JP3493276B2 - 半導体レーザ装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置及びその製造方法Info
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- JP3493276B2 JP3493276B2 JP03681897A JP3681897A JP3493276B2 JP 3493276 B2 JP3493276 B2 JP 3493276B2 JP 03681897 A JP03681897 A JP 03681897A JP 3681897 A JP3681897 A JP 3681897A JP 3493276 B2 JP3493276 B2 JP 3493276B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録再生装
置等に用いられる半導体レーザ装置及びその製造方法に
関する。
置等に用いられる半導体レーザ装置及びその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】次世代の光ディスクであるデジタルビデ
オディスク（ＤＶＤ）は、映像の記録として１３５分の
動画を再生可能であること、また情報記録として４．７
ＧＢｙｔｅの容量が記録できることで、従来のＣＤを受
け継ぎ発展することが期待されている。
オディスク（ＤＶＤ）は、映像の記録として１３５分の
動画を再生可能であること、また情報記録として４．７
ＧＢｙｔｅの容量が記録できることで、従来のＣＤを受
け継ぎ発展することが期待されている。
【０００３】また、ＤＶＤの再生装置では、ＤＶＤ（映
像記録）、ＤＶＤ−ＲＯＭ（情報記録）、ＤＶＤ−Ｒ
（１回書き込みの情報記録）の再生及びデータの読み出
しに加えて、従来より広く使用されてきたＣＤ（音楽記
録）、ＣＤ−ＲＯＭ（情報記録）、ＣＤ−Ｒ（１回書き
込みの情報記録）も再生及びデータの読み出しを行うこ
とが要望されている。
像記録）、ＤＶＤ−ＲＯＭ（情報記録）、ＤＶＤ−Ｒ
（１回書き込みの情報記録）の再生及びデータの読み出
しに加えて、従来より広く使用されてきたＣＤ（音楽記
録）、ＣＤ−ＲＯＭ（情報記録）、ＣＤ−Ｒ（１回書き
込みの情報記録）も再生及びデータの読み出しを行うこ
とが要望されている。
【０００４】ここで、ＤＶＤは従来のＣＤと比較して、
以下の２点で大きな違いがある。まず、第１の違いとし
ては、光ディスクの基板の厚さを１．２ｍｍから０．６
ｍｍとた点である。これは記録密度の向上をねらい集光
用のレンズのＮＡを大きくした時に、光ディスクの傾き
に対する許容度を大きくするためである。
以下の２点で大きな違いがある。まず、第１の違いとし
ては、光ディスクの基板の厚さを１．２ｍｍから０．６
ｍｍとた点である。これは記録密度の向上をねらい集光
用のレンズのＮＡを大きくした時に、光ディスクの傾き
に対する許容度を大きくするためである。
【０００５】第２の違いとしては、ピックアップで使用
する半導体レーザの波長である。従来のＣＤでは半導体
レーザの波長は約７８０ｎｍであり、ＤＶＤでは６３０
ｎｍまたは６５０ｎｍの半導体レーザを使用する。これ
は、集光スポットの大きさが波長に比例するためであ
る。
する半導体レーザの波長である。従来のＣＤでは半導体
レーザの波長は約７８０ｎｍであり、ＤＶＤでは６３０
ｎｍまたは６５０ｎｍの半導体レーザを使用する。これ
は、集光スポットの大きさが波長に比例するためであ
る。
【０００６】しかしながら、情報を読み取るピックアッ
プにとって、基板の厚さが異なる２種類の光ディスクを
読み取ることは、収差の点で難しい。即ち、例えば基板
厚さ０．６ｍｍで設計されたレンズ系そのままでは、基
板厚さ１．２ｍｍの光ディスクを読み取ることはできな
い。
プにとって、基板の厚さが異なる２種類の光ディスクを
読み取ることは、収差の点で難しい。即ち、例えば基板
厚さ０．６ｍｍで設計されたレンズ系そのままでは、基
板厚さ１．２ｍｍの光ディスクを読み取ることはできな
い。
【０００７】そこで、現在、各種の方法が考えられてい
る。例えば、ＣＤ用とＤＶＤ用の２種の対物レンズを切
り替える方法、２焦点のレンズを対物レンズに用いる方
法、液晶シャッタを使用する方法等である。これらの方
法により、基板厚さが異なる２種の光ディスクを読み出
すことが可能となり、ＤＶＤ再生装置で従来のＣＤ、Ｃ
Ｄ−ＲＯＭの読み出しを図ることが検討されている。
る。例えば、ＣＤ用とＤＶＤ用の２種の対物レンズを切
り替える方法、２焦点のレンズを対物レンズに用いる方
法、液晶シャッタを使用する方法等である。これらの方
法により、基板厚さが異なる２種の光ディスクを読み出
すことが可能となり、ＤＶＤ再生装置で従来のＣＤ、Ｃ
