JPH0936487A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の製造方法に関し、ｂｕｔｔ−ｊ
ｏｉｎｔ法によるＩｎＡｌＧａＡｓ系テーパ導波路レー
ザの製造方法を提供する。 【構成】 有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法によっ
て、例えば、ｎ−ＩｎＰ基板１の上にｎ−ＩｎＰバッフ
ァ層２、ｎ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層３、ｎ−ＩｎＡｌ
ＧａＡｓ光ガイド層４、ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧ
ａＡｓ多重量子井戸構造５、ｐ−ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガ
イド層６、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層７を成長してレ
ーザ構造を形成した後、レーザ領域とする部分にマスク
Ｍ1 を形成してエッチングすることによりマスクＭ1 が
ないレーザ領域以外の部分のレーザ構造を除去し、その
除去した領域のｎ−ＩｎＰバッファ層２の上にマスクＭ
1 ，Ｍ 2 を形成し、ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上にｎ−
ＩｎＰクラッド層８、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層９、ｐ
−ＩｎＰクラッド層１０を選択成長してテーパ状光導波
路を形成する。
ｏｉｎｔ法によるＩｎＡｌＧａＡｓ系テーパ導波路レー
ザの製造方法を提供する。 【構成】 有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法によっ
て、例えば、ｎ−ＩｎＰ基板１の上にｎ−ＩｎＰバッフ
ァ層２、ｎ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層３、ｎ−ＩｎＡｌ
ＧａＡｓ光ガイド層４、ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧ
ａＡｓ多重量子井戸構造５、ｐ−ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガ
イド層６、ｐ−ＩｎＡｌＡｓクラッド層７を成長してレ
ーザ構造を形成した後、レーザ領域とする部分にマスク
Ｍ1 を形成してエッチングすることによりマスクＭ1 が
ないレーザ領域以外の部分のレーザ構造を除去し、その
除去した領域のｎ−ＩｎＰバッファ層２の上にマスクＭ
1 ，Ｍ 2 を形成し、ｎ−ＩｎＰバッファ層２の上にｎ−
ＩｎＰクラッド層８、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層９、ｐ
−ＩｎＰクラッド層１０を選択成長してテーパ状光導波
路を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、有機金属気相成長（Ｍ
ＯＣＶＤ）法による選択成長を利用した半導体装置の製
造方法に関するものである。次世代の光アクセス系通信
用半導体レーザには（１）低価格化や（２）しきい値の
温度依存性を低減するための高い特性温度が要求され
る。
ＯＣＶＤ）法による選択成長を利用した半導体装置の製
造方法に関するものである。次世代の光アクセス系通信
用半導体レーザには（１）低価格化や（２）しきい値の
温度依存性を低減するための高い特性温度が要求され
る。
【０００２】前記の（１）については、膜厚がテーパ状
に変化する光導波路を集積したテーパ導波路の構造にす
ることによって、ビーム放射角が狭くなり、光ファイバ
との接合を簡略化できる。一方、（２）については、こ
れまで波長１．３μｍ帯の半導体レーザとしてＩｎＰ基
板上のＩｎＧａＡｓＰレーザが主流であったが、以下の
理由により、ＩｎＰ基板上のＩｎＡｌＧａＡｓレーザの
方が高い特性温度が得られるレーザとして期待されてい
る。
に変化する光導波路を集積したテーパ導波路の構造にす
ることによって、ビーム放射角が狭くなり、光ファイバ
との接合を簡略化できる。一方、（２）については、こ
れまで波長１．３μｍ帯の半導体レーザとしてＩｎＰ基
