JPH0936475A - リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 - Google Patents
リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法Info
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- JPH0936475A JPH0936475A JP18158895A JP18158895A JPH0936475A JP H0936475 A JPH0936475 A JP H0936475A JP 18158895 A JP18158895 A JP 18158895A JP 18158895 A JP18158895 A JP 18158895A JP H0936475 A JPH0936475 A JP H0936475A
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- mask
- ridge
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 予め平坦な表面を形成できるようにマスク対
を配置して、そのマスク対を用いてＭＯＶＰＥ法を用い
た選択成長を行うことにより、簡便にリッジを形成可能
なリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法を提供
する。 【構成】 選択成長法を用いたリッジウェイブガイド半
導体レーザの製造方法において、ｎ−ＩｎＰ基板１１上
の成長領域に狭い幅のマスク対Ｃ，Ｃを配置する工程
と、前記マスク対Ｃ，Ｃをマスクとして、活性層１２、
ｐ−ＩｎＰクラッド層１３、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１４を順次結晶成長させ、上面が平坦なリッジを形
成する工程と、全面にＳｉＯ2 絶縁膜１５を形成し、前
記リッジ上面のみに窓１６を形成する工程と、全面にｐ
型電極１７を形成する工程とを施す。
を配置して、そのマスク対を用いてＭＯＶＰＥ法を用い
た選択成長を行うことにより、簡便にリッジを形成可能
なリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法を提供
する。 【構成】 選択成長法を用いたリッジウェイブガイド半
導体レーザの製造方法において、ｎ−ＩｎＰ基板１１上
の成長領域に狭い幅のマスク対Ｃ，Ｃを配置する工程
と、前記マスク対Ｃ，Ｃをマスクとして、活性層１２、
ｐ−ＩｎＰクラッド層１３、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタク
ト層１４を順次結晶成長させ、上面が平坦なリッジを形
成する工程と、全面にＳｉＯ2 絶縁膜１５を形成し、前
記リッジ上面のみに窓１６を形成する工程と、全面にｐ
型電極１７を形成する工程とを施す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＭＯＶＰＥ（Ｍｅｔａ
ｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉ
ｔａｘｉａｌ）法による選択成長を用いた多機能素子集
積化半導体レーザの製造方法に係り、特に、マスク対を
配置したリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法
に関するものである。
ｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｖａｐｏｒ Ｐｈａｓｅ Ｅｐｉ
ｔａｘｉａｌ）法による選択成長を用いた多機能素子集
積化半導体レーザの製造方法に係り、特に、マスク対を
配置したリッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、このようなＭＯＶＰＥ法を用いた
選択成長法に関して、例えば、Ｔ．Ｓａｓａｋｉ，Ｍ．
Ｋｉｔａｍｕｒａ ａｎｄ Ｉ．Ｍｉｔｏ，“Ｓｅｌｅ
ｃｔｉｖｅ ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰｌａｙｅｒｓ ｗｉｔｈ ｂ
ａｎｄｇａｐ ｅｎｅｒｇｙ ｃｏｎｔｒｏｌ ｉｎ
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ ｍｕｌｔｉｐｌｅ−ｑ
ｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １
３２（１９９３）Ｐ．４３５〜４４３に開示されるよう
なものがあった。
選択成長法に関して、例えば、Ｔ．Ｓａｓａｋｉ，Ｍ．
Ｋｉｔａｍｕｒａ ａｎｄ Ｉ．Ｍｉｔｏ，“Ｓｅｌｅ
ｃｔｉｖｅ ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｖａｐｏｒ
ｐｈａｓｅ ｅｐｉｔａｘｉａｌ ｇｒｏｗｔｈ ｏｆ
ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰｌａｙｅｒｓ ｗｉｔｈ ｂ
