JP2013197168A - 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザアレイ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体レーザ素子は、基板と、該基板の上に、分離部で分離して形成された複数のリッジストライプと、該複数のリッジストライプの上に一体的に形成された表面電極と、該基板の裏面に形成された裏面電極と、を備え、該複数のリッジストライプはそれぞれ、該基板の上に形成された下クラッド層と、該下クラッド層の上に形成された活性層と、該活性層の上に形成された上クラッド層と、該上クラッド層の上に形成されたコンタクト層を備える。
【選択図】図1
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体レーザ素子の正面図である。半導体レーザ素子10は、基板12を有している。基板12の上には下クラッド層14が形成されている。下クラッド層14の上には活性層16が形成されている。活性層16の上には上クラッド層18が形成されている。上クラッド層18の上にはコンタクト層20が形成されている。
実施の形態1に係る半導体レーザ素子との相違点を中心に説明する。図9は、本発明の実施の形態2に係る半導体レーザ素子の正面図である。半導体レーザ素子100の複数のリッジストライプ21a、21b、21c、21dを分離する分離部は、プロトン注入部102で形成されている。プロトン注入部102は、基板12の上に下クラッド層14、活性層16、上クラッド層18、及びコンタクト層20を形成した後に、ストライプ状にプロトンを注入して形成する。本発明の実施の形態2に係る半導体レーザ素子によれば、プロトン注入により容易に分離部を形成できる。
実施の形態1に係る半導体レーザ素子との相違点を中心に説明する。図10は、本発明の実施の形態3に係る半導体レーザ素子の正面図である。半導体レーザ素子200の複数のリッジストライプ21a、21b、21c、21dを分離する分離部は、不純物拡散部202で形成されている。不純物拡散部202は、基板12の上に下クラッド層14、活性層16、上クラッド層18、及びコンタクト層20を形成した後に、ストライプ状に不純物を拡散して形成する。本発明の実施の形態3に係る半導体レーザ素子によれば、不純物を拡散させて容易に分離部を形成できる。
実施の形態1に係る半導体レーザ素子との相違点を中心に説明する。図11は、本発明の実施の形態4に係る半導体レーザ素子の正面図である。半導体レーザ素子300の上クラッド層302は、活性層16の上と活性層16の側面に一体的に形成されている。複数のリッジストライプ21a、21b、21c、21dを分離する分離部は、絶縁膜22と表面電極24の一部(リッジ間部分24b)で形成されている。
実施の形態5は、半導体レーザアレイに関する。実施の形態5に係る半導体レーザアレイを構成する個々の半導体レーザ素子は、実施の形態1に係る半導体レーザ素子10と同じ構造を有している。
Claims (10)
- 基板と、
前記基板の上に、分離部で分離して形成された複数のリッジストライプと、
前記複数のリッジストライプの上に一体的に形成された表面電極と、
前記基板の裏面に形成された裏面電極と、を備え、
前記複数のリッジストライプはそれぞれ、前記基板の上に形成された下クラッド層と、前記下クラッド層の上に形成された活性層と、前記活性層の上に形成された上クラッド層と、前記上クラッド層の上に形成されたコンタクト層を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子。 - 前記分離部は、
前記複数のリッジストライプの側面に形成された絶縁膜と、
前記表面電極の一部であって、前記絶縁膜と接しつつ前記複数のリッジストライプの間を埋めるリッジ間部分と、を備えたことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。 - 前記分離部にはプロトンが注入されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記分離部には不純物が拡散したことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記上クラッド層は、前記活性層の上と前記活性層の側面に一体的に形成されたことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ素子。
- 前記複数のリッジストライプのうち、中央のリッジストライプの幅は端のリッジストライプの幅より大きいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記分離部のうち、中央の前記分離部の幅は端の前記分離部の幅より大きいことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 前記複数のリッジストライプはそれぞれ、平面視で長手方向の端部において幅が最大になるように形成されたことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体レーザ素子。
- 基板にストライプ状の複数の選択成長膜を形成する工程と、
前記基板のうち、前記選択成長膜が形成されていない部分に下クラッド層を選択成長する工程と、
前記下クラッド層の上に活性層を形成する工程と、
前記活性層の上と前記活性層及び前記下クラッド層の側面に上クラッド層を形成し、前記上クラッド層の上にコンタクト層を形成し、前記下クラッド層、前記活性層、前記上クラッド層、及び前記コンタクト層を有する複数のリッジストライプを形成する工程と、
前記複数のリッジストライプごとに前記コンタクト層を露出させつつ前記複数のリッジストライプの側面を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記複数のリッジストライプごとの前記コンタクト層と接し、かつ前記絶縁膜と接して前記複数のリッジストライプの間を埋める表面電極を一体的に形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。 - 基板と、
前記基板の上に第1分離部で分離して形成された複数の第1リッジストライプと、前記複数の第1リッジストライプの上に一体的に形成された第1表面電極と、前記基板の裏面であって前記第1表面電極の直下部分に形成された第1裏面電極とを有する第1半導体レーザ素子と、
前記基板の上に第2分離部で分離して形成された複数の第2リッジストライプと、前記複数の第2リッジストライプの上に一体的に形成された第2表面電極と、前記基板の裏面であって前記第2表面電極の直下部分に形成された第2裏面電極とを有する第2半導体レーザ素子と、
を備えたことを特徴とする半導体レーザアレイ。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017092088A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社ソディック | 発光素子 |
JP2017208399A (ja) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
KR101928655B1 (ko) | 2016-06-09 | 2018-12-12 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 레이저 소자, 레이저 소자의 제조 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6094043B2 (ja) * | 2012-03-16 | 2017-03-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子 |
JP6244667B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-12-13 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
JP6244668B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-12-13 | 住友電気工業株式会社 | 量子カスケードレーザ |
CN110808529A (zh) * | 2018-08-06 | 2020-02-18 | 潍坊华光光电子有限公司 | 一种优化导热的半导体激光器及其制备方法 |
Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH027588A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH0297082A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 多点発光型半導体レーザ |
JPH04303982A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-10-27 | Nec Corp | 光半導体素子の製造方法 |
JPH04305991A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
JPH05259565A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザ |
JPH05283814A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザアレイ素子 |
JPH05327119A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 多波長集積化半導体レーザの製造方法 |
JPH06132610A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザアレイ素子及びその製造方法 |
JPH0715092A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
JP2008140887A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
JP2008227058A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2008258515A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Sony Corp | 半導体レーザ装置およびレーザモジュールならびに光学装置 |
JP2009152277A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | 半導体レーザアレイ、発光装置、表示装置、加工装置および駆動方法 |
