JPS63250186A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS63250186A JPS63250186A JP8505587A JP8505587A JPS63250186A JP S63250186 A JPS63250186 A JP S63250186A JP 8505587 A JP8505587 A JP 8505587A JP 8505587 A JP8505587 A JP 8505587A JP S63250186 A JPS63250186 A JP S63250186A
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- Japan
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- semiconductor laser
- ohmic electrode
- light
- optical
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
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- 230000000007 visual effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体レーザに関するものである。
半導体レーザは光ディスクやレーザプリンタやビディオ
ディスクあるいはディジタルオーディオディスク等の光
情報処理用機器の光源あるいは光通信用の光源として実
用化されている。
ディスクあるいはディジタルオーディオディスク等の光
情報処理用機器の光源あるいは光通信用の光源として実
用化されている。
特に半導体レーザは小型、高出力、高速変調特性に於て
Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の他のレーザ光源よりも優れた特徴
を有しており高性能な光源として期待されるものである
。
Ｈｅ−Ｎｅレーザ等の他のレーザ光源よりも優れた特徴
を有しており高性能な光源として期待されるものである
。
上述した従来型の半導体レーザの一例を第４図に示す。
従来型の半導体レーザはｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ基板（３１
）上部にｎ型Ａｌｏ、ａ Ｇａｏ、ｓＡｓ層（３２）、
ｎ型ＡＸ Ｏ，３Ｇａ ｏ、ｙＡ８層（３３） 、活性
層となるＡｊｌｏ、ｘｚ Ｇａ ｏ、ｇ ｇＡ８層（３
４） 、Ｐ型Ａｌｏ、４Ｇａｏ、ｓＡｓ層（３５） 、
ｎ型Ａ１１ｏ、ｘＧａｏ、９Ａｓ層（３６）を備えさら
に帯状のＰ型不純物拡散領域（３７）を備えＰ型オーミ
ック電極（３８） 、 ｎ型オーミック電極（３９）を
設は互いに平行な一対の共振器面を設けて構成されてい
た。
）上部にｎ型Ａｌｏ、ａ Ｇａｏ、ｓＡｓ層（３２）、
ｎ型ＡＸ Ｏ，３Ｇａ ｏ、ｙＡ８層（３３） 、活性
層となるＡｊｌｏ、ｘｚ Ｇａ ｏ、ｇ ｇＡ８層（３
４） 、Ｐ型Ａｌｏ、４Ｇａｏ、ｓＡｓ層（３５） 、
ｎ型Ａ１１ｏ、ｘＧａｏ、９Ａｓ層（３６）を備えさら
に帯状のＰ型不純物拡散領域（３７）を備えＰ型オーミ
ック電極（３８） 、 ｎ型オーミック電極（３９）を
設は互いに平行な一対の共振器面を設けて構成されてい
た。
しかしながらこの従来の半導体レーザは互いに平行な一
対の共振器面を有し、この面に垂直な方向に光を出射す
るためレコード盤や光学部品からの反射光に対し複合共
振器を形成し易く、半導体レーザの動作状態が不安定に
なり雑音を発生し易いという欠点を持っていた。
対の共振器面を有し、この面に垂直な方向に光を出射す
るためレコード盤や光学部品からの反射光に対し複合共
振器を形成し易く、半導体レーザの動作状態が不安定に
なり雑音を発生し易いという欠点を持っていた。
本発明の目的はこの様な従来の半導体レーザの欠点を除
去し低雑音特性に優れう半導体レーザを提供することに
ある。
去し低雑音特性に優れう半導体レーザを提供することに
ある。
（独創性）の内容
上述した従来の半導体レーザの欠点を除去するために本
発明は半導体レーザの対向する一対の共振器面と発光に
与かる活性領域とを少なくとも備え発光点よちも少なく
とも２０ミクロン以上離れた領域を共振器面に対して傾
けることによって半導体レーザよシ出射した光がレコー
ド盤や光学部品からの反射光となって共振器面へ戻って
来て複合共振器となることを防止し、前記反射光が再び
光学部品やレコード盤へ戻ることを防ぎ低雑音特性に優
れた光源としての半導体レーザを提供できる様にするも
のである。
