JPH05327119A - 多波長集積化半導体レーザの製造方法 - Google Patents
多波長集積化半導体レーザの製造方法Info
- Publication number
- JPH05327119A JPH05327119A JP15135692A JP15135692A JPH05327119A JP H05327119 A JPH05327119 A JP H05327119A JP 15135692 A JP15135692 A JP 15135692A JP 15135692 A JP15135692 A JP 15135692A JP H05327119 A JPH05327119 A JP H05327119A
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- semiconductor laser
- integrated semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 組成の異なる活性層を有する複数の成長層を
一度に形成することができる多波長集積化半導体レーザ
の製造方法を提供する。 【構成】 Si基板１上にマスク2aを形成する。マスク2a
は開口幅２μｍ，その両側被覆幅２μｍの領域と、開口
幅２μｍ，その両側被覆幅５μｍの領域とを有する。こ
のようにマスク被覆幅がことなる開口部にMOVPE 法によ
り成長を行うと組成が異なる成長層３，４を一度に形成
することができる。
一度に形成することができる多波長集積化半導体レーザ
の製造方法を提供する。 【構成】 Si基板１上にマスク2aを形成する。マスク2a
は開口幅２μｍ，その両側被覆幅２μｍの領域と、開口
幅２μｍ，その両側被覆幅５μｍの領域とを有する。こ
のようにマスク被覆幅がことなる開口部にMOVPE 法によ
り成長を行うと組成が異なる成長層３，４を一度に形成
することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信における波長多重
伝達に用いる多波長集積化半導体レーザの製造方法に関
する。
伝達に用いる多波長集積化半導体レーザの製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図１及び図２は従来の多波長集積化半導
体レーザの製造方法の過程を示す断面構造図であって、
２種類の成長層を形成する場合を示す。
体レーザの製造方法の過程を示す断面構造図であって、
２種類の成長層を形成する場合を示す。
【０００３】先ず図１(a) に示す如くｎ型不純物である
InP を注入してなるシリコン(Si)基板１上面に成長層の
成長阻止に用いるマスク（SiＯ2 ）２を形成する。次に
図１(b) に示す如くマスク２の開口部に第１クラッド層
（n-InGaAsP)とウエル４層(InGaAs)及びバリア層(InGaA
sP) からなる多重量子井戸( 以下MQW という) 活性層
と、第２クラッド層（P-InGaAsP)とをMOVPE(Metal Orga
nic Vapor Phase Epitaxy)法により成長させる。そして
図１(c) に示す如くこの成長層３の位置と異なる所定位
置のマスク２をエッチングにより除去した後、図１(d)
に示す如く成長層３とは組成が異なる活性層を有する成
長層４を形成する。
InP を注入してなるシリコン(Si)基板１上面に成長層の
成長阻止に用いるマスク（SiＯ2 ）２を形成する。次に
図１(b) に示す如くマスク２の開口部に第１クラッド層
（n-InGaAsP)とウエル４層(InGaAs)及びバリア層(InGaA
sP) からなる多重量子井戸( 以下MQW という) 活性層
と、第２クラッド層（P-InGaAsP)とをMOVPE(Metal Orga
nic Vapor Phase Epitaxy)法により成長させる。そして
図１(c) に示す如くこの成長層３の位置と異なる所定位
置のマスク２をエッチングにより除去した後、図１(d)
に示す如く成長層３とは組成が異なる活性層を有する成
長層４を形成する。
【０００４】そして図２(e) に示す如く成長層３，４の
両側領域のマスク２をエッチングにより除去した後、図
２(f) に示す如く成長層３，４を覆うようにクラッド層
（P-InP)５及び図示しないコンタクト層（P-InGaAs) を
形成し、最後に図２(g) に示す如くその上面にｐ側電極
６を、Si基板１の下面にｎ側電極７を形成する。このよ
うに組成が異なる複数の成長層を１つの基板上に形成す
ると、多波長のレーザ光を発する多波長集積化半導体レ
ーザが得られる。
両側領域のマスク２をエッチングにより除去した後、図
２(f) に示す如く成長層３，４を覆うようにクラッド層
（P-InP)５及び図示しないコンタクト層（P-InGaAs) を
形成し、最後に図２(g) に示す如くその上面にｐ側電極
６を、Si基板１の下面にｎ側電極７を形成する。このよ
うに組成が異なる複数の成長層を１つの基板上に形成す
ると、多波長のレーザ光を発する多波長集積化半導体レ
ーザが得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが上述の如き従
来の方法では異波長のレーザ光を発するための成長層の
数だけ成長を行う必要があり、製造工程数が多いという
問題があった。また複数回の成長を行うと、先に成長さ
