JPH05283814A

JPH05283814A - 半導体レーザアレイ素子

Info

Publication number: JPH05283814A
Application number: JP8064092A
Authority: JP
Inventors: Nobuaki Ueki; 伸明植木; Hideo Nakayama; 秀生中山; Hideki Fukunaga; 秀樹福永; Yasuji Seko; 保次瀬古; Hiroki Otoma; 広己乙間
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1992-04-02
Filing date: 1992-04-02
Publication date: 1993-10-29

Abstract

(57)【要約】（修正有）【目的】簡便なプロセスで位置合わせ精度の良い、高
性能・高信頼性の半導体レーザアレイ素子を提供するこ
と。【構成】エッチングにより平坦部１ａと傾斜部１ｂか
らなるテラス形状が形成された半導体基板１上に、クラ
ッド層２、４で挟まれた活性層３を含む半導体レーザ多
層膜を結晶成長させて、前記半導体レーザ多層膜の膜厚
を傾斜部３ｂの両側の平坦部３ａの膜厚と異ならせるこ
とで、各傾斜部３ｂをそれぞれレーザ発振部とする半導
体レーザアレイ素子である。平坦部３ａの両側の傾斜部
３ｂに形成される二つのレーザ発振部は互いに偏向方向
が異なるレーザを同一基板で発振できる。平坦部３ａと
その両側に形成される二つの傾斜部３ｂの組み合わせを
複数個、同一基板上に設けても良い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は独立駆動可能な複数のレ
ーザ発振部を備えた半導体レーザアレイ素子に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】独立駆動可能な複数のレーザ発振部を備
えた半導体レーザアレイ素子はレーザビームプリンター
あるいは光ディスク装置の光源として優れた特徴を持
つ。例えば、レーザビームプリンターに使用した場合、
ビームスキャンに用いられるポリゴンミラーの回転速度
を変えることなく、単一ビームのものに比べ実質的なス
キャン速度をビーム数倍だけ高めることができる。ま
た、光ディスク装置に使用した場合、複数のビームを同
一トラック上に集光して、情報の記録・再生・消去を連
続して同時に処理したり、あるいは情報の転送速度を単
一ビームのものに比べビームの数の倍数だけ高めること
ができる、等の利点がある。

【０００３】ところで、半導体レーザアレイ素子から出
射される複数のレーザビームは、装置の構成が簡略で位
置精度が高く、熱などの外乱に対して安定であるために
同一のレンズを通して集光されることが望ましい。とこ
ろが、これに用いられるコリメートレンズの有効視野は
一般に２００〜３００μｍと狭く、レーザ発振部の間隔
が１００μｍ程度の半導体レーザアレイ素子ではビーム
数が２〜３と少ないものしか使用することができない。
そこで近年、レーザ発振部の間隔が１０μｍ以下の半導
体レーザアレイ素子の開発が急がれている。

【０００４】図５は特開昭６３−１９７３９４号公報に
記載されたレーザ発振部の間隔が狭い半導体レーザアレ
イ素子の斜視図である。ストライプ状の複数の溝を形成
したｎ−ＧａＡｓ基板１１上にｎ−Ａｌ_xＧａ_1-XＡｓク
ラッド層１２、ｎ−Ａｌ_uＧａ_1-uＡｓガイド層１３、Ａ
ｌ_yＧａ_1-yＡｓ活性層１４、ｐ−Ａｌ_zＧａ_1-ZＡｓクラ
ッド層１５、ｎ−ＧａＡｓブロック層１６を順次液相エ
ピタキシャル成長法により積層する。ここでｎ−ＧａＡ
ｓ基板１１に形成されるｎ−クラッド層１２とｐ−クラ
ッド層１５のアルミニウム（Ａｌ）組成比ｘ、ｚは活性
層１４のＡｌ組成比ｙより大きく、ｎ−ガイド層１３の
Ａｌ組成比ｕは両者の間の大きさを持っている。また、
ｎ−ＧａＡｓ基板１１に溝部１１ａを設けることで、ｎ
−クラッド層１２は前記溝部１１ａに対応する位置に溝
部１２ａが形成され、ｎ−ガイド層１３の膜厚は溝部１
１ａ、１２ａの上方で厚く、その両側の平坦面では薄く
なる。こうして、図５に示す半導体は、いわゆるプレー
ノコンベックスウェーブガイド構造を備えたレーザ発振
部を有する半導体レーザアレイ素子となる。また、前記
溝部１１ａ、１２ａに対応する位置に上方からｎ−Ｇａ
Ａｓブロック層１６を貫通する深さでｐ形不純物の亜鉛
（Ｚｎ）をストライプ状に選択拡散し、電流狭さく機構
１７を形成する。