発明は半導体レーザの対向する一対の共振器面と発光に
与かる活性領域とを少なくとも備え発光点よちも少なく
とも２０ミクロン以上離れた領域を共振器面に対して傾
けることによって半導体レーザよシ出射した光がレコー
ド盤や光学部品からの反射光となって共振器面へ戻って
来て複合共振器となることを防止し、前記反射光が再び
光学部品やレコード盤へ戻ることを防ぎ低雑音特性に優
れた光源としての半導体レーザを提供できる様にするも
のである。
本発明の半導体レーザは対向する一対の共振器面と発光
に与かる活性領域とを少なくとも備え発光点よりも少な
くとも２０ミクロン以上離れた領域を共振器面に傾けた
ことを特徴としている。
に与かる活性領域とを少なくとも備え発光点よりも少な
くとも２０ミクロン以上離れた領域を共振器面に傾けた
ことを特徴としている。
本発明は上述の構成をとることによシ従来技術の問題点
を解決した。すなわち半導体レーザの共振器面に傾きを
設けることによシレコード盤や光学部品からの反射光に
対する複合共振器の構成を防止し、半導体レーザ共振器
面へ戻って来た前記反射光が再び光学部品やレコード盤
へ戻ることを防止でき、低雑音特性に優れた光源として
の半導体レーザを提供することができる。
を解決した。すなわち半導体レーザの共振器面に傾きを
設けることによシレコード盤や光学部品からの反射光に
対する複合共振器の構成を防止し、半導体レーザ共振器
面へ戻って来た前記反射光が再び光学部品やレコード盤
へ戻ることを防止でき、低雑音特性に優れた光源として
の半導体レーザを提供することができる。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明する図で第２図は本発
明の原理を示す図である。
明の原理を示す図である。
まず第１図に示す実施例について説明する。
結晶成長工程によりｎ型−ＧａＡｓ基板（１）上に順次
ｎ型ＡＡ ｏ、ａ Ｇａ ｏ、ｓＡｓ層（２）、ｎ型Ａ
１ｏ、５Ｇａｏ、ｒＡｓ層（３）、活性層となるＡｔｏ
、ｔｚＧａｏ、５ａＡｓ層（４）、ｐ型Ａｊ、ｏ、４Ｇ
ａｏ、ｓＡｓ層（ｉ）、ｎ型Ｍｏ、５Ｇａｏ、ｅＡｓ層
（６）を形成する。しかる後にＺｎ拡散によシ帯状のＰ
型不純物拡散領域（７）を設けＧａＡｓ基板（１）側よ
シ研磨工程によりて約１００μｍ厚に形成してｐ型オー
ミック電極（８）、ｎ型オーミック電極（９）を形成し
さらにフォトリングラフィと化学エツチング液（Ｉ：２
ＫＩ：２０Ｈ２ｏ）を用いてｎ型オーミック電極（９）
の一部を除去し露呈したＧａＡｓ基板面を化学エツチン
グ液（ＨＮ４０Ｈ： ２ＨｚＯｔ ： ５ｏＨ２ｏ）で
約５０〜６０μｍの深さにメサエッチングを行い本発明
に係る半導体レーザ装置が形成される。
ｎ型ＡＡ ｏ、ａ Ｇａ ｏ、ｓＡｓ層（２）、ｎ型Ａ
１ｏ、５Ｇａｏ、ｒＡｓ層（３）、活性層となるＡｔｏ
、ｔｚＧａｏ、５ａＡｓ層（４）、ｐ型Ａｊ、ｏ、４Ｇ
ａｏ、ｓＡｓ層（ｉ）、ｎ型Ｍｏ、５Ｇａｏ、ｅＡｓ層
（６）を形成する。しかる後にＺｎ拡散によシ帯状のＰ
型不純物拡散領域（７）を設けＧａＡｓ基板（１）側よ
シ研磨工程によりて約１００μｍ厚に形成してｐ型オー
ミック電極（８）、ｎ型オーミック電極（９）を形成し
さらにフォトリングラフィと化学エツチング液（Ｉ：２
ＫＩ：２０Ｈ２ｏ）を用いてｎ型オーミック電極（９）
の一部を除去し露呈したＧａＡｓ基板面を化学エツチン
グ液（ＨＮ４０Ｈ： ２ＨｚＯｔ ： ５ｏＨ２ｏ）で
約５０〜６０μｍの深さにメサエッチングを行い本発明
に係る半導体レーザ装置が形成される。
第２図は本発明による半導体レーザを用いることによっ
て低雑音特性に優れた光ディスクからの信号を検出する
原理を示すものである。
て低雑音特性に優れた光ディスクからの信号を検出する
原理を示すものである。
本発明に係る半導体レー４ｊ′、（２１）からの出射ビ
ームはコリメートレンズ（２２）によシ平行ビームに整
形されハーフミラ−（２３）を経由して集光レンズ（２
４）によシ光ディスク１１ （２５）上に集光さ、れる
。光デイスク盤（２５）からの反射光はハーフミラ−（
２３）を経由して信号光（２６）となシ光検出器（２７
）にて受光され電気信号に変換されるものである。ここ
でハーフミラ−（２３）に入る信号の一部は戻シ光（２
８）となってコリメートレンズ（２２）を経由して半導
体レーザ測へ戻って来る。
ームはコリメートレンズ（２２）によシ平行ビームに整
形されハーフミラ−（２３）を経由して集光レンズ（２
４）によシ光ディスク１１ （２５）上に集光さ、れる
。光デイスク盤（２５）からの反射光はハーフミラ−（
２３）を経由して信号光（２６）となシ光検出器（２７
）にて受光され電気信号に変換されるものである。ここ
でハーフミラ−（２３）に入る信号の一部は戻シ光（２