ａｎｄｇａｐ ｅｎｅｒｇｙ ｃｏｎｔｒｏｌ ｉｎ
ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ ｍｕｌｔｉｐｌｅ−ｑ
ｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ １
３２（１９９３）Ｐ．４３５〜４４３に開示されるよう
なものがあった。
【０００３】この文献によれば、ＭＯＶＰＥ法により、
基板上に気相成長させる場合、ＳｉＯ2 膜による成長阻
止マスクを基板上に形成することによって、マスク脇が
選択的に成長する。この時、成長層の成長速度と組成
が、マスク幅と成長領域の幅によってマスクなしの状態
と比べて変化する。この機構には、原因が２つあって、
一つは、（１１１）Ｂ面やマスクからの原料種のマイグ
レーションに起因するものと、もう一つは、成長領域に
原料が取り込まれる（成長する）ことにより気相原料種
の濃度勾配が生じ、原料が取り込こまれないマスク上の
気相原料種が成長領域に拡散するためである。表面マイ
グレーションによる選択成長の及ぼす範囲は、（１１
１）Ｂ面境界やマスク端から２〜５μｍ程度で、気相拡
散による選択成長の及ぼす範囲は、１０〜５０μｍ程度
である。このため、成長領域の幅を１０〜５０μｍとし
たとき、マスクとの境界から１〜３μｍ程度表面が凸状
になる。
基板上に気相成長させる場合、ＳｉＯ2 膜による成長阻
止マスクを基板上に形成することによって、マスク脇が
選択的に成長する。この時、成長層の成長速度と組成
が、マスク幅と成長領域の幅によってマスクなしの状態
と比べて変化する。この機構には、原因が２つあって、
一つは、（１１１）Ｂ面やマスクからの原料種のマイグ
レーションに起因するものと、もう一つは、成長領域に
原料が取り込まれる（成長する）ことにより気相原料種
の濃度勾配が生じ、原料が取り込こまれないマスク上の
気相原料種が成長領域に拡散するためである。表面マイ
グレーションによる選択成長の及ぼす範囲は、（１１
１）Ｂ面境界やマスク端から２〜５μｍ程度で、気相拡
散による選択成長の及ぼす範囲は、１０〜５０μｍ程度
である。このため、成長領域の幅を１０〜５０μｍとし
たとき、マスクとの境界から１〜３μｍ程度表面が凸状
になる。
【０００４】図３はかかる従来のＭＯＶＰＥ法を用いた
選択成長マスクの平面図、図４はそれを用いた選択成長
法による素子の断面図であり、図４（ａ）はＭＯＶＰＥ
法を用いた選択成長状態を示す断面図、図４（ｂ）はエ
ッチングによるリッジウェイブガイドの形成工程図であ
る。図３に示すように、成長領域Ｂの両側にＳｉＯ2 膜
マスクＡを形成する。
選択成長マスクの平面図、図４はそれを用いた選択成長
法による素子の断面図であり、図４（ａ）はＭＯＶＰＥ
法を用いた選択成長状態を示す断面図、図４（ｂ）はエ
ッチングによるリッジウェイブガイドの形成工程図であ
る。図３に示すように、成長領域Ｂの両側にＳｉＯ2 膜
マスクＡを形成する。
【０００５】このようなマスクを用いて、ＭＯＶＰＥ法
により選択成長を行うと、図４（ａ）に示すように、ｎ
−ＩｎＰ基板１上に活性層２、ｐ−ＩｎＰクラッド層
３、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層４が形成され、両端
には凸状部５が形成される。したがって、両端は使用す
ることができないので、図４（ｂ）に示すように、中央
の表面が平坦な部分に、ＳｉＯ2 マスク６を形成して、
そのＳｉＯ2 マスク６を用いて、両側の部分をエッチン
グすることにより、表面が平坦なリッジ７を形成する。
により選択成長を行うと、図４（ａ）に示すように、ｎ
−ＩｎＰ基板１上に活性層２、ｐ−ＩｎＰクラッド層
３、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層４が形成され、両端
には凸状部５が形成される。したがって、両端は使用す
ることができないので、図４（ｂ）に示すように、中央
の表面が平坦な部分に、ＳｉＯ2 マスク６を形成して、
そのＳｉＯ2 マスク６を用いて、両側の部分をエッチン
グすることにより、表面が平坦なリッジ７を形成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のリ
ッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法では、マス
クの間隔が大きくなると、そのマスクの隣接部では、凸
状部が形成されるため、その部分をエッチングする工程
が必要になり、煩雑であり、コストが嵩むといった問題
があった。
ッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法では、マス
クの間隔が大きくなると、そのマスクの隣接部では、凸
状部が形成されるため、その部分をエッチングする工程
が必要になり、煩雑であり、コストが嵩むといった問題
があった。
【０００７】本発明は、上記問題点を解決するために、
予め平坦な表面を形成できるようにマスク対を配置し
て、そのマスクを用いてＭＯＶＰＥ法を用いた選択成長
を行うことにより、簡便にリッジを形成可能なリッジウ
ェイブガイド半導体レーザの製造方法を提供することを
目的とする。
予め平坦な表面を形成できるようにマスク対を配置し
て、そのマスクを用いてＭＯＶＰＥ法を用いた選択成長
を行うことにより、簡便にリッジを形成可能なリッジウ
ェイブガイド半導体レーザの製造方法を提供することを
目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、選択成長法を用いたリッジウェイブガイ
ド半導体レーザの製造方法において、第１導電型化合物
半導体（ｎ−ＩｎＰ）基板上の成長領域に狭い幅のマス
ク対を配置する工程と、前記マスク対をマスクとして、
活性層、第２導電型化合物半導体（ｐ−ＩｎＰ）クラッ
ド層、第２導電型化合物半導体（ｐ−ＩｎＧａＡｓ）コ
ンタクト層を順次結晶成長させ、上面が平坦なリッジを
形成する工程と、全面に絶縁膜を形成し、前記リッジ上
面にのみ窓を形成する工程と、全面に第２導電側電極を
形成する工程とを施すようにしたものである。
成するために、選択成長法を用いたリッジウェイブガイ
ド半導体レーザの製造方法において、第１導電型化合物
半導体（ｎ−ＩｎＰ）基板上の成長領域に狭い幅のマス
ク対を配置する工程と、前記マスク対をマスクとして、
活性層、第２導電型化合物半導体（ｐ−ＩｎＰ）クラッ
ド層、第２導電型化合物半導体（ｐ−ＩｎＧａＡｓ）コ
ンタクト層を順次結晶成長させ、上面が平坦なリッジを
形成する工程と、全面に絶縁膜を形成し、前記リッジ上
面にのみ窓を形成する工程と、全面に第２導電側電極を
形成する工程とを施すようにしたものである。
【０００９】
【作用】本発明によれば、 （１）第１導電型化合物半導体（ｎ−ＩｎＰ）基板上の
成長領域に狭い幅のマスク対を配置し、このマスク対間
に形成されるリッジ上面の平坦性を向上させるようにし
たので、その後のプロセスの簡略化を図ることができ
る。
成長領域に狭い幅のマスク対を配置し、このマスク対間
に形成されるリッジ上面の平坦性を向上させるようにし
たので、その後のプロセスの簡略化を図ることができ
る。
【００１０】（２）図１の成長領域Ｂ（ｂも含む）で
は、マスクＡからの気相拡散が支配的に選択成長され、
成長領域ｂはマスクＣからの表面マイグレーションが支
配的になる。すなわち、成長領域ｂは、気相拡散と表面
マイグレーションの２つの選択成長機構が働き、１つが
支配的な選択成長に比べ選択性を増大させることができ
る。
は、マスクＡからの気相拡散が支配的に選択成長され、
成長領域ｂはマスクＣからの表面マイグレーションが支
配的になる。すなわち、成長領域ｂは、気相拡散と表面
マイグレーションの２つの選択成長機構が働き、１つが
支配的な選択成長に比べ選択性を増大させることができ
る。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すリ
ッジウェイブガイド半導体レーザの製造に用いる選択成
長マスクの平面図、図２はその選択成長マスクを用いた
リッジウェイブガイド半導体レーザの製造工程断面図で
ある。
ながら詳細に説明する。図１は本発明の実施例を示すリ
ッジウェイブガイド半導体レーザの製造に用いる選択成
長マスクの平面図、図２はその選択成長マスクを用いた
リッジウェイブガイド半導体レーザの製造工程断面図で
ある。
【００１２】図１に示すように、ＳｉＯ2 膜マスクＡ
（幅１０〜１００μｍ程度）、成長領域Ｂ（幅１０〜５
０μｍ）を配置する。通常の選択成長時の組成制御条件
に合わせて正確な幅を決定する。そして、この成長領域
Ｂの中央部にリッジ形成のための狭い幅の１対のマスク
Ｃを形成する。本発明の成長表面平坦化用のマスクＣの
幅は１〜２μｍとし、間隔ｂは１〜５μｍとする。
（幅１０〜１００μｍ程度）、成長領域Ｂ（幅１０〜５
０μｍ）を配置する。通常の選択成長時の組成制御条件
に合わせて正確な幅を決定する。そして、この成長領域
Ｂの中央部にリッジ形成のための狭い幅の１対のマスク
Ｃを形成する。本発明の成長表面平坦化用のマスクＣの
幅は１〜２μｍとし、間隔ｂは１〜５μｍとする。
【００１３】本発明の実施例を示すリッジウェイブガイ
ド半導体レーザの製造方法を図２を用いて説明する。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、（００１）Ｉｎ
Ｐ基板１１上にマスクＡ，Ｃを形成してから、減圧ＭＯ
ＶＰＥ法により、活性層１２、ｐ−ＩｎＰクラッド層１
３、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４を順次結晶成長
させる。
ド半導体レーザの製造方法を図２を用いて説明する。 （１）まず、図２（ａ）に示すように、（００１）Ｉｎ
Ｐ基板１１上にマスクＡ，Ｃを形成してから、減圧ＭＯ
ＶＰＥ法により、活性層１２、ｐ−ＩｎＰクラッド層１
３、ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４を順次結晶成長
させる。
【００１４】（２）次に、マスクＡ，Ｃを全て剥がした
後に、図２（ｂ）に示すように、全面にＳｉＯ2 絶縁膜
１５を形成し、その後、成長領域上のＳｉＯ2 絶縁膜１
５を通常のホトリソグラフィーとエッチングにより除去
し、リッジのｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４上面に
のみ窓１６を形成した後、全面にｐ側オーミック電極１
７を形成する。
後に、図２（ｂ）に示すように、全面にＳｉＯ2 絶縁膜
１５を形成し、その後、成長領域上のＳｉＯ2 絶縁膜１
５を通常のホトリソグラフィーとエッチングにより除去
し、リッジのｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層１４上面に
のみ窓１６を形成した後、全面にｐ側オーミック電極１
７を形成する。
【００１５】以下、具体的な例について説明する。マス
クＡの幅と成長領域Ｂの幅は、それぞれの機能の領域の
設計道理になるような値にする。例えば、１．５５μｍ
帯の変調器と活性層を集積化する場合、活性領域のＡ，
Ｂ，Ｃの幅を、それぞれ２０μｍ、２０μｍ、１μｍと
し、変調器領域には、マスクは設けない。この時、適当
な多重量子井戸構造を成長すれば、活性層領域と変調器
領域のＰＬ波長は、それぞれ１．５５μｍ、１．５３μ
ｍとなる。
クＡの幅と成長領域Ｂの幅は、それぞれの機能の領域の
設計道理になるような値にする。例えば、１．５５μｍ
帯の変調器と活性層を集積化する場合、活性領域のＡ，
Ｂ，Ｃの幅を、それぞれ２０μｍ、２０μｍ、１μｍと
し、変調器領域には、マスクは設けない。この時、適当
な多重量子井戸構造を成長すれば、活性層領域と変調器
領域のＰＬ波長は、それぞれ１．５５μｍ、１．５３μ
ｍとなる。
【００１６】図１及び図２に示すように、マスクＣを設
けて成長させることにより、マスクＣで成長が阻止さ
れ、〈００１〉方向に（１１１）Ｂ面を形成しながら堆
積される。しかし、マスクＣの間隔（成長領域の一部
分）ｂは、マスクＣからの表面移動による供給が少ない
ので、マスクＣの近傍での異常成長がなく平坦になる。
マスクＡの近傍では、マスクＡからの表面移動により原
料種の供給量が増し、異常成長のため凸状になる。ま
た、マスクＣの間隔（成長領域の一部分）ｂの幅は、１
〜２μｍ程度とし、以後のプロセスでエッチングを必要
としないように設計する。
けて成長させることにより、マスクＣで成長が阻止さ
れ、〈００１〉方向に（１１１）Ｂ面を形成しながら堆
積される。しかし、マスクＣの間隔（成長領域の一部
分）ｂは、マスクＣからの表面移動による供給が少ない
ので、マスクＣの近傍での異常成長がなく平坦になる。
マスクＡの近傍では、マスクＡからの表面移動により原
料種の供給量が増し、異常成長のため凸状になる。ま
た、マスクＣの間隔（成長領域の一部分）ｂの幅は、１
〜２μｍ程度とし、以後のプロセスでエッチングを必要
としないように設計する。
【００１７】なお、上記した第１実施例では、ＩｎＰ系
の選択成長に関して説明したが、ＧａＡｓ系の選択成長
に関しても適用可能である。また、成長方法は、ＭＯＶ
ＰＥ法に限らず、ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法にも適用される。なお、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に
基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範
囲から排除するものではない。
の選択成長に関して説明したが、ＧａＡｓ系の選択成長
に関しても適用可能である。また、成長方法は、ＭＯＶ
ＰＥ法に限らず、ＣＢＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｂｅａｍ
Ｅｐｉｔａｘｙ）法にも適用される。なお、本発明は
上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に
基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範
囲から排除するものではない。
【００１８】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、第１導電型化合物半導体（ｎ−ＩｎＰ）基板上
の成長領域に狭い幅のマスク対を配置し、このマスク対
間に形成されるリッジ上面の平坦性を向上させるように
したので、その後のプロセスの簡略化を図ることができ
る。
よれば、第１導電型化合物半導体（ｎ−ＩｎＰ）基板上
の成長領域に狭い幅のマスク対を配置し、このマスク対
間に形成されるリッジ上面の平坦性を向上させるように
したので、その後のプロセスの簡略化を図ることができ
る。
【図１】本発明の実施例を示すリッジウェイブガイド半
導体レーザの製造に用いる選択成長マスクの平面図であ
る。
導体レーザの製造に用いる選択成長マスクの平面図であ
る。
【図２】本発明の実施例を示す選択成長マスクを用いた
リッジウェイブガイド半導体レーザの製造工程断面図で
ある。
リッジウェイブガイド半導体レーザの製造工程断面図で
ある。
【図３】従来のＭＯＶＰＥ法を用いた選択成長マスクの
平面図である。
平面図である。
【図４】従来の選択成長マスクを用いた選択成長法によ
る素子の断面図である。
る素子の断面図である。
Ａ，Ｃ マスク Ｂ 成長領域 ｂ マスクＣの間隔 １１ ＩｎＰ基板 １２ 活性層 １３ ｐ−ＩｎＰクラッド層 １４ ｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層 １５ ＳｉＯ2 絶縁膜 １６ 窓 １７ ｐ側オーミック電極
Claims (1)
- 【請求項１】 選択成長法を用いたリッジウェイブガイ
ド半導体レーザの製造方法において、（ａ）第１導電型
化合物半導体基板上の成長領域に狭い幅のマスク対を配
置する工程と、（ｂ）前記マスク対をマスクとして、活
性層、第２導電型化合物半導体クラッド層、第２導電型
化合物半導体コンタクト層を順次結晶成長させ、上面が
平坦なリッジを形成する工程と、（ｃ）全面に絶縁膜を
形成し、前記リッジ上面にのみ窓を形成する工程と、
（ｄ）全面に第２導電側電極を形成する工程とを施すこ
とを特徴とするリッジウェイブガイド半導体レーザの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18158895A JPH0936475A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18158895A JPH0936475A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936475A true JPH0936475A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16103441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18158895A Pending JPH0936475A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | リッジウェイブガイド半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936475A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337870B1 (en) | 1997-10-20 | 2002-01-08 | Nec Corporation | Semiconductor laser having recombination layer stripes in current blocking structure |
| US6887726B2 (en) | 1997-09-29 | 2005-05-03 | Nec Corporation | Semiconductor layer formed by selective deposition and method for depositing semiconductor layer |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP18158895A patent/JPH0936475A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6887726B2 (en) | 1997-09-29 | 2005-05-03 | Nec Corporation | Semiconductor layer formed by selective deposition and method for depositing semiconductor layer |
| US7314672B2 (en) | 1997-09-29 | 2008-01-01 | Nec Corporation | Semiconductor layer formed by selective deposition and method for depositing semiconductor layer |
| US7655485B2 (en) | 1997-09-29 | 2010-02-02 | Nec Corporation | Semiconductor layer formed by selective deposition and method for depositing semiconductor layer |
| US6337870B1 (en) | 1997-10-20 | 2002-01-08 | Nec Corporation | Semiconductor laser having recombination layer stripes in current blocking structure |
| US6670203B2 (en) | 1997-10-20 | 2003-12-30 | Nec Corporation | Method for manufacturing semiconductor laser having recombination layer stripes in current blocking structure |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030624 |