【０００５】このレーザ発振部の上面を金（Ａｕ）薄膜
で覆ってプロトンを選択的に照射し、レーザ発振部の間
に少なくとも活性層よりも深く高抵抗領域１８を形成す
る。その後、ｐ側電極１９を発振部毎に分離して形成す
る。なお、ｎ−ＧａＡｓ基板１１側にはｎ側電極２０を
形成する。

【０００６】このようにして作製された半導体レーザア
レイ素子は、複数の発振部がプロトン照射によって形成
された高抵抗領域１８で電気的に分離されており、独立
に駆動できる。また、これら高抵抗領域１８は１０μｍ
以下の幅に形成でき、発振部の間隔が５０μｍ以下の半
導体レーザアレイ素子が実現できる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、前記従来の方
法では、活性層１４の膜厚を基板面内で均一に保ったま
ま、ｎ−ガイド層１３の膜厚を溝部１１ａ、１２ａの上
方で厚くすることによって、活性層１４の溝部１１ａ、
１２ａの上方に位置する領域とその両側との間で、実効
的な屈折率差を生じさせ、レーザ発振の際、横モードが
安定化するように機能させるので、前記実効屈折率差と
しては５×１０^-4程度の小さな値しかとれない。したが
って、低しきい値電流化のためには別の電流狭さく機構
を設けなければならない。

【０００８】そこで溝部１１ａ、１２ａに対する位置
に、上方からｎ−ＧａＡｓブロック層１６を貫通する深
さでｐ形不純物の亜鉛（Ｚｎ）をストライプ状に選択拡
散し、前記屈折率導波構造に加えて利得導波構造である
ｐ形不純物拡散領域１７も形成するという手間のかかる
プロセスを行う必要があった。

【０００９】また、さらに半導体レーザ多層膜の積層
後、基板面内はほぼ完全な平面となってしまうので、レ
ーザ発振部となる溝部１１ａ、１２ａを特定するのは非
常に困難で、ｐ形不純物拡散領域１７形成のためのＺｎ
拡散並びに高抵抗領域１８形成のためのプロトン照射に
際して、それらの位置合わせ精度が低下し、レーザ発振
部の間隔を１０μｍ以下と狭めた場合、半導体レーザ素
子の信頼性に著しい問題があった。

【００１０】本発明はかかる問題点を解消するためにな
されたもので、簡便なプロセスで位置合わせ精度の良
い、高性能・高信頼性の半導体レーザアレイ素子を提供
することを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は次の
構成によって達成される。すなわち、エッチングにより
平坦部と傾斜部からなるテラス形状を形成した半導体基
板上に、クラッド層で挟まれた活性層を含む半導体レー
ザ多層膜を結晶成長させて、前記半導体レーザ多層膜の
傾斜部の膜厚とその両側の平坦部の膜厚とを異ならせる
ことで、各傾斜部にそれぞれ横モードの安定したレーザ
発振部を設けた半導体レーザアレイ素子、または、エッ
チングにより平坦部と傾斜部からなるテラス形状部を形
成した半導体基板上に、クラッド層で挟まれた活性層を
含む半導体レーザ多層膜を結晶成長させて、前記半導体
レーザ多層膜の傾斜部の膜厚をその両側の平坦部の膜厚
と異ならせることで、各傾斜部にそれぞれ横モードの安
定したレーザ発振部を設け、該各レーザ発振部が前記半
導体レーザ多層膜に高エネルギー粒子を照射して高抵抗
化した高抵抗領域によって互いに電気的に分離された構
造であり、これらレーザ発振部が互いに独立に駆動でき
るようにした半導体レーザアレイ素子である。