８）となってコリメートレンズ（２２）を経由して半導
体レーザ測へ戻って来る。
しかるに本発明による半導体レーザに於いてはその反射
鏡面は出射ビームの方向に対して１０度以上の傾斜を有
しているため第２図に示す様に戻り光は半導体レーザの
反射鏡面にて１０度以上の角度をもって反射されるため
コリメートレンズ（２２）の有効視野からはずれ再び光
デイスク盤上には入射されることはない。
鏡面は出射ビームの方向に対して１０度以上の傾斜を有
しているため第２図に示す様に戻り光は半導体レーザの
反射鏡面にて１０度以上の角度をもって反射されるため
コリメートレンズ（２２）の有効視野からはずれ再び光
デイスク盤上には入射されることはない。
一方従来の半導体レーザに於ては半導体レーザへ出射ビ
ームは反射鏡面に対してほぼ垂直であるため戻シ光は半
導体レーザからの出射ビームと同一方向に反射され光デ
イスク盤上に再度入射すること布、さけられず、多数回
の戻シ光が重なシ干渉雑音を避けることが不可能であっ
た。
ームは反射鏡面に対してほぼ垂直であるため戻シ光は半
導体レーザからの出射ビームと同一方向に反射され光デ
イスク盤上に再度入射すること布、さけられず、多数回
の戻シ光が重なシ干渉雑音を避けることが不可能であっ
た。
本発明による半導体レーザを用いると戻シ光による雑音
発生が除去でき良質な光信号を得ることができた。以上
は光ディスクに応用した例を述べたが他の応用例えば光
通信、光ファイバジャイロ等へ応用した場合でも同様の
効果が得られる。
発生が除去でき良質な光信号を得ることができた。以上
は光ディスクに応用した例を述べたが他の応用例えば光
通信、光ファイバジャイロ等へ応用した場合でも同様の
効果が得られる。
第３図は本発明の第２の実施例を示す図でこの第２の実
施例は第１の実施例同様にして形成した半導体レーザで
共振器面の発光点から少なくとも２０ミクロン以上離れ
た領域の形状が湾曲状に形成してあシ第１の実施例と同
様にレコード盤や光学部品からの反射光に対する複合共
振器の構成を防ぎ半導体レーザ反射鏡面に戻ってぐる前
記反射光が再び光学部品やレコード盤へ再入射すること
による雑音の発生を防止し低雑音特性に優れた半導体レ
ーザが得られる。
施例は第１の実施例同様にして形成した半導体レーザで
共振器面の発光点から少なくとも２０ミクロン以上離れ
た領域の形状が湾曲状に形成してあシ第１の実施例と同
様にレコード盤や光学部品からの反射光に対する複合共
振器の構成を防ぎ半導体レーザ反射鏡面に戻ってぐる前
記反射光が再び光学部品やレコード盤へ再入射すること
による雑音の発生を防止し低雑音特性に優れた半導体レ
ーザが得られる。
以上説明した様に半導体レーザの出射ビーム方向に対し
半導体レーザ反射鏡面を傾斜あるいは湾曲状にすること
によってレコード盤や光学部品からの反射光に対する複
合共振器の構成を避け、半導体レーザ反射鏡面へ戻って
きた前記反射光が再び光学部品やレコード盤へ再入射す
ることによる雑音の発生を防止し低雑音特性に優れた良
質の半導体レーザを提供することができる。
半導体レーザ反射鏡面を傾斜あるいは湾曲状にすること
によってレコード盤や光学部品からの反射光に対する複
合共振器の構成を避け、半導体レーザ反射鏡面へ戻って
きた前記反射光が再び光学部品やレコード盤へ再入射す
ることによる雑音の発生を防止し低雑音特性に優れた良
質の半導体レーザを提供することができる。
なお本発明に係る半導体レーザは前述した第１及び第２
の実施例にのみ限定されるものではなく各種ストライプ
構造の半纏体レーザに於いても適用できることは言Ｉ）
ｉでもない。又、本笑施例で結晶材料をｋｌＧ ａ Ａ
ｓ系について述べたがＩｎＧａＡｓｐ系、ＡＩ！Ｇａ
Ｉｎｐ系、ＺｎＳ系等の発光装置においても適用できる
ものである。
の実施例にのみ限定されるものではなく各種ストライプ
構造の半纏体レーザに於いても適用できることは言Ｉ）
ｉでもない。又、本笑施例で結晶材料をｋｌＧ ａ Ａ
ｓ系について述べたがＩｎＧａＡｓｐ系、ＡＩ！Ｇａ
Ｉｎｐ系、ＺｎＳ系等の発光装置においても適用できる
ものである。
第１図は本発明に係る半導体レーザの実施例を説明する
図、第２図は、本発明に係る半導体レーザの効果を説明
する原理図、第３図は本発明に係る半導体レーザの第２
の実施例を示す図、第４図は従来型半導体レーザを示す
図である。 図においで、１，３１，４１・・・・・・ｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓ基板、２ 、２１ 、２２− ｎ型Ａｊ！ｏ、４
Ｇａｏ、ａＡｓ層、３ 、３３ 、４３−・・””ｎ型
ＡＡｏ、ａＧａｏ７Ａｓ層、４ 、３４ 、４４−・−