板上のＩｎＧａＡｓＰレーザが主流であったが、以下の
理由により、ＩｎＰ基板上のＩｎＡｌＧａＡｓレーザの
方が高い特性温度が得られるレーザとして期待されてい
る。
【０００３】特性温度を決める要因の一つに活性層ある
いは光ガイド層からクラッド層への電子のオーバーフロ
ーがある。活性層あるいは光ガイド層とクラッド層の間
にできる伝導帯ヘテロ障壁が大きくなるほど電子のオー
バーフローが抑制でき高い特性温度が実現できるが、Ｉ
ｎＧａＡｓＰレーザにおけるＩｎＰクラッドに比べＩｎ
ＡｌＧａＡｓレーザにおけるＩｎＡｌＡｓクラッドの方
が大きな伝導帯ヘテロ障壁を形成できる。このため高性
能の光アクセス系半導体レーザとしてＩｎＰ上のＩｎＡ
ｌＧａＡｓ系テーパ導波路レーザを開発することが必要
がある。
いは光ガイド層からクラッド層への電子のオーバーフロ
ーがある。活性層あるいは光ガイド層とクラッド層の間
にできる伝導帯ヘテロ障壁が大きくなるほど電子のオー
バーフローが抑制でき高い特性温度が実現できるが、Ｉ
ｎＧａＡｓＰレーザにおけるＩｎＰクラッドに比べＩｎ
ＡｌＧａＡｓレーザにおけるＩｎＡｌＡｓクラッドの方
が大きな伝導帯ヘテロ障壁を形成できる。このため高性
能の光アクセス系半導体レーザとしてＩｎＰ上のＩｎＡ
ｌＧａＡｓ系テーパ導波路レーザを開発することが必要
がある。
【０００４】
【従来の技術】従来のＩｎＧａＡｓＰテーパ導波路レー
ザはＭＯＶＰＥ法による選択成長を用いて製造すること
ができる。
ザはＭＯＶＰＥ法による選択成長を用いて製造すること
ができる。
【０００５】図５は、選択成長に用いるマスクパターン
の説明図である。この図において、３１は成長基板、３
２は第１の矩形マスク、３３は第２の矩形マスク、３４
はストライプ領域、３５は開口領域である。
の説明図である。この図において、３１は成長基板、３
２は第１の矩形マスク、３３は第２の矩形マスク、３４
はストライプ領域、３５は開口領域である。
【０００６】従来から知られている選択成長において
は、成長基板３１の上に、ＳｉＯ2 等からなる第１の矩
形マスク３１と第２の矩形マスク３２を、ストライプ領
域３４を隔てて形成し、その上に結晶層を成長する。
は、成長基板３１の上に、ＳｉＯ2 等からなる第１の矩
形マスク３１と第２の矩形マスク３２を、ストライプ領
域３４を隔てて形成し、その上に結晶層を成長する。
【０００７】この場合、第１の矩形マスク３１と第２の
矩形マスク３２に挟まれたストライプ領域３４の結晶層
の成長速度が最も速くなるため厚く堆積され、第１の矩
形マスク３１と第２の矩形マスク３２から離れた開口領
域３５では、第１の矩形マスク３１と第２の矩形マスク
３２からの距離に応じて結晶層の成長速度が遅くなるた
め、このストライプ領域３４をレーザ領域にし、開口領
域３５を膜厚がテーパ状に薄くなるテーパ導波路領域に
することができる。そして、テーパ導波路領域での膜厚
の変化を大きくするために、マスク上に堆積が生じない
範囲でマスク率を大きくする。
矩形マスク３２に挟まれたストライプ領域３４の結晶層
の成長速度が最も速くなるため厚く堆積され、第１の矩
形マスク３１と第２の矩形マスク３２から離れた開口領
域３５では、第１の矩形マスク３１と第２の矩形マスク
３２からの距離に応じて結晶層の成長速度が遅くなるた
め、このストライプ領域３４をレーザ領域にし、開口領
域３５を膜厚がテーパ状に薄くなるテーパ導波路領域に
することができる。そして、テーパ導波路領域での膜厚
の変化を大きくするために、マスク上に堆積が生じない
範囲でマスク率を大きくする。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＩｎＡ
ｌＧａＡｓ等のＡｌを含む III−Ｖ族化合物半導体のＭ
ＯＶＰＥ選択成長では選択性が悪く、マスク率を大きく
するとマスク上にＡｌ化合物の堆積が生じやすくなる。
この堆積物は後の製造工程を困難にするという問題があ
る。本発明は、ｂｕｔｔ−ｊｏｉｎｔ法によるＩｎＡｌ
ＧａＡｓ系テーパ導波路レーザの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
ｌＧａＡｓ等のＡｌを含む III−Ｖ族化合物半導体のＭ
ＯＶＰＥ選択成長では選択性が悪く、マスク率を大きく
するとマスク上にＡｌ化合物の堆積が生じやすくなる。
この堆積物は後の製造工程を困難にするという問題があ
る。本発明は、ｂｕｔｔ−ｊｏｉｎｔ法によるＩｎＡｌ
