JP3488597B2 - 窒化ガリウム系化合物半導体装置 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体装置Info
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Description
物半導体装置に関し、特に窒化ガリウム系化合物半導体
レーザに関する。
N、InGaAlN等の窒化ガリウム系化合物半導体が
青色半導体レーザの材料として注目されている。これら
の材料による半導体レーザでは、短波長化により小さな
ビームに絞ることが可能となり、光ディスク等高密度情
報処理用の光源として期待されている。
不純物即ちドーパントとしては、一般的にMg(マグネ
シウム)が使用されている。この不純物はアクセプタ準
位が深いために活性化率が小さく、ドーピング量の数分
の一から数十分の一しか有効なp型キャリアとならな
い。キャリア密度を増加させるために不純物のドーズ量
を過度に増やすとp型層の結晶としての品質が低下して
しまう。また過度のドーズ量では逆にキャリア密度が下
がるという報告も行われている。
た半導体装置においては、本質的に低抵抗p型層は得る
ことができない。また、p型層のキャリア(p型キャリ
ア、即ちホール)がn型層のキャリア(n型キャリア、
即ち電子)よりも著しく少ないため、活性層を越えてp
型層までnキャリアが溢れ出るキャリアオーバーフロー
が生じやすい状況にある。このため、この系の材料を用
いた場合、低しきい値及び低電圧で動作し且つ高い信頼
性を有するような、光ディスク等への実用に適した半導
体装置を実現することが難しい。また、短波長の双安定
型や自励発振型の半導体装置等の、光演算に適した半導
体装置も実現されていない。
を考慮してなされたもので、低しきい値及び低電圧で動
作し且つ高い信頼性を有する、光ディスク等への実用に
適した窒化ガリウム系化合物半導体装置を提供すること
を目的とする。本発明はまた、短波長の双安定型や自励
発振型の窒化ガリウム系化合物半導体装置を提供するこ
とを目的とする。
系化合物半導体装置において、単結晶基板と、前記単結
晶基板上に形成され、下記の組成式で表される材料から
基本的になる複数の層を有する積層膜とを有し、 InxGayAlzN、ここでx+y+z=1、0≦x,
y,z≦1前記積層膜は、n−クラッド層、前記n−クラッド層上
に形成された活性層、および前記活性層上に形成された
p−クラッド層を含むダブルヘテロ接合構造と、前記p
−クラッド上に形成され、p型不純物の濃度が相対的に
低い高抵抗部分、およびこの高抵抗部分を挟んで位置す
るp型不純物の濃度が相対的に高い2つの低抵抗部分を
含む発熱構造と を具備することを特徴とする。
の実施の形態を説明する。なお、以下の説明において、
ほぼ同じ機能及び構成を有する部分には、同一符号を付
し、重複説明については必要に応じて行なう。
態に係る窒化ガリウム系化合物半導体レーザを示す図で
ある。これらの実施の形態は、Inx Gay Al1-x-y
N(0≦x≦1、0≦y≦1)の組成式で表される窒化
ガリウム系化合物半導体から基本的になるp型層に変調
ドーピングを施すことにより、実効的なp型キャリアを
増加させるための発熱構造を形成したことを特徴とす
る。ここで、変調ドーピングとは、単一若しくは複数の
不純物を異なるドーズ量で導入することにより、1つの
層内にキャリア濃度の濃淡、即ちキャリア濃度の異なる
領域を形成するドーピングを意味する。
導体レーザにおいて、変調ドーピングを施す層は、p側
電極とpn接合との間にp−変調層として配設する。こ
の場合、変調層は、p側電極から注入されたキャリア
が、まず、高濃度に不純物を含む低抵抗領域を通り、そ
の後、低濃度に不純物を含む高抵抗領域を通るように設
定する。このように、キャリアが低抵抗領域から高抵抗
領域を通るようにすることにより、高抵抗領域において
