CN1753262A - 多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种消耗功率小、热机械特性稳定的多波长半导体激光元件和多波长半导体激光装置。该多波长半导体激光元件，具有：第一半导体激光元件(12)，形成在基板的主面上，发射特定波长的振荡光；第二半导体激光元件(13)，与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置，以使振荡光的光轴实质上为同一光轴，具备比第一半导体激光元件的谐振器长L1短的谐振器L2，并发射与上述特定波长不同波长的振荡光；电极(17、18、19)，用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电气导通；及凸部(14)，配置为分别接近与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面，在上表面形成绝缘膜(20)。

Description

多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置
技术领域
本发明涉及多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置，特别涉及具备适合降低消耗功率的结构的半导体激光元件和半导体激光器件。
背景技术
DVD(digital versatile disk，数字化多用途光盘)的记录/再现装置还具备CD(compact disk，致密盘)的再现或记录功能。例如，为了实现用一台光盘驱动装置实现向DVD媒体的记录/再现和CD媒体的再现功能，光拾取头(optical pick up head：PUH，光拾取头)中安装有振荡波长分别为650nm频带的高功率红色半导体激光器和780nm频带的低功率红外半导体激光器作为DVD记录再现用光源和CD再现用光源。
但是，在安装了个别的650nm频带的高功率半导体激光元件和780nm频带的低功率半导体激光元件两者的光拾取头中，需要在组装工序中分别调整650nm频带的半导体激光元件的光轴和780nm频带的半导体激光元件的光轴，所以组装工序变得复杂，难以高精度组装。
因此，通过使用在同一基板上集成了650nm频带的半导体激光元件和780nm频带的半导体激光元件的多波长半导体激光元件，实现了简化组装调整。
以往，已知多个半导体激光元件单片地集成在同一基板上的多波长半导体激光元件(例如参照专利文献1)。
专利文献1中所公开的多波长半导体激光元件，在具有阶梯状结构的倾斜基板上配置为：从阶梯状结构的台阶的距离互不相同，具有形成在阶梯状结构的高区域的台阶附近的多个折射率波导结构的光波导和通过劈开形成的长度相互相等的多个谐振器。
当在具有阶梯状结构的基板上生长包含In的多重量子阱结构的活性层(有源层)时，利用活性层中的In浓度越靠近阶梯状结构的台阶越高、随着远离变低的特性，根据In浓度逐渐改变振荡波长。
然而，在专利文献1所公开的谐振器的长度彼此相等的多波长半导体激光元件中，在同一基板上单片集成需要高功率的650nm频带的半导体激光元件和低功率就可以的780nm频带的半导体激光元件时，由于低功率就可以的780nm频带的半导体激光元件的谐振器长度比最佳值长很多，因此，存在阀值电流增大，消耗功率过大的问题。
与此相对，已知具有长度互不相同的谐振器的多个半导体激光元件单片集成在同一基板上的多波长半导体激光元件(例如参照专利文献2)。
专利文献2所公开的多波长半导体激光元件具有：使用同一活性层在横向形成为阵列状的多个折射率波导结构的光波导、以及通过RIE(Reactive Ion Etching，反应离子刻蚀)法形成来用于振荡相当于多个带隙的波长光的、长度互不相同的多个谐振器长。
由于半导体激光器活性层的增益频谱随注入电流的大小而显著变化，因此，通过改变谐振器的长度来改变阀值增益，使激振波长改变数十到数百nm程度。
然而，专利文献2所公开的谐振器的长度互不相同的多波长半导体激光元件完全除去了不作为半导体激光元件而动作的光波导。
因此，在将多波长半导体激光元件的光波导侧放置在辅助底座(submount)上、即所谓接面朝下安装时，随着谐振器的长度不同，半导体激光元件与辅助底座相抵接的面积不同，因此存在施加到各半导体激光元件上的应力不均匀的问题。
特别是谐振器长度短的780nm频带的半导体激光元件上施加过大的应力，存在性能恶化的可能性。
[专利文献1]日本特开2004-87564(第6～7页，图1)
[专利文献2]日本特开平4-245494(第5页，图1)