せた成長層内の活性層が後の成長時に影響を受けるた
め、後の成長条件を厳密に制御する必要があり不都合で
あった。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであ
り、組成の異なる成長層を一度に形成することができる
多波長集積化半導体レーザの製造方法を提供することを
目的とする。
来の方法では異波長のレーザ光を発するための成長層の
数だけ成長を行う必要があり、製造工程数が多いという
問題があった。また複数回の成長を行うと、先に成長さ
せた成長層内の活性層が後の成長時に影響を受けるた
め、後の成長条件を厳密に制御する必要があり不都合で
あった。本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであ
り、組成の異なる成長層を一度に形成することができる
多波長集積化半導体レーザの製造方法を提供することを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係る多波長集積
化半導体レーザの製造方法は、基板上に形成したマスク
を用いその組成が異なる複数の成長層を基板上に形成し
て多波長集積化半導体レーザを製造する方法において、
前記基板上に、開口幅は同一でその被覆幅が異なる複数
の開口部を有するマスクを設け、該複数の開口部に成長
層を形成することを特徴とする。
化半導体レーザの製造方法は、基板上に形成したマスク
を用いその組成が異なる複数の成長層を基板上に形成し
て多波長集積化半導体レーザを製造する方法において、
前記基板上に、開口幅は同一でその被覆幅が異なる複数
の開口部を有するマスクを設け、該複数の開口部に成長
層を形成することを特徴とする。
【０００７】
【作用】本発明にあってはマスクによる開口幅は同一で
その被覆幅は異なる複数の開口部に選択成長を行うこと
により、被覆幅に応じた組成の活性層が形成され異波長
のレーザ光を発するための複数の成長層を一度に形成す
ることができる。
その被覆幅は異なる複数の開口部に選択成長を行うこと
により、被覆幅に応じた組成の活性層が形成され異波長
のレーザ光を発するための複数の成長層を一度に形成す
ることができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明をその実施例を示す図面に基づき
具体的に説明する。図３は本発明に係る多波長集積化半
導体レーザの製造方法の過程を示す断面構造図であっ
て、２種類の成長層を形成する場合を示す。先ず図３
(a) に示す如くｎ型不純物であるInP を注入してなるシ
リコン(Si)基板１上面に成長層の成長阻止に用いるマス
ク（SiＯ2 ）2aを形成する。このマスク2aの開口幅はい
ずれも２μｍであるが、その両側の被覆幅は２μｍと５
μｍとに異ならせてある。
具体的に説明する。図３は本発明に係る多波長集積化半
導体レーザの製造方法の過程を示す断面構造図であっ
て、２種類の成長層を形成する場合を示す。先ず図３
(a) に示す如くｎ型不純物であるInP を注入してなるシ
リコン(Si)基板１上面に成長層の成長阻止に用いるマス
ク（SiＯ2 ）2aを形成する。このマスク2aの開口幅はい
ずれも２μｍであるが、その両側の被覆幅は２μｍと５
μｍとに異ならせてある。
【０００９】次に図３(b) に示す如くこの開口部に第１
クラッド層（n-InGaAsP)とウエル４層（InGaAs）及びバ
リア層（InGaAsP)からなるMQW 活性層と第２クラッド層
（P-InGaAsP)とをMOVPE 法により成長させる。そうする
と組成が異なるMQW 活性層を有する成長層３，４が形成
される。
クラッド層（n-InGaAsP)とウエル４層（InGaAs）及びバ
リア層（InGaAsP)からなるMQW 活性層と第２クラッド層
（P-InGaAsP)とをMOVPE 法により成長させる。そうする
と組成が異なるMQW 活性層を有する成長層３，４が形成
される。
【００１０】次に図３(c) に示す如く成長層３，４の両
側領域のマスク2aをエッチングにより除去した後、図３
(d) に示す如く成長層３，４を覆うようにクラッド層(P
-InP）５及び図示しないコンタクト層（P-InGaAs) を形
成する。そして最後に図３(e) に示す如くその上面にｐ
側電極６を、Si基板１の下面にｎ側電極７を形成する。
側領域のマスク2aをエッチングにより除去した後、図３
(d) に示す如く成長層３，４を覆うようにクラッド層(P
-InP）５及び図示しないコンタクト層（P-InGaAs) を形
成する。そして最後に図３(e) に示す如くその上面にｐ
側電極６を、Si基板１の下面にｎ側電極７を形成する。
【００１１】このようにマスク被覆幅を変えてMOVPE 選
択成長を行うとマスク上の気相中から濃度勾配によって
拡散してくる原料種の量が異なり、MQW 層の組成が変化
することそれ自体が知られている（1991年電子情報通信
学会秋期大会Ｃ−131)。
択成長を行うとマスク上の気相中から濃度勾配によって
拡散してくる原料種の量が異なり、MQW 層の組成が変化
することそれ自体が知られている（1991年電子情報通信
学会秋期大会Ｃ−131)。
【００１２】本実施例において得られた成長層３と成長
層４とではその組成が異なっており、これら成長層３，
４を有するこの多波長集積化半導体レーザでは発振波長
が1.43μｍと1.48μｍとの独立駆動可能な２波長のレー
ザ光が得られた。
層４とではその組成が異なっており、これら成長層３，
４を有するこの多波長集積化半導体レーザでは発振波長
が1.43μｍと1.48μｍとの独立駆動可能な２波長のレー
ザ光が得られた。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明に係る多波長集積化
半導体レーザの製造方法では異なる波長のレーザ光を発
するための複数の成長層を一度に形成することができる
ため、製造工程数を大幅に削減することが可能となる等
本発明は優れた効果を奏する。
半導体レーザの製造方法では異なる波長のレーザ光を発
するための複数の成長層を一度に形成することができる
ため、製造工程数を大幅に削減することが可能となる等
本発明は優れた効果を奏する。
【図１】従来の多波長集積化半導体レーザの製造方法の
過程を示す断面構造図である。
過程を示す断面構造図である。
【図２】従来の多波長集積化半導体レーザの製造方法の
過程を示す断面構造図である。
過程を示す断面構造図である。
【図３】本発明に係る多波長集積化半導体レーザの製造
方法の過程を示す断面構造図である。
方法の過程を示す断面構造図である。
１ Si基板 ２, 2a マスク ３，４ 成長層 ５ クラッド層 ６ ｐ側電極 ７ ｎ側電極
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成したマスクを用いその組成
が異なる複数の成長層を基板上に形成して多波長集積化
半導体レーザを製造する方法において、 前記基板上に、開口幅は同一でその被覆幅が異なる複数
の開口部を有するマスクを設け、該複数の開口部に成長
層を形成することを特徴とする多波長集積化半導体レー
ザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15135692A JPH05327119A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 多波長集積化半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15135692A JPH05327119A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 多波長集積化半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05327119A true JPH05327119A (ja) | 1993-12-10 |
Family
ID=15516759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15135692A Pending JPH05327119A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 多波長集積化半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05327119A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07283487A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2010140370A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 住友化学株式会社 | 光デバイス、半導体基板、光デバイスの製造方法、および半導体基板の製造方法 |
| JP2013197168A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザアレイ |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP15135692A patent/JPH05327119A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07283487A (ja) * | 1994-04-08 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| WO2010140370A1 (ja) * | 2009-06-05 | 2010-12-09 | 住友化学株式会社 | 光デバイス、半導体基板、光デバイスの製造方法、および半導体基板の製造方法 |
| CN102449785A (zh) * | 2009-06-05 | 2012-05-09 | 住友化学株式会社 | 光器件、半导体基板、光器件的制造方法、以及半导体基板的制造方法 |
| US8633496B2 (en) | 2009-06-05 | 2014-01-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Optical device and semiconductor wafer |
| JP2013197168A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子、半導体レーザ素子の製造方法、半導体レーザアレイ |
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