発熱を生じさせることができる。本発明においては、こ
の発熱を利用し、従来の窒化ガリウム系半導体レーザの
問題、即ちp型キャリア濃度が低く、発振しきい値が高
いという問題を解消している。
し、本発明者らは、上記構成によるp−変調層の発熱は
次のような効果を有することを見出した。即ち、この発
熱によりp−変調層或いは隣接するp−層内に含まれる
アクセプタ準位の深いMgが活性化され、実効的なp型
キャリアが増加する。特に、低抵抗及び高抵抗領域の抵
抗値及び厚さを最適化することにより、実効的なp型キ
ャリアを生成することのみにこの発熱を利用することが
できる。このため、例えば、半導体レーザ装置の発振し
きい値を低くすることができる。
いて、単結晶基板、例えばサファイア基板10上に、ア
ンドープGaNのバッファ層11、SiドープGaNの
n−コンタクト層12が順に積層される。n−コンタク
ト層12上には、SiドープGaAlNのn−クラッド
層13、活性層14、及びMgドープGaAlNのp−
クラッド層15が順に積層され、ダブルヘテロ接合構造
が形成される。活性層14は、アンドープGaNの光ガ
イド層14a、InGaN/InGaNの量子井戸層1
4b、及びp−GaNの光ガイド層14cの積層構造を
有する。
低抵抗GaNのp−低抵抗層16、Inx Gay Al
1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1)の組成式で表され
る高抵抗またはn型の電流ブロック層17、Mgドープ
GaNのp−変調層32、及びMgドープ低抵抗GaN
のp−コンタク層18が順に積層される。また、p−コ
ンタクト層18からn−コンタクト層12の途中までが
部分的にエッチングされ、露出したn−コンタクト層1
2の表面にはn側電極21が配設され、p−コンタクト
層18の表面にはp側電極22が配設される。
イプ状の開口部17aを有し、これにより電流狭窄構造
が形成される。この構造のレーザのしきい値は、1kA
/cm2 であり、従来の1/5以下となっている。
調ドーピングが施され、その内部の不純物Mg濃度は、
図1(b)図示の分布(この場合はp型キャリア濃度の
分布ともいえる)を有する。図示の如く、本実施の形態
においては、Mg濃度の高い複数の低抵抗領域とMg濃
度の低い複数の高抵抗領域とが、上下方向に交互に積重
ねられるように形成される。なお、この繰返し構造の最
上部及び最下部はMg濃度の高い低抵抗領域となってい
る。前述の如く、Mg濃度の低く、従ってp型キャリア
濃度の低い高抵抗領域が発熱領域となる。
サファイア基板10からp−クラッド層15まで、図1
図示の実施の形態と同じ構造を有する。p−クラッド層
15の上には、Mgドープ低抵抗GaNのp−低抵抗層
16及びMgドープ低抵抗GaNのp−コンタク層18
が順に積層される。また、エッチングにより露出したn
−コンタクト層12の表面にはn側電極21が配設さ
れ、p−コンタクト層18の表面にはp側電極22が配
設される。
高抵抗またはn型の電流ブロック層17が形成される。
電流ブロック層17は3μmの幅のストライプ状の開口
部17aを有し、これにより電流狭窄構造が形成され
る。更に、p−低抵抗層16の内部には、電流ブロック
層17の開口部17aに対応してp−変調層34が形成
される。この構造のレーザのしきい値は、1kA/cm
2 であり、従来の1/5以下となっている。
成する際にドープされた一定濃度のp型不純物Mgに加
えて、変調ドーピングにより導入されたn型不純物Si
を含有する。p−変調層34の内部のSi濃度は、図2
(b)図示の分布を有する。図示の如く、本実施の形態
においては、Si濃度の高い領域がp−変調層34の中
央に一個所形成される。なお、n型不純物Siの濃度は
最大でも、p−変調層34の導電型をp型に維持できる
適度に低く設定される。n型不純物Siはp型不純物M
gのキャリアを相殺する役割を果たすため、Si濃度の