ＧａＡｓ系テーパ導波路レーザの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる半導体装
置の製造方法においては、前記の課題を解決することを
目的として、有機金属気相成長法により半導体基板上に
III−Ｖ族化合物半導体材料からなるレーザ構造を形成
した後、成長面内の部分的な領域でレーザ構造を除去
し、その除去した領域に選択成長によってテーパ状光導
波路を集積する工程を採用した。
置の製造方法においては、前記の課題を解決することを
目的として、有機金属気相成長法により半導体基板上に
III−Ｖ族化合物半導体材料からなるレーザ構造を形成
した後、成長面内の部分的な領域でレーザ構造を除去
し、その除去した領域に選択成長によってテーパ状光導
波路を集積する工程を採用した。
【００１０】この場合、半導体基板がＩｎＰで、その上
に形成するレーザ構造がＩｎ，Ａｌ，Ｇａを含むＡｓ化
合物からなり、またテーパ状導波路がＡｌを含まない I
II−Ｖ族化合物とすることができる。
に形成するレーザ構造がＩｎ，Ａｌ，Ｇａを含むＡｓ化
合物からなり、またテーパ状導波路がＡｌを含まない I
II−Ｖ族化合物とすることができる。
【００１１】また、この場合、レーザ構造が、バッファ
層としてＩｎＰ、クラッド層としてＩｎＰと格子整合す
るＩｎＡｌＡｓ、ガイド層としてＩｎＰと格子整合する
ＩｎＡｌＧａＡｓ、活性層として組成の異なる２つのＩ
ｎＡｌＧａＡｓからなる多重量子井戸構造を有し、ま
た、テーパ状導波路が光ガイド層としてＩｎＰと格子整
合し吸収端波長がレーザ発振波長よりも短波長であるＩ
ｎＧａＡｓＰ、クラッド層としてＩｎＰを用いることが
できる。
層としてＩｎＰ、クラッド層としてＩｎＰと格子整合す
るＩｎＡｌＡｓ、ガイド層としてＩｎＰと格子整合する
ＩｎＡｌＧａＡｓ、活性層として組成の異なる２つのＩ
ｎＡｌＧａＡｓからなる多重量子井戸構造を有し、ま
た、テーパ状導波路が光ガイド層としてＩｎＰと格子整
合し吸収端波長がレーザ発振波長よりも短波長であるＩ
ｎＧａＡｓＰ、クラッド層としてＩｎＰを用いることが
できる。
【００１２】また、この場合、テーパ状光導波路のＩｎ
ＧａＡｓＰ光ガイド層がＩｎＧａＡｓＰの多重量子井戸
構造を含ませることができる。
ＧａＡｓＰ光ガイド層がＩｎＧａＡｓＰの多重量子井戸
構造を含ませることができる。
【００１３】
【作用】図１、図２、図３は、本発明の半導体装置の製
造方法の原理説明図であり、（Ａ）は表面図、（Ｂ）は
断面図である。本発明の半導体装置の製造方法の各段階
を図１、図２および図３によって説明する。
造方法の原理説明図であり、（Ａ）は表面図、（Ｂ）は
断面図である。本発明の半導体装置の製造方法の各段階
を図１、図２および図３によって説明する。
【００１４】第１段階（図１参照） ＩｎＡｌＧａＡｓレーザの基本レーザ構造は選択成長で
はなく通常の半導体基板上へ半導体結晶層の成長によっ
て形成する。まず、ｎ型ＩｎＰ基板１の上にｎ型ＩｎＰ
バッファ層２を成長し、その上にＩｎＰと格子整合する
ｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層３、ＩｎＰと格子整合する
ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、組成の異なる井戸とバ
リアからなるＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ多重
量子井戸構造５、ＩｎＰと格子整合するＩｎＡｌＧａＡ
ｓ光ガイド層６、ＩｎＰと格子整合するｐ型ＩｎＡｌＡ
ｓクラッド層７を積層する。
はなく通常の半導体基板上へ半導体結晶層の成長によっ
て形成する。まず、ｎ型ＩｎＰ基板１の上にｎ型ＩｎＰ
バッファ層２を成長し、その上にＩｎＰと格子整合する
ｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層３、ＩｎＰと格子整合する
ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層４、組成の異なる井戸とバ
リアからなるＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ多重
量子井戸構造５、ＩｎＰと格子整合するＩｎＡｌＧａＡ
ｓ光ガイド層６、ＩｎＰと格子整合するｐ型ＩｎＡｌＡ
ｓクラッド層７を積層する。
