WO2023017632A1 - 半導体レーザ装置、はんだ付きサブマウント、はんだ付き集合サブマウント、及び、半導体レーザ装置の検査方法 - Google Patents

Abstract

半導体レーザ装置（１）は、基台（３）と、はんだ（３０）を介して基台（３）に接合されたサブマウント（１０）と、サブマウント（１０）に実装された半導体レーザ（２０）と、を備え、半導体レーザ（２０）が実装された側からサブマウント（１０）を見るときを上面視とすると、上面視において、はんだ（３０）は複数の凸部（３１ａ）を有し、複数の凸部（３１ａ）の各々は、サブマウント（１０）の外側の基台（３）上に形成され、かつ、サブマウント（１０）の内部と反対の方向に突出し且つ周期的に存在する。

Description

半導体レーザ装置、はんだ付きサブマウント、はんだ付き集合サブマウント、及び、半導体レーザ装置の検査方法

　本開示は、半導体レーザ装置、半導体レーザ装置を製造する際に用いられるはんだ付きサブマウント、はんだ付きサブマウントを製造するためのはんだ付き集合サブマウント、及び、半導体レーザ装置の検査方法に関する。

　従来、半導体レーザを備える半導体レーザ装置として、ＴＯ－ＣＡＮパッケージを用いた光源モジュールが知られている。ＴＯ－ＣＡＮパッケージは、円盤状のベースと、ベースに立設するポストと、ベースを貫通する一対のリードピンと、ポストを覆うようにベースに固定された金属製のキャップとを備える。

　ＴＯ－ＣＡＮパッケージを用いた半導体レーザ装置では、基台となるポストにサブマウントを介して半導体レーザが実装されている。このように構成された半導体レーザ装置では、リードピンから半導体レーザに電力が供給されることで、半導体レーザからレーザ光が出射する。そして、半導体レーザから出射したレーザ光は、キャップの天面に設けられた透光窓から外部に出射する。

国際公開第２０２０／０３１９４４号

　サブマウントを介して半導体レーザを基台に実装する場合、サブマウントに予めはんだ層を形成しておいたはんだ付きサブマウントを用いることが考えられる。この場合、はんだ付きサブマウントを加熱してはんだ層を溶融することで、サブマウントと基台とをはんだで接合する。

　しかしながら、はんだ付きサブマウントを用いてサブマウントを基台に接合する際、溶融させたはんだ層のはんだがサブマウントの外縁からはみ出すことがある。はんだがサブマウントから大きく偏ってはみ出した時などは、サブマウントが基台に対して傾いてしまっていることが多い。この結果、サブマウントに実装された半導体レーザも傾いてしまい、半導体レーザ装置としての光学的精度が悪くなる。

　本開示は、このような課題を解決するためになされたものであり、サブマウントが基台に対して傾くことを抑制できる半導体レーザ装置等を提供することを目的とする。

　上記目的を達成するために、本開示に係る半導体レーザ装置の一態様は、基台と、はんだを介して前記基台に接合されたサブマウントと、前記サブマウントに実装された半導体レーザと、を備え、前記半導体レーザが実装された側から前記サブマウントを見るときを上面視とすると、前記上面視において、前記はんだは、複数の凸部を有し、前記複数の凸部の各々は、前記サブマウントの外側の前記基台上に形成され、かつ、前記サブマウントの内部と反対の方向に突出し且つ周期的に存在する。

　また、本開示に係るはんだ付きサブマウントの一態様は、基台に設置されるはんだ付きサブマウントであって、絶縁性部材と、金属膜と、はんだ層と、を備え、前記はんだ付きサブマウントを前記基台に設置したときに前記基台側となる方向を下側とし、前記基台側とは反対側となる方向を上側とすると、前記金属膜は、前記絶縁性部材の下側の面に配置され、前記はんだ層は、前記金属膜の下側の面に配置され、前記金属膜の下側の面の外縁には、前記はんだ層が存在する第１領域と前記はんだ層が存在しない第２領域とが交互に存在する部分がある。

　また、本開示に係るはんだ付き集合サブマウントの一態様は、基台に設置されるはんだ付きサブマウントの集合体であるはんだ付き集合サブマウントであって、基板と、金属膜と、はんだ層と、を備え、前記基台側を下側とし、前記基台側とは反対側を上側とすると、前記金属膜は、前記基板の下側の面に配置され、前記はんだ層は、前記金属膜の下側の面に配置され、前記はんだ付き集合サブマウントの上側の面には格子状の溝が形成されており、又は、前記基板の内部に格子状の変質部が形成されており、前記溝又は前記変質部の直下の位置には、前記はんだ層が存在しない領域が周期的に存在する部分がある。

　また、本開示に係の検査方法の一態様は、半導体レーザ装置の検査方法であって、前記半導体レーザ装置は、基台と、はんだを介して前記基台に接合されたサブマウントと、前記サブマウントに実装された半導体レーザと、を備え、前記半導体レーザが実装された側から前記サブマウントを見るときを上面視とすると、前記上面視において、前記はんだは、前記サブマウントの外縁からはみ出したはみ出し領域を有し、前記はみ出し領域は、各々が外側に向かって突出する複数の凸部を有し、前記半導体レーザ装置の検査方法は、前記複数の凸部の状態を測定することで、前記サブマウントの傾きを評価する。

　本開示に係る半導体レーザ装置によれば、サブマウントが基台に対して傾くことを抑制することができる。また、本開示に係るはんだ付きサブマウントによれば、サブマウントを基台に接合したときにサブマウントが傾くことを抑制できる。また、本開示に係るはんだ付き集合サブマウントによれば、基台に接合したときに傾くことを抑制できるはんだ付きサブマウントを得ることができる。また、本開示に係る半導体レーザ装置の検査方法によれば、基台に接合されたサブマウントの傾きを評価することができる。

実施の形態に係る半導体レーザ装置の断面図である。 実施の形態に係る半導体レーザ装置の断面図である。 実施の形態に係る半導体レーザ装置において、サブマウント及び半導体レーザを取り外したときの基台及びはんだの構成を示す図である。 図４は、実施の形態に係る半導体レーザ装置におけるはんだとサブマウントと半導体レーザとの構成を示す図である。 図５は、実施の形態に係る半導体レーザ装置におけるはんだの構成を示す拡大図である。 図６は、実施の形態に係る半導体レーザ装置において、はんだがサブマウントからはみ出した状態を示す図である。 図７は、変形例１に係る半導体レーザ装置において、はんだがサブマウントからはみ出した状態を示す図である。 図８は、変形例２に係る半導体レーザ装置において、はんだがサブマウントからはみ出した状態を示す図である。 図９は、変形例３に係る半導体レーザ装置において、はんだがサブマウントからはみ出した状態を示す図である。 図１０は、変形例４に係る半導体レーザ装置において、はんだがサブマウントからはみ出した状態を示す図である。 図１１は、変形例５に係る半導体レーザ装置において、はんだがサブマウントからはみ出した状態を示す図である。 図１２は、変形例６に係る半導体レーザ装置において、はんだがサブマウントからはみ出した状態を示す図である。 図１３は、変形例７に係る半導体レーザ装置の断面図である。 図１４は、実施の形態に係るはんだ付きサブマウントの構成を示す図である。 図１５は、実施の形態に係るはんだ付きサブマウントの断面図である。 図１６は、実施の形態に係る半導体レーザ装置の製造方法を示すフロー図である。 図１７は、変形例１に係るはんだ付きサブマウントの背面図である。 図１８は、変形例２に係るはんだ付きサブマウントの背面図である。 図１９は、変形例３に係るはんだ付きサブマウントの背面図である。 図２０は、変形例４に係るはんだ付きサブマウントの背面図である。 図２１は、変形例５に係るはんだ付きサブマウントの背面図である。 図２２は、実施の形態に係るはんだ付き集合サブマウントの構成を示す図である。 図２３は、実施の形態に係るはんだ付きサブマウントの製造方法を示すフロー図である。 図２４は、実施の形態に係るはんだ付きサブマウントの製造方法により得られるはんだ付きサブマウントの構成を示す図である。 図２５は、変形例１に係るはんだ付き集合サブマウントの構成を示す図である。 図２６は、変形例１に係るはんだ付き集合サブマウントにより得られるはんだ付きサブマウントの構成を示す図である。 図２７は、はんだ付きサブマウントの製造方法の変形例を示すフロー図である。 図２８は、変形例２に係るはんだ付き集合サブマウントの構成を示す図である。 図２９は、変形例２に係るはんだ付き集合サブマウントにより得られるはんだ付きサブマウントの構成を示す図である。 図３０は、変形例３に係るはんだ付き集合サブマウントの構成を示す図である。 図３１は、変形例４に係るはんだ付き集合サブマウントの構成を示す図である。

　以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、並びに、ステップ（工程）及びステップの順序などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

　また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、各図において縮尺などは必ずしも一致していない。各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。

　（実施の形態）
　［半導体レーザ装置］
　まず、実施の形態に係る半導体レーザ装置１の構成について、図１～図４を用いて説明する。

　図１及び図２は、実施の形態に係る半導体レーザ装置１の断面図である。図１は、サブマウント１０及び半導体レーザ２０を上面視したときの断面を示しており、図２は、サブマウント１０及び半導体レーザ２０を側面視したときの断面を示している。

　図３は、半導体レーザ装置１において、サブマウント１０及び半導体レーザ２０を取り外したときの基台３及びはんだ３０の構成を示す図である。なお、図３では、半導体レーザ装置１の一部の構成を示している。なお、図３に示されるはんだ３０の形状は、サブマウント１０を基台３に接合した後の形状（つまり、リフローにより溶融して押圧された後の形状）を示している。

　図４は、半導体レーザ装置１におけるはんだ３０とサブマウント１０と半導体レーザ２０との構成を示す図である。図４において、（ａ）は側面図、（ｂ）は上面図である。なお、図４では、（ａ）の側面図と（ｂ）の上面図とにおける各部材の接続関係を分かりやすくするために、便宜上ハッチングを施している。

　図１及び図２に示すように、本実施の形態における半導体レーザ装置１は、半導体レーザ２０がパッケージ化された発光モジュールである。具体的には、半導体レーザ装置１は、ＴＯ－ＣＡＮパッケージタイプの光源モジュールである。

　半導体レーザ装置１は、ＴＯ－ＣＡＮパッケージとして、円盤状のベース２と、ベース２に立設する基台３（ポスト）と、ベース２を貫通する一対のリードピン４と、基台３を覆うようにベース２上に配置された金属製のキャップ５とを備える。

　ベース２及び基台３は、電極端子付きのステムである。ベース２は、ステムベースであり、基台３は、ステムポストである。ベース２及び基台３は、金属材料によって構成されている。本実施の形態において、ベース２及び基台３は、銅（Ｃｕ）によって構成されているが、これに限らない。

　一対のリードピン４は、半導体レーザ２０に電流を供給するための給電端子である。一対のリードピン４は、ベース２に設けられた貫通孔に挿通されてベース２に固定されている。ベース２に固定された一対のリードピン４は、絶縁部材６によってベース２と絶縁されている。一対のリードピン４は、半導体レーザ２０の一対の電極に電流を供給する。一対のリードピン４の一方は、金ワイヤ７によって半導体レーザ２０の一対の電極のうちの一方の電極に接続されている。また、一対のリードピン４の他方は、金ワイヤ７によってサブマウント１０の第２金属膜１３（上側金属層）に接続されている。サブマウント１０の第２金属膜１３は、半導体レーザの一対の電極の他方の電極と電気的に接続されている。なお、半導体レーザ２０は、一対の電極として、ｐ側電極及びｎ側電極を有する。

　キャップ５は、基台３と基台３に取り付けられたサブマウント１０及び半導体レーザ２０とを覆うカバーである。つまり、サブマウント１０及び半導体レーザ２０は、ベース２とキャップ５とで構成される密閉空間内に収納されている。キャップ５は、基台３、サブマウント１０及び半導体レーザ２０を覆うようにしてベース２に固定されている。ベース２とキャップ５とは、例えば溶接によって接合される。

　キャップ５の天面には、半導体レーザ２０から出射する光が透過できるように透光窓（光取り出し窓）が設けられている。具体的には、キャップ５の天面には開口孔が設けられており、この開口孔を覆うように透明な板ガラス８が配置されている。板ガラス８は、半導体レーザ２０の光出射面に対面するように配置されている。板ガラス８は、低融点ガラス等の接着剤９によってキャップ５に接合されている。

　半導体レーザ装置１は、サブマウント１０と、半導体レーザ２０とを備えており、ＴＯ－ＣＡＮパッケージを用いてパッケージ化されている。

　サブマウント１０は、基台３に実装されている。具体的には、サブマウント１０は、基台３の上に実装されている。

　サブマウント１０は、はんだ３０を介して基台３に接合されている。つまり、サブマウント１０と基台３とは、はんだ３０によって接合されている。したがって、サブマウント１０と基台３との間には、はんだ３０が介在している。はんだ３０は、接合材の一例である。本実施の形態では、はんだ３０としてＡｕＳｎはんだ（金スズはんだ）を用いている。サブマウント１０は、半導体レーザ２０を支持する支持部材として機能するとともに、半導体レーザ２０の熱を放熱する放熱部材として機能する。したがって、サブマウント１０は、熱伝導性に優れた材料によって構成されているとよい。

　図３及び図４に示すように、サブマウント１０は、絶縁性部材１１と、絶縁性部材１１の下側（基台３側）に位置する第１金属膜１２と、絶縁性部材１１の上側に位置する第２金属膜１３及びバリア膜１４とを備える。

　絶縁性部材１１は、絶縁性材料によって構成されたサブマウント本体である。絶縁性部材１１は、ダイヤモンド、ＳｉＣ又はＡｌＮ等の高熱伝導材料によって構成されているとよい。本実施の形態において、絶縁性部材１１は、ダイヤモンドによって構成されている。また、絶縁性部材１１の形状は、おおむね直方体である。具体的には、絶縁性部材１１は、矩形の板状である。つまり、絶縁性部材１１の上面視形状は、矩形である。