高い領域は、p型キャリア濃度の低い高抵抗領域とな
り、その上下のSi濃度の低い領域は、p型キャリア濃
度の高い低抵抗領域となる。前述の如く、p型キャリア
濃度の低い高抵抗領域が発熱領域となる。
いて、窒化ガリウム系化合物半導体層の形成方法として
は、有機金属気相成長法や分子線成長法等の種々の方法
を用いることができる。また、変調ドーピングの方法と
しては、成長時に変調する方法以外に、不純物拡散、イ
オン注入等、種々の方法を用いることができる。また、
変調ドーピングは、縦方向でなく、横方向にキャリアの
分布を形成するように行なうこともできる。
窒化ガリウム系化合物半導体装置において、変調ドーピ
ングにより発熱構造を形成することにより、従来得られ
なかった低しきい値の装置を実現することができる。
施の形態に係る窒化ガリウム系化合物半導体レーザの素
子構造を示す断面図である。これらの実施の形態は、I
nxGay Al1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1)の
組成式で表される窒化ガリウム系化合物半導体から基本
的になる、相対的に高抵抗のp−高抵抗層と相対的に低
抵抗の少なくとも2つのp−低抵抗層とを、p−高抵抗
層が2つのp−低抵抗層間に挟まれるように配設するこ
とにより、実効的なp型キャリアを増加させるための発
熱構造を形成したことを特徴とする。
導体レーザにおいて、発熱構造は、p側電極とpn接合
との間に発熱積層構造として配設する。この場合、発熱
積層構造は、p側電極から注入されたキャリアが、ま
ず、p−低抵抗層を通り、その後、p−高抵抗層を通る
ように設定する。このように、キャリアが低抵抗層から
高抵抗層を通るようにすることにより、高抵抗層におい
て発熱を生じさせることができる。本発明においては、
この発熱を利用し、p型キャリア濃度が低く、発振しき
い値が高いという従来の窒化ガリウム系半導体レーザの
問題を解消している。
し、本発明者らは、上記構成による発熱積層構造の発熱
は次のような効果を有することを見出した。即ち、この
発熱によりp−高抵抗層或いは隣接するp−低抵抗層内
に含まれるアクセプタ準位の深いMgが活性化され、実
効的なp型キャリアが増加する。特に、低抵抗層及び高
抵抗層の抵抗値及び厚さを最適化することにより、実効
的なp型キャリアを生成することのみにこの発熱を利用
することができる。このため、例えば、半導体レーザ装
置の発振しきい値を低くすることができる。
率の差が生じるようにすることにより、不純物の拡散等
で発熱領域のコントロールを行なうことができる。ま
た、一度、発熱で得られたキャリアにより発振した後、
注入電流を減らすと、発熱が減るが、そのため高抵抗と
なり、発熱が再び起こる。そのためキャリアが発生する
という過程を踏むため、キャリアは発振レベルで保たれ
るので、双安定状態を示す。
いて、単結晶基板、例えばサファイア基板10上に、ア
ンドープGaNのバッファ層11、SiドープGaNの
n−コンタクト層12が順に積層される。n−コンタク
ト層12上には、SiドープGaAlNのn−クラッド
層13、活性層14、及びMgドープGaAlNのp−
クラッド層15が順に積層され、ダブルヘテロ接合構造
が形成される。活性層14は、アンドープGaNの光ガ
イド層14a、InGaN/InGaNの量子井戸層1
4b、及びp−GaNの光ガイド層14cの積層構造を
有する。
はn型の電流ブロック層17を中間層として含むMgド
ープ低抵抗GaNのp−低抵抗層16、Mgドープ高抵
抗GaNのp−高抵抗層42、及びMgドープ低抵抗G
aNのp−コンタク層18が順に積層される。また、p
−コンタクト層18からn−コンタクト層12の途中ま
でが部分的にエッチングされ、露出したn−コンタクト
層12の表面にはn側電極21が配設され、p−コンタ
クト層18の表面にはp側電極22が配設される。
イプ状の開口部17aを有し、これにより電流狭窄構造
