JPH0969665A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH0969665A JPH0969665A JP22495395A JP22495395A JPH0969665A JP H0969665 A JPH0969665 A JP H0969665A JP 22495395 A JP22495395 A JP 22495395A JP 22495395 A JP22495395 A JP 22495395A JP H0969665 A JPH0969665 A JP H0969665A
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- impurity
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体発光装置に関し、Ｓ3 レーザとしての
利点を損なうことなく、ビーム形状の劣化を抑止して、
更に使い易いものにしようとする。 【解決手段】 ＭＱＷ活性層２５の上部（又は下部）に
在るｐ側クラッド層２６及び２８及び３０などに互いに
間隔をおいて第一の電流狭窄層３１及び第二の電流狭窄
層２７が形成され、また、第一の電流狭窄層３１と第二
の電流狭窄層２７との間に低不純物濃度高抵抗層２９を
介在させる。
利点を損なうことなく、ビーム形状の劣化を抑止して、
更に使い易いものにしようとする。 【解決手段】 ＭＱＷ活性層２５の上部（又は下部）に
在るｐ側クラッド層２６及び２８及び３０などに互いに
間隔をおいて第一の電流狭窄層３１及び第二の電流狭窄
層２７が形成され、また、第一の電流狭窄層３１と第二
の電流狭窄層２７との間に低不純物濃度高抵抗層２９を
介在させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ビーム形状、即
ち、近視野像（ｎｅａｒ ｆｉｅｌｄ ｐａｔｔｅｒ
ｎ：ＮＦＰ）が優れている可視光半導体レーザとして有
用な半導体発光装置に関する。
ち、近視野像（ｎｅａｒ ｆｉｅｌｄ ｐａｔｔｅｒ
ｎ：ＮＦＰ）が優れている可視光半導体レーザとして有
用な半導体発光装置に関する。
【０００２】現在、光ディスクなどの光源に使用する半
導体レーザとして、短波長の光であるほど記録密度が増
大することから、可視光の領域で発振するＧａＩｎＰ／
ＡｌＧａＩｎＰ系のものが希求されている。
導体レーザとして、短波長の光であるほど記録密度が増
大することから、可視光の領域で発振するＧａＩｎＰ／
ＡｌＧａＩｎＰ系のものが希求されている。
【０００３】特に、光ディスクに対して書き込みを行う
為には、高出力で且つ優れたビーム特性をもつ可視光半
導体レーザが必要とされ、本発明に依れば、その要求に
応えることができる。
為には、高出力で且つ優れたビーム特性をもつ可視光半
導体レーザが必要とされ、本発明に依れば、その要求に
応えることができる。
【０００４】尚、光ディスク用半導体レーザに要求され
るビーム特性とは、非点収差（レーザ・ビームの水平
方向と垂直方向の焦点位置のずれ）が小さいこと、遠
視野像のアスペクト比（レーザ・ビームに於ける断面の
縦横比が１に近い、即ちレーザ・ビームが真円に近いこ
と、近視野像が単峰性であることを指している。
るビーム特性とは、非点収差（レーザ・ビームの水平
方向と垂直方向の焦点位置のずれ）が小さいこと、遠
視野像のアスペクト比（レーザ・ビームに於ける断面の
縦横比が１に近い、即ちレーザ・ビームが真円に近いこ
と、近視野像が単峰性であることを指している。
【０００５】
【従来の技術】従来、可視光半導体レーザ用材料として
実用域に達しているものは、ＧａＩｎＰ三元系、及びＡ
ｌＧａＩｎＰ四元系の材料であり、これ等の材料を用い
て可視光半導体レーザを作成し、波長が５９０〔ｎｍ〕
〜６７０〔ｎｍ〕程度のレーザ光を発生させることがで
きる。
実用域に達しているものは、ＧａＩｎＰ三元系、及びＡ
ｌＧａＩｎＰ四元系の材料であり、これ等の材料を用い
て可視光半導体レーザを作成し、波長が５９０〔ｎｍ〕
〜６７０〔ｎｍ〕程度のレーザ光を発生させることがで
きる。
【０００６】然しながら、前記材料系では、Ａｌを含む
層上に結晶の再成長が困難であることが原因となって、
埋め込み構造を形成することができない。