发明内容
本发明提供一种消耗功率少、热机械性能稳定的多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置。
本发明的一种形态的多波长半导体激光元件中，具有：第一半导体激光元件，形成在基板的主面上，发射特定波长的振荡光；第二半导体激光元件，与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置，以使振荡光的光轴实质上为同一光轴，具备长度比上述第一半导体激光元件的谐振器短的谐振器，并发射与上述特定波长不同波长的振荡光；电极，用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电气导通；以及凸部，配置为分别同与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面邻接，在上表面形成有绝缘膜。
此外，本发明的一种形态的多波长半导体激光装置中，具有：
多波长半导体激光元件，该多波长半导体激光元件包括：第一半导体激光元件，形成在基板的主面上、发射特定波长的振荡光；第二半导体激光元件，与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置，以使振荡光的光轴实质上为同一光轴，具备比上述第一半导体激光元件的谐振器长度短的谐振器，发射与上述特定波长不同波长的振荡光；电极，用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电气导通；及凸部，配置为分别同与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面邻接，在上表面形成有绝缘膜；
辅助底座，放置在上述多波长半导体激光元件的上述第一、第二半导体激光元件及上述凸部的主面上；以及
引线插针，与上述电极电气连接。
如果采用本发明，能够提供消耗功率小、热机械性能稳定的多波长半导体激光元件及多波长半导体激光装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施例1的多波长半导体激光元件的斜视图；
图2是表示本发明的实施例1的多波长半导体激光元件的结构的图，图2(a)为其俯视图，图2(b)为沿图2(a)的A-A线截断、向箭头方向看的截面图；
图3是按工序顺序表示本发明的实施例1的多波长半导体激光元件的制造方法的截面图；
图4是按工序顺序表示本发明的实施例1的多波长半导体激光元件的制造方法的截面图；
图5是按工序顺序表示本发明的实施例1的多波长半导体激光元件的制造方法的截面图；
图6是表示本发明的实施例1的多波长半导体激光装置的结构的图，图6(a)为切开外围器的一部分的斜视图，图6(b)为多波长半导体激光元件接面朝下地安装的状态的斜视图；
图7是表示本发明的实施例2的多波长半导体激光元件的结构的图，图7(a)为其斜视图，图7(b)为其俯视图；
图8是表示本发明的实施例2的多波长半导体激光元件的结构的图，图8(a)为其斜视图，图8(b)为其俯视图；
图9是表示本发明的实施例2的多波长半导体激光元件的结构的图，图9(a)为其斜视图，图9(b)为其俯视图；
图10是表示本发明的实施例3的多波长半导体激光装置的结构的图，图10(a)为切开外围器的一部分的斜视图，图10(b)为表示受光元件被安装在底座部上的部分的斜视图；
图11是表示本发明的实施例3的多波长半导体激光装置的工作原理的图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的实施例。
[实施例1]
图1为表示本发明的实施例1的多波长半导体激光元件的斜视图；图2为表示多波长半导体激光元件的结构的图，图2(a)为其俯视图，图2(b)为沿图2(a)的A-A线截断、向箭头方向看去的截面图；图3至图5为按工序顺序表示多波长半导体激光元件的制造方法的截面图。
如图1所示，多波长半导体激光元件10具有：在n-GaAs(砷化镓)基板11的主面上形成的、振荡波长为650nm频带的可见光半导体激光元件12，780nm频带的红外半导体激光元件13，由具有与红外半导体激光元件13相同的层结构、但不作为激光元件使用的假红外半导体激光元件构成的凸部14。
可见光半导体激光元件12和红外半导体激光元件13光轴平行并且接近地配置成振荡光的光轴实质上为同一光轴，并被分离槽15元件分离。
凸部14配置为分别接近与可见光半导体激光元件12的光轴平行的侧面及与红外半导体激光元件13的光轴垂直的端面，由分离槽15与可见光半导体激光元件12元件分离，由分离槽16与红外半导体激光元件13元件分离。