が形成される。また、p−高抵抗層42がp−低抵抗層
16及びp−コンタク層18で挟まれることにより、発
熱積層構造が形成される。この構造のレーザのしきい値
は、1kA/cm2 であり、従来の1/5以下となって
いる。
サファイア基板10からp−クラッド層15まで、図3
図示の実施の形態と同じ構造を有する。p−クラッド層
15の上には、高抵抗またはn型の電流ブロック層1
7、Mgドープ低抵抗GaNのp−低抵抗層16、Mg
ドープ高抵抗InGaNのp−高抵抗層44、及びMg
ドープ低抵抗GaNのp−コンタク層18が順に積層さ
れる。また、エッチングにより露出したn−コンタクト
層12の表面にはn側電極21が配設され、p−コンタ
クト層18の表面にはp側電極22が配設される。
イプ状の開口部17aを有し、これにより電流狭窄構造
が形成される。また、p−高抵抗層44がp−低抵抗層
16及びp−コンタク層18で挟まれることにより、発
熱積層構造が形成される。この構造のレーザのしきい値
は、1kA/cm2 であり、従来の1/5以下となって
いる。
サファイア基板10からp−クラッド層15まで、図3
図示の実施の形態と同じ構造を有する。p−クラッド層
15の上には、MgドープGaNのp−層45、高抵抗
またはn型の電流ブロック層17、Mgドープ低抵抗G
aNのp−低抵抗層16、Mgドープ高抵抗GaAlN
のp−高抵抗層46、及びMgドープ低抵抗InGaN
のp−コンタク層48が順に積層される。また、エッチ
ングにより露出したn−コンタクト層12の表面にはn
側電極21が配設され、p−コンタクト層48の表面に
はp側電極22が配設される。
イプ状の開口部17aを有し、これにより電流狭窄構造
が形成される。また、p−高抵抗層46がp−低抵抗層
16及びp−コンタク層48で挟まれることにより、発
熱積層構造が形成される。この構造のレーザのしきい値
は、1kA/cm2 であり、従来の1/5以下となって
いる。
サファイア基板10からp−クラッド層15まで、図3
図示の実施の形態と同じ構造を有する。p−クラッド層
15の上には、高抵抗またはn型の電流ブロック層17
を中間層として含むMgドープ低抵抗GaNのp−低抵
抗層16、Mgドープ高抵抗In0.3 GaNのp−高抵
抗層52、Mgドープ低抵抗GaNのp−低抵抗層5
4、及びMgドープ低抵抗In0.2 GaNのp−コンタ
ク層56が順に積層される。また、エッチングにより露
出したn−コンタクト層12の表面にはn側電極21が
配設され、p−コンタクト層56の表面にはp側電極2
2が配設される。
イプ状の開口部17aを有し、これにより電流狭窄構造
が形成される。また、p−高抵抗層52がp−低抵抗層
16及びp−低抵抗層54で挟まれることにより、発熱
積層構造が形成される。この構造のレーザのしきい値
は、1kA/cm2 であり、従来の1/5以下となって
いる。
サファイア基板10から活性層14まで、図3図示の実
施の形態と同じ構造を有する。活性層14上には、Mg
ドープ低抵抗GaAl0.3 Nのp−クラッド層62、M
gドープ高抵抗GaAl0.4Nのp−高抵抗層64、高
抵抗またはn型の電流ブロック層17を中間層として含
むMgドープ低抵抗GaNのp−低抵抗層16、及びM
gドープ低抵抗GaNのp−コンタク層18が順に積層
される。また、エッチングにより露出したn−コンタク
ト層12の表面にはn側電極21が配設され、p−コン
タクト層18の表面にはp側電極22が配設される。
びp−低抵抗層16で挟まれることにより、発熱積層構
造が形成される。また、電流ブロック層17は3μmの
幅のストライプ状の開口部17aを有し、これにより電
流狭窄構造が形成される。この構造のレーザのしきい値
は、1kA/cm2 であり、従来の1/5以下となって
いる。
サファイア基板10からp−クラッド層15まで、図3
図示の実施の形態と同じ構造を有する。p−クラッド層
15の上には、Mgドープ低抵抗GaNのp−低抵抗層
16、MgドープGaNのp−層45、Mgドープ高抵
抗GaAlNのp−高抵抗層46、高抵抗またはn型の
電流ブロック層17を中間層として含むMgドープ低抵
抗GaNのp−コンタク層18が順に積層される。ま
た、エッチングにより露出したn−コンタクト層12の
表面にはn側電極21が配設され、p−コンタクト層1
8の表面にはp側電極22が配設される。
p−層45とp−コンタク層18とで挟まれることによ
り、発熱積層構造が形成される。また、電流ブロック層
17は3μmの幅のストライプ状の開口部17aを有
し、これにより電流狭窄構造が形成される。この構造の
レーザのしきい値は、1kA/cm2 であり、従来の1
/5以下となっている。
サファイア基板10からp−クラッド層15まで、図3
図示の実施の形態と同じ構造を有する。p−クラッド層
15の上には、Mgドープ低抵抗GaNのp−低抵抗層
16、高抵抗またはn型の電流ブロック層17、Mgド
ープGaAlNのp−層51、Mgドープ高抵抗In
0.3 GaNのp−高抵抗層52、及びMgドープ低抵抗
In0.2 GaNのp−コンタク層55が順に積層され
る。また、エッチングにより露出したn−コンタクト層
12の表面にはn側電極21が配設され、p−コンタク
ト層18の表面にはp側電極22が配設される。
イプ状の開口部17aを有し、これにより電流狭窄構造
が形成される。また、p−高抵抗層52がp−層51及
びp−コンタク層55で挟まれることにより、発熱積層
構造が形成される。この構造のレーザのしきい値は、1
kA/cm2 であり、従来の1/5以下となっている。
窒化ガリウム系化合物半導体装置において、p−高抵抗
層が2つのp−低抵抗層間に挟まれる発熱積層構造を形
成することにより、従来得られなかった低しきい値の半
導体装置を実現することができる。
係る窒化ガリウム系化合物半導体レーザの素子構造を示
す断面図である。この実施の形態は、半導体装置の電流
狭窄構造の開口部(電流通路)を埋め込む、Inx Ga
y Al1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦1)の組成式で
表される窒化ガリウム系化合物半導体から基本的になる
p−埋め込み層内に、実効的なp型キャリアを増加させ
るための発熱構造を形成したことを特徴とする。即ち、
この実施の形態においては、図1及び図2図示の実施の
形態で説明した変調ドーピングによる発熱構造や、図3
乃至図9図示の実施の形態で説明した発熱積層構造等に
よる発熱構造を、半導体レーザの電流狭窄構造の開口部
の埋め込み部内に形成するものである。
おいて、単結晶基板、例えばサファイア基板10上に、
アンドープGaNのバッファ層11、SiドープGaN
のn−コンタクト層12が順に積層される。n−コンタ
クト層12上には、SiドープGaAlNのn−クラッ
ド層13、活性層14、及びMgドープGaAlNのp
−クラッド層15が順に積層され、ダブルヘテロ接合構
造が形成される。活性層14は、バンドギャップエネル
ギーが異なり、それぞれの厚さが10nm以下の2種類
のInGaAlN層の繰り返しで構成される周期構造か
らなる多重量子井戸(MQW)構造を有する。
高抵抗GaNの電流ブロック層17が形成される。電流
ブロック層17は3μmの幅のストライプ状の開口部1
7aを有し、これにより電流狭窄構造が形成される。開
口部17aは、相対的に高抵抗のp−高抵抗層74が相
対的に低抵抗の2つのp−低抵抗層72、76間に挟ま
れた発熱積層構造を有する、埋め込み層19により埋め
込まれる。p−低抵抗層72、76はMgドープ低抵抗
GaNからなり、p−高抵抗層74はMgドープ高抵抗
GaAlNからなる。なお、前述の如く、発熱積層構造
に代え、例えばMgの変調ドーピングにより埋め込み層
19内に発熱構造を形成することもできる(図2参
照)。
には、Mgドープ低抵抗GaNのp−低抵抗層16及び
Mgドープ低抵抗GaNのp−コンタク層18が順に積
層される。また、p−コンタクト層18からn−コンタ
クト層12の途中までが部分的にエッチングされ、露出
したn−コンタクト層12の表面にはn側電極21が配
設され、p−コンタクト層18の表面にはp側電極22
が配設される。
7の開口部17aは、エッチングを制御することによっ
て任意のストライプ幅にすることができる。ストライプ
幅を3μm以下に狭めることにより、埋め込み部19の
発熱構造で発生した熱の活性層14に対する影響を無視
できる程度まで下げることができる一方、埋め込み部1
9に対しては効率よく熱を供給してキャリアを活性化さ
せることができる。この結果、埋め込み部19は局所的
に温度が上昇するが、埋め込み部19以外の他の領域で
は、p型キャリアが増加するためにキャリアオーバーフ
ローが減少し、レーザ発振のためのしきい値が低減さ
れ、温度を逆に下げることができる。
造内の発熱層或いは発熱領域の組成としてはGaN,G
aInN,GaAlNの任意の組成を用いることができ
る。例えば、埋め込み層19を全てGaInN層とし、
ドーパントを変えるかドーピング量を変えることにより
電気伝導度を変えることも可能である。実際にレーザ動
作を行った時にドーパントの拡散が問題になる可能性が
ある場合には、埋め込み層19内の一つの層、または全
部をGaAlNとすれば、例えドーパントが拡散しても
GaAlN中のドーパントのアクセプタ準位はGaN、
GaInNにおける同じドーパントのアクセプタ準位と
比較して相対的に深いために、キャリア密度を変えるこ
とができ、電気伝導度が変化する。
は、埋込み層19内の高抵抗層74が、低抵抗層72、
76に挟まれているが、高抵抗層74を埋め込み層19
の一番下または一番上においてもよい。例えば、高抵抗
層としてMgドープされたGaAlN層を、p−GaA
lNクラッド層15の直上に位置するように、電流ブロ
ック層17の開口部17aに埋め込み形成してもよい。
更に、開口部17aを全てp−GaN層よりも高抵抗の
単一の埋め込み層で埋め込む構成とすることも可能であ
る。また、電流ブロック層17は、p−GaAlNクラ
ッド層15の上ではなく、クラッド層15中に設けるこ
ともできるし、クラッド層15の代わりに設けることも
できる。
リウム系化合物半導体装置において、電流狭窄構造の開
口部を埋め込むp−埋込み層内に発熱構造を形成するこ
とにより、従来得られなかった低しきい値の半導体装置
を実現することができる。
おいて、発熱構造内の発熱層或いは発熱領域を形成する
ため、Mg以外にもZn、P、Oをドープして深い準位
を形成するか、ノンドープとすることによりキャリアを
減少させてもよい。更に少量のSi、Sn、Se、T
e、Ge、S等をドープすることによりn型化した薄い
領域や層を形成してもよい。
おいては、各層の組成を具体的に示しているが、これら
は、Inx Gay Al1-x-y N(0≦x≦1、0≦y≦
1)の組成式の範囲で種々変更することができる。ま
た、これらの実施の形態においては、活性層をクラッド
層で挟むダブルヘテロ構造の半導体レーザを例に挙げた
が、本発明は、活性層をGaNまたはInGaNからな
るガイド層で挟み、更にその外側をクラッド層で挟むS
CH(Separate Confining Hetero-Structure )構造の
半導体レーザに適用することもできる。また、これらの
実施の形態においては、電流狭窄構造の型式として、I
S(Inner Stripe)型の半導体レーザを例に挙げたが、
本発明は、BH(Buried Hetero-structure )型、BS
R(Selectively Buried Ridge Wave guide )型等の他
の型式の半導体レーザに適用することもできる。更に、
本発明は、半導体レーザに限らず、Inx Gay Al
1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1)の組成式で表され
る窒化ガリウム系化合物半導体層を用いた他の半導体装
置や、同一基板上に集積化された複数の半導体装置に適
用することができる。
の間に発熱構造を形成することにより、低しきい値及び
低電圧で動作し且つ高い信頼性を有する、光ディスク等
への実用に適した窒化ガリウム系化合物半導体装置を提
供することができる。また更に、同構成により、短波長
の双安定型や自励発振型の窒化ガリウム系化合物半導体
装置を提供するができる。
物半導体レーザを示す図。
化合物半導体レーザを示す図。
ム系化合物半導体レーザを示す図。
ム系化合物半導体レーザを示す図。
ム系化合物半導体レーザを示す図。
ム系化合物半導体レーザを示す図。
ム系化合物半導体レーザを示す図。
ム系化合物半導体レーザを示す図。
ム系化合物半導体レーザを示す図。
ウム系化合物半導体レーザを示す図。
Claims (10)
- 【請求項1】 単結晶基板と、前記単結晶基板上に形成
され、下記の組成式で表される材料から基本的になる複
数の層を有する積層膜とを有し、 InxGayAlzN、ここでx+y+z=1、0≦x,
y,z≦1 前記積層膜は、 n−クラッド層、前記n−クラッド層上に形成された活
性層、および前記活性層上に形成されたp−クラッド層
を含むダブルヘテロ接合構造と、 前記p−クラッド上に形成され、p型不純物の濃度が相
対的に低い高抵抗部分、およびこの高抵抗部分を挟んで
位置するp型不純物の濃度が相対的に高い2つの低抵抗
部分を含む発熱構造とを具備することを特徴とする窒化
ガリウム系化合物半導体装置。 - 【請求項2】 前記低抵抗部分及び前記高抵抗部分は、
前記p型不純物を異なるドーズ量で導入することにより
形成されたp−変調層であることを特徴とする請求項1
に記載の窒化ガリウム系化合物半導体装置。 - 【請求項3】 前記p型不純物はMg、Zn、P、Oか
らなる群から選択されることを特徴とする請求項1また
は2に記載の窒化ガリウム系化合物半導体装置。 - 【請求項4】 前記高抵抗部分および前記低抵抗部分
は、Si、Sn、Se、Te、Ge、Sからなる群から
選択されるn型不純物をさらに含有することを特徴とす
る請求項1乃至3のいずれか1項に記載の窒化ガリウム
系化合物半導体装置。 - 【請求項5】 前記低抵抗部分及び前記高抵抗部分は、
異なる電気伝導度を有し且つ積層された複数の層からな
ることを特徴とする請求項1に記載の窒化ガリウム系化
合物半導体装置。 - 【請求項6】 前記高抵抗部分は前記低抵抗部分よりも
Gaの含有率が低いことを特徴とする請求項5に記載の
窒化ガリウム系化合物半導体装置。 - 【請求項7】 前記高抵抗部分は前記低抵抗部分よりも
Alの含有率が高いことを特徴とする請求項5に記載の
窒化ガリウム系化合物半導体装置。 - 【請求項8】 前記p−クラッド層と前記発熱構造との
間に、開口を有する電流ブロック層をさらに具備し、前
記電流ブロック層と前記開口とにより電流狭窄構造が形
成されていることを特徴とする請求項1乃至7のいずれ
か1項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体装置。 - 【請求項9】 前記p−クラッド層上に、開口を有する
電流ブロック層をさらに具備し、前記電流ブロック層と
前記開口とにより電流狭窄構造が形成され、前記発熱構
造は、前記開口中に形成されることを特徴とする請求項
1乃至7のいずれか1項に記載の窒化ガリウム系化合物
半導体装置。 - 【請求項10】 前記半導体装置は半導体レーザーであ
ることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の
窒化ガリウム系化合物半導体装置。
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