層上に結晶の再成長が困難であることが原因となって、
埋め込み構造を形成することができない。
【０００７】そこで、注入電流の横方向閉じ込めが不十
分であることに起因して、ビーム・アスペクト比が悪
く、且つ、非点収差が大きいリッジ構造を止むを得ず採
用している。
分であることに起因して、ビーム・アスペクト比が悪
く、且つ、非点収差が大きいリッジ構造を止むを得ず採
用している。
【０００８】図２は従来の技術に依って作成されたリッ
ジ構造をもつ可視光半導体レーザを表す要部切断正面図
である。
ジ構造をもつ可視光半導体レーザを表す要部切断正面図
である。
【０００９】図に於いて、１はｎ−ＧａＡｓ基板、２は
ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、３はＩｎＧａＰ活性
層、４はｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、５はｎ−Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、７は
ｐ側電極、８はｎ側電極をそれぞれ示している。
ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、３はＩｎＧａＰ活性
層、４はｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層、５はｎ−Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層、７は
ｐ側電極、８はｎ側電極をそれぞれ示している。
【００１０】前記したリッジ構造の可視光半導体レーザ
の問題を解消する為、本発明者らはＳ3 （ｓｅｌｆ−ａ
ｌｉｇｎｅｄ ｓｔｅｐｐｅｄ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）
レーザと呼ばれる可視光半導体レーザを提供した（要す
れば、特開平４−２５０２８０号公報、を参照）。
の問題を解消する為、本発明者らはＳ3 （ｓｅｌｆ−ａ
ｌｉｇｎｅｄ ｓｔｅｐｐｅｄ ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）
レーザと呼ばれる可視光半導体レーザを提供した（要す
れば、特開平４−２５０２８０号公報、を参照）。
【００１１】図３は注入電流の横方向閉じ込めを改良さ
れた可視光半導体レーザであるＳ3レーザを表す要部切
断正面図である。
れた可視光半導体レーザであるＳ3レーザを表す要部切
断正面図である。
【００１２】図に於いて、１１はｎ型基板、１２はｎ型
クラッド層、１３は三つの井戸層と二つの障壁層とから
なる活性層、１４はｐ型クラッド層、１５は横方向に連
なるｎ型部分１５Ａとｐ型部分１５Ｂとｎ型部分１５Ｃ
とからなる電流狭窄層、１６はｐ型クラッド層、１７は
ｐ型コンタクト層をそれぞれ示している。
クラッド層、１３は三つの井戸層と二つの障壁層とから
なる活性層、１４はｐ型クラッド層、１５は横方向に連
なるｎ型部分１５Ａとｐ型部分１５Ｂとｎ型部分１５Ｃ
とからなる電流狭窄層、１６はｐ型クラッド層、１７は
ｐ型コンタクト層をそれぞれ示している。
【００１３】Ｓ3 レーザは、エッチングで形成した段差
をもつ基板１１上にレーザ構造を作成することで、活性
層１３を屈曲を生成させて実屈折率導波型とし、良好な
アスペクト比及び低非点収差を達成するものである。
をもつ基板１１上にレーザ構造を作成することで、活性
層１３を屈曲を生成させて実屈折率導波型とし、良好な
アスペクト比及び低非点収差を達成するものである。
【００１４】また、ドーピングの面方位依存性を利用し
て電流狭窄層１５を活性層１３直上に作り込むので、図
２について説明したリッジ構造のものに比較して、約半
分の低しきい値電流密度が得られる。
て電流狭窄層１５を活性層１３直上に作り込むので、図
２について説明したリッジ構造のものに比較して、約半
分の低しきい値電流密度が得られる。
【００１５】更にまた、図示の構造を一回の結晶成長工
程で作成可能であることから、コスト低減に有効であ
る。
程で作成可能であることから、コスト低減に有効であ
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】前記説明したように、
