JPH0330385A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0330385A JPH0330385A JP16475489A JP16475489A JPH0330385A JP H0330385 A JPH0330385 A JP H0330385A JP 16475489 A JP16475489 A JP 16475489A JP 16475489 A JP16475489 A JP 16475489A JP H0330385 A JPH0330385 A JP H0330385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- light
- submount
- die
- bonded
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はモニター用フォトダイオード（以下ＰＤと略
す）を内蔵した面発光形半導体レーザダイオード（以下
ＬＤと略す）装置曇こ関するものである。
す）を内蔵した面発光形半導体レーザダイオード（以下
ＬＤと略す）装置曇こ関するものである。
第２図は従来のファブリペロ−形ＬＤ装置の断面正面図
で、図において、ＬＤチップ（１）は熱応力緩和材とし
てのサブマウント（２）を介して放熱ブロック（３）に
組立てられ、この放熱ブロック（３）はモニタｍｍＰＤ
チップ（４）が組込まれたステム（５）に組立てられて
いる。ＬＤチップ［１）及びＰＤチップ（４）は金線（
６）がボンディングされ、リード？Ｒ（７）へ電気的に
２１１通されている。ステム（５）にキャンプ（８）が
取り付けられ、ＬＤ装置が構成される。
で、図において、ＬＤチップ（１）は熱応力緩和材とし
てのサブマウント（２）を介して放熱ブロック（３）に
組立てられ、この放熱ブロック（３）はモニタｍｍＰＤ
チップ（４）が組込まれたステム（５）に組立てられて
いる。ＬＤチップ［１）及びＰＤチップ（４）は金線（
６）がボンディングされ、リード？Ｒ（７）へ電気的に
２１１通されている。ステム（５）にキャンプ（８）が
取り付けられ、ＬＤ装置が構成される。
次に動作について説明する。ＬＤチップ（１）はリード
線（７）に１王を印加されると、ＬＤチンプ（１）和電
流が流れ、ノーザ発振が始まり、ＬＤチップ（１）より
２方向にレーザ光が図示矢印で示す如く放射される。−
万のレーザ光は光システムの光源として用いられ、他方
のＶ−ザ光はモニターＰＤチップ（４）ｌこ入射して、
ＬＤ光出力の制御に用いられる。
線（７）に１王を印加されると、ＬＤチンプ（１）和電
流が流れ、ノーザ発振が始まり、ＬＤチップ（１）より
２方向にレーザ光が図示矢印で示す如く放射される。−
万のレーザ光は光システムの光源として用いられ、他方
のＶ−ザ光はモニターＰＤチップ（４）ｌこ入射して、
ＬＤ光出力の制御に用いられる。
モニターＰＤチップ（４）はレーザ光に対して［Ｍｔ。
て２す、Ｖ−ザ光の入射光がＰＤチップ（４）で反射し
て再びＬＤチップ（１）へ入射する事のないように組立
てられている０ 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されていた
ので、ＬＤチップ、ＰＤチップのダイボンド面、ワイヤ
ボンド面が平行面上ではないため、組立工程が複雑にな
る欠点があり、又、面発光形ＬＤにおいてはモニターＰ
Ｄと、良好に光結合する方法がないという問題点があっ
た。
て再びＬＤチップ（１）へ入射する事のないように組立
てられている０ 〔発明が解決しようとする課題〕 従来の半導体レーザ装置は以上のように構成されていた
ので、ＬＤチップ、ＰＤチップのダイボンド面、ワイヤ
ボンド面が平行面上ではないため、組立工程が複雑にな
る欠点があり、又、面発光形ＬＤにおいてはモニターＰ
Ｄと、良好に光結合する方法がないという問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので１面発光型ＬＤを用い、モニターＰＤとの曳好
な光結合を得るとともに組立工程の簡略化をはかる事を
目的とする。
たもので１面発光型ＬＤを用い、モニターＰＤとの曳好
な光結合を得るとともに組立工程の簡略化をはかる事を
目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、面発光形ＬＤチッ
プを用い、サブマウントの同一平面上にＬＤチップとＰ
Ｄチップを組立てて、ＬＤチップ及びＰＤチップ上にホ
ログラムを装着するようにしたものである。
プを用い、サブマウントの同一平面上にＬＤチップとＰ
Ｄチップを組立てて、ＬＤチップ及びＰＤチップ上にホ
ログラムを装着するようにしたものである。
この発明におけるモニターＰＤチップおよびＬＤチンプ
は同一平面上に取付けられるようにしたので、モニター
ＰＤとの良好な光結合ができるとともに組立工程を簡略
化できる。
は同一平面上に取付けられるようにしたので、モニター
ＰＤとの良好な光結合ができるとともに組立工程を簡略
化できる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、面発光形ＬＤチップ（１）を用い、ステム
（５）に組込まれたサブマウント（２）の同一平面上に
ＬＤチップ（１）及びＰＤチップ（４）をダイボンドす
る。この後、ＬＤチップ（１）及びＰＤチップ（４）の
電極とリードポスト（力をワイヤボンドする。
図において、面発光形ＬＤチップ（１）を用い、ステム
（５）に組込まれたサブマウント（２）の同一平面上に
ＬＤチップ（１）及びＰＤチップ（４）をダイボンドす
る。この後、ＬＤチップ（１）及びＰＤチップ（４）の
電極とリードポスト（力をワイヤボンドする。
さらに、ホログラムレンズ（９）の装着されたキャンプ
（８）を設置する。
（８）を設置する。
以上のようにこの発明によれば、ＬＤチップよりの出射
光はホログラムレンズを通り元システムの光源となり、
戻り光が再びホログラムレンズに入射して来るが、戻り
光は入射光に対して角度を持って戻って来るため、戻り
光位置にＰＤチップをダイボンドしておくことにより、
モニターＰＤチップと良好な光結合ができ、レーザ光を
モニターすることができる。又％ＬＤチップ、ＰＤチッ
プが同一平面上に組立てられているため、ダイボンド、
ワイヤボンド工程を簡略化することができるなどの効果
がある。
光はホログラムレンズを通り元システムの光源となり、
戻り光が再びホログラムレンズに入射して来るが、戻り
光は入射光に対して角度を持って戻って来るため、戻り
光位置にＰＤチップをダイボンドしておくことにより、
モニターＰＤチップと良好な光結合ができ、レーザ光を
モニターすることができる。又％ＬＤチップ、ＰＤチッ
