JP3381534B2 - 自励発振型半導体レーザ - Google Patents
自励発振型半導体レーザInfo
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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- H01S5/223—Buried stripe structure
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、自励発振型半導
体レーザに関する。
体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザを光ディスク装置などの光
源として応用する上で、戻り光ノイズをいかに抑制する
かが重要である。この戻り光ノイズを抑制するための対
策の一つに、従来より、半導体レーザを自励発振させる
ことでマルチモード化を図った、いわゆる自励発振型半
導体レーザが知られている。図４Ａは、そのような従来
の自励発振型半導体レーザを示す断面図である。ここで
は、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料により自励発振型半導体レ
ーザを構成した場合を例に示す。
源として応用する上で、戻り光ノイズをいかに抑制する
かが重要である。この戻り光ノイズを抑制するための対
策の一つに、従来より、半導体レーザを自励発振させる
ことでマルチモード化を図った、いわゆる自励発振型半
導体レーザが知られている。図４Ａは、そのような従来
の自励発振型半導体レーザを示す断面図である。ここで
は、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料により自励発振型半導体レ
ーザを構成した場合を例に示す。
【０００３】図４Ａに示すように、この従来のＡｌＧａ
ＩｎＰ系の自励発振型半導体レーザにおいては、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１０２、ＧａＩｎＰ活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５および
ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６が順次積層されている。
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の上層部、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１
０６は、一方向に延びるメサ型のストライプ形状を有す
る。符号１０７は、これらのｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１０４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およ
びｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６からなるストライプ部
を示す。このストライプ部１０７の両側の部分にはｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層１０８が埋め込まれ、これにより電
流狭窄構造が形成されている。
ＩｎＰ系の自励発振型半導体レーザにおいては、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１０１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１０２、ＧａＩｎＰ活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５および
ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６が順次積層されている。
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の上層部、ｐ型Ｇ
ａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層１
０６は、一方向に延びるメサ型のストライプ形状を有す
る。符号１０７は、これらのｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１０４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およ
びｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６からなるストライプ部
を示す。このストライプ部１０７の両側の部分にはｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層１０８が埋め込まれ、これにより電
流狭窄構造が形成されている。
【０００４】ｐ型ＧａＡｓコンタクト層１０６およびｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層１０８の上には、例えばＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１０９が設けられてい
る。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、例えば
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極ようなｎ側電極１１０が設け
られている。
型ＧａＡｓ電流狭窄層１０８の上には、例えばＴｉ／Ｐ
ｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１０９が設けられてい
る。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、例えば
ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極ようなｎ側電極１１０が設け
られている。
【０００５】図４Ｂは、従来のＡｌＧａＩｎＰ系の自励
発振型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図である。
ここでは、この従来のＡｌＧａＩｎＰ系の自励発振型半
導体レーザのｐｎ接合と平行で、かつ、共振器長方向と
垂直な方向（以下、この方向を横方向という）屈折率分
布を、図４Ａと対応させて示す。
発振型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図である。
ここでは、この従来のＡｌＧａＩｎＰ系の自励発振型半
導体レーザのｐｎ接合と平行で、かつ、共振器長方向と
垂直な方向（以下、この方向を横方向という）屈折率分
布を、図４Ａと対応させて示す。
【０００６】すなわち、図４Ｂに示すように、この従来
のＡｌＧａＩｎＰ系の自励発振型半導体レーザは、横方
向における屈折率が、ストライプ部１０７に対応する部
分における屈折率ｎ1 ´が高く、ストライプ部１０７の
両側に対応する部分における屈折率ｎ2 ´が低い、ステ
ップ状の屈折率分布を有している。従来の自励発振型半
導体レーザでは、このように横方向における屈折率をス
テップ状に変化させることにより、横方向の光導波を行
っているが、この場合、ストライプ部１０７に対応する
部分とその両側に対応する部分との屈折率差Δｎ´（＝
ｎ1 ´−ｎ2 ´）は０．０００３程度以下とされ、通常
の実屈折率導波型半導体レーザの典型値である０．００
１よりも、利得導波型半導体レーザの値である０に近い
値にされている。これによって、ＧａＩｎＰ活性層１０
３の横方向での光の閉じ込めが緩やかにされている。
のＡｌＧａＩｎＰ系の自励発振型半導体レーザは、横方
向における屈折率が、ストライプ部１０７に対応する部
分における屈折率ｎ1 ´が高く、ストライプ部１０７の
両側に対応する部分における屈折率ｎ2 ´が低い、ステ
ップ状の屈折率分布を有している。従来の自励発振型半
導体レーザでは、このように横方向における屈折率をス
テップ状に変化させることにより、横方向の光導波を行
っているが、この場合、ストライプ部１０７に対応する
部分とその両側に対応する部分との屈折率差Δｎ´（＝
ｎ1 ´−ｎ2 ´）は０．０００３程度以下とされ、通常
の実屈折率導波型半導体レーザの典型値である０．００
１よりも、利得導波型半導体レーザの値である０に近い
値にされている。これによって、ＧａＩｎＰ活性層１０
３の横方向での光の閉じ込めが緩やかにされている。
【０００７】上述のように構成された従来の自励発振型
半導体レーザの動作時には、図４Ａに示すように、Ｇａ
ＩｎＰ活性層１０３の内部の利得領域１１１の幅ＷG ´
に対して光導波領域１１２の幅ＷP ´が大きくなり、利
得領域１１１の外側における光導波領域１１２が可飽和
吸収領域１１３となる。この従来の自励発振型半導体レ
ーザでは、横方向の屈折率変化を小さくすることで横方
向への光のしみだし量を多くし、光とＧａＩｎＰ活性層
１０３の内部の可飽和吸収領域１１３との相互作用を多
くさせることにより自励発振を実現していた。このた
め、可飽和吸収領域１１３を十分に確保することが重要
となっている。
半導体レーザの動作時には、図４Ａに示すように、Ｇａ
ＩｎＰ活性層１０３の内部の利得領域１１１の幅ＷG ´
に対して光導波領域１１２の幅ＷP ´が大きくなり、利
得領域１１１の外側における光導波領域１１２が可飽和
吸収領域１１３となる。この従来の自励発振型半導体レ
ーザでは、横方向の屈折率変化を小さくすることで横方
向への光のしみだし量を多くし、光とＧａＩｎＰ活性層
１０３の内部の可飽和吸収領域１１３との相互作用を多
くさせることにより自励発振を実現していた。このた
め、可飽和吸収領域１１３を十分に確保することが重要
となっている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の自励発振型半導体レーザの場合、可飽和吸収領域
１１３の広さが、ＧａＩｎＰ活性層１０３の内部での利
得領域１１１の幅ＷG ´と光導波領域ＷP ´との微妙な
差により決まるため、次のような問題があった。
従来の自励発振型半導体レーザの場合、可飽和吸収領域
１１３の広さが、ＧａＩｎＰ活性層１０３の内部での利
得領域１１１の幅ＷG ´と光導波領域ＷP ´との微妙な
差により決まるため、次のような問題があった。
【０００９】すなわち、上述の従来の自励発振型半導体
レーザでは、ストライプ部１０７の両側の部分における
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の厚さｄ´を精密に制
御することにより、横方向における電流の広がり具合お
よび光の広がり具合が制御され、これによって、ＧａＩ