【００１５】第２段階（図２参照） レーザ領域として必要な領域にマスクＭ1 を施し、マス
クＭ1 を施していない領域のＩｎＰバッファ層より上の
レーザ構造をエッチングにより除去する。
クＭ1 を施していない領域のＩｎＰバッファ層より上の
レーザ構造をエッチングにより除去する。
【００１６】第３段階（図３参照） テーパ導波路形成用のマスクＭ2 ，Ｍ3 をＩｎＰバッフ
ァ層２の上に施し、ｎ型ＩｎＰクラッド層８、ＩｎＰと
格子整合し、吸収端波長がレーザ発振波長より短波長の
ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層９、ｐ型ＩｎＰクラッド層１
０を選択成長で形成する。次いで、マスクＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3 を剥離してテーパ導波路レーザの基本構造とする。
ァ層２の上に施し、ｎ型ＩｎＰクラッド層８、ＩｎＰと
格子整合し、吸収端波長がレーザ発振波長より短波長の
ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層９、ｐ型ＩｎＰクラッド層１
０を選択成長で形成する。次いで、マスクＭ1 ，Ｍ2 ，
Ｍ3 を剥離してテーパ導波路レーザの基本構造とする。
【００１７】本発明では、ＩｎＡｌＧａＡｓレーザのク
ラッド層に、ＩｎＰと格子整合する禁制帯幅が１．３８
８ｅＶのＩｎＡｌＡｓを用いたため、禁制帯幅が１．３
５０ｅＶのＩｎＰクラッド層を用いた場合よりも高い特
性温度が得られる。また、ＩｎＡｌＧａＡｓレーザ構造
は、選択成長ではなく、通常の半導体基板上への半導体
結晶層の成長によって形成するため、膜厚、組成の高均
一なレーザ構造が得られる。
ラッド層に、ＩｎＰと格子整合する禁制帯幅が１．３８
８ｅＶのＩｎＡｌＡｓを用いたため、禁制帯幅が１．３
５０ｅＶのＩｎＰクラッド層を用いた場合よりも高い特
性温度が得られる。また、ＩｎＡｌＧａＡｓレーザ構造
は、選択成長ではなく、通常の半導体基板上への半導体
結晶層の成長によって形成するため、膜厚、組成の高均
一なレーザ構造が得られる。
【００１８】一方、ＩｎＰやＩｎＧａＡｓＰの選択成長
は選択性が高く、マスク上には堆積が生じにくい。ま
た、マスクＭ2 ，Ｍ3 のパターンを適宜設計することに
よりＩｎＧａＡｓＰテーパ導波路の膜厚分布を制御する
ことができる。そして、吸収端波長がＩｎＡｌＧａＡｓ
レーザの発振波長よりも短波長になるような組成のＩｎ
ＧａＡｓＰにすることにより、吸収損の少ないテーパ導
波路レーザが得られる。さらに、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイ
ド層を多層量子井戸構造とすることにより吸収損がより
少なくなる。
は選択性が高く、マスク上には堆積が生じにくい。ま
た、マスクＭ2 ，Ｍ3 のパターンを適宜設計することに
よりＩｎＧａＡｓＰテーパ導波路の膜厚分布を制御する
ことができる。そして、吸収端波長がＩｎＡｌＧａＡｓ
レーザの発振波長よりも短波長になるような組成のＩｎ
ＧａＡｓＰにすることにより、吸収損の少ないテーパ導
波路レーザが得られる。さらに、ＩｎＧａＡｓＰ光ガイ
ド層を多層量子井戸構造とすることにより吸収損がより
少なくなる。
【００１９】
【実施例】図４は、本発明の一実施例の半導体装置の製
造方法の説明図である。この実施例においては、まず、
ｎ型（１００）ＩｎＰ基板１１の上に、膜厚０．５μｍ
のｎ型ＩｎＰバッファ層１２、ＩｎＰと格子整合する膜
厚０．５μｍのｎ型Ｉｎ0.523 Ａｌ0.477 Ａｓクラッド
層１３、波長１．１μｍでＩｎＰと格子整合する膜厚
０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.526 Ａｌ0.282 Ｇａ0.192 Ａｓ
光ガイド層１４、膜厚１５ｎｍのＩｎ0.526 Ａｌ0.282
Ｇａ0.192 Ａｓバリアと膜厚６ｎｍ、波長１．３μｍで
ＩｎＰと格子整合するＩｎ0.529 Ａｌ0.152 Ｇａ0.319
Ａｓ井戸の５周期からなる多重量子井戸構造１５、膜厚
０．１μｍ、波長１．１μｍでＩｎＰと格子整合するｐ
型Ｉｎ0.526 Ａｌ0.282 Ｇａ0.192 Ａｓ光ガイド層１
６、ＩｎＰと格子整合する膜厚０．５μｍのｐ型Ｉｎ
0.523 Ａｌ0.477 Ａｓクラッド層１７を積層した。
造方法の説明図である。この実施例においては、まず、
