JP2001168456A - 利得結合分布帰還型半導体レーザ - Google Patents
利得結合分布帰還型半導体レーザInfo
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1228—DFB lasers with a complex coupled grating, e.g. gain or loss coupling
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 単一縦モード発振特性に関し、製品歩留りの
高い構成を有する利得結合ＤＦＢレーザを提供する。 【解決手段】 本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波
長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１
上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−Ｉｎ
Ｐスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ
−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。ス
ペーサ層内には、ピッチ約２４０ｎｍで周期的に形成さ
れた膜厚２０ｎｍのＩｎＧａＡｓ吸収層からなる吸収性
回折格子１３が設けてある。スペーサ層、活性層及びバ
ッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その
両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。共
振器長Ｌは４００μｍ以上、利得結合係数の絶対値｜κ
g ｜と、回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg が０．５≦
｜κg ｜Ｌg ≦１．１で、デューティ比Ｄが０．２≦Ｄ
＜０．４である。
高い構成を有する利得結合ＤＦＢレーザを提供する。 【解決手段】 本利得結合ＤＦＢレーザ２０は、発振波
長約１５５０ｎｍのレーザであって、ｎ−ＩｎＰ基板１
上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層２、活性層３と、ｐ−Ｉｎ
Ｐスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及びｐ
−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を有する。ス
ペーサ層内には、ピッチ約２４０ｎｍで周期的に形成さ
れた膜厚２０ｎｍのＩｎＧａＡｓ吸収層からなる吸収性
回折格子１３が設けてある。スペーサ層、活性層及びバ
ッファ層の上部は、メサストライプ状に加工され、その
両側はｐ／ｎ−ＩｎＰ層８／９で埋め込まれている。共
振器長Ｌは４００μｍ以上、利得結合係数の絶対値｜κ
g ｜と、回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg が０．５≦
｜κg ｜Ｌg ≦１．１で、デューティ比Ｄが０．２≦Ｄ
＜０．４である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、利得結合分布帰還
型半導体レーザに関し、更に詳細には、良好な単一縦モ
ード発振特性を有し、かつ製品歩留りが高い構成を備え
た利得結合分布帰還型半導体レーザに関するものであ
る。
型半導体レーザに関し、更に詳細には、良好な単一縦モ
ード発振特性を有し、かつ製品歩留りが高い構成を備え
た利得結合分布帰還型半導体レーザに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】分布帰還型半導体レーザ（以下、ＤＦＢ
レーザと言う）は、共振器内部で屈折率の実部または虚
部が周期的に変化する構造（以下、回折格子と言う）を
活性領域の上に有し、特定の波長の光にだけ帰還がかか
るようにして波長選択性を持たせたレーザである。ＤＦ
Ｂレーザは、共振器内部で屈折率の実部のみが周期的に
変動しているタイプの回折格子を有する屈折率結合ＤＦ
Ｂレーザと、屈折率の実部も虚部も周期的に変動してい
るタイプの回折格子を有する利得結合ＤＦＢレーザ或い
は複素結合型ＤＦＢレーザとの２種類に大別される。
レーザと言う）は、共振器内部で屈折率の実部または虚
部が周期的に変化する構造（以下、回折格子と言う）を
活性領域の上に有し、特定の波長の光にだけ帰還がかか
るようにして波長選択性を持たせたレーザである。ＤＦ
Ｂレーザは、共振器内部で屈折率の実部のみが周期的に
変動しているタイプの回折格子を有する屈折率結合ＤＦ
Ｂレーザと、屈折率の実部も虚部も周期的に変動してい
るタイプの回折格子を有する利得結合ＤＦＢレーザ或い
は複素結合型ＤＦＢレーザとの２種類に大別される。
【０００３】屈折率結合ＤＦＢレーザでは、ブラック波
長を挟んだ２つのモードのしきい値利得の差が小さいの
で、この２つのモードで発振し、単一縦モード発振動作
の実現が難かった。そこで、利得結合構造を採り入れる
ことにより、ブラック波長の両側２モード間でのしきい
値利得差を大きくし、単一縦モード発振特性に関して製
品歩留りを改善する試みがなされている。利得結合構造
は、誘導放出光を発生する活性層近傍に回折格子を備
え、活性層が発生する誘導放出光の利得又は損失が回折
格子によって周期的に変化することによって光の分布帰
還が生じてレーザ発振が生じる機構である。尚、本明細
書では、屈折率の実部及び虚部の少なくとも虚部が周期
的に変化しているものを利得結合ＤＦＢレーザと呼ぶ。
長を挟んだ２つのモードのしきい値利得の差が小さいの
で、この２つのモードで発振し、単一縦モード発振動作
の実現が難かった。そこで、利得結合構造を採り入れる
ことにより、ブラック波長の両側２モード間でのしきい
値利得差を大きくし、単一縦モード発振特性に関して製
品歩留りを改善する試みがなされている。利得結合構造
は、誘導放出光を発生する活性層近傍に回折格子を備
え、活性層が発生する誘導放出光の利得又は損失が回折
格子によって周期的に変化することによって光の分布帰
還が生じてレーザ発振が生じる機構である。尚、本明細
書では、屈折率の実部及び虚部の少なくとも虚部が周期
的に変化しているものを利得結合ＤＦＢレーザと呼ぶ。
【０００４】利得結合ＤＦＢレーザは、優れた単一縦モ
ード発振が得られること、戻り光により雑音が生じ難い
ことといった特徴を有している。１μｍより短い波長の
利得結合ＤＦＢレーザは、光計測装置、高速光伝送装
置、光記憶装置の光源として重要であり、１μｍより長
い波長の利得結合ＤＦＢレーザは長距離光通信装置の光
源として重要である。
ード発振が得られること、戻り光により雑音が生じ難い
ことといった特徴を有している。１μｍより短い波長の
利得結合ＤＦＢレーザは、光計測装置、高速光伝送装
置、光記憶装置の光源として重要であり、１μｍより長
い波長の利得結合ＤＦＢレーザは長距離光通信装置の光
源として重要である。
【０００５】ところで、ＤＦＢレーザの回折格子による
反射（＝分布帰還）の強さを表すパラメータとして、レ
ーザ内の前進波と後退波の結合割合である結合係数が規
定されており、通常κと書く。屈折率結合ＤＦＢレーザ
と利得結合ＤＦＢレーザに対応して、屈折率結合係数と
利得結合係数とがあり、それぞれ、κi 、κg とする。
結合係数は、回折格子への光閉じ込め係数と回折格子の
屈折率の実部との差あるいは回折格子への光閉じ込め係
数と屈折率の虚部の差によって決定される。利得結合Ｄ
ＦＢレーザにおいては、利得結合係数κg は、次の式
（数１）によって表される係数であって、利得結合係数
κg が大きいと、単一縦モード発振特性が良好と評価で
きる非常に重要なパラメータであり、κg の値により、
しきい値電流などのレーザの特性が大きく影響され、か
つ単一縦モード発振特性に関する製品歩留りを左右す
る。
反射（＝分布帰還）の強さを表すパラメータとして、レ
ーザ内の前進波と後退波の結合割合である結合係数が規
定されており、通常κと書く。屈折率結合ＤＦＢレーザ
と利得結合ＤＦＢレーザに対応して、屈折率結合係数と
利得結合係数とがあり、それぞれ、κi 、κg とする。
結合係数は、回折格子への光閉じ込め係数と回折格子の
屈折率の実部との差あるいは回折格子への光閉じ込め係
数と屈折率の虚部の差によって決定される。利得結合Ｄ
ＦＢレーザにおいては、利得結合係数κg は、次の式
（数１）によって表される係数であって、利得結合係数
κg が大きいと、単一縦モード発振特性が良好と評価で
きる非常に重要なパラメータであり、κg の値により、
しきい値電流などのレーザの特性が大きく影響され、か
つ単一縦モード発振特性に関する製品歩留りを左右す
る。
【数１】
【０００６】利得結合ＤＦＢレーザで使用される回折格
子には、２種類の回折格子があって、その一つは活性層
の利得そのものを周期的に摂動させる利得性回折格子で
あり、他方は活性層近傍に光吸収層を周期的に形成する
ことによって実効的に利得の周期的摂動を生じさせる吸
収性回折格子である。そして、吸収性回折格子は、利得
性回折格子に比べて作製し易いと言う理由から、吸収性
回折格子の利用が盛んに研究されているものの、回折格
子の作製時の再現性が悪いために、単一縦モード発振特
性に関し半導体レーザ素子の製品歩留りを向上させるこ
とが難しく、また、素子特性の再現性が好ましくないと
いう問題があった。
子には、２種類の回折格子があって、その一つは活性層
の利得そのものを周期的に摂動させる利得性回折格子で
あり、他方は活性層近傍に光吸収層を周期的に形成する
ことによって実効的に利得の周期的摂動を生じさせる吸
