JP2000349387A - 半導体レーザ装置及びその作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光構造を構成する化合物半導体層が相互に
異なる、複数個の半導体レーザ素子をモノリシック構造
で備えた半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 本半導体レーザ装置３０は、それぞれの
積層構造の材料が相互に異なり、ｐ側電極が同じ高さ
で、共通の基板上にモノリシック構造で形成された２個
の半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置であっ
て、サブマウント基板上に装着されている。半導体レー
ザ装置は、基板面に高部３２と低部３４とを段差状に形
成した、ｎ型ＧａＡs 基板３６を共通基板として有し、
基板上に、基板面に沿って形成されたＡｌＧａＡｓ３元
系の第１の半導体レーザ素子の積層構造３８と、低部３
４の第１の積層構造３８上に形成された、ＡｌＧａＩｎ
Ｐ４元系の第２の半導体レーザ素子の積層構造４０とを
有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、発光構造を構成す
る化合物半導体層が相互に異なり、共通の基板上にモノ
リシック構造で形成された、複数個の半導体レーザ素子
を有する半導体レーザ装置、及びその作製方法に関し、
更に詳細には、信頼性の高い半導体レーザ装置及びその
作製方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＣＤ（コンパクトディスク）、ＤＶＤ
（デジタルビデオディスク）、或いはＭＤ（ミニディス
ク）などの光学的に情報を記録する光ディスクは、大量
の情報を記録できる大容量の記録媒体として現在盛んに
利用されている。これらの光ディスクでは、光ピックア
ップを介して、光ディスクに記録された情報を再生し、
或いは情報を光ディスクに記録している。そして、光デ
ィスクの記録密度の違いから、ＣＤの再生を行う光ピッ
クアップでは、７８０ｎｍ帯の波長のレーザ光が用いら
れ、また、ＤＶＤの再生を行う光ピックアップでは、６
５０ｎｍ帯の波長のレーザ光が用いられている。

【０００３】ところで、近年、ＣＤを再生するＣＤ専用
の光ディスク装置又はＤＶＤを再生するＤＶＤ専用の光
ディスク装置に代えて、ＣＤ及びＤＶＤの双方を再生で
きる光ピックアップを備え、ＤＶＤを再生でき、かつＣ
Ｄも再生できるようなコンパチブルな光ディスク装置が
望まれている。そのために、発光波長７８０ｎｍのＣＤ
用の第１のレーザダイオードと発光波長６５０ｎｍのＤ
ＶＤ用の第２のレーザダイオードとを備え、第１のレー
ザダイオードを使ってＣＤを再生し、第２のレーザダイ
オードを使ってＤＶＤを再生する光ピックアップが開発
されている。

【０００４】第１のレーザダイオード及び第２のレーザ
ダイオードは、それぞれ、半導体レーザ素子としてモノ
リシック構造で共通基板上に構成されている。ここで、
図５から図７を参照して、発光波長の異なる、即ち発光
構造の構成材料の異なる二つの半導体レーザ素子、発光
波長７８０ｎｍの第１の半導体レーザ素子と発光波長６
５０の第２の半導体レーザ素子とをモノリシック構造で
有する半導体レーザ装置の従来の構成及び作製方法を説
明する。図５（ａ）から（ｃ）、図６（ｄ）から
（ｆ）、及び図７（ｇ）から（ｉ）は、それぞれ、従来
の方法で半導体レーザ装置を作製した際の工程毎の断面
図である。

【０００５】先ず、図５（ａ）に示すように、有機金属
気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ）などのエピタ
キシャル成長法により、ＧａＡs からなる１０度オフの
ｎ型基板１２上に、ＧａＡs からなるｎ型バッファ層１
３、ＡｌＧa Ａs からなるｎ型クラッド層１４、発振波
長７８０ｎｍの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層１
５、ＡｌＧa Ａs からなるｐ型クラッド層１６、及びＧ
ａＡs からなるｐ型キャップ層１７を、順次、エピタキ
シャル成長させ、第１の半導体レーザ素子を構成する積
層構造を形成する。