【００１２】さらに、平坦部の両側の傾斜部に形成され
る二つのレーザ発振部が互いに偏向方向が異なるレーザ
を同一基板上に作製できる。平坦部とその両側に形成さ
れる二つの傾斜部の組み合わせを複数個、同一基板上に
設けても良い。

【００１３】半導体基板上に形成される活性層を含む半
導体レーザ多層膜は、例えば、次の構成からなる。すな
わち、ｎ−Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓクラッド層、Ａｌ_yＧａ_1-y
Ａｓ活性層、ｐ−Ａｌ_xＧａ_1-xＡｓクラッド層、ｐ−Ｇ
ａＡｓキャップ層、ｎ−Ａｌ_vＧａ_1-vＡｓ電流ブロック
層を順次、ＧａＡｓ基板上に液相エピタキシャル成長法
により積層する。ここでｎ形のクラッド層およびｐ形ク
ラッド層のＡｌ組成比ｘは活性層のＡｌ組成比ｙより大
きく、ｎ形電流ブロック層のＡｌ組成比ｖは０より大き
い値であれば良い。

【００１４】

【作用】本発明は半導体基板上にエッチングにより形成
したテラス形状の傾斜部と平坦部では面方位がそれぞれ
（１１１）面と（１００）面と異なるため、異方性によ
り結晶成長速度が異なることを利用する。すなわち、
（１１１）面での結晶成長速度が（１００）面より大き
くなるため、傾斜部の各半導体層の膜厚は平坦部に形成
され対応する各半導体層の膜厚より厚くなる。特に、各
半導体層の形成過程で半導体基板の傾斜部の影響を受け
て、該傾斜部に堆積される活性層および活性層の上下の
クラッド層の膜厚は対応する平坦部の各層の膜厚に比べ
てそれぞれ厚くなる。

【００１５】そのため、傾斜部の活性領域の屈折率と該
活性領域の両側の領域の屈折率との間にはテラス形状の
傾斜面に沿った方向において実効的な差を生じ、傾斜部
の活性領域でのレーザ発振の際、横モードが安定化され
る。

【００１６】なお、前述したように平坦部での結晶の成
長速度は傾斜部のそれより遅いために、活性層平坦部の
膜厚は比較的薄くなる。この活性層平坦部での膜厚をレ
ーザ光の閉じ込めができない程度の厚みに調整すること
で、活性層傾斜部でのみレーザ発振が可能となる。

【００１７】また、半導体レーザ多層膜の傾斜部を同一
基板上に二以上形成してレーザ発振部とし、この二以上
のレーザ発振部を前記半導体レーザ多層膜に高エネルギ
ー粒子を照射して高抵抗化した高抵抗領域によって互い
に電気的に分離すると、これらレーザ発振部が互いに独
立に駆動できる。

【００１８】図４（ａ）はチャネルド・サブストレート
・ブレーナ（ＣＳＰ）型レーザの概念断面図とその等価
的な屈折率分布を示した図である。ＣＳＰ型レーザは活
性領域Ａを挟む領域Ｂにおけるｎ形クラッド層の膜厚を
活性領域Ａにおけるそれよりも薄くすることによって、
活性層の水平方向のＡ領域とＢ領域の間にも実効的な屈
折率差を生じさせ、活性層から放出される光をＡ領域内
に効率よく閉じ込めようというものである。ただし通常
のＣＳＰ型レーザにおいては活性層の膜厚は両領域にお
いて一定である。この時生ずる実効屈折率差△ｎは活性
層及びｐ形、ｎ形クラッド層からなる多層膜によって生
ずるＡ領域及びＢ領域における実効屈折率ｎＡ及びｎＢ
の差で表される。

