JP3459599B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
半導体発光素子Info
- Publication number
- JP3459599B2 JP3459599B2 JP27112799A JP27112799A JP3459599B2 JP 3459599 B2 JP3459599 B2 JP 3459599B2 JP 27112799 A JP27112799 A JP 27112799A JP 27112799 A JP27112799 A JP 27112799A JP 3459599 B2 JP3459599 B2 JP 3459599B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- semiconductor laser
- current blocking
- thickness
- blocking layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
- H01L33/145—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
- H01S5/2224—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semi-insulating semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
- H01S5/2226—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties semiconductors with a specific doping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
- H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＢＮ（窒化ホウ
素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニ
ウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）もしくはＴｌＮ（窒
化タリウム）またはこれらの混晶等のIII −Ｖ族窒化物
系半導体（以下、窒化物系半導体と呼ぶ）からなる半導
体発光素子に関する。
素）、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニ
ウム）、ＩｎＮ（窒化インジウム）もしくはＴｌＮ（窒
化タリウム）またはこれらの混晶等のIII −Ｖ族窒化物
系半導体（以下、窒化物系半導体と呼ぶ）からなる半導
体発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度・大容量の光ディスクシス
テムに用いられる記録あるいは再生用の光源として、青
色または紫色の光を発する窒化物系半導体レーザ素子の
研究開発が行われている。これらの半導体レーザ素子
は、光ディスクシステムの大容量化に伴い、高速で光デ
ィスクへの書き込みおよび読み出しを行うために、高い
周波数で動作することが求められている。
テムに用いられる記録あるいは再生用の光源として、青
色または紫色の光を発する窒化物系半導体レーザ素子の
研究開発が行われている。これらの半導体レーザ素子
は、光ディスクシステムの大容量化に伴い、高速で光デ
ィスクへの書き込みおよび読み出しを行うために、高い
周波数で動作することが求められている。
【０００３】図１７は特開平１０−３２１９６２号公報
に記載された従来の半導体レーザ素子の構成を示す断面
図である。
に記載された従来の半導体レーザ素子の構成を示す断面
図である。
【０００４】図１７の半導体レーザ素子は、ｎ−ＳｉＣ
基板２１上に、ＧａＮからなるｎ−バッファ層２２、Ａ
ｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるｎ−クラッド層２３、アンド
ープＩｎ0.32Ｇａ0.68Ｎからなる活性層２４、Ｍｇドー
プＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるｐ−クラッド層２５が順
に形成されてなる。
基板２１上に、ＧａＮからなるｎ−バッファ層２２、Ａ
ｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるｎ−クラッド層２３、アンド
ープＩｎ0.32Ｇａ0.68Ｎからなる活性層２４、Ｍｇドー
プＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなるｐ−クラッド層２５が順
に形成されてなる。
【０００５】ｐ−クラッド層２５にはリッジ部が形成さ
れており、ｐ−クラッド層２５の平坦部上およびリッジ
部側面にＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎからなるｎ−表面蒸発保護
層２６が形成され、リッジ部上面にさらにＭｇ高ドープ
Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層２０が形成され、ｎ−表面蒸発保
護層２６の上にＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなるｎ−電流ブ
ロック層２７が形成されている。ｎ−電流ブロック層２
７およびＭｇ高ドープＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層２０の上に
ＭｇドープＧａＮからなるｐ−コンタクト層２８が形成
されている。ｐ−コンタクト層２８上にｐ側電極２９が
形成され、ｎ−ＳｉＣ基板２１の裏面にｎ側電極３０が
形成されている。
れており、ｐ−クラッド層２５の平坦部上およびリッジ
部側面にＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎからなるｎ−表面蒸発保護
層２６が形成され、リッジ部上面にさらにＭｇ高ドープ
Ａｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層２０が形成され、ｎ−表面蒸発保
護層２６の上にＡｌ0.15Ｇａ0.85Ｎからなるｎ−電流ブ
ロック層２７が形成されている。ｎ−電流ブロック層２
７およびＭｇ高ドープＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎ層２０の上に
ＭｇドープＧａＮからなるｐ−コンタクト層２８が形成
されている。ｐ−コンタクト層２８上にｐ側電極２９が
形成され、ｎ−ＳｉＣ基板２１の裏面にｎ側電極３０が
形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１７に示すように、
ｐ−クラッド層２５のリッジ部の両側部および平坦部上
にｎ−電流ブロック層２７を有する従来の半導体レーザ
素子では、パルス駆動時にパルス幅が短くなると、光出
力の立ち上がりおよび立ち下がりの応答特性が悪くな
る。
ｐ−クラッド層２５のリッジ部の両側部および平坦部上
にｎ−電流ブロック層２７を有する従来の半導体レーザ
素子では、パルス駆動時にパルス幅が短くなると、光出
力の立ち上がりおよび立ち下がりの応答特性が悪くな
る。
【０００７】本発明の目的は、短いパルス幅でのパルス
駆動時の応答特性が向上された半導体発光素子を提供す
ることである。
駆動時の応答特性が向上された半導体発光素子を提供す
ることである。
【０００８】
【課題を解決するための手段および発明の効果】第１の
発明に係る半導体発光素子は、窒化物系半導体からなる
活性層上に、第１導電型の窒化物系半導体層からなりか
つ平坦部およびその平坦部上のリッジ部を有するクラッ
ド層が形成され、クラッド層の平坦部上およびリッジ部
の側面に、不純物を含む高抵抗の窒化物系半導体からな
る第１の電流ブロック層が形成されたものである。
発明に係る半導体発光素子は、窒化物系半導体からなる
活性層上に、第１導電型の窒化物系半導体層からなりか
つ平坦部およびその平坦部上のリッジ部を有するクラッ
ド層が形成され、クラッド層の平坦部上およびリッジ部
の側面に、不純物を含む高抵抗の窒化物系半導体からな
る第１の電流ブロック層が形成されたものである。
【０００９】なお、第１の電流ブロック層に不純物を含
有させる方法としては、ドーピングによる方法やイオン
注入による方法等がある。
有させる方法としては、ドーピングによる方法やイオン
注入による方法等がある。
【００１０】本発明に係る半導体発光素子においては、
第１の電流ブロック層が不純物のドープによりクラッド
層と逆の導電型にならずに高抵抗になっている。そのた
め、第１の電流ブロック層とクラッド層との界面近傍の
寄生容量を低減でき、短いパルス幅でのパルス駆動時の
応答特性が向上された半導体発光素子を実現することが
できる。
第１の電流ブロック層が不純物のドープによりクラッド
層と逆の導電型にならずに高抵抗になっている。そのた
め、第１の電流ブロック層とクラッド層との界面近傍の
寄生容量を低減でき、短いパルス幅でのパルス駆動時の
応答特性が向上された半導体発光素子を実現することが
できる。
【００１１】不純物は、亜鉛、ベリリウム、カルシウム
および炭素のうち少なくとも１つであることが好まし
い。これらの不純物を添加することにより、窒化物系半
導体を容易に高抵抗にして短いパルス幅でのパルス駆動
時の応答特性を改善することができる。
および炭素のうち少なくとも１つであることが好まし
い。これらの不純物を添加することにより、窒化物系半
導体を容易に高抵抗にして短いパルス幅でのパルス駆動
時の応答特性を改善することができる。
【００１２】第１の電流ブロック層は、１．５Ω・ｃｍ
以上の抵抗値を有することが好ましい。この場合には、
短いパルス幅でのパルス駆動時の応答特性が十分に改善
される。
以上の抵抗値を有することが好ましい。この場合には、