可见光半导体激光元件12的谐振器长度L1被独立地设定为能够获得预定的高功率光的长度，并且，红外半导体激光元件13的谐振器长度L2被独立地设定为在能够获得预定的低功率光的范围内使阀值电流变小的长度。
为了在可见光半导体激光元件12和红外半导体激光元件13的活性层中实现电导通，在n-GaAs基板11的背面形成有n侧电极17，在可见光半导体激光元件12和红外半导体激光元件13的上面分别形成有p侧电极18、19。
为了防止对构成凸部14的红外半导体激光元件的活性层的电导通，在凸部14的上面形成有绝缘膜20，例如硅氧化膜。由此构成不具备红外半导体激光元件的功能的假红外半导体激光元件。
如图2所示，可见光半导体激光元件12在n-GaAs基板11上形成有：n-GaAs缓冲层61、例如Al的组成为0.7的n-In0.5(Ga0.3Al0.7)0.5P包覆层(以下称为InGaAlP包覆层)42、例如Al的组成为0.6的n-In0.5(Ga0.4Al0.6)0.5P光导层(以下称为InGaAlP光导层)43、例如In0.5Ga0.5P/In0.5(Ga0.5Al0.5)P0.5的MQW(Multi-Quantum Well，多量子阱)活性层44、p-InGaAlP光导层45、以及第一p-InGaAlP包覆层46。
而且，在第一p-InGaAlP包覆层46上形成有条纹状的脊形波导53，该脊形波导具备p-In0.5Ga0.5P刻蚀阻挡层(以下称为InGaP刻蚀阻挡层)50和第二p-InGaAlP包覆层51、p-InGaP易通电层52。
脊形波导53的上表面以外的部分形成有n-InAlP电流阻挡层76，脊形波导53隔着n-InAlP电流阻挡层76、用p-GaAs接触层78埋入而形成了平坦的表面。在p-GaAs接触层78上形成有p侧电极18。
同样，红外半导体激光元件13在n-GaAs基板11上形成有n-GaAs缓冲层61、n-InGaAlP包覆层62、例如Al的组成为0.2的Ga0.8Al0.2As(以下称为GaAlAs活性层)64和第一p-InGaAlP包覆层66。
而且，在第一p-InGaAlP包覆层66上形成有具备p-InGaP刻蚀阻挡层70、第二p-InGaAlP包覆层71和p-InGaP易通电层72的条纹状的脊形波导73。
脊形波导73的上表面以外的部分形成有n-InAlP电流阻挡层76，脊形波导73隔着n-InAlP电流阻挡层76、用p-GaAs接触层78埋入而形成了平坦的表面。在p-GaAs接触层78上形成有p侧电极19。
由此，红外半导体激光元件13的谐振器长L2可以与可见光半导体激光元件12的谐振器长L1独立地设定为最合适的值，因此，能够降低阀值电流，削减消耗功率的浪费。
凸部14与红外半导体激光元件13同样地，在n-GaAs基板11上形成有n-GaAs缓冲层61，InGaAlP包覆层62，GaAlAs活性层64，第一p-InGaAlP包覆层66，具备p-InGaP刻蚀阻挡层70、第二p-InGaAlP包覆层71和p-InGaP易通电层72的条纹状的脊形波导73，n-InAlP电流阻挡层76，以及p-GaAs接触层78，在p-GaAs接触层78的上表面形成有绝缘膜20。由此，对GaAlAs活性层64不通电，具有假红外半导体激光器的作用。
接着，详细说明多波长半导体激光元件10的可见光半导体激光元件12和红外半导体激光元件13的具体制造方法。
首先，形成红外半导体激光元件13的激光器结构。如图3(a)所示，利用例如MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，有机金属气相沉积)法，在n-GaAs基板11的整个面上依次外延生长n-GaAs缓冲层61、n-InGaAlP包覆层62、GaAlAs活性层64、第一p-InGaAlP包覆层66、p-InGaP刻蚀阻挡层70、第二p-InGaAlP包覆层71、p-InGaP易通电层72和n-GaAs覆盖层(caplayer)74。
接着，如图3(b)所示，用光刻技术和刻蚀技术从n-GaAs覆盖层74上选择性地除去n-InGaAlP包覆层62的一部分，而留下n-GaAs缓冲层61。
接着，如图3(c)所示，形成可见光半导体激光元件12的激光器结构。例如，通过MOCVD法依次外延生长n-InGaAlP包覆层42到n-GaAs覆盖层54。另外，在可见光半导体激光器结构中，本实施例使用MQW结构作为活性层，还形成有n-InGaAlP光导层43和p-InGaAlP光导层45，使得挟着该MQW。通过使用MQW活性层，能够获得比块状活性层高的光输出。