　本実施の形態において、サブマウント１０の外縁（外周縁）は、絶縁性部材１１の外縁（外周縁）である。したがって、サブマウント１０の上面視形状は、矩形である。具体的には、サブマウント１０及び絶縁性部材１１の各々の上面視形状は、長方形である。

　第１金属膜１２は、絶縁性部材１１の下面（基台３側の面）のほぼ全面に配置されている。つまり、第１金属膜１２は、絶縁性部材１１の下側に位置する下側金属層であり、基台３側（つまり半導体レーザ２０側とは反対側）に設けられている。一例として、第１金属膜１２は、絶縁性部材１１の下面に形成されたチタン層（Ｔｉ層）と、チタン層の下面に形成された白金層（Ｐｔ層）と、白金層の下面に形成された金層（Ａｕ層）との３層構造（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）になっており、第１金属膜１２の表面ははんだに対する濡れ性が高い。なお、第１金属膜１２の平面視形状は、矩形である。

　第２金属膜１３は、絶縁性部材１１の上面（半導体レーザ２０側の面）のほぼ全面に配置されている。つまり、第２金属膜１３は、絶縁性部材１１の上側に位置する上側金属層であり、半導体レーザ２０側（つまり基台３側とは反対側）に設けられている。一例として、第２金属膜１３は、絶縁性部材１１の上面に形成されたチタン層（Ｔｉ層）と、チタン層の上に形成された白金層（Ｐｔ層）と、白金層の上面に形成された金層（Ａｕ層）との３層構造（Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕ）になっている。なお、第２金属膜１３の平面視形状は、矩形である。

　バリア膜１４は、第２金属膜１３の上面（半導体レーザ２０側の面）に形成されている。バリア膜１４は、半導体レーザ２０とサブマウント１０とを接合する際のはんだ４０の元素が拡散することを抑制するはんだバリア膜である。一例として、バリア膜１４は、白金層（Ｐｔ層）である。なお、バリア膜１４の平面視形状は、矩形である。また、バリア膜１４の幅は、第２金属膜１３の幅よりも小さい。

　半導体レーザ２０は、サブマウント１０に実装されている。具体的には、半導体レーザ２０は、サブマウント１０の上に実装されている。サブマウント１０は基台３の上に位置しているので、サブマウント１０は半導体レーザ２０と基台３との間に位置することになる。

　なお、半導体レーザ２０の実装形態は、ジャンクションダウン実装及びジャンクションアップ実装のいずれであってもよいが、本実施の形態では、半導体レーザ２０は、ジャンクションダウン実装によってサブマウント１０に実装されている。

　半導体レーザ２０とサブマウント１０とは、はんだ４０を介して接合されている。つまり、半導体レーザ２０とサブマウント１０とは、はんだ４０によって接合されている。したがって、半導体レーザ２０とサブマウント１０との間には、はんだ４０が介在している。本実施の形態において、はんだ４０は、半導体レーザ２０とサブマウント１０のバリア膜１４との間に介在しており、半導体レーザ２０とバリア膜１４とを接合している。はんだ４０は、接合材の一例である。本実施の形態では、はんだ４０としてＡｕＳｎはんだを用いている。

　なお、はんだ３０は、基台３とサブマウント１０の第１金属膜１２との間に介在しており、基台３と第１金属膜１２とを接合している。

　また、半導体レーザ２０は、サブマウント１０の短手方向（幅方向）の一方側に片寄せて配置されている。つまり、半導体レーザ２０は、サブマウント１０の幅方向の中心に対してオフセットした位置に配置されている。具体的には、図３及び図４では、半導体レーザ２０の位置は、サブマウント１０の幅方向の中心から左側に寄っている。

　半導体レーザ２０は、レーザ光を出射する半導体レーザチップである。半導体レーザ２０は、一対のリードピン４から供給される電流によってレーザ光を出射する。半導体レーザ２０から出射したレーザ光は、キャップ５の天面に設けられた板ガラス８（透光窓）から外部に出射する。半導体レーザ２０は、所定の波長のレーザ光を出射する。具体的には、半導体レーザ２０は、紫外光、可視光又は赤外光のレーザ光を出射する。半導体レーザ２０は、例えば窒化物半導体材料によって構成されたＧａＮ系半導体レーザであるが、半導体レーザ２０を構成する半導体材料は、これに限らない。

　半導体レーザ２０とサブマウント１０とを基台３に実装する際、半導体レーザ２０とサブマウント１０とをはんだ４０によって接合するとともに、サブマウント１０と基台３とをはんだ３０によって接合する。このとき、サブマウント１０と基台３とは、溶融させたはんだで接合することになるが、サブマウント１０を基台３に向けて押し付けることになるので、このときの押圧力によって、図１～図４に示すように、サブマウント１０と基台３との間に存在する溶融状態のはんだ３０（つまり溶融前のはんだ３０）がサブマウント１０からはみ出すことになる。具体的には、溶融状態のはんだ３０は、サブマウント１０の外縁から外側に向かって広がっていくとともに、サブマウント１０の厚み方向にも広がっていく。

　図３及び図４に示すように、半導体レーザ２０が実装された側からサブマウント１０を見るときを「上面視」とすると、その上面視において、はんだ３０は、サブマウント１０の外縁から（サブマウント１０の内部と反対の方向に）はんだ３０がはみ出した領域であるはみ出し領域３１を有する。本実施の形態では、絶縁性部材１１の外縁がサブマウント１０の外縁であるので、はみ出し領域３１は、はんだ３０のうち絶縁性部材１１からはみ出した部分である。

　上面視において、はんだ３０のはみ出し領域３１は、各々が外側に向かって突出する複数の凸部３１ａを有する。本実施の形態において、複数の凸部３１ａの各々は、サブマウント１０の外縁から突出する突出部である。また、複数の凸部３１ａは、サブマウント１０の全周にわたって断続的に存在している。複数の凸部３１ａの各々は、略球形の一部をなす形状である。したがって、上面視において、複数の凸部３１ａの各々は、略円形の一部をなす形状になっている。具体的には、複数の凸部３１ａの各々は、上面視において、サブマウント１０の外縁から膨らむように形成された膨出部であり、円形のうち半円以上部分を有する形状になっている。なお、複数の凸部３１ａの各々は、略半球（つまり上面視で略半円）であってもよいし、球のうち半球よりも小さい形状（つまり上面視で半円よりも小さい形状）であってもよい。

　一例として、複数の凸部３１ａを構成する球の平均直径は６０μｍであり、複数の凸部３１ａの高さ（サブマウント１０の厚み方向の高さ）の平均高さは３０μｍである。また、サブマウント１０と基台３との間のはんだ３０の厚さ（サブマウント１０と基台３との距離）は、一例として２．５μｍである。

　他の一例として、複数の凸部３１ａを構成する球の平均直径は１２０μｍであり、複数の凸部３１ａの高さ（サブマウント１０の厚み方向の高さ）の平均高さは６０μｍである。また、サブマウント１０と基台３との間のはんだ３０の厚さ（サブマウント１０と基台３との距離）は、一例として３．５μｍである。

　はみ出し領域３１の複数の凸部３１ａは、上面視形状が矩形のサブマウント１０において、４辺の全てに存在していてもよいし、４辺のうちの１辺、２辺又は３辺に存在していてもよい。本実施の形態において、複数の凸部３１ａは、４辺全てに存在している。

　はみ出し領域３１における全ての凸部３１ａの中には、複数の凸部３１ａが周期的に存在するものが含まれる。つまり、サブマウント１０の外縁からはんだ３０が周期的にはみ出している部分が存在している。例えば、上面視形状が矩形のサブマウント１０において、周期的に存在する複数の凸部３１ａは、４辺の全てに存在していてもよいし、４辺のうちの１辺、２辺又は３辺に存在していてもよい。

　また、周期的に存在する複数の凸部３１ａは、１辺の中の全ての凸部３１ａであってもよいし、１辺の中の全ての凸部３１ａのうちのいくつかであってもよい。このように、周期的に存在する複数の凸部３１ａは、サブマウント１０の全周のうちの少なくとも一部に存在していればよい。

　なお、複数の凸部３１ａが周期的に存在するとは、複数の凸部３１ａが一定の間隔で存在する場合だけではなく、複数の凸部３１ａが規則的な間隔（例えば一定の法則にしたがった間隔）で存在する場合等も含まれる。

　このように、はんだ３０のはみ出し領域３１における複数の凸部３１ａが周期的に存在していることで、はんだ３０が偏らずにサブマウント１０からはみ出していることになり、サブマウント１０が基台３に対して傾くことを抑制することができる。例えば、はんだ３０によって基台３とサブマウント１０とが平行に接合される。これにより、サブマウント１０に実装された半導体レーザ２０から出射するレーザ光の光学的精度を向上させることができる。

　特に、周期的に存在する複数の凸部３１ａが同じ大きさで均一に形成されていることによって、サブマウント１０が傾くことを効果的に抑制することができる。また、上面視形状が長方形のサブマウント１０では短手方向にサブマウント１０が傾きやすい。このため、サブマウント１０の短手方向において複数の凸部３１ａが対称に形成されているとよい。これにより、サブマウント１０が傾くことをさらに効果的に抑制することができる。

　また、本実施の形態において、はんだ３０は、サブマウント１０の外縁の全周（全外周縁）からはみ出しておらず、サブマウント１０の外縁から断続的にはみ出している。したがって、サブマウント１０の外側における周辺領域には、サブマウント１０の外縁からはんだ３０がはみ出していない領域である複数の非はみ出し領域３２が存在する。非はみ出し領域３２は、隣り合う２つの凸部３１ａの間の領域である。上面視において、複数の非はみ出し領域３２の各々は、サブマウント１０の内側に窪んだ凹形状の領域である。

　このように、本実施の形態では、サブマウント１０の外側の周辺領域には非はみ出し領域３２として複数の凹部が存在するので、複数の凸部３１ａが周期的に存在することによって、サブマウント１０と複数の凸部３１ａとの境界が周期的に存在することになる。

　また、サブマウント１０の外縁の全周にわたって複数の凸部３１ａが存在する場合ではなくても、サブマウント１０が傾くことを抑制できる。具体的には、本願発明者らの実験によれば、上面視形状が長方形のサブマウント１０において、サブマウント１０の短辺にはみ出し領域３１（凸部３１ａ）が存在せずに、サブマウント１０の長辺にしかはみ出し領域３１（凸部３１ａ）が存在しない場合でも、サブマウント１０の傾きを抑制できることが確認できた。

　なお、本実施の形態では、サブマウント１０の全ての辺にはみ出し領域３１（凸部３１ａ）が存在しており、サブマウント１０には、はみ出し領域３１が存在しない辺はない。つまり、はみ出し量がゼロとなる辺は存在しない。これにより、サブマウント１０が傾くことを確実に抑制することができる。

　ここで、はんだ３０のはみ出し領域３１の複数の凸部３１ａの好ましい形態について、図５及び６を用いて説明する。図５は、実施の形態に係る半導体レーザ装置１におけるはんだ３０の構成を示す拡大図である。図６は、そのはんだ３０がサブマウント１０からはみ出した状態を示す図である。なお、図５において、サブマウント１０の外縁を破線で示している。つまり、図５の破線で囲まれる領域は、サブマウント１０が存在するサブマウント領域１０ａである。

　図５に示すように、はんだ３０の上面視において、サブマウント１０と複数の凸部３１ａのうちの一つとの境界の長さをＬ１とすると、長さＬ１は、２０μｍ以上２００μｍ以下であるとよい。つまり、長さＬ１は、サブマウント１０の外縁上における各凸部３１ａの長さであり、各凸部３１ａの根元の幅である。

　このように、長さＬ１を２０μｍ以上２００μｍ以下にすることで、サブマウント１０が傾くことを抑制しつつ、サブマウント１０及びはんだ３０を介して半導体レーザ２０で発生する熱を効果的に放熱することができる。この点について、以下説明する。

　詳細は後述するが、本実施の形態では、はんだ３０となるはんだ層が予め形成されたはんだ付きサブマウントを用いることで、サブマウント１０を基台３に接合している。この場合、はんだ層を加熱溶融してサブマウント１０に押圧を付与することになるが、このサブマウント１０に付与した押圧によって、基台３とサブマウント１０との間に存在する溶融したはんだ層がサブマウント１０の外縁（サブマウント領域１０ａ）からはみ出すことになる。これにより、サブマウント１０と基台３との間にはみ出し領域３１（凸部３１ａ）を有するはんだ３０が形成される。

　このとき、はんだのはみ出しは、サブマウント１０の外縁における溶融押圧前のはんだ層のある一点から開始することになる。このはんだのはみ出しが進むにしたがってサブマウント１０とはみ出し領域３１（凸部３１ａ）との境界の長さＬ１が大きくなっていくが、溶融したはんだの表面張力によって、サブマウント１０の外縁における溶融前のはんだ層の配置領域以外からサブマウント１０の外側にはんだがはみ出すことが抑制される。したがって、長さＬ１が長いということは、その部分におけるはんだのはみ出し量（凸部３１ａの突出量）が多いことと同義であり、サブマウント１０の外縁においてはんだの量が局所的に多くなりすぎた（つまり十分にはんだが制御されていなかった）ということになる。この結果、サブマウント１０の傾きの度合が大きくなってしまう。そこで、このようなはんだの量が局所的に多くなりすぎることを抑制するために、長さＬ１は２００μｍ以下であるとよい。

　一方、長さＬ１が短いということは、サブマウント１０の外縁においてはんだの量が局所的に少なかったことになる。この結果、実装後のサブマウント１０と基台３との間に隙間が存在する可能性が高くなり、半導体レーザ２０で発生する熱の放熱性が低下する。そこで、サブマウント１０と基台３との間に隙間が生じることを抑制するには、長さＬ１は２０μｍ以上にするとよい。