短いパルス幅でのパルス駆動時の応答特性が十分に改善
される。
【００１３】第１の電流ブロック層上に、第１導電型と
逆の第２導電型の窒化物系半導体からなる第２の電流ブ
ロック層がさらに形成されることが好ましい。この場合
には、第２の電流ブロック層が形成されない場合に比べ
て、半導体発光素子の動作電流を低減することができ
る。
逆の第２導電型の窒化物系半導体からなる第２の電流ブ
ロック層がさらに形成されることが好ましい。この場合
には、第２の電流ブロック層が形成されない場合に比べ
て、半導体発光素子の動作電流を低減することができ
る。
【００１４】第２の発明に係る半導体発光素子は、窒化
物系半導体からなる活性層上に、第１導電型の窒化物系
半導体からなりかつ平坦部およびその平坦部上のリッジ
部を有するクラッド層が形成され、クラッド層のリッジ
部の両側面に沿って平坦部に凹溝が形成され、クラッド
層の凹溝が埋め込まれるように平坦部上およびリッジ部
の側面に第１の電流ブロック層が形成されたものであ
る。
物系半導体からなる活性層上に、第１導電型の窒化物系
半導体からなりかつ平坦部およびその平坦部上のリッジ
部を有するクラッド層が形成され、クラッド層のリッジ
部の両側面に沿って平坦部に凹溝が形成され、クラッド
層の凹溝が埋め込まれるように平坦部上およびリッジ部
の側面に第１の電流ブロック層が形成されたものであ
る。
【００１５】本発明の半導体発光素子においては、クラ
ッド層のリッジ部の両側面に沿った凹溝に第１の電流ブ
ロック層が形成される。それにより、凹溝の第１の電流
ブロック層近傍の寄生容量が低減され半導体発光素子の
短いパルス幅でのパルス駆動時の応答特性が改善され
る。
ッド層のリッジ部の両側面に沿った凹溝に第１の電流ブ
ロック層が形成される。それにより、凹溝の第１の電流
ブロック層近傍の寄生容量が低減され半導体発光素子の
短いパルス幅でのパルス駆動時の応答特性が改善され
る。
【００１６】第１の電流ブロック層は、不純物を含む高
抵抗の窒化物系半導体からなることが好ましい。この場
合、第１の電流ブロック層とクラッド層との界面近傍の
寄生容量を低減することができ、半導体発光素子の短い
パルス幅でのパルス駆動時の応答特性をさらに改善する
ことができる。
抵抗の窒化物系半導体からなることが好ましい。この場
合、第１の電流ブロック層とクラッド層との界面近傍の
寄生容量を低減することができ、半導体発光素子の短い
パルス幅でのパルス駆動時の応答特性をさらに改善する
ことができる。
【００１７】なお、第１の電流ブロック層に不純物を含
有させる方法としては、ドーピングによる方法やイオン
注入による方法等がある。
有させる方法としては、ドーピングによる方法やイオン
注入による方法等がある。
【００１８】不純物は、亜鉛、ベリリウム、カルシウム
および炭素のうち少なくとも１つであることが好まし
い。これらの不純物を添加することにより窒化物系半導
体を容易に高抵抗にして半導体発光素子の短いパルス幅
でのパルス駆動時の応答特性を改善することができる。
および炭素のうち少なくとも１つであることが好まし
い。これらの不純物を添加することにより窒化物系半導
体を容易に高抵抗にして半導体発光素子の短いパルス幅
でのパルス駆動時の応答特性を改善することができる。
【００１９】第１の電流ブロック層は、１．５Ω・ｃｍ
以上の抵抗値を有することが好ましい。この場合には、
半導体発光素子の短いパルス幅でのパルス駆動時の応答
特性が十分に改善される。
以上の抵抗値を有することが好ましい。この場合には、
半導体発光素子の短いパルス幅でのパルス駆動時の応答
特性が十分に改善される。
【００２０】第１の電流ブロック層上に、第１導電型と
逆の第２導電型のIII 族窒化物系からなる第２の電流ブ
ロック層がさらに形成されることが好ましい。この場合
には、半導体発光素子の動作電流を低減させることがで
きる。
逆の第２導電型のIII 族窒化物系からなる第２の電流ブ
ロック層がさらに形成されることが好ましい。この場合
には、半導体発光素子の動作電流を低減させることがで
きる。
【００２１】第１の電流ブロック層の厚みは０．５μｍ
以上であることが好ましく、１．０μｍ以上であること
がさらに好ましい。
以上であることが好ましく、１．０μｍ以上であること
がさらに好ましい。
【００２２】また、クラッド層の平坦部の厚みは０．３
μｍ以下であることが好ましく、０．０８μｍ以下であ
ることがさらに好ましい。
μｍ以下であることが好ましく、０．０８μｍ以下であ
ることがさらに好ましい。
【００２３】
【発明の実施の形態】（第１の実施例）図１は本発明の
第１の実施例における窒化物系半導体レーザ素子の構造
を示す模式的断面図である。第１の実施例の半導体レー
ザ素子は、リッジ導波型の半導体レーザ素子である。
第１の実施例における窒化物系半導体レーザ素子の構造
を示す模式的断面図である。第１の実施例の半導体レー
ザ素子は、リッジ導波型の半導体レーザ素子である。
【００２４】図１の半導体レーザ素子において、サファ
イア基板１のＣ面上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学的
気相成長法）によりアンドープのＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎか
らなる厚さ２５ｎｍのバッファ層２、アンドープのＧａ
Ｎからなる厚さ２μｍのアンドープＧａＮ層３、Ｓｉド
ープのｎ−ＧａＮからなる厚さ３μｍの第１コンタクト
層４、Ｓｉドープのｎ−Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなる厚
さ０．１μｍのクラック防止層５、Ｓｉドープのｎ−Ａ
ｌ0.07Ｇａ0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍの第１クラッ
ド層６、後述する多重量子井戸構造の発光層７、Ｍｇド
ープのｐ−Ａｌ 0.07Ｇａ0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍ
の第２クラッド層８およびＭｇドープのｐ−ＧａＮから
なる厚さ０．０５μｍの第２コンタクト層９ａが順に積
層されている。
イア基板１のＣ面上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学的
気相成長法）によりアンドープのＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎか
らなる厚さ２５ｎｍのバッファ層２、アンドープのＧａ
Ｎからなる厚さ２μｍのアンドープＧａＮ層３、Ｓｉド
ープのｎ−ＧａＮからなる厚さ３μｍの第１コンタクト
層４、Ｓｉドープのｎ−Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなる厚
さ０．１μｍのクラック防止層５、Ｓｉドープのｎ−Ａ
ｌ0.07Ｇａ0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍの第１クラッ
ド層６、後述する多重量子井戸構造の発光層７、Ｍｇド
ープのｐ−Ａｌ 0.07Ｇａ0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍ
の第２クラッド層８およびＭｇドープのｐ−ＧａＮから
なる厚さ０．０５μｍの第２コンタクト層９ａが順に積
層されている。
【００２５】反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法また
は反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）法により
第２コンタクト層９ａおよび第２クラッド層８のストラ
イプ状の領域の両側が所定の厚さｄ１を残して除去され
てストライプ状のリッジ部１０が形成される。このとき
のリッジ部１０の幅は、２．０〜５．０μｍの間で調整
される。第２クラッド層８は厚さｄ１の平坦部８２およ
び凸部８１からなる。
は反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）法により
第２コンタクト層９ａおよび第２クラッド層８のストラ
イプ状の領域の両側が所定の厚さｄ１を残して除去され
てストライプ状のリッジ部１０が形成される。このとき
のリッジ部１０の幅は、２．０〜５．０μｍの間で調整
される。第２クラッド層８は厚さｄ１の平坦部８２およ
び凸部８１からなる。
【００２６】第２コンタクト層９ａから第１コンタクト
層４の一部領域が所定の深さまでエッチングにより除去
され、第１コンタクト層４に電極形成面１１が形成され
る。
層４の一部領域が所定の深さまでエッチングにより除去
され、第１コンタクト層４に電極形成面１１が形成され
る。
【００２７】リッジ部１０の両側面および第２クラッド
層８の平坦部８２上には厚さｄ２のＡｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ
からなる電流ブロック層１２が形成されている。さらに
第２コンタクト層９ａの上面から電流ブロック層１２の
上面に渡ってＭｇドープのｐ−ＧａＮからなる厚さ０．
５μｍの第３コンタクト層９ｂが積層されている。
層８の平坦部８２上には厚さｄ２のＡｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ
からなる電流ブロック層１２が形成されている。さらに
第２コンタクト層９ａの上面から電流ブロック層１２の
上面に渡ってＭｇドープのｐ−ＧａＮからなる厚さ０．
５μｍの第３コンタクト層９ｂが積層されている。
【００２８】また、第３コンタクト層９ｂ上にはｐ側電
極１３１が形成され、第１コンタクト層４の電極形成面
１１にはｎ側電極１３２が形成されている。
極１３１が形成され、第１コンタクト層４の電極形成面
１１にはｎ側電極１３２が形成されている。
【００２９】図２は発光層７の構造を示す断面図であ
る。発光層７は、第１クラッド層６上に形成されたＳｉ
ドープのｎ−ＧａＮからなる厚さ０．１μｍの第１光ガ
イド層７１と、その上に形成された活性層７２と、その