収性回折格子である。そして、吸収性回折格子は、利得
性回折格子に比べて作製し易いと言う理由から、吸収性
回折格子の利用が盛んに研究されているものの、回折格
子の作製時の再現性が悪いために、単一縦モード発振特
性に関し半導体レーザ素子の製品歩留りを向上させるこ
とが難しく、また、素子特性の再現性が好ましくないと
いう問題があった。
【０００７】そこで、改善のための種々の提案が成され
ており、例えば、特開平８−２４２０３４号公報は、吸
収性回折格子を使った、発振波長が約８００ｎｍの利得
結合ＤＦＢレーザの吸収性回折格子において、回折格子
の作製時の制御が容易であると理由から、デューティ比
を０．４以上０．８以下にし、かつ、吸収層の厚さを６
ｎｍ以上３０ｎｍ以下ににすることにより、半導体レー
ザ素子の製品歩留りを向上させることができるとしてい
る。ここで、デューティ比とは、周期的吸収層が存在す
る層内において、その周期毎の吸収領域の割合（体積
比）のことであって、例えば断面が矩形の場合、Λを回
折格子の一周期の長さ、Ｗを一周期の光吸収層の幅であ
るとすると、Ｄ＝Ｗ／Λ（０≦Ｄ≦１）で与えられる値
のことである。更に実際的に言えば、 Ｄ＝（光吸収層が存在する層内における光吸収層の体積
の和）／（光吸収層が存在する層の体積） で示される。
ており、例えば、特開平８−２４２０３４号公報は、吸
収性回折格子を使った、発振波長が約８００ｎｍの利得
結合ＤＦＢレーザの吸収性回折格子において、回折格子
の作製時の制御が容易であると理由から、デューティ比
を０．４以上０．８以下にし、かつ、吸収層の厚さを６
ｎｍ以上３０ｎｍ以下ににすることにより、半導体レー
ザ素子の製品歩留りを向上させることができるとしてい
る。ここで、デューティ比とは、周期的吸収層が存在す
る層内において、その周期毎の吸収領域の割合（体積
比）のことであって、例えば断面が矩形の場合、Λを回
折格子の一周期の長さ、Ｗを一周期の光吸収層の幅であ
るとすると、Ｄ＝Ｗ／Λ（０≦Ｄ≦１）で与えられる値
のことである。更に実際的に言えば、 Ｄ＝（光吸収層が存在する層内における光吸収層の体積
の和）／（光吸収層が存在する層の体積） で示される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の利得結
合ＤＦＢレーザには、次に挙げるような、解決すべき問
題がある。第１には、特開平８−２４２０３４号公報に
開示されているデューティ比は０．４以上０．８以下と
いうものであるが、損失の観点からデューティ比は小さ
い方が良いと言うことは、特開平５−１６０５０５号公
報に示唆されている。したがって、課題は、適切なデュ
ーティ比を見いだし、その範囲でデューティ比の制御性
及び再現性を高めることである。
合ＤＦＢレーザには、次に挙げるような、解決すべき問
題がある。第１には、特開平８−２４２０３４号公報に
開示されているデューティ比は０．４以上０．８以下と
いうものであるが、損失の観点からデューティ比は小さ
い方が良いと言うことは、特開平５−１６０５０５号公
報に示唆されている。したがって、課題は、適切なデュ
ーティ比を見いだし、その範囲でデューティ比の制御性
及び再現性を高めることである。
【０００９】第２には、共振器長の長い半導体レーザに
対する利得結合係数の最適化の問題である。近年、利得
結合ＤＦＢレーザの高出力化のために共振器長を長くす
る傾向にあるが、特開平８−２４２０３４公報の例で
は、共振器長については約２５０μｍと比較的短い場合
についてのみ検討がなされており、半導体レーザの高出
力化を目的として共振器長を長くした場合、利得結合係
数κg の最適値は共振器長が短い場合と異なるため、特
開平８−２４２０３４公報で特定されたデューティ比に
よって良好な素子特性が必ずしも得られないという問題
がある。即ち、共振器長が長い半導体レーザにあって
は、従来のような短い共振器長での利得結合係数の最適
値が、単一縦モード発振に関し高い製品歩留りを得るた
めの最適値かどうか不明であるから、共振器長が長い場
合であっても、単一縦モード発振特性に関し高い製品歩
留りを得るようにする利得結合係数κg を特定すること
が重要である。
対する利得結合係数の最適化の問題である。近年、利得
結合ＤＦＢレーザの高出力化のために共振器長を長くす
る傾向にあるが、特開平８−２４２０３４公報の例で
は、共振器長については約２５０μｍと比較的短い場合
についてのみ検討がなされており、半導体レーザの高出
力化を目的として共振器長を長くした場合、利得結合係
数κg の最適値は共振器長が短い場合と異なるため、特
開平８−２４２０３４公報で特定されたデューティ比に
よって良好な素子特性が必ずしも得られないという問題
がある。即ち、共振器長が長い半導体レーザにあって
は、従来のような短い共振器長での利得結合係数の最適
値が、単一縦モード発振に関し高い製品歩留りを得るた
めの最適値かどうか不明であるから、共振器長が長い場
合であっても、単一縦モード発振特性に関し高い製品歩
留りを得るようにする利得結合係数κg を特定すること
が重要である。
【００１０】第３の利得結合係数の設計の問題である。
利得結合係数κg が小さ過ぎると、利得結合の効果が十
分得られないために、単一縦モード発振特性に関し、製
品歩留りは屈折率結合型と同程度に低くなる。そして、
この場合、ストップバンドを挟んだ両側の２モードで発
振する素子の割合が多くなってしまう。逆にκg が大き
過ぎると、利得結合の影響が大きくなるために、ストッ
プバンドを挟んだ２つのモード間のしきい値利得差は大
きくなるが、ストップバンドに対して発振モードの同じ
側で隣接するモードとの間のしきい値利得差が小さくな
るために、やはり単一縦モード発振特性に関し製品歩留
りは低下する。この利得結合係数の最適値の上限は、特
開平８−２４２０３４で記述されている上限よりもずっ
と低いところにあると考えられ、特開平８−２４２０３
４では、吸収損失のみから上限を決定していたことがそ
の原因であると思われてる。
利得結合係数κg が小さ過ぎると、利得結合の効果が十
分得られないために、単一縦モード発振特性に関し、製
品歩留りは屈折率結合型と同程度に低くなる。そして、
この場合、ストップバンドを挟んだ両側の２モードで発
振する素子の割合が多くなってしまう。逆にκg が大き
過ぎると、利得結合の影響が大きくなるために、ストッ
プバンドを挟んだ２つのモード間のしきい値利得差は大
きくなるが、ストップバンドに対して発振モードの同じ
側で隣接するモードとの間のしきい値利得差が小さくな
るために、やはり単一縦モード発振特性に関し製品歩留
りは低下する。この利得結合係数の最適値の上限は、特
開平８−２４２０３４で記述されている上限よりもずっ
と低いところにあると考えられ、特開平８−２４２０３
４では、吸収損失のみから上限を決定していたことがそ
の原因であると思われてる。
【００１１】そこで、本発明の目的は、比較的小さいデ
ューティ比で、単一縦モード発振に最適で、かつ製品歩
留りを向上させる利得結合係数κg を示す回折格子を有
し、高出力化に適した利得結合分布帰還型半導体レーザ
を提供することである。
ューティ比で、単一縦モード発振に最適で、かつ製品歩
留りを向上させる利得結合係数κg を示す回折格子を有
し、高出力化に適した利得結合分布帰還型半導体レーザ
を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】ところで、利得結合分布
帰還型半導体レーザの単一縦モード発振特性に関する製
品歩留りは、従来は、上述のように、利得結合係数に依
存すると考えられていたが、本発明者は、利得結合分布
帰還型半導体レーザの高出力化を図るために共振器の長
さを長くする研究を重ねている間に、利得結合係数が一
定でも、その製品歩留りにばらつきが生じることを見い
出した。そこで、本発明者は、利得結合係数が一定であ
る場合に、単一縦モード発振特性に関し利得結合分布帰
還型半導体レーザの製品歩留りにばらつきを生じさせる
因子は何かについて研究した。
帰還型半導体レーザの単一縦モード発振特性に関する製
品歩留りは、従来は、上述のように、利得結合係数に依
存すると考えられていたが、本発明者は、利得結合分布
帰還型半導体レーザの高出力化を図るために共振器の長
さを長くする研究を重ねている間に、利得結合係数が一
定でも、その製品歩留りにばらつきが生じることを見い
出した。そこで、本発明者は、利得結合係数が一定であ
る場合に、単一縦モード発振特性に関し利得結合分布帰
還型半導体レーザの製品歩留りにばらつきを生じさせる
因子は何かについて研究した。
【００１３】また、本発明者は、電子ビーム描画法によ
る回折格子の形成、或いはドライエッチングによる回折
格子の形成により、±０．０５程度の厳密なデューティ
比の制御は可能であること、また、ウエットエッチング
法による場合でも、エッチング前のレジスト膜によるエ
ッチングマスクのデューティ比を適切な値に設定するこ
とにより、回折格子のデューティ比を±０．１以下の精
度で制御することができることを見い出した。
る回折格子の形成、或いはドライエッチングによる回折
格子の形成により、±０．０５程度の厳密なデューティ
比の制御は可能であること、また、ウエットエッチング
法による場合でも、エッチング前のレジスト膜によるエ
ッチングマスクのデューティ比を適切な値に設定するこ
とにより、回折格子のデューティ比を±０．１以下の精
度で制御することができることを見い出した。
【００１４】そして、次に説明するように、発振波長が
約１５５０ｎｍであって、共振器長をパラメータとし、
吸収層の厚さを変えて利得結合係数κg の異なる吸収性
回折格子式の利得結合分布帰還型半導体レーザの試料レ
ーザを試作し、共振器長をパラメータとして、利得結合
係数κg と単一縦モード発振に関する製品歩留りとの関
係を調べた。
約１５５０ｎｍであって、共振器長をパラメータとし、
吸収層の厚さを変えて利得結合係数κg の異なる吸収性
回折格子式の利得結合分布帰還型半導体レーザの試料レ
ーザを試作し、共振器長をパラメータとして、利得結合
係数κg と単一縦モード発振に関する製品歩留りとの関
係を調べた。
【００１５】実験例１〜１４ 実験例１〜１４は、共振器の全長にわたり回折格子を形
成した試料半導体レーザについての実験である。図２か
ら図４を参照して、実験例１の試料半導体レーザの作製
方法を説明する。図２（ａ）から（ｃ）、図３（ｄ）か
ら（ｆ）及び図４（ｇ）から（ｉ）は、それぞれ、試料
半導体レーザを作製する際の工程毎の基板断面図であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１
上に、ＭＯＣＶＤ法により、成長温度６００℃で、ｎ−
ＩｎＰバッファ兼用クラッド層２、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性
層３、膜厚１００ｎｍのｐ−ＩｎＰスペーサ層４、及び
１０ｎｍのＩｎＧａＡｓ吸収層５を成長させた。
成した試料半導体レーザについての実験である。図２か
ら図４を参照して、実験例１の試料半導体レーザの作製
方法を説明する。図２（ａ）から（ｃ）、図３（ｄ）か
ら（ｆ）及び図４（ｇ）から（ｉ）は、それぞれ、試料
半導体レーザを作製する際の工程毎の基板断面図であ
る。まず、図２（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１
上に、ＭＯＣＶＤ法により、成長温度６００℃で、ｎ−
ＩｎＰバッファ兼用クラッド層２、ＭＱＷ−ＳＣＨ活性
層３、膜厚１００ｎｍのｐ−ＩｎＰスペーサ層４、及び
１０ｎｍのＩｎＧａＡｓ吸収層５を成長させた。
【００１６】次いで、図２（ｂ）に示すように、基板上
に、フォトレジスト膜を約１００ｎｍの厚さで塗布し、
フォトレジスト膜に形成した回折格子のデューティ比が
０．５（５０％）程度になるように、周期が約２４０ｎ
ｍの回折格子パターンをＥＢ描画装置により加工し、回
折格子パターンを備えたフォトレジスト膜マスクからな
るエッチングマスク１２を形成した。続いて、図２
（ｃ）に示すように、エッチングマスク１２を使って、
ＩｎＧａＡｓ吸収層５とＩｎＰスペーサ層４との間でエ
ッチング選択性のない臭素系のエッチャントを用い、Ｉ
ｎＧａＡｓ吸収層５を貫通し、ＩｎＰスペーサ層４の界
面から１０ｎｍの深さに達する深さの溝を多数本形成す
るようにエッチングを行って、エッチング後の回折格子
のデューティ比が０．３（３０％）となる回折格子１３
を形成した。
に、フォトレジスト膜を約１００ｎｍの厚さで塗布し、
フォトレジスト膜に形成した回折格子のデューティ比が
０．５（５０％）程度になるように、周期が約２４０ｎ
ｍの回折格子パターンをＥＢ描画装置により加工し、回
折格子パターンを備えたフォトレジスト膜マスクからな
るエッチングマスク１２を形成した。続いて、図２
（ｃ）に示すように、エッチングマスク１２を使って、
ＩｎＧａＡｓ吸収層５とＩｎＰスペーサ層４との間でエ
ッチング選択性のない臭素系のエッチャントを用い、Ｉ
ｎＧａＡｓ吸収層５を貫通し、ＩｎＰスペーサ層４の界
面から１０ｎｍの深さに達する深さの溝を多数本形成す
るようにエッチングを行って、エッチング後の回折格子
のデューティ比が０．３（３０％）となる回折格子１３
を形成した。
【００１７】次にエッチングマスク１２を除去した後、
図３（ｄ）に示すように、基板面にＭＯＣＶＤ法により
ｐ−ＩｎＰスペーサ層４を再成長させ、回折格子１３の
埋め込み再成長を行った。回折格子埋め込み再成長は、
回折格子の形が変形しないように、５２０℃程度の成膜
温度で行った。この再成長により、回折格子は平坦化さ
れ、基板表面は平らになった。続いて、図３（ｅ）に示
すように、基板上にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６を成膜
した。次いで、上部クラッド層６上にＳｉＮx 膜をプラ
ズマＣＶＤ法により成膜し、続いて、図３（ｆ）に示す
ように、フォトリソグラフィと反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法により、メサストライプでの活性層幅が約
１．５μｍ程度となるようにマスクのストライプ幅を調
節して、ＳｉＮx 膜をストライプ形状に加工し、ＳｉＮ
x 膜からなるエッチングマスク１４を形成した。
図３（ｄ）に示すように、基板面にＭＯＣＶＤ法により
ｐ−ＩｎＰスペーサ層４を再成長させ、回折格子１３の
埋め込み再成長を行った。回折格子埋め込み再成長は、
回折格子の形が変形しないように、５２０℃程度の成膜
温度で行った。この再成長により、回折格子は平坦化さ
れ、基板表面は平らになった。続いて、図３（ｅ）に示
すように、基板上にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６を成膜
した。次いで、上部クラッド層６上にＳｉＮx 膜をプラ
ズマＣＶＤ法により成膜し、続いて、図３（ｆ）に示す
ように、フォトリソグラフィと反応性イオンエッチング
（ＲＩＥ）法により、メサストライプでの活性層幅が約
１．５μｍ程度となるようにマスクのストライプ幅を調
節して、ＳｉＮx 膜をストライプ形状に加工し、ＳｉＮ
x 膜からなるエッチングマスク１４を形成した。
【００１８】そして、図４（ｇ）に示すように、エッチ
ングマスク１４を使って上部クラッド層６、回折格子１
３を含むＩｎＰスペーサ層４、活性層３及びクラッド層
２の上部をエッチングし、メサストライプを形成した。
次いで、図４（ｈ）に示すように、ＳｉＮx エッチング
マスクを選択成長マスクとした選択成長法によりｐ型Ｉ
ｎＰ層８およびｎ型ＩｎＰ層９を成長させ、メサストラ
イプの両脇にｐｎ接合型電流ブロッキング層を形成し
た。このタイプのレーザ構造は、いわゆる埋め込みヘテ
ロ型である。
ングマスク１４を使って上部クラッド層６、回折格子１
３を含むＩｎＰスペーサ層４、活性層３及びクラッド層
２の上部をエッチングし、メサストライプを形成した。
次いで、図４（ｈ）に示すように、ＳｉＮx エッチング
マスクを選択成長マスクとした選択成長法によりｐ型Ｉ
ｎＰ層８およびｎ型ＩｎＰ層９を成長させ、メサストラ
イプの両脇にｐｎ接合型電流ブロッキング層を形成し
た。このタイプのレーザ構造は、いわゆる埋め込みヘテ
ロ型である。
【００１９】次いで、ＳｉＮx マスクを除去後、図４
（ｉ）に示すように、ｐ−ＩｎＰクラッド層６を更に２
μｍ程度成長させ、ｐ側電極とコンタクトを取るため
に、高濃度にドーピングした膜厚約０．３μｍのｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓコンタクト層７をクラッド層６上に成長させ
た。更に、図４（ｉ）に示すように、ｐ側電極１０とし
てＧａＩｎＡｓコンタクト層７上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電
極を形成し、基板厚を１２０μｍ程度になるように基板
裏面を研磨して調整した後に、基板裏面にｎ側電極１１
としてＡｕＧｅＮｉ電極を形成した。更に、共振器長が
３００μｍになるように劈開し、キャンパッケージタイ
プのステムにボンディングをして、試料半導体レーザを
作製した。そして、両端面とも劈開端面の状態でＩ−Ｌ
特性やスペクトル特性の測定を行った。このように、両
端面が劈開端面の半導体レーザ素子の特性を測定するこ
とにより、端面コーティングを行った半導体レーザ素子
の特性を推測することができる。
（ｉ）に示すように、ｐ−ＩｎＰクラッド層６を更に２
μｍ程度成長させ、ｐ側電極とコンタクトを取るため
に、高濃度にドーピングした膜厚約０．３μｍのｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓコンタクト層７をクラッド層６上に成長させ
た。更に、図４（ｉ）に示すように、ｐ側電極１０とし
てＧａＩｎＡｓコンタクト層７上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電
極を形成し、基板厚を１２０μｍ程度になるように基板
裏面を研磨して調整した後に、基板裏面にｎ側電極１１
としてＡｕＧｅＮｉ電極を形成した。更に、共振器長が
３００μｍになるように劈開し、キャンパッケージタイ
プのステムにボンディングをして、試料半導体レーザを
作製した。そして、両端面とも劈開端面の状態でＩ−Ｌ
特性やスペクトル特性の測定を行った。このように、両
端面が劈開端面の半導体レーザ素子の特性を測定するこ
とにより、端面コーティングを行った半導体レーザ素子
の特性を推測することができる。
【００２０】ＩｎＧａＡｓ吸収層５の厚さを、２０ｎ
ｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、及び５０ｎｍの４通りに変
え、かつ、共振器長を変えて、表１に示すように、実験
例６、１０、１２、１４の試料レーザを作製した。吸収
層の厚いものほど、利得結合係数の絶対値｜κg ｜が大
きくなる。
ｍ、３０ｎｍ、４０ｎｍ、及び５０ｎｍの４通りに変
え、かつ、共振器長を変えて、表１に示すように、実験
例６、１０、１２、１４の試料レーザを作製した。吸収
層の厚いものほど、利得結合係数の絶対値｜κg ｜が大
きくなる。
【００２１】実験例１、６、１０、１２、１４の吸収層
の厚さの異なる５つの試料ＤＦＢレーザの利得結合係数
を算出するために、しきい値以下のスペクトルにフィッ
ティングをかける方法で利得結合係数の抽出を行った。
フィッティングによる利得結合係数の抽出方法について
は、T.Nakuva et al, "First observation of changing