ｎＰ活性層１０３の内部での利得領域１１１の幅ＷG´
および光導波領域１１２の幅ＷP ´が決定されている。
しかしながら、製造時にストライプ部１０７の両側の部
分におけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の厚さ
ｄ´にばらつきを生じてしまうため、自励発振型となる
歩留まりが低いという問題があった。
レーザでは、ストライプ部１０７の両側の部分における
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の厚さｄ´を精密に制
御することにより、横方向における電流の広がり具合お
よび光の広がり具合が制御され、これによって、ＧａＩ
ｎＰ活性層１０３の内部での利得領域１１１の幅ＷG´
および光導波領域１１２の幅ＷP ´が決定されている。
しかしながら、製造時にストライプ部１０７の両側の部
分におけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の厚さ
ｄ´にばらつきを生じてしまうため、自励発振型となる
歩留まりが低いという問題があった。
【００１０】また、従来の自励発振型半導体レーザを高
温動作させた場合や高出力動作させた場合には、横方向
への電流の広がりが大きくなり、可飽和吸収領域１１３
が狭くなってしまうため、自励発振が抑制されるという
問題があった。
温動作させた場合や高出力動作させた場合には、横方向
への電流の広がりが大きくなり、可飽和吸収領域１１３
が狭くなってしまうため、自励発振が抑制されるという
問題があった。
【００１１】したがって、この発明の目的は、自励発振
型となる製造歩留まりが高く、かつ、高温動作時や高出
力動作時においても安定に自励発振する自励発振型半導
体レーザを提供することにある。
型となる製造歩留まりが高く、かつ、高温動作時や高出
力動作時においても安定に自励発振する自励発振型半導
体レーザを提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、第１導電型の第１のクラッド層と、第
１のクラッド層上の活性層と、活性層上の第２導電型の
第２のクラッド層とを有し、第２のクラッド層に設けら
れたストライプ部の両側の部分に第１導電型の電流狭窄
層が埋め込まれた電流狭窄構造を有し、ｐｎ接合と平行
で、かつ、共振器長方向と垂直な方向に屈折率を変化さ
せることにより光導波を行う自励発振型半導体レーザに
おいて、ストライプ部で第１の屈折率を有し、ストライ
プ部の両側で第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有
し、さらにその外側で第２の屈折率よりも高く、第１の
屈折率以下の第３の屈折率を有することを特徴とするも
のである。
に、この発明は、第１導電型の第１のクラッド層と、第
１のクラッド層上の活性層と、活性層上の第２導電型の
第２のクラッド層とを有し、第２のクラッド層に設けら
れたストライプ部の両側の部分に第１導電型の電流狭窄
層が埋め込まれた電流狭窄構造を有し、ｐｎ接合と平行
で、かつ、共振器長方向と垂直な方向に屈折率を変化さ
せることにより光導波を行う自励発振型半導体レーザに
おいて、ストライプ部で第１の屈折率を有し、ストライ
プ部の両側で第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有
し、さらにその外側で第２の屈折率よりも高く、第１の
屈折率以下の第３の屈折率を有することを特徴とするも
のである。
【００１３】上述のように構成されたこの発明によれ
ば、ストライプ部で第１の屈折率を有し、ストライプ部
の両側で第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有し、
さらにその外側で第２の屈折率よりも高く、第１の屈折
率以下の第３の屈折率を有するので、活性層からの光
は、第３の屈折率の領域に引っ張られて広がる。このた
め、ｐｎ接合と平行で、かつ、共振器長方向と垂直な方
向における光の広がりは、ストライプ幅よりも大きくな
る。一方、電流狭窄構造を有するため、ｐｎ接合と平行
で、かつ、共振器長方向と垂直な方向における電流の広
がりは、ストライプ幅程度に抑えられる。したがって、
活性層の内部の利得領域の幅が光導波領域の幅よりも小
さくなり、利得領域の外側の部分における光導波領域が
可飽和吸収領域として作用する。この際、ｐｎ接合と平
行で、かつ、共振器長方向と垂直な方向の電流の閉じ込
めと光の閉じ込めとを独立に行うことができ、可飽和吸
収領域を十分、かつ、安定に確保することができる。
ば、ストライプ部で第１の屈折率を有し、ストライプ部
の両側で第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有し、
さらにその外側で第２の屈折率よりも高く、第１の屈折
率以下の第３の屈折率を有するので、活性層からの光
は、第３の屈折率の領域に引っ張られて広がる。このた
め、ｐｎ接合と平行で、かつ、共振器長方向と垂直な方
向における光の広がりは、ストライプ幅よりも大きくな
る。一方、電流狭窄構造を有するため、ｐｎ接合と平行
で、かつ、共振器長方向と垂直な方向における電流の広
がりは、ストライプ幅程度に抑えられる。したがって、
活性層の内部の利得領域の幅が光導波領域の幅よりも小
さくなり、利得領域の外側の部分における光導波領域が
可飽和吸収領域として作用する。この際、ｐｎ接合と平
行で、かつ、共振器長方向と垂直な方向の電流の閉じ込
めと光の閉じ込めとを独立に行うことができ、可飽和吸
収領域を十分、かつ、安定に確保することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００１５】図１Ａは、この発明の第１の実施形態によ
る自励発振型半導体レーザを示す断面図である。ここで
は、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料により自励発振型半導体レ
ーザを構成した場合を例にとって説明する。
る自励発振型半導体レーザを示す断面図である。ここで
は、ＡｌＧａＩｎＰ系の材料により自励発振型半導体レ
ーザを構成した場合を例にとって説明する。
【００１６】すなわち、この第１の実施形態によるＡｌ
ＧａＩｎＰ系の自励発振型半導体レーザにおいては、図
１Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５お
よびｐ型ＧａＡｓキャップ層６が順次積層されている。
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の上層部、ｐ型ＧａＩ
ｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６は、一方
向に延びるストライプ形状を有する。符号７は、これら
のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の上層部、ｐ型Ｇａ
ＩｎＰ活性層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６により
構成されるストライプ部を示す。このストライプ部７は
メサ型の断面形状を有する。
ＧａＩｎＰ系の自励発振型半導体レーザにおいては、図
１Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５お
よびｐ型ＧａＡｓキャップ層６が順次積層されている。
ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の上層部、ｐ型ＧａＩ
ｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６は、一方
向に延びるストライプ形状を有する。符号７は、これら
のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の上層部、ｐ型Ｇａ
ＩｎＰ活性層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６により
構成されるストライプ部を示す。このストライプ部７は
メサ型の断面形状を有する。
【００１７】この場合、ストライプ部７の両側の部分に
おけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４には凹部が設け
られている。領域４ａは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層４のストライプが設けられた領域に対応する。領域４
ｂは、領域４ａの両側に隣接し、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層４の凹部が設けられた領域に対応する。領域４
ｃは、発光中心からみて領域４ｂの外側の領域に対応す
る。
おけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４には凹部が設け
られている。領域４ａは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層４のストライプが設けられた領域に対応する。領域４
ｂは、領域４ａの両側に隣接し、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層４の凹部が設けられた領域に対応する。領域４
ｃは、発光中心からみて領域４ｂの外側の領域に対応す
る。
【００１８】寸法Ｗ1 ，Ｗ2 ，Ｗ3 は、それぞれ、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ａ，４ｂ，４ｃの
横方向における幅を示す。この場合、領域４ａの幅Ｗ1
はストライプ幅である。また、寸法ｄ1 ，ｄ2 は、それ
ぞれ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂ，４
ｃにおける厚さを示す。この場合、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層４の領域４ｂおける厚さｄ1 に対して、領域
４ｃにおける厚さｄ2は大きくされている。いいかえれ
ば、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４は、ストライプ部
７の両側の部分（領域４ｂ）における厚さｄ1 が、その
外側の部分（領域４ｃ）における厚さｄ2 よりも小さく
されている（０＜ｄ1 ＜ｄ2 ）。
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ａ，４ｂ，４ｃの
横方向における幅を示す。この場合、領域４ａの幅Ｗ1
はストライプ幅である。また、寸法ｄ1 ，ｄ2 は、それ
ぞれ、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂ，４