ｎ型（１００）ＩｎＰ基板１１の上に、膜厚０．５μｍ
のｎ型ＩｎＰバッファ層１２、ＩｎＰと格子整合する膜
厚０．５μｍのｎ型Ｉｎ0.523 Ａｌ0.477 Ａｓクラッド
層１３、波長１．１μｍでＩｎＰと格子整合する膜厚
０．１μｍのｎ型Ｉｎ0.526 Ａｌ0.282 Ｇａ0.192 Ａｓ
光ガイド層１４、膜厚１５ｎｍのＩｎ0.526 Ａｌ0.282
Ｇａ0.192 Ａｓバリアと膜厚６ｎｍ、波長１．３μｍで
ＩｎＰと格子整合するＩｎ0.529 Ａｌ0.152 Ｇａ0.319
Ａｓ井戸の５周期からなる多重量子井戸構造１５、膜厚
０．１μｍ、波長１．１μｍでＩｎＰと格子整合するｐ
型Ｉｎ0.526 Ａｌ0.282 Ｇａ0.192 Ａｓ光ガイド層１
６、ＩｎＰと格子整合する膜厚０．５μｍのｐ型Ｉｎ
0.523 Ａｌ0.477 Ａｓクラッド層１７を積層した。
【００２０】成長原料には、トリメチルインジウム、ト
リメチルアルミニウム、トリエチルガリウム、アルシ
ン、ホスフィンを用いた。次に、レーザ領域に適用する
部分にＳｉＯ2 マスクを施し、マスクを施していない領
域のレーザ構造、すなわち、ＩｎＰバッファ層より上の
構造を塩酸系エッチングにより除去した。次に、テーパ
導波路を形成するため１００μｍ（対向する辺）×２０
０μｍ（対向する辺に垂直の辺）のＳｉＯ2 矩形マスク
（図３におけるＭ2 ，Ｍ3 ）を２０μｍ隔ててＩｎＰバ
ッファ１２の表面に施した。
リメチルアルミニウム、トリエチルガリウム、アルシ
ン、ホスフィンを用いた。次に、レーザ領域に適用する
部分にＳｉＯ2 マスクを施し、マスクを施していない領
域のレーザ構造、すなわち、ＩｎＰバッファ層より上の
構造を塩酸系エッチングにより除去した。次に、テーパ
導波路を形成するため１００μｍ（対向する辺）×２０
０μｍ（対向する辺に垂直の辺）のＳｉＯ2 矩形マスク
（図３におけるＭ2 ，Ｍ3 ）を２０μｍ隔ててＩｎＰバ
ッファ１２の表面に施した。
【００２１】なお、予備実験により、この寸法、形状の
矩形マスクパターンを用いることによって成長結晶層に
約３倍の膜厚の変化を形成できることを確認した。そし
て、波長１．１μｍでＩｎＰと格子整合するｎ型ＩｎＰ
クラッド層１８、Ｉｎ0.850 Ｇａ0.150 Ａｓ0.327 Ｐ
0.673 光ガイド層１９、ｐ型ＩｎＰクラッド層２０を成
長時間を制御して選択成長した結果、境界での各層厚が
レーザ領域の層厚と一致し、かつ、３００μｍ長の領域
で各層厚が３倍変化するテーパ導波路が得られた。
矩形マスクパターンを用いることによって成長結晶層に
約３倍の膜厚の変化を形成できることを確認した。そし
て、波長１．１μｍでＩｎＰと格子整合するｎ型ＩｎＰ
クラッド層１８、Ｉｎ0.850 Ｇａ0.150 Ａｓ0.327 Ｐ
0.673 光ガイド層１９、ｐ型ＩｎＰクラッド層２０を成
長時間を制御して選択成長した結果、境界での各層厚が
レーザ領域の層厚と一致し、かつ、３００μｍ長の領域
で各層厚が３倍変化するテーパ導波路が得られた。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によると、特に、半導体レーザに適用した
場合、その特性温度を高め、ビーム放射角を低減する効
果を奏し、光アクセス系通信用半導体レーザの性能向上
ならびに低コスト化に寄与するところが大きい。
置の製造方法によると、特に、半導体レーザに適用した
場合、その特性温度を高め、ビーム放射角を低減する効
果を奏し、光アクセス系通信用半導体レーザの性能向上
ならびに低コスト化に寄与するところが大きい。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の原理説明図
（１）である。
（１）である。
【図２】本発明の半導体装置の製造方法の原理説明図
（２）である。
（２）である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法の原理説明図
（３）である。
（３）である。
【図４】本発明の一実施例の半導体装置の製造方法の説
明図である。
明図である。
【図５】選択成長に用いるマスクパターンの説明図であ
る。
る。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ ｎ型ＩｎＰバッファ層 ３ ｎ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層 ４ ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層 ５ ＩｎＡｌＧａＡｓ／ＩｎＡｌＧａＡｓ多重量子井戸