couple coefficients in a gain-coupled DFB laser w
ith an absorptive grating by an automatic paramete
r extraction from subthreshold spectra," Proceedin
gs of "1997 Conference on Lasers and Electro-optic
s (CREO'97)"の文献を参考にした。利得結合係数の抽出
結果を表１にまとめた。利得結合係数がマイナスの値で
あるのは、本構造が、いわゆるアンティ・フェーズ・タ
イプ（Anti-Phaseタイプ）であることを示している。ア
ンティ・フェーズ・タイプとは、複素結合ＤＦＢレーザ
において、回折格子部分の屈折率が大きい部分で利得が
小さくなっているタイプである。屈折率が大きい部分で
利得も大きくなっているタイプは、イン・フェーズ・タ
イプ（In-Phaseタイプ）と呼び、この場合は利得結合係
数は正の値を取る。また、表１には参考のため、吸収層
への光閉じ込め係数の計算値も示した。
の厚さの異なる５つの試料ＤＦＢレーザの利得結合係数
を算出するために、しきい値以下のスペクトルにフィッ
ティングをかける方法で利得結合係数の抽出を行った。
フィッティングによる利得結合係数の抽出方法について
は、T.Nakuva et al, "First observation of changing
couple coefficients in a gain-coupled DFB laser w
ith an absorptive grating by an automatic paramete
r extraction from subthreshold spectra," Proceedin
gs of "1997 Conference on Lasers and Electro-optic
s (CREO'97)"の文献を参考にした。利得結合係数の抽出
結果を表１にまとめた。利得結合係数がマイナスの値で
あるのは、本構造が、いわゆるアンティ・フェーズ・タ
イプ（Anti-Phaseタイプ）であることを示している。ア
ンティ・フェーズ・タイプとは、複素結合ＤＦＢレーザ
において、回折格子部分の屈折率が大きい部分で利得が
小さくなっているタイプである。屈折率が大きい部分で
利得も大きくなっているタイプは、イン・フェーズ・タ
イプ（In-Phaseタイプ）と呼び、この場合は利得結合係
数は正の値を取る。また、表１には参考のため、吸収層
への光閉じ込め係数の計算値も示した。
【表１】
【００２２】同様にして、共振器長Ｌが、従って回折格
子長Ｌg が４００μｍ、５００μｍ、６００μｍ及び９
００μｍになるように共振器積層構造を劈開してチップ
化し、実験例２から５、７から９、１１、１３の試料半
導体レーザを作製し、しきい値電流と単一縦モード発振
特性に関する製品歩留りを測定した。その結果を表２に
纏めて示す。また、単一縦モード発振特性の製品歩留り
の基準は、しきい値電流＋３０ｍＡにおいて副モード抑
圧比（ＳＭＳＲ）が３５ｄＢ以上とした。
子長Ｌg が４００μｍ、５００μｍ、６００μｍ及び９
００μｍになるように共振器積層構造を劈開してチップ
化し、実験例２から５、７から９、１１、１３の試料半
導体レーザを作製し、しきい値電流と単一縦モード発振
特性に関する製品歩留りを測定した。その結果を表２に
纏めて示す。また、単一縦モード発振特性の製品歩留り
の基準は、しきい値電流＋３０ｍＡにおいて副モード抑
圧比（ＳＭＳＲ）が３５ｄＢ以上とした。
【表２】
【００２３】特筆すべきは、κg の絶対値を大きくし
（例えば｜κg ｜＝１７）、かつ共振器長を長くした場
合、例えば実験例６と実験例９に示すように、歩留りが
大幅に低下することである。そこで、表２の結果を基
に、利得結合係数κg の絶対値｜κg ｜と回折格子長Ｌ
g との積｜κg ｜Ｌg と製品歩留りの相対関係を調べ、
積｜κg ｜Ｌg を横軸とし、縦軸に製品歩留りを取って
グラフにしたものが図５である。表２及び図５から、単
一縦モード発振に関する製品歩留りが、単にκg の値で
はなく、｜κg ｜とＬg との積｜κg ｜Ｌg に依存して
いることが分かる。更に、高い単一縦モード発振に関す
る製品歩留り、例えば７０％以上の製品歩留りを得るた
めには、利得結合係数κg の絶対値と回折格子長Ｌg と
の積｜κg｜Ｌg を０．５以上１．１以下、最適には
０．５以上０．８以下とすれば良いことがわかる。
（例えば｜κg ｜＝１７）、かつ共振器長を長くした場
合、例えば実験例６と実験例９に示すように、歩留りが
大幅に低下することである。そこで、表２の結果を基
に、利得結合係数κg の絶対値｜κg ｜と回折格子長Ｌ
g との積｜κg ｜Ｌg と製品歩留りの相対関係を調べ、
積｜κg ｜Ｌg を横軸とし、縦軸に製品歩留りを取って
グラフにしたものが図５である。表２及び図５から、単
一縦モード発振に関する製品歩留りが、単にκg の値で
はなく、｜κg ｜とＬg との積｜κg ｜Ｌg に依存して
いることが分かる。更に、高い単一縦モード発振に関す
る製品歩留り、例えば７０％以上の製品歩留りを得るた
めには、利得結合係数κg の絶対値と回折格子長Ｌg と
の積｜κg｜Ｌg を０．５以上１．１以下、最適には
０．５以上０．８以下とすれば良いことがわかる。
【００２４】また、本実施形態例では、アンティ・フェ
ーズ・タイプの吸収性回折格子型の利得結合ＤＦＢレー
ザで実験を行なったが、理論的には、κg が正でも負で
も違いはないため、正のκg を持つイン・フェーズ・タ
イプの利得結合ＤＦＢレーザについても本結果を適用す
ることができる。しきい値電流については、イン・フェ
ーズ・タイプとアンティ・フェーズ・タイプとでは多少
差が出る可能性はあるが、単一縦モード発振特性に関す
る製品歩留りに関しては、イン・フェーズ・タイプでも
アンティ・フェーズ・タイプでも原理的には同様の結果
が得られる。
ーズ・タイプの吸収性回折格子型の利得結合ＤＦＢレー
ザで実験を行なったが、理論的には、κg が正でも負で
も違いはないため、正のκg を持つイン・フェーズ・タ
イプの利得結合ＤＦＢレーザについても本結果を適用す
ることができる。しきい値電流については、イン・フェ
ーズ・タイプとアンティ・フェーズ・タイプとでは多少
差が出る可能性はあるが、単一縦モード発振特性に関す
る製品歩留りに関しては、イン・フェーズ・タイプでも
アンティ・フェーズ・タイプでも原理的には同様の結果
が得られる。
【００２５】以上をまとめると、良好な単一縦モード発
振特性を示すＤＦＢレーザを高い製品歩留りで作製する
ためには、利得結合係数κg の絶対値と回折格子長Ｌg
との積｜κg ｜Ｌg が、 ０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１ 最適には、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦０．８ の範囲にすることが必要であることが判った。
振特性を示すＤＦＢレーザを高い製品歩留りで作製する
ためには、利得結合係数κg の絶対値と回折格子長Ｌg
との積｜κg ｜Ｌg が、 ０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１ 最適には、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦０．８ の範囲にすることが必要であることが判った。
【００２６】実験例１５〜３０ 実験例１〜１４では、共振器の全長にわたって回折格子
を設けた半導体レーザについて、共振器長をパラメータ
として、利得結合係数κg と単一縦モード発振に関する
製品歩留りとの関係を調べたが、実験例１５〜３０で
は、共振器長の一部のみ回折格子を形成した場合の実験
結果について説明する。電子ビーム描画装置を用いて回
折格子を共振器長の一部にのみ形成したこと以外は、実
験例１５〜３０と同様にして、表３に示す吸収層の層
厚、共振器長、及び回折格子長を有する実験例１５〜３
０の試料半導体レーザを作製した。実験例１５〜３０の
各試料半導体レーザの吸収層厚、利得結合係数κg 、共
振器長Ｌ、回折格子長Ｌg 、単一縦モード歩留り等は、
表３に示す通りである。また単一縦モード発振に関する
製品歩留りと｜κg ｜Ｌg との関係は、図６に示す通り
である。
を設けた半導体レーザについて、共振器長をパラメータ
として、利得結合係数κg と単一縦モード発振に関する
製品歩留りとの関係を調べたが、実験例１５〜３０で
は、共振器長の一部のみ回折格子を形成した場合の実験
結果について説明する。電子ビーム描画装置を用いて回
折格子を共振器長の一部にのみ形成したこと以外は、実
験例１５〜３０と同様にして、表３に示す吸収層の層
厚、共振器長、及び回折格子長を有する実験例１５〜３
０の試料半導体レーザを作製した。実験例１５〜３０の
各試料半導体レーザの吸収層厚、利得結合係数κg 、共
振器長Ｌ、回折格子長Ｌg 、単一縦モード歩留り等は、
表３に示す通りである。また単一縦モード発振に関する
製品歩留りと｜κg ｜Ｌg との関係は、図６に示す通り
である。
【表３】
【００２７】図２及び表３から、実験例１５〜３０で
も、実験例１〜１４と同様に、単一縦モード発振に関す
る製品歩留りが、単にκg の値ではなく、｜κg ｜とＬ
g との積｜κg ｜Ｌg に依存していることが分かる。更
に、高い単一縦モード発振に関する製品歩留り、例えば
７０％以上の製品歩留りを得るためには、利得結合係数
κg の絶対値と回折格子長Ｌg との積｜κg｜Ｌg を
０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１、最適には０．５≦｜κ
