記半導体レーザ
チップが光ディスクへ向けて出射したレーザ光を、メイ
ンビームと上記メインビームの両側の２つのサイドビー
ムとに分ける回折格子と、上記回折格子と上記光ディス
クとの間に配置される対物レンズと、上記光ディスクで
反射された上記メインビーム及び上記サイドビームを、
上記対物レンズを介して受ける光検出器とを備えて、上
記光ディスクで反射された上記メインビーム及び上記サ
イドビームのうちの少なくとも２つに基づく上記光検出
器からの検出出力を用いて、上記光ディスク上の上記メ
インビームのトラッキング状態に応じたトラッキング誤
差信号を得ることを特徴としている。

【００１８】上記構成の光ピックアップによれば、上記
半導体レーザ装置を有しているから、３ビーム法または
それに類似のサイドビーム法を採用するトラッキング誤
差制御システムでトラッキング誤差信号が安定かつ正確
に得られて、トラッキング制御信号が乱れるのを阻止で
きる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体レーザ装置
及びそれを備えた光ピックアップを図示の実施の形態に
より詳細に説明する。

【００２０】図１は、本発明の半導体レーザ装置を備え
る光ピックアップの概略構成図であり、図２は、上記半
導体レーザ装置の要部を側方から見た概略図である。図
１，図２において、図８に示した従来例の構成部と同一
構成部は、図８における構成部と同一参照番号を付して
説明を省略する。

【００２１】上記光ピックアップは、図１に示すよう
に、光検出器２、ホログラム素子４、対物レンズ５及び
半導体レーザ装置１００を具備している。

【００２２】上記半導体レーザ装置１００は、搭載面３
ａと、この搭載面３ａに垂直な垂直面３ｂとを有するス
テム３と、このステム３の搭載面３ａに搭載された半導
体レーザチップ１とを備えている。上記垂直面３ｂの搭
載面３ａの近傍には、レーザ光の出射方向への反射を防
止する出射方向反射防止部としての梨地７を形成してい
る。また、上記半導体レーザチップ１は、図２に示すよ
うに、ステム３の垂直面３ｂ側の光出射端面１ａからレ
ーザ光を出射する。また、上記ステム３では、搭載面３
ａと垂直面３ｂとがＲ面３ｃを介して繋がっている。こ
のＲ面３ｃに対して梨地７が隣接している。

【００２３】上記構成の光ピックアップは、半導体レー
ザチップ１の光出射端面１ａから光ディスク６へ向けて
出射されたレーザ光を、回折格子４ａによりメインビー
ムＢ０とメインビームＢ０の両側の２つのサイドビーム
Ｂ１，Ｂ２とに分ける。そして、上記メインビームＢ０
及び２つのサイドビームＢ１，Ｂ２が対物レンズ５を介
して光ディスク６に入射させる。そうすると、上記メイ
ンビームＢ０及び２つのサイドビームＢ１，Ｂ２は、光
ディスク６で反射して再び対物レンズ５を通過し、ホロ
グラム素子４のホログラム４ｂにより光検出器２の方向
へ回折される。これにより、上記光ディスク６で反射さ
れたメインビームＢ０及びサイドビームＢ１，Ｂ２のう
ちの少なくとも２つに基づく光検出器２からの検出出力
を用いて、光ディスク６上におけるメインビームＢ０の
トラッキング状態に応じたトラッキング誤差信号を得
る。

【００２４】このとき、上記垂直面３ｂにおいて戻り光
のサイドビームＲ１が照射される部分、つまり垂直面３
ｂの搭載面３ａの近傍が梨地加工により粗されているの
で、戻り光のサイドビームＲ１が垂直面３ｂの搭載面３
ａの近傍に照射されると、そのサイドビームＲ１は散乱
される。これにより、上記垂直面３ｂの搭載面３ａの近
傍における出射方向の反射率が低くなっている。上記垂
直面３ｂにおける出射方向の反射率を測定した結果を図
７に示す。図７から分るように、加工が施されていない
垂直面３ｂでは、出射方向の反射率が３５％〜６０％と
なり、特にコーティング等が行われていない光出射端面
１ａの出射方向の反射率３２％と略同じかあるいはそれ
より大きい反射率となっている。これに対して、梨地加
工が施された垂直面３ｂでは、出射方向の反射率が４％
〜１２％となり、特にコーティング等が行われていない
光出射端面１ａの出射方向の反射率よりも低い値とな
る。