上に形成されたＭｇドープのｐ−ＧａＮからなる厚さ
０．１μｍの第２光ガイド層７３とからなる。活性層７
２は、Ｓｉドープのｎ−Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎからなる厚
さ６ｎｍのバリア層７２１７２３，７２５，７２７と、
Ｓｉドープのｎ−Ｉｎ0.10Ｇａ0.90Ｎからなる厚さ３ｎ
ｍの井戸層７２２，７２４，７２６とが交互に積層され
てなる多重量子井戸構造を有する。
る。発光層７は、第１クラッド層６上に形成されたＳｉ
ドープのｎ−ＧａＮからなる厚さ０．１μｍの第１光ガ
イド層７１と、その上に形成された活性層７２と、その
上に形成されたＭｇドープのｐ−ＧａＮからなる厚さ
０．１μｍの第２光ガイド層７３とからなる。活性層７
２は、Ｓｉドープのｎ−Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎからなる厚
さ６ｎｍのバリア層７２１７２３，７２５，７２７と、
Ｓｉドープのｎ−Ｉｎ0.10Ｇａ0.90Ｎからなる厚さ３ｎ
ｍの井戸層７２２，７２４，７２６とが交互に積層され
てなる多重量子井戸構造を有する。
【００３０】Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック
層１２は、不純物のドープにより高抵抗になっている。
不純物としては、亜鉛、ベリリウム、カルシウムおよび
炭素のうち少なくとも１つが用いられる。
層１２は、不純物のドープにより高抵抗になっている。
不純物としては、亜鉛、ベリリウム、カルシウムおよび
炭素のうち少なくとも１つが用いられる。
【００３１】本実施例の半導体レーザ素子においては、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２が不純
物のドープにより高抵抗となることによって電流ブロッ
ク層１２と第２クラッド層８の平坦部８２との界面の寄
生容量が減少する。それにより、パルス駆動時に、光出
力の立ち上がり時間ｔｒが短縮される。同様の理由か
ら、パルス駆動時に、光出力の立ち下がり時間が短縮さ
れる。それにより、図１の半導体レーザ素子の光出力の
応答特性が改善される。
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２が不純
物のドープにより高抵抗となることによって電流ブロッ
ク層１２と第２クラッド層８の平坦部８２との界面の寄
生容量が減少する。それにより、パルス駆動時に、光出
力の立ち上がり時間ｔｒが短縮される。同様の理由か
ら、パルス駆動時に、光出力の立ち下がり時間が短縮さ
れる。それにより、図１の半導体レーザ素子の光出力の
応答特性が改善される。
【００３２】なお、電流ブロック層１２の抵抗値は、光
出力の応答特性を十分に改善するためには、１．５Ω・
ｃｍ以上であることが好ましい。
出力の応答特性を十分に改善するためには、１．５Ω・
ｃｍ以上であることが好ましい。
【００３３】（第２の実施例）図３は本発明の第２の実
施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断面
図である。
施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断面
図である。
【００３４】図３の半導体レーザ素子と図１の半導体レ
ーザ素子とは電流ブロック層の構成は異なるが、図３の
半導体レーザ素子の第２の電流ブロック層１２１以外の
部分は、図１の半導体レーザ素子と同様である。図３の
半導体レーザ素子においては、図１の半導体レーザ素子
の電流ブロック層１２上に、層厚０．３μｍのｎ−Ａｌ
0.12Ｇａ0.88Ｎからなる第２の電流ブロック層１２１が
形成されている。ｎ型ドーパントとしては、例えばＳｉ
が用いられる。
ーザ素子とは電流ブロック層の構成は異なるが、図３の
半導体レーザ素子の第２の電流ブロック層１２１以外の
部分は、図１の半導体レーザ素子と同様である。図３の
半導体レーザ素子においては、図１の半導体レーザ素子
の電流ブロック層１２上に、層厚０．３μｍのｎ−Ａｌ
0.12Ｇａ0.88Ｎからなる第２の電流ブロック層１２１が
形成されている。ｎ型ドーパントとしては、例えばＳｉ
が用いられる。
【００３５】本実施例の半導体レーザ素子においては、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２が不純
物のドープにより高抵抗となることによって図１の半導
体レーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善される。
また、第２クラッド層８とは逆の導電型の第２の電流ブ
ロック層１２１を設けることにより動作電流が低減され
る。
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２が不純
物のドープにより高抵抗となることによって図１の半導
体レーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善される。
また、第２クラッド層８とは逆の導電型の第２の電流ブ
ロック層１２１を設けることにより動作電流が低減され
る。
【００３６】（第３の実施例）図４は本発明の第３の実
施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断面
図である。
施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断面
図である。
【００３７】図４の半導体レーザ素子と図１の半導体レ
ーザ素子とは第２クラッド層および電流ブロック層が異
なるが、図４の半導体レーザ素子の第２クラッド層およ
び電流ブロック層１１２以外の部分は図１の半導体レー
ザ素子と同様の構造を有する。図４の第２クラッド層１
０８は、発光層７の上に形成され、平坦部１８２および
凸部１８１を有し、凸部１８１の両側面に沿って平坦部
１８２上に凹溝１８３が形成されている。第２クラッド
層１０８の凹溝１８３が埋め込まれるように、第２クラ
ッド層１０８の平坦部１８２の上面および凸部１８１の
両側面に、電流ブロック層１１２が形成されている。
ーザ素子とは第２クラッド層および電流ブロック層が異
なるが、図４の半導体レーザ素子の第２クラッド層およ
び電流ブロック層１１２以外の部分は図１の半導体レー
ザ素子と同様の構造を有する。図４の第２クラッド層１
０８は、発光層７の上に形成され、平坦部１８２および
凸部１８１を有し、凸部１８１の両側面に沿って平坦部
１８２上に凹溝１８３が形成されている。第２クラッド
層１０８の凹溝１８３が埋め込まれるように、第２クラ
ッド層１０８の平坦部１８２の上面および凸部１８１の
両側面に、電流ブロック層１１２が形成されている。
【００３８】本実施例の半導体レーザ素子においては、
凹溝がｎ型の電流ブロック層１１２により埋め込まれる
ことにより光出力の立ち上がり時間および立ち下がり時
間が短くなり、光出力の応答特性が改善される。
凹溝がｎ型の電流ブロック層１１２により埋め込まれる
ことにより光出力の立ち上がり時間および立ち下がり時
間が短くなり、光出力の応答特性が改善される。
【００３９】図５〜図７は、図４の半導体レーザ素子の
製造工程を示す模式的工程断面図である。
製造工程を示す模式的工程断面図である。
【００４０】図５（ａ）に示すように、サファイア基板
１のＣ面上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学的気相成長
法）によりアンドープのＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎからなる厚
さ２５ｎｍのバッファ層２、アンドープのＧａＮからな
る厚さ２μｍのアンドープＧａＮ層３、Ｓｉドープのｎ
−ＧａＮからなる厚さ３μｍの第１コンタクト層４、Ｓ
ｉドープのｎ−Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなる厚さ０．１
μｍのクラック防止層５、Ｓｉドープのｎ−Ａｌ0.07Ｇ
ａ0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍの第１クラッド層６、
後述する多重量子井戸構造の発光層７、Ｍｇドープのｐ
−Ａｌ0.07Ｇａ 0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍの第２ク
ラッド層８およびＭｇドープのｐ−ＧａＮからなる厚さ
０．０５μｍの第２コンタクト層９ａが順に積層され
る。
１のＣ面上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学的気相成長
法）によりアンドープのＡｌ0.5 Ｇａ0.5 Ｎからなる厚
さ２５ｎｍのバッファ層２、アンドープのＧａＮからな
る厚さ２μｍのアンドープＧａＮ層３、Ｓｉドープのｎ
−ＧａＮからなる厚さ３μｍの第１コンタクト層４、Ｓ
ｉドープのｎ−Ｉｎ0.1 Ｇａ0.9 Ｎからなる厚さ０．１
μｍのクラック防止層５、Ｓｉドープのｎ−Ａｌ0.07Ｇ
ａ0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍの第１クラッド層６、
後述する多重量子井戸構造の発光層７、Ｍｇドープのｐ
−Ａｌ0.07Ｇａ 0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍの第２ク
ラッド層８およびＭｇドープのｐ−ＧａＮからなる厚さ
０．０５μｍの第２コンタクト層９ａが順に積層され
る。
【００４１】図５（ｂ）に示すように、第２コンタクト
層９ａの上面の所定領域に、ＳｉＯ 2 膜４００およびＮ
ｉ膜４０１を形成する。これらＳｉＯ2 膜４００および
Ｎｉ膜４０１をマスクとしてＲＩＢＥ法またはＲＩＥ法
によりｎ−コンタクト層４の一部領域を所定の深さまで
エッチングし、ｎ側電極を形成するための電極形成面１
１を形成する。
層９ａの上面の所定領域に、ＳｉＯ 2 膜４００およびＮ