ｃにおける厚さを示す。この場合、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層４の領域４ｂおける厚さｄ1 に対して、領域
４ｃにおける厚さｄ2は大きくされている。いいかえれ
ば、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４は、ストライプ部
７の両側の部分（領域４ｂ）における厚さｄ1 が、その
外側の部分（領域４ｃ）における厚さｄ2 よりも小さく
されている（０＜ｄ1 ＜ｄ2 ）。
【００１９】ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の上層
部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層６により構成されるストライプ部７の両側の部分に
は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８が埋め込まれ、これによ
って電流狭窄構造が形成されている。また、ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層６およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８の上に
は、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極９が
設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に
は、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｎ側電極
１０が設けられている。
部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層６により構成されるストライプ部７の両側の部分に
は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８が埋め込まれ、これによ
って電流狭窄構造が形成されている。また、ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層６およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８の上に
は、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極９が
設けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面に
は、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｎ側電極
１０が設けられている。
【００２０】図１Ｂは、このＡｌＧａＩｎＰ系の自励発
振型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図である。こ
こでは、この自励発振型半導体レーザの横方向における
屈折率分布を、図１Ａと対応させて示す。
振型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図である。こ
こでは、この自励発振型半導体レーザの横方向における
屈折率分布を、図１Ａと対応させて示す。
【００２１】図１Ｂに示すように、この自励発振型半導
体レーザは、ストライプ部７で屈折率ｎ1 を有し、スト
ライプ部７の両側の部分で屈折率ｎ1 よりも低い屈折率
ｎ2を有し、さらにその外側で屈折率ｎ2 よりも高く、
屈折率ｎ1 よりも低い屈折率ｎ3 を有している。この場
合、屈折率ｎ1 の領域は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層４の領域４ａに対応し、屈折率ｎ2 の領域は、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂに対応し、屈折率
ｎ3 の領域は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域
４ｃに対応している。また、屈折率ｎ2 は、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂにおける厚さｄ1 によ
り制御可能であり、屈折率ｎ3 は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層４の領域４ｃにおける厚さｄ2 により制御可
能である。
体レーザは、ストライプ部７で屈折率ｎ1 を有し、スト
ライプ部７の両側の部分で屈折率ｎ1 よりも低い屈折率
ｎ2を有し、さらにその外側で屈折率ｎ2 よりも高く、
屈折率ｎ1 よりも低い屈折率ｎ3 を有している。この場
合、屈折率ｎ1 の領域は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層４の領域４ａに対応し、屈折率ｎ2 の領域は、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂに対応し、屈折率
ｎ3 の領域は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域
４ｃに対応している。また、屈折率ｎ2 は、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂにおける厚さｄ1 によ
り制御可能であり、屈折率ｎ3 は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層４の領域４ｃにおける厚さｄ2 により制御可
能である。
【００２２】この自励発振型半導体レーザにおいては、
横方向の屈折率を図１Ｂに示すように変化させることに
より、横方向の光導波を行っている。ここで、Δｎは、
屈折率が最も高い屈折率ｎ1 の領域と、屈折率が最も低
い屈折率ｎ2 の領域との屈折率差（ｎ1 −ｎ2 ）を示
す。この場合、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域
４ｂにおける厚さｄ1 が小さくされると、この屈折率差
Δｎが、従来の自励発振型半導体レーザに比べて大きく
なるが、このような場合であっても、屈折率ｎ2の領域
の外側に屈折率ｎ3 の領域が設けられているので、光
は、屈折率ｎ3 の領域に引っ張られて広がることが可能
である。
横方向の屈折率を図１Ｂに示すように変化させることに
より、横方向の光導波を行っている。ここで、Δｎは、
屈折率が最も高い屈折率ｎ1 の領域と、屈折率が最も低
い屈折率ｎ2 の領域との屈折率差（ｎ1 −ｎ2 ）を示
す。この場合、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域
４ｂにおける厚さｄ1 が小さくされると、この屈折率差
Δｎが、従来の自励発振型半導体レーザに比べて大きく
なるが、このような場合であっても、屈折率ｎ2の領域
の外側に屈折率ｎ3 の領域が設けられているので、光
は、屈折率ｎ3 の領域に引っ張られて広がることが可能
である。
【００２３】この自励発振型半導体レーザが自励発振す
るためには、動作時において、ＧａＩｎＰ活性層３の内
部の利得領域の幅よりも光導波領域の幅が大きくなり、
十分な可飽和吸収領域が確保されていることが必要であ
る。本発明者の知見によれば、可飽和吸収領域に閉じ込
められる光場が、全光場の３０％以上であることが望ま
しいとされている。
るためには、動作時において、ＧａＩｎＰ活性層３の内
部の利得領域の幅よりも光導波領域の幅が大きくなり、
十分な可飽和吸収領域が確保されていることが必要であ
る。本発明者の知見によれば、可飽和吸収領域に閉じ込
められる光場が、全光場の３０％以上であることが望ま
しいとされている。
【００２４】そこで、これを実現するために、この自励
発振型半導体レーザにおいては、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層４の領域４ｂにおける厚さｄ1 および領域４ｃ
における厚さｄ2 が、０＜ｄ1 ＜ｄ2 にされるととも
に、領域４ｂにおける厚さｄ1が、横方向への電流の広
がりを抑制する効果が十分に得られる程度に小さくされ
る。また、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂ
の幅Ｗ2 が０．１μｍ以上、５μｍ以下に選ばれる。こ
の領域４ｂの幅Ｗ2 は、好適には１μｍ以上、３μｍ以
下に選ばれ、より好適には１μｍ以上、２μｍ以下に選
ばれる。ここで、この自励発振型半導体レーザにおける
構造パラメータの一例を示すと、領域４ａの幅Ｗ1 （ス
トライプ幅）は４μｍ、領域４ｂの幅Ｗ2 は２μｍ、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂにおける厚さ
ｄ1 は０．３μｍに選ばれる。
発振型半導体レーザにおいては、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層４の領域４ｂにおける厚さｄ1 および領域４ｃ
における厚さｄ2 が、０＜ｄ1 ＜ｄ2 にされるととも
に、領域４ｂにおける厚さｄ1が、横方向への電流の広
がりを抑制する効果が十分に得られる程度に小さくされ
る。また、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂ
の幅Ｗ2 が０．１μｍ以上、５μｍ以下に選ばれる。こ
の領域４ｂの幅Ｗ2 は、好適には１μｍ以上、３μｍ以
下に選ばれ、より好適には１μｍ以上、２μｍ以下に選
ばれる。ここで、この自励発振型半導体レーザにおける
構造パラメータの一例を示すと、領域４ａの幅Ｗ1 （ス
トライプ幅）は４μｍ、領域４ｂの幅Ｗ2 は２μｍ、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂにおける厚さ
ｄ1 は０．３μｍに選ばれる。
【００２５】次に、上述のように構成されたこのＡｌＧ
ａＩｎＰ系の自励発振型半導体レーザの動作について説
明する。
ａＩｎＰ系の自励発振型半導体レーザの動作について説
明する。
【００２６】すなわち、この自励発振型半導体レーザの
動作時に、電流はストライプ部７を流れるが、この場
合、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂにおけ
る厚さｄ1 が十分に小さくされているので、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層４中の電流の流れる領域は、領域４
ａにほぼ限定される。したがって、横方向への電流の広
がりは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ａの