Ｓ3 レーザは多くの利点をもっているのであるが、活性
層直上で電流狭窄を強く行っている為、ビーム形状（Ｎ
ＦＰ）に劣化を生ずることが判った。
Ｓ3 レーザは多くの利点をもっているのであるが、活性
層直上で電流狭窄を強く行っている為、ビーム形状（Ｎ
ＦＰ）に劣化を生ずることが判った。
【００１７】図４は注入電流の流れを説明する為のＳ3
レーザを表す要部切断正面図であって、図３に於いて用
いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持
つものとする。
レーザを表す要部切断正面図であって、図３に於いて用
いた記号と同記号は同部分を表すか或いは同じ意味を持
つものとする。
【００１８】図に見られる電流狭窄層１５に於けるｐ型
部分１５Ｂの幅、即ちストライプ幅は約２〔μｍ〕であ
って、ｐ側電極１８の幅が１０〔μｍ〕であるのに比較
すると著しく狭くなっている。
部分１５Ｂの幅、即ちストライプ幅は約２〔μｍ〕であ
って、ｐ側電極１８の幅が１０〔μｍ〕であるのに比較
すると著しく狭くなっている。
【００１９】従って、電流は強く狭窄されて活性層１３
に集中し、図に付記されている活性層内電流分布に見ら
れるように、活性層１３の両エッジ部分に於ける電流密
度が中央部分に比較して高くなり、その結果、ビーム形
状が劣化するのである。
に集中し、図に付記されている活性層内電流分布に見ら
れるように、活性層１３の両エッジ部分に於ける電流密
度が中央部分に比較して高くなり、その結果、ビーム形
状が劣化するのである。
【００２０】前記説明したような電流が強く狭窄される
問題は、ｐ側電極１８を全面に形成することなく、ｐ型
部分１５Ｂと同じストライプに形成してあれば、発生し
ないと考えられよう。
問題は、ｐ側電極１８を全面に形成することなく、ｐ型
部分１５Ｂと同じストライプに形成してあれば、発生し
ないと考えられよう。
【００２１】然しながら、その場合には、段差をもつ部
分に例えば幅２〔μｍ〕の電極を形成することになるか
らリソグラフィが容易ではなく、また、電圧を印加する
のみならず、かなりの電流を流さなければならないの
で、電極の発熱及び放熱の面でも好ましくない。
分に例えば幅２〔μｍ〕の電極を形成することになるか
らリソグラフィが容易ではなく、また、電圧を印加する
のみならず、かなりの電流を流さなければならないの
で、電極の発熱及び放熱の面でも好ましくない。
【００２２】本発明は、Ｓ3 レーザとしての利点を損な
うことなく、ビーム形状の劣化を抑止して、更に使い易
いものにしようとする。
うことなく、ビーム形状の劣化を抑止して、更に使い易
いものにしようとする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明では、半導体層の
層数が若干増加はするが、Ｓ3 レーザへの注入電流を活
性層から離れたところで絞り込みを開始し、しかも、そ
の電流を均一化してから活性層に流すようにすることが
基本になっている。
層数が若干増加はするが、Ｓ3 レーザへの注入電流を活
性層から離れたところで絞り込みを開始し、しかも、そ
の電流を均一化してから活性層に流すようにすることが
基本になっている。
【００２４】前記したところから、本発明に依る半導体
発光装置に於いては、 （１）活性層（例えばＭＱＷ活性層２５）の上部或いは
下部に在る障壁層（例えばｐ側クラッド層２６及び２８
及び３０など）に互いに間隔をおいて形成された第一の
電流狭窄層（例えば第一の電流狭窄層３１）及び第二の
電流狭窄層（例えば第二の電流狭窄層２７）を備えてな
ることを特徴とするか、或いは、
発光装置に於いては、 （１）活性層（例えばＭＱＷ活性層２５）の上部或いは
下部に在る障壁層（例えばｐ側クラッド層２６及び２８
及び３０など）に互いに間隔をおいて形成された第一の
電流狭窄層（例えば第一の電流狭窄層３１）及び第二の
電流狭窄層（例えば第二の電流狭窄層２７）を備えてな
ることを特徴とするか、或いは、
【００２５】（２）前記（１）に於いて、第一の電流狭
窄層と第二の電流狭窄層との間に高抵抗層（例えば低不
純物濃度高抵抗層２９）を介在させてなることを特徴と
する。
窄層と第二の電流狭窄層との間に高抵抗層（例えば低不