ｉ膜４０１を形成する。これらＳｉＯ2 膜４００および
Ｎｉ膜４０１をマスクとしてＲＩＢＥ法またはＲＩＥ法
によりｎ−コンタクト層４の一部領域を所定の深さまで
エッチングし、ｎ側電極を形成するための電極形成面１
１を形成する。
【００４２】図６（ｃ）に示すように、図４の凹溝１８
３に対応する領域のＳｉＯ2 膜４００およびＮｉ膜４０
１を除去して、ＳｉＯ2 膜４００ａ〜４００ｃおよびＮ
ｉ膜４０１ａ〜４０１ｃを形成する。これらＳｉＯ2 膜
４００ａ〜４００ｃおよびＮｉ膜４０１ａ〜４０１ｃを
マスクとしてＲＩＢＥ法またはＲＩＥ法によりｐ−Ｇａ
Ｎからなる第２コンタクト層９ａの一部を除去し、第２
コンタクト層９ａに達する幅１μｍ、深さ０．０５μｍ
の凹部を形成する。
３に対応する領域のＳｉＯ2 膜４００およびＮｉ膜４０
１を除去して、ＳｉＯ2 膜４００ａ〜４００ｃおよびＮ
ｉ膜４０１ａ〜４０１ｃを形成する。これらＳｉＯ2 膜
４００ａ〜４００ｃおよびＮｉ膜４０１ａ〜４０１ｃを
マスクとしてＲＩＢＥ法またはＲＩＥ法によりｐ−Ｇａ
Ｎからなる第２コンタクト層９ａの一部を除去し、第２
コンタクト層９ａに達する幅１μｍ、深さ０．０５μｍ
の凹部を形成する。
【００４３】図６（ｄ）に示すように、ＳｉＯ2 膜４０
０ｂおよびＮｉ膜４０１ｂを残してＳｉＯ2 膜４００
ａ，４００ｃおよびＮｉ膜４０１ａ，４０１ｃを除去
し、ＳｉＯ2 膜４００ｂおよびＮｉ膜４０１ｂをマスク
としてｐ−クラッド層８の平坦部１８２の厚さがｄ１と
なるように所定の深さまでエッチングする。
０ｂおよびＮｉ膜４０１ｂを残してＳｉＯ2 膜４００
ａ，４００ｃおよびＮｉ膜４０１ａ，４０１ｃを除去
し、ＳｉＯ2 膜４００ｂおよびＮｉ膜４０１ｂをマスク
としてｐ−クラッド層８の平坦部１８２の厚さがｄ１と
なるように所定の深さまでエッチングする。
【００４４】図７（ｅ）に示すように、ＳｉＯ2 膜４０
０ｂをマスクとして、電流ブロック層１１２を選択成長
させる。
０ｂをマスクとして、電流ブロック層１１２を選択成長
させる。
【００４５】最後に、図７（ｆ）に示すように、第３コ
ンタクト層９ｂを成長し、ｐ側電極１３１およびｎ側電
極１３２を形成する。
ンタクト層９ｂを成長し、ｐ側電極１３１およびｎ側電
極１３２を形成する。
【００４６】なお、上記製造方法に代えて、リッジ部１
０の両側面に沿った部分でのエッチング速度が大きいこ
とを利用して、リッジ部１０を形成した後、ｐ−クラッ
ド層８の平坦部の全面をエッチングすることによっても
リッジ部１０の両側面に沿って凹溝１８３を設けること
が可能である。
０の両側面に沿った部分でのエッチング速度が大きいこ
とを利用して、リッジ部１０を形成した後、ｐ−クラッ
ド層８の平坦部の全面をエッチングすることによっても
リッジ部１０の両側面に沿って凹溝１８３を設けること
が可能である。
【００４７】（第４の実施例）第４の実施例の半導体レ
ーザ素子は、図４の半導体レーザ素子の電流ブロック層
１１２が不純物の添加された高抵抗のＡｌ0.12Ｇａ0.88
Ｎで形成される。第４の実施例の半導体レーザ素子の電
流ブロック層以外の構成は図４の半導体レーザ素子と同
様である。
ーザ素子は、図４の半導体レーザ素子の電流ブロック層
１１２が不純物の添加された高抵抗のＡｌ0.12Ｇａ0.88
Ｎで形成される。第４の実施例の半導体レーザ素子の電
流ブロック層以外の構成は図４の半導体レーザ素子と同
様である。
【００４８】本実施例の半導体レーザ素子においては、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層が不純物の
ドープにより高抵抗となることによって図１の半導体レ
ーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善される。
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層が不純物の
ドープにより高抵抗となることによって図１の半導体レ
ーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善される。
【００４９】なお、電流ブロック層の抵抗値は、光出力
の応答特性を十分に改善するためには、１．５Ω・ｃｍ
以上であることが好ましい。
の応答特性を十分に改善するためには、１．５Ω・ｃｍ
以上であることが好ましい。
【００５０】（第５の実施例）図８は本発明の第５の実
施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断面
図である。
施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断面
図である。
【００５１】図８の半導体レーザ素子と図３の半導体レ
ーザ素子とは第２クラッド層および電流ブロック層が異
なる。しかし、図８の半導体レーザ素子の第２クラッド
層１０８および電流ブロック層１２０以外の部分は図３
の半導体レーザ素子と同様の構造を有する。図８の第２
クラッド層１０８は、発光層７の上に形成され、平坦部
１８２およびストライプ状の凸部１８１を有し、ストラ
イプ状の凸部１８１の両側面に沿って平坦部１８２上に
凹溝１８３が形成されている。第２クラッド層１０８の
凹溝１８３が埋め込まれるように、第２クラッド層１０
８の平坦部１８２の上面および凸部１８１の両側面に、
電流ブロック層１２０が形成されている。凹溝１８３が
形成されている部分の第２クラッド層１０８の厚さｄ３
は平坦部１８２の厚さｄ１よりも薄くなる。
ーザ素子とは第２クラッド層および電流ブロック層が異
なる。しかし、図８の半導体レーザ素子の第２クラッド
層１０８および電流ブロック層１２０以外の部分は図３
の半導体レーザ素子と同様の構造を有する。図８の第２
クラッド層１０８は、発光層７の上に形成され、平坦部
１８２およびストライプ状の凸部１８１を有し、ストラ
イプ状の凸部１８１の両側面に沿って平坦部１８２上に
凹溝１８３が形成されている。第２クラッド層１０８の
凹溝１８３が埋め込まれるように、第２クラッド層１０
８の平坦部１８２の上面および凸部１８１の両側面に、
電流ブロック層１２０が形成されている。凹溝１８３が
形成されている部分の第２クラッド層１０８の厚さｄ３
は平坦部１８２の厚さｄ１よりも薄くなる。
【００５２】本実施例の半導体レーザ素子においては、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２０が不
純物のドープにより高抵抗となることによって、図１の
半導体レーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善され
る。また、第２クラッド層８とは逆の導電型の第２の電
流ブロック層１２１を設けることにより動作電流が低減
される。凹溝１８３が電流ブロック層１２０により埋め
込まれているので、光出力の応答特性がさらに良くな
る。
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２０が不
純物のドープにより高抵抗となることによって、図１の
半導体レーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善され
る。また、第２クラッド層８とは逆の導電型の第２の電
流ブロック層１２１を設けることにより動作電流が低減
される。凹溝１８３が電流ブロック層１２０により埋め
込まれているので、光出力の応答特性がさらに良くな
る。
【００５３】（第６の実施例）図９は本発明の第６の実
施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断面
図である。
施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断面
図である。
【００５４】図９の半導体レーザ素子と図１の半導体レ
ーザ素子とは基板および基板とクラック防止層との間の
各層ならびに第２クラッド層は異なるが、他の部分の構
成は図１の半導体レーザ素子と同様である。すなわち、
図９の半導体レーザ素子は、ｎ−ＧａＮ基板３０１上
に、ＭＯＣＶＤ法により、Ｓｉドープのｎ−ＧａＮから
なる厚さ３μｍのバッファ層３０４、図１の半導体レー
ザ素子と同様の各層５〜７、Ｍｇドープのｐ−Ａｌ0.07
Ｇａ0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍの第２クラッド層３
０８および第２コンタクト層９ａが順に積層されてな
る。
ーザ素子とは基板および基板とクラック防止層との間の
各層ならびに第２クラッド層は異なるが、他の部分の構
成は図１の半導体レーザ素子と同様である。すなわち、
図９の半導体レーザ素子は、ｎ−ＧａＮ基板３０１上
に、ＭＯＣＶＤ法により、Ｓｉドープのｎ−ＧａＮから
なる厚さ３μｍのバッファ層３０４、図１の半導体レー
ザ素子と同様の各層５〜７、Ｍｇドープのｐ−Ａｌ0.07
Ｇａ0.93Ｎからなる厚さ１．５μｍの第２クラッド層３
０８および第２コンタクト層９ａが順に積層されてな
る。
【００５５】反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法また
は反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）法により
第２コンタクト層９ａおよび第２クラッド層３０８の一
部領域が所定の厚さｄ１を残して除去されてストライプ
状のリッジ部１０が形成される。このときのリッジ部１
０の幅は、２．０〜５．０μｍの間で調整される。第２
クラッド層３０８は厚さｄ１の平坦部３８２および凸部
３８１からなる。
は反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）法により
第２コンタクト層９ａおよび第２クラッド層３０８の一
部領域が所定の厚さｄ１を残して除去されてストライプ
状のリッジ部１０が形成される。このときのリッジ部１
０の幅は、２．０〜５．０μｍの間で調整される。第２
クラッド層３０８は厚さｄ１の平坦部３８２および凸部
３８１からなる。