【００１９】ここで領域Ｂにおける活性層の膜厚をｄ、
ｎ形クラッド層の膜厚をｔとして実効屈折率差△ｎを計
算すると、図４（ｂ）に示すような曲線となる。本発明
に係わる半導体レーザアレイ素子においては、上述のよ
うにｎ形クラッド層の膜厚のみならず活性層の膜厚も両
領域の間で異なるため、ＣＳＰ型レーザよりもさらに大
きな実効屈折率差を得ることが期待できる。一般に屈折
率導波型レーザにおいて安定横モード動作を得るには、
実効屈折率差として△ｎ＝〜１×１０Ｅ^-3程度の値が必
要である。

【００２０】

【実施例】本発明の一実施例を図面と共に説明する。図
２、図３は本発明に係る半導体レーザアレイ素子の製造
方法の一実施例を説明するための工程断面図であり、図
１は図２と図３の工程で得られた半導体レーザアレイ素
子の構造図である。まず、図２（ａ）のようにｎ−Ｇａ
Ａｓ基板（Ｓｉドープ：ｎ〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3）１上に
ストライプ幅１０μｍのフォトレジスト膜２１ａを形成
する。次に図２（ｂ）のように、この膜をエッチングマ
スクとしてＨ₂ＳＯ₄・Ｈ₂Ｏ₂・Ｈ₂Ｏ系（Ｈ₂ＳＯ₄：Ｈ₂
Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ＝１：８：１００）エッチャントにより、＜
０１−１＞方向に対して、平行に深さ１μｍの溝部２２
ａを形成し、平坦部１ａと傾斜部１ｂを形成する。

【００２１】フォトレジスト膜２１ａをはく離した後、
図２（ｃ）のようにｎ−Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓクラッド層
（ｎ〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3、厚さ０．５〜１μｍ）２、ア
ンドープＧａＡｓ活性層（厚さ０．１μｍ）３、ｐ−Ａ
ｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓクラッド層（ｐ〜１×１０¹⁸ｃｍ^-3、
厚さ１μｍ）４、ｐ−ＧａＡｓキャップ層（ｐ〜１×１
０¹⁹ｃｍ^-3、厚さ０．５μｍ）５、ｎ−Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4
Ａｓ電流ブロック層（厚さ１μｍ）６を順次液相エピタ
キシャル成長法により積層する。

【００２２】結晶成長の速度はｎ−ＧａＡｓ基板１の傾
斜部１ａの上部と平坦部１ｂの上部で大きく異なる。最
初のｎ−Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓクラッド層２は平坦部１ｂ
上で膜厚０．５μｍ以下となるように制御するが、この
時、傾斜部１ｂ上では１μｍ以上成長する。アンドープ
ＧａＡｓ活性層３は実際に活性領域となる活性層３の傾
斜部３ｂで膜厚が０．１μｍ程度となるように制御する
と、活性層３の平坦部３ａでは５００Å以下の極薄い層
しか成長しない。従って活性層３として機能するのは、
平坦部３ａに挟まれ、均一な膜厚をもった傾斜部３ｂの
みとなる。傾斜部３ｂと平坦部３ａでの結晶成長の速度
の相違は全体の膜厚が増えるにつれて、徐々に緩和さ
れ、この後の成長では膜厚はほとんど変わらなくなる。
ｐ−Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓクラッド層４、ｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層５およびｎ−Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック
層６の膜厚はそれぞれ１μｍ、０．５μm、1μｍであ
る。

【００２３】結晶成長に続いて、図２（ｄ）のように平
坦部３ａの上方中央に、フォトリソグラフィによってス
トライプ幅３μｍの窓を持つフォトレジスト膜２１ｂを
形成する。そしてこの膜２１をマスクとしてプロトンを
選択的に照射し、少なくともＧａＡｓ活性層３より深く
高抵抗領域８を形成する。この高抵抗領域８の深さの調
整は予め予備実験を行い、ＧａＡｓ活性層３より深くな
るようにプロトン照射エネルギーの大きさで調節する。