純物濃度高抵抗層２９）を介在させてなることを特徴と
する。
【００２６】前記手段を採ることに依り、電極から注入
された電流は、第一の電流狭窄層近傍では、急激な狭窄
の為、横方向に不均一を生じるが、この不均一は電流の
拡散に依って次第に緩和され、また、低不純物濃度高抵
抗層を通過することで、電圧降下が殆ど抵抗によって決
定される為、電流は均一になり、更に第二の電流狭窄層
に依って活性層直上での電流広がりは抑制され、その結
果、活性層に流れる電流の分布に起因するＮＦＰの劣化
は解消される。
された電流は、第一の電流狭窄層近傍では、急激な狭窄
の為、横方向に不均一を生じるが、この不均一は電流の
拡散に依って次第に緩和され、また、低不純物濃度高抵
抗層を通過することで、電圧降下が殆ど抵抗によって決
定される為、電流は均一になり、更に第二の電流狭窄層
に依って活性層直上での電流広がりは抑制され、その結
果、活性層に流れる電流の分布に起因するＮＦＰの劣化
は解消される。
【００２７】前記の作用を実現する為、半導体層の層数
が若干増加しているが、その増加した半導体層も含め、
従来のＳ3 レーザと同様、一回の結晶成長工程で全て作
成することができるのであるから、その実施に際しては
何らの困難もなく、そして、低しきい値電流、良好なア
スペクト比、低非点収差など従来のＳ3 レーザに於ける
利点を保持したまま、良好なＮＦＰを実現できるのであ
るから、半導体層の僅かな層数増加の不利を補って余り
ある。
が若干増加しているが、その増加した半導体層も含め、
従来のＳ3 レーザと同様、一回の結晶成長工程で全て作
成することができるのであるから、その実施に際しては
何らの困難もなく、そして、低しきい値電流、良好なア
スペクト比、低非点収差など従来のＳ3 レーザに於ける
利点を保持したまま、良好なＮＦＰを実現できるのであ
るから、半導体層の僅かな層数増加の不利を補って余り
ある。
【００２８】図１は本発明一実施例を説明する為の半導
体発光装置を表す要部切断正面図である。
体発光装置を表す要部切断正面図である。
【００２９】図に於いて、２１は形状基板、２２はバッ
ファ層、２３は中間層、２４はｎ側クラッド層、２５は
ＭＱＷ（ｍｕｌｔｉ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）活性
層、２６はｐ側クラッド層、２７は同時ドーピングで作
成され横方向に連なるｎ型部分２７Ａとｐ型部分２７Ｂ
とｎ型部分２７Ｃとからなる第二の電流狭窄層、２８は
ｐ側クラッド層、２９は低不純物濃度高抵抗層、３０は
ｐ側クラッド層、３１は同時ドーピングで作成され横方
向に連なるｎ型部分３１Ａとｐ型部分３１Ｂとｎ型部分
３１Ｃとからなる第一の電流狭窄層、３２は中間層、３
３はコンタクト層、３４はｐ側電極、３５はｎ側電極を
それぞれ示している。
ファ層、２３は中間層、２４はｎ側クラッド層、２５は
ＭＱＷ（ｍｕｌｔｉ ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）活性
層、２６はｐ側クラッド層、２７は同時ドーピングで作
成され横方向に連なるｎ型部分２７Ａとｐ型部分２７Ｂ
とｎ型部分２７Ｃとからなる第二の電流狭窄層、２８は
ｐ側クラッド層、２９は低不純物濃度高抵抗層、３０は
ｐ側クラッド層、３１は同時ドーピングで作成され横方
向に連なるｎ型部分３１Ａとｐ型部分３１Ｂとｎ型部分
３１Ｃとからなる第一の電流狭窄層、３２は中間層、３
３はコンタクト層、３４はｐ側電極、３５はｎ側電極を
それぞれ示している。
【００３０】前記各部分に関する主要なデータを例示す
ると次の通りである。 （１） 形状基板１について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 主面の面指数：（１００） 段差部分の斜面に於ける面指数：（４１１）
ると次の通りである。 （１） 形状基板１について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 主面の面指数：（１００） 段差部分の斜面に於ける面指数：（４１１）
【００３１】（２） バッファ層２２について 材料：ｎ−ＧａＡｓ 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：０．５〔μｍ〕