【００５６】また、リッジ部１０の両側面および第２ク
ラッド層３０８の平坦部３８２には厚さｄ２のＡｌ0.12
Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２が形成されてい
る。さらに第２コンタクト層９ａの上面から電流ブロッ
ク層１２の上面に渡ってＭｇドープのｐ−ＧａＮからな
る厚さ０．５μｍの第３コンタクト層９ｂが積層されて
いる。
ラッド層３０８の平坦部３８２には厚さｄ２のＡｌ0.12
Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２が形成されてい
る。さらに第２コンタクト層９ａの上面から電流ブロッ
ク層１２の上面に渡ってＭｇドープのｐ−ＧａＮからな
る厚さ０．５μｍの第３コンタクト層９ｂが積層されて
いる。
【００５７】また、ｐ−第３コンタクト層９ａ上にはｐ
側電極３３１が形成され、ｎ−ＧａＮ基板３０１の裏面
にはｎ側電極３３２が形成されている。
側電極３３１が形成され、ｎ−ＧａＮ基板３０１の裏面
にはｎ側電極３３２が形成されている。
【００５８】本実施例においても電流ブロック層１２が
不純物をドープされて高抵抗になっているので、図１の
半導体レーザと同様に、光出力の立ち上がり時間および
立ち下がり時間が短縮され、光出力の応答特性が改善さ
れる。
不純物をドープされて高抵抗になっているので、図１の
半導体レーザと同様に、光出力の立ち上がり時間および
立ち下がり時間が短縮され、光出力の応答特性が改善さ
れる。
【００５９】（第７の実施例）図１０は本発明の第７の
実施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断
面図である。
実施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断
面図である。
【００６０】図１０の半導体レーザ素子と図９の半導体
レーザ素子とは電流ブロック層の構成は異なるが、図１
０の半導体レーザ素子の第２の電流ブロック層１２１以
外の部分は、図９の半導体レーザ素子と同様である。す
なわち、図１０の半導体レーザ素子には、図９の半導体
レーザ素子の電流ブロック層１２上に、層厚０．３μｍ
のｎ−Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる第２の電流ブロック
層１２１が形成されている。
レーザ素子とは電流ブロック層の構成は異なるが、図１
０の半導体レーザ素子の第２の電流ブロック層１２１以
外の部分は、図９の半導体レーザ素子と同様である。す
なわち、図１０の半導体レーザ素子には、図９の半導体
レーザ素子の電流ブロック層１２上に、層厚０．３μｍ
のｎ−Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる第２の電流ブロック
層１２１が形成されている。
【００６１】本実施例の半導体レーザ素子においては、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２が不純
物のドープにより高抵抗となることによって図１の半導
体レーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善される。
また、第２クラッド層８とは逆の導電型の第２の電流ブ
ロック層１２１を設けることにより動作電流が低減され
る。
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２が不純
物のドープにより高抵抗となることによって図１の半導
体レーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善される。
また、第２クラッド層８とは逆の導電型の第２の電流ブ
ロック層１２１を設けることにより動作電流が低減され
る。
【００６２】（第８の実施例）図１１は本発明の第８の
実施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断
面図である。
実施例における半導体レーザ素子の構成を示す模式的断
面図である。
【００６３】図１１の半導体レーザ素子と図１０の半導
体レーザ素子とは第２クラッド層および電流ブロック層
が異なるが、図１０の半導体レーザ素子の第２クラッド
層３０８および電流ブロック層１２以外の部分は図１０
の半導体レーザ素子と同様の構造を有する。図１１の第
２クラッド層３１８は、平坦部３８２およびストライプ
状の凸部３８１を有し、ストライプ状の凸部３８１の両
側面に沿って平坦部３８２上に凹溝３８３が形成されて
いる。第２クラッド層３１８の凹溝３８３が埋め込まれ
るように、第２クラッド層３１８の平坦部３８２の上面
および凸部３８１の両側面に、電流ブロック層１２０が
形成されている。
体レーザ素子とは第２クラッド層および電流ブロック層
が異なるが、図１０の半導体レーザ素子の第２クラッド
層３０８および電流ブロック層１２以外の部分は図１０
の半導体レーザ素子と同様の構造を有する。図１１の第
２クラッド層３１８は、平坦部３８２およびストライプ
状の凸部３８１を有し、ストライプ状の凸部３８１の両
側面に沿って平坦部３８２上に凹溝３８３が形成されて
いる。第２クラッド層３１８の凹溝３８３が埋め込まれ
るように、第２クラッド層３１８の平坦部３８２の上面
および凸部３８１の両側面に、電流ブロック層１２０が
形成されている。
【００６４】本実施例の半導体レーザ素子においては、
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２０が不
純物のドープにより高抵抗となることによって図１の半
導体レーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善され
る。また、第２クラッド層３１８とは逆の導電型の第２
の電流ブロック層１２１を設けることにより動作電流が
低減される。また、凹溝３８３が電流ブロック層１２０
により埋め込まれているので、さらに光出力の応答特性
がよくなる。
Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎからなる電流ブロック層１２０が不
純物のドープにより高抵抗となることによって図１の半
導体レーザ素子と同様に光出力の応答特性が改善され
る。また、第２クラッド層３１８とは逆の導電型の第２
の電流ブロック層１２１を設けることにより動作電流が
低減される。また、凹溝３８３が電流ブロック層１２０
により埋め込まれているので、さらに光出力の応答特性
がよくなる。
【００６５】なお、電流ブロック層１２０の抵抗値は、
光出力の応答特性を十分に改善するためには、１．５Ω
・ｃｍ以上であることが好ましい。
光出力の応答特性を十分に改善するためには、１．５Ω
・ｃｍ以上であることが好ましい。
【００６６】
【実施例】図１に示した第１の実施例の半導体レーザ素
子、図３に示した第２の実施例の半導体レーザ素子、図
４に示した第３の実施例の半導体レーザ素子、第４の実
施例の半導体レーザ素子、図８に示した第５の半導体レ
ーザ素子、図９に示した第６の実施例の半導体レーザ素
子、図１０に示した第７の実施例の半導体レーザ素子、
図１１に示した第８の実施例の半導体レーザ素子および
比較例の半導体レーザ素子を作製し、特性を測定した。
子、図３に示した第２の実施例の半導体レーザ素子、図
４に示した第３の実施例の半導体レーザ素子、第４の実
施例の半導体レーザ素子、図８に示した第５の半導体レ
ーザ素子、図９に示した第６の実施例の半導体レーザ素
子、図１０に示した第７の実施例の半導体レーザ素子、
図１１に示した第８の実施例の半導体レーザ素子および
比較例の半導体レーザ素子を作製し、特性を測定した。
【００６７】図１の第１の実施例、図３の第２の実施
例、図９の第６の実施例および図１０の第７の実施例の
半導体レーザ素子は、リッジ部１０の幅を３μｍに設定
し、電流ブロック層１２の厚さｄ２を０．５μｍに設定
し、電流ブロック層１２に不純物としてＺｎ（亜鉛）を
ドープした。図４の第３の実施例の半導体レーザ素子
は、リッジ部１０の幅を３μｍに設定し、電流ブロック
層１１２の厚さｄ２を０．５μｍに設定し、電流ブロッ
ク層１１２にはＳｉをドープした。図８の第５の実施例
および図１１の第８の実施例の半導体レーザ素子では、
リッジ部１０の幅を３μｍに設定し、電流ブロック層１
２０の厚さｄ２を０．５μｍに設定し、電流ブロック層
１２０に不純物としてＺｎをドープした。また、凹溝１
８３，３８３の深さ（すなわちｄ１−ｄ３）を０．０５
μｍに設定した。
例、図９の第６の実施例および図１０の第７の実施例の
半導体レーザ素子は、リッジ部１０の幅を３μｍに設定
し、電流ブロック層１２の厚さｄ２を０．５μｍに設定
し、電流ブロック層１２に不純物としてＺｎ（亜鉛）を
ドープした。図４の第３の実施例の半導体レーザ素子
は、リッジ部１０の幅を３μｍに設定し、電流ブロック
層１１２の厚さｄ２を０．５μｍに設定し、電流ブロッ
ク層１１２にはＳｉをドープした。図８の第５の実施例
および図１１の第８の実施例の半導体レーザ素子では、
リッジ部１０の幅を３μｍに設定し、電流ブロック層１
２０の厚さｄ２を０．５μｍに設定し、電流ブロック層
１２０に不純物としてＺｎをドープした。また、凹溝１
８３，３８３の深さ（すなわちｄ１−ｄ３）を０．０５
μｍに設定した。
【００６８】第４の実施例の半導体レーザ素子は、電流
ブロック層に不純物としてＺｎをドープした点を除いて
図４の第３の実施例の半導体レーザ素子と同様の構造を
有する。比較例の半導体レーザ素子は、電流ブロック層
にＳｉのみをドープしｎ型とする点を除いて図１の第１
の実施例の半導体レーザ素子と同様の構造を有する。
ブロック層に不純物としてＺｎをドープした点を除いて
図４の第３の実施例の半導体レーザ素子と同様の構造を
有する。比較例の半導体レーザ素子は、電流ブロック層
にＳｉのみをドープしｎ型とする点を除いて図１の第１
の実施例の半導体レーザ素子と同様の構造を有する。
【００６９】まず、第１〜第８の実施例の半導体レーザ
素子および比較例の半導体レーザ素子の立ち上がり時間