Ｄ−ＲＯＭの読み出しを図ることが検討されている。
【０００８】しかしながら、上記の方法では、現在流通
しているＣＤ−Ｒを読み出すことは困難である。なぜな
らば、１回書き込みのＣＤ−Ｒは記録方式として７８０
ｎｍに反応する色素を使用しているためである。そのタ
イプのＣＤ−Ｒは読み取りのための半導体レーザの波長
が７８０ｎｍである必要がある。
しているＣＤ−Ｒを読み出すことは困難である。なぜな
らば、１回書き込みのＣＤ−Ｒは記録方式として７８０
ｎｍに反応する色素を使用しているためである。そのタ
イプのＣＤ−Ｒは読み取りのための半導体レーザの波長
が７８０ｎｍである必要がある。
【０００９】そこで、ＣＤ−Ｒも読み出すことが可能で
あるＤＶＤ用ピックアップとしては、以下の構成が考え
られる。
あるＤＶＤ用ピックアップとしては、以下の構成が考え
られる。
【００１０】まず第１は、ＣＤ用のピックアップとＤＶ
Ｄ用のピックアップの２つを、再生装置内に備えること
である。この場合、ピックアップは独立しており、ＤＶ
Ｄ専用のピックアップ装置には６３０ｎｍまたは６５０
ｎｍの半導体レーザ及びＮＡ０．６の対物レンズを持
ち、ＣＤ専用ピックアップ装置には７８０ｎｍの半導体
レーザ及びＮＡ０．４５の対物レンズを持つことにな
る。しかしながら、この方法は再生装置の大型化および
コストアップにつながる。
Ｄ用のピックアップの２つを、再生装置内に備えること
である。この場合、ピックアップは独立しており、ＤＶ
Ｄ専用のピックアップ装置には６３０ｎｍまたは６５０
ｎｍの半導体レーザ及びＮＡ０．６の対物レンズを持
ち、ＣＤ専用ピックアップ装置には７８０ｎｍの半導体
レーザ及びＮＡ０．４５の対物レンズを持つことにな
る。しかしながら、この方法は再生装置の大型化および
コストアップにつながる。
【００１１】そこで、ＤＶＤ装置としては、１個のピッ
クアップを搭載し、その発光波長を７８０ｎｍ及び６３
０ｎｍ又は６５０ｎｍの２種類の光を出すようにする方
法が求められる。
クアップを搭載し、その発光波長を７８０ｎｍ及び６３
０ｎｍ又は６５０ｎｍの２種類の光を出すようにする方
法が求められる。
【００１２】このように２種類の光を出す半導体レーザ
としては、以下のような構造が提案されている。
としては、以下のような構造が提案されている。
【００１３】１）半導体レーザパッケージ内部にチップ
を２種類装備する。
を２種類装備する。
【００１４】２）図３に示すように、同一ウエハーの隣
接する半導体レーザチップ１００、１０１に対して、そ
れぞれコート膜１０２、１０３の膜厚を変えて異なる波
長で発振させる。ここで、各半導体レーザチップ１００
及び１０１の活性層はそれぞれ、１０４及び１０５であ
る。
接する半導体レーザチップ１００、１０１に対して、そ
れぞれコート膜１０２、１０３の膜厚を変えて異なる波
長で発振させる。ここで、各半導体レーザチップ１００
及び１０１の活性層はそれぞれ、１０４及び１０５であ
る。
【００１５】３）図４に示すように、同一ウエハーの隣
接する半導体レーザ２００、２０１のそれぞれの活性層
２０２及び２０３の下部の溝２０４及び２０５の幅を変
え、各活性層のＡｌ含有量を変えて発振波長を変える。
接する半導体レーザ２００、２０１のそれぞれの活性層
２０２及び２０３の下部の溝２０４及び２０５の幅を変
え、各活性層のＡｌ含有量を変えて発振波長を変える。
【００１６】４）図５に示すように、基板上に第１の活
性層３００と第２、３のクラッド層３０１及び３０２か
らなるダブルヘテロ接合を持ち、その上部に第２の活性
層３０３と第４、５のクラッド層３０４及び３０５から
なるダブルヘテロ接合を持つ半導体レーザを備える。な
お、図５中、３０６は基板、３０７はバッファ層、３０
８はリブ側面部、３０９はコンタクト層、３１０は電極
である。
性層３００と第２、３のクラッド層３０１及び３０２か
らなるダブルヘテロ接合を持ち、その上部に第２の活性
層３０３と第４、５のクラッド層３０４及び３０５から
なるダブルヘテロ接合を持つ半導体レーザを備える。な
お、図５中、３０６は基板、３０７はバッファ層、３０
８はリブ側面部、３０９はコンタクト層、３１０は電極
である。
【００１７】図６にはＶＳＩＳ（V-channeled Substrat
e Inner Stripe）構造の半導体レーザの例を示してい
る。なお、図６中、３１１は基板、３１２は電流阻止
層、３１３は電極である。
e Inner Stripe）構造の半導体レーザの例を示してい
る。なお、図６中、３１１は基板、３１２は電流阻止
層、３１３は電極である。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
１）の構造には発光スポットの問題がある。即ち、ピッ