【００２５】このように、上記垂直面３ｂの搭載面３ａ
の近傍における出射方向の反射率が低いので、戻り光の
サイドビームＲ１が垂直面３ｂの搭載面３ａの近傍で出
射方向へ反射するのは困難である。したがって、上記ト
ラッキング誤差信号が安定かつ正確に得られて、トラッ
キング制御信号が乱れるのを防止できる。

【００２６】また、上記半導体レーザ装置１００は、戻
り光のサイドビームＲ１が出射方向へ反射するのを防げ
るから、半導体レーザチップ１が高出力であっても、ト
ラッキング制御信号を乱さない。したがって、高出力の
半導体レーザチップを必要とする情報書き換え用光ディ
スクシステムに使用できる。

【００２７】図３（ａ）は、上記ステム２の製作方法を
説明するための図であり、図３（ｂ）は、上記ステム２
の垂直面３ｂの表面状態を示す模式図である。なお、図
３（ｂ）では、上記半導体レーザチップ１とステム３と
の位置関係が分るように、半導体レーザチップ１を点線
で図示している。

【００２８】上記ステム３の形成には、図３（ａ）に示
すように、放電加工により粗した表面１０を有す金型９
を使用する。これにより、図３（ｂ）に示すように、上
記垂直面３ｂの搭載面３ａ近傍が粗くなる。つまり、上
記垂直面３ｂの搭載面３ａ近傍に梨地加工が施される。
このように、上記垂直面３ｂに対して梨地７を容易に形
成できるので、ステム６を簡単・安価に製造できる。

【００２９】上記実施の形態では、半導体レーザチップ
１をステム３に直接取り付けていたが、サブマウントを
介してステム３に取り付けてもよい。この場合は、上記
サブマウントをステムの一部とみなす。

【００３０】上記実施の形態では、ステム３の垂直面３
ｂは搭載面３ａに対して垂直であったが、搭載面３ａに
対して略垂直であってもよい。

【００３１】また、上記搭載面３ａと垂直面３ｂとはＲ
面３ｃで繋がっていたが、搭載面３ａと垂直面３ｂは直
接繋がっていてもよい。つまり、上記ステム３にＲ面３
ｃが形成されていてもされていなくてもよい。

【００３２】また、上記実施の形態では、ステム３とホ
ログラム素子４とは、別体であったが、一体であっても
よい。

【００３３】図４は、本発明の他の実施の形態の半導体
レーザ装置を備える光ピックアプの概略構成図であり、
図５は、上記半導体レーザ装置の要部を側方から見た概
略図である。図４，図５において、図８に示した従来例
の構成部と同一構成部は、図８における構成部と同一参
照番号を付して説明を省略する。また、図４，図５の光
ピックアップは、図１，図２の光ピックアップと同じ様
にして、トラッキング誤差信号を得ている。

【００３４】上記光ピックアップは、図４に示すよう
に、光検出器２、ホログラム素子４、対物レンズ５及び
半導体レーザ装置１０１を具備している。

【００３５】上記半導体レーザ装置１０１は、搭載面４
３ａとこの搭載面４３ａに垂直な垂直面４３ｂとを有す
るステム４３と、その搭載面４３ａに搭載された半導体
レーザチップ１とを備えている。上記垂直面４３ｂの搭
載面４３ａの近傍には、レーザ光の出射方向への反射を
防止する出射方向反射防止部としての黒色部１５，凹部
１６を形成している。また、上記半導体レーザチップ１
は、図５に示すように、垂直面４３ｂ側の光出射端面１
ａからレーザ光を出射する。上記ステム４３では、搭載
面４３ａと垂直面４３ｂとがＲ面４３ｃを介して繋がっ
ている。このＲ面４３ｃに対して黒色部１５，凹部１６
が隣接している。上記黒色部１５は約０．３ｍｍφ程度
であり、黒色部１５の中心にある凹部１６は約０．１ｍ
ｍ〜０．２ｍｍφ程度である。