接着，如图3(d)所示，除去层叠在红外半导体激光器结构上的可见光半导体激光器结构。即，用光刻技术和刻蚀技术从n-GaAs覆盖层54上除去n-InGaAlP包覆层42的一部分。
然后，如图4(a)所示，在红外半导体激光器结构、可见光半导体激光器结构上形成条纹状的SiO2掩膜75。SiO2掩膜75的间隔L3成为发光点间隔，其距离例如是110μm。再使用湿法腐蚀法，通过刻蚀除去n-GaAs覆盖层54、74，p-InGaP易通电层52、72，第二p-InGaAlP包覆层51、71。另外，该刻蚀在到达p-InGaP刻蚀阻挡层50、70时停止。
接着，如图4(b)所示，例如用MOCVD法选择性地外延生长n-InAlP电流阻挡层76和n-GaAs覆盖层77。
然后，如图4(c)所示，通过刻蚀除去可见光和红外半导体激光元件上部的SiO2掩膜75和n-GaAs覆盖层54、74、77。之后，例如通过MOCVD法外延生长p-GaAs接触层78。
接着，如图4(d)所示，通过形成分离槽15将红外半导体激光元件和可见光半导体激光元件互相分离。具体地，用RIE(Reactive IonEtching，反应离子刻蚀)法选择性地刻蚀。
然后，确定红外半导体激光元件的谐振器长度。首先，如图5(a)所示，使用光刻法，在p-GaAs接触层78的、能够获得红外半导体激光元件13的谐振器长L2的位置形成具有例如谐振器方向的宽度大于等于1μm、5μm程度的开口部84的抗蚀剂膜83。
接着，如图5(b)所示，通过RIE法，将从p-GaAs接触层78到n-GaAs基板11的一部分，形成为相对于基板大致垂直的分离槽16。
由此，形成红外半导体激光元件13的谐振器的后端面85，凸部14从红外半导体激光元件13分离形成。
最后，如图5(c)所示，在p-GaAs接触层78的上面形成p侧电极19、可见光半导体激光元件的p侧电极18(未图示)，在凸部14的上面形成绝缘膜20。
接着，在通过研磨减薄n-GaAs基板11后形成n侧电极17。此后，通过实施热处理进行p侧电极18、19的合金。
将这样制作的晶片沿与条纹垂直的面劈开成条状，将条按每个芯片分离，由此完成图2所示的多波长半导体激光元件10。
在本实施例中，位于红外半导体激光元件13与凸部14之间的分离槽16在形成分离槽15之后形成，该分离槽15形成在可见光半导体激光元件12与红外半导体激光元件13之间。当然，分离槽16也可以与分离槽15的同时形成。
根据实验，在可见光半导体激光元件12和红外半导体激光元件13的发光点之间的间隔为例如110μm，谐振器长L1、L2均为1500μm时，如果驱动红外半导体激光元件13的光输出为7mW时，则其消耗功率约为140mW。并且，在单个红外半导体激光元件中，如果谐振器长为400μm的情况下，则获得相同的光输出的消耗功率约为70mW。由此，可知谐振器长度短的对降低消耗功率有利。
图6为表示使用了图1所示的多波长半导体激光元件10的多波长半导体激光装置的结构的图，图6(a)为切开了外围器的一部分的斜视图，图6(b)为表示多波长半导体激光元件10接面朝下地安装时的状态的斜视图。
如图6(a)所示，本实施例的多波长半导体激光装置100，在电气绝缘地装入设有4根引线管脚101的金属制管座102上，固定有多波长半导体激光元件10和用于监控激光的监控光电二极管103。
多波长半导体激光元件10安装在绝缘性辅助底座104上，与管座102垂直地固定，以便在与管座102相对置侧取出激光。
并且，监控光电二极管103在多波长半导体激光元件10的下方固定在管座102上。
这些多波长半导体激光元件10和监控光电二极管103，用导线等与引线管脚101电连接。
并且，金属制的盖105将多波长半导体激光元件10、监控光电二极管103包在里面、密封固定在管座102上。
在该盖105的顶部设有用来取出激光的窗玻璃106，来自多波长半导体激光元件10的可见激光107和红外激光108，从多波长半导体激光元件10的一个端面经过窗玻璃106向外围器的外部射出，来自另一端面的激光入射到用来控制发光的监控光电二极管103中。
如图6(b)所示，多波长半导体激光元件10的p侧电极18、19例如通过金锡共晶焊料固定在绝缘性辅助底座104上，接面朝下地安装。
其中，凸部14与绝缘性辅助底座104相抵接但不固定，因此，可以使施加在可见光半导体激光元件12和红外半导体激光元件13上的应力均等。
如以上说明，如果根据本实施例，由于红外半导体激光元件13的谐振器长L2能够与可见光半导体激光元件12的谐振器长L1独立地设定为最合适的值，因此能够降低红外半导体激光元件13的阀值电流、减小电力浪费。