幅Ｗ1 程度に抑えられる。一方、横方向の光の広がり
は、横方向に作りつけられた屈折率分布（図１Ｂ参照）
により制御されるが、この場合、光は、屈折率ｎ3 の領
域に引っ張られて広がる。したがって、横方向への光の
広がりは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ａ
の幅Ｗ1 よりも大きくなる。
動作時に、電流はストライプ部７を流れるが、この場
合、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂにおけ
る厚さｄ1 が十分に小さくされているので、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層４中の電流の流れる領域は、領域４
ａにほぼ限定される。したがって、横方向への電流の広
がりは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ａの
幅Ｗ1 程度に抑えられる。一方、横方向の光の広がり
は、横方向に作りつけられた屈折率分布（図１Ｂ参照）
により制御されるが、この場合、光は、屈折率ｎ3 の領
域に引っ張られて広がる。したがって、横方向への光の
広がりは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ａ
の幅Ｗ1 よりも大きくなる。
【００２７】つまり、このＡｌＧａＩｎＰ系の自励発振
型半導体レーザの動作時においては、電流の閉じ込め領
域および光の閉じ込め領域が、横方向で異なるととも
に、図１Ａに示すように、ＧａＩｎＰ活性層３の内部の
利得領域１１の横方向における幅ＷG が、光導波領域１
２の横方向における幅ＷP よりも小さくなる。そして、
利得領域１１の外側における光導波領域１２が、可飽和
吸収領域１３として作用する。この場合、ＧａＩｎＰ活
性層３の内部において、光導波領域１２に対して可飽和
吸収領域１３の占める割合は３０％以上となり、自励発
振の安定化が図られている。
型半導体レーザの動作時においては、電流の閉じ込め領
域および光の閉じ込め領域が、横方向で異なるととも
に、図１Ａに示すように、ＧａＩｎＰ活性層３の内部の
利得領域１１の横方向における幅ＷG が、光導波領域１
２の横方向における幅ＷP よりも小さくなる。そして、
利得領域１１の外側における光導波領域１２が、可飽和
吸収領域１３として作用する。この場合、ＧａＩｎＰ活
性層３の内部において、光導波領域１２に対して可飽和
吸収領域１３の占める割合は３０％以上となり、自励発
振の安定化が図られている。
【００２８】ここで、自励発振の原理について図２を参
照しながら説明する。なお、図２では、簡略化のために
この自励発振型半導体レーザの主要部（ｎ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３およびｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層４）を模式的に示す。
照しながら説明する。なお、図２では、簡略化のために
この自励発振型半導体レーザの主要部（ｎ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３およびｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層４）を模式的に示す。
【００２９】すなわち、この自励発振型半導体レーザの
動作時においては、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の
限定された領域を電流が流れることにより横方向の電流
の広がりが制御されるとともに、横方向の屈折率を変化
させることにより光が導波される。これにより、ＧａＩ
ｎＰ活性層３内部の利得領域１１の幅よりも、光導波領
域の幅が大きくなる。図２Ａに示す状態では、ＧａＩｎ
Ｐ活性層３内部の利得領域１１の幅に対して、光導波領
域１２の幅が十分に大きく、可飽和吸収領域１３が絞り
のように作用するため、レーザ発振が抑制されている。
この場合、出射端面からは、自然放出による弱いＬＥＤ
光が放出される。
動作時においては、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の
限定された領域を電流が流れることにより横方向の電流
の広がりが制御されるとともに、横方向の屈折率を変化
させることにより光が導波される。これにより、ＧａＩ
ｎＰ活性層３内部の利得領域１１の幅よりも、光導波領
域の幅が大きくなる。図２Ａに示す状態では、ＧａＩｎ
Ｐ活性層３内部の利得領域１１の幅に対して、光導波領
域１２の幅が十分に大きく、可飽和吸収領域１３が絞り
のように作用するため、レーザ発振が抑制されている。
この場合、出射端面からは、自然放出による弱いＬＥＤ
光が放出される。
【００３０】レーザ発振が抑制された状態では、次第に
ＧａＩｎＰ活性層３にキャリアが蓄積されてゆき、図２
Ｂに示すように、ＧａＩｎＰ活性層３内部の利得領域１
１が、電流の注入領域を越えて広がる。これに伴って、
ＧａＩｎＰ活性層３内部の可飽和吸収領域１３が狭くな
る。この図２Ｂに示す状態では、利得領域１１での光利
得が十分に高く、誘導放出によるレーザ発振が開始され
る。
ＧａＩｎＰ活性層３にキャリアが蓄積されてゆき、図２
Ｂに示すように、ＧａＩｎＰ活性層３内部の利得領域１
１が、電流の注入領域を越えて広がる。これに伴って、
ＧａＩｎＰ活性層３内部の可飽和吸収領域１３が狭くな
る。この図２Ｂに示す状態では、利得領域１１での光利
得が十分に高く、誘導放出によるレーザ発振が開始され
る。
【００３１】レーザ発振が始まると、今度は、ＧａＩｎ
Ｐ活性層３ではキャリアが消費される。これにより、図
２Ｃに示すように、ＧａＩｎＰ活性層３中の利得領域１
１が電流の注入領域よりも狭くなり、これに伴って、可
飽和吸収領域１３が広くなる。この図２Ｃに示す状態で
は、再びレーザ発振が抑制される。
Ｐ活性層３ではキャリアが消費される。これにより、図
２Ｃに示すように、ＧａＩｎＰ活性層３中の利得領域１
１が電流の注入領域よりも狭くなり、これに伴って、可
飽和吸収領域１３が広くなる。この図２Ｃに示す状態で
は、再びレーザ発振が抑制される。
【００３２】自励発振型半導体レーザの場合、図２Ａ〜
図２Ｃに示す状態が、５００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数
で繰り返され、レーザ光の出力がパルス状に変動するこ
とにより、自励発振が実現されている。
図２Ｃに示す状態が、５００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数
で繰り返され、レーザ光の出力がパルス状に変動するこ
とにより、自励発振が実現されている。
【００３３】この自励発振型半導体レーザを製造するた
めには、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５および
ｐ型ＧａＡｓキャップ層６を、例えば有機金属化学気相
成長（ＭＯＣＶＤ）法により順次成長させる。次に、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層６上に所定形状のレジストパター
ン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いて、臭酸系のエッチング液
などを用いたウエットエッチング法により、ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４を、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４の厚さ方向の途中の深さまでエッチングする。
これにより、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の上層
部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層６が、一方向に延びる所定幅のストライプ形状にパ
ターニングされる（ストライプ部７が形成される）とと
もに、ストライプ部７の両側の部分におけるｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層４に凹部が形成される。
めには、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層２、ＧａＩｎＰ活性層３、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５および
ｐ型ＧａＡｓキャップ層６を、例えば有機金属化学気相
成長（ＭＯＣＶＤ）法により順次成長させる。次に、ｐ
型ＧａＡｓキャップ層６上に所定形状のレジストパター
ン（図示せず）を形成した後、このレジストパターンを
エッチングマスクとして用いて、臭酸系のエッチング液
などを用いたウエットエッチング法により、ｐ型ＧａＡ
ｓキャップ層６、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４を、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４の厚さ方向の途中の深さまでエッチングする。
これにより、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の上層
部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層６が、一方向に延びる所定幅のストライプ形状にパ
ターニングされる（ストライプ部７が形成される）とと
もに、ストライプ部７の両側の部分におけるｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層４に凹部が形成される。
【００３４】次に、エッチングマスクとして用いたレジ
ストパターンを成長マスクとして用いて、ストライプ部
７の両側の部分にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８を形成す
る。次に、成長マスクとして用いたレジストパターンを
除去した後、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６およびｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層８の上にｐ側電極９を形成し、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１の裏面にｎ側電極１０を形成する。
ストパターンを成長マスクとして用いて、ストライプ部
７の両側の部分にｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層８を形成す
る。次に、成長マスクとして用いたレジストパターンを
