CN1302588C - 半导体激光器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

在n型GaAs衬底(51)上形成AlGaAs基半导体激光器(59)并其后从表面进行蚀刻直到达到n型AlGaAs覆盖层(53)。接着，用对GaAs具有选择性的蚀刻剂通过蚀刻除去n型AlGaAs覆盖层(53)。因此，完全保留了在n型GaAs衬底(51)上由第一次形成的AlGaAs基半导体激光器(59)的n型GaAs缓冲层(52)，其有利于在第二次生长AlGaInP基半导体激光器(69)期间保持基础层的平整度。由此，尤其是提高了在第二次生长时有源层晶体的平整度，并提高由于基础层的不良平整度，造成AlGaInP基半导体激光器(69)的不良特性。

Description

半导体激光器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种能够在一个半导体衬底上形成多个半导体激光器的半导体激光器的制造方法。
背景技术
近年来，光盘已经被广泛推广，而且已有许多不同的记录。当光学地读出不同规格的光盘时，需要不同规格的激光器。例如，为了读出CD(压缩光盘)和DVD(数字化视频光盘)两种类型的光盘，需要发射波长在780nm和780nm左右的红外激光器和发射波长在650nm和650nm左右的红光激光器。
在上述情况下，需要一种能够在一个封装中发射两种波长激光束的半导体激光器，以减小拾取器尺寸并降低拾取器成本。
而且，除光盘外，需要一种半导体激光器，能够在一个封装中发射两个波长的激光束，或即使在相同波长下发射低输出应用和高输出应用的两种激光，用于激光打印机和可重写光盘。而且，可以考虑相同波长和相同输出的双光束激光器件。
为了满足上述要求，开发了把两个半导体激光器集成到一个半导体衬底上的技术。但是，当在单个半导体衬底上形成两种不同特性的激光器时，通过一次晶体生长实现这种器件常常是不可能的。因此，使用在单一半导体衬底上进行多次晶体生长的方法。也就是，在半导体衬底上在先晶体生长一个激光器结构，在其上叠置生长形成另一个激光器结构，并从在先生长的激光器结构上移除继后形成的激光器结构。当上述情况中另一激光器结构叠置生长到在先晶体生长的激光器结构上时，第一次晶体生长获得的激光器结构被部分地蚀刻以暴露半导体衬底，再在衬底上进行第二次晶体生长。
图8A和8B示出了当在GaAs衬底1上生长AlGaAs基半导体激光器和AlGaInP基半导体激光器的两个半导体激光器时器件的剖面图。首先，如图8A所示，在n型GaAs衬底1上生长由n型GaAs缓冲层2、n型AlGaAs覆盖层3、AlGaAs引导层4、多量子阱有源层5、p型AlGaAs引导层6、p型AlGaAs覆盖层7和p型GaAs接触层(用Zn掺杂)8构成的AlGaAs基半导体激光器9。接着，通过蚀刻部分地移除AlGaAs基半导体激光器9，直到暴露GaAs衬底1。
随后，如图8B所示，在整个表面上生长由n型GaAs缓冲层11、n型AlGaInP覆盖层12、AlGaInP引导层13、多量子阱有源层14、AlGaInP引导层15、p型AlGaInP覆盖层16和p型GaAs接触层17构成的AlGaInP基半导体激光器18。
如上所述，部分地蚀刻由第一次晶体生长获得的AlGaAs基半导体激光器9以暴露GaAs衬底1，且随后进行第二次晶体生长。之所以这样是因为第一次生长界面和第二次生长界面两个生长界面不利地包括在通过第二次晶体生长形成的激光器结构中，除非对半导体衬底进行移除。
但是，在单个半导体衬底上进行多次晶体生长的以上传统半导体激光器制造方法有如下问题。即如上所述，通过部分地蚀刻由第一次晶体生长获得的AlGaAs基半导体激光器9，来暴露GaAs衬底1。在上述情况中，通过同时使用硫酸系或盐酸系或NH3系蚀刻剂和HF系蚀刻剂对GaAs衬底1进行移除。接着，在GaAs衬底1的暴露表面上进行第二次晶体生长。
但是，如果如上所述地对半导体衬底进行蚀刻，就会有劣化蚀刻表面平整度的问题，而且不好的平整度影响将在第二次晶体生长时生长的晶体，在所生长的半导体激光器的特性表面上产生不利影响。尤其是当其中层叠有非常薄的薄膜层的多量子阱层被用作半导体激光器的有源层时，控制薄膜的厚度会非常重要。因此，基础层的不好的平整度对多量子阱层的特性劣化产生了巨大的影响。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种半导体激光器的制造方法和由该方法制造的半导体激光器，这种半导体激光器具有通过平整用于第二次晶体生长的基础能够提高在第二次生长的半导体激光器的特性的多个半导体激光器。
为了实现上述目的，提供了一种在GaAs半导体衬底上平行地排列两个发射不同波长光的半导体激光器层的半导体激光器，其中：
彼此邻近的两个半导体激光器层中的一个由AlGaAs系构成，另一个由AlGaInP系构成，在一个半导体激光器层的最下层中具有与另一个半导体激光器层的缓冲层同时形成的缓冲层。因此，一个半导体激光器层将形成在与另一半导体激光器层的缓冲层同时形成的缓冲层上。
即无需通过蚀刻而完全除去位于在先形成的半导体激光器层的缓冲层中的继后形成的半导体激光器层区域中的某一部分，并且在半导体激光器层的继后生长期间保持了基础层的平整度。由此，与通过蚀刻在先形成的半导体激光器层的缓冲层而暴露半导体衬底的情况相比，提高了基础层的平整度，而且提高了继后形成的半导体激光器层(尤其是有源层)晶体的平整度。
还提供了一种在GaAs半导体衬底上平行地排列两个发射不同波长光的半导体激光器层的半导体激光器，其中：
彼此邻近的两个半导体激光器层中的一个由AlGaAs系构成，另一个由AlGaInP系构成，半导体激光器层上设置有与另一个半导体激光器层共享的缓冲层。因此，每个彼此邻近的半导体激光器层可以形成在与其它半导体激光器层共享的缓冲层上。
在这种情况中，无需通过蚀刻完全地除去位于与其它半导体激光器层共享的缓冲层中一个半导体激光器层区中的某一部分，而且在半导体激光器层的继后生长期间保持基础层的平整度。由此，与通过蚀刻除去其它半导体激光器层的缓冲层以暴露半导体衬底的情况相比，提高了基础层的平整度，而且提高了半导体激光器层(尤其是有源层)晶体的平整度。
还提供了一种用于形成具有两个发射不同波长光的发光区的半导体激光器的半导体激光器制造方法，该方法包括步骤：
通过第一次晶体生长在GaAs半导体衬底上形成AlGaAs系第一半导体激光器层，该AlGaAs系第一半导体激光器层包括位于最下位置的缓冲层和位于最上位置的接触层；
移除除了成为所述AlGaAs系第一半导体激光器层发光区之外的区域，保留剩余的缓冲层的下表面侧；
通过第二次晶体生长形成AlGaInP系第二半导体激光器层；以及
通过移除除了成为所述AlGaInP系第二半导体激光器层发光区之外的区域，暴露所述AlGaAs系第一半导体激光器层的接触层。因此，通过由蚀刻除去该区域，在通过第二次晶体生长形成第二半导体激光器层期间保持了基础的平整度。由此，与通过蚀刻第一次形成的第一半导体激光器层的缓冲层暴露半导体衬底的情况相比，提高了基础层的平整度，而且提高了继后形成的第二半导体激光器层(尤其是有源层)晶体的平整度。
还提供了一种用于形成具有两个发射不同波长光的发光区的半导体激光器的半导体激光器制造方法，该方法包括步骤：
通过第一次晶体生长在GaAs半导体衬底上形成AlGaAs系第一半导体激光器层，该AlGaAs系第一半导体激光器层包括位于最下位置的缓冲层和位于最上位置的接触层；
移除除了成为所述AlGaAs系第一半导体激光器层发光区之外的区域，保留剩余的缓冲层；
通过第二次晶体生长形成AlGaInP系第二半导体激光器层；以及
通过移除除了成为所述AlGaInP系第二半导体激光器层发光区之外的区域，暴露所述AlGaAs系第一半导体激光器层的接触层。因此，在通过第二次晶体生长形成第二半导体激光器层期间保持基础层的平整度。由此，与通过蚀刻第一次形成的第一半导体激光器层的缓冲层暴露半导体衬底的情况相比，提高了基础层的平整度，而且提高了继后形成的第二半导体激光器层(尤其是有源层)晶体的平整度。
而且，当第一和第二半导体激光器层的缓冲层具有相同的成分时，可省略在完全地保留的第一半导体激光器层上形成用于第二半导体激光器层的新的缓冲层。
而且，当由蚀刻剂部分地除去第一半导体激光器层的p型AlGaAs覆盖层或第二半导体激光器层的p型AlGaInP覆盖层时，为了增强蚀刻控制能力，在覆盖层内设置蚀刻剂不能蚀刻的蚀刻停止层。例如，分别用于p型AlGaAs和AlGaInP覆盖层作为蚀刻停止层的GaAs和GaInP层。
在本发明的一个实施例中，至少重复地进行除去第一半导体激光器层的部分区域、保留缓冲层的步骤和形成第二半导体激光器层的步骤。因此，通过把由第二次晶体生长形成的第二半导体激光器层视为由第一次晶体生长形成的第一半导体激光器层，除去部分的这个第一半导体激光器层(原始为第二半导体激光器层)保留缓冲层并在保留的缓冲层上形成第二半导体激光器层(原始为第三半导体激光器层)，可以在同一半导体衬底上形成具有高工作性能和高可靠性的第三半导体激光器。
附图说明
通过以下给出的详细说明和为说明给出且不对本发明构成限制的附图，本发明将更为易懂，其中：
图1A至1C是在制造过程中按照本发明的半导体激光器的制造方法形成的一种半导体激光器的剖面图；
图2D至2F是从图1C继续的制造过程中的剖面图；
图3是显示按照如图1A至1C和2D至2F所示的半导体激光器的制造方法形成的半导体激光器另一实例的剖面图；
图4A至4C是显示如图1A至1C所示的半导体激光器制造方法的修改例的剖面图；
图5A至5C是在制造过程中按照不同于图1A至1C和2D至2F的半导体激光器制造方法形成的一种半导体激光器的剖面图；
图6D至6F是从图5C继续的制造过程中的剖面图；
图7是显示按照如图5A至5C和6D至6F所示的半导体激光器的制造方法形成的半导体激光器另一实例的剖面图；以及
图8A至8B是按照现有技术在衬底上生长的两个半导体激光器的剖面图。
具体实施方式
下面，将根据如附图所示的实施例，详细说明本发明。如上所述，在GaAs衬底上形成AlGaAs基半导体激光器和仔细观察通过蚀刻移除它的部分区域的蚀刻状态的结果是，发现了以下事实。
即当用能够进行选择蚀刻的蚀刻剂蚀刻在GaAs缓冲层上的AlGaAs覆盖层时，根本没有蚀刻GaAs缓冲层，因此，蚀刻表面是平整的。而且，例如如果通过用硫酸系或NH3系蚀刻剂进行蚀刻移除这个GaAs缓冲层以暴露GaAs衬底，那么表面平整度变差。因此在上述情况中，因为仅存在在GaAs缓冲层下面沿向下方向(向衬底)中的GaAs层，所以不能使用具有选择性的蚀刻剂，并且平整度一旦被劣化就不能恢复。
因此，在第一次半导体激光器的缓冲层完全保留的状态下或轻微地磨掉缓冲层的状态下，在半导体衬底上进行半导体激光器的第二次形成的晶体生长是有效的。
(第一实施例)
在本实施例中，在第一次形成的半导体激光器的缓冲层处于轻微地磨掉的状态，并在该层上进行半导体激光器第二次形成的晶体生长。
图1A至1C和2D至2F示出了在制造过程中半导体激光器的剖面图，按照该实施例的半导体激光器的制造方法形成该器件。首先，如图1A所示，通过MOCVD(金属有机物化学汽相淀积)在n型GaAs衬底21上依次形成n型GaAs缓冲层22、n型AlGaAs覆盖层23、AlGaAs引导层24、多量子阱有源层25、p型AlGaAs引导层26、p型AlGaAs覆盖层27和p型GaAs接触层(掺杂Zn)28，形成AlGaAs基半导体激光器29，作为第一半导体激光器层的一个实例。
而且，在AlGaAs基半导体激光器29的p型GaAs接触层28上形成膜厚0.2μm的未掺杂GaAs保护层30。由此，进行了第一次晶体生长。
接着，如图1B所示，通过蚀刻除去AlGaAs基半导体激光器29的部分区域并保留n型GaAs缓冲层22。具体地，首先用硫酸系蚀刻剂进行蚀刻直到到达n型AlGaAs覆盖层23。接着，用HF系或盐酸系蚀刻剂通过蚀刻除去剩余的n型AlGaAs覆盖层23。因为用上述蚀刻剂不能蚀刻GaAs，因此在n型GaAs缓冲层22的表面停止蚀刻。继以，用硫酸系或NH3系蚀刻剂轻微地蚀刻了n型GaAs缓冲层22的表面。
在这种情况中，在n型GaAs衬底21上剩余的AlGaAs基半导体激光器29的p型GaAs接触层28上形成未掺杂GaAs保护层30。因此，当把n型GaAs衬底放入用于半导体激光器的第二次生长的生长炉中时，防止了由炉中高温引起的杂质Zn从p型GaAs接触层28的蒸发，从而防止了接触层表面载流子浓度的减小。
接着，如图1C所示，通过MOCVD在整个表面上依次形成n型GaAs缓冲层31、n型AlGaInP覆盖层32、AlGaInP引导层33、多量子阱有源层34、AlGaInP引导层35、p型AlGaInP覆盖层36和p型GaAs接触层37，形成AlGaInP基半导体激光器38，作为第二半导体激光器层的一个实例。由此，进行第二次晶体生长。在图1C中，说明了这些层可以以直角弯曲并在GaAs衬底21上生长的AlGaInP基半导体激光器38与在AlGaAs基半导体激光器29上生长的AlGaInP基半导体激光器38之间的边界垂直地延伸。然而，这些层实际上形成为曲线形。
接着，如图2D所示，通过蚀刻除去属于继后形成的AlGaInP基半导体激光器38的且叠加在在先形成的AlGaAs基半导体激光器29上形成的区域和未掺杂GaAs保护层30。
具体地，首先用硫酸系蚀刻剂进行蚀刻直到到达AlGaInP基半导体激光器38的n型AlGaInP覆盖层32。接着，用盐酸系或磷酸系蚀刻剂将剩余的n型AlGaInP覆盖层32蚀刻至n型GaAs缓冲层31。在这种情况中，因为使用具有选择性的蚀刻剂，因此在n型GaAs缓冲层31上停止蚀刻。随后，用硫酸系蚀刻剂或NH3系蚀刻剂通过蚀刻除去n型GaAs缓冲层31和未掺杂GaAs保护层30以暴露AlGaAs基半导体激光器29的p型GaAs接触层28。
进而，如图2E所示，除去位于n型GaAs衬底21上的AlGaAs基半导体激光器29与AlGaInP基半导体激光器38之间的边界区域，直到暴露n型GaAs衬底，形成半导体激光器，其中在n型GaAs衬底21上平行地排列AlGaAs基半导体激光器29和AlGaInP基半导体激光器38。在这种情况中，容许保留在AlGaAs基半导体激光器29与AlGaInP基半导体激光器38之间的边界处的n型GaAs缓冲层22。
接着，如图2F所示，分别通过完全地和部分地蚀刻除去AlGaAs基半导体激光器29的p型GaAs接触层28和p型AlGaAs覆盖层27，在垂直于图的纸面方向上保留预定宽度的中心部分，在中心部分形成带状脊部分。与此同时，分别通过完全地和部分地蚀刻除去AlGaInP基半导体激光器38的p型GaAs接触层37和p型AlGaInP覆盖层36，在中心部分形成带状脊部分。接着，在AlGaAs基半导体激光器29的脊部分上和AlGaInP基半导体激光器38的脊部分上形成p型AuZn/Au/Mo/Au电极39和40。进而，在n型GaAs衬底21的表面上形成n型AuGe/Ni/Mo/Au电极41。由此，形成具有两个发光部分的半导体激光器。
如上所述，当在AlGaAs基半导体激光器29与AlGaInP基半导体激光器38之间的边界保留n型GaAs缓冲层22时，形成了如图3所示的半导体激光器。
如上所述，在本实施例中，在n型GaAs衬底21上形成AlGaAs基半导体激光器29，其后，从表面进行蚀刻直到到达n型AlGaAs覆盖层23。接着，用对GaAs具有选择性的HF系或盐酸系的蚀刻剂通过蚀刻除去n型AlGaAs覆盖层23。随后，用硫酸系或NH3系蚀刻剂轻微地蚀刻n型GaAs缓冲层22的表面。
因此，通过使在n型GaAs衬底21上由第一次形成的AlGaAs基半导体激光器29的n型GaAs缓冲层22处于缓冲层22被轻微地磨掉的状态，在第二次生长AlGaInP基半导体激光器38期间可以保持基础层的平整度。由此，与通过蚀刻除去n型GaAs缓冲层22暴露n型GaAs衬底21的情况相比，提高了基础层的平整度，尤其是在第二次生长时提高了有源层晶体的平整度。
即按照该实施例，可以提高由于基础层的不良平整度，造成第二次生长和形成的AlGaInP基半导体激光器38的不良特性。
如图4A至4C所示本实施例的修改例，容许在n型GaAs衬底21上形成AlGaAs基半导体激光器29，并随后在AlGaAs基半导体激光器29的最上层p型GaAs接触层28和同属GaAs系的未掺杂GaAs保护层30之间设置不同组分的AlGaAs基未掺杂AlGaAs蚀刻停止层42。
用这种排列，通过使用对GaAs层具有选择性的HF系或盐酸系蚀刻剂，当与图2D相似通过继后的蚀刻除去未掺杂GaAs保护层30并且随后除去未掺杂的AlGaAs蚀刻停止层42时，当暴露p型GaAs接触层28时停止蚀刻。即，严格控制了p型GaAs接触层28的厚度，并获得了预定的接触特性。
(第二实施例)
本实施例完全保留在第一次形成的半导体激光器的缓冲层，并在该层上进行形成半导体激光器的第二次晶体生长。
图5A至5C和6D至6F示出了在器件的制造步骤中按照本实施例的半导体激光器的制造方法形成的半导体激光器的剖面图。首先，如图5A所示，通过MOCVD在n型GaAs衬底51上依次形成n型GaAs缓冲层52、n型AlGaAs覆盖层53、AlGaAs引导层54、多量子阱有源层55、p型AlGaAs引导层56、p型AlGaAs覆盖层57和p型GaAs接触层(掺杂Zn)58，形成AlGaAs基半导体激光器59。
而且，在AlGaAs基半导体激光器59的p型GaAs接触层58上生长膜厚0.1μm的未掺杂AlGaAs蚀刻停止层60和膜厚0.2μm的未掺杂GaAs保护层61。由此，进行了第一次晶体生长。
接着，如图5B所示，通过蚀刻除去AlGaAs基半导体激光器59的部分区域，直到n型AlGaAs覆盖层53，以暴露n型GaAs缓冲层52。具体地，用硫酸系蚀刻剂首先进行蚀刻直到达到n型AlGaAs覆盖层53。接着，用HF系或盐酸系蚀刻剂通过蚀刻除去剩余的n型AlGaAs覆盖层53。因为用上述蚀刻剂不能蚀刻GaAs，在n型GaAs缓冲层52的表面停止蚀刻。由此，暴露n型GaAs缓冲层52。
接着，如图5C所示，通过MBE(分子束外延)在整个表面上依次生长n型GaAs缓冲层62、n型AlGaInP覆盖层63、AlGaInP引导层64、多量子阱有源层65、AlGaInP引导层66、p型AlGaInP覆盖层67和p型GaAs接触层68，形成AlGaInP基半导体激光器69。由此，进行第二次晶体生长。
接着，如图6D所示，通过蚀刻除去属于AlGaInP基半导体激光器69且叠加在在先形成的AlGaAs基半导体激光器59上形成的区域、未掺杂的AlGaAs蚀刻停止层60和未掺杂的GaAs保护层61。
具体地，用硫酸系蚀刻剂首先进行蚀刻直到达到AlGaInP基半导体激光器69的n型AlGaInP覆盖层63。接着，用盐酸系或磷酸系蚀刻剂蚀刻剩余的n型AlGaInP覆盖层63到n型GaAs缓冲层62。在这种情况中，因为使用具有选择性的蚀刻剂，因此在n型GaAs缓冲层62上停止蚀刻。随后，用硫酸系或NH3系蚀刻剂通过蚀刻除去n型GaAs缓冲层62和未掺杂GaAs保护层61。在这种情况中，因为使用硫酸系和NH3系蚀刻剂，因此当暴露未掺杂AlGaAs蚀刻停止层60时停止蚀刻。随后，用HF系或盐酸系蚀刻剂除去未掺杂AlGaAs蚀刻停止层60。由此，暴露AlGaAs基半导体激光器59的p型GaAs接触层58。
进而，如图6E所示，除去位于n型GaAs衬底51上的AlGaAs基半导体激光器59与AlGaInP基半导体激光器69之间的边界部分，直到暴露n型GaAs衬底51，形成半导体激光器，其中在n型GaAs衬底51上平行地排列AlGaAs基半导体激光器59和AlGaInP基半导体激光器69。在这种情况中，当然容许保留在AlGaAs基半导体激光器59与AlGaInP基半导体激光器69之间的边界处的n型GaAs缓冲层52。
接着，如图6F所示，分别通过完全地和部分地蚀刻除去AlGaAs基半导体激光器59的p型GaAs接触层58和p型AlGaAs覆盖层57，形成脊部分。与此同时，分别通过完全地和部分地蚀刻除去AlGaInP基半导体激光器69的p型GaAs接触层68和p型AlGaInP覆盖层67，形成脊部分。接着，在AlGaAs基半导体激光器59的脊部分上和AlGaInP基半导体激光器69的脊部分上形成p型AuZn/Au/Mo/Au电极70和71。另外，在n型GaAs衬底51的表面上形成n型AuGe/Ni/Mo/Au电极72。由此，形成具有两个发光部分的半导体激光器。
当在如上所述的AlGaAs基半导体激光器59与AlGaInP基半导体激光器69之间的边界处保留n型GaAs缓冲层52时，形成了如图7所示的半导体激光器。
如上所述，在本实施例中，在n型GaAs衬底51上形成AlGaAs基半导体激光器59，其后，从表面进行蚀刻直到达到n型AlGaAs覆盖层53。接着，用对GaAs具有选择性的HF系或盐酸系的蚀刻剂通过蚀刻除去n型AlGaAs覆盖层53。
因此，完全保留了在n型GaAs衬底51上由第一次形成的AlGaAs基半导体激光器59的n型GaAs缓冲层52，其有利于在第二次生长AlGaInP基半导体激光器69期间保持基础层的平整度。由此，与通过蚀刻除去n型GaAs缓冲层52暴露n型GaAs衬底51的情况相比，提高了基础层的平整度，尤其是提高了在第二次生长时，有源层晶体的平整度。
即按照该实施例，可以提高由于基础层的不良平整度，造成第二次生长和形成的AlGaInP基半导体激光器69的不良特性。
而且，在同属GaAs系的p型GaAs接触层58和未掺杂的GaAs保护层61之间设置不同组分的AlGaAs基未掺杂蚀刻停止层60，其中p型GaAs接触层58是在第一次生长和形成的AlGaAs基半导体激光器59的最上层。因此，当通过使用对GaAs层具有选择性的HF系或盐酸系蚀刻剂除去未掺杂AlGaAs蚀刻停止层60时，在暴露p型GaAs接触层58时停止了蚀刻。即，严格控制了p型GaAs接触层58的厚度，并获得了预定的接触特性。
在第二实施例中，AlGaAs基半导体激光器59的n型GaAs缓冲层52和在该层上形成的AlGaInP基半导体激光器69的n型GaAs缓冲层62具有相同的晶体组分。因此，在上述情况中，由省略用于第二半导体激光器层的n型GaAs缓冲层62的生长，而简化了第二次晶体生长。
而且，在第二实施例中，在AlGaAs基半导体激光器59的p型GaAs接触层58上生长了未掺杂AlGaAs蚀刻停止层60和未掺杂GaAs保护层61。但是，与第一实施例相似，容许省略未掺杂AlGaAs蚀刻停止层60的形成。
而且，以在同一半导体衬底上形成两个半导体激光器层的情况作为实例说明了上述每个实施例。但是，通过重复组合相关实施例所述的步骤在同一半导体衬底上也可能形成三个或多个半导体激光器层。例如，在除去图6D中AlGaAs基半导体激光器59上的AlGaInP基半导体激光器69过程中，除去在n型GaAs衬底51上AlGaInP基半导体激光器69的部分区域，保留n型GaAs缓冲层52或n型GaAs缓冲层62。随后，如果把在第二次形成的AlGaInP基半导体激光器层69视为在第一次形成的半导体激光器层进行图5C至6F的过程，那么可在同一n型GaAs衬底51上形成三个半导体激光器层。
而且，本发明不限于上述实施例，当然容许各种生长方法、晶体组分和导电类型彼此地多种组合。
如此描述了本发明，本发明可以以多种方式变化是明显的。认为这些变化不脱离本发明的精神和范围，且对本领域技术人员来说是明显的这些修改包括在所附权利要求的范围内。

Claims (4)

1.一种半导体激光器器件，其中在GaAs半导体衬底上平行地排列两个发射不同波长光的半导体激光器层，其中：
彼此邻近的两个半导体激光器层中的一个由AlGaAs系构成，另一个由AlGaInP系构成，在一个半导体激光器层上设置有与另一个半导体激光器层共享的缓冲层。
2.如权利要求1的半导体激光器器件，其中
与所述另一个半导体激光器层共享的缓冲层是GaAs缓冲层。
3.一种用于形成具有两个发射不同波长光的发光区的半导体激光器器件的半导体激光器器件制造方法，该方法包括步骤：
通过第一次晶体生长在GaAs半导体衬底上形成AlGaAs系第一半导体激光器层，该AlGaAs系第一半导体激光器层包括位于最下位置的缓冲层和位于最上位置的接触层；
移除除了成为所述AlGaAs系第一半导体激光器层发光区之外的区域，保留全部上述的缓冲层；
通过第二次晶体生长形成AlGaInP系第二半导体激光器层；以及
通过移除除了成为所述AlGaInP系第二半导体激光器层发光区之外的区域，暴露所述AlGaAs系第一半导体激光器层的接触层。
4.如权利要求3所述的半导体激光器器件的制造方法，其中：
至少重复进行移除所述AlGaAs系第一半导体激光器层的部分区域保留缓冲层的步骤和形成所述AlGaInP系第二半导体激光器层的步骤。
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