而且，在接面朝下地安装多波长半导体激光元件10的情况下，通过凸部14能够使施加在可见光半导体激光元件12和红外半导体激光元件13上的应力均匀。
由此，可以提供消耗功率小、热机械性能稳定的多波长半导体激光元件和多波长半导体激光装置。
在此，说明了在凸部14的上表面形成有绝缘膜20的情况，但如果还在绝缘膜20上形成材料与p侧电极18、19相同的金属膜，则在仍然确保电气绝缘性，并且凸部14也用共晶焊料固定在绝缘性辅助底座104上，因此能够使施加在可见光半导体激光元件12和红外半导体激光元件13上的应力均匀。
并且，虽然说明了形成红外半导体激光元件13后形成可见光半导体激光元件12的情况，但反之也可以在形成可见光半导体激光元件12之后形成红外半导体激光元件13。
而且，虽然说明了多波长半导体激光元件10收容到具有气密性的所谓密封管壳内的情况，但也可以收容在无气密性的管壳——例如引线框型管壳中。此时，监控光电二极管103也可以不包在里面。
[实施例2]
图7至图9为表示本发明的实施例2的多波长半导体激光元件的结构的图。在本实施例中，与上述实施例1相同的结构部分赋予相同的符号，省略这一部分的说明，仅说明不同的部分。
本实施例与实施例1的不同点在于，与红外半导体激光元件13的谐振器的后端面85相对置的凸部14的端面倾斜。
即，如图7所示，多波长半导体激光元件120具有与后端面85相对置、沿与红外半导体激光元件13的光轴水平的方向向外侧面扩展而倾斜的端面121。
将图5所示的抗蚀剂膜83用光刻蚀法形成向红外半导体激光元件13的外侧面扩展的图案开口部84后，用RIE法形成与n-GaAs基板11垂直的分离槽122来得到倾斜的端面121。
由此，从红外半导体激光元件13的谐振器的后端面85射出的红外激光a被倾斜的端面121沿与光轴倾斜的方向反射，所以防止红外半导体激光元件13的返回光。
因此，可以抑制由返回光的干涉引起的红外半导体激光元件13的纵模产生模式跳变，以及抑制使红外激光输出不稳定的噪声。
端面121的倾斜角度只要在能够抑制红外激光的输出不稳定、噪声的范围内就不特别限制，但优选大于等于0°、小于等于45°。
如以上说明，实施例2的多波长半导体激光元件120除了具有与上述实施例1相同的效果以外，由于使与红外半导体激光元件13的谐振器的后端面85相对置的凸部14的端面121成为倾斜面，因此防止向红外半导体激光元件13的返回光。因此，具有抑制由返回光的干涉引起的红外激光的噪声的优点。
在此，虽然说明了沿与红外半导体激光元件13的光轴水平的方向、向外侧面扩展而倾斜的情况，但也可以如图8所示，沿与红外半导体激光元件13的光轴水平的方向向内侧面——即向可见光半导体激光元件12一侧扩展而倾斜。
并且，如图9所示，可以沿与红外半导体激光元件13的光轴垂直的方向、向上面侧扩展而倾斜。在例如图5(b)所示的基板上形成垂直的分离槽16后，在整个面上形成抗蚀剂膜而埋入分离槽15、16，在形成向上面侧扩展地倾斜的端面141的区域形成抗蚀剂开口部，使得向上面侧扩展而倾斜。然后，通过台面型蚀刻法成为顺台面来形成。
[实施例3]
图10为表示本发明的实施例3的多波长半导体激光装置的结构的图，图10(a)为切开了外围器的一部分的斜视图，图10(b)为表示多波长半导体激光元件接面朝下地安装的状态的斜视图。
在本实施例中，与上述实施例1相同的结构部分赋予相同的符号，省略该部分的说明，仅说明不同的部分。
本实施例与实施例1不同点在于，多波长半导体激光装置一体地具备读出记录在记录媒体中的信息的功能。
即，如图10所示，本实施例的多波长半导体激光装置200具有光路分离器件201，配置在多波长半导体激光元件10的前方的发送方向的光轴上、具有波长选择性；以及受光元件202，检测透过光路分离器件201，并被反射板(未图示)反射的光入射到光路分离器件中而被分离的光信号，该反射板设置在光路分离器件201的前方的发送方向光轴上。
光路分离器件201是例如在玻璃等的表面刻有多个细槽的衍射光栅，也称为全息。通过衍射光栅的界面的激光由于衍射作用被分离成仍然直接前进的0次衍射光和向左右折射的±1次衍射光等多个光束。
受光元件202为例如具有从可见光到近红外区域的感光度的硅光电二极管，安装在放置绝缘性辅助底座104的底座部203的发送方向的侧面上，接收由反射板(未图示)反射回来的激光107或激光108。底座部203还具有热沉的作用。
图11为表示多波长半导体激光装置200的工作原理的图。如图11(a)所示，将从多波长半导体激光元件10射出的激光107或激光108直接透过光路分离器件201(0次衍射光)，由透镜204变成平行光，由透镜205汇聚后到达记录媒体206面。