【００３６】上記構成の半導体レーザ装置１０１によれ
ば、上記垂直面４３ｂにおいて戻り光のサイドビームＲ
１が照射される部分、つまり垂直面４３ｂの搭載面４３
ａの近傍には、黒色部１５，凹部１６が形成されている
ので、戻り光のサイドビームＲ１が黒色部１５により吸
収されると共に、戻り光のサイドビームＲ１が凹部１６
により散乱される。これにより、上記垂直面４３ｂの搭
載面４３ａの近傍における出射方向の反射率が低くな
る。図７から分るように、加工が施されていない垂直面
４３ｂでは、反射率が３５％〜６０％となり、特にコー
ティング等が行われていない光出射端面１ａの出射方向
の反射率３２％と略同じかあるいはそれより大きい反射
率となっているのに対して、レーザマーカによる加工で
黒色部１５，凹部１６が形成された垂直面４３ｂでは、
出射方向の反射率が１５％〜２５％となり、特にコーテ
ィング等が行われていない光出射端面１ａの出射方向の
反射率よりも低い値となる。

【００３７】このように、上記垂直面４３ｂの搭載面４
３ａの近傍における出射方向の反射率が低いので、戻り
光のサイドビームＲ１が垂直面３ｂの搭載面３ａの近傍
で出射方向へ反射するのは困難である。したがって、上
記トラッキング誤差信号が安定かつ正確に得られて、ト
ラッキング制御信号が乱れるのを防止できる。

【００３８】また、上記半導体レーザ装置１０１は、戻
り光のサイドビームＲ１が出射方向へ反射するのを防げ
るから、半導体レーザチップ１が高出力であっても、ト
ラッキング制御信号を乱さない。したがって、高出力の
半導体レーザチップを必要とする情報書き換え用光ディ
スクシステムに使用できる。

【００３９】図６(ａ)は、上記ステム４３の作製方法を
説明するための図であり、図６（ｂ）は、上記ステム４
３の垂直面４３ｂの表面状態を示す模式図である。図６
(ａ)，図６（ｂ）において、上記半導体レーザチップ１
とステム４３との位置関係が分るように、半導体レーザ
チップ１を点線で図示している。

【００４０】上記ステム４３の垂直面４３ｂの黒色部１
５，凹部１６は、レーザマーカによる加工で形成され
る。具体的には、図６（ａ）に示すようなＹＡＧレーザ
１２を用いて、ＹＡＧレーザ１２のレーザ光１４をレン
ズ１３で集光させる。その集光させたレーザ光１４を垂
直面４３ｂの搭載面４３ａ近傍に照射する。これによ
り、上記垂直面４３ｂの搭載面４３ａ近傍に、つまり戻
り光のサイドビームＲ１が照射される部分に、黒色部１
５，凹部１６が形成される。このように、上記黒色部１
５，凹部１６の形成が容易であるから、ステム４３を簡
単・安価に製造することができる。

【００４１】上記他の実施の形態では、半導体レーザチ
ップ１をステム４３に直接取り付けていたが、サブマウ
ントを介してステム４３に取り付けてもよい。この場合
は、上記サブマウントをステムの一部とみなす。

【００４２】上記他の実施の形態では、ステム４３の垂
直面４３ｂは搭載面４３ａに対して垂直であったが、搭
載面４３ａに対して略垂直であってもよい。

【００４３】また、上記搭載面４３ａと垂直面４３ｂと
はＲ面４３ｃで繋がっていたが、搭載面４３ａと垂直面
４３ｂが直接繋がっていてもよい。つまり、上記ステム
４３にＲ面４３ｃが形成されていてもいなくてもよい。

【００４４】また、上記他の実施の形態では、ステム４
３とホログラム素子４とは、別体であったが、一体であ
ってもよい。

【００４５】また、上記他の実施の形態では、上記垂直
面４３ｂの搭載面４３ａの近傍に黒色部１５，凹部１６
を設けていたが、黒色部１５，凹部１６のうちの一方の
みを設けるだけでもよい。また、凹部の形状は特に限定
されるものではない。

【００４６】

【発明の効果】以上より明らかなように、本発明の半導
体レーザ装置は、ステムにおいて垂直面の搭載面の近傍
には、レーザ光の出射方向への反射を防止する出射方向
反射防止部があるから、垂直面の搭載面の近傍における
レーザ光の出射方向への反射を防げる。したがって、例
えば光ピックアップに使用すると、トラッキング誤差信
号が安定かつ正確に得られ、トラッキング制御信号が乱
れるのを防止できる。