プが同一平面上に組立てられているため、ダイボンド、
ワイヤボンド工程を簡略化することができるなどの効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例である半導体レーザ装置の
断面正面図、第２図は従来の半導体レーザ装置の断面正
面図である。 図において、【１）はＬＬ）チップ、（２）はサブマウ
ン） 、 ４４）はモニターＰＤチップ、（８）はキャ
ンプ、（９）はホログラムレンズを示す◇ なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 第１図 第２図
断面正面図、第２図は従来の半導体レーザ装置の断面正
面図である。 図において、【１）はＬＬ）チップ、（２）はサブマウ
ン） 、 ４４）はモニターＰＤチップ、（８）はキャ
ンプ、（９）はホログラムレンズを示す◇ なお１図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。 第１図 第２図
Claims (1)
- レーザダイオードチップが熱応力緩和材としてのサブマ
ウントを介して放熱体に組立てられ、モニター用フォト
ダイオードが内蔵されている半導体レーザ装置において
、前記レーザダイオードが面発光形レーザダイオードで
構成され、前記サブマウントの同一平面上に前記レーザ
ダイオードチップ及びフォトダイオードチップが組立て
られ、前記レーザダイオードチップ、フォトダイオード
上にホログラムレンズが設置されている事を特徴とする
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16475489A JPH0330385A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16475489A JPH0330385A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0330385A true JPH0330385A (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=15799289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16475489A Pending JPH0330385A (ja) | 1989-06-27 | 1989-06-27 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0330385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020126980A (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光装置、光学装置および情報処理装置 |
-
1989
- 1989-06-27 JP JP16475489A patent/JPH0330385A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020126980A (ja) * | 2019-02-06 | 2020-08-20 | 富士ゼロックス株式会社 | 発光装置、光学装置および情報処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4167744A (en) | Electroluminescent semiconductor device having optical fiber window | |
| US20050196112A1 (en) | Transmitting optical subassembly capable of monitoring the front beam of the semiconductor laser diode | |
| JP2930213B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH08186326A (ja) | 半導体発光素子のパッケージ及びその製造方法 | |
| JPH10321900A (ja) | 光モジュール | |
| US20030161371A1 (en) | Monolithic laser configuration | |
| JPS62260384A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02254783A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2001358398A (ja) | 半導体レーザー素子ユニットおよび半導体レーザーモジュール | |
| JP3277736B2 (ja) | 半導体素子の封止構造 | |
| JPH0330385A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH05183239A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2004119493A (ja) | 光モジュール | |
| JPH03222384A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2000031582A (ja) | 光モジュール | |
| JPH01253983A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| KR102239822B1 (ko) | 다채널 구동 표면실장 타입 레이저 다이오드 | |
| KR102288628B1 (ko) | 자동 광파워 제어 가능 구조를 갖는 표면실장형 레이저 다이오드 | |
| JPH0563309A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3771609B2 (ja) | 半導体レーザ装置及びその組立方法 | |
| JP2005026333A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3660305B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP3318083B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS63287084A (ja) | 半導体レ−ザモジュ−ル | |
| JPH02296388A (ja) | 半導体発光素子の実装方法 |