クアップで同一のレンズを用いて２つの異なる波長の光
を使うためには、発光スポット間の距離が少なくとも１
００μｍ以下である必要がある。通常形状のパッケージ
では、半導体レーザチップを並べて載置するため、発光
スポット間の距離は１００μｍ以上となり、また、チッ
プのパッケージへの貼り付けは、数１０μｍ程度の誤差
を含む。
１）の構造には発光スポットの問題がある。即ち、ピッ
クアップで同一のレンズを用いて２つの異なる波長の光
を使うためには、発光スポット間の距離が少なくとも１
００μｍ以下である必要がある。通常形状のパッケージ
では、半導体レーザチップを並べて載置するため、発光
スポット間の距離は１００μｍ以上となり、また、チッ
プのパッケージへの貼り付けは、数１０μｍ程度の誤差
を含む。
【００１９】また、上記図３及び図４の構造では、波長
差が大きくとれないという問題点がある。即ち、図３及
び図４とも、活性層は１回の成長で行うため（活性層１
０４及び１０５、活性層２０２及び２０３）、材料系は
同一の材料となる。従って、多少のＡｌ混晶比の差異を
設けることはできるものの、７８０ｎｍ帯であればＡｌ
ＧａＡｓを使用するのであり、その波長差は高々１０ｎ
ｍ程度に過ぎない。ＤＶＤピックアップがＣＤ−Ｒとの
互換性をとるためには、７８０ｎｍと６３０ｎｍまたは
６５０ｎｍ帯の発光波長を発生する必要があり、上記構
造では、この波長差を満足することはできない。
差が大きくとれないという問題点がある。即ち、図３及
び図４とも、活性層は１回の成長で行うため（活性層１
０４及び１０５、活性層２０２及び２０３）、材料系は
同一の材料となる。従って、多少のＡｌ混晶比の差異を
設けることはできるものの、７８０ｎｍ帯であればＡｌ
ＧａＡｓを使用するのであり、その波長差は高々１０ｎ
ｍ程度に過ぎない。ＤＶＤピックアップがＣＤ−Ｒとの
互換性をとるためには、７８０ｎｍと６３０ｎｍまたは
６５０ｎｍ帯の発光波長を発生する必要があり、上記構
造では、この波長差を満足することはできない。
【００２０】上記の６００ｎｍ帯の光を発生させるに
は、活性層、クラッド層として、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａ
ＩｎＰを用いる必要があり、活性層、クラッド層からな
るダブルヘテロ構造は全く異なる材料で構成する必要が
ある。
は、活性層、クラッド層として、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａ
ＩｎＰを用いる必要があり、活性層、クラッド層からな
るダブルヘテロ構造は全く異なる材料で構成する必要が
ある。
【００２１】また、図５に示す半導体レーザは、通常、
リッジ構造と呼ばれるタイプの構造である。この構造
は、気相成長法（有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法））で成長す
る。
リッジ構造と呼ばれるタイプの構造である。この構造
は、気相成長法（有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ
法）、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法））で成長す
る。
【００２２】この構造の場合、筆者らの同様な実験で
は、リブ側面部３０８の成長の後、ＳｉＯ2を除去した
後の表面は平坦ではなく、凸型の形状となる。この後、
ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法にてｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層３０７及びクラッド層３０５、活性層３０３、クラ
ッド層３０４を成長すると、その下地であるｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層の３０９、リブ側面部３０８の形状をそ
のまま保ったまま成長を行うため、活性層３０３が湾曲
した構造となる。
は、リブ側面部３０８の成長の後、ＳｉＯ2を除去した
後の表面は平坦ではなく、凸型の形状となる。この後、
ＭＯＣＶＤ法またはＭＢＥ法にてｐ−ＧａＡｓコンタク
ト層３０７及びクラッド層３０５、活性層３０３、クラ
ッド層３０４を成長すると、その下地であるｐ−ＧａＡ
ｓコンタクト層の３０９、リブ側面部３０８の形状をそ
のまま保ったまま成長を行うため、活性層３０３が湾曲
した構造となる。
【００２３】このように活性層３０３が湾曲した構造で
は、半導体レーザを高温にて動作させた場合の信頼性が
悪くなり、実際のピックアップに組み込んで使用するこ
とができない。
は、半導体レーザを高温にて動作させた場合の信頼性が
悪くなり、実際のピックアップに組み込んで使用するこ