【００４７】また、上記垂直面の搭載面の近傍における
レーザ光の出射方向への反射を阻止できるから、半導体
レーザチップが高出力であっても、トラッキング制御信
号を乱さない。したがって、高出力の半導体レーザチッ
プを必要とする情報書き換え用光ディスクシステムに使
用できる。

【００４８】一実施形態の半導体レーザ装置によれば、
上記出射方向反射防止部が梨地であるから、例えば、放
電加工により表面を荒らした金型を用いて、梨地を有す
るステムを簡単・安価に製造できる。

【００４９】一実施形態の半導体レーザ装置によれば、
上記出射方向反射防止部は凹部または黒色部であるか
ら、例えば、レーザマーカによる加工によって、凹部ま
たは黒色部を有するステムを簡単・安価に製造できる。

【００５０】本発明の光ピックアップは、上記半導体レ
ーザ装置を有しているから、例えばトラッキング誤差制
御システムによってトラッキング誤差信号が安定かつ正
確に得られ、トラッキング制御信号が乱れるのを阻止で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の実施の一形態の光ピックアッ
プの概略構成図である。

【図２】 図２は上記光ピックアップの半導体レーザ装
置の要部の概略側面図である。

【図３】 図３（ａ）は上記光ピックアップの半導体レ
ーザ装置のステムの作製方法を説明するための図であ
り、図３（ｂ）は上記ステムの垂直面の表面状態の模式
図である。

【図４】 図４は本発明の他の実施の形態の光ピックア
ップの概略構成図である。

【図５】 図５は他の実施の形態の光ピックアップの半
導体レーザ装置の要部の概略側面図である。

【図６】 図６（ａ）は上記他の実施の形態の光ピック
アップの半導体レーザ装置のステムの作製方法を説明す
るための図であり、図６（ｂ）は上記ステムの垂直面の
表面状態の模式図である。

【図７】 図７は、ステムの垂直面における出射方向の
反射率を示すグラフである。

【図８】 図８（ａ）は従来の光ピックアップの概略構
成図であり、図８（ｂ）は光ディスクの情報記録面の状
態を示す模式図である。

【図９】 図９は上記従来の光ピックアップの半導体レ
ーザ装置の要部の側面図である。

【符号の説明】

１ 半導体レーザチップ ３，４３ ステム ３ａ，４３ａ 搭載面 ３ｂ，４３ｂ 垂直面 ７ 梨地 １６ 凹部 １７ 黒色部 １００，１０１ 半導体レーザ装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D118 AA13 BA01 BB02 CD03 CF16 CG04 CG24 CG33 5D119 AA20 AA38 BA01 BB02 BB04 BB05 DA01 EA02 EC41 FA05 FA28 5F073 AB25 AB27 BA05 FA02 FA17

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 搭載面とこの搭載面に略垂直な垂直面と
   を有するステムと、上記搭載面に搭載された半導体レー
   ザチップとを備えて、上記半導体レーザチップの上記垂
   直面側の光出射端面からレーザ光を出射する半導体レー
   ザ装置において、 上記垂直面は上記搭載面の近傍に、レーザ光の出射方向
   への反射を防止する出射方向反射防止部を備えたことを
   特徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
   いて、 上記出射方向反射防止部は梨地であることを特徴とする
   半導体レーザ装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザ装置にお
   いて、 上記出射方向反射防止部は凹部または黒色部であること
   を特徴とする半導体レーザ装置。
4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１つに記載の
   半導体レーザ装置と、 上記半導体レーザ装置の上記半導体レーザチップが光デ
   ィスクへ向けて出射したレーザ光を、メインビームと上
   記メインビームの両側の２つのサイドビームとに分ける
   回折格子と、 上記回折格子と上記光ディスクとの間に配置される対物
   レンズと、 上記光ディスクで反射された上記メインビーム及び上記
   サイドビームを、上記対物レンズを介して受ける光検出
   器とを備えて、 上記光ディスクで反射された上記メインビーム及び上記
   サイドビームのうちの少なくとも２つに基づく上記光検
   出器からの検出出力を用いて、上記光ディスク上の上記
   メインビームのトラッキング状態に応じたトラッキング
   誤差信号を得ることを特徴とする光ピックアップ。