ｔｒと第２のクラッド層平坦部の厚さｄ１との関係を測
定した。測定結果を図１２、図１３および図１４に示
す。また、第１〜第３の実施例、第６の実施例および第
７の実施例の半導体レーザ素子についての測定結果を表
１に示す。なお、第４、第５および第８の実施例の半導
体レーザ素子については第２クラッド層平坦部の厚さｄ
１が０．３μｍの場合について測定を行った。第４、第
５および第８の実施例の半導体レーザ素子の立ち上がり
時間ｔｒはそれぞれ０．１３ｎｓ、０．０８ｎｓおよび
０．０６ｎｓであった。
素子および比較例の半導体レーザ素子の立ち上がり時間
ｔｒと第２のクラッド層平坦部の厚さｄ１との関係を測
定した。測定結果を図１２、図１３および図１４に示
す。また、第１〜第３の実施例、第６の実施例および第
７の実施例の半導体レーザ素子についての測定結果を表
１に示す。なお、第４、第５および第８の実施例の半導
体レーザ素子については第２クラッド層平坦部の厚さｄ
１が０．３μｍの場合について測定を行った。第４、第
５および第８の実施例の半導体レーザ素子の立ち上がり
時間ｔｒはそれぞれ０．１３ｎｓ、０．０８ｎｓおよび
０．０６ｎｓであった。
【００７０】なお、光出力の立ち上がり時間ｔｒは、光
出力がピーク時５ｍＷの１０％になった時点から９０％
に達するまでの時間で定義した。また、パルス幅５０ｎ
ｓ、デューティサイクル５０％（周波数１０ＭＨｚ）の
パルス駆動条件で測定を行った。
出力がピーク時５ｍＷの１０％になった時点から９０％
に達するまでの時間で定義した。また、パルス幅５０ｎ
ｓ、デューティサイクル５０％（周波数１０ＭＨｚ）の
パルス駆動条件で測定を行った。
【００７１】
【表１】
【００７２】第１〜第８の実施例の半導体レーザ素子の
立ち上がり時間ｔｒは、第２クラッド層平坦部の厚さｄ
１にかかわらず常に比較例の半導体レーザ素子の立ち上
がり時間ｔｒよりも短くなっている。
立ち上がり時間ｔｒは、第２クラッド層平坦部の厚さｄ
１にかかわらず常に比較例の半導体レーザ素子の立ち上
がり時間ｔｒよりも短くなっている。
【００７３】第１〜第３、第６および第７の実施例の半
導体レーザ素子において、第２クラッド層平坦部の厚さ
ｄ１の減少に伴い、光出力の立ち上がり時間ｔｒは減少
する。第１〜第３、第６および第７の実施例の半導体レ
ーザ素子において、第２クラッド層平坦部の厚さｄ１が
０．３μｍ以上のときには第２のクラッド層平坦部の厚
さｄ１の増加に伴って立ち上がり時間ｔｒが急激に増加
する。第２クラッド層平坦部の厚さｄ１が０．３μｍ以
下のところで立ち上がり時間ｔｒの増加が緩やかにな
り、０．０８μｍ以下でさらに増加が緩やかになる。し
たがって、短い立ち上がり時間ｔｒを安定的に確保する
ためには、第２クラッド層平坦部の厚さｄ１は０．３μ
ｍ以下であることが好ましく、０．０８μｍ以下である
ことがさらに好ましい。
導体レーザ素子において、第２クラッド層平坦部の厚さ
ｄ１の減少に伴い、光出力の立ち上がり時間ｔｒは減少
する。第１〜第３、第６および第７の実施例の半導体レ
ーザ素子において、第２クラッド層平坦部の厚さｄ１が
０．３μｍ以上のときには第２のクラッド層平坦部の厚
さｄ１の増加に伴って立ち上がり時間ｔｒが急激に増加
する。第２クラッド層平坦部の厚さｄ１が０．３μｍ以
下のところで立ち上がり時間ｔｒの増加が緩やかにな
り、０．０８μｍ以下でさらに増加が緩やかになる。し
たがって、短い立ち上がり時間ｔｒを安定的に確保する
ためには、第２クラッド層平坦部の厚さｄ１は０．３μ
ｍ以下であることが好ましく、０．０８μｍ以下である
ことがさらに好ましい。
【００７４】第２クラッド層平坦部の厚さｄ１が０．３
μｍのところで第１〜第８の実施例の半導体レーザ素子
の立ち上がり時間ｔｒを比べると、第３の実施例の半導
体レーザ素子の立ち上がり時間ｔｒよりも第１および第
６の実施例の半導体レーザ素子の立ち上がり時間ｔｒが
小さく、第１および第６の実施例の半導体レーザ素子の
立ち上がり時間ｔｒよりも第２、第４および第７の実施
例の半導体レーザ素子の立ち上がり時間ｔｒが小さく、
第２、第４および第７の実施例の半導体レーザ素子の立
ち上がり時間ｔｒよりも第５および第８の実施例の半導
体レーザ素子の立ち上がり時間ｔｒが小さいことがわか
る。
μｍのところで第１〜第８の実施例の半導体レーザ素子
の立ち上がり時間ｔｒを比べると、第３の実施例の半導
体レーザ素子の立ち上がり時間ｔｒよりも第１および第
６の実施例の半導体レーザ素子の立ち上がり時間ｔｒが
小さく、第１および第６の実施例の半導体レーザ素子の
立ち上がり時間ｔｒよりも第２、第４および第７の実施
例の半導体レーザ素子の立ち上がり時間ｔｒが小さく、
第２、第４および第７の実施例の半導体レーザ素子の立
ち上がり時間ｔｒよりも第５および第８の実施例の半導
体レーザ素子の立ち上がり時間ｔｒが小さいことがわか
る。
【００７５】このことは、電流ブロック層に不純物を添
加して高抵抗にする効果と、第２の電流ブロック層１２
１を形成することにより立ち上がり時間ｔｒが短縮され
る効果と、電流ブロック層により第２クラッド層の形成
された凹溝を埋めることによる立ち上がり時間ｔｒの短
縮の効果とを互いに加え合わせることが可能であること
を示している。
加して高抵抗にする効果と、第２の電流ブロック層１２
１を形成することにより立ち上がり時間ｔｒが短縮され
る効果と、電流ブロック層により第２クラッド層の形成
された凹溝を埋めることによる立ち上がり時間ｔｒの短
縮の効果とを互いに加え合わせることが可能であること
を示している。
【００７６】次に、図１の第１の実施例の半導体レーザ
素子について電流ブロック層の厚さｄ２の立ち上がり時
間ｔｒとの関係について測定を行った。測定結果を図１
５および表２に示す。
素子について電流ブロック層の厚さｄ２の立ち上がり時
間ｔｒとの関係について測定を行った。測定結果を図１
５および表２に示す。
【００７７】
【表２】
【００７８】なお、第２クラッド層８の平坦部８２の厚
さｄ１は、０．３μｍに設定した。この測定結果から、
電流ブロック層１２の厚さｄ２が０．５μｍ以下の領域
で立ち上がり時間ｔｒが急激に減少しており、また、電
流ブロック層１２の厚さｄ２が地点１．０μｍ以上の領
域でほとんど減少しなくなる。したがって、短い立ち上
がり時間ｔｒを安定的に確保するためには、電流ブロッ
ク層１２の厚さｄ２は０．５μｍ以上であることが好ま
しく、１．０μｍ以上であることがさらに好ましい。
さｄ１は、０．３μｍに設定した。この測定結果から、
電流ブロック層１２の厚さｄ２が０．５μｍ以下の領域
で立ち上がり時間ｔｒが急激に減少しており、また、電
流ブロック層１２の厚さｄ２が地点１．０μｍ以上の領
域でほとんど減少しなくなる。したがって、短い立ち上
がり時間ｔｒを安定的に確保するためには、電流ブロッ
ク層１２の厚さｄ２は０．５μｍ以上であることが好ま
しく、１．０μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００７９】次に、第１の実施例および第２の実施例の
半導体レーザ素子について第２クラッド層平坦部の厚さ
ｄ１と動作電流との関係を測定した。測定結果を図１６
および表３に示す。
半導体レーザ素子について第２クラッド層平坦部の厚さ
ｄ１と動作電流との関係を測定した。測定結果を図１６
および表３に示す。
【００８０】
【表３】
【００８１】この結果から、図３に示す第２の実施例の
半導体レーザ素子の動作電流の方が図１に示す第１の実
施例の半導体レーザ素子の動作電流よりも３〜５ｍＡ小
さくなることがわかる。
半導体レーザ素子の動作電流の方が図１に示す第１の実
施例の半導体レーザ素子の動作電流よりも３〜５ｍＡ小
さくなることがわかる。
【図１】本発明の第１の実施例における半導体レーザ素
子の構成を示す模式的断面図である。
子の構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１の半導体レーザ素子の活性層の構成を示す
模式的断面図である。
模式的断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例における半導体レーザ素
子の構成を示す模式的断面図である。
子の構成を示す模式的断面図である。
【図４】本発明の第３の実施例に係る半導体レーザ素子
の構成を示す模式的断面図である。
の構成を示す模式的断面図である。
【図５】図４の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式
的工程断面図である。
的工程断面図である。
【図６】図４の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式
的工程断面図である。
的工程断面図である。
【図７】図４の半導体レーザ素子の製造方法を示す模式
的工程断面図である。
的工程断面図である。
【図８】本発明の第５の実施例における半導体レーザ素
子の構成を示す模式的断面図である。
子の構成を示す模式的断面図である。
【図９】本発明の第６の実施例における半導体レーザ素
子の構成を示す模式的断面図である。
子の構成を示す模式的断面図である。
【図１０】本発明の第７の実施例における半導体レーザ
素子の構成を示す模式的断面図である。
素子の構成を示す模式的断面図である。
【図１１】本発明の第８の実施例における半導体レーザ
素子の構成を示す模式的断面図である。
素子の構成を示す模式的断面図である。
【図１２】第１、第２、第４および第５の実施例ならび
に比較例の半導体レーザ素子における光出力の立ち上が
り時間の第２クラッド層平坦部厚依存性の測定結果を示
す図である。
に比較例の半導体レーザ素子における光出力の立ち上が
り時間の第２クラッド層平坦部厚依存性の測定結果を示
す図である。
【図１３】第３の実施例および比較例の半導体レーザ素
子における光出力の立ち上がり時間の第２クラッド層平
坦部厚依存性の測定結果を示す図である。
子における光出力の立ち上がり時間の第２クラッド層平
坦部厚依存性の測定結果を示す図である。
【図１４】第６〜第８の実施例および比較例の半導体レ
