JP2002057404A5 - - Google Patents

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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
上記第１クラッド層の上層に形成された活性層と、
上記活性層の上層に形成された第２導電型の第２クラッド層と、
電流注入ストライプ領域において、上記第２クラッド層の上層に形成された第２導電型の第３クラッド層と、
上記第３クラッド層の上層に形成されたコンタクト層と、
上記電流注入ストライプ領域を除く領域における上記第２クラッド層および上記コンタクト層に接続するように形成された電極と
を有し、
上記電極への所定の電圧の印加により、上記電極から上記コンタクト層を介して第１電流が注入されて上記活性層近傍のレーザ光発振領域からレーザ光を出射する際に、上記電流注入ストライプ領域を除く領域において上記電極から上記第２クラッド層を介して上記第１電流よりも小さい第２電流が注入され、上記レーザ光発振領域の端部の電流が制御されて自励発振する
レーザダイオード。
【請求項２】
上記レーザ光発振領域の端部に可飽和吸収領域を形成して自励発振する
請求項１に記載のレーザダイオード。
【請求項３】
上記第２クラッド層がＡｌＧａＩｎＰ系材料からなる
請求項１に記載のレーザダイオード。
【請求項４】
上記第２クラッド層に接する部分の上記電極の材料がチタンからなる
請求項１に記載のレーザダイオード。
【請求項５】
上記電極がチタン、プラチナおよび金の積層膜からなり、チタン側から上記第２クラッド層およびコンタクト層に接して形成されている
請求項４に記載のレーザダイオード。
【請求項６】
上記第２クラッド層と上記第３クラッド層の間にエッチングストップ層を有する
請求項１に記載のレーザダイオード。
【請求項７】
上記第３クラッド層の膜厚および上記電流注入ストライプ領域の幅により、自励発振の度合いを調整できる
請求項１に記載のレーザダイオード。
【請求項８】
上記第３クラッド層の膜厚が０．１〜０．７μｍの範囲にある
請求項１に記載のレーザダイオード。
【請求項９】
上記電流注入ストライプ領域の幅が１．５〜５μｍの範囲にある
請求項１に記載のレーザダイオード。
【請求項１０】
複数個のレーザダイオード素子を有する半導体発光装置であって、上記レーザダイオード素子の少なくとも１つが、
基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
上記第１クラッド層の上層に形成された活性層と、
上記活性層の上層に形成された第２導電型の第２クラッド層と、
電流注入ストライプ領域において、上記第２クラッド層の上層に形成された第２導電型の第３クラッド層と、
上記第３クラッド層の上層に形成されたコンタクト層と、
上記電流注入ストライプ領域を除く領域における上記第２クラッド層および上記コンタクト層に接続するように形成された電極と
を有し、
上記電極への所定の電圧の印加により、上記電極から上記コンタクト層を介して第１電流が注入されて上記活性層近傍のレーザ光発振領域からレーザ光を出射する際に、上記電流注入ストライプ領域を除く領域において上記電極から上記第２クラッド層を介して上記第１電流よりも小さい第２電流が注入され、上記レーザ光発振領域の端部の電流が制御されて自励発振するレーザダイオードである
半導体発光装置。
【請求項１１】
基板上に第１導電型の第１クラッド層を形成する工程と、
上記第１クラッド層の上層に活性層を形成する工程と、
上記活性層の上層に第２導電型の第２クラッド層を形成する工程と、
上記第２クラッド層の上層に第２導電型の第３クラッド層を形成する工程と、
上記第３クラッド層の上層にコンタクト層を形成する工程と、
電流注入ストライプ領域を保護するマスク層を形成する工程と、
上記マスク層をマスクとして電流注入ストライプ領域部分を残しながら上記第３クラッド層および上記コンタクト層を除去する工程と、
上記電流注入ストライプ領域を除く領域における上記第２クラッド層および上記コンタクト層に接続するように電極を形成する工程と
を有するレーザダイオードの製造方法。
【請求項１２】
上記第２クラッド層を形成する工程と上記第３クラッド層を形成する工程の間に、上記第２クラッド層の上層にエッチングストップ層を形成する工程をさらに有し、
上記第３クラッド層を形成する工程においては、上記エッチングストップ層の上層に形成し、
上記第３クラッド層および上記コンタクト層を除去する工程においては、上記エッチングストップ層をエッチングストップとして上記第３クラッド層および上記コンタクト層を除去し、さらにエッチング条件を変更して上記エッチングストップ層を除去する
請求項１１に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項１３】
上記電極を形成する工程において、上記第２クラッド層に接する部分の上記電極の材料としてチタンを用いる
請求項１１に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項１４】
上記電極を形成する工程において、上記電極としてチタン、プラチナおよび金の積層膜を形成し、チタン側から上記第２クラッド層およびコンタクト層に接するように形成する
請求項１３に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項１５】
上記第３クラッド層の膜厚を０．１〜０．７μｍの範囲で形成する
請求項１１に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項１６】
上記電流注入ストライプ領域の幅を１．５〜５μｍの範囲で形成する
請求項１１に記載のレーザダイオードの製造方法。
【請求項１７】
基板上に形成された第１導電型の第１クラッド層と、
上記第１クラッド層の上層に形成された活性層と、
上記活性層の上層に形成された第２導電型の第２クラッド層と、
電流注入ストライプ領域において、上記第２クラッド層の上層に形成された第２導電型の第３クラッド層と、
上記第３クラッド層の上層に形成されたコンタクト層と、
上記電流注入ストライプ領域を除く領域における上記第２クラッド層および上記コンタクト層に接続するように形成された電極と
を有するレーザダイオード。
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