とができない。
【００２４】また、図６に示す半導体レーザは、通常、
ＶＳＩＳ構造と呼ばれるタイプのレーザであるが、この
構造は液相成長法（ＬＰＥ法）で成長するのが通常であ
り、この方法ではＡｌＧａＩｎＰを成長することは不可
能である。
ＶＳＩＳ構造と呼ばれるタイプのレーザであるが、この
構造は液相成長法（ＬＰＥ法）で成長するのが通常であ
り、この方法ではＡｌＧａＩｎＰを成長することは不可
能である。
【００２５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明による半導体レーザ装置は、ステム上に、第１
の活性層を有する第１の半導体レーザ部、第２の活性層
を有する第２の半導体レーザ部が順次積層され、且つ前
記第１の活性層の材料系と第２の活性層との材料系とが
異なることを特徴とする。
に本発明による半導体レーザ装置は、ステム上に、第１
の活性層を有する第１の半導体レーザ部、第２の活性層
を有する第２の半導体レーザ部が順次積層され、且つ前
記第１の活性層の材料系と第２の活性層との材料系とが
異なることを特徴とする。
【００２６】ここで、前記第１の半導体レーザ装置はリ
ッジ構造を有し、前記第２の半導体レーザ部はＶＳＩＳ
構造を有することを特徴とする。
ッジ構造を有し、前記第２の半導体レーザ部はＶＳＩＳ
構造を有することを特徴とする。
【００２７】また、前記第１の半導体レーザ部の活性層
がＡｌＧａＩｎＰ系の材料からなり、前記第２の半導体
レーザ部の活性層がＡｌＧａＡｓ系の材料からなること
を特徴とする。
がＡｌＧａＩｎＰ系の材料からなり、前記第２の半導体
レーザ部の活性層がＡｌＧａＡｓ系の材料からなること
を特徴とする。
【００２８】前記半導体レーザ装置の製造方法として
は、前記第２の半導体レーザ部を形成した後に、前記第
２の半導体レーザ部上に前記第１の半導体レーザ部を形
成することを特徴とする。
は、前記第２の半導体レーザ部を形成した後に、前記第
２の半導体レーザ部上に前記第１の半導体レーザ部を形
成することを特徴とする。
【００２９】以上のように、ＶＳＩＳ構造を有する第２
の半導体レーザ部を形成した上に、リッジ構造を有する
第１の半導体レーザ部を形成するので、表面が完全な平
面である部分に第１の半導体レーザ部を形成することに
なり、高品位の半導体レーザ装置の実現が可能となる。
の半導体レーザ部を形成した上に、リッジ構造を有する
第１の半導体レーザ部を形成するので、表面が完全な平
面である部分に第１の半導体レーザ部を形成することに
なり、高品位の半導体レーザ装置の実現が可能となる。
【００３０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施例について、図１
及び図２を参照して説明する。図１は本実施例による半
導体レーザ装置の断面図及びその部分拡大図である。
及び図２を参照して説明する。図１は本実施例による半
導体レーザ装置の断面図及びその部分拡大図である。
【００３１】本実施例は図１に示すように、ステム１の
上に、２つの発光箇所を有する半導体レーザチップ２が
搭載されている。この半導体レーザチップ２は、６３５
ｎｍのレーザ光を発するレーザ部３及び７８０ｎｍのレ
ーザ光を発するレーザ部４とから構成されている。５、
６は各部の電極、７は共通電極、８は電気的接続をとる
ワイヤである。
上に、２つの発光箇所を有する半導体レーザチップ２が
搭載されている。この半導体レーザチップ２は、６３５
ｎｍのレーザ光を発するレーザ部３及び７８０ｎｍのレ
ーザ光を発するレーザ部４とから構成されている。５、
６は各部の電極、７は共通電極、８は電気的接続をとる
ワイヤである。
【００３２】この半導体レーザチップ２の作成方法につ
いて、図２を参照して説明する。
いて、図２を参照して説明する。
【００３３】半導体レーザチップ２の内、４の部分とし
てＶＳＩＳ構造をとるレーザを作成する。まず、ｐ−Ｇ
ａＡｓ基板１０上に、液相成長（ＬＰＥ）法によってｎ
−ＧａＡｓ電流阻止層１１を成長し、基板１０に達する
ストライプ状のＶ溝１２をホトリスグラフィ法と化学エ
ッチングにより作成する。
てＶＳＩＳ構造をとるレーザを作成する。まず、ｐ−Ｇ
ａＡｓ基板１０上に、液相成長（ＬＰＥ）法によってｎ
−ＧａＡｓ電流阻止層１１を成長し、基板１０に達する
ストライプ状のＶ溝１２をホトリスグラフィ法と化学エ
ッチングにより作成する。
【００３４】ここで、成長時の基板１０の温度は、８０
０℃である。次に、液相成長法でｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55
Ａｓクラッド層１３を、Ｖ溝１２を埋めるように成長さ
せ、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活性層１４、ｎ−Ａｌ