【０００６】次いで、図５（ｂ）に示すように、第１の
半導体レーザ素子の形成領域１０を除いた領域、即ち第
２の半導体レーザ素子１１の形成領域では、硫酸系のエ
ッチャントを使った無選択性ウエットエッチング及びフ
ッ酸系のエッチャントを使ったＡｌＧa Ａs 選択性ウエ
ットエッチングにより、ｐ型キャップ層１７、ｐ型クラ
ッド層１６、活性層１５及びｎ型クラッド層１４をエッ
チングして、ｎ型バッファ層１３を露出させる。

【０００７】次に、図５（ｃ）に示すように、露出した
ｎ型バッファ層１３上に、エピタキシャル成長法によ
り、ＩｎＧａＰからなるｎ型バッファ層１８、ＡｌＧａ
ＩｎＰからなるｎ型クラッド層１９、発振波長６５０ｎ
ｍの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）の活性層２０、ＡｌＧ
ａＩｎＰからなるｐ型クラッド層２１、及びＧａＡs か
らなるｐ型キャップ層２２を、順次、エピタキシャル成
長させ、第２の半導体レーザ素子を構成する積層構造を
形成する。

【０００８】次いで、第２の半導体レーザ素子の形成領
域１１を除いた領域、即ち第１の半導体レーザ素子の形
成領域１０及び第２の半導体レーザ素子と第１の半導体
レーザ素子との分離領域２３では、硫酸系のエッチャン
トを使ったキャップエッチング、リン酸塩酸系のエッチ
ャントを使った４元選択エッチング、塩酸系のエッチャ
ントを使った分離エッチングなどのウエットエッチング
により、ｐ型キャップ層２２、ｐ型クラッド層２１、活
性層２０、ｎ型クラッド層１９及びｎ型バッファ層１８
をエッチングして、図６（ｄ）に示すように、第１の半
導体レーザ素子の積層構造２４、及び第２の半導体レー
ザ素子の積層構造２５をそれぞれ形成する。これによ
り、第１の半導体レーザ素子の形成領域１０では、ｐ型
キャップ層１７を露出させた第１の半導体レーザ素子の
積層構造２４が形成され、分離領域２３では、ｎ型バッ
ファ層１３が露出し、第２の半導体レーザ素子の形成領
域１１では、ｐ型キャップ層２２を露出させた第２の半
導体レーザ素子の積層構造２５が形成される。

【０００９】次に、第２の半導体レーザ素子の積層構造
２５では、電流注入領域を除いた領域のｐ型キャップ２
２及びｐ型クラッド層２１の上部をエッチングして、図
６（ｅ）に示すように、電流注入領域をリッジ状した、
エアリッジゲインガイド構造を形成する。

【００１０】続いて、第１の半導体レーザ素子の積層構
造２４では、図６（ｆ）に示すように、電流注入領域を
除いた領域のｐ型キャップ層１７及びｐ型クラッド層１
６の上層にボロン（Ｂ）イオンをイオン注入して絶縁化
された領域２６に転化し、ゲインガイド型の電流狭窄構
造を形成する。

【００１１】次いで、図７（ｇ）に示すように、第１の
半導体レーザ素子の積層構造２４及び第２の半導体レー
ザ素子の積層構造２５上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの金属多層
膜を成膜し、パターニングして、それぞれ、ｐ側電極２
７、２８を形成する。また、基板１２の裏面に ＡｕＧ
ｅ／Ｎｉ／Ａｕの金属多層膜を成膜し、第１及び第２の
半導体レーザ素子共通のｎ側電極２９とする。

【００１２】次に、図７（ｈ）に示すように、モノリシ
ック構造の第１の半導体レーザ素子及び第２の半導体レ
ーザ素子を有する半導体レーザ装置としてチップ状にペ
レタイズする。そして、図７（ｉ）に示すように、ｐ側
電極２７、２８を実装基板上の配線パターンにはんだ接
合して、第１の半導体レーザ素子及び第２の半導体レー
ザ素子を有するモノリシック構造の半導体レーザ装置を
実装基板に実装する。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】相互に異なる２波長の
半導体レーザ素子を有するモノリシック構造の半導体レ
ーザ装置を作製する従来の方法では、上述したように、
第１回目のエピタキシャル成長工程で、第１の半導体レ
ーザ素子用の積層構造を形成する。次いで、第１の半導
体レーザ素子用の積層構造を選択的にエッチングして、
第２の半導体レーザ素子用の積層構造の形成領域を用意
し、続いて第２回目のエピタキシャル成長工程で、第２
の半導体レーザ素子用の積層構造を形成する。即ち、従
来の方法は、エッチング工程が介在する少なくとも２回
のエピタキシャル結晶成長工程を必要としていて、第１
回のエピタキシャル成長工程の高い温度環境と、それに
続くウエットエッチングの低い温度環境と、第２回のエ
ピタキシャル成長工程の高い温度環境とが連続し、２回
にわたる高温のプロセス工程を必要としている。