【００３２】（３） 中間層２３について 材料：ｎ−ＧａＩｎＰ 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：０．１〔μｍ〕
【００３３】（４） ｎ側クラッド層２４について 材料：ｎ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ 不純物：Ｓｉ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：２〔μｍ〕
【００３４】（５） ＭＱＷ活性層２５について 井戸層 材料：ＧａＩｎＰ（例えばＧａ0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ） 厚さ：６〔ｎｍ〕 層数：３ バリヤ層 材料：（Ａｌ0.4 Ｇａ0.6 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ 厚さ：５〔ｎｍ〕 層数：２
【００３５】（６） ｐ側クラッド層２６について 材料：ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ 不純物：Ｚｎ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：０．２〔μｍ〕
【００３６】（７） 第二の電流狭窄層２７について ｎ型部分２７Ａ及び２７Ｃ 材料：ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ 不純物：Ｓｅ 不純物濃度：４×１０17〔cm-3〕 厚さ：０．２〔μｍ〕
【００３７】ｐ型部分２７Ｂ 材料：ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ 不純物：Ｚｎ 不純物濃度：７×１０17〔cm-3〕 厚さ：０．２〔μｍ〕
【００３８】（８） ｐ側クラッド層２８について 材料：ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ 不純物：Ｚｎ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：１〔μｍ〕
【００３９】（９） 低不純物濃度高抵抗層２９につい
て 材料：ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ 不純物：Ｚｎ 不純物濃度：５×１０16〔cm-3〕 厚さ：２０〔ｎｍ〕
て 材料：ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ 不純物：Ｚｎ 不純物濃度：５×１０16〔cm-3〕 厚さ：２０〔ｎｍ〕
【００４０】（１０） ｐ側クラッド層３０について 材料：ｐ−（Ａｌ0.7 Ｇａ0.3 ）0.5 Ｉｎ0.5 Ｐ 不純物：Ｚｎ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：０．５〔μｍ〕
【００４１】（１１） 第一の電流狭窄層３１について ｎ型部分３１Ａ及び３１Ｃ 材料：ｎ−ＡｌＧａＩｎＰ 不純物：Ｓｅ 不純物濃度：４×１０17〔cm-3〕 厚さ：０．２〔μｍ〕
【００４２】ｐ型部分３１Ｂ 材料：ｐ−ＡｌＧａＩｎＰ 不純物：Ｚｎ 不純物濃度：７×１０17〔cm-3〕 厚さ：０．２〔μｍ〕
【００４３】（１２） 中間層３２について 材料：ｐ−ＧａＩｎＰ 不純物：Ｚｎ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：０．１〔μｍ〕
【００４４】（１３） コンタクト層３３について 材料：ｐ−ＧａＡｓ 不純物：Ｚｎ 不純物濃度：１×１０18〔cm-3〕 厚さ：０．１〔μｍ〕
【００４５】（１４） ｐ側電極３４について 材料：Ｔｉ／Ｐｔ 厚さ：１００〔ｎｍ〕／３００〔ｎｍ〕
【００４６】（１５） ｎ側電極３５について 材料：ＡｕＧｅ 厚さ：３００〔ｎｍ〕
【００４７】図１について説明した半導体発光装置を作
成することは極めて容易であり、次に、その工程を説明
する。
成することは極めて容易であり、次に、その工程を説明
する。
【００４８】（１）例えば有機金属気相成長（ｍｅｔａ
ｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔ
ａｘｙ：ＭＯＶＰＥ）法を適用することに依り、形状基
板２１上にバッファ層２２、中間層２３、ｎ側クラッド
層２４、ＭＱＷ活性層２５、ｐ側クラッド層２６、第二
の電流狭窄層２７、ｐ側クラッド層２８、低不純物濃度
高抵抗層２９、ｐ側クラッド層３０、第一の電流狭窄層
３１、中間層３２、コンタクト層３３を成長させる。
ｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔ
ａｘｙ：ＭＯＶＰＥ）法を適用することに依り、形状基
板２１上にバッファ層２２、中間層２３、ｎ側クラッド
層２４、ＭＱＷ活性層２５、ｐ側クラッド層２６、第二
の電流狭窄層２７、ｐ側クラッド層２８、低不純物濃度
高抵抗層２９、ｐ側クラッド層３０、第一の電流狭窄層
３１、中間層３２、コンタクト層３３を成長させる。
【００４９】（２）例えば真空蒸着法を適用することに
依り、コンタクト層３３上にｐ側電極３４を形成する。
依り、コンタクト層３３上にｐ側電極３４を形成する。
【００５０】（３）化学的手段を付加した機械的研磨法
を適用することに依り、形状基板２１の裏面を研磨して
厚さを例えば１５０〔μｍ〕程度にする。
を適用することに依り、形状基板２１の裏面を研磨して
厚さを例えば１５０〔μｍ〕程度にする。
【００５１】（４）例えば真空蒸着法を適用することに
依り、研磨された形状基板２１の裏面にｎ側電極３５を
形成する。
依り、研磨された形状基板２１の裏面にｎ側電極３５を
形成する。
【００５２】（５）長さ７００〔μｍ〕の共振器をもつ
レーザとして、ストライプに対して垂直方向に劈開し、
チップ化することに依って完成する。
レーザとして、ストライプに対して垂直方向に劈開し、
チップ化することに依って完成する。
【００５３】前記工程に於いて、第一の電流狭窄層３１
及び第二の電流狭窄層２７を成長させる場合、ｐ型不純
物としてＺｎを、また、ｎ型不純物としてＳｅを同時に
ドーピングすると、Ｚｎは面指数が（４１１）である段
差斜面部分に、また、Ｓｅは面指数が（１００）である
主面部分に集まることから、横方向に連なるｎ型部分２
７Ａとｐ型部分２７Ｂとｎ型部分２７Ｃが、また、横方
向に連なるｎ型部分３１Ａとｐ型部分３１Ｂとｎ型部分
３１Ｃがそれぞれ自然発生的に生成されることが知られ
ている。
及び第二の電流狭窄層２７を成長させる場合、ｐ型不純
物としてＺｎを、また、ｎ型不純物としてＳｅを同時に
ドーピングすると、Ｚｎは面指数が（４１１）である段
差斜面部分に、また、Ｓｅは面指数が（１００）である
主面部分に集まることから、横方向に連なるｎ型部分２
７Ａとｐ型部分２７Ｂとｎ型部分２７Ｃが、また、横方
向に連なるｎ型部分３１Ａとｐ型部分３１Ｂとｎ型部分
３１Ｃがそれぞれ自然発生的に生成されることが知られ
ている。
【００５４】
【発明の効果】本発明に依る半導体発光装置に於いて
は、活性層の上部或いは下部に在る障壁層に互いに間隔
をおいて第一の電流狭窄層及び第二の電流狭窄層が形成
される。
は、活性層の上部或いは下部に在る障壁層に互いに間隔
をおいて第一の電流狭窄層及び第二の電流狭窄層が形成
される。
【００５５】前記構成を採ることに依り、電極から注入
された電流は、第一の電流狭窄層近傍では、急激な狭窄
の為、横方向に不均一を生じるが、この不均一は電流が
活性層に向かって進行するにつれて拡散に依って次第に
緩和され、また、低不純物濃度高抵抗層を通過すること
で、電圧降下が殆ど抵抗によって決定される為、電流は
均一になり、更に第二の電流狭窄層に依って活性層直上
での電流広がりは抑制され、その結果、活性層に流れる
電流の分布に起因するＮＦＰの劣化は解消される。
された電流は、第一の電流狭窄層近傍では、急激な狭窄
の為、横方向に不均一を生じるが、この不均一は電流が
活性層に向かって進行するにつれて拡散に依って次第に
緩和され、また、低不純物濃度高抵抗層を通過すること
で、電圧降下が殆ど抵抗によって決定される為、電流は
均一になり、更に第二の電流狭窄層に依って活性層直上
での電流広がりは抑制され、その結果、活性層に流れる
電流の分布に起因するＮＦＰの劣化は解消される。
【００５６】前記の効果を得る為、半導体層の層数が若
干増加しているが、その増加した半導体層も含めて、従