除去した後、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６およびｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層８の上にｐ側電極９を形成し、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１の裏面にｎ側電極１０を形成する。
【００３５】以上により、目的とするＡｌＧａＩｎＰ系
の自励発振型半導体レーザが製造される。
の自励発振型半導体レーザが製造される。
【００３６】上述のように構成されたこのＡｌＧａＩｎ
Ｐ系の自励発振型半導体レーザによれば次のような効果
を得ることができる。
Ｐ系の自励発振型半導体レーザによれば次のような効果
を得ることができる。
【００３７】すなわち、この自励発振型半導体レーザに
おいては、横方向への光の広がりは、横方向に作りつけ
られた屈折率の分布により制御されるが、この場合、ス
トライプ部７（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域
４ａに対応する部分）で最も高い屈折率ｎ1 を有し、ス
トライプ部７の両側（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４
の領域４ｂに対応する部分）で最も低い屈折率ｎ2 を有
し、さらにその外側（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４
の領域４ｃに対応する部分）で屈折率ｎ1 および屈折率
ｎ2 の中間の屈折率ｎ3 を有しているため、ＧａＩｎＰ
活性層３からの光は、屈折率ｎ3 の領域に引っ張られて
広がる。このため、横方向への光の広がりは、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ａの幅Ｗ1 よりも大き
くなる。一方、電流狭窄構造を有するため、横方向への
電流の広がりは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領
域４ａの幅Ｗ1 （ストライプ幅）程度に抑えられる。
おいては、横方向への光の広がりは、横方向に作りつけ
られた屈折率の分布により制御されるが、この場合、ス
トライプ部７（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域
４ａに対応する部分）で最も高い屈折率ｎ1 を有し、ス
トライプ部７の両側（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４
の領域４ｂに対応する部分）で最も低い屈折率ｎ2 を有
し、さらにその外側（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４
の領域４ｃに対応する部分）で屈折率ｎ1 および屈折率
ｎ2 の中間の屈折率ｎ3 を有しているため、ＧａＩｎＰ
活性層３からの光は、屈折率ｎ3 の領域に引っ張られて
広がる。このため、横方向への光の広がりは、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ａの幅Ｗ1 よりも大き
くなる。一方、電流狭窄構造を有するため、横方向への
電流の広がりは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領
域４ａの幅Ｗ1 （ストライプ幅）程度に抑えられる。
【００３８】このように、横方向における電流の閉じ込
め領域と光の閉じ込め領域とが異なり、電流の閉じ込め
と光の閉じ込めとを独立に制御することができる。具体
的には、この自励発振型半導体レーザの場合、横方向の
電流の広がりは、領域４ｂにおけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層４の厚さｄ1 により制御され、横方向の光の
広がりは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂ
の幅Ｗ2 と、領域４ｃにおけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４の厚さｄ2 とにより制御される。このため、Ｇ
ａＩｎＰ活性層３の内部の利得領域１１の幅ＷG および
光導波領域１２の幅ＷP を、それぞれ独立に制御するこ
とができ、可飽和吸収領域１３を十分（光導波領域１２
の３０％以上）に、かつ、安定に確保することができ、
自励発振の安定化が図られる。これにより、この自励発
振型半導体レーザを製造する際に、自励発振型となる歩
留まりが向上する。
め領域と光の閉じ込め領域とが異なり、電流の閉じ込め
と光の閉じ込めとを独立に制御することができる。具体
的には、この自励発振型半導体レーザの場合、横方向の
電流の広がりは、領域４ｂにおけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層４の厚さｄ1 により制御され、横方向の光の
広がりは、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂ
の幅Ｗ2 と、領域４ｃにおけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４の厚さｄ2 とにより制御される。このため、Ｇ
ａＩｎＰ活性層３の内部の利得領域１１の幅ＷG および
光導波領域１２の幅ＷP を、それぞれ独立に制御するこ
とができ、可飽和吸収領域１３を十分（光導波領域１２
の３０％以上）に、かつ、安定に確保することができ、
自励発振の安定化が図られる。これにより、この自励発
振型半導体レーザを製造する際に、自励発振型となる歩
留まりが向上する。
【００３９】また、従来の自励発振型半導体レーザの場
合、高温動作時や高出力動作時に、温度の上昇や注入電
流量の増加により電流の広がりが大きくなり、自励発振
が不安定化するという問題があったが、この自励発振型
半導体レーザの場合、領域４ｂにおけるｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層４の厚さｄ1 を、例えば０．３μｍ程度
と十分小さくすることにより、温度の上昇や注入電流量
の増加に伴う電流の広がりを抑えることができる。ま
た、このようにしても、光の広がりを別の構造パラメー
タ（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂの幅Ｗ
2 および領域４ｃにおける厚さｄ2 ）で独立に制御する
ことができるので、自励発振を妨げることにならない。
このため、この自励発振型半導体レーザでは、高温動作
時においても安定した自励発振を実現することができる
とともに、自励発振の最大出力の向上を図ることができ
る。
合、高温動作時や高出力動作時に、温度の上昇や注入電
流量の増加により電流の広がりが大きくなり、自励発振
が不安定化するという問題があったが、この自励発振型
半導体レーザの場合、領域４ｂにおけるｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層４の厚さｄ1 を、例えば０．３μｍ程度
と十分小さくすることにより、温度の上昇や注入電流量
の増加に伴う電流の広がりを抑えることができる。ま
た、このようにしても、光の広がりを別の構造パラメー
タ（ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の領域４ｂの幅Ｗ
2 および領域４ｃにおける厚さｄ2 ）で独立に制御する
ことができるので、自励発振を妨げることにならない。
このため、この自励発振型半導体レーザでは、高温動作
時においても安定した自励発振を実現することができる
とともに、自励発振の最大出力の向上を図ることができ
る。
【００４０】また、従来の自励発振型半導体レーザの場
合、横方向の屈折率導波性が弱かったために、動作温度
や出力などによりレーザ光の遠視野像の水平方向におけ
る放射角θ//が変化するという問題があり、特に、光デ
ィスク装置の光源として応用する上で不都合があった。
しかしながら、この自励発振型半導体レーザの場合、横
方向に屈折率導波性を強く作りつけることが可能なた
め、自励発振をおこしたままでもθ//を安定にして動作
させることが可能である。
合、横方向の屈折率導波性が弱かったために、動作温度
や出力などによりレーザ光の遠視野像の水平方向におけ
る放射角θ//が変化するという問題があり、特に、光デ
ィスク装置の光源として応用する上で不都合があった。
しかしながら、この自励発振型半導体レーザの場合、横
方向に屈折率導波性を強く作りつけることが可能なた
め、自励発振をおこしたままでもθ//を安定にして動作
させることが可能である。
【００４１】次に、この発明の第２の実施形態について
説明する。図３Ａは、この第２の実施形態による自励発
振型半導体レーザを示す断面図である。この第２の実施
形態では、ＡｌＧａＡｓ系の材料により分離閉じ込めヘ
テロ構造（ＳＣＨ）を有する自励発振型半導体レーザを
構成した場合を例に説明する。
説明する。図３Ａは、この第２の実施形態による自励発
振型半導体レーザを示す断面図である。この第２の実施
形態では、ＡｌＧａＡｓ系の材料により分離閉じ込めヘ
テロ構造（ＳＣＨ）を有する自励発振型半導体レーザを
構成した場合を例に説明する。
【００４２】すなわち、このＡｌＧａＡｓ系の自励発振
型半導体レーザは、図３Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ
基板２１上に、ｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層２
２、ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２３、Ａｌ0.12
Ｇａ0.88Ａｓ活性層２４、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光
導波層２５、ｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層２６
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２７が順次積層されてい
る。ｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層２６の上層部
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２７は、一方向に延びる
ストライプ形状を有する。符号２８は、ｐ型Ａｌ0.45Ｇ
ａ0.55Ａｓクラッド層２６の上層部およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層２７により構成されるストライプ部を示す。