【００２４】ついで、フォトレジスト膜２１ｂをはく離
した後、今度は図３（ａ）のように活性層３の傾斜部３
ｂに対応する位置にストライプ幅３μｍの窓を持つフォ
トレジスト膜２１ｃを形成する。そして図３（ｂ）のよ
うに、このフォトレジスト膜２１ｃをエッチングマスク
として前記Ｈ₂ＳＯ₄・Ｈ₂Ｏ₂・Ｈ₂Ｏ系エッチャントに
よりｎ−Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック層６をエッチ
ング除去する。ここで電流ブロック層６とキャップ層５
のＡｌ組成比の違いからｎ−Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブ
ロック層６のエッチング速度はｐ−ＧａＡｓキャップ層
５のそれに比べ二倍程度速く、容易に選択除去できる。

【００２５】この後、図３（ｃ）のように高抵抗領域８
上にストライプ幅５μｍのフォトレジスト膜２１ｄを形
成し、この膜２１ｄをマスクとして半導体レーザ基板１
の主表面上に対して垂直方向に電極蒸着を行えば、フォ
トレジスト膜２１ｄの直下を除く全面に、一様な電極用
金属膜が堆積する。最後にフォトレジスト膜２１ｄをは
く離すると、図３（ｄ）のようにフォトレジスト膜２１
ｄ上の電極用金属膜はいわゆるリフトオフによってフォ
トレジスト膜２１ｄと共に除去され、活性層３の傾斜部
３ｂのレーザ発振部が互いに独立に駆動できるように、
レーザ発振部ごとに電極９が分離形成されることにな
る。

【００２６】前記プロトン照射（図２（ｄ））、電流ブ
ロック層６のエッチング除去（図３（ｂ））および電極
用金属膜９のリフトオフ（図３（ｄ））に際し、フォト
リソグラフィによって所望の位置にフォトレジスト膜２
１を配置するが、その位置合わせにおいてテラス形状を
もつ半導体基板１上に積層された半導体多層膜は有用で
ある。すなわち、液相エピタキシャル法によってテラス
形状をもつ半導体基板１上に結晶成長を行うと、最終的
な基板１面はほぼ平坦になるものの、傾斜部１ｂの形状
に応じた凹みがわずかながら生じ、これを位置合わせの
際、利用できるからである。

【００２７】次に動作について説明する。図１において
注入された電流は電流ブロック層６によって狭さくさ
れ、活性層３の傾斜部３ｂに流れ込む。ここで傾斜部３
ｂの上方及び下方の平坦部３ａに広がろうとする電流
は、上方及び下方の平坦部３ａの膜厚が傾斜部３ｂの膜
厚に比べ薄いため、十分なキャリアおよび光の閉じ込め
ができず、活性領域は傾斜部３ｂに限定される。さら
に、活性層３の平坦部３ａの膜厚ｄ及びｎ形クラッド層
２の平坦部２ａの膜厚ｔは傾斜部３ｂ、２ｂでの膜厚に
比べて薄いので、活性層３の水平方向では傾斜部と平坦
部の間に実効的な屈折率差が生ずる。

【００２８】本実施例において作製した半導体レーザア
レイ素子について実効屈折率差△ｎを求めると、平坦部
でｄ＝０．０５μｍ、ｔ＝０．５μｍに対して、傾斜部
でのｄ＝０．１μｍ、ｔ＝１．０μｍとなるから、△ｎ
＝５×１０Ｅ^-3を越える大きな値となって十分な光の閉
じ込めが可能となる。したがって、横モードは安定化さ
れ、基本モードで発振する特性の良い半導体レーザが実
現できる。

【００２９】また、各レーザ発振部（傾斜部）３ｂの間
はプロトンを選択的に照射することで得られた高抵抗領
域８によって分離されているため、レーザ発振部３ｂの
間隔が１０μｍ以下と近接していても電気的な分離性は
良好であり、電気的低クロストーク（cross talk）特性
が容易に得られる。

【００３０】さらに、一つの平坦部３ａの両側に形成さ
れるテラス形状の活性層３ｂは平坦部３ａに対してある
角度の傾きをもっており、それは一つの平坦部３ａの両
側で基板１の鉛直方向に対称となるから、２つのレーザ
発振部３ａは各々偏向方向が異なることになる。従って
一つの素子から異なる偏向方向をもつレーザビームを、
独立に駆動して利用可能な半導体レーザアレイ素子を実
現できる。