g ｜Ｌg ≦０．８とすれば良いことがわかる。
も、実験例１〜１４と同様に、単一縦モード発振に関す
る製品歩留りが、単にκg の値ではなく、｜κg ｜とＬ
g との積｜κg ｜Ｌg に依存していることが分かる。更
に、高い単一縦モード発振に関する製品歩留り、例えば
７０％以上の製品歩留りを得るためには、利得結合係数
κg の絶対値と回折格子長Ｌg との積｜κg｜Ｌg を
０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１、最適には０．５≦｜κ
g ｜Ｌg ≦０．８とすれば良いことがわかる。
【００２８】実験例１〜１４及び実験例１５〜３０の結
果から、共振器長の一部に回折格子を形成した場合であ
っても、共振器長全体にわたって回折格子を形成した場
合であっても、｜κg ｜Ｌg を適切な範囲にしておくこ
とにより、単一縦モード発振に関して高い製品歩留りを
実現させることができるとが判った。
果から、共振器長の一部に回折格子を形成した場合であ
っても、共振器長全体にわたって回折格子を形成した場
合であっても、｜κg ｜Ｌg を適切な範囲にしておくこ
とにより、単一縦モード発振に関して高い製品歩留りを
実現させることができるとが判った。
【００２９】共振器長を長くすると、素子抵抗や熱抵抗
が低下するために、高光出力特性が得られる。実際、共
振器長が６００μｍ長の半導体レーザ素子は、３００μ
ｍ長の半導体レーザ素子よりも光出力の熱飽和が起こり
難く、最大光出力は１．６倍程度に増加していた。更
に、端面の反射率を一方の前端面で低く、他方の後端面
で高くすることにより、前端面からの光出力効率を高め
ることが可能である。表３の実験例２２に示す、共振器
長が６００μｍで、回折格子長が３００μｍの半導体レ
ーザ素子において、前端面の端面反射率を３％、後端面
の端面反射率を９５％とした場合、端面反射率が、前端
面及び後端面共に３０％程度の場合に比べて、前端面か
らの光出力効率は平均で約２倍に向上した。尚、回折格
子は前端面側に形成した。
が低下するために、高光出力特性が得られる。実際、共
振器長が６００μｍ長の半導体レーザ素子は、３００μ
ｍ長の半導体レーザ素子よりも光出力の熱飽和が起こり
難く、最大光出力は１．６倍程度に増加していた。更
に、端面の反射率を一方の前端面で低く、他方の後端面
で高くすることにより、前端面からの光出力効率を高め
ることが可能である。表３の実験例２２に示す、共振器
長が６００μｍで、回折格子長が３００μｍの半導体レ
ーザ素子において、前端面の端面反射率を３％、後端面
の端面反射率を９５％とした場合、端面反射率が、前端
面及び後端面共に３０％程度の場合に比べて、前端面か
らの光出力効率は平均で約２倍に向上した。尚、回折格
子は前端面側に形成した。
【００３０】以上の結果からわかるように、単一縦モー
ド発振に関し、高い製品歩留りが得られる利得結合係数
の最適値は回折格子の長さによって異なるが、利得結合
係数の絶対値｜κg ｜と回折格子長Ｌg の積｜κg ｜Ｌ
g を０．５程度以上１．１程度以下の値にすることによ
り、単一縦モード発振に関し非常に高い製品歩留りの半
導体レーザ素子が得られることが判った。
ド発振に関し、高い製品歩留りが得られる利得結合係数
の最適値は回折格子の長さによって異なるが、利得結合
係数の絶対値｜κg ｜と回折格子長Ｌg の積｜κg ｜Ｌ
g を０．５程度以上１．１程度以下の値にすることによ
り、単一縦モード発振に関し非常に高い製品歩留りの半
導体レーザ素子が得られることが判った。
【００３１】上記目的を達成するために、得た知見に基
づいて、本発明に係る分布帰還型半導体レーザは、利得
又は損失が周期的に変化する回折格子部を備えた、利得
結合分布帰還型半導体レーザにおいて、利得結合係数の
絶対値｜κg ｜と、回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg
が、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１であることを特徴と
している。
づいて、本発明に係る分布帰還型半導体レーザは、利得
又は損失が周期的に変化する回折格子部を備えた、利得
結合分布帰還型半導体レーザにおいて、利得結合係数の
絶対値｜κg ｜と、回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg
が、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１であることを特徴と
している。
【００３２】実験例１〜３０の結果に示されるように、
｜κg ｜Ｌg が、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１である
ことにより、単一縦モード発振特性を有する利得結合分
布帰還型半導体レーザを高い製品歩留りで作製すること
ができる。回折格子部の回折格子長Ｌg は、回折格子の
共振器方向の長さであって、ｃｍで表される。また、共
振器の全長にわたり回折格子を備えている必要はなく、
本発明で特定したように、利得結合係数の絶対値｜κg
｜と、回折格子部の回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg
が、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１である限り、共振器
の一部、例えば共振器の出射端面側に共振器の１／２の
長さにわたり回折格子を形成したＤＦＢレーザでも良
い。κg の単位は、ｃｍ-1で表される大きさであって、
従って、｜κg ｜Ｌg は無次元の数値である。
｜κg ｜Ｌg が、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１である
ことにより、単一縦モード発振特性を有する利得結合分
布帰還型半導体レーザを高い製品歩留りで作製すること
ができる。回折格子部の回折格子長Ｌg は、回折格子の
共振器方向の長さであって、ｃｍで表される。また、共
振器の全長にわたり回折格子を備えている必要はなく、
本発明で特定したように、利得結合係数の絶対値｜κg
｜と、回折格子部の回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg
が、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１である限り、共振器
の一部、例えば共振器の出射端面側に共振器の１／２の
長さにわたり回折格子を形成したＤＦＢレーザでも良
い。κg の単位は、ｃｍ-1で表される大きさであって、
従って、｜κg ｜Ｌg は無次元の数値である。
【００３３】尚、好適には、｜κg ｜Ｌg の上限を小さ
くして、｜κg ｜Ｌg が、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦０．
８とする。これにより、更に、高い単一縦モード発振に
関する製品歩留りを向上させることができる。
くして、｜κg ｜Ｌg が、０．５≦｜κg ｜Ｌg ≦０．
８とする。これにより、更に、高い単一縦モード発振に
関する製品歩留りを向上させることができる。
【００３４】｜κg ｜Ｌg を所望の値にするには、活性
層と回折格子層の距離、例えば後述の実施形態例ではｐ
−ＩｎＰスペーサ層４の膜厚を変えて、｜κg ｜の値を
調整することにより、実現できる。活性層と回折格子層
との距離を大きくすれば、（数１）に示した式（１’）
のΓabs の値が小さくなるので、｜κg ｜も小さくな
り、逆に両者の距離を小さくすれば、Γabs の値が大き
くなるので、｜κg ｜も大きくなる。
層と回折格子層の距離、例えば後述の実施形態例ではｐ
−ＩｎＰスペーサ層４の膜厚を変えて、｜κg ｜の値を
調整することにより、実現できる。活性層と回折格子層
との距離を大きくすれば、（数１）に示した式（１’）
のΓabs の値が小さくなるので、｜κg ｜も小さくな
り、逆に両者の距離を小さくすれば、Γabs の値が大き
くなるので、｜κg ｜も大きくなる。
【００３５】本発明の好適な実施態様では、共振器長が
４００μｍ以上である。これにより、放熱特性が向上
し、また電気抵抗が低減するため、高出力の利得結合分
布帰還型半導体レーザを実現することができる。本発明
の更に好適な実施態様では、デューティ比Ｄが、０．２
≦Ｄ≦０．４である。これはＤが０．２よりも小さい
と、単一縦モード性の歩留り率が悪くなり、Ｄが０．４
よりも大きいと、損失不良が生じるからである。よっ
て、０．２≦Ｄ≦０．４とすることにより、単一縦モー
ド性の歩留り特性を向上させ、かつしきい値電流の低下
等の素子特性を向上させることができる。
４００μｍ以上である。これにより、放熱特性が向上
し、また電気抵抗が低減するため、高出力の利得結合分
布帰還型半導体レーザを実現することができる。本発明
の更に好適な実施態様では、デューティ比Ｄが、０．２
≦Ｄ≦０．４である。これはＤが０．２よりも小さい
と、単一縦モード性の歩留り率が悪くなり、Ｄが０．４
よりも大きいと、損失不良が生じるからである。よっ
て、０．２≦Ｄ≦０．４とすることにより、単一縦モー
ド性の歩留り特性を向上させ、かつしきい値電流の低下
等の素子特性を向上させることができる。
【００３６】また、本発明の好適な実施態様では、前端
面に反射率が５％以下の膜を設け、後端面に反射率が８
０％以上の膜を設け、更に望ましくは、前端面に反射率
が１％以下の膜を設け、後端面に反射率が９５％以上の
膜を設ける。端面の反射率を一方の前端面で低く、他方
の後端面で高くすることにより、前端面からの光出力効
率を高めることが可能である。また、回折格子部のパタ
ーンを電子ビーム描画法によって形成することにより、
回折格子のデューティ比Ｄを設計通りに安定して再現性
良く形成することができる。
面に反射率が５％以下の膜を設け、後端面に反射率が８
０％以上の膜を設け、更に望ましくは、前端面に反射率
が１％以下の膜を設け、後端面に反射率が９５％以上の
膜を設ける。端面の反射率を一方の前端面で低く、他方
の後端面で高くすることにより、前端面からの光出力効
率を高めることが可能である。また、回折格子部のパタ
ーンを電子ビーム描画法によって形成することにより、
回折格子のデューティ比Ｄを設計通りに安定して再現性
良く形成することができる。
【００３７】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る分布帰還型半導体レーザ
の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の分布
帰還型半導体レーザの構成を示す部分断面斜視図であ
る。図１に示す符号のうち図２から図４に示すものと同
じものには同じ符号を付して説明を省略する。本実施形
態例の分布帰還型半導体レーザ（以下、簡単にＤＦＢレ
ーザと表記する）１０は、発振波長を約１５５０ｎｍと
する吸収性回折格子式の利得結合ＤＦＢレーザである。
本実施形態例の利得結合ＤＦＢレーザ２０は、板厚を約
１２０μｍのｎ−ＩｎＰ基板１上に、順次、エピタキシ
ャル成長させた、膜厚１μｍのｎ−ＩｎＰバッファ兼ク
ラッド層２、膜厚約３００ｎｍのＭＱＷ−ＳＣＨ活性層
３と、膜厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰスペーサ層４、膜厚
約２μｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及び膜厚０．
３μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を
有する。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例１ 本実施形態例は、本発明に係る分布帰還型半導体レーザ
の実施形態の一例であって、図１は本実施形態例の分布
帰還型半導体レーザの構成を示す部分断面斜視図であ
る。図１に示す符号のうち図２から図４に示すものと同
じものには同じ符号を付して説明を省略する。本実施形
態例の分布帰還型半導体レーザ（以下、簡単にＤＦＢレ
ーザと表記する）１０は、発振波長を約１５５０ｎｍと
する吸収性回折格子式の利得結合ＤＦＢレーザである。
本実施形態例の利得結合ＤＦＢレーザ２０は、板厚を約
１２０μｍのｎ−ＩｎＰ基板１上に、順次、エピタキシ
ャル成長させた、膜厚１μｍのｎ−ＩｎＰバッファ兼ク
ラッド層２、膜厚約３００ｎｍのＭＱＷ−ＳＣＨ活性層
３と、膜厚２００ｎｍのｐ−ＩｎＰスペーサ層４、膜厚
約２μｍのｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６、及び膜厚０．
３μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７の積層構造を
有する。
【００３８】ｐ−ＩｎＰスペーサ層４内には、ピッチ約
２４０ｎｍで周期的に形成された膜厚２０ｎｍのＩｎＧ
ａＡｓ吸収層からなる回折格子１３が設けてある。回折
格子１３を含むｐ−ＩｎＰスペーサ層４、活性層３及び
ｎ−ＩｎＰバッファ兼クラッド層２の上部は、メサスト
ライプ状に加工され、メサストライプの両側は電流ブロ
ッキング層として形成されたｐ−ＩｎＰ層８及びｎ−Ｉ
ｎＰ層９で埋め込まれている。メサストライプの幅は、
活性層３の位置で、約１．５μｍである。コンタクト層
７上にはｐ側電極１０としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極が形
成され、基板裏面にｎ側電極１１としてＡｕＧｅＮｉ電
極が形成されている。
２４０ｎｍで周期的に形成された膜厚２０ｎｍのＩｎＧ
ａＡｓ吸収層からなる回折格子１３が設けてある。回折
格子１３を含むｐ−ＩｎＰスペーサ層４、活性層３及び
ｎ−ＩｎＰバッファ兼クラッド層２の上部は、メサスト
ライプ状に加工され、メサストライプの両側は電流ブロ
ッキング層として形成されたｐ−ＩｎＰ層８及びｎ−Ｉ
ｎＰ層９で埋め込まれている。メサストライプの幅は、
活性層３の位置で、約１．５μｍである。コンタクト層
７上にはｐ側電極１０としてＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極が形
成され、基板裏面にｎ側電極１１としてＡｕＧｅＮｉ電
極が形成されている。
【００３９】本実施形態例の利得結合ＤＦＢレーザ２０
の共振器の共振器長Ｌは５００μｍ、利得結合係数κg
は１２ｃｍ-1、回折格子１３の回折格子長Ｌg は５００
μｍ（０．０５ｃｍ）であって、利得結合係数の絶対値
｜κg ｜と回折格子の回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌ
g の値は０．６である。また、デューティ比Ｄの値は、
０．３である。
の共振器の共振器長Ｌは５００μｍ、利得結合係数κg
は１２ｃｍ-1、回折格子１３の回折格子長Ｌg は５００
μｍ（０．０５ｃｍ）であって、利得結合係数の絶対値
｜κg ｜と回折格子の回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌ
g の値は０．６である。また、デューティ比Ｄの値は、
０．３である。
【００４０】本実施形態例の利得結合ＤＦＢレーザ２０
は、｜κg ｜Ｌg が０．６であることによって、良好な
単一縦モード発振特性を示す利得結合ＤＦＢレーザを高
い製品歩留りで製作できる構成を有し、共振器長Ｌが５
００μｍであることによって高出力が可能であり、また
デューティ比Ｄが０．３であることによって、低しきい
値や高効率といった素子特性が良好である。
は、｜κg ｜Ｌg が０．６であることによって、良好な
単一縦モード発振特性を示す利得結合ＤＦＢレーザを高
い製品歩留りで製作できる構成を有し、共振器長Ｌが５
００μｍであることによって高出力が可能であり、また
デューティ比Ｄが０．３であることによって、低しきい
値や高効率といった素子特性が良好である。
【００４１】本実施形態例では、共振器の全長にわたり
回折格子１３を備えているが、共振器の全長にわたり回
折格子を備えている必要はなく、本発明で特定したよう
に、利得結合係数の絶対値｜κg ｜と、回折格子部のμ
ｍ表示の回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg が、０．５
≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１である限り、共振器の一部、例
えば共振器の出射端面側に共振器の１／２の長さにわた
り回折格子を形成したＤＦＢレーザでも良い。
回折格子１３を備えているが、共振器の全長にわたり回
折格子を備えている必要はなく、本発明で特定したよう
に、利得結合係数の絶対値｜κg ｜と、回折格子部のμ
ｍ表示の回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg が、０．５
≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１である限り、共振器の一部、例
えば共振器の出射端面側に共振器の１／２の長さにわた
り回折格子を形成したＤＦＢレーザでも良い。
【００４２】本実施形態例のＤＦＢレーザ２０は、実験
例１〜１４の試料半導体レーザと同様にして作製するこ
とができる。そこで、図２から図４を参照して、本実施
形態例のＤＦＢレーザ２０の作製方法を説明する。ま
ず、図２（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、
ＭＯＣＶＤ法により、成長温度６００℃で、膜厚１μｍ
のｎ−ＩｎＰバッファ兼用クラッド層２、膜厚約３００
ｎｍのＭＱＷ−ＳＣＨ活性層３、膜厚２００ｎｍのｐ−
ＩｎＰスペーサ層４、及び膜厚２０ｎｍのＩｎＧａＡｓ
吸収層５をエピタキシャル成長させる。
例１〜１４の試料半導体レーザと同様にして作製するこ
とができる。そこで、図２から図４を参照して、本実施
形態例のＤＦＢレーザ２０の作製方法を説明する。ま
ず、図２（ａ）に示すように、ｎ−ＩｎＰ基板１上に、
ＭＯＣＶＤ法により、成長温度６００℃で、膜厚１μｍ
のｎ−ＩｎＰバッファ兼用クラッド層２、膜厚約３００
ｎｍのＭＱＷ−ＳＣＨ活性層３、膜厚２００ｎｍのｐ−
ＩｎＰスペーサ層４、及び膜厚２０ｎｍのＩｎＧａＡｓ
吸収層５をエピタキシャル成長させる。
【００４３】次いで、図２（ｂ）に示すように、基板上
に、フォトレジスト膜を約１００ｎｍの厚さで塗布し、
フォトレジスト膜によって形成した回折格子マスクのデ
ューティ比が０．５（５０％）程度になるように、周期
が約２４０ｎｍの回折格子パターンをＥＢ描画装置によ
り加工し、回折格子パターンを備えたフォトレジスト膜
マスクからなるエッチングマスク１２を形成する。続い
て、図２（ｃ）に示すように、エッチングマスク１２を
使って、ＩｎＧａＡｓ吸収層５とＩｎＰスペーサ層４と
の間でエッチング選択性のない臭素系のエッチャントを
用い、ＩｎＧａＡｓ吸収層５を貫通し、ＩｎＰスペーサ
層４の界面から１０ｎｍの深さに達する溝を多数本形成
するようにエッチングを行って、エッチング後の回折格
子のデューティ比が０．３（３０％）となる回折格子１
３を形成する。
に、フォトレジスト膜を約１００ｎｍの厚さで塗布し、
フォトレジスト膜によって形成した回折格子マスクのデ
ューティ比が０．５（５０％）程度になるように、周期
が約２４０ｎｍの回折格子パターンをＥＢ描画装置によ
り加工し、回折格子パターンを備えたフォトレジスト膜