接着，如图11(b)所示，到达记录媒体206表面的激光107或108在由记录媒体206表面被反射，根据记录媒体206的反射率之差，作为具有记录信息的信号通过相同的光路返回。
返回的激光107或108被光路分离器件201折射(1次衍射光)到达受光元件202，变换成电气信号取出到外部。
当读出记录在DVD记录媒体上的信息时，驱动可见光半导体激光元件12；当读出记录在CD记录媒体上的信息时，驱动红外半导体激光元件13，用受光元件202分别读出所记录的信息。
如以上说明，如果采用本实施例，除了具有与上述实施例1相同的效果外，具有能够降低一体地具有读出记录在记录媒体206上的信息的功能的多波长半导体激光装置200的消耗功率的优点。因此，不必担心由于无谓的发热对作为精密光学元件的衍射光栅的特性造成影响。
在上述实施例中，虽然说明了多波长半导体激光元件10具有可见光半导体激光元件12和红外半导体激光元件13两个不同波长的半导体激光元件的情况，但本发明并不局限于此，在不超出本发明的宗旨的范围内，也可以应用于具有3个以上的半导体激光元件的多波长半导体激光器中。
而且，虽然说明了凸部14为不具有红外半导体激光元件13的功能的假红外半导体激光元件的结构的情况，但也可以在除去该假红外半导体激光元件结构的区域填充绝缘性树脂、例如聚酰亚氨树脂或硅树脂等，成为与p侧电极18同一平面的结构。如果这样，具有提高凸部14的电气绝缘性的优点。

Claims (5)

1.一种多波长半导体激光元件，其特征在于，具有：
第一半导体激光元件，形成在基板的主面上，发射特定波长的振荡光；
第二半导体激光元件，与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置，以使振荡光的光轴实质上为同一光轴，具备比上述第一半导体激光元件的谐振器长度短的谐振器，并发射与上述特定波长不同波长的振荡光；
电极，用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电导通；以及
凸部，配置为分别接近与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面，在上表面形成有绝缘膜。
2.如权利要求1所述的多波长半导体激光元件，其特征在于，与垂直于上述第二半导体激光元件的光轴的端面相对置的、上述凸部的端面，相对于上述端面倾斜。
3.如权利要求1所述的多波长半导体激光元件，其特征在于，上述凸部具有与上述第二半导体激光器相同的结构。
4.一种多波长半导体激光装置，其特征在于，具有：
多波长半导体激光元件，该多波长半导体激光元件包括：第一半导体激光元件，形成在基板的主面上，发射特定波长的振荡光；第二半导体激光元件，与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置，以使振荡光的光轴实质上为同一光轴，具备比上述第一半导体激光元件的谐振器长度短谐振器，并发射与上述特定波长不同波长的振荡光；电极，用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电导通；及凸部，配置为分别接近与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面，在上表面形成有绝缘膜；
辅助底座，设置在上述多波长半导体激光器的上述第一、第二半导体激光元件及上述凸部的主面上；以及
引线管脚，与上述电极电连接。
5.一种多波长半导体激光装置，其特征在于，具有：
多波长半导体激光元件，该多波长半导体激光元件包括：第一半导体激光元件，形成在基板的主面上，发射特定波长的振荡光；第二半导体激光元件，与上述第一半导体激光元件的光轴平行且接近地配置，以使振荡光的光轴实质上为同一光轴，具备比上述第一半导体激光元件的谐振器长度短的谐振器，并发射与上述特定波长不同波长的振荡光；电极，用来分别取得上述第一及第二半导体激光元件的活性层的电导通；及凸部，配置为分别接近与上述第一半导体激光元件的光轴平行的侧面、和与上述第二半导体激光元件的光轴垂直的端面，在上表面形成有绝缘膜；
光路分离器件，设置在上述多波长半导体激光元件的前方的发送方向光轴上、并具有波长选择性；以及
受光元件，透过上述光路分离器件，检测由反射板反射的光入射到上述光路分离器件而被分离的光信号，该反射板设置在上述光路分离器件的前方的发送方向光轴上。
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