【００３１】上記の実施例においてはレーザ発振部３ｂ
の数を２として説明したが、テラス形状の数に応じて３
以上のものも作製できる。また上記実施例ではＡｌＧａ
Ａｓ系について示したが、ＡｌＧａＩｎＰ系やＩｎＧａ
ＡｓＰ系材料よりなる半導体レーザアレイ素子について
も適用でき、同様の効果を得ることができる。

【００３２】

【発明の効果】本発明により、簡便なプロセスで位置合
わせ精度の良い、高性能・高信頼性の独立駆動型半導体
レーザアレイ素子を提供することができる。また、一つ
のテラス形状の両側に形成されるレーザ発振部の間で偏
向方向が異なることから、一つの素子から異なった偏向
方向をもつレーザビームを独立に駆動して利用できる半
導体レーザアレイ素子を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る半導体レーザアレイ素子の一実
施例を示す斜視図である。

【図２】図１の半導体レーザアレイ素子の製造方法を
説明するための工程断面図である。

【図３】図１の半導体レーザアレイ素子の製造方法を
説明するための工程断面図である。

【図４】（ａ）はＣＳＰ型レーザの断面図とその等価
的な屈折率分布を示す図であり、（ｂ）は活性層膜厚ｄ
とクラッド層膜厚ｔの関数として計算した実効屈折率差
の変化を示す図である。

【図５】従来の半導体レーザアレイ素子を示す斜視図
である。

【符号の説明】

１…ｎ−ＧａＡｓ基板、２…ｎ−Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓク
ラッド層、３…ＧａＡｓ活性層、３ａ…平坦部、３ｂ…
傾斜部(レーザ発振部)、４…ｐ−Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓク
ラッド層、５…ｐ−ＧａＡｓキャップ層、６…ｎ−Ａｌ
_0.6Ｇａ_0.4Ａｓ電流ブロック層、８…高抵抗領域、９…
ｐ側電極、１０…ｎ側電極、１１…ｎ−ＧａＡｓ基板、
１２…ｎ−Ａｌ_0.4Ｇａ_0.6Ａｓクラッド層、１３…ｎ−
Ａｌ_uＧａ_1-uＡｓガイド層、１４…Ａｌ_yＧａ_1-yＡｓ活
性層、１５…ｐ−ＡｌｚＧａ_1-zＡｓクラッド層、１６
…ｎ−ＧａＡｓ電流ブロック層、１７…ｐ形不純物拡散
領域、１８…高抵抗領域、１９…ｐ形電極、２０…ｎ側
電極、２１…フォトレジスト膜、２２…エッチング溝

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者瀬古保次神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロックス株式会社海老名事業所内 (72)発明者乙間広己神奈川県海老名市本郷2274番地富士ゼロックス株式会社海老名事業所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】エッチングにより平坦部と傾斜部からな
るテラス形状を形成した半導体基板上に、クラッド層で
挟まれた活性層を含む半導体レーザ多層膜を結晶成長さ
せて、前記半導体レーザ多層膜の傾斜部の膜厚をその両
側の平坦部の膜厚と異ならせることで、各傾斜部にそれ
ぞれ横モードの安定したレーザ発振部を設けたことを特
徴とする半導体レーザアレイ素子。
【請求項２】エッチングにより平坦部と傾斜部からな
るテラス形状を形成した半導体基板上に、クラッド層で
挟まれた活性層を含む半導体レーザ多層膜を結晶成長さ
せて、前記半導体レーザ多層膜の傾斜部の膜厚をその両
側の平坦部の膜厚と異ならせることで、各傾斜部にそれ
ぞれ横モードの安定したレーザ発振部を設け、該各レー
ザ発振部が前記半導体レーザ多層膜に高エネルギー粒子
を照射して高抵抗化した高抵抗領域によって互いに電気
的に分離された構造であり、これらレーザ発振部が互い
に独立に駆動できるようにしたことを特徴とする半導体
レーザアレイ素子。
【請求項３】平坦部の両側の傾斜部に形成される二つ
のレーザ発振部が互いに偏向方向が異なることを特徴と
する請求項１または２記載の半導体レーザアレイ素子。