構造 ６ ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層 ７ ｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層 ８ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ９ ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 １０ ｐ型ＩｎＰクラッド層
構造 ６ ＩｎＡｌＧａＡｓ光ガイド層 ７ ｐ型ＩｎＡｌＡｓクラッド層 ８ ｎ型ＩｎＰクラッド層 ９ ＩｎＧａＡｓＰ光ガイド層 １０ ｐ型ＩｎＰクラッド層
Claims (4)
- 【請求項１】 有機金属気相成長法により半導体基板上
に III−Ｖ族化合物半導体材料からなるレーザ構造を形
成した後、成長面内の部分的な領域でレーザ構造を除去
し、その除去した領域に選択成長によってテーパ状光導
波路を集積することを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項２】 半導体基板がＩｎＰで、その上に形成す
るレーザ構造がＩｎ，Ａｌ，Ｇａを含むＡｓ化合物から
なり、またテーパ状導波路がＡｌを含まないIII−Ｖ族
化合物からなることを特徴とする請求項１に記載された
半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 レーザ構造が、バッファ層としてＩｎ
Ｐ、クラッド層としてＩｎＰと格子整合するＩｎＡｌＡ
ｓ、ガイド層としてＩｎＰと格子整合するＩｎＡｌＧａ
Ａｓ、活性層として組成の異なる２つのＩｎＡｌＧａＡ
ｓからなる多重量子井戸構造を有し、また、テーパ状導
波路が光ガイド層としてＩｎＰと格子整合し吸収端波長
がレーザ発振波長よりも短波長であるＩｎＧａＡｓＰ、
クラッド層としてＩｎＰを有することを特徴とする請求
項２に記載された半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 テーパ状光導波路のＩｎＧａＡｓＰ光ガ
イド層がＩｎＧａＡｓＰの多重量子井戸構造を含むこと
を特徴とする請求項３に記載された半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18518795A JPH0936487A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18518795A JPH0936487A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0936487A true JPH0936487A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16166379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18518795A Withdrawn JPH0936487A (ja) | 1995-07-21 | 1995-07-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0936487A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2768232A1 (fr) * | 1997-09-11 | 1999-03-12 | Alsthom Cge Alcatel | Procede de fabrication d'un composant optique integre comprenant un guide d'onde epais couple a un guide d'onde mince |
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1995
- 1995-07-21 JP JP18518795A patent/JPH0936487A/ja not_active Withdrawn
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