ーザ素子における光出力の立ち上がり時間の第２クラッ
ド層平坦部厚依存性の測定結果を示す図である。
ーザ素子における光出力の立ち上がり時間の第２クラッ
ド層平坦部厚依存性の測定結果を示す図である。
【図１５】第１の実施例の半導体レーザ素子における光
出力立ち上がり時間の電流ブロック層厚依存性の測定結
果を示す図である。
出力立ち上がり時間の電流ブロック層厚依存性の測定結
果を示す図である。
【図１６】第１および第２の実施例の半導体レーザ素子
における動作電流の第２クラッド層平坦部厚依存性の測
定結果を示す図である。
における動作電流の第２クラッド層平坦部厚依存性の測
定結果を示す図である。
【図１７】従来の半導体レーザ素子の構成を示す模式的
断面図である。
断面図である。
４ 第１コンタクト層
５ クラック防止層
６ 第１クラッド層
７ 発光層
８，１０８，３０８，３１８ 第２クラッド層
９ａ 第２コンタクト層
１０ リッジ部
１２，１１２，１２０ 電流ブロック層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平９−246651（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−150240（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
Claims (10)
- 【請求項１】 窒化物系半導体からなる活性層上に、第
１導電型の窒化物系半導体層からなりかつ平坦部および
その平坦部上のリッジ部を有するクラッド層が形成さ
れ、前記クラッド層の前記平坦部上および前記リッジ部
の側面に、不純物を含む高抵抗の窒化物系半導体からな
る第１の電流ブロック層が形成され、前記第１の電流ブ
ロック層上に、前記第１導電型と逆の第２導電型の窒化
物系半導体からなる第２の電流ブロック層がさらに形成
され、前記第１の電流ブロック層の厚みが０．５μｍ以
上であることを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記不純物は、亜鉛、ベリリウム、カル
シウムおよび炭素のうち少なくとも１つであることを特
徴とする請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記第１の電流ブロック層は、１．５Ω
・ｃｍ以上の抵抗値を有する請求項１または２記載の半
導体発光素子。 - 【請求項４】 前記クラッド層の平坦部の厚みは０．３
μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
かに記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 窒化物系半導体からなる活性層上に、第
１導電型の窒化物系半導体からなりかつ平坦部およびそ
の平坦部上のリッジ部を有するクラッド層が形成され、
前記クラッド層の前記リッジ部の両側面に沿って前記平
坦部に凹溝が形成され、前記クラッド層の前記凹溝が埋
め込まれるように前記平坦部上および前記リッジ部の側
面に不純物を含む高抵抗の窒化物系半導体からなる第１
の電流ブロック層が形成され、前記第１の電流ブロック
層の厚みは０．５μｍ以上であり、前記クラッド層の平
坦部の厚みは０．３μｍ以下であることを特徴とする半
導体発光素子。 - 【請求項６】 前記不純物は、亜鉛、ベリリウム、カル
シウムおよび炭素のうち少なくとも１つであることを特
徴とする請求項５記載の半導体発光素子。 - 【請求項７】 前記第１の電流ブロック層は、１．５Ω
・ｃｍ以上の抵抗値を有することを特徴とする請求項５
または６記載の半導体発光素子。 - 【請求項８】 前記第１の電流ブロック層上に、前記第
１導電型と逆の第２導電型のIII 族窒化物系からなる第
２の電流ブロック層がさらに形成されたことを特徴とす
る請求項５〜７のいずれかに記載の半導体発光素子。 - 【請求項９】 前記第１の電流ブロック層の厚みは１．
０μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜８のいず
れかに記載の半導体発光素子。 - 【請求項１０】 前記クラッド層の平坦部の厚みは０．
０８μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜９のい
ずれかに記載の半導体発光素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27112799A JP3459599B2 (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 半導体発光素子 |
| US09/665,911 US6956884B1 (en) | 1999-09-24 | 2000-09-20 | Semiconductor light emitting device |
| DE60045271T DE60045271D1 (de) | 1999-09-24 | 2000-09-21 | Lichtemittierende Halbleitervorrichtung |
| EP07000009A EP1772911A3 (en) | 1999-09-24 | 2000-09-21 | Semiconductor light emitting device |
| EP00308270A EP1094529B1 (en) | 1999-09-24 | 2000-09-21 | Semiconductor light emitting device |
| KR1020000055942A KR100654869B1 (ko) | 1999-09-24 | 2000-09-23 | 반도체 발광 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27112799A JP3459599B2 (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001094217A JP2001094217A (ja) | 2001-04-06 |
| JP3459599B2 true JP3459599B2 (ja) | 2003-10-20 |
Family
ID=17495711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27112799A Expired - Fee Related JP3459599B2 (ja) | 1999-09-24 | 1999-09-24 | 半導体発光素子 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6956884B1 (ja) |
| EP (2) | EP1094529B1 (ja) |
| JP (1) | JP3459599B2 (ja) |
| KR (1) | KR100654869B1 (ja) |
| DE (1) | DE60045271D1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100499128B1 (ko) | 2002-07-19 | 2005-07-04 | 삼성전기주식회사 | 전류제한층이 형성된 반도체 레이저 다이오드 및 그제조방법 |
| KR20060122615A (ko) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | 삼성전자주식회사 | 질화물계 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법 |
| KR100691277B1 (ko) * | 2005-08-26 | 2007-03-12 | 삼성전기주식회사 | 질화갈륨계 발광소자 및 제조방법 |
| KR100774458B1 (ko) * | 2006-02-27 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 레이저 소자 및 그 제조 방법 |
| KR100999695B1 (ko) * | 2009-02-16 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP5735216B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2015-06-17 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| KR101040012B1 (ko) * | 2009-03-16 | 2011-06-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 제조방법 |
| KR20110062128A (ko) * | 2009-12-02 | 2011-06-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4888624A (en) * | 1984-06-15 | 1989-12-19 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Semiconductor devices employing high resistivity in-based compound group III-IV epitaxial layer for current confinement |
| US5523256A (en) * | 1993-07-21 | 1996-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing a semiconductor laser |
| JPH0745902A (ja) | 1993-07-28 | 1995-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| US5740192A (en) * | 1994-12-19 | 1998-04-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser |
| US5963572A (en) * | 1995-12-28 | 1999-10-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and manufacturing method thereof |
| JPH09270569A (ja) | 1996-01-25 | 1997-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP3336599B2 (ja) | 1996-03-11 | 2002-10-21 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP3447920B2 (ja) | 1996-07-26 | 2003-09-16 | 株式会社東芝 | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 |
| US5966396A (en) * | 1996-07-26 | 1999-10-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gallium nitride-based compound semiconductor laser and method of manufacturing the same |
| JP3688843B2 (ja) | 1996-09-06 | 2005-08-31 | 株式会社東芝 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
| JP3381534B2 (ja) | 1996-11-19 | 2003-03-04 | ソニー株式会社 | 自励発振型半導体レーザ |
| JP3912845B2 (ja) | 1997-04-24 | 2007-05-09 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオード及びその製造方法 |
| JP3957359B2 (ja) * | 1997-05-21 | 2007-08-15 | シャープ株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP3488597B2 (ja) | 1997-07-14 | 2004-01-19 | 株式会社東芝 | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
| JP3622045B2 (ja) | 1998-01-20 | 2005-02-23 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JPH11214800A (ja) | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH11251685A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-17 | Toshiba Corp | 半導体レーザ |
-
1999
- 1999-09-24 JP JP27112799A patent/JP3459599B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-09-20 US US09/665,911 patent/US6956884B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-09-21 EP EP00308270A patent/EP1094529B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-21 EP EP07000009A patent/EP1772911A3/en not_active Withdrawn
- 2000-09-21 DE DE60045271T patent/DE60045271D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-09-23 KR KR1020000055942A patent/KR100654869B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1094529B1 (en) | 2010-11-24 |
| EP1772911A2 (en) | 2007-04-11 |
| US6956884B1 (en) | 2005-10-18 |
| EP1094529A2 (en) | 2001-04-25 |
| EP1094529A3 (en) | 2004-03-24 |
| KR100654869B1 (ko) | 2006-12-07 |
| EP1772911A3 (en) | 2007-04-25 |
| KR20010030476A (ko) | 2001-04-16 |
| JP2001094217A (ja) | 2001-04-06 |
| DE60045271D1 (de) | 2011-01-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6252894B1 (en) | Semiconductor laser using gallium nitride series compound semiconductor | |
| JP3653169B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
| JP5153769B2 (ja) | 電子ブロック層を備えた窒化ガリウム・ベース半導体デバイス | |
| JP2000223743A (ja) | 窒化物系半導体発光素子及び窒化物半導体層の成長方法 | |
| WO2000052796A1 (fr) | Element de laser semiconducteur au nitrure | |
| JP2002016312A (ja) | 窒化物系半導体素子およびその製造方法 | |
| JP3904709B2 (ja) | 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法 | |
| US20030147440A1 (en) | Nitride-based semiconductor laser device | |
| US20090168827A1 (en) | Nitride semiconductor laser chip and method of fabricating same | |
| JP3459599B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3519990B2 (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
| JP3487251B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP4889142B2 (ja) | 窒化物系半導体レーザ素子 | |
| JP4170679B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JP3457516B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 | |
| JP4457417B2 (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| JP3459588B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JP3655066B2 (ja) | 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2010206071A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP3933637B2 (ja) | 窒化ガリウム系半導体レーザ素子 | |
| JP2000252586A (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3644446B2 (ja) | 窒化物半導体素子 | |
| JP3439161B2 (ja) | 窒化物系発光素子 | |
| JP4048695B2 (ja) | 半導体混晶層の製造方法、及び半導体デバイスと半導体発光素子 | |
| WO2002069466A1 (fr) | Element et substrat semi-conducteurs en nitrure du groupe iii |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070808 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080808 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090808 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100808 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100808 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110808 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120808 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |