JPS63254785A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS63254785A JPS63254785A JP8948787A JP8948787A JPS63254785A JP S63254785 A JPS63254785 A JP S63254785A JP 8948787 A JP8948787 A JP 8948787A JP 8948787 A JP8948787 A JP 8948787A JP S63254785 A JPS63254785 A JP S63254785A
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- Japan
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- layer
- ridge
- stripe
- semiconductor laser
- clad layer
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- Pending
Links
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はビデオディスクやディスクファイル用光源とし
て用いられる半導体レーザ装置に関するものである。
て用いられる半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体レーザはコ／バクトディスク、ビデオディ
スク用の光源として実用化され、量産されるに至ってい
る。ここに用いられる半導体レーザの構造は内部ストラ
イプ型構造であり、低しきい値電流、優れた横モード安
定性を有している。
スク用の光源として実用化され、量産されるに至ってい
る。ここに用いられる半導体レーザの構造は内部ストラ
イプ型構造であり、低しきい値電流、優れた横モード安
定性を有している。
第２図に内部ストライプ型レーザの一つであるＢＴＲＳ
レーザの断面図を示す。ＢＴＲＳレーザの作製には、ｐ
型ＧａＡｓ基板１に高さ１．６μｍ 、幅２ｏμｍのメ
サ２を設け、その上に液相エピタキシャル法によりｎ型
ＧａＡｓ層３をメサ上で厚さ０．８μｍになるように成
長する。その後、ｎ型ＧａＡｓ層３に２つのりッジ４を
設け、リッジ間の溝部５を幅５μｍ１深さ１．５μｍに
形成する。リッジ４の幅は２０μｍである。溝部６の底
部でｐ型ＧａＡｓ基板１が露出するように作製する。引
き続き、液相エピタキシャル法によりｐ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層６を０．５μｍ 、 ＧａＡ４Ａｓ活性層７
を０．１ μｍ 、 ｎ型ＧａＡ４ＡＳクラッド層８を
１．ｔ５／４ｍＧａＡｓキャップ層９を０．５μｍ成長
させる。ｎ側、ｐ側にオーミック電極１０を形成した後
、へき開によりキャビティー長２５０μｍのレーザに作
製する。
レーザの断面図を示す。ＢＴＲＳレーザの作製には、ｐ
型ＧａＡｓ基板１に高さ１．６μｍ 、幅２ｏμｍのメ
サ２を設け、その上に液相エピタキシャル法によりｎ型
ＧａＡｓ層３をメサ上で厚さ０．８μｍになるように成
長する。その後、ｎ型ＧａＡｓ層３に２つのりッジ４を
設け、リッジ間の溝部５を幅５μｍ１深さ１．５μｍに
形成する。リッジ４の幅は２０μｍである。溝部６の底
部でｐ型ＧａＡｓ基板１が露出するように作製する。引
き続き、液相エピタキシャル法によりｐ型ＧａＡｌＡｓ
クラッド層６を０．５μｍ 、 ＧａＡ４Ａｓ活性層７
を０．１ μｍ 、 ｎ型ＧａＡ４ＡＳクラッド層８を
１．ｔ５／４ｍＧａＡｓキャップ層９を０．５μｍ成長
させる。ｎ側、ｐ側にオーミック電極１０を形成した後
、へき開によりキャビティー長２５０μｍのレーザに作
製する。
発明が解決しようとする問題点
上記ＢＴＲＳレーザをはじめとし、内部ストライブ型ン
ーザはいわゆる屈折率ガイド型レーザであり、発振縦モ
ードは単一モードに近い。この為、レーザを装置に装着
し、動作させる時、まわりの光学系からの戻シ光によっ
て雑音を発生しやすいという欠点を有していた。
ーザはいわゆる屈折率ガイド型レーザであり、発振縦モ
ードは単一モードに近い。この為、レーザを装置に装着
し、動作させる時、まわりの光学系からの戻シ光によっ
て雑音を発生しやすいという欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、戻り光による雑音の発生を抑
制できる半導体レーザ装置を提供するものである。
制できる半導体レーザ装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置はストライプ状電流注入領域の一部の下方に高抵抗層
を設け、その両側に溝を形成し、ストライプ状電流注入
領域から電流を不均一に注入するように構成されている
。
置はストライプ状電流注入領域の一部の下方に高抵抗層
を設け、その両側に溝を形成し、ストライプ状電流注入
領域から電流を不均一に注入するように構成されている
。
作用
この構成によって、ストライプ状電流注入領域の一部に
電流注入が抑制される部分を形成することができる。こ
の部分の直下の活性層はレーザキャビティー内で過飽和
吸収体としてはたらく。すなわち、キャビティー内の光
強度に依存して吸収量が変化し、レーザ発振に対し、不
安定性を与える効果をもつことになる。この結果、レー
ザはパルセーションを起こし、縦モードスペクトルが広
がり、戻り光に対して、大きく縦モードが変化せず、雑
音が抑制される。
電流注入が抑制される部分を形成することができる。こ
の部分の直下の活性層はレーザキャビティー内で過飽和
吸収体としてはたらく。すなわち、キャビティー内の光
強度に依存して吸収量が変化し、レーザ発振に対し、不
安定性を与える効果をもつことになる。この結果、レー
ザはパルセーションを起こし、縦モードスペクトルが広
がり、戻り光に対して、大きく縦モードが変化せず、雑
音が抑制される。
実施例
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
構造を示すものである。第１１乙において、１１はｎ−
０＆ムＳ基板、１２はｎ −ＧａＡ４Ａｓクラット層、
１３はＧａＡｄＡｇ活性層、１４はｐ−ＧａＡ／Ａｓク
ラッド層、１６はｐ −ＧａＡｓ層、１６はｐ側オーミ
ック電極、１７はｎ側オーミック電極、１８はリッジ部
、１９はリッジストライプを分離する溝部、２ｏはリッ
ジストライプの一部に設けられた高抵抗層である。本発
明の半導体レーザの作製は以下のように行なわれる。（
１００）面のｎ −ＧａＡ１９基板１１上にＭＯＣＶＤ
結晶成長法により、ｎ”０．５５ ’１０．４５ムＳ
クラッド層１２を２μｍ、ノンドープ”ｏ、ａｓムｌ
Ｏ，１５ムＳ活性層１３を０．１μ” ％ ｐ−”０．
５５ＡｌＯ，４５ムＳ クラッド層１４を１．５ μｍ
、 ｐ −ＧａＡｓ層１５をｏ、ｓμｍ、ｐ−高抵抗
層２０（ｐキャリア濃度１×１０１５□３）を１μｍ連
続成長する。高抵抗層２０．ｐ −ＧａＡｓ層１６をス
トライプ状に残し、エツチング除去し、引きつづきｐ−
ＧａＡｌＡｇクラッド層１４をエツチングし、リッジ１
８を形成し、ｐ −ＧａＡ、／Ａｓクラッド層１４の厚
さをリッジ１８の両側で０．３μｍの厚さにする。次に
、リッジ上の高抵抗層２ｏをストライプ方向に６０μｍ
の幅にのこし、他を除去する。その後、表面にＴｉＰｔ
Ａｕ１６を蒸着する。
構造を示すものである。第１１乙において、１１はｎ−
０＆ムＳ基板、１２はｎ −ＧａＡ４Ａｓクラット層、
１３はＧａＡｄＡｇ活性層、１４はｐ−ＧａＡ／Ａｓク
ラッド層、１６はｐ −ＧａＡｓ層、１６はｐ側オーミ
ック電極、１７はｎ側オーミック電極、１８はリッジ部
、１９はリッジストライプを分離する溝部、２ｏはリッ
ジストライプの一部に設けられた高抵抗層である。本発
明の半導体レーザの作製は以下のように行なわれる。（
１００）面のｎ −ＧａＡ１９基板１１上にＭＯＣＶＤ
結晶成長法により、ｎ”０．５５ ’１０．４５ムＳ
クラッド層１２を２μｍ、ノンドープ”ｏ、ａｓムｌ
Ｏ，１５ムＳ活性層１３を０．１μ” ％ ｐ−”０．
５５ＡｌＯ，４５ムＳ クラッド層１４を１．５ μｍ
、 ｐ −ＧａＡｓ層１５をｏ、ｓμｍ、ｐ−高抵抗
層２０（ｐキャリア濃度１×１０１５□３）を１μｍ連
続成長する。高抵抗層２０．ｐ −ＧａＡｓ層１６をス
トライプ状に残し、エツチング除去し、引きつづきｐ−
ＧａＡｌＡｇクラッド層１４をエツチングし、リッジ１
８を形成し、ｐ −ＧａＡ、／Ａｓクラッド層１４の厚
さをリッジ１８の両側で０．３μｍの厚さにする。次に
、リッジ上の高抵抗層２ｏをストライプ方向に６０μｍ
の幅にのこし、他を除去する。その後、表面にＴｉＰｔ
Ａｕ１６を蒸着する。
リッジ上のｐ−Ｇ一層１６上ではオーミックコンタクト
がとれるが、ｐ −ＧａＡｄＡｇクラッド層１４上では
コンタクト抵抗が高くなり、リッジ部１８の直下のみに
電流が注入されることになる。次に、高抵抗層２０を残
した両側でリッジストライプ１８を分離するように溝１
９を形成する。溝は活性層１３の近傍まで掘って形成す
る。次に、基板１１側にｎ型オーミック電極１７をＡｕ
ＧｅＮｉで形成する。へき開によって、キャビティー長
２５０μｍのレーザを作製する。
がとれるが、ｐ −ＧａＡｄＡｇクラッド層１４上では
コンタクト抵抗が高くなり、リッジ部１８の直下のみに
電流が注入されることになる。次に、高抵抗層２０を残
した両側でリッジストライプ１８を分離するように溝１
９を形成する。溝は活性層１３の近傍まで掘って形成す
る。次に、基板１１側にｎ型オーミック電極１７をＡｕ
ＧｅＮｉで形成する。へき開によって、キャビティー長
２５０μｍのレーザを作製する。
以上のように構成された半導体レーザは、縦多モード発
振を行ない、雑音も一１４０ｄＢ以下の低い値が得られ
た。
振を行ない、雑音も一１４０ｄＢ以下の低い値が得られ
た。
なお、実施例では、リッジストライプ型レーザを示した
が、この構造に限定されるものではなく、プレーナース
トライプ構造をはじめ、すべてのストライプ構造に適用
できる。又、材料もＧａＡｌＡｓ系だけでな（、ＩｎＰ
系をはじめその他の結晶にも応用できる。結晶成長法と
してＭＯＣＶＤ法を用いたが、液相エピタキシャル法、
ＭＢＥ法等、も使用できる。又、高抵抗の材料を残す部
分はキャビティーの中央部でも端部でもよい。
が、この構造に限定されるものではなく、プレーナース
トライプ構造をはじめ、すべてのストライプ構造に適用
できる。又、材料もＧａＡｌＡｓ系だけでな（、ＩｎＰ
系をはじめその他の結晶にも応用できる。結晶成長法と
してＭＯＣＶＤ法を用いたが、液相エピタキシャル法、
ＭＢＥ法等、も使用できる。又、高抵抗の材料を残す部
分はキャビティーの中央部でも端部でもよい。
発明の効果
以上のように本発明は半導体レーザの電流注入用ストラ
イプ部の一部に高抵抗材料を用いることにより、ストラ
イプ部に電流の不均一注入を行ない、レーザ発振に対し
て不安定性を与え、縦多モード発振を実現し、雑音を抑
制することができ、その実用的効果は犬なるものがある
。
イプ部の一部に高抵抗材料を用いることにより、ストラ
イプ部に電流の不均一注入を行ない、レーザ発振に対し
て不安定性を与え、縦多モード発振を実現し、雑音を抑
制することができ、その実用的効果は犬なるものがある
。
第１図ａは本発明の実施例における半導体レーザ装置の
斜視図、第１図すは第１図ａのＡム′線における断面図
、第２図は従来の内部ストライプ型レーザの構造図であ
る。 １１ ・−・−・ｎ −ＧａＡｓ基板、１３−・・−・
Ｇｒｔｋ１２ムＳ活性層、１９・・・・−・溝部、２０
・・・・・・高抵抗層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｈ−
−−７１−θａＡＳＩ目反 １２−−−７１−６ＱＡＩ ＡＳ ’）５ツド眉１３−
−− ＧａＡＩＡＳ ＞ｇｌａＭ１４−−− Ｐ−
６ａＡＩＡｓ クララｌ’Ｊ１５−−− Ｐ−６ａＡｓ
層 １６−−−Ｐ−オーミ＼ジグを桶メダル第 １ ［１
／’７−−− ７１−オーミックａメタルｔ８−°−リ
ッジ部 ｔｑ−−−＠部 ２０−・−斉抵横層
斜視図、第１図すは第１図ａのＡム′線における断面図
、第２図は従来の内部ストライプ型レーザの構造図であ
る。 １１ ・−・−・ｎ −ＧａＡｓ基板、１３−・・−・
Ｇｒｔｋ１２ムＳ活性層、１９・・・・−・溝部、２０
・・・・・・高抵抗層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名Ｈ−
−−７１−θａＡＳＩ目反 １２−−−７１−６ＱＡＩ ＡＳ ’）５ツド眉１３−
−− ＧａＡＩＡＳ ＞ｇｌａＭ１４−−− Ｐ−
６ａＡＩＡｓ クララｌ’Ｊ１５−−− Ｐ−６ａＡｓ
層 １６−−−Ｐ−オーミ＼ジグを桶メダル第 １ ［１
／’７−−− ７１−オーミックａメタルｔ８−°−リ
ッジ部 ｔｑ−−−＠部 ２０−・−斉抵横層
Claims (2)
- （１）一導電型を有する半導体基板上に活性層を含むダ
ブルヘテロ構造があり、その上にストライプ状の電流注
入領域があり、上記ストライプ状電流注入領域の一部の
下方に高比抵抗を有する層が挿入されていることを特徴
とする半導体レーザ装置。 - （２）ストライプ状電流注入領域の、高比抵抗層が挿入
された部分と挿入されていない部分との間に表面から活
性層近傍まで掘られた溝があることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8948787A JPS63254785A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8948787A JPS63254785A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63254785A true JPS63254785A (ja) | 1988-10-21 |
Family
ID=13972100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8948787A Pending JPS63254785A (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63254785A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057404A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-22 | Sony Corp | レーザダイオード、半導体発光装置および製造方法 |
-
1987
- 1987-04-10 JP JP8948787A patent/JPS63254785A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002057404A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-22 | Sony Corp | レーザダイオード、半導体発光装置および製造方法 |
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