0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層１５、ｎ−ＧａＡｓコンタ
クト層１６を順次成長する。これにより、ｎ−ＧａＡｓ
コンタクト層１６表面は平坦になる。
０℃である。次に、液相成長法でｐ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55
Ａｓクラッド層１３を、Ｖ溝１２を埋めるように成長さ
せ、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａｓ活性層１４、ｎ−Ａｌ
0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層１５、ｎ−ＧａＡｓコンタ
クト層１６を順次成長する。これにより、ｎ−ＧａＡｓ
コンタクト層１６表面は平坦になる。
【００３５】次いで、６３５ｎｍの発光部３を作成する
のであるが、上記ｎ−ＧａＡｓコンタクト層１６の上
に、ＭＢＥ法によりｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
７、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１８、多重量子井戸活性
層１９、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０、ｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層２１、ｐ−ＧａＩｎＰエッチングスト
ップ層２２、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、ｐ−
ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層２４、ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層２５を順次積層する。ここで、基板温度は７
００℃である。
のであるが、上記ｎ−ＧａＡｓコンタクト層１６の上
に、ＭＢＥ法によりｎ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
７、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層１８、多重量子井戸活性
層１９、ＡｌＧａＩｎＰ光ガイド層２０、ｐ−ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層２１、ｐ−ＧａＩｎＰエッチングスト
ップ層２２、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３、ｐ−
ＧａＩｎＰ中間バンドギャップ層２４、ｐ−ＧａＡｓコ
ンタクト層２５を順次積層する。ここで、基板温度は７
００℃である。
【００３６】次に、この上にマスク層としてＡｌ2Ｏ3膜
を蒸着し、フォトリソグラフィを行ってＡｌ2Ｏ3膜をス
トライプ状にパターン加工する。この後、Ａｌ2Ｏ3膜を
マスクとして湿式エッチングを行ってコンタクト層２
５、中間バンドギャップ層２４、クラッド層２３の内、
Ａｌ2Ｏ3膜の両側に想到する部分を除去する。これによ
り、Ａｌ2Ｏ3膜の直下にメサ部２６を形成する。
を蒸着し、フォトリソグラフィを行ってＡｌ2Ｏ3膜をス
トライプ状にパターン加工する。この後、Ａｌ2Ｏ3膜を
マスクとして湿式エッチングを行ってコンタクト層２
５、中間バンドギャップ層２４、クラッド層２３の内、
Ａｌ2Ｏ3膜の両側に想到する部分を除去する。これによ
り、Ａｌ2Ｏ3膜の直下にメサ部２６を形成する。
【００３７】なお、ｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２３
を除去する時は、ｐ−ＧａＩｎＰエッチングストップ層
２２との選択エッチングを行ってエッチングを確実に停
止させる。この後、第２回目のＭＢＥ成長を行ってメサ
部２６の両側にｎ−ＧａＡｓ２７が断面凸状に成長す
る。そして、フォトリソグラフィを行って、ｎ−ＧａＡ
ｓ多結晶を選択エッチングして除去する。
を除去する時は、ｐ−ＧａＩｎＰエッチングストップ層
２２との選択エッチングを行ってエッチングを確実に停
止させる。この後、第２回目のＭＢＥ成長を行ってメサ
部２６の両側にｎ−ＧａＡｓ２７が断面凸状に成長す
る。そして、フォトリソグラフィを行って、ｎ−ＧａＡ
ｓ多結晶を選択エッチングして除去する。
【００３８】次に、図１に示されるような共通電極７を
形成するために、フォトリソグラフィにてｐ−ＧａＡｓ