　一例として、サブマウント１０の短辺における長さＬ１は、８０μｍであり、サブマウント１０の長辺における長さＬ１は、８０μｍである。

　また、図５に示すように、はんだ３０の上面視において、はんだ３０は、サブマウント１０の外縁からはみ出さずに当該はんだ３０の外縁がサブマウント１０の外縁と一致する部分の長さをＬ２とすると、長さＬ２は、２００μｍ以下であるとよい。長さＬ２は、隣り合う２つの凸部３１ａの間の領域である非はみ出し領域３２におけるはんだ３０の外縁に沿った長さである。つまり、長さＬ２は、サブマウント１０の外縁のうちはみ出し領域３１（凸部３１ａ）と接していない部分（はみ出し非起点領域）の長さである。

　このように、長さＬ２を２００μｍ以下にすることで、はみ出し領域３１における複数の凸部３１ａが離散的になりすぎないので、サブマウント１０が傾くことを効果的に抑制することができる。なお、長さＬ２の下限は特に限定されるものではないが、長さＬ２は、２０μｍ以上であるとよい。

　本実施の形態において、長さＬ２は、長さＬ１よりも短い。一例として、サブマウント１０の短辺における長さＬ２は、５０μｍであり、サブマウント１０の長辺における長さＬ１は、６０μｍである。

　また、図５においては、はみ出し領域３１における複数の凸部３１ａのサイズ（大きさ）は、サブマウント１０の全周において同じであり、複数の凸部３１ａのはみ出し量（突出量）が揃っていたが、これに限らない。具体的には、図６に示すように、複数の凸部３１ａには、異なるサイズ（大きさ）の凸部３１ａが含まれていてもよく、複数の凸部３１ａのはみ出し量は、揃っていなくてもよい。

　この場合、上面視形状が矩形のサブマウント１０において、矩形の１辺における複数の凸部３１ａの個数をｎとし、複数の凸部３１ａの各々におけるサブマウント１０の外縁からのはみ出し量をＤｉ（ｉは整数、１≦ｉ≦ｎ）としたときに、矩形の１辺において、Ｄｉの標準偏差は、Ｄｉの平均値の５０％以下であるとよい。

　この構成により、複数の凸部３１ａのはみ出し量を揃えることができ、複数の凸部３１ａのサイズのバラツキを抑制することができる。これにより、サブマウント１０の傾きを抑制することができる。なお、Ｄｉの標準偏差は、より好ましくは、Ｄｉの平均値の２０％以下である。

　具体的には、図６に示すように、矩形のサブマウント１０の一対の短辺のうちの一方（図６の上辺）における複数の凸部３１ａのはみ出し量をＤＴｉ（１≦ｉ≦ｎ）とすると、当該一方の短辺において、ＤＴｉの標準偏差は、ＤＴｉの平均値の５０％以下であるとよい。一例として、ｎ＝３であって、ＤＴ１＝３０μｍ、ＤＴ２＝８０μｍ、ＤＴ３＝４０μｍであり、この場合の平均値は５０μｍ、標準偏差は２２μｍである。

　また、矩形のサブマウント１０の一対の短辺のうちの他方（図６の下辺）における複数の凸部３１ａのはみ出し量をＤＢｉ（１≦ｉ≦ｎ）とすると、当該他方の短辺において、ＤＢｉの標準偏差は、ＤＢｉの平均値の５０％以下であるとよい。一例として、ｎ＝３であって、ＤＢ１＝３０μｍ、ＤＢ２＝５０μｍ、ＤＢ３＝４０μｍであり、この場合の平均値は４０μｍ、標準偏差は８μｍである。

　また、矩形のサブマウント１０の一対の長辺のうちの一方（図６の左辺）における複数の凸部３１ａのはみ出し量をＤＬｉ（１≦ｉ≦ｎ）とすると、当該一方の長辺において、ＤＬｉの標準偏差は、ＤＬｉの平均値の５０％以下であるとよい。一例として、ｎ＝５であって、ＤＬ１＝６０μｍ、ＤＬ２＝８０μｍ、ＤＬ３＝５０μｍ、ＤＬ４＝５０μｍ、ＤＬ５＝８０μｍであり、この場合の平均値は６４μｍ、標準偏差は１４μｍである。

　また、矩形のサブマウント１０の一対の長辺のうちの一方（図６の右辺）における複数の凸部３１ａのはみ出し量をＤＲｉ（１≦ｉ≦ｎ）とすると、当該他方の長辺において、ＤＲｉの標準偏差は、ＤＲｉの平均値の５０％以下であるとよい。一例として、ｎ＝５であって、ＤＲ１＝８０μｍ、ＤＲ２＝６０μｍ、ＤＲ３＝６０μｍ、ＤＲ４＝８０μｍ、ＤＲ５＝７０μｍであり、この場合の平均値は７０μｍ、標準偏差は９μｍである。

　なお、複数の凸部３１ａのはみ出し量Ｄｉ（１≦ｉ≦ｎ）については、矩形の１辺において、Ｄｉの最大値及びＤｉの最小値は、Ｄｉの最大値／Ｄｉの最小値≦３の関係を満たしているとよく、より好ましくは、Ｄｉの最大値／Ｄｉの最小値≦１．５である。この場合も、複数の凸部３１ａのはみ出し量を揃えることができ、複数の凸部３１ａのサイズのバラツキを抑制することができる。この場合、さらに、サブマウント１０の矩形の１辺において、複数の凸部３１ａのはみ出し量が揃っていることで、サブマウント１０の傾きを一層抑制することができる。

　また、本実施の形態のようにサブマウント１０の上面視形状が長方形である場合において、長方形の長辺における複数の凸部３１ａの個数をｍとし、半導体レーザ２０のレーザ光の出射方向に対して右側の長辺において、複数の凸部３１ａの各々におけるサブマウント１０の外縁からのはみ出し量をＤＲｉ（ｉは整数、１≦ｉ≦ｍ）とし、半導体レーザ２０のレーザ光の出射方向に対して左側の長辺において、複数の凸部３１ａの各々におけるサブマウント１０の外縁からのはみ出し量をＤＬｉ（ｉは整数、１≦ｉ≦ｍ）としたときに、ＤＲｉの平均値及びＤＬｉの平均値は、１／３≦ＤＲｉの平均値／ＤＬｉの平均値≦３の関係を満たしているとよい。

　これにより、複数の凸部３１ａのサイズのバラツキを抑制することができるので、サブマウント１０の傾きを効果的に抑制することができる。なお、ＤＲｉの平均値及びＤＬｉの平均値は、より好ましくは、１／２≦ＤＲｉの平均値／ＤＬｉの平均値≦２の関係を満たすとよい。さらに、この場合も、サブマウント１０の矩形の１辺において、複数の凸部３１ａのはみ出し量が揃っているとさらによい。

　また、図３及び図４に示すように、半導体レーザ２０がサブマウント１０の左側に寄って配置されている場合は、半導体レーザ２０が配置されたサブマウント１０をはんだによって基台３に実装する際に、半導体レーザ２０を介してサブマウント１０を押さ付けるときの押圧が左側に片寄ることになる。これにより、サブマウント１０と基台３との間のはんだのはみ出しは、右側よりも左側の方が大きくなる傾向にある。つまり、左側の凸部３１ａのはみ出し量が右側の凸部３１ａのはみ出し量よりも大きくなる傾向にある。この結果、左側の凸部３１ａと右側の凸部３１ａとのサイズのバラツキが大きくなるおそれがある。

　そこで、半導体レーザ２０が左側に寄っている場合、ＤＲｉの平均値及びＤＬｉの平均値は、１／３≦ＤＲｉの平均値／ＤＬｉの平均値≦１の関係を満たすとよく、より好ましくは、１／３≦ＤＲｉの平均値／ＤＬｉの平均値≦３／４である。これにより、左側の凸部３１ａと右側の凸部３１ａとのはみ出し量の差を小さくすることができるので、サブマウント１０の傾きを効果的に抑制することができる。

　逆に、半導体レーザ２０がサブマウント１０の右側に寄っている場合は、ＤＲｉの平均値及びＤＬｉの平均値は、１≦ＤＲｉの平均値／ＤＬｉの平均値≦３の関係を満たすとよく、より好ましくは、４／３≦ＤＲｉの平均値／ＤＬｉの平均値≦３である。これにより、半導体レーザ２０がサブマウント１０の右側に寄っていても、左側の凸部３１ａと右側の凸部３１ａとのはみ出し量の差を小さくすることができるので、サブマウント１０の傾きを効果的に抑制することができる。

　また、上面視形状が矩形のサブマウント１０において、矩形の１辺における複数の凸部３１ａの個数をｎとし、複数の凸部３１ａの間隔をＰｉ（ｉは整数、１≦ｉ≦ｎ－１）としたときに、Ｐｉの標準偏差は、Ｐｉの平均値の２０％以下であるとよい。

　この構成により、複数の凸部３１ａの間隔を揃えることができるので、複数の凸部３１ａの間隔のバラツキを抑制して複数の凸部３１ａの対称性を向上させることができる。これにより、サブマウント１０の傾きをさらに抑制することができる。なお、Ｐｉの標準偏差は、より好ましくは、Ｐｉの平均値の１０％以下である。

　具体的には、図６に示すように、矩形のサブマウント１０の一対の短辺のうちの一方（図６の上辺）における複数の凸部３１ａの間隔をＰＴｉ（１≦ｉ≦ｎ－１）とすると、当該一方の短辺において、ＰＴｉの標準偏差は、ＤＴｉの平均値の２０％以下であるとよい。一例として、ｎ＝３であって、ＰＴ１＝ＰＴ２＝１３０μｍである。

　また、矩形のサブマウント１０の一対の短辺のうちの他方（図６の下辺）における複数の凸部３１ａの間隔をＰＢｉ（１≦ｉ≦ｎ－１）とすると、当該他方の短辺において、ＰＢｉの標準偏差は、ＰＢｉの平均値の２０％以下であるとよい。一例として、ｎ＝３であって、ＰＢ１＝ＰＢ２＝１３０μｍである。

　また、矩形のサブマウント１０の一対の長辺のうちの一方（図６の左辺）における複数の凸部３１ａの間隔をＰＬｉ（１≦ｉ≦ｎ－１）とすると、当該一方の長辺において、ＰＬｉの標準偏差は、ＰＬｉの平均値の２０％以下であるとよい。一例として、ｎ＝５であって、ＰＬ１＝ＰＬ２＝ＰＬ３＝ＰＬ４＝１４０μｍである。

　また、矩形のサブマウント１０の一対の長辺のうちの一方（図６の右辺）における複数の凸部３１ａの間隔をＰＲｉ（１≦ｉ≦ｎ－１）とすると、当該他方の長辺において、ＰＲｉの標準偏差は、ＰＲｉの平均値の２０％以下であるとよい。一例として、ｎ＝５であって、ＰＲ１＝ＰＲ２＝ＰＲ３＝ＰＲ４＝１４０μｍである。

　なお、複数の凸部３１ａの間隔Ｐｉ（１≦ｉ≦ｎ－１）については、矩形の１辺において、Ｐｉの最大値及びＰｉの最小値は、Ｐｉの最大値／Ｄｉの最小値≦３の関係を満たしているとよく、より好ましくは、Ｐｉの最大値／Ｐｉの最小値≦１．５である。これにより、複数の凸部３１ａの間隔をさらに揃えることができるので、複数の凸部３１ａの間隔のバラツキを一層抑制することができる。さらに、サブマウント１０の矩形の１辺において、複数の凸部３１ａのはみ出し量が揃っているとよい。

　また、図６では、全ての凸部３１ａの中には、隣り合う２つの凸部３１ａが合体した部分は存在していなかったが、図７及び図８に示ように、隣り合う２つの凸部３１ａが合体した凸部３１ａが存在する場合がある。

　この場合、サブマウント１０の一辺において、複数の凸部３１ａの間隔は、標準偏差が１０％以内の第１の間隔からなる群と、標準偏差が１０％以内の第２の間隔からなる群とを含み、第２の間隔は、第１の間隔の１．５倍以下であるとよい。

　これにより、図６のように、隣り合う２つの凸部３１ａが合体していない場合よりもサブマウント１０の傾きを抑制できる効果は小さくなったものの、図７及び図８のように、隣り合う２つの凸部３１ａが合体してしまった場合でも、サブマウント１０の傾きを抑制できる効果は一定程度あることが確認できた。

　なお、図７において、隣り合う２つの凸部３１ａが合体した１つの凸部３１ａは、全体として回転楕円体を二分したような突出形状であり、図８において、隣り合う２つの凸部３１ａが合体した１つの凸部３１ａは、接する半球と半球との間の部分が滑らかにつながったような形状になっている。図７及び図８において、隣り合う２つの凸部３１ａが合体した１つの凸部３１ａの一辺（図では長辺）における中心位置は、合体する前の２つの凸部３１ａの中心間の中点付近となる。一例として、図７及び図８に示される複数の凸部３１ａの間隔は、ＰＴ１＝ＰＴ２＝１３０μｍ、ＰＢ１＝ＰＢ２＝１３０μｍ、ＰＬ１＝ＰＬ２＝２１０μｍ、ＰＬ３＝１４０μｍ、ＰＲ１＝ＰＲ２＝１４０μｍ、ＰＲ３＝２１０μｍである。

　また、図７及び図８では、隣り合う２つの凸部３１ａが合体して１つの凸部３１ａとなった部分が複数存在しているが、それぞれの合体部分どうしは隣り合って存在していなかったが、図９に示すように、隣り合う２つの凸部３１ａが合体して１つの凸部３１ａとなった合体部分どうしが隣り合って存在している場合もある。