【００１４】そのため、相互に異なる２波長の半導体レ
ーザ素子を有するモノリシック構造の半導体レーザ装置
を作製するに際し、従来の方法には、次のような問題が
あった。第１の問題は、第１回のエピタキシャル成長工
程で成膜した第１の半導体レーザ素子の積層構造の結晶
品質が、第２回目のエピタキシャル成長工程の高温環境
によって劣化するということである。また、第１の半導
体レーザ素子用の積層構造中のｎ型及びｐ型不純物、例
えばＺｎ等のドーパントが、第２回目のエピタキシャル
成長工程の高温環境によって、拡散し、レーザ素子の信
頼性悪化の要因となり得るおそれがある。従って、プロ
セス工程の負荷管理が厳しくなるという問題もある。第
２の問題は、第２の半導体レーザ素子用の積層構造を形
成する際、第１の半導体レーザ素子用の積層構造を全て
エッチングオフした後、結晶性及び平滑性の悪いエッチ
ング加工面上に第２の半導体レーザ素子用の積層構造を
エピタキシャル成長させているので、第２の半導体レー
ザ素子用の積層構造として良好な結晶品質の積層構造を
得ることが難しいことである。

【００１５】そこで、本発明の目的は、発光波長の異な
る、即ち発光構造を構成する化合物半導体層が相互に異
なる、複数個の半導体レーザ素子をモノリシック構造で
備えた半導体レーザ装置、及び従来より少ないエピタキ
シャル成長工程数で、そのような半導体レーザ装置を形
成する方法を提供することである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る半導体レーザ装置は、発光構造を構成
する化合物半導体層が相互に異なり、かつ共通の基板上
にモノリシック構造で形成された、任意のＮ個の半導体
レーザ素子を有する半導体レーザ装置であって、順次に
階段状に形成された最も高い第１段部から最も低い第Ｎ
段部までのＮ個の段部を基板面に有し、第１の導電型の
化合物半導体からなる基板と、第１段部から第Ｎ段部に
わたり基板面に沿って形成され、第１の導電型のコンタ
クト層を最上層に有する第１の半導体レーザ素子の積層
構造と、第２段部から第Ｎ段部にわたる第１の半導体レ
ーザ素子の積層構造上に、第１の半導体レーザ素子の積
層構造とは異なる組成の化合物半導体層で形成され、第
１の導電型のコンタクト層を最上層に有する第２の半導
体レーザ素子の積層構造と、第３段部から第Ｎ段部にわ
たる第２の半導体レーザ素子の積層構造上に、少なくと
も第１又は第２の半導体レーザ素子の積層構造とは異な
る組成の化合物半導体層で形成され、第１の導電型のコ
ンタクト層を最上層に有する第３の半導体レーザ素子の
積層構造と、第４段部から順次第（Ｎ−１）段部までそ
れぞれ同様に形成された第４から第（Ｎ−１）の半導体
レーザ素子の積層構造と、更に、第Ｎ段部の第（Ｎ−
１）の半導体レーザ素子の積層構造上に、少なくとも第
１から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積層構造のい
ずれかとは異なる組成の化合物半導体層で形成され、第
２の導電型のコンタクト層を最上層に有する第Ｎの半導
体レーザ素子の積層構造とを有し、第１段部から第（Ｎ
−１）段部の各段部上に、それぞれ、形成された第１か
ら第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積層構造では、最
上層の第１の導電型のコンタクト層の電流注入領域が、
第２の導電型に転化されており、第１段部から第（Ｎ−
１）段部の各段部にそれぞれ形成された第１から第（Ｎ
−１）の半導体レーザ素子の積層構造の最上層のコンタ
クト層の第１及び第２の導電型の領域上に第１の電極
が、第Ｎの半導体レーザ素子の積層構造の最上層の第２
の導電型のコンタクト層上に第２の電極が、基板の裏面
に第３の電極が、それぞれ、形成されていることを特徴
としてる。