基板１０、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１１、ｐ−Ａｌ0.45
Ｇａ0.55Ａｓクラッド層１３、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａ
ｓ活性層１４、ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層１
５の一部を除去する。
形成するために、フォトリソグラフィにてｐ−ＧａＡｓ
基板１０、ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層１１、ｐ−Ａｌ0.45
Ｇａ0.55Ａｓクラッド層１３、ｐ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ａ
ｓ活性層１４、ｎ−Ａｌ0.45Ｇａ0.55Ａｓクラッド層１
５の一部を除去する。
【００３９】次に、コンタクト層１６の表面、基板１０
の裏面及びｎ−ＧａＡｓコンタクト層２５にそれぞれ、
共通電極７、電極６及び電極５を形成する。
の裏面及びｎ−ＧａＡｓコンタクト層２５にそれぞれ、
共通電極７、電極６及び電極５を形成する。
【００４０】ここで、７８０ｎｍ発光部でのしきい値は
５０ｍＡ、６３５ｎｍでのしきい値は４０ｍＡと低い値
が得られた。また、高温一定出力における通電テストで
信頼性の試験を行ったところ、６０℃、５ｍＷの試験で
５０００時間以上の安定動作を保証できた。
５０ｍＡ、６３５ｎｍでのしきい値は４０ｍＡと低い値
が得られた。また、高温一定出力における通電テストで
信頼性の試験を行ったところ、６０℃、５ｍＷの試験で
５０００時間以上の安定動作を保証できた。
【００４１】ここで、比較のため、図５と同様に、Ｇａ
Ａｓ基板１０側もリッジ構造である素子も作製し比較を
行った。
Ａｓ基板１０側もリッジ構造である素子も作製し比較を
行った。
【００４２】この実験では、７８０ｎｍ発光部でのしき
い値は５２ｍＡ、６３５ｎｍでのしきい値は６４ｍＡと
なり、７８０ｎｍ発光部分ではほぼ同様の値が得られる
が、６３５ｎｍでのしきい値は高くなっている。
い値は５２ｍＡ、６３５ｎｍでのしきい値は６４ｍＡと
なり、７８０ｎｍ発光部分ではほぼ同様の値が得られる
が、６３５ｎｍでのしきい値は高くなっている。
【００４３】また、信頼性試験においても、７８０ｎｍ
発光時は、６０℃、５ｍＷの試験で５０００時間以上安
定動作を得ることができたが、６３５ｎｍ発光時は、同
条件において５００時間で停止した。
発光時は、６０℃、５ｍＷの試験で５０００時間以上安
定動作を得ることができたが、６３５ｎｍ発光時は、同
条件において５００時間で停止した。
【００４４】このことは、本実施例の半導体レーザにお
いては、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層１６の成長後の表面
が完全な平面であるため、その上に成長するレーザ構造
が高い品位に成長できることを示し、また、逆に基板側
にリッジ構造を成長する構造では、その構造の上面には
必ず不均一な界面が発生し、その上に成長するレーザ構
造に対して悪影響を与えることを示している。
いては、ｎ−ＧａＡｓコンタクト層１６の成長後の表面
が完全な平面であるため、その上に成長するレーザ構造
が高い品位に成長できることを示し、また、逆に基板側
にリッジ構造を成長する構造では、その構造の上面には
必ず不均一な界面が発生し、その上に成長するレーザ構
造に対して悪影響を与えることを示している。
【００４５】また、本実施例によれば、発光スポット間
の距離を数１０μｍ以下の距離とすることができる。
の距離を数１０μｍ以下の距離とすることができる。
【００４６】なお、本実施例ではＧａＡｓ系の材料とＩ
ｎＧａＡｌＰ系の材料の例を挙げたが、他の材料、例え
ばＩｎＧａＡｓＰ、ＺｎＳＳｅ、ＧａＮ等、他の系統の
材料を使用してもよい。また、成長方法はＭＢＥに限ら
ず、ＭＯＣＶＤ、ＭＯＭＢＥ、ＣＢＥ等が使用できる。
ｎＧａＡｌＰ系の材料の例を挙げたが、他の材料、例え
ばＩｎＧａＡｓＰ、ＺｎＳＳｅ、ＧａＮ等、他の系統の
材料を使用してもよい。また、成長方法はＭＢＥに限ら
ず、ＭＯＣＶＤ、ＭＯＭＢＥ、ＣＢＥ等が使用できる。
【００４７】また、本実施例の半導体レーザをピックア
ップに組み込めば、２重焦点のレンズを用いることによ
り、単一の光路で６３５ｎｍの光と７８０ｎｍの光を発
生させることが可能となる。したがって現在流通してい
るＣＤ−Ｒを含めた全てのＤＶＤ、ＣＤ関連のディスク
を読み出すことが可能となる。
ップに組み込めば、２重焦点のレンズを用いることによ
り、単一の光路で６３５ｎｍの光と７８０ｎｍの光を発
生させることが可能となる。したがって現在流通してい
るＣＤ−Ｒを含めた全てのＤＶＤ、ＣＤ関連のディスク