マスクからなるエッチングマスク１２を形成する。続い
て、図２（ｃ）に示すように、エッチングマスク１２を
使って、ＩｎＧａＡｓ吸収層５とＩｎＰスペーサ層４と
の間でエッチング選択性のない臭素系のエッチャントを
用い、ＩｎＧａＡｓ吸収層５を貫通し、ＩｎＰスペーサ
層４の界面から１０ｎｍの深さに達する溝を多数本形成
するようにエッチングを行って、エッチング後の回折格
子のデューティ比が０．３（３０％）となる回折格子１
３を形成する。
【００４４】次に、エッチングマスク１２を除去した
後、図３（ｄ）に示すように、基板面にＭＯＣＶＤ法に
よりｐ−ＩｎＰスペーサ層４を再成長させ、回折格子１
３の埋め込み再成長を行う。回折格子埋め込み再成長
は、回折格子の形が変形しないように、５２０℃程度の
成膜温度で行った。この再成長により、回折格子は平坦
化され、基板表面は平らになる。続いて、図３（ｅ）に
示すように、基板上にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６をエ
ピタキシャル成長させる。次いで、上部クラッド層６上
にＳｉＮx 膜をプラズマＣＶＤ法により成膜し、続い
て、図３（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィと反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、メサストラ
イプでの活性層幅が約１．５μｍ程度となるようにマス
ク幅を調節して、ＳｉＮx 膜をストライプ形状に加工
し、ＳｉＮx 膜からなるエッチングマスク１４を形成す
る。
後、図３（ｄ）に示すように、基板面にＭＯＣＶＤ法に
よりｐ−ＩｎＰスペーサ層４を再成長させ、回折格子１
３の埋め込み再成長を行う。回折格子埋め込み再成長
は、回折格子の形が変形しないように、５２０℃程度の
成膜温度で行った。この再成長により、回折格子は平坦
化され、基板表面は平らになる。続いて、図３（ｅ）に
示すように、基板上にｐ−ＩｎＰ上部クラッド層６をエ
ピタキシャル成長させる。次いで、上部クラッド層６上
にＳｉＮx 膜をプラズマＣＶＤ法により成膜し、続い
て、図３（ｆ）に示すように、フォトリソグラフィと反
応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、メサストラ
イプでの活性層幅が約１．５μｍ程度となるようにマス
ク幅を調節して、ＳｉＮx 膜をストライプ形状に加工
し、ＳｉＮx 膜からなるエッチングマスク１４を形成す
る。
【００４５】次に、図４（ｇ）に示すように、エッチン
グマスク１４を使って上部クラッド層６、回折格子１３
を含むＩｎＰスペーサ層４、活性層３及びクラッド層２
の上部をエッチングし、メサストライプを形成する。次
いで、図４（ｈ）に示すように、ＳｉＮx エッチングマ
スクを選択成長マスクとした選択成長法によりｐ型Ｉｎ
Ｐ層８およびｎ型ＩｎＰ層９を成長させ、メサストライ
プの両脇に電流ブロッキング層を形成する。
グマスク１４を使って上部クラッド層６、回折格子１３
を含むＩｎＰスペーサ層４、活性層３及びクラッド層２
の上部をエッチングし、メサストライプを形成する。次
いで、図４（ｈ）に示すように、ＳｉＮx エッチングマ
スクを選択成長マスクとした選択成長法によりｐ型Ｉｎ
Ｐ層８およびｎ型ＩｎＰ層９を成長させ、メサストライ
プの両脇に電流ブロッキング層を形成する。
【００４６】次いで、ＳｉＮx マスクを除去後、図４
（ｉ）に示すように、全面にｐ−ＩｎＰクラッド層６を
約２μｍ成長させ、ｐ側電極とコンタクトを取るため
に、クラッド層６上に高濃度にドーピングした膜厚約
０．３μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７を成長さ
せる。本実施形態例では、図３（ｆ）及び図４（ｉ）に
示すように、ｐ−ＩｎＰクラッド層６を２段階で成長さ
せている。更に、ｐ側電極１０としてＧａＩｎＡｓコン
タクト層７上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極を形成し、基板厚
を１２０μｍ程度になるように基板裏面を研磨して調整
した後に、基板裏面にｎ側電極１１としてＡｕＧｅＮｉ
電極を形成することにより、図１に示すＤＦＢレーザ２
０を作製することができる。
（ｉ）に示すように、全面にｐ−ＩｎＰクラッド層６を
約２μｍ成長させ、ｐ側電極とコンタクトを取るため
に、クラッド層６上に高濃度にドーピングした膜厚約
０．３μｍのｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層７を成長さ
せる。本実施形態例では、図３（ｆ）及び図４（ｉ）に
示すように、ｐ−ＩｎＰクラッド層６を２段階で成長さ
せている。更に、ｐ側電極１０としてＧａＩｎＡｓコン
タクト層７上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極を形成し、基板厚
を１２０μｍ程度になるように基板裏面を研磨して調整
した後に、基板裏面にｎ側電極１１としてＡｕＧｅＮｉ
電極を形成することにより、図１に示すＤＦＢレーザ２
０を作製することができる。
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、利得結合係数の絶対値
｜κg ｜と、回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg が０．
５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１である回折格子を形成するこ
とにより、共振器長の長短に関せず、単一縦モード発振
特性に関し高い製品歩留りを達成できる構成の利得結合
分布帰還型半導体レーザを実現することができる。本発
明を長共振器長の利得結合分布帰還型半導体レーザに適
用し、前端面を低反射率、後端面を高反射率の端面反射
率にすることにより、前端面からの出力効率の高い、即
ち高光出力の利得結合分布帰還型半導体レーザを実現す
ることができる。
｜κg ｜と、回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg が０．
５≦｜κg ｜Ｌg ≦１．１である回折格子を形成するこ
とにより、共振器長の長短に関せず、単一縦モード発振
特性に関し高い製品歩留りを達成できる構成の利得結合
分布帰還型半導体レーザを実現することができる。本発
明を長共振器長の利得結合分布帰還型半導体レーザに適
用し、前端面を低反射率、後端面を高反射率の端面反射
率にすることにより、前端面からの出力効率の高い、即
ち高光出力の利得結合分布帰還型半導体レーザを実現す
ることができる。
【図１】実施形態例のＤＦＢレーザの構成を示す部分断
面斜視図である。
面斜視図である。
【図２】図２（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、試料半導
体レーザを作製する際の工程毎の基板断面図である。
体レーザを作製する際の工程毎の基板断面図である。
【図３】図３（ｄ）から（ｆ）は、それぞれ、図２
（ｃ）に続いて、試料半導体レーザを作製する際の工程
毎の基板断面図である。
（ｃ）に続いて、試料半導体レーザを作製する際の工程
毎の基板断面図である。
【図４】図４（ｇ）から（ｉ）は、それぞれ、図３
（ｆ）に続いて、試料半導体レーザを作製する際の工程
毎の基板断面図である。
（ｆ）に続いて、試料半導体レーザを作製する際の工程
毎の基板断面図である。
【図５】実験例１〜１４の試料半導体レーザの｜κg ｜
Ｌg と単一縦モード発振特性に関する製品歩留りとの関
係を示すグラフである。
Ｌg と単一縦モード発振特性に関する製品歩留りとの関
係を示すグラフである。
【図６】実験例１５〜３０の試料半導体レーザの｜κg
｜Ｌg と単一縦モード発振特性に関する製品歩留りとの
関係を示すグラフである。
｜Ｌg と単一縦モード発振特性に関する製品歩留りとの
関係を示すグラフである。
１ ｎ−ＩｎＰ基板 ２ ｎ−バッファ層 ３ ＭＱＷ−ＳＣＨ活性層 ４ ｐ−ＩｎＰスペーサ層 ５ ＧａＩｎＡｓ吸収性回折格子 ６ ｐ−ＩｎＰクラッド層 ７ ＧａＩｎＡｓコンタクト層 ８ ｐ−ＩｎＰブロッキング層 ９ ｎ−ＩｎＰブロッキング層 １０ ｐ電極 １１ ｎ電極 １２ エッチングマスク １３ 回折格子 １４ エッチングマスク ２０ 実施形態例のＤＦＢレーザ
Claims (8)
- 【請求項１】 利得又は損失が周期的に変化する回折格
子部を備えた、利得結合分布帰還型半導体レーザにおい
て、 利得結合係数の絶対値｜κg ｜と、回折格子部の回折格
子長Ｌg との積｜κg｜Ｌg が、０．５≦｜κg ｜Ｌg
≦１．１であることを特徴とする利得結合分布帰還型半
導体レーザ。 - 【請求項２】 利得結合係数の絶対値｜κg ｜と、回折
格子部の回折格子長Ｌg との積｜κg ｜Ｌg が、０．５
≦｜κg ｜Ｌg ≦０．８であることを特徴とする請求項
１に記載の利得結合分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項３】 利得結合分布帰還型半導体レーザの長手
方向の一部のみに回折格子を設けることを特徴とする請
求項１及び２に記載の利得結合分布帰還型半導体レー
ザ。 - 【請求項４】 共振器長が４００μｍ以上であることを
特徴とする請求項１から３に記載の利得結合分布帰還型
半導体レーザ。 - 【請求項５】 デューティ比Ｄが、０．２≦Ｄ≦０．４
であることを特徴とする請求項１から４に記載の利得結
合分布帰還型半導体レーザ。 - 【請求項６】 前端面に反射率が５％以下の膜を設け、
後端面に反射率が８０％以上の膜を設けることを特徴と
する請求項１から５に記載の利得結合分布帰還型半導体