　この場合、サブマウント１０の一辺において、複数の凸部３１ａの間隔は、さらに、上記第１の間隔及び上記第２の間隔とは異なる間隔で且つ標準偏差が１０％以内の第３の間隔からなる群を含むことになりうるが、この第３の間隔は、第１の間隔の２倍以下であるとよい。

　これにより、図９に示すように、隣り合う２つの凸部３１ａが合体して１つの凸部３１ａになった合体部分どうしが隣り合って存在している場合であっても、サブマウント１０の傾きを抑制することができる。一例として、図９において、ＰＬ１＝２１０μｍであり、ＰＬ２＝２８０μｍである。

　また、半導体レーザ２０の発光点Ｅ（レーザ光が出射する箇所）は発熱量が多くて高温になるので、図１０に示すように、上面視において、複数の凸部３１ａの少なくとも一つは、半導体レーザ２０の光軸Ｌ上に位置するとよい。

　この構成により、半導体レーザ２０の発光点Ｅの直下に凸部３１ａが存在することになるので、半導体レーザ２０で発生する熱をはんだ３０を介して効率よく放熱することができる。これにより、半導体レーザ装置の熱的信頼性を向上させることができる。

　また、図６～図１０では、はんだ３０のはみ出し領域３１には、サブマウント１０の外縁からはんだ３０がはみ出していない領域である非はみ出し領域３２が存在していたが、これに限らない。具体的には、図１１に示すように、はんだ３０のはみ出し領域３１に非はみ出し領域３２が存在せずに、はみ出し領域３１は、サブマウント１０の外縁の全周の全てにわたって存在していてもよい。つまり、はんだ３０は、サブマウント１０の外縁の全周の全てからはみ出していてもよい。この場合、はみだし領域３１は複数の凸部３１ａと外周部３１ｂとから構成され、複数の凸部３１ａはサブマウント１０の内部と反対の方向に突出し且つ周期的に存在する。

　また、はんだ３０における複数の凸部３１ａのはみ出し量は、揃っているとよいが、揃っていなくてもよい。この場合、図１２に示すように、複数の凸部３１ａのはみ出し量は、上面視で、破線矢印で示すサブマウント１０の中心からの距離が遠いほどは小さくなっているとよい。

　また、本実施の形態における半導体レーザ装置１では、はんだ３０における複数の凸部３１ａの形状が球の一部を構成していたが、これに限らない。例えば、図１３に示される半導体レーザ装置１Ａのように、はんだ３０の複数の凸部３１ａは、不規則な形状をしていてもよい。

　［半導体レーザ装置の製造方法］
　次に、図１及び図２に示される半導体レーザ装置１の製造方法について説明する。

　本実施の形態における半導体レーザ装置１では、図１４及び図１５に示されるはんだ付きサブマウント１０Ａを用いて、サブマウント１０を基台３に接合する。サブマウント１０を基台３に接合する際、はんだ付きサブマウント１０Ａを基台３に設置する。本実施の形態では、はんだ付きサブマウント１０Ａを基台３に設置したときに基台３側となる方向を下側（下方）とし、基台３側とは反対側（つまり半導体レーザ２０側）となる方向を上側（上方）としている。

　図１４は、実施の形態に係るはんだ付きサブマウント１０Ａの構成を示す図である。図１４において、（ａ）は、はんだ付きサブマウント１０Ａを第２はんだ層４０Ａ側（オモテ側：上側）から見たときの平面図であり、（ｂ）は、はんだ付きサブマウント１０Ａを第１はんだ層３０Ａ側（ウラ側：下側）から見たときの平面図であり、（ｃ）は、はんだ付きサブマウント１０Ａの断面図である。また、図１５は、図１４のはんだ付きサブマウント１０Ａの断面図である。図１５の（ａ）は、図１４の（ｂ）のXVa－XVa線における断面図、図１５の（ｂ）は、図１４の（ｂ）のXVb－XVb線における断面図、図１５の（ｃ）は、図１４の（ｂ）のXVc－XVc線における断面図である。

　はんだ付きサブマウント１０Ａは、サブマウント１０に予めはんだ層が形成されたものである。図１４及び図１５に示すように、本実施の形態におけるはんだ付きサブマウント１０Ａは、サブマウント１０と、第１はんだ層３０Ａと、第２はんだ層４０Ａとを備える。

　第１はんだ層３０Ａは、半導体レーザ装置１を製造する際に、加熱により溶融することで、サブマウント１０と基台３とを接合する。つまり、第１はんだ層３０Ａは、図１に示される半導体レーザ装置１のはんだ３０になる。

　第２はんだ層４０Ａは、半導体レーザ装置１を製造する際に、加熱により溶融することで、サブマウント１０と半導体レーザ２０とを接合する。つまり、第２はんだ層４０Ａは、図１に示される半導体レーザ装置１のはんだ４０になる。

　第１はんだ層３０Ａは、サブマウント１０の下側の面（下面）に配置されている。第２はんだ層４０Ａは、サブマウント１０の上側の面（上面）に配置されている。つまり、サブマウント１０は、第１はんだ層３０Ａと第２はんだ層４０Ａとに挟まれている。第１はんだ層３０Ａ及び第２はんだ層４０Ａは、はんだによって構成された厚さが一定のはんだ層である。本実施の形態において、第１はんだ層３０Ａ及び第２はんだ層４０Ａは、いずれもＡｕＳｎはんだによって構成されている。

　はんだ付きサブマウント１０Ａにおけるサブマウント１０は、上述のとおり、絶縁性部材１１と、第１金属膜１２と、第２金属膜１３と、バリア膜１４とを備える。

　絶縁性部材１１は、上記のように、ダイヤモンド等の絶縁性材料によって構成されている。本実施の形態において、絶縁性部材１１の端面の上部には、段差部５０が形成されている。したがって、絶縁性部材１１の下側の面の幅は、絶縁性部材１１の上側の面の幅より広くなっている。

　第１金属膜１２は、絶縁性部材１１の下側の面に配置されている。一方、第２金属膜１３は、絶縁性部材１１の上側の面に配置されている。バリア膜１４は、第２金属膜１３の上側の面に形成されている。第１金属膜１２及び第２金属膜１３としては、上記のように、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜を用いることができる。なお、第１金属膜１２及び第２金属膜１３の平面視形状は、矩形である。また、バリア膜１４としては、Ｐｔ膜を用いることができる。

　第１はんだ層３０Ａは、サブマウント１０の絶縁性部材１１の下側に配置されている。本実施の形態において、第１はんだ層３０Ａは、第１金属膜１２の下側の面（下面）に配置されている。このように、第１金属膜１２の下面に第１はんだ層３０Ａを形成することで、第１はんだ層３０Ａが溶融したときにはんだの濡れ性を向上させることができるとともに、サブマウント１０と基台３との密着性を向上させることができる。

　第２はんだ層４０Ａは、サブマウント１０の絶縁性部材１１の上側に配置されている。本実施の形態において、第２はんだ層４０Ａは、バリア膜１４の上側の面（上面）に配置されている。このように、金属膜であるバリア膜１４の上面に第２はんだ層４０Ａを形成することで、第２はんだ層４０Ａが溶融したときにはんだの濡れ性を向上させることができるとともに、サブマウント１０と半導体レーザ２０との密着性を向上させることができる。また、バリア膜１４を設けることで、ＡｕＳｎはんだからなる第２はんだ層４０Ａが溶融した時に、第２金属膜１３の表面層をＡｕ層がＳｎで侵食されることを抑制できる。

　なお、はんだ付きサブマウント１０Ａのサイズの一例は、以下のとおりである。サブマウント１０（絶縁性部材１１）の下面における長手方向の長さ（長辺の長さ）Ｗ１は、４００μｍ～４０００μｍであり、具体的には、１２００μｍとした。また、はんだ付きサブマウント１０Ａの端面の上部には段差部５０が形成されているので、サブマウント１０（絶縁性部材１１）の上面における長手方向の長さＷ２は、長さＷ１よりも短い（Ｗ２＜Ｗ１）。例えば、長さＷ２は、１１５０μｍである。サブマウント１０（絶縁性部材１１）の下面における短手方向の長さ（短辺の長さ）Ｗ３は、２００μｍ～６００μｍであり、具体的には、３００μｍとした。

　絶縁性部材１１の厚さＨは、２７０μｍ～３３０μｍであり、具体的には、３００μｍとした。第１はんだ層３０Ａの厚さＴ１は、実装前が４．５μｍ～８．０μｍで、実装後が２．０μｍ～３．５μｍであり、具体的には、実装前が６．０μｍで実装後が３．０μｍであった。第１金属膜１２の厚さＴ２は、０．５６μｍ～０．８４μｍであり、具体的には、０．７０μｍとした。第２金属膜１３の厚さＴ３は、０．５６μｍ～０．８４μｍであり、具体的には、０．７０μｍとした。バリア膜１４の厚さＴ４は、０．２４μｍ～０．３６μｍであり、具体的には、０．３０μｍとした。第２はんだ層４０Ａの厚さＴ５は、実装前が２．０μｍ～３．０μｍで、実装後が１．０μｍ～２．０μｍであり、具体的には、実装前が２．５μｍで実装後が１．５μｍであった。

　そして、本実施の形態におけるはんだ付きサブマウント１０Ａでは、第１はんだ層３０Ａの外周端部には、開口部３３が形成されている。開口部３３は、第１はんだ層３０Ａが存在しない領域である。つまり、開口部３３は、第１はんだ層３０Ａの開口孔である。開口部３３は、第１はんだ層３０Ａの外縁に沿って複数形成されている。

　各開口部３３は、第１はんだ層３０Ａの外周端部を切り欠くように形成されている。つまり、前記はんだ層の平面視において、各開口部３３は、絶縁性部材１１の外周端部から内側に向かって後退するように切り欠かれている。具体的には、開口部３３は、第１はんだ層３０Ａの平面視において、第１はんだ層３０Ａの辺の一部を窪ませるように形成されている。本実施の形態において、第１はんだ層３０Ａの一辺に形成された開口部３３の形状は、三角形である。一例として、第１はんだ層３０Ａの一辺に形成された開口部３３の形状は、第１はんだ層３０Ａの平面視において、開口部３３の底（辺から最も後退した箇所）が直角の頂角となる二等辺三角形であり、また、第１はんだ層３０Ａの角に形成された開口部３３の形状は、第１はんだ層３０Ａの平面視において、面取りするように形成された二等辺三角形である。なお、開口部３３を有する第１はんだ層３０Ａは、レジストによってはんだをリフトオフすることで形成することができる。

　第１はんだ層３０Ａに開口部３３が形成されることで、開口部３３からは第１金属膜１２が露出することになる。したがって、第１はんだ層３０Ａの外周端部に複数の開口部３３が断続的に存在することで、第１金属膜１２の下側の面（下面）の外縁には、第１はんだ層３０Ａが存在する第１領域３４ａと、第１はんだ層３０Ａが存在しない第２領域３４ｂとが交互に存在する部分がある。つまり、第１金属膜１２の外縁には、複数の第１領域３４ａと複数の第２領域３４ｂとが存在している。開口部３３における第１金属膜１２の下側の面の外縁が第２領域３４ｂである。

　開口部３３は、第１はんだ層３０Ａの４辺の全てに存在していてもよいし、４辺のうちの１辺、２辺又は３辺に存在していてもよい。したがって、開口部３３に対応する第２領域３４ｂも、第１金属膜１２の外縁の４辺の全てに存在していてもよいし、４辺のうちの１辺、２辺又は３辺に存在していてもよい。本実施の形態において、開口部３３及び第２領域３４ｂは、第１はんだ層３０Ａ及び第１金属膜１２の４辺の全てに形成されている。

　そして、第１はんだ層３０Ａに形成された全ての開口部３３の中には、複数の開口部３３が周期的に存在するものが含まれる。開口部３３は、第１はんだ層３０Ａが存在しない第２領域３４ｂに対応するので、第１金属膜１２の下面の外縁に存在する全ての第２領域３４ｂの中には、複数の第２領域３４ｂが周期的に存在するものが含まれることになる。

　周期的に存在する複数の開口部３３は、第１はんだ層３０Ａの４辺の全てに存在していてもよいし、４辺のうちの１辺、２辺又は３辺に存在していてもよい。つまり、周期的に存在する複数の第２領域３４ｂは、第１金属膜１２の下面の外縁の４辺の全てに存在していてもよいし、４辺のうちの１辺、２辺又は３辺に存在していてもよい。

　また、周期的に存在する複数の開口部３３（第２領域３４ｂ）は、１辺の中の全ての開口部３３（第２領域３４ｂ）であってもよいし、１辺の中の全ての開口部３３（第２領域３４ｂ）のうちのいくつかであってもよい。このように、周期的に存在する複数の開口部３３（第２領域３４ｂ）は、第１はんだ層３０Ａ又は第１金属膜１２の全周のうちの少なくとも一部に存在していればよい。

　なお、複数の開口部３３（第２領域３４ｂ）が周期的に存在するとは、複数の開口部３３（第２領域３４ｂ）が一定の間隔で存在する場合だけではなく、複数の開口部３３（第２領域３４ｂ）が規則的な間隔で存在する場合等も含まれる。

　次に、はんだ付きサブマウント１０Ａを用いて、半導体レーザ装置１を製造する方法について、図１～図４及び図１４等を参照しながら、図１６を用いて説明する。図１６は、実施の形態に係る半導体レーザ装置１の製造方法を示すフロー図である。

　まず、図１及び図２に示されるリードピン４及び基台３が取り付けられたベース２からなる電極端子付きのステムの基台３に、はんだ付きサブマウント１０Ａを設置する（ステップＳ１１）。このとき、第１はんだ層３０Ａが基台３に向くようにしてはんだ付きサブマウント１０Ａを基台３に設置する。具体的には、第１はんだ層３０Ａが基台３に接するようにしてはんだ付きサブマウント１０Ａを設置する。

　次に、図１４に示されるはんだ付きサブマウント１０Ａに半導体レーザ２０を設置する（ステップＳ１２）。具体的には、はんだ付きサブマウント１０Ａの第２はんだ層４０Ａの上に半導体レーザ２０を設置する。なお、本実施の形態では、半導体レーザ２０は、ジャンクションダウン実装となるようにはんだ付きサブマウント１０Ａに設置した。

　次に、加熱することではんだ付きサブマウント１０Ａのはんだを溶融させる（ステップＳ１３）。具体的には、はんだ付きサブマウント１０Ａの上に配置された半導体レーザ２０を上から押さえ付けながら、はんだ付きサブマウント１０Ａを加熱する。一例として、３３０℃の温度で約１０秒間加熱する。

　このように、はんだ付きサブマウント１０Ａが加熱されることで、第１はんだ層３０Ａと第２はんだ層４０Ａとが溶融する。これにより、溶融した第１はんだ層３０Ａのはんだによって基台３とサブマウント１０とが接合されるとともに、溶融した第２はんだ層４０Ａのはんだによって半導体レーザ２０とサブマウント１０とが接合される。

　本実施の形態では、第１はんだ層３０Ａと第２はんだ層４０Ａとが同じはんだ材料で構成されているので、半導体レーザ２０とサブマウント１０と基台３とを同時に接合することができる。

　また、本実施の形態では、半導体レーザ２０を押さえ付けながらはんだ付きサブマウント１０Ａを加熱しているので、サブマウント１０が基台３に向けて押し付けられることになる。つまり、サブマウント１０が基台３に向けて押圧力を付与する。このため、このサブマウント１０の押圧力によって、サブマウント１０と基台３との間に存在する溶融した第１はんだ層３０Ａのはんだがサブマウント１０からはみ出すことになる。具体的には、溶融した第１はんだ層３０Ａのはんだは、サブマウント１０の外縁から外側に向かって広がっていくとともに、サブマウント１０厚み方向にも広がっていく。つまり、溶融した第１はんだ層３０Ａのはんだは、基台３におけるサブマウント２の設置面の水平方向に沿って広がっていくとともに、サブマウント１０の側方において基台３の上方にも広がっていく。

　このとき、溶融した第１はんだ層３０Ａのはんだは、第１はんだ層３０Ａの外周端部ではんだが存在する領域を起点としてサブマウント１０の外縁からはみ出していくことになるが、本実施の形態では、第１はんだ層３０Ａの外周端部には開口部３３が断続的に形成されているので、第１はんだ層３０Ａの外周端部には、はんだが存在する領域とはんだが存在しない領域とが存在することになる。

　具体的には、図１４に示すように、第１金属膜１２の下面の外縁には、第１はんだ層３０Ａが存在する第１領域３４ａと、第１はんだ層３０Ａが存在しない第２領域３４ｂとが交互に存在する部分がある。このため、溶融した第１はんだ層３０Ａのはんだは、第１はんだ層３０Ａが存在する第１領域３４ａを起点としてサブマウント１０の外縁からはみ出していくことになる。

　そして、このはんだのはみ出しが進むにしたがって、サブマウント１０の外縁に沿った第１はんだ層３０Ａが存在しない第２領域３４ｂの長さが小さくなっていく（つまり、開口部３３がはんだで徐々に埋められていく）が、溶融したはんだの表面張力によって、溶融前の第１はんだ層３０Ａが存在しない第２領域３４ｂ（開口部３３）から、溶融したはんだがサブマウント１０から外側にはみ出すことが抑制される。つまり、サブマウント１０の外縁における溶融前の第１はんだ層３０Ａの配置領域以外からサブマウント１０の外側にはんだがはみ出すことが抑制される。この結果、サブマウント１０の外縁からはみ出した第１はんだ層３０Ａのはんだは、図３及び図４に示される形状のはみ出し領域３１となる。具体的には、第１はんだ層３０Ａの溶融したはんだは、冷却後に、図３及び図４に示されるように、はみ出し領域３１に複数の凸部３１ａが形成された形状のはんだ３０になる。

　このとき、本実施の形態では、図１４に示すように、第１はんだ層３０Ａの開口部３３の中には、複数の開口部３３が周期的に存在するものが含まれる。つまり、第１金属膜１２の下面の外縁に存在する第２領域３４ｂ（第１はんだ層３０Ａが存在しない領域）の中には、複数の第２領域３４ｂが周期的に存在するものが含まれる。これにより、はんだ３０のはみ出し領域３１は、周期的に存在する複数の凸部３１ａを有することになる。複数の凸部３１ａが周期的に存在することで、はんだ３０が偏らずにはみ出していることになり、サブマウント１０が傾くことなくサブマウント１０を基台３に接合することができる。

　なお、サブマウント１０の傾きについては、はんだ３０における複数の凸部３１ａの状態を測定することで評価することができる。したがって、このときに、サブマウント１０の傾きを評価することで、良・不良の判定をする検査を行ってもよい。この検査方法の詳細については後述する。

　次に、半導体レーザ２０とリードピン４とをワイヤボンディングする（ステップＳ１４）。具体的には、半導体レーザ２０の一対の電極の一方と一対のリードピン４の一方とを金ワイヤ７によって接続するとともに、サブマウント１０の第２金属膜１３と一対のリードピン４の他方とを金ワイヤ７によって接続する。

　次に、ベース２にキャップ５を溶接する（ステップＳ１５）。具体的には、半導体レーザ２０とリードピン４とをワイヤボンディングした後、ＵＶ照射オゾン洗浄し、その後、キャップ５をベース２に配置して、ベース２とキャップ５とを溶接することで接合する。

　これにより、図１及び図２に示されるＴＯ－ＣＡＮパッケージタイプの半導体レーザ装置１が完成する。

　ここで、はんだ付きサブマウント１０Ａにおける第１はんだ層３０Ａの好ましい形態について、図１４を参照して説明する。

　まず、図１４の（ｂ）に示すように、第１はんだ層３０Ａの平面視において、第１金属膜１２の下側の面の外縁における第１領域３４ａの長さ（図１４のｄ２、ｄ５）は、２０μｍ以上２００μｍ以下であるとよい。

　第１領域３４ａは、第１はんだ層３０Ａが存在する領域であるので、第１はんだ層３０Ａのはんだが溶融したときに、溶融したはんだがサブマウント１０からはみ出していくときに起点となる領域である。

　このとき、第１領域３４ａの長さが長くなりすぎると、第１はんだ層３０Ａのはんだが溶融してサブマウント１０の外側に広がっていくときに、サブマウント１０とはんだのはみ出し領域（凸部３１ａ）との境界の長さが長くなり過ぎるおそれがある。つまり、はんだ３０の凸部３１ａの根元の幅が長くなり過ぎるおそれがあり、その凸部３１ａのはんだのはみだし量が部分的に多くなりすぎるおそれがある。このように、凸部３１ａの根元の幅が長くなり過ぎると、はんだ３０のはみ出し領域３１（凸部３１ａ）の対称性が崩れてしまい、はんだ３０で接合されるサブマウント１０が傾いてしまうおそれがある。そこで、第１領域３４ａの長さは、２００μｍ以下であるとよい。これにより、凸部３１ａの根元の幅が長くなり過ぎることを抑制でき、サブマウント１０が傾くことを抑制できる。

　一方、第１領域３４ａの長さが短すぎると、第１はんだ層３０Ａのはんだが溶融したときに、溶融したはんだがサブマウント１０の第１領域３４ａからはみ出しにくくなり、溶融したはんだの行き場が制限されるおそれがある。このとき、行き場が制限されたはんだは、第２領域３４ｂ（第１はんだ層３０Ａが存在しない領域）に広がっていき、溶融したはんだは、第１領域３４ａ（第１はんだ層３０Ａが存在する領域）からサブマウント１０の外側にはみ出すのではなく、第２領域３４ｂからサブマウント１０の外側にはみ出すおそれがある。このように、第２領域３４ｂからはんだがはみ出してしまうと、はんだ３０のはみ出し領域３１（凸部３１ａ）の対称性が崩れてしまい、はんだ３０で接合されるサブマウント１０が傾くおそれがある。そこで、第１領域３４ａの長さは、２０μｍ以上であるとよい。これにより、溶融したはんだが第２領域３４ｂから外側にはみ出すことを抑制でき、サブマウント１０が傾くことを抑制できる。

　一例として、矩形のサブマウント１０において、長辺の第１領域３４ａの長さｄ２は、８０μｍであり、短辺の第１領域３４ａの長さｄ５は、８０μｍである。なお、本実施の形態において、長辺の第１領域３４ａの長さｄ２と短辺の第１領域３４ａの長さｄ５とは同じであるが、これに限らない。この場合、短辺の第１領域３４ａの長さｄ５が、長辺の第１領域３４ａの長さｄ２よりも大きいとよい（ｄ５＞ｄ２）。これにより、長辺からはみ出した凸部３１ａのはみ出し量と短辺からはみ出した凸部３１ａのはみ出し量とを均等にすることができる。

　また、図１４の（ｂ）に示すように、第１はんだ層３０Ａの平面視において、第１金属膜１２の下側の面の外縁における第２領域３４ｂの長さ（図１４のｄ１、ｄ４）は、２０μｍ以上２００μｍ以下であるとよい。

　このように、第２領域３４ｂの長さを２００μｍ以下にすることで、第１はんだ層３０Ａのはんだが溶融して複数の第１領域３４ａからサブマウント１０の外側にはみ出すときに、複数の第１領域３４ａの各々からはみ出したはんだ（複数の凸部３１ａ）が離散的になり過ぎることを抑制できる。はみ出したはんだが離散的になった場合は、はみ出す箇所の個数が少なくなり、各凸部３１ａの大きさの差がはみだし量の均等性を崩しやすい。よって、はみ出したはんだが過度に離散的にならない場合は、はんだ３０で接合されるサブマウント１０が傾くことを抑制できる。また、第２領域３４ｂの長さを２０μｍ以上にすることで、第１はんだ層３０Ａのはんだが溶融して複数の第１領域３４ａからサブマウント１０の外側にはみ出すときに、複数の第１領域３４ａの各々からはみ出したはんだが接触して一体化することを抑制できる。つまり、隣り合う２つの凸部３１ａ同士が接触して一体化することを抑制できる。

　一例として、矩形のサブマウント１０において、長辺の第２領域３４ｂの長さｄ１は、６０μｍであり、短辺の第２領域３４ｂの長さｄ４は、５０μｍである。なお、本実施の形態において、長辺の第２領域３４ｂの長さｄ１と短辺の第２領域３４ｂの長さｄ４とは異なっているが、同じであってもよい。また、長辺の第２領域３４ｂの長さｄ１と短辺の第２領域３４ｂの長さｄ４とが異なる場合、本実施の形態のように、長辺の第２領域３４ｂの長さｄ１が、短辺の第２領域３４ｂの長さｄ５よりも大きいとよい。これにより、長辺からはみ出した凸部３１ａのはみ出し量と短辺からはみ出した凸部３１ａのはみ出し量とを均等にすることができる。

　また、図１４の（ｂ）に示すように、第１はんだ層３０Ａの平面視において、絶縁性部材１１の外周端部における開口部３３の一端部と一端部とは反対側の他端部との長さ（図１４のｄ３、ｄ６）は、２０μｍ以上１００μｍ以下であるとよい。つまり、絶縁性部材１１の外周端部から内側に向かって後退するように切り欠かれた開口部３３の後退量は、２０μｍ以上１００μｍ以下であるとよい。

　このように、開口部３３の後退量を２０μｍ以上にすることで、第１はんだ層３０Ａのはんだが溶融したときに、溶融したはんだが、第２領域３４ｂ（第１はんだ層３０Ａが存在しない領域）からサブマウント１０の外側にはみ出してしまうことを抑制できる。また、開口部３３の後退量を１００μｍ以下にすることで、サブマウント１０（絶縁性部材１１）の内側領域において、サブマウント１０と基台３との間にはんだが存在しなくなる部分（ボイド）が発生することを抑制できる。これにより、はんだ３０にボイドが発生することを抑制できるので、半導体レーザ２０で発生する熱の放熱性が低下することを抑制できる。

　一例として、矩形のサブマウント１０において、開口部３３における長辺からの後退量の長さｄ３は、３０μｍであり、開口部３３における短辺からの後退量の長さｄ６は、３０μｍである。なお、本実施の形態において、長さｄ３と長さｄ６とは同じであるが、長さｄ３と長さｄ６とは異なっていてもよい。

　また、図１４の（ｂ）に示すように、矩形のサブマウント１０（絶縁性部材１１）の外縁の１辺において、当該１辺の中央部における第１領域３４ａの長さは、当該１辺の端部に最も近い部分の第１領域３４ａの長さよりも短くなっているとよい。

　サブマウント１０と基台３及び半導体レーザ２０とを接合する際に、半導体レーザ２０の中央に荷重をかける。このとき、第１はんだ層３０Ａの一辺における複数の第１領域３４ａの長さが同じで、第２領域３４ｂが等間隔であると、サブマウント１０の端部に近いほど、サブマウント１０からはみ出したはんだ（凸部３１ａ）の大きさが小さくなる。そこで、第１はんだ層３０Ａの１辺において、中央部に位置する第１領域３４ａの長さを端部に最も近い部分に位置する第１領域３４ａの長さよりも短くすることで、サブマウント１０からはみ出したはんだ（凸部３１ａ）の大きさを均一にすることができる。これにより、サブマウント１０の１辺において、サブマウント１０からはみ出した複数の凸部３１ａのはみ出し量を均一にすることができる。したがって、はんだ３０で接合されるサブマウント１０の傾きを抑制することができる。

　この場合、第１はんだ層３０Ａの１辺における複数の第１領域３４ａの長さを、中央部から端部に近づくにしたがって徐々に長くするとよい。例えば、図１４の（ａ）では、第１はんだ層３０Ａの長辺に５つの第１領域３４ａが存在するが、中央の第１領域３４ａの長さを最も短くし（例えば４０μｍ）、両端の２つの第１領域３４ａの長さを最も長くし（例えば８０μｍ）、中央の第１領域３４ａと両端の第１領域３４ａの間の中間の２つの第１領域３４ａの長さをその中間の長さ（例えば６０μｍ）にするとよい。

　なお、本実施の形態におけるはんだ付きサブマウント１０Ａでは、第１はんだ層３０Ａに形成された開口部３３の形状（開口形状）を三角形としたが、これに限らない。

　例えば、図１７に示されるはんだ付きサブマウント１０Ｂのように、第１はんだ層３０Ａに形成された開口部３３の形状は、半円形であってもよい。このように開口部３３の形状を半円形にすることで、はんだのレジストのリフトオフを容易にすることができる。

　また、図１８に示されるはんだ付きサブマウント１０Ｃのように、第１はんだ層３０Ａに形成された開口部３３の形状は、矩形であってもよい。このように開口部３３の形状を矩形にすることで、後述するように、はんだ付き集合サブマウントを分割してはんだ付きサブマウント１０Ａを作製する際に、分割時の位置ずれに対する開口幅の変動を抑制することができ、はんだ付きサブマウントの素子ばらつきを抑制することができる。

　なお、はんだ３０の複数の凸部３１ａを周期的に形成するとの観点では、第１はんだ層３０Ａの開口部３３の形状は、三角形であるとよい。溶融した第１はんだ層３０Ａのはんだがサブマウント１０の外側にはみ出すときのはみ出しにくさについては、開口部３３の形状に依存することになるが、開口部３３の形状を三角形にすることで、開口部３３の形状が半円形及び矩形の場合と比べて、溶融したはんだが開口部３３を埋めて第２領域３４ｂからサブマウント１０の外側からはみ出してしまうこがを抑制された。この結果、周期的な凸部３１ａを安定して形成することができた。

　また、第１はんだ層３０Ａの開口部３３の位置についても、図１４の（ｂ）に示される位置に限らない。

　例えば、図１９に示されるはんだ付きサブマウント１０Ｄのように、第１はんだ層３０Ａの開口部３３は、短辺及び長辺のうち長辺にのみ形成されていてもよい。サブマウント１０は短手方向に傾きやすいので、短辺に凸部３１ａが形成されていなくても、長辺にさえ周期的な凸部３１ａが形成されていれば、サブマウント１０の傾きを抑制することができる。

　また、図２０に示されるはんだ付きサブマウント１０Ｅのように、第１はんだ層３０Ａの開口部３３は、第１はんだ層３０Ａの角部に形成されていなくてもよい。溶融した第１はんだ層３０Ａのはんだは、中心から最も遠い角部からはみ出すことになるので、第１はんだ層３０Ａの角部に開口部３３が形成されていなくても、全体としてサイズが揃った複数の凸部３１ａを形成することができる。さらに、はんだ付き集合サブマウントを分割してはんだ付きサブマウント１０Ｅを作製する場合、第１はんだ層３０Ａの角部分にはんだが存在しない方が分割面の形状を直線的にすることができた。

　また、図２１に示されるはんだ付きサブマウント１０Ｆのように、第１はんだ層３０Ａの複数の角部において、開口部３３が形成された角部と開口部３３が形成された角部とが交互に存在するように構成されていてもよい。この構成により、半導体レーザ２０がサブマウント１０の幅方向の中心に対してオフセットした位置に実装される場合に、半導体レーザ２０の発光点の直下に第１領域３４ａを配置することが容易となり、この構成において半導体レーザ２０で発生する熱の放熱性を向上させることができる。

　なお、図１９～図２１では、第１はんだ層３０Ａの開口部３３が左右対称又は上下対称に形成されていないが、これらのはんだ付きサブマウント１０Ｆを用いて半導体レーザ装置を作製することで、サブマウント１０の傾きを抑制することができた。

　［はんだ付き集合サブマウント］
　上記のはんだ付きサブマウント１０Ａ～１０Ｆについては、１つ１つ個別に作製することもできるが、１つのはんだ付き集合サブマウントを複数に分割することによって、はんだ付きサブマウント１０Ａ～１０Ｆを作製することもできる。

　以下、そのようなはんだ付き集合サブマウント１０Ｘについて、図２２を用いて説明する。図２２は、実施の形態に係るはんだ付き集合サブマウント１０Ｘの構成を示す図である。図２２において、（ａ）は上面図、（ｂ）及び（ｃ）は側面図、（ｄ）は背面図である。

　はんだ付き集合サブマウント１０Ｘは、はんだ付きサブマウントの集合体である。はんだ付き集合サブマウント１０Ｘを複数に分割することで、複数のはんだ付きサブマウントを得ることができる。

　図２２に示すように、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘは、基板１１Ｘと、第１金属膜１２Ｘと、第２金属膜１３Ｘと、バリア膜１４Ｘと、第１はんだ層３０Ｘと、第２はんだ層４０Ｘとを備える。

　はんだ付き集合サブマウント１０Ｘの上側の面には、格子状の溝５０Ｘが形成されている。溝５０Ｘは、基板１１Ｘに形成されている。具体的には、溝５０Ｘは、基板１１Ｘの上面から下面に向かって掘り込むように形成されている。

　基板１１Ｘは、絶縁性材料によって構成された絶縁基板である。基板１１Ｘは、サブマウント１０の絶縁性部材１１となる。したがって、基板１１Ｘは、絶縁性部材１１と同じ材料によって構成されている。

　第１金属膜１２Ｘは、基板１１Ｘの下側の面に配置されている。第１金属膜１２Ｘは、格子状の溝５０Ｘをまたいで基板１１Ｘの下側の面の全面に形成されている。第１金属膜１２Ｘは、サブマウント１０の第１金属膜１２と同じ材料によって構成されている。

　第２金属膜１３Ｘは、基板１１Ｘの上側の面に配置されている。上面視において、第２金属膜１３Ｘは、格子状の溝５０Ｘの複数の枠ごとに形成されている。第２金属膜１３Ｘは、サブマウント１０の第２金属膜１３と同じ材料によって構成されている。

　バリア膜１４Ｘは、各第２金属膜１３Ｘの上側の面に形成されている。上面視において、バリア膜１４Ｘは、格子状の溝５０Ｘの複数の枠ごとに形成されている。バリア膜１４Ｘは、サブマウント１０のバリア膜１４と同じ材料によって構成されている。

　第１はんだ層３０Ｘは、基板１１Ｘの下側に配置されている。本実施の形態において、第１はんだ層３０Ｘは、第１金属膜１２Ｘの下側の面に配置されている。第１はんだ層３０Ｘは、第１金属膜１２Ｘと同様に、格子状の溝５０Ｘをまたいで第１金属膜１２Ｘの下側の面の全面にわたって形成されている。第１はんだ層３０Ｘは、はんだ付きサブマウント１０Ａの第１はんだ層３０Ａと同じ材料によって構成されている。つまり、第１はんだ層３０Ｘは、半導体レーザ装置１のはんだ３０と同じ材料によって構成されている。

　第２はんだ層４０Ｘは、基板１１Ｘの上側に配置されている。本実施の形態において、第２はんだ層４０Ｘは、各バリア膜１４Ｘの上側の面に配置されている。上面視において、第２はんだ層４０Ｘは、格子状の溝５０Ｘの複数の枠ごとに形成されている。第２はんだ層４０Ｘは、はんだ付きサブマウント１０Ａの第２はんだ層４０Ａと同じ材料によって構成されている。つまり、第２はんだ層４０Ｘは、半導体レーザ装置１のはんだ４０と同じ材料によって構成されている。

　はんだ付き集合サブマウント１０Ｘでは、第１はんだ層３０Ｘに複数の開口部３３Ｘが形成されている。複数の開口部３３Ｘの各々は、第１はんだ層３０Ｘが存在しない領域である。複数の開口部３３Ｘは、溝５０Ｘの直下の位置に形成される。また、複数の開口部３３Ｘは、周期的に形成されている。したがって、溝５０Ｘの直下の位置には、第１はんだ層３０Ｘが存在しない領域が周期的に存在する部分がある。具体的には、複数の開口部３３Ｘは、格子状の溝５０Ｘに対応して、ミシン目状の複数の直線（破線）が直交するようにして形成されている。なお、１つの開口部３３Ｘの形状は、一例として、矩形状である。この場合、複数の開口部３３Ｘは、隣り合う２つの開口部３３Ｘの矩形の角部同士が対向するようにして配列されている。

　第１はんだ層３０Ｘに開口部３３Ｘが形成されることで、開口部３３Ｘからは第１金属膜１２Ｘが露出することになる。したがって、溝５０Ｘの直下の位置において、第１はんだ層３０Ｘに複数の開口部３３Ｘが周期的に存在することで、第１金属膜１２Ｘの下側の面には、第１はんだ層３０Ｘが存在する領域と、第１はんだ層３０Ｘが存在しない領域とが周期的に交互に存在することになる。

　次に、図２２を参照しながら、図２２に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｘを用いてはんだ付きサブマウント１０Ａを作製する方法について、図２３を用いて説明する。図２３は、実施の形態に係るはんだ付きサブマウント１０Ａの製造方法を示すフロー図である。

　まず、基板１１Ｘに格子状の溝５０Ｘを形成する（ステップＳ２１）。具体的には、図２２に示されるように、基板１１Ｘの上面から下面に向かって掘り込むように溝５０Ｘを形成する。基板１１Ｘとしては、ダイヤモンド基板、ＳｉＣ基板又はＡｌＮ基板を用いることができる。この場合、レーザ加工、回転刃加工又はエッチング（ウェットエッチング、ドライエッチング）によって、基板１１Ｘに格子状の溝５０Ｘを形成することができる。なお、溝５０Ｘは、連続した直線状で形成されているが、破線状に形成されていてもよい。

　次に、基板１１Ｘに裏面金属膜を形成する（ステップＳ２２）。具体的には、図２２に示すように、基板１１Ｘの下側の面に裏面金属膜として第１金属膜１２Ｘを形成する。一例として、第１金属膜１２ＸとしてＴ１／Ｐｔ／Ａｕの３層の積層膜を蒸着によって形成する。第１金属膜１２Ｘは、第１はんだ層３０Ｘのはんだ下地層となる。

　次に、裏面金属膜に裏面はんだを形成する（ステップＳ２３）。具体的には、図２２に示すように、裏面金属膜である第１金属膜１２Ｘの下側の面に裏面はんだとして第１はんだ層３０Ｘを形成する。このとき、図２２に示されるように、格子状の溝５０Ｘの直下に位置する複数の開口部３３Ｘを有する第１はんだ層３０Ｘを形成する。

　この場合、例えば、第１金属膜１２Ｘの表面に裏面レジストをパターン形成し、ＡｕＳｎはんだ等のはんだを蒸着によって形成し、その後、裏面レジストを剥離する。これにより、複数の開口部３３Ｘを有する第１はんだ層３０Ｘを形成することができる。

　次に、基板１１Ｘに表面金属膜を形成する（ステップＳ２４）。具体的には、図２２に示すように、基板１１Ｘの上側の面に表面金属膜として第２金属膜１３Ｘを形成する。一例として、第２金属膜１３ＸとしてＴ１／Ｐｔ／Ａｕの３層の積層膜を蒸着によって形成する。第２金属膜１３Ｘは、第２はんだ層４０Ｘのはんだ下地層となる。

　次に、表面金属膜にバリア膜１４Ｘを形成する（ステップＳ２５）。具体的には、図２２に示すように、表面金属膜である第２金属膜１３Ｘの上側の面にバリア膜１４Ｘを形成する。一例として、表面レジストをパターン形成し、白金膜を蒸着によって形成し、その後、表面レジストを剥離する。これにより、格子状の溝５０Ｘの枠ごとにバリア膜１４Ｘを形成することができる。

　次に、バリア膜１４Ｘに表面はんだを形成する（ステップＳ２６）。具体的には、図２２に示すように、バリア膜１４Ｘの上側の面に表面はんだとして第２はんだ層４０Ｘを形成する。具体的には、バリア膜１４Ｘを覆うように基板１１Ｘの全面に表面レジストをパターン形成し、ＡｕＳｎはんだ等のはんだを蒸着によって形成し、その後、表面レジストを剥離する。これにより、格子状の溝５０Ｘの枠ごとに第２はんだ層４０Ｘを形成することができる。

　以上により、図２２に示すように、溝５０Ｘが形成されたはんだ付き集合サブマウント１０Ｘを作製することができる。

　次に、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘをエキスパンドシートに貼付する（ステップＳ２７）。エキスパンドシートは粘着性を有する伸縮性シートである。具体的には、エキスパンドシートの上にはんだ付き集合サブマウント１０Ｘを配置する。これにより、エキスパンドシートの粘着層によりはんだ付き集合サブマウント１０Ｘがエキスパンドシートに貼り付けられる。

　次に、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘの溝５０Ｘを押圧してブレイキングする（ステップＳ２８）。具体的には、エキスパンドシートの裏面から溝５０Ｘを押圧する。これにより、溝５０Ｘが分割線となって溝５０Ｘに沿ってはんだ付き集合サブマウント１０Ｘが複数に分割される。この場合、例えば、まず、長辺側の溝５０Ｘを押圧し、その後、短辺側の溝５０Ｘを押圧する。なお、短辺側の受け台としてはゴム部材を用い、長辺側の受け台としてはステンレス部材を用いるとよい。

　また、このときに、溝５０Ｘの直下に位置する複数の開口部３３Ｘも分割されることになる。具体的には、矩形状の開口部３３Ｘが２つに分割されて、三角形の開口部３３となる。

　このように、格子状の溝５０Ｘ（分割線）を形成しておくことで、複数の開口部３３Ｘを有する第１はんだ層３０Ｘを容易に分割することができる。つまり、溝５０Ｘを形成することなく第１はんだ層３０Ｘを分割しようとすると、第１はんだ層３０Ｘにおけるはんだの柔らかさが影響して基板１１Ｘのみが分割して第１はんだ層３０Ｘが分割されないおそれがある。これに対して、複数の開口部３３Ｘに対向するように溝５０Ｘを形成しておくことで、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘをブレイキングすることによって、溝５０Ｘに沿って第１はんだ層３０Ｘを容易に分割することができる。

　なお、溝５０Ｘの深さは、基板１１Ｘの厚さの１／４以上３／４以下であるとよい。溝５０Ｘの深さが基板１１Ｘの厚さの１／４未満であると、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘがうまく分割できないおそれがある。一方、溝５０Ｘの深さが基板１１Ｘの厚さの３／４を超えると、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘの取り扱い時にはんだ付き集合サブマウント１０Ｘが割れてしまうおそれがある。つまり、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘのハンドリング性が低下する。本実施の形態では、溝５０Ｘの深さは、基板１１Ｘの厚さの１／２程度とした。

　次に、エキスパンドシートをエキスパンドして個々のはんだ付きサブマウント１０Ａに分離する（ステップＳ２９）。これにより、溝５０Ｘに沿って分割されたはんだ付き集合サブマウント１０Ｘは、複数のはんだ付きサブマウント１０Ａに分離される。

　なお、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘのブレイキング時に第１はんだ層３０Ｘに分割されていない箇所があったとしても、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘが貼付されたエキスパンドシートをエキスパンドすることで、ブレイキング時に分割されていなかった箇所を分割することもできる。これにより、分離すべきはんだ付きサブマウント１０Ａが分離せずに残るということ（いわゆる双子の発生）を抑制することができる。

　次に、はんだ付きサブマウント１０Ａをピックアップする（ステップＳ３０）。例えば、エキスパンドシート上において複数に分離されたはんだ付きサブマウント１０Ａの１つ１つをエキスパンドシートの裏側から突き上げピンで突き上げることではんだ付きサブマウント１０Ａをピックアップする。

　以上により、図２４に示されるはんだ付きサブマウント１０Ａを得ることができる。具体的には、溝５０Ｘに対応する段差部５０を有するはんだ付きサブマウント１０Ａを得ることができる。つまり、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘの溝５０Ｘは２つに分断されて、段差部５０としてはんだ付きサブマウント１０Ａに側面に残ることになる。

　ここで、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘにおける第１はんだ層３０Ｘの好ましい形態について、図２２を参照して説明する。

　まず、図２２の（ｄ）に示すように、溝５０Ｘの長手方向の中央部の直下の位置において、溝５０Ｘの長手方向に沿って第１はんだ層３０Ｘが存在する領域の長さ（図２２のＤ２、Ｄ５）は、２００μｍ以下であるとよい。つまり、溝５０Ｘの直下の位置において、第１はんだ層３０Ｘにおける隣り合う２つの開口部３３Ｘ間の距離は、２００μｍ以下であるとよい。

　はんだ付き集合サブマウント１０Ｘの分割予定箇所（格子状の溝５０Ｘ）の直下の位置において、隣り合う２つの開口部３３Ｘの距離が長くなりすぎると、第１はんだ層３０Ｘが多く存在することになって、エキスパンドシートをエキスパンドする時に第１はんだ層３０Ｘを分離しにくくなるが、隣り合う２つの開口部３３Ｘの距離を２００μｍ以下にすることで、複数の開口部３３Ｘに沿って第１はんだ層３０Ｘを容易に分割することができる。

　なお、第１はんだ層３０Ｘにおいて、長辺側における隣り合う２つの開口部３３Ｘの距離Ｄ２は、短辺側における隣り合う２つの開口部３３Ｘの距離５２よりも大きいとよい（Ｄ２＞Ｄ５）。これにより、短手方向に傾きやすいサブマウント１０の傾きを効果的に抑制することができる。また、分割後のサブマウントの使用形態を考えると、Ｄ２およびＤ５は、２０μｍ以上２００μｍ以下であるとよい。

　また、図２２の（ｄ）に示すように、溝５０Ｘの長手方向の中央部の直下の位置において、溝５０Ｘの長手方向に沿って第１はんだ層３０Ｘが存在しない領域の長さ（図２２のＤ１、Ｄ４）は、２０μｍ以上であるとよい。つまり、溝５０Ｘの直下の位置において、溝５０Ｘに沿った開口部３３Ｘの長さが２０μｍ以上であるとよい。

　これにより、はんだ付き集合サブマウント１０Ｘを分割する際に分割阻害要因となる第１はんだ層３０Ｘの存在領域が減ることになるので、第１はんだ層３０Ｘを容易に分割することができる。また、分割後のサブマウントの使用形態を考えると、Ｄ１およびＤ４は、２０μｍ以上２００μｍ以下であるとよい。

　また、図２２の（ｄ）に示すように、溝５０Ｘの長手方向において、溝５０Ｘの中心線と、第１はんだ層３０Ｘが存在しない領域の端との距離（図２２のＤ６）は、２０μｍ以上であるとよい。つまり、溝５０Ｘの直下の位置において、溝５０Ｘの中心線と開口部３３Ｘの端との距離は、２０μｍ以上であるとよい。

　物理的応力によってはんだ付き集合サブマウント１０Ｘを分割する際、分割面は必ずしも分割主面に対して垂直になるとは限らず、分割面がずれることがある。このとき、溝５０Ｘの残し厚から基板１１Ｘの表面までの距離が１００μｍ程度である場合、分割面のずれは溝５０Ｘの中心線から２０μｍ未満であった。そこで、溝５０Ｘの中心線と開口部３３Ｘの端との距離Ｄ６を２０μｍ以上にすることで、溝５０Ｘの中心線から２０μｍ以上離れた箇所まで開口部３３Ｘが存在することになる。これにより、分割面の端が開口部３３Ｘと重なるので、エキスパンドシートをエキスパンドする時に第１はんだ層３０Ｘが分離されなくなること（いわゆる双子が発生すること）を抑制することができる。この距離Ｄ６が大きすぎると、上面に半導体レーザを実装するスペースが少なくなる。よって、例えばこの距離Ｄ６は２００μｍ以下であると良い。また、分割後のサブマウントの使用形態を考えると、Ｄ６は、ｄ３およびｄ６の倍である４０μｍ以上２００μｍ以下であるとよい。

　なお、図２２に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｘでは、複数の開口部３３Ｘは、第１はんだ層３０Ｘの外周端部に形成されていなかったが、これに限らない。例えば、図２５に示される変形例１に係るはんだ付き集合サブマウント１０Ｙのように、複数の開口部３３Ｘは、格子状の溝５０Ｘの直下に位置するように断続的に形成されるとともに、第１はんだ層３０Ｘの外周端部に沿って断続的に形成されていてもよい。この場合、第１はんだ層３０Ｘの外周端部に位置する複数の開口部３３Ｘの各々は、第１はんだ層３０Ｘの外周端部を切り欠くように形成されている。図２５は、変形例１に係るはんだ付き集合サブマウント１０Ｙの構成を示す図である。図２５において、（ａ）は上面図、（ｂ）及び（ｃ）は側面図、（ｄ）は背面図である。

　図２５に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｙについても、図２２に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｘと同様にして作製することができる。例えば、基板１１Ｘの溝５０Ｘは、レーザ光を照射する等して形成することができる。

　また、図２５に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｙについても、物理的応力を加えてブレイキングすることで格子状の溝５０Ｘに沿ってはんだ付き集合サブマウント１０Ｙを複数に分割し、その後、エキスパンドシートでエキスパンドすることで個々のはんだ付きサブマウント１０Ａに分離することができる。

　このとき、図２５に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｙを用いた場合は、図２６に示すように、幅方向の両端部に段差部５０が形成されたはんだ付きサブマウント１０Ａが得られるだけではなく、幅方向の両端部の一方のみに段差部５０が形成されたはんだ付きサブマウント１０Ａも得られる。つまり、左右非対称のはんだ付きサブマウント１０Ａも作製される。

　このように、上記の図２２のはんだ付き集合サブマウント１０Ｘを分割して複数のはんだ付きサブマウント１０Ａを作製した場合は、分割線となる溝５０Ｘが基板１１Ｘの端部ではなく端部から内側に入った箇所に形成されているので分割ロスが発生するものの、作製される複数のはんだ付きサブマウント１０Ａは左右対称なものになる。

　一方、図２５のはんだ付き集合サブマウント１０Ｙを分割して複数のはんだ付きサブマウント１０Ａを作製した場合は、分割線となる溝５０Ｘが基板１１Ｘの端部に形成されていないので分割ロスが発生しないものの、作製される複数のはんだ付きサブマウント１０Ａには左右非対称のものが混じることになる。

　また、図２２に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｘでは、分割用の溝５０Ｘを形成することで、複数のはんだ付きサブマウント１０Ａを作製したが、これに限らない。つまり、基板１１Ｘに溝５０Ｘを形成することなく、はんだ付き集合サブマウントを複数に分割してもよい。例えば、基板１１ＸがＳｉＣ基板又はＡｌＮ基板であれば、基板１１Ｘに溝５０Ｘを形成しなくても、はんだ付き集合サブマウントを複数に分割することができる。

　この場合、図２７に示される方法によって、はんだ付き集合サブマウントを複数に分割することができる。図２７は、はんだ付きサブマウントの製造方法の変形例を示すフロー図である。

　まず、基板１１Ｘに裏面金属膜を形成する（ステップＳ３１）。具体的には、図２３のステップＳ２２と同様に、基板１１Ｘの下側の面に裏面金属膜として第１金属膜１２Ｘを形成する。

　次に、裏面金属膜に裏面はんだを形成する（ステップＳ３２）。具体的には、図２３のステップＳ２３と同様に、裏面金属膜である第１金属膜１２Ｘの下側の面に裏面はんだとして第１はんだ層３０Ｘを形成する。このとき、格子状の複数の開口部３３Ｘを有する第１はんだ層３０Ｘを形成する。

　次に、基板１１Ｘに表面金属膜を形成する（ステップＳ３３）。具体的には、図２３のステップＳ２４と同様に、基板１１Ｘの上側の面に表面金属膜として第２金属膜１３Ｘを形成する。

　次に、表面金属膜にバリア膜１４Ｘを形成する（ステップＳ３４）。具体的には、図２３のステップ２５と同様に、表面金属膜である第２金属膜１３Ｘの上側の面にバリア膜１４Ｘを形成する。

　次に、バリア膜１４Ｘに表面はんだを形成する（ステップＳ３５）。具体的には、図２３のステップ２６と同様に、バリア膜１４Ｘの上側の面に表面はんだとして第２はんだ層４０Ｘを形成する。

　以上により、溝５０Ｘが形成されていないはんだ付き集合サブマウントを作製することができる。

　次に、はんだ付き集合サブマウントをエキスパンドシートに貼付する（ステップＳ３６）。具体的には、図２３のステップＳ２７と同様に、エキスパンドシートの上にはんだ付き集合サブマウントを配置する。

　次に、はんだ付き集合サブマウントをダイシングする（ステップＳ３７）。具体的には、エキスパンドシートの裏面からはんだ付き集合サブマウントをダイシングする。このとき、枠状に形成された複数の開口部３３Ｘに沿ってはんだ付き集合サブマウントをダイシングする。これにより、はんだ付き集合サブマウントが複数のはんだ付きサブマウントに分割される。

　次に、エキスパンドシートをエキスパンドして個々のはんだ付きサブマウントに分離する（ステップＳ３８）。具体的には、図２３のステップ３９と同様に、エキスパンドシートをエキスパンドする。

　次に、はんだ付きサブマウントをピックアップする（ステップＳ３９）。具体的には、図２３のステップ３０と同様に、はんだ付きサブマウントをピックアップする。

　以上により、複数のはんだ付きサブマウントを得ることができる。このようにして得られたはんだ付きサブマウントは、はんだ付き集合サブマウントに溝５０Ｘが形成されていないので、溝５０Ｘに対応する段差部が形成されていない。

　また、他の変形例として、図２８に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｚを用いて、複数のはんだ付きサブマウント１０Ａを作製してもよい。図２８は、変形例２に係るはんだ付き集合サブマウント１０Ｚの構成を示す図である。図２８において、（ａ）は上面図、（ｂ）及び（ｃ）は側面図、（ｄ）は背面図であり、（ｅ）は（ｄ）のｅ－ｅ線における断面図である。

　図２８に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｚでは、基板１１Ｘに溝５０Ｘを形成しておらず、溝５０Ｘの代わりに、基板１１Ｘの内部に格子状の変質部５０Ｚを形成している。

　この場合、例えば、基板１１Ｘとしてダイヤモンド基板を用いて、基板１１Ｘに格子状にレーザ光を照射することで基板１１Ｘの内部に格子状の変質部５０Ｚを形成することができる。基板１１Ｘにレーザ光を照射すると、レーザ光によってダイヤモンドが溶融し、基板１１Ｘの内部が導電性カーボンからなる変質部５０Ｚに変質する。

　このようにして得られたはんだ付き集合サブマウント１０Ｚについても、物理的応力を加えてブレイキングすることで格子状の変質部５０Ｚに沿ってはんだ付き集合サブマウント１０Ｚを複数に分離し、その後、エキスパンドシートでエキスパンドすることで個々のはんだ付きサブマウント１０Ａに分離することができる。このとき、図２９に示すように、絶縁性部材１１（基板１１Ｘ）の側面に変質部５０Ｚが存在するはんだ付きサブマウント１０Ａが作製される。

　なお、その他の変形例として、図３０に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｐを用いてもよい。図３０は、変形例３に係るはんだ付き集合サブマウント１０Ｐの構成を示す図である。図３０において、（ａ）は背面図であり、（ｂ）は（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。

　図３０に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｐでは、格子状の溝５０Ｘの直下に位置する格子状の複数の開口部３３Ｘの枠の各々の中央部（つまり分割に寄与しない箇所）に、さらに、第１金属膜１２Ｘが露出した開口部３３Ｐが形成されている。つまり、分割後には、はんだ付きサブマウント１０Ａとなる絶縁性部材１１の中央部に、第１はんだ層３０Ｘが存在しない領域がある。

　このように、格子状の溝５０Ｘの直下以外に開口部３３Ｐを別途形成することで、エキスパンドシートとはんだ付き集合サブマウント１０Ｐとの接触面積を減少させることができるので、はんだ付きサブマウント１０Ａを容易にピックアップすることができる。つまり、エキスパンドシート上のはんだ付きサブマウント１０Ａを突き上げピンによって容易に突き上げることができ、ピックックアップ性を向上させることができる。しかも、開口部３３Ｐは、分割線となる溝５０Ｘと交わることのない箇所に形成されているので、開口部３３Ｐによってはんだ付き集合サブマウント１０Ｐを分割することに影響を与えることはない。なお、開口部３３Ｐを複数形成することで、エキスパンドシートとはんだ付き集合サブマウント１０Ｐとの接触面積をさらに減少させることができるので、ピックアップ性をさらに向上させることができる。さらに開口による露出部が半田に対する濡れ性の高い第１金属膜１２Ｘであることにより、実装時のはんだの拡がりを良くすることができる。

　また、図３１に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｑをも用いてもよい。図３１は、変形例４に係るはんだ付き集合サブマウント１０Ｑの構成を示す図である。図３１において、（ａ）は背面図であり、（ｂ）は（ａ）のｂ－ｂ線における断面図である。

　図３１に示されるはんだ付き集合サブマウント１０Ｑでは、複数の第１金属膜１２Ｘが露出した開口部３３Ｘで構成される格子状の枠の各々に（つまり分割に寄与しない箇所に）、サブマウント１０の長手方向に平行な帯状の開口部３３Ｑが１つ又は複数本形成されている。

　この構成により、はんだ付き集合サブマウント１０Ｑが貼付されたエキスパンドシートをエキスパンドすることで複数のはんだ付きサブマウント１０Ａに分離する際に、エキスパンドによる分離性を向上させることができる。さらに、エキスパンドシートとはんだ付き集合サブマウント１０Ｑとの接触面積を減少させることもできるので、はんだ付きサブマウント１０Ａを容易にピックアップすることもできる。

　［半導体レーザ装置の検査方法］
　次に、図１及び図２に示される半導体レーザ装置１の検査方法について、図１～図４を参照して説明する。

　上記のように、ステムの基台３にはんだ付きサブマウント１０Ａと半導体レーザ２０とを設置して加熱することで、サブマウント１０と基台３とをはんだ３０で接合することができる。このとき、はんだ３０の複数の凸部３１ａの状態を測定することで、サブマウント１０の傾き（平行性）を評価することができる。

　具体的には、カメラを用いた画像認識による外観検査によって、はんだ３０の複数の凸部３１ａの数、位置、サイズ及び／又は形状等を測定し、均一性を評価することで、サブマウント１０の傾きを評価することができる。例えば、サブマウント１０の一対の長辺又は一対の短辺において凸部３１ａの数が同じである場合には、左右又は上下のはんだ３０の状態が均一になっていると判断することができ、サブマウント１０が傾いていないと評価することができる。なお、サブマウント１０の傾きの度合いによって、半導体レーザ装置１の選別を行うことができる。

　なお、半導体レーザ装置１の検査方法は、上記の半導体レーザ装置１の製造方法における検査工程として実現することができる。また、半導体レーザ装置１の検査方法は、半導体レーザ装置１の評価方法としても実現することができる。

　（変形例）
　以上、本開示に係る半導体レーザ装置等について、実施の形態に基づいて説明したが、本開示は、上記実施の形態に限定されるものではない。

　例えば、上記実施の形態では、半導体レーザ２０とサブマウント１０と基台３との接合は同時に行ったが、これに限らない。例えば、半導体レーザ２０を予めサブマウント１０に実装しておき、半導体レーザ２０が実装されたサブマウント１０を基台３に設置して、加熱して第１はんだ層３０ａを溶融することでサブマウント１０と基台３とをはんだ３０で接合してもよい。

　なお、その他に、上記実施の形態に対して当業者が思い付く各種変形を施して得られる形態や、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態１及び２における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本開示に含まれる。

　本開示に係る半導体レーザ装置は、プロジェクタ等の画像表示装置、車載用ヘッドランプ等の自動車用部品、スポットライト等の照明器具、又は、レーザ加工装置等の産業用機器等の様々な分野の製品の光源として有用である。

　１、１Ａ　半導体レーザ装置
　２　ベース
　３　基台
　４　リードピン
　５　キャップ
　６　絶縁部材
　７　金ワイヤ
　８　板ガラス
　９　接着剤
　１０　サブマウント
　１０ａ　サブマウント領域
　１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ　はんだ付きサブマウント
　１０Ｘ、１０Ｙ、１０Ｚ、１０Ｐ、１０Ｑ　はんだ付き集合サブマウント
　１１　絶縁性部材
　１１Ｘ　基板
　１２、１２Ｘ　第１金属膜
　１３、１３Ｘ　第２金属膜
　１４、１４Ｘ　バリア膜
　２０　半導体レーザ
　３０　はんだ
　３０Ａ、３０Ｘ　第１はんだ層
　３１　はみ出し領域
　３１ａ　凸部
　３１ｂ　外周部
　３２　非はみ出し領域
　３３、３３Ｘ、３３Ｐ、３３Ｑ　開口部
　３４ａ　第１領域
　３４ｂ　第２領域
　４０　はんだ
　４０Ａ、４０Ｘ　第２はんだ層
　５０　段差部
　５０Ｘ　溝
　５０Ｚ　変質部

Claims (23)

1. 　基台と、
   　はんだを介して前記基台に接合されたサブマウントと、
   　前記サブマウントに実装された半導体レーザと、を備え、
   　前記半導体レーザが実装された側から前記サブマウントを見るときを上面視とすると、
   　前記上面視において、
   　前記はんだは、複数の凸部を有し、
   　前記複数の凸部の各々は、前記サブマウントの外側の前記基台上に形成され、かつ、前記サブマウントの内部と反対の方向に突出し且つ周期的に存在する、
   　半導体レーザ装置。
2. 　前記上面視において、前記サブマウントと前記複数の凸部との境界が周期的に存在している、
   　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
3. 　前記はんだは、前記サブマウントの外縁からはみ出した外周部を有し、
   　前記複数の凸部は、前記外周部から前記サブマウントの内部と反対の方向に突出する、
   　請求項１に記載の半導体レーザ装置。
4. 　前記上面視において、前記複数の凸部の少なくとも一つは、前記半導体レーザの光軸上に位置する、
   　請求項１～３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
5. 　前記上面視において、前記サブマウントと前記複数の凸部のうちの一つとの境界の長さは、２０μｍ以上２００μｍ以下である、
   　請求項１、２、４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
6. 　前記上面視において、前記はんだは、前記サブマウントの外縁からはみ出さずに当該はんだの外縁が前記サブマウントの外縁と一致する部分の長さは、２００μｍ以下である、
   　請求項１、２、４、５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
7. 　前記サブマウントの上面視形状が矩形であり、
   　前記矩形の１辺における前記複数の凸部の個数をｎとし、前記複数の凸部の各々における前記サブマウントの外縁からのはみ出し量をＤｉ（ｉは整数、１≦ｉ≦ｎ）としたときに、
   　前記矩形の１辺において、Ｄｉの標準偏差は、Ｄｉの平均値の５０％以下である、
   　請求項１～６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
8. 　前記サブマウントの上面視形状が長方形であり、
   　前記長方形の長辺における前記複数の凸部の個数をｍとし、
   　前記半導体レーザのレーザ光の出射方向に対して右側の長辺において、前記複数の凸部の各々における前記サブマウントの外縁からのはみ出し量をＤＲｉ（ｉは整数、１≦ｉ≦ｍ）とし、
   　前記半導体レーザのレーザ光の出射方向に対して左側の長辺において、前記複数の凸部の各々における前記サブマウントの外縁からのはみ出し量をＤＬｉ（ｉは整数、１≦ｉ≦ｍ）としたときに、
   　１／３≦ＤＲｉの平均値／ＤＬｉの平均値≦３の関係を満たす、
   　請求項１～７のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
9. 　前記サブマウントの上面視形状が矩形であり、
   　前記矩形の１辺における前記複数の凸部の個数をｎとし、前記複数の凸部の間隔をＰｉ（ｉは整数、１≦ｉ≦ｎ－１）としたときに、
   　Ｐｉの標準偏差は、Ｐｉの平均値の２０％以下である、
   　請求項１～８のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
10. 　前記サブマウントの上面視形状が矩形であり、
    　前記矩形の１辺において、前記複数の凸部の間隔は、標準偏差が１０％以内の第１の間隔からなる群と、標準偏差が１０％以内の第２の間隔からなる群とを含み、
    　前記第２の間隔は、第１の間隔の１．５倍以下である、
    　請求項９に記載の半導体レーザ装置。
11. 　前記矩形の１辺において、前記複数の凸部の間隔は、さらに、前記第１の間隔及び前記第２の間隔とは異なる間隔で且つ標準偏差が１０％以内の第３の間隔からなる群を含み、
    　前記第３の間隔は、前記第１の間隔の２倍以下である、
    　請求項１０に記載の半導体レーザ装置。
12. 　基台に設置されるはんだ付きサブマウントであって、
    　絶縁性部材と、
    　金属膜と、
    　はんだ層と、を備え、
    　前記はんだ付きサブマウントを前記基台に設置したときに前記基台側となる方向を下側とし、前記基台側とは反対側となる方向を上側とすると、
    　前記金属膜は、前記絶縁性部材の下側の面に配置され、
    　前記はんだ層は、前記金属膜の下側の面に配置され、
    　前記金属膜の下側の面の外縁には、前記はんだ層が存在する第１領域と前記はんだ層が存在しない第２領域とが交互に存在する部分がある、
    　はんだ付きサブマウント。
13. 　前記絶縁性部材の下側の面の幅は、前記絶縁性部材の上側の面の幅より広い、
    　請求項１２に記載のはんだ付きサブマウント。
14. 　前記絶縁性部材の側面に変質部が存在する、
    　請求項１２に記載のはんだ付きサブマウント。
15. 　前記はんだ層の平面視において、前記金属膜の下側の面の外縁における前記第１領域の長さの各々は、２０μｍ以上２００μｍ以下である、
    　請求項１２～１４のいずれか１項に記載のはんだ付きサブマウント。
16. 　前記はんだ層の平面視において、前記金属膜の下側の面の外縁における前記第２領域の各々の長さは、２０μｍ以上２００μｍ以下である、
    　請求項１２～１５のいずれか１項に記載のはんだ付きサブマウント。
17. 　前記はんだ層の外周端部には、開口部が形成されており、
    　前記はんだ層の平面視において、前記開口部は、前記絶縁性部材の外周端部から内側に向かって後退するように切り欠かれており、
    　前記開口部における前記金属膜の下側の面の外縁が前記第２領域であり、
    　前記はんだ層の平面視において、前記絶縁性部材の外周端部における前記開口部の一端部と前記一端部とは反対側の他端部との長さは、２０μｍ以上１００μｍ以下である、
    　請求項１２～１６のいずれか１項に記載のはんだ付きサブマウント。
18. 　前記絶縁性部材の外縁の１辺において、当該１辺の中央部における前記第１領域の長さは、当該１辺の端部に最も近い部分の前記第１領域の長さよりも短い、
    　請求項１２～１７のいずれか１項に記載のはんだ付きサブマウント。
19. 　基台に設置されるはんだ付きサブマウントの集合体であるはんだ付き集合サブマウントであって、
    　基板と、
    　金属膜と、
    　はんだ層と、を備え、
    　前記基台側を下側とし、前記基台側とは反対側を上側とすると、
    　前記金属膜は、前記基板の下側の面に配置され、
    　前記はんだ層は、前記金属膜の下側の面に配置され、
    　前記はんだ付き集合サブマウントの上側の面には格子状の溝が形成されており、又は、前記基板の内部に格子状の変質部が形成されており、
    　前記溝又は前記変質部の直下の位置には、前記はんだ層が存在しない領域が周期的に存在する部分がある、
    　はんだ付き集合サブマウント。
20. 　前記溝又は前記変質部の長手方向の中央部の直下の位置において、前記長手方向に沿って前記はんだ層が存在する領域の長さは、２００μｍ以下である、
    　請求項１９に記載のはんだ付き集合サブマウント。
21. 　前記溝又は前記変質部の長手方向の中央部の直下の位置において、前記長手方向に沿って前記はんだ層が存在しない領域の長さは、２０μｍ以上２００μｍ以下である、
    　請求項１９又は２０に記載のはんだ付き集合サブマウント。
22. 　前記溝又は前記変質部の長手方向において、前記溝又は前記変質部の中心線と、前記はんだ層が存在しない領域の端との距離は、２０μｍ以上２００μｍ以下である、
    　請求項１９～２１のいずれか１項に記載のはんだ付き集合サブマウント。
23. 　半導体レーザ装置の検査方法であって、
    　前記半導体レーザ装置は、
    　基台と、
    　はんだを介して前記基台に接合されたサブマウントと、
    　前記サブマウントに実装された半導体レーザと、を備え、
    　前記半導体レーザが実装された側から前記サブマウントを見るときを上面視とすると、
    　前記上面視において、
    　前記はんだは、前記サブマウントの外縁からはみ出したはみ出し領域を有し、
    　前記はみ出し領域は、各々が外側に向かって突出する複数の凸部を有し、
    　前記半導体レーザ装置の検査方法は、前記複数の凸部の状態を測定することで、前記サブマウントの傾きを評価する、
    　半導体レーザ装置の検査方法。

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