を読み出すことが可能となる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
異なる発光波長をそれぞれ出射する複数の発光部を有
し、且つ長時間の安定動作が可能な高信頼性の半導体レ
ーザを実現できる。
異なる発光波長をそれぞれ出射する複数の発光部を有
し、且つ長時間の安定動作が可能な高信頼性の半導体レ
ーザを実現できる。
【図１】本発明の一実施例による半導体レーザ装置の縦
断面図。
断面図。
【図２】図１の半導体レーザ装置の製造方法を説明する
ための部分拡大図。
ための部分拡大図。
【図３】従来例による半導体レーザ装置の縦断面図。
【図４】他の従来例による半導体レーザ装置の縦断面
図。
図。
【図５】さらに他の従来例による半導体レーザ装置の縦
断面図。
断面図。
【図６】さらに他の従来例による半導体レーザ装置の縦
断面図。
断面図。
１ ステム
３ 第１の半導体レーザ部
４ 第２の半導体レーザ部
１４ 第２の活性層
１９ 第１の活性層
Claims (3)
- 【請求項１】 ステム上に、第１の活性層を有する第１
の半導体レーザ部、第２の活性層を有する第２の半導体
レーザ部が順次積層され、且つ前記第１の活性層の材料
系と第２の活性層の材料系とが異なり、前記第１の半導体レーザ部の活性層がＡｌＧａＩｎＰ系
の材料からなり、前記第２の半導体レーザ部の活性層が
ＡｌＧａＡｓ系の材料からなる ことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - 【請求項２】 前記第１の半導体レーザ部はリッジ構造
を有し、前記第２の半導体レーザ部はＶＳＩＳ構造を有
することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装
置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の半導体レーザ装置の製
造方法であって、前記第２の半導体レーザ部を形成した
後に、前記第２の半導体レーザ部上に前記第１の半導体
レーザ部を形成し、この後、前記第１の半導体レーザ部
側を前記ステム上に搭載することを特徴とする半導体レ
ーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03681897A JP3493276B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03681897A JP3493276B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10233550A JPH10233550A (ja) | 1998-09-02 |
| JP3493276B2 true JP3493276B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=12480351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03681897A Expired - Fee Related JP3493276B2 (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3493276B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000223791A (ja) | 1999-02-04 | 2000-08-11 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2002217499A (ja) | 2001-01-19 | 2002-08-02 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、その製造方法、およびそれを用いた光ピックアップ |
| JP4253461B2 (ja) | 2002-04-15 | 2009-04-15 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP4146153B2 (ja) | 2002-04-15 | 2008-09-03 | シャープ株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP03681897A patent/JP3493276B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10233550A (ja) | 1998-09-02 |
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