このストライプ部２８はメサ型の断面形状を有する。
型半導体レーザは、図３Ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ
基板２１上に、ｎ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層２
２、ｎ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２３、Ａｌ0.12
Ｇａ0.88Ａｓ活性層２４、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光
導波層２５、ｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層２６
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２７が順次積層されてい
る。ｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層２６の上層部
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２７は、一方向に延びる
ストライプ形状を有する。符号２８は、ｐ型Ａｌ0.45Ｇ
ａ0.55Ａｓクラッド層２６の上層部およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層２７により構成されるストライプ部を示す。
このストライプ部２８はメサ型の断面形状を有する。
【００４３】この場合、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導
波層２５は、ストライプ部２８の下部に対応する部分の
両側に凹部を有する。ここで、領域２５ａは、ストライ
プ部２８の下部の領域に対応する。領域２５ｂは、領域
２５ａの両側に隣接し、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導
波層２５の凹部が設けられた領域に対応する。領域２５
ｃは、発光中心からみて領域２５ｂの外側の領域に対応
する。
波層２５は、ストライプ部２８の下部に対応する部分の
両側に凹部を有する。ここで、領域２５ａは、ストライ
プ部２８の下部の領域に対応する。領域２５ｂは、領域
２５ａの両側に隣接し、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導
波層２５の凹部が設けられた領域に対応する。領域２５
ｃは、発光中心からみて領域２５ｂの外側の領域に対応
する。
【００４４】寸法Ｗ4 ，Ｗ5 ，Ｗ6 は、それぞれ、ｐ型
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ａ，２５
ｂ，２５ｃの横方向における幅を示す。また、寸法ｄ3
は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５
ａおよび領域２５ｃにおける厚さ、寸法ｄ4 は、ｐ型Ａ
ｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ｂにおける
厚さを示す。この場合、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラ
ッド層２５の領域２５ｂにおける厚さｄ4 は、領域２５
ａおよび領域２５ｃにおける厚さｄ3 に対して小さくさ
れている（ただし、０＜ｄ4 ＜ｄ3 ）。つまり、ｐ型Ａ
ｌ0.3 Ｇａ0.7Ａｓ光導波層２５は、ストライプ部２８
の下部に対応する領域（領域２５ａ）の両側に凹部を有
し、この凹部が設けられた領域（領域２５ｂ）が他の領
域（領域２５ａ，２５ｃ）部分よりも薄くされている。
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ａ，２５
ｂ，２５ｃの横方向における幅を示す。また、寸法ｄ3
は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５
ａおよび領域２５ｃにおける厚さ、寸法ｄ4 は、ｐ型Ａ
ｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ｂにおける
厚さを示す。この場合、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓクラ
ッド層２５の領域２５ｂにおける厚さｄ4 は、領域２５
ａおよび領域２５ｃにおける厚さｄ3 に対して小さくさ
れている（ただし、０＜ｄ4 ＜ｄ3 ）。つまり、ｐ型Ａ
ｌ0.3 Ｇａ0.7Ａｓ光導波層２５は、ストライプ部２８
の下部に対応する領域（領域２５ａ）の両側に凹部を有
し、この凹部が設けられた領域（領域２５ｂ）が他の領
域（領域２５ａ，２５ｃ）部分よりも薄くされている。
【００４５】ｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層２６
の上層部およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２７により構成
されるストライプ部２８の両側の部分には、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層２９が埋め込まれ、これにより電流狭窄構
造が形成されている。ｐ型ＧａＡｓキャップ層２７およ
びｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２９の上には、例えばＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極３０が設けられてい
る。また、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面には、例えばＡ
ｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｎ側電極３１が設けら
れている。
の上層部およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２７により構成
されるストライプ部２８の両側の部分には、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層２９が埋め込まれ、これにより電流狭窄構
造が形成されている。ｐ型ＧａＡｓキャップ層２７およ
びｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２９の上には、例えばＴｉ／
Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極３０が設けられてい
る。また、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面には、例えばＡ
ｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ電極のようなｎ側電極３１が設けら
れている。
【００４６】図３Ｂは、このＡｌＧａＡｓ系の自励発振
型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図である。ここ
では、このＡｌＧａＡｓ系の自励発振型半導体レーザの
横方向における屈折率分布を、図３Ａと対応させて示
す。
型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図である。ここ
では、このＡｌＧａＡｓ系の自励発振型半導体レーザの
横方向における屈折率分布を、図３Ａと対応させて示
す。
【００４７】図３Ｂに示すように、この自励発振型半導
体レーザは、ストライプ部２８で屈折率ｎ4 を有し、ス
トライプ部２８の両側の部分で屈折率ｎ4 よりも低い屈
折率ｎ5 を有し、さらにその外側でストライプ部２８に
おけると等しい屈折率ｎ4 を有している。この場合、ス
トライプ部２８中央における屈折率ｎ4 の領域は、ｐ型
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ａに対応
し、屈折率ｎ5 の領域は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光
導波層２５の領域２５ｂに対応し、外側の屈折率ｎ4 の
領域は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域
２５ｃに対応する。この場合、屈折率ｎ5 は、ｐ型Ａｌ
0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ｂにおける厚
さｄ4 により制御可能である。
体レーザは、ストライプ部２８で屈折率ｎ4 を有し、ス
トライプ部２８の両側の部分で屈折率ｎ4 よりも低い屈
折率ｎ5 を有し、さらにその外側でストライプ部２８に
おけると等しい屈折率ｎ4 を有している。この場合、ス
トライプ部２８中央における屈折率ｎ4 の領域は、ｐ型
Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ａに対応
し、屈折率ｎ5 の領域は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光
導波層２５の領域２５ｂに対応し、外側の屈折率ｎ4 の
領域は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域
２５ｃに対応する。この場合、屈折率ｎ5 は、ｐ型Ａｌ
0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ｂにおける厚
さｄ4 により制御可能である。
【００４８】この自励発振型半導体レーザにおいては、
横方向の屈折率の分布はｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導
波層２６の構造により作りつけられたものであり、横方
向の光導波機構は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層
２６によるリブ（ｒｉｂ）導波型となっている。しかし
ながら、この場合、横方向の屈折率を図３Ｂに示すよう
な屈折率分布を有するため、光は、ストライプ部２８近
傍における屈折率ｎ4とその両側の屈折率ｎ5 との屈折
率差により、ストライプ部２８の中央に厳密に閉じ込め
られるのではなく、外側の屈折率ｎ4 の領域に引っ張ら
れて広がることが可能である。
横方向の屈折率の分布はｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導
波層２６の構造により作りつけられたものであり、横方
向の光導波機構は、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層