来のＳ3 レーザと同様、一回の結晶成長工程で全て作成
することができるのであるから、その実施に際しては何
らの困難もなく、そして、低しきい値電流、良好なアス
ペクト比、低非点収差など従来のＳ3 レーザに於ける利
点を保持したまま、良好なＮＦＰが実現されることは、
半導体層の層数増加の不利を補って余りある。
干増加しているが、その増加した半導体層も含めて、従
来のＳ3 レーザと同様、一回の結晶成長工程で全て作成
することができるのであるから、その実施に際しては何
らの困難もなく、そして、低しきい値電流、良好なアス
ペクト比、低非点収差など従来のＳ3 レーザに於ける利
点を保持したまま、良好なＮＦＰが実現されることは、
半導体層の層数増加の不利を補って余りある。
【図１】本発明一実施例を説明する為の半導体発光装置
を表す要部切断正面図である。
を表す要部切断正面図である。
【図２】従来の技術に依って作成されたリッジ構造をも
つ可視光半導体レーザを表す要部切断正面図である。
つ可視光半導体レーザを表す要部切断正面図である。
【図３】注入電流の横方向閉じ込めを改良された可視光
半導体レーザであるＳ3 レーザを表す要部切断正面図で
ある。
半導体レーザであるＳ3 レーザを表す要部切断正面図で
ある。
【図４】注入電流の流れを説明する為のＳ3 レーザを表
す要部切断正面図である。
す要部切断正面図である。
２１ 形状基板 ２２ バッファ層 ２３ 中間層 ２４ ｎ側クラッド層 ２５ ＭＱＷ活性層 ２６ ｐ側クラッド層 ２７ 第二の電流狭窄層 ２７Ａ ｎ型部分 ２７Ｂ ｐ型部分 ２７Ｃ ｎ型部分 ２８ ｐ側クラッド層 ２９ 低不純物濃度高抵抗層 ３０ ｐ側クラッド層 ３１ 第一の電流狭窄層 ３１Ａ ｎ型部分 ３１Ｂ ｐ型部分 ３１Ｃ ｎ型部分 ３２ 中間層 ３３ コンタクト層 ３４ ｐ側電極 ３５ ｎ側電極
Claims (2)
- 【請求項１】活性層の上部或いは下部に在る障壁層に互
いに間隔をおいて形成された第一の電流狭窄層及び第二
の電流狭窄層を備えてなることを特徴とする半導体発光
装置。 - 【請求項２】第一の電流狭窄層と第二の電流狭窄層との
間に高抵抗層を介在させてなることを特徴とする請求項
１記載の半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22495395A JPH0969665A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22495395A JPH0969665A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0969665A true JPH0969665A (ja) | 1997-03-11 |
Family
ID=16821785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22495395A Withdrawn JPH0969665A (ja) | 1995-09-01 | 1995-09-01 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0969665A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6349104B1 (en) | 1997-05-30 | 2002-02-19 | Denso Corporation | Stripe-geometry heterojunction laser diode device |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP22495395A patent/JPH0969665A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6349104B1 (en) | 1997-05-30 | 2002-02-19 | Denso Corporation | Stripe-geometry heterojunction laser diode device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |