JPH04324988A - 半導体レーザ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置特に
活性層の横方向に電流狭窄がなされ、低しきい値化をは
かった半導体レーザ装置、及び、更にこの構造において
単一モード発振を行い得る分布帰還型の半導体レーザ装
置に係わる。

【０００２】

【従来の技術】低しきい値電流Ｉｔｈを有する半導体レ
ーザとして、１回のエピタキシャル成長作業によって形
成し得るようにしたＳＤＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅｄ　Ｄｏ
ｕｂｌｅ　Ｈｅｔｅｒｏ　Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）　半導体
レーザが、本出願人による例えば特開昭６１−１８３９
８７号、特開平２−１７４２８７号において提案されて
いる。

【０００３】このＳＤＨ型半導体レーザは、図４にその
一例の略線的拡大断面図を示すように、先ず例えばＮ型
で一主面が｛１００｝結晶面を有する例えばＧａＡｓよ
り成る基板１のその一主面に、図４においてその紙面と
直交する〈０１１〉結晶軸方向に延びるストライプ状の
メサ突起２が形成され、この突起２を有する基板１の一
主面上に、順次通常のＭＯＣＶＤ（有機金属による化学
的気相成長）法すなわちメチル系ＭＯＣＶＤ法によって
、連続的に例えばＮ型のバッファ層１３と、例えばＮ型
の第１のクラッド層４と、低不純物濃度ないしはアンド
ープの活性層５と、例えばＰ型の第２のクラッド層６と
、例えばＮ型の電流ブロック層８と、例えばＰ型の第３
のクラッド層９と、例えばＰ型のキャップ層１０との各
半導体層が１回のエピタキシャル成長作業によって形成
されてなる。

【０００４】ここに第１のクラッド層４と第２及び第３
のクラッド層６及び９と、電流ブロック層８とは、活性
層５に比してバンドギャップが大すなわち屈折率が小な
る材料より成る。

【０００５】そして、この場合基板１及びストライプ状
のメサ突起２との結晶方位、突起２の幅及び高さ、即ち
その両側のメサ溝２Ａの深さ、さらに第１のクラッド層
４、活性層５、第２のクラッド層６等の厚さを選定する
ことによってメサ突起２上に第１のクラッド層４、活性
層５、第２のクラッド層５を、メサ溝２Ａ上におけるそ
れらと分断するように斜面７による断層を形成し、これ
ら斜面７によって分断されたストライプ状のエピタキシ
ャル成長層より成る断面三角形状部２０がメサ突起２上
に形成されるようにする。

【０００６】これは、通常のＭＯＣＶＤ法、即ちメチル
系の有機金属を原料ガスとして行ったＭＯＣＶＤ法によ
る場合、（１１１）Ｂ結晶面が一旦生じてくると、この
面に関してはエピタキシャル成長が生じにくいことを利
用して、ストライプ状の断面三角形状部２０を形成する
ものである。そして、この場合電流ブロック層８は、ス
トライプ状の断面三角形状部２０によってこれを挟んで
その両側に分断され、この分断によって生じた両端面が
断面三角形状部２０における他と分断されたストライプ
状活性層５の両側端面即ち斜面７に臨む端面に衝合する
ようになされる。

【０００７】このようにしてメサ突起２上の断面三角形
状部２０における活性層５が、これより屈折率の小さい
電流ブロック層８によって挟みこまれるように形成され
て横方向の閉じ込めがなされて発光動作領域となるよう
にされ、しかもこの電流ブロック層８の存在によって断
面三角形状部２０の両外側においては、第３のクラッド
層９と、電流ブロック層８と、第２のクラッド層６と、
第１のクラッド層４とによってＰ−Ｎ−Ｐ−Ｎのサイリ
スタが形成されて、ここにおける電流が阻止され、これ
によってこのメサ突起２上の断面三角形状部２０の活性
層５に電流が集中するようになされて、低しきい値電流
化をはかるようになされている。

【０００８】このとき電流ブロック層８の位置選定とし
て、この電流ブロック層８が断面三角形状部２０の活性
層５の両斜面７に臨む両端面を覆うように構成する場合
は、図５において矢印ｉ１　で示すように、メサ溝２Ａ
上のＰ型の第３のクラッド層９、Ｎ型の電流ブロック層
８、メサ突起２上のＮ型の第１のクラッド層４、メサ突
起２上のＮ型のバッファ層１３を通じてＮ型の基板１へ
抜ける電流通路が存在し、リーク電流が多少生じる恐れ
がある。

【０００９】このため、この電流通路の発生を回避する
構成として、図６にその要部の略線的拡大断面図を示す
構造が提案されている。図６において、図５に対応する
部分には同一符号を付して重複説明を省略する。この場
合は、電流ブロック層８の位置選定として、断面三角形
状部２０のＰ型の第２のクラッド層６の両斜面７に臨む
両側面に接する構成とした例で、メサ突起２上の活性層
５の両端面を覆わない構成、即ちメサ突起２上のＮ型の
第１のクラッド層４の両斜面７に臨む両側面に接しない
位置を採ることとなる。このため、上述した図５におけ
る矢印ｉ１　で示す電流通路は形成されず、リーク電流
の低減化をはかることができる。

【００１０】この場合、図６において矢印ｉ２　で示す
ように、Ｐ型の第３のクラッド層９から断面三角形状部
２０のＰ型の第２のクラッド層６、メサ溝２Ａ上の第２
のクラッド層６、断面三角形状部２０のＮ型のバッファ
層１３を通じてＮ型の基板１へ通じる電流通路が存在す
るが、この場合には、電流ブロック層８の断面三角形状
部２０の両斜面７に接する下面と、断面三角形状部２０
の活性層５の上面との距離が接近しているため、この部
分における電流通路が幅狭となって実用上リーク電流を
抑制することができる。

【００１１】しかしながら、活性層５がＡｌＧａＡｓよ
り成る場合は、以下に述べるリーク電流が問題となる恐
れがある。即ち、このような構成とする場合、矢印ｉ２
　で示すように、メサ溝２Ａ上のＰ型の第２のクラッド
層６からメサ突起２の上面へ向かう電流通路、即ちこの
場合Ｎ型のバッファ層１３または図示しないがＮ型の基
板１に抜ける電流通路が存在するが、この部分のｐ−ｎ
接合のビルトインポテンシャルは、メサ突起２上の第２
のクラッド層６と活性層５との間のビルトインポテンシ
ャルより小であるため、このメサ溝２Ａ内のＰ型クラッ
ド層６から基板１またはバッファ層１３へ抜けるリーク
電流が支配的となって、活性層５の横方向の電流狭窄が
不充分となって、動作電流の低しきい値化をはかり難く
なる恐れがある。

【００１２】一方、単一波長発振を実現し得る半導体レ
ーザ装置として、分布帰還型半導体レーザいわゆるＤＦ
Ｂレーザがある。このＤＦＢレーザは、活性層の近傍に
回折格子いわゆるグレーティングを組み込んで特定の波
長、すなわち単一縦モードをより選択的に発振発光し得
るようになされたものであり、近年例えば光ファイバ通
信の広帯域伝送への応用化等のために、各方面で研究開
発が進んでいる。

【００１３】一般にこの種のＤＦＢ半導体レーザの製造
にあたっては、このグレーティングを形成するためのエ
ッチング作業を挟んでその前後において、各半導体層の
エピタキシャル成長が分断される。

【００１４】一方、このＤＦＢ半導体レーザにおいて、
上述したと同様に低しきい値電流をもって構成するため
に、その活性層の発光動作領域を形成するためのストラ
イプ上の埋込み構造を形成する場合においても、その埋
込み構造即ち光及びキャリアの閉じ込めを行う構造をと
るために、溝形成のエッチング作業を挟んで２回のエピ
タキシャル成長作業に分断されることになる。

【００１５】しかしながら、このように活性層の形成部
近傍で２回のエピタキシャル成長に分断された界面が存
在する場合、その２回のエピタキシャル成長間において
、前段のエピタキシャル成長表面が自然酸化して、特性
の劣化を来すなどの不都合が生じる。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】一の本発明は、前述し
たＳＤＨ構造の半導体レーザ装置におけるリーク電流の
問題を解決して、低しきい値電流化をはかることを目的
とする。

【００１７】また他の本発明は、低しきい値電流化と共
に、更に単一波長発振を行うことができるようにした半
導体レーザ装置を得ることを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】一の本発明半導体レーザ
装置の一例の略線的拡大断面図を図１に示す。本発明は
図１に示すように、主面１Ｓが｛１００｝結晶面より成
り、〈０１１〉結晶軸方向に延長するメサ突起２を有す
る基板１上のメサ突起２上にＡｌＧａＡｓ層３を有し、
このメサ突起２上のＡｌＧａＡｓ層３上に気相成長法で
成長した少なくとも活性層５とクラッド層４、６及び９
と電流ブロック層８とを有し、ＡｌＧａＡｓ層３の成分
中のＡｌ量をクラッド層４及び６の成分中のＡｌ量と同
等もしくは同等以上に多く含む構成とする。

【００１９】他の本発明半導体レーザ装置の一例の略線
的拡大断面図を図３に示す。本発明は図３に示すように
、基板１上のメサ突起２上のＡｌＧａＡｓ層３上に回折
格子１１を形成して構成する。

【００２０】

【作用】上述したように、本発明半導体レーザ装置では
、主面１Ｓが｛１００｝結晶面より成り、〈０１１〉結
晶軸方向に延長するメサ突起２を有する基板１上のメサ
突起２上にＡｌＧａＡｓ層３を有し、このメサ突起２上
のＡｌＧａＡｓ層３上に気相成長法で成長した第１のク
ラッド層４と活性層５と第２のクラッド層６と電流ブロ
ック層８とを有するものであるが、このように基板１の
結晶面及びメサ突起２の延長する結晶軸方向を選定する
ことによって、通常の気相成長法即ちメチル系ＭＯＣＶ
Ｄ法により各層をエピタキシャル成長する場合、メサ突
起２上においては、その両側端縁から主面１Ｓに対して
約５５°を成す｛１１１｝Ｂ結晶面が一旦生じると、こ
の｛１１１｝Ｂ結晶面上ではメチル系ＭＯＣＶＤ法によ
るエピタキシャル成長が生じにくいことから、メサ突起
２上のＡｌＧａＡｓ層３上の第１のクラッド層４、活性
層５及び第２のクラッド層６は、メサ突起２上とメサ溝
２Ａ内とで互いに分断して形成され、メサ突起２上には
ＡｌＧａＡｓ層３、第１のクラッド層４、活性層５、第
２のクラッド層６とが｛１１１｝Ｂ結晶面より成る両斜
面７によって挟み込まれた断面三角形状部２０として形
成される。

【００２１】そして一の本発明半導体レーザ装置によれ
ば、メサ突起２上にＡｌＧａＡｓ層３を設け、このＡｌ
ＧａＡｓ層３の成分中のＡｌ量を第１のクラッド層の成
分中のＡｌ量と同等もしくは同等以上に多く含む構成と
することによって、ＡｌＧａＡｓ層３とメサ溝２Ａ内の
第２のクラッド層６とのｐ−ｎ接合におけるビルトイン
ポテンシャルが大となるため、ここにおけるリーク電流
を抑制することができる。

【００２２】即ち、図２の要部の略線的拡大断面図に示
すように、このような構成とする場合は、メサ突起２上
の第２のクラッド層６、メサ溝２Ａ上の第２のクラッド
層６を通じてメサ突起２上のＡｌＧａＡｓ層３へ向かう
矢印ｉで示す電流通路が存在するが、ＡｌＧａＡｓ層３
と第２のクラッド層６とのｐ−ｎ接合におけるビルトイ
ンポテンシャルと、メサ突起２上の第２のクラッド層６
とこれに比して成分中のＡｌ量が小である活性層５との
間のビルトインポテンシャルとを比較すると、ＡｌＧａ
Ａｓ層３に対するビルトインポテンシャルが比較的大と
なるために、活性層５を通る電流が支配的となって結果
的にリーク電流の低減化をはかることができる。従って
、活性層５の組成がＡｌＧａＡｓ系である場合において
も、充分この活性層５に電流集中を行わしめることがで
きて、従来のＳＤＨ型半導体レーザ装置と同等のリーク
電流の低減化をはかって、低しきい値電流化をはかるこ
とができる。

【００２３】また他の本発明半導体レーザ装置によれば
、メサ突起２上のＡｌＧａＡｓ層３に回折格子１１を設
ける構成とするため、この上に順次通常のメチル系ＭＯ
ＣＶＤ法により各層４、５、６、８及び９をエピタキシ
ャル成長することによって、活性層５の両側面が埋め込
まれた半導体レーザ装置を得ることができると共に、上
述したようにリーク電流の低減化をはかって低しきい値
電流のＳＤＨを構成することができ、更に活性層５の近
傍に回折格子１１が存在していることによってＤＦＢ動
作による単一波長発振を行いうる半導体レーザ装置を構
成することができる。

【００２４】

【実施例】以下本発明半導体レーザ装置の各例を図１〜
図４を参照して詳細に説明する。各例共に、Ｎ型のＧａ
Ａｓ基板上にＡｌＧａＡｓ系の化合物半導体層を積層形
成して成るＩＩＩ　−Ｖ族半導体レーザ装置の例を示す
。

【００２５】実施例１ 図１及び図２を参照して説明する。図１に示すように、
例えばＮ型のＧａＡｓ基板１上の｛１００｝結晶面、例
えば（１００）結晶面より成る主面１Ｓ上に、Ｎ型のＡ
ｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ａｓより成るＡｌＧａＡｓ層３を例
えば厚さ１μｍとしてエピタキシャル成長した後、この
ＡｌＧａＡｓ層３上に所要の幅をもって、図示しないが
〈０１１〉結晶軸方向の例えば〔０１１〕結晶軸方向に
沿って延長するストライプ状のエッチングマスクを、例
えばフォトレジストの塗布、パターン露光により形成し
、このエッチングマスクをマスクとしてＡｌＧａＡｓ層
３上から結晶学的エッチングを行って、〔０１１〕結晶
軸方向に沿って延長し、基板１とＡｌＧａＡｓ層３とよ
り成るストライプ状のメサ突起２を形成する。即ちこの
場合図１において紙面に直交する方向を〔０１１〕結晶
軸方向とする。

【００２６】そしてエッチングマスクを除去した後に、
通常のＭＯＣＶＤ法、すなわちメチル系の有機金属を原
料ガスとするＭＯＣＶＤ法によって、メサ溝２Ａ内を含
んで全面的にＮ型のＡｌｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓより成る
第１のクラッド層４、アンドープもしくは低濃度のＡｌ
ｙ　Ｇａ１−ｙ　Ａｓ等より成る活性層５及びＰ型のＡ
ｌｘ２Ｇａ１−ｘ２Ａｓ等より成る第２のクラッド層６
をエピタキシャル成長する。

【００２７】このとき、メサ突起２上とメサ溝２Ａ内と
でエピタキシャル成長されるが、メサ突起２の上面では
（１００）結晶面に対しての角度が約５５°をなす（１
１１）Ｂ結晶面より成る斜面７がメサ突起２の両側から
自然発生的に生じ、またこの斜面７上ではメチル系ＭＯ
ＣＶＤ法によるエピタキシャル成長が進行しにくいので
、各層４、５及び６はメサ突起２上とメサ溝２Ａ内とで
は、互いに分断して形成される。

【００２８】そしてこのメサ突起２の幅及び高さ、各層
４、５及び６の厚さを適切に選定することによって、第
２のクラッド層６のメサ溝２Ａ上におけるメサ突起２に
至る下面が、基板１上のＡｌＧａＡｓ層３の両側面に接
するようになすと共に、この第２のクラッド層６の成長
途中において、メサ突起２上の両側の斜面７が交叉する
ようになして、メサ突起２上に各層４、５及び６より成
りストライプ状に〔０１１〕結晶軸方向に延長する断面
三角形状部２０が構成されるようになす。

【００２９】そして更にＰ型の第２のクラッド層６の成
長を続けて、メサ溝２Ａ内におけるその上面が、メサ突
起２上の活性層５の両斜面７に臨む両側面を越えて、こ
れの上の第２のクラッド層６の両側面に達する位置程度
まで成長させ、その上に続いてＮ型のＡｌｘ２Ｇａ１−
ｘ２Ａｓ等より成り、活性層５に比して屈折率が小とさ
れた電流ブロック層８を同様にＭＯＣＶＤ法によってエ
ピタキシャル成長して、この電流ブロック層８の上面が
、メサ突起２上の第２のクラッド層６の両側面を覆わな
いように、その厚さ及び不純物濃度を選定する。

【００３０】そして更にこの上に例えばＰ型のＡｌｘ２
Ｇａ１−ｘ２Ａｓ等より成る第３のクラッド層９、Ｐ型
のＧａＡｓ等より成るキャップ層１０をエピタキシャル
成長する。このとき、メサ突起２上の（１１１）Ｂ結晶
面より成る斜面７上では初期においてはエピタキシャル
成長が生じないが、メサ溝２Ａ内での成長が進むにつれ
てその突き合わせ部において（１１１）Ｂ結晶面以外の
面が生じて、第３のクラッド層９はメサ突起２上の断面
三角形状部２０を覆って全面的に成長される。

【００３１】そして図示しないがキャップ層１０上と、
基板１の裏面とにそれぞれＡｌ等より成る電極を蒸着、
スパッタリング等によって被着して本発明半導体レーザ
装置を得ることができる。

【００３２】このとき、各層４、５、６及び８の成分中
のＡｌ量を、ｘ２　＞ｙとして、第１及び第２のクラッ
ド層４及び６、電流ブロック層８に比して活性層５のバ
ンドギャップを小とし、即ち屈折率を大として光の閉じ
込めをなすようにする。一方、各層３、４、５及び６の
成分中のＡｌ量をｘ１　≧ｘ２　＞ｙとして、メサ溝２
Ａ上の第２のクラッド層６とＡｌＧａＡｓ層３との間の
ビルトインポテンシャルを、メサ突起２上の第２のクラ
ッド層６と活性層５とのビルトインポテンシャルに比し
て大として、このメサ溝２Ａ内の第２のクラッド層６と
ＡｌＧａＡｓ層３との界面におけるリーク電流の発生を
抑制するようになす。

【００３３】この場合、メサ溝２Ａ内のＰ型の第３のク
ラッド層９と、電流ブロック層８と、Ｐ型の第２のクラ
ッド層６と、Ｎ型の第１のクラッド層４とによってＰ−
Ｎ−Ｐ−Ｎサイリスタ構造を形成すると共に、上述した
ようにメサ突起２上のＡｌＧａＡｓ層３とメサ溝２Ａ上
のＰ型の第２のクラッド層６との界面におけるビルトイ
ンポテンシャルを比較的大とし、メサ突起２上の断面三
角形状部２０の第２のクラッド層６と活性層５との界面
におけるビルトインポテンシャルを比較的小とすること
によって、メサ突起２上の断面三角形状部２０の活性層
５に電流が集中するようになされ、このメサ溝２Ａ内の
リーク電流を格段に抑制することができて、低しきい値
電流化をはかることができる。

【００３４】また、ＧａＡｓ基板１上に、比較的Ａｌの
濃度の高いＡｌＧａＡｓ層３をエピタキシャル成長する
場合、これの上にエピタキシャル成長する第１のクラッ
ド層４、活性層５の結晶性が劣化する恐れがあると考え
られるが、上述したように、ＡｌＧａＡｓ層３の厚さを
１μｍ程度と比較的厚く選定することによって、このよ
うな結晶歪みの影響を抑制することができる。このよう
な上層エピタキシャル成長層の結晶歪みを回避するため
には、このＡｌＧａＡｓ層３と、これの上の第１のクラ
ッド層４との厚さの和が１μｍ程度であればよいことが
確かめられた。

【００３５】またこの場合、メサ突起２上にＡｌＧａＡ
ｓ層３即ち活性層５に対して屈折率の小なるクラッド層
が存在する構成となるため、第１のクラッド層４の厚さ
を従来に比して小とすることができて、結果的にメサ突
起２の高さ即ちメサ溝２Ａの深さを小とすることができ
ることから、メサ突起２をより制御性良くエッチング形
成することができて、メサ突起２の形状の均一性の向上
即ち半導体レーザ装置の均一性の向上をはかって信頼性
の向上をはかることができる。

【００３６】実施例２ 図３の断面図と共に、その理解を容易にするために製法
の一例を示す図４Ａ〜Ｃを参照して説明する。図３にお
いて、図１に対応する部分には同一符号を付して重複説
明を省略する。

【００３７】この場合は、先ず例えば図４Ａに示すよう
に、ＡｌＧａＡｓ層３をＧａＡｓ等より成る基板１上に
エピタキシャル成長する

【００３８】この後、図４Ｂに示すように、例えば実施
例１と同様に〔０１１〕結晶軸方向に延長するメサ突起
２を結晶学的エッチングによって形成する。２Ａはメサ
溝である。

【００３９】そして図４Ｃに示すように、周知の２光束
干渉露光法によってＡｌＧａＡｓ層３上に所定のピッチ
をもって回折格子１１を形成する。この例では、回折格
子１１をストライプ状のメサ突起２の幅方向に沿って延
びる多数の平行溝の配列によって構成した場合で、例え
ばメサ突起２上を覆って全面的にフォトレジストを塗布
し、これに対して２光束による干渉縞露光を行った後現
像処理を施して、これをマスクとしてメサ突起２上のＡ
ｌＧａＡｓ層３に対してエッチングを行って、目的とす
る単一モード発振を得るためのブラッグ反射条件を満た
す所要のピッチをもって、メサ突起２の延長方向と直交
するように平行配列された溝を得ることができる。

【００４０】このようにして回折格子１１を形成した後
、図３に示すように、実施例１と同様に各層４、５、６
、８、９及び１０をエピタキシャル成長する。この場合
も、図示しないがキャップ層１０上と、基板１の裏面と
にＡｌ等より成る電極を被着形成して、本発明半導体レ
ーザ装置を得ることができる。

【００４１】このような構成とすることによって、実施
例１と同様に、メサ溝２Ａ内にＰ−Ｎ−Ｐ−Ｎサイリス
タ構造を形成すると共に、ＡｌＧａＡｓ層３とメサ溝２
Ａ内の第２のクラッド層６とのビルトインポテンシャル
を、メサ突起２上の活性層５のビルトインポテンシャル
に比して大とすることによって、活性層５に電流集中を
行わしめ、リーク電流を低減化して、低しきい値電流化
をはかることができると共に、回折格子１１の形成によ
って、単一波長発振を行い得る半導体レーザ装置を得る
ことができる。

【００４２】またこの場合においても、メサ突起２上に
活性層５に対してクラッド層となるＡｌＧａＡｓ層３が
形成された構成としたため、実施例１と同様にメサ溝２
Ａの深さを小とすることができ、メサ突起２の均一性を
向上させ、半導体レーザ装置の信頼性の向上をはかるこ
とができる。

【００４３】尚、上述の各実施例では、基板１、ＡｌＧ
ａＡｓ層３、第１のクラッド層４及び電流ブロック層８
をＮ型とし、第２及び第３のクラッド層をＰ型とした場
合であるが、これとは逆の導電型としてもよい。

【００４４】

【発明の効果】上述したように、本発明半導体レーザ装
置によれば、メサ溝２Ａ内にＰ−Ｎ−−Ｐ−Ｎサイリス
タ構造を形成してこの部分の電流を阻止すると共に、メ
サ突起２上の活性層５の両側上方すなわちこの上の第２
のクラッド層６の両斜面７に臨む両側面に電流ブロック
層８が接する場合においても、メサ溝２Ａからメサ突起
２へ向かう電流通路におけるビルトインポテンシャルを
大として、メサ突起２上の活性層５により電流集中を行
わしめて、低しきい値電流化をはかることができる。

【００４５】また、メサ突起２上にＡｌＧａＡｓ層３が
形成される構成となるため、メサ溝２Ａの深さを小とす
ることができて、メサ突起２の形状の均一性をはかって
半導体レーザ装置の信頼性の向上をはかることができる
。

【００４６】また他の本発明半導体レーザ装置では、Ａ
ｌＧａＡｓ層３上に回折格子１１を形成することによっ
て、単一波長発振を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明半導体レーザ装置の一例の略線的拡大断
面図である。

【図２】本発明半導体レーザ装置の一例の要部の略線的
拡大断面図である。

【図３】本発明半導体レーザ装置の他の例の略線的拡大
断面図である。

【図４】本発明半導体レーザ装置の他の例の製法を示す
製造工程図である。

【図５】従来の半導体レーザ装置の一例の略線的拡大断
面図である。

【図６】従来の半導体レーザ装置の他の例の略線的拡大
断面図である。

【符号の説明】

１　　基板 ２　　メサ突起 ２Ａ　　メサ溝 ３　　ＡｌＧａＡｓ層 ４　　第１のクラッド層 ５　　活性層 ６　　第２のクラッド層 ７　　斜面 ８　　電流ブロック層 ９　　第３のクラッド層 １０　　キャップ層 １１　　回折格子

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　主面が｛１００｝結晶面より成り、〈
   ０１１〉結晶軸方向に延長するメサ突起を有する基板上
   の上記メサ突起上にＡｌＧａＡｓ層を有し、上記メサ突
   起上の上記ＡｌＧａＡｓ層上に気相成長法で成長した少
   なくとも活性層とクラッド層と電流ブロック層とを有し
   、上記ＡｌＧａＡｓ層の成分中のＡｌ量が上記クラッド
   層の成分中のＡｌ量と同等もしくは同等以上に多く含ま
   れることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】　　上記基板上の上記メサ突起上の上記Ａ
   ｌＧａＡｓ層上に回折格子が形成されて成ることを特徴
   とする上記請求項１の半導体レーザ装置。