JP2009164389A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Sony Corp | 半導体レーザ及びこれを用いた記録再生用ピックアップ装置、並びに、半導体レーザの製造方法 |
JP2010166023A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-07-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および表示装置 |
US20100329295A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Sony Corporation | Laser diode |
JP2012054474A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ装置 |
JP2013179210A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Panasonic Corp | アレイ型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
US8855161B2 (en) * | 2012-03-16 | 2014-10-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device, method of manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser array |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4870652A (en) | 1988-07-08 | 1989-09-26 | Xerox Corporation | Monolithic high density arrays of independently addressable semiconductor laser sources |
JP2798720B2 (ja) | 1989-08-17 | 1998-09-17 | 三洋電機株式会社 | 半導体レーザアレイ |
JP2003031905A (ja) | 2001-07-12 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | 多ビーム半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置 |
JP2004233885A (ja) | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | レーザモジュールおよびその製造方法 |
JP5170954B2 (ja) | 2005-07-11 | 2013-03-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2007035854A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Toshiba Corp | 半導体レーザアレイ及び半導体レーザ装置 |
JP5034662B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-09-26 | ソニー株式会社 | 面発光型半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2008130664A (ja) | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sony Corp | 半導体発光素子および発光装置 |
JP5029079B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2012-09-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体素子および光学装置 |
JP4965354B2 (ja) | 2007-06-20 | 2012-07-04 | 株式会社リコー | 半導体レーザ装置、光書込器およびプリンタ装置 |
-
2012
- 2012-03-16 JP JP2012060365A patent/JP6094043B2/ja active Active
-
2013
- 2013-01-24 US US13/748,664 patent/US8855161B2/en active Active
Patent Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH027588A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 多点発光型半導体レーザ及びその製造方法 |
JPH0297082A (ja) * | 1988-10-03 | 1990-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 多点発光型半導体レーザ |
JPH04303982A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-10-27 | Nec Corp | 光半導体素子の製造方法 |
JPH04305991A (ja) * | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
JPH05259565A (ja) * | 1992-03-11 | 1993-10-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | マルチビーム半導体レーザ |
JPH05283814A (ja) * | 1992-04-02 | 1993-10-29 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体レーザアレイ素子 |
JPH05327119A (ja) * | 1992-05-18 | 1993-12-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 多波長集積化半導体レーザの製造方法 |
JPH06132610A (ja) * | 1992-10-21 | 1994-05-13 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザアレイ素子及びその製造方法 |
JPH0715092A (ja) * | 1993-06-25 | 1995-01-17 | Nec Corp | 半導体レーザアレイおよびその製造方法 |
JP2008140887A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ |
JP2008227058A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
JP2008258515A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Sony Corp | 半導体レーザ装置およびレーザモジュールならびに光学装置 |
JP2009152277A (ja) * | 2007-12-19 | 2009-07-09 | Sony Corp | 半導体レーザアレイ、発光装置、表示装置、加工装置および駆動方法 |
JP2009164389A (ja) * | 2008-01-08 | 2009-07-23 | Sony Corp | 半導体レーザ及びこれを用いた記録再生用ピックアップ装置、並びに、半導体レーザの製造方法 |
JP2010166023A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-07-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体レーザ装置および表示装置 |
US20100284433A1 (en) * | 2008-09-30 | 2010-11-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and display |
US20100329295A1 (en) * | 2009-06-30 | 2010-12-30 | Sony Corporation | Laser diode |
JP2011014632A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-01-20 | Sony Corp | 半導体レーザ |
JP2012054474A (ja) * | 2010-09-02 | 2012-03-15 | Opnext Japan Inc | 半導体レーザ装置 |
JP2013179210A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-09 | Panasonic Corp | アレイ型半導体レーザ装置およびその製造方法 |
US8855161B2 (en) * | 2012-03-16 | 2014-10-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device, method of manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser array |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017092088A (ja) * | 2015-11-04 | 2017-05-25 | 株式会社ソディック | 発光素子 |
JP2017208399A (ja) * | 2016-05-17 | 2017-11-24 | ローム株式会社 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
KR101928655B1 (ko) | 2016-06-09 | 2018-12-12 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 레이저 소자, 레이저 소자의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130243025A1 (en) | 2013-09-19 |
US8855161B2 (en) | 2014-10-07 |
JP6094043B2 (ja) | 2017-03-15 |
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