レーザ。 - 【請求項７】 前端面に反射率が１％以下の膜を設け、
後端面に反射率が９５％以上の膜を設けることを特徴と
する請求項１から５に記載の利得結合分布帰還型半導体
レーザ。 - 【請求項８】 回折格子部のパターンが電子ビーム描画
法によって形成されていることを特徴とする請求項１か
ら７に記載の利得結合分布帰還型半導体レーザ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000298502A JP2001168456A (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-29 | 利得結合分布帰還型半導体レーザ |
| EP00121477A EP1089407A1 (en) | 1999-09-30 | 2000-09-29 | Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser device |
| CA002321607A CA2321607A1 (en) | 1999-09-30 | 2000-10-02 | Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser device |
| US09/676,989 US6704342B1 (en) | 1999-09-30 | 2000-10-02 | Gain-coupled distributed-feedback semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27843599 | 1999-09-30 | ||
| JP11-278435 | 1999-09-30 | ||
| JP2000298502A JP2001168456A (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-29 | 利得結合分布帰還型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168456A true JP2001168456A (ja) | 2001-06-22 |
Family
ID=26552877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000298502A Pending JP2001168456A (ja) | 1999-09-30 | 2000-09-29 | 利得結合分布帰還型半導体レーザ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6704342B1 (ja) |
| EP (1) | EP1089407A1 (ja) |
| JP (1) | JP2001168456A (ja) |
| CA (1) | CA2321607A1 (ja) |
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| US7180930B2 (en) * | 2002-06-20 | 2007-02-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | DFB semiconductor laser device having ununiform arrangement of a diffraction grating |
| JP2007227560A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 利得結合型分布帰還型半導体レーザ |
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|---|---|---|---|---|
| JP5143985B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2013-02-13 | 古河電気工業株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| US7453100B2 (en) | 2001-08-28 | 2008-11-18 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | DFB laser assembly and laser module |
| JP5099948B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2012-12-19 | 古河電気工業株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| US6829285B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-12-07 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method for effectively reducing facet reflectivity |
| JP2003152274A (ja) * | 2001-11-13 | 2003-05-23 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ装置、半導体レーザモジュールおよびこれを用いたラマン増幅器 |
| US7277462B2 (en) * | 2004-04-29 | 2007-10-02 | Avago Technologies Fiber (Singapore) Pte. Ltd. | Wide tuneable laser sources |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6123383A (ja) * | 1984-07-11 | 1986-01-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ |
| JPH084186B2 (ja) * | 1987-10-28 | 1996-01-17 | 国際電信電話株式会社 | 半導体レーザ |
| JPH01155677A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-19 | Toshiba Corp | 分布帰還型半導体レーザ素子 |
| JPH05160505A (ja) * | 1991-12-05 | 1993-06-25 | Hikari Keisoku Gijutsu Kaihatsu Kk | 半導体分布帰還型レーザ装置 |
| JP3714984B2 (ja) * | 1995-03-06 | 2005-11-09 | シャープ株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ装置 |
| JP4017196B2 (ja) * | 1995-03-22 | 2007-12-05 | シャープ株式会社 | 分布帰還型半導体レーザ装置 |
| US5802096A (en) * | 1995-03-23 | 1998-09-01 | Nec Corporation | Distributed feed back laser with a grating structure adjusted for a reduced intermodulation distortion in an analog amplitude modulation and method for fabricating the same |
| JP3141854B2 (ja) * | 1998-09-28 | 2001-03-07 | 日本電気株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-09-29 JP JP2000298502A patent/JP2001168456A/ja active Pending
- 2000-09-29 EP EP00121477A patent/EP1089407A1/en not_active Withdrawn
- 2000-10-02 CA CA002321607A patent/CA2321607A1/en not_active Abandoned
- 2000-10-02 US US09/676,989 patent/US6704342B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7180930B2 (en) * | 2002-06-20 | 2007-02-20 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | DFB semiconductor laser device having ununiform arrangement of a diffraction grating |
| JP2007227560A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Mitsubishi Electric Corp | 利得結合型分布帰還型半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6704342B1 (en) | 2004-03-09 |
| CA2321607A1 (en) | 2001-03-30 |
| EP1089407A1 (en) | 2001-04-04 |
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