【００１７】本発明では、第１から第Ｎの半導体レーザ
素子の積層構造は、必ずしも、同じ構成の積層構造とは
限らない。例えば、ガイド層、光閉じ込め層、又はバッ
ファ層が一の半導体レーザ素子の積層構造にあって別の
半導体レーザ素子の積層構造になくても良い。また、
「発光構造を構成する化合物半導体層が相互に異なる」
とは、全部が異なる必要はなく、その内の一部が異なる
ことも含む。本発明に係る半導体レーザ装置は、以上の
構成により、相互に異なる発光波長のレーザ光を出射す
ることができる。また、第１の導電型はｎ型及びｐ型の
いずれか一方で、第２の導電型はその他方である。本発
明に係る半導体レーザ装置では、第２から第Ｎの半導体
レーザ素子の積層構造は、従来とは異なり、第１の半導
体レーザ素子の積層構造の最上エピタキシャル成長層で
あるｎ型コンタクト層上にエピタキシャル成長している
ので、結晶品質が良好である。

【００１８】本発明では、例えば、Ｎが２のときには、
前記Ｎが２であって、段差状に形成された高部と低部と
を基板面に有し、第１の導電型の化合物半導体からなる
基板と、高部から低部にわたり基板全面に沿って形成さ
れ、第１の導電型のコンタクト層を最上層に有する第１
の半導体レーザ素子の積層構造と、低部の第１の半導体
レーザ素子の積層構造上に、第１の半導体レーザ素子の
積層構造とは異なる組成の化合物半導体層で形成され、
第２の導電型のコンタクト層を最上層に有する第２の半
導体レーザ素子の積層構造とを有し、高部上の第１の半
導体レーザ素子の積層構造は、最上層の第１の導電型の
コンタクト層の電流注入領域が第２の導電型に転化され
ており、高部上の第１の半導体レーザ素子の積層構造の
最上層のコンタクト層の第１の導電型領域及び第２の導
電型領域上に第１の電極が、第２の半導体レーザ素子の
積層構造の最上層の第２の導電型のコンタクト層上に第
２の電極が、基板の裏面に第３の電極が、それぞれ、形
成されていることを特徴としている。

【００１９】Ｎが２とのとき、第１の電極は、第１の半
導体レーザ素子の第２の導電側電極及び第２の半導体レ
ーザ素子の第１の導電側電極として、第２の電極は第２
の半導体レーザ素子の第２の導電側電極として、第３の
電極は第１の半導体レーザ素子の第１の導電側電極とし
て、それぞれ、機能する。

【００２０】本発明では、Ｎが２のとき、第１の半導体
レーザ素子の積層構造が、第２の半導体レーザ素子の積
層構造とは異なる組成の化合物半導体層で形成されてい
るので、第１の半導体レーザ素子の発振波長と第２の半
導体レーザ素子の発振波長が相互に異なる。例えば、第
１の半導体レーザ素子の積層構造が所定の活性層を有す
るＡｌＧａＡs ３元系で、第２の半導体レーザ素子の積
層構造が所定の活性層を有するＡｌＧａＩｎＰ４元系
で、それぞれ、形成されているとき、第１の半導体レー
ザ素子の発光波長は７８０ｎｍであり、第２の半導体レ
ーザ素子の発光波長は６５０ｎｍである。

【００２１】本発明の好適な実施態様では、高部と低部
との段差の高低差が第１の半導体レーザ素子の積層構造
の厚さと実質的に同じであって、第１の電極と第２の電
極とが、基板に設定された基準面から同じ向きの同じ距
離に形成されている。これにより、第１及び第２の電極
を実装基板上の配線パターンに容易にはんだ接合できる
ので、半導体レーザ装置のパッケージ化が容易になる。

【００２２】本発明に係る半導体レーザ装置の作製方法
は、発光構造を構成する化合物半導体層が相互に異な
り、かつ共通の基板上にモノリシック構造で形成され
た、任意のＮ個の半導体レーザ素子を有する半導体レー
ザ装置の作製方法であって、第１の導電型