活性層Ｍｏ、ｚｚ Ｇａ Ｏ，８８ＡＳ層、５，３５．
４５＝ｐ型Ａ１ｏ、ａＧａｏ、ａＡｓ層、６，３６．４
６−＝ｎ型ＡＥ ｎｌＧ ａ ０．９ＡＳ層、７゜３７
．４７・・・・・・ｐ型不純物拡散領域、８．３８．４
８・・・・・・ｐ型オーミック電極、９，３９，４９・
・・・・・ｎ型オーミック電極、２１・・・・・・本発
明に係る半導体レーザ、２２・・・・・・コ！Ｊ 、７
’ −）レンズ、２３・・・・・・ハーフミラ−１２４
・・・・・・集束レンズ、２５・・・・・・光デイスク
盤、２６・・・・・・信号光、２７・・・・・・光検出
器、２８・・・・・・戻シ光をそれぞれ示す。
図、第２図は、本発明に係る半導体レーザの効果を説明
する原理図、第３図は本発明に係る半導体レーザの第２
の実施例を示す図、第４図は従来型半導体レーザを示す
図である。 図においで、１，３１，４１・・・・・・ｎ型Ｇ ａ
Ａ ｓ基板、２ 、２１ 、２２− ｎ型Ａｊ！ｏ、４
Ｇａｏ、ａＡｓ層、３ 、３３ 、４３−・・””ｎ型
ＡＡｏ、ａＧａｏ７Ａｓ層、４ 、３４ 、４４−・−
活性層Ｍｏ、ｚｚ Ｇａ Ｏ，８８ＡＳ層、５，３５．
４５＝ｐ型Ａ１ｏ、ａＧａｏ、ａＡｓ層、６，３６．４
６−＝ｎ型ＡＥ ｎｌＧ ａ ０．９ＡＳ層、７゜３７
．４７・・・・・・ｐ型不純物拡散領域、８．３８．４
８・・・・・・ｐ型オーミック電極、９，３９，４９・
・・・・・ｎ型オーミック電極、２１・・・・・・本発
明に係る半導体レーザ、２２・・・・・・コ！Ｊ 、７
’ −）レンズ、２３・・・・・・ハーフミラ−１２４
・・・・・・集束レンズ、２５・・・・・・光デイスク
盤、２６・・・・・・信号光、２７・・・・・・光検出
器、２８・・・・・・戻シ光をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 対向する一対の共振器面とこの一対の共振器間に設けら
れた発光領域とを少なくとも備えている半導体レーザに
おいて発光点よりも少なくとも２０ミクロン以上離れた
領域を共振器面に対し傾けたことを特徴とする半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8505587A JPS63250186A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8505587A JPS63250186A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63250186A true JPS63250186A (ja) | 1988-10-18 |
Family
ID=13847961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8505587A Pending JPS63250186A (ja) | 1987-04-06 | 1987-04-06 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63250186A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0593031A2 (en) * | 1992-10-14 | 1994-04-20 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| US5621746A (en) * | 1992-10-14 | 1997-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
-
1987
- 1987-04-06 JP JP8505587A patent/JPS63250186A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0593031A2 (en) * | 1992-10-14 | 1994-04-20 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| EP0593031A3 (en) * | 1992-10-14 | 1994-09-07 | Sony Corp | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
| US5621746A (en) * | 1992-10-14 | 1997-04-15 | Sony Corporation | Semiconductor laser and method of manufacturing same |
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