２６によるリブ（ｒｉｂ）導波型となっている。しかし
ながら、この場合、横方向の屈折率を図３Ｂに示すよう
な屈折率分布を有するため、光は、ストライプ部２８近
傍における屈折率ｎ4とその両側の屈折率ｎ5 との屈折
率差により、ストライプ部２８の中央に厳密に閉じ込め
られるのではなく、外側の屈折率ｎ4 の領域に引っ張ら
れて広がることが可能である。
【００４９】この自励発振型半導体レーザが自励発振す
るためには、第１の実施形態の場合と同様に、Ａｌ0.12
Ｇａ0.88Ａｓ活性層の内部の可飽和吸収領域が十分（光
導波領域の３０％以上）確保されていることが必要であ
る。これを実現するために、この自励発振型半導体レー
ザでは、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５に設け
られた凹部の幅、したがって、領域２５ｂの幅Ｗ2 が例
えば０．５μｍ以上、５μｍ以下に選ばれる。典型的に
は，領域２５ｂの幅Ｗ5 は１μｍ以上、２μｍ以下に選
ばれる。また、領域２５ａの幅Ｗ4 は例えば３μｍ、ｐ
型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ａおよ
び領域２５ｃにおける厚さｄ3 は例えば４００ｎｍ、領
域２５ｂにおける厚さｄ4 は例えば３００ｎｍに選ばれ
る。
るためには、第１の実施形態の場合と同様に、Ａｌ0.12
Ｇａ0.88Ａｓ活性層の内部の可飽和吸収領域が十分（光
導波領域の３０％以上）確保されていることが必要であ
る。これを実現するために、この自励発振型半導体レー
ザでは、ｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５に設け
られた凹部の幅、したがって、領域２５ｂの幅Ｗ2 が例
えば０．５μｍ以上、５μｍ以下に選ばれる。典型的に
は，領域２５ｂの幅Ｗ5 は１μｍ以上、２μｍ以下に選
ばれる。また、領域２５ａの幅Ｗ4 は例えば３μｍ、ｐ
型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光導波層２５の領域２５ａおよ
び領域２５ｃにおける厚さｄ3 は例えば４００ｎｍ、領
域２５ｂにおける厚さｄ4 は例えば３００ｎｍに選ばれ
る。
【００５０】上述のように構成されたこの自励発振型半
導体レーザの動作時において、横方向への電流の広がり
は、ｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層２６の上層部
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２７により構成されたメ
サ型の断面形状を有するストライプ部２８により制御さ
れる。また、横方向への光の広がりは、横方向に作りつ
けられた屈折率分布（図３Ｂ参照）により、電流の広が
りとは独立に制御される。この場合、横方向への電流の
広がりは、ストライプ部２８の幅程度に抑えられるのに
対して、横方向の光の広がりは、光が外側の屈折率ｎ4
の領域に引っ張られるためｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光
導波層２５の領域２５の幅Ｗ4 、したがって、ストライ
プ部２８の幅よりも大きくなる。したがって、Ａｌ0.12
Ｇａ0.88Ａｓ活性層２４の内部の利得領域３２の幅ＷG
が、光導波領域３３の幅ＷP よりも小さくなる。そし
て、利得領域３２の外側における光導波領域３３が、可
飽和吸収領域３４として作用し、自励発振が実現され
る。
導体レーザの動作時において、横方向への電流の広がり
は、ｐ型Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層２６の上層部
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層２７により構成されたメ
サ型の断面形状を有するストライプ部２８により制御さ
れる。また、横方向への光の広がりは、横方向に作りつ
けられた屈折率分布（図３Ｂ参照）により、電流の広が
りとは独立に制御される。この場合、横方向への電流の
広がりは、ストライプ部２８の幅程度に抑えられるのに
対して、横方向の光の広がりは、光が外側の屈折率ｎ4
の領域に引っ張られるためｐ型Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓ光
導波層２５の領域２５の幅Ｗ4 、したがって、ストライ
プ部２８の幅よりも大きくなる。したがって、Ａｌ0.12
Ｇａ0.88Ａｓ活性層２４の内部の利得領域３２の幅ＷG
が、光導波領域３３の幅ＷP よりも小さくなる。そし
て、利得領域３２の外側における光導波領域３３が、可
飽和吸収領域３４として作用し、自励発振が実現され
る。
【００５１】上述のように構成された、ＡｌＧａＡｓ系
の自励発振型半導体レーザによれば、横方向での電流の
閉じ込め領域および光の閉じ込め領域が異なり、横方向
への電流の広がりおよび光の広がりを、それぞれ独立に
制御することが可能である。したがって、この第２の実
施形態によれば、ＡｌＧａＡｓ系のＳＣＨ構造を有する
自励発振型半導体レーザにおいて、第１の実施形態と同
様な効果を得ることができる。
の自励発振型半導体レーザによれば、横方向での電流の
閉じ込め領域および光の閉じ込め領域が異なり、横方向
への電流の広がりおよび光の広がりを、それぞれ独立に
制御することが可能である。したがって、この第２の実
施形態によれば、ＡｌＧａＡｓ系のＳＣＨ構造を有する
自励発振型半導体レーザにおいて、第１の実施形態と同
様な効果を得ることができる。
【００５２】以上この発明の実施形態について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。例えば、実施形態において挙げた数
値、材料、構造などはあくまで例にすぎず、これに限定
されるものではない。
説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。例えば、実施形態において挙げた数
値、材料、構造などはあくまで例にすぎず、これに限定
されるものではない。
【００５３】また、この発明は、ＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体や、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により青色
発光の自励発振型半導体レーザを構成する場合にも適用
することが可能である。
導体や、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体により青色
発光の自励発振型半導体レーザを構成する場合にも適用
することが可能である。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ストライプ部で第１の屈折率を有し、ストライプ部
の両側で第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有し、
さらにその外側で第２の屈折率よりも高く、第１の屈折
率以下の第３の屈折率を有するので、活性層からの光
が、第１の屈折率の領域に厳密に閉じ込められるのでは
なく、第３の屈折率の領域に引っ張られて広がる。この
ため、ｐｎ接合と平行で、かつ、共振器長方向と垂直な
方向における光の広がりは、ストライプ幅よりも大きく
なる。一方、電流狭窄構造により、ｐｎ接合と平行で、
かつ、共振器長方向と垂直な方向における電流の広がり
は、ストライプ幅程度に抑えられる。したがって、活性
層の内部の利得領域の幅が光導波領域の幅よりも小さく
なり、利得領域の外側の部分における光導波領域が可飽
和吸収領域として作用する。この際、ｐｎ接合と平行
で、かつ、共振器長方向と垂直な方向の電流の閉じ込め
と光の閉じ込めとを独立に行うことができるので、可飽
和吸収領域を十分、かつ、安定に確保することができ
る。
ば、ストライプ部で第１の屈折率を有し、ストライプ部
の両側で第１の屈折率よりも低い第２の屈折率を有し、
さらにその外側で第２の屈折率よりも高く、第１の屈折
率以下の第３の屈折率を有するので、活性層からの光
が、第１の屈折率の領域に厳密に閉じ込められるのでは
なく、第３の屈折率の領域に引っ張られて広がる。この
ため、ｐｎ接合と平行で、かつ、共振器長方向と垂直な
方向における光の広がりは、ストライプ幅よりも大きく
なる。一方、電流狭窄構造により、ｐｎ接合と平行で、
かつ、共振器長方向と垂直な方向における電流の広がり
は、ストライプ幅程度に抑えられる。したがって、活性
層の内部の利得領域の幅が光導波領域の幅よりも小さく
なり、利得領域の外側の部分における光導波領域が可飽
和吸収領域として作用する。この際、ｐｎ接合と平行
で、かつ、共振器長方向と垂直な方向の電流の閉じ込め
と光の閉じ込めとを独立に行うことができるので、可飽
和吸収領域を十分、かつ、安定に確保することができ
る。
【００５５】このため、自励発振型半導体レーザを製造
する際の製造歩留まりを向上させることができるととも
に、高温動作時や高出力動作時における自励発振の安定
化を図ることができる。
する際の製造歩留まりを向上させることができるととも
に、高温動作時や高出力動作時における自励発振の安定
化を図ることができる。
【図１】 この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＩ
ｎＰ系の自励発振型半導体レーザを示す断面図およびこ
の自励発振型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図で
ある。
ｎＰ系の自励発振型半導体レーザを示す断面図およびこ
の自励発振型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図で
ある。
【図２】 自励発振の原理を説明するための断面図であ
る。
る。
【図３】 この発明の第２の実施形態によるＡｌＧａＡ
ｓ系の自励発振型半導体レーザを示す断面図およびこの
自励発振型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図であ
る。
ｓ系の自励発振型半導体レーザを示す断面図およびこの
自励発振型半導体レーザの屈折率分布を示す略線図であ
る。
【図４】 従来のＡｌＧａＩｎＰ系の自励発振型半導体
レーザを示す断面図およびこの自励発振型半導体レーザ
の屈折率分布を示す略線図である。
レーザを示す断面図およびこの自励発振型半導体レーザ
の屈折率分布を示す略線図である。
１・・・ｎ型ＧａＡｓ基板、２・・・ｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層、３・・・ＧａＩｎＰ活性層、４・・・ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、５・・・ｐ型ＧａＩｎＰ
中間層、６・・・ｐ型ＧａＡｓキャップ層、７・・・ス
トライプ部、８・・・ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、９・・
・ｐ側電極、１０・・・ｎ側電極、１１・・・利得領
域、１２・・・光導波領域、１３・・・可飽和吸収領域
Ｐクラッド層、３・・・ＧａＩｎＰ活性層、４・・・ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、５・・・ｐ型ＧａＩｎＰ
中間層、６・・・ｐ型ＧａＡｓキャップ層、７・・・ス
トライプ部、８・・・ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層、９・・
・ｐ側電極、１０・・・ｎ側電極、１１・・・利得領
域、１２・・・光導波領域、１３・・・可飽和吸収領域
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電型の第１のクラッド層と、 上記第１のクラッド層上の活性層と、 上記活性層上の第２導電型の第２のクラッド層とを有
し、 上記第２のクラッド層に設けられたストライプ部の両側
の部分に第１導電型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭
窄構造を有し、 ｐｎ接合と平行で、かつ、共振器長方向と垂直な方向に
屈折率を変化させることにより光導波を行う自励発振型
半導体レーザにおいて、 上記ストライプ部で第１の屈折率を有し、上記ストライ
プ部の両側で上記第１の屈折率よりも低い第２の屈折率
を有し、さらにその外側で上記第２の屈折率よりも高
く、上記第１の屈折率以下の第３の屈折率を有すること
を特徴とする自励発振型半導体レーザ。 - 【請求項２】 上記第２のクラッド層は、上記ストライ
プ部の両側で第１の厚さを有し、さらにその外側で上記
第１の厚さよりも大きい第２の厚さを有することを特徴
とする請求項１記載の自励発振型半導体レーザ。 - 【請求項３】 ｐｎ接合と平行で、かつ、共振器長方向
と垂直な方向における上記第２のクラッド層の上記第１
の厚さの部分の幅が、０．１μｍ以上、５μｍ以下であ
ることを特徴とする請求項２記載の自励発振型半導体レ
ーザ。 - 【請求項４】 上記第１のクラッド層および上記活性層
の間に第１導電型の第１の光導波層を有するとともに、
上記活性層および上記第２のクラッド層の間に第２導電
型の第２の光導波層を有し、上記ストライプ部に対応す
る部分の両側の部分における上記第２の光導波層に凹部
が設けられていることを特徴とする請求項１記載の自励
発振型半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30853196A JP3381534B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 自励発振型半導体レーザ |
| NL1007561A NL1007561C2 (nl) | 1996-11-19 | 1997-11-17 | Zelf pulserende halfgeleider laser. |
| TW086117198A TW346694B (en) | 1996-11-19 | 1997-11-18 | Self-pulsation semiconductor laser |
| US08/972,768 US5966397A (en) | 1996-11-19 | 1997-11-18 | Self-pulsating semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30853196A JP3381534B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 自励発振型半導体レーザ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10150240A JPH10150240A (ja) | 1998-06-02 |
| JP3381534B2 true JP3381534B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=17982162
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30853196A Expired - Fee Related JP3381534B2 (ja) | 1996-11-19 | 1996-11-19 | 自励発振型半導体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3381534B2 (ja) |
| NL (1) | NL1007561C2 (ja) |
| TW (1) | TW346694B (ja) |
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| JPH11354880A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-24 | Rohm Co Ltd | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP3459599B2 (ja) | 1999-09-24 | 2003-10-20 | 三洋電機株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP4618465B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2011-01-26 | ソニー株式会社 | ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の製造方法および半導体素子の製造方法 |
| WO2001078205A1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-10-18 | The Provost, Fellows And Scholars Of The College Of The Holy And Undivided Trinity Of Queen Elizabeth Near Dublin | A self-pulsating laser diode and a method for causing a laser diode to output light pulses |
| JP2001345519A (ja) * | 2000-06-01 | 2001-12-14 | Nichia Chem Ind Ltd | レーザ素子 |
| JP4599687B2 (ja) | 2000-08-08 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | レーザダイオード、半導体発光装置および製造方法 |
| JP2002184581A (ja) | 2000-12-13 | 2002-06-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機発光素子 |
| FR2833419B1 (fr) * | 2001-12-07 | 2006-09-01 | Thales Sa | Laser unipolaire a cascade quantique de puissance a courant de seuil reduit |
| US7573688B2 (en) * | 2002-06-07 | 2009-08-11 | Science Research Laboratory, Inc. | Methods and systems for high current semiconductor diode junction protection |
| US7199398B2 (en) * | 2002-11-20 | 2007-04-03 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor light emitting device having electrode electrically separated into at least two regions |
| KR100568314B1 (ko) | 2004-09-24 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 자려발진형 반도체 레이저 및 그 제조방법 |
| JP5735216B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05299770A (ja) * | 1992-04-24 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| JPH065975A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ |
| US5523256A (en) * | 1993-07-21 | 1996-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor laser |
| JPH0745902A (ja) * | 1993-07-28 | 1995-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
-
1996
- 1996-11-19 JP JP30853196A patent/JP3381534B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-11-17 NL NL1007561A patent/NL1007561C2/nl not_active IP Right Cessation
- 1997-11-18 US US08/972,768 patent/US5966397A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-11-18 TW TW086117198A patent/TW346694B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| NL1007561C2 (nl) | 1998-09-15 |
| TW346694B (en) | 1998-12-01 |
| NL1007561A1 (nl) | 1998-05-20 |
| US5966397A (en) | 1999-10-12 |
| JPH10150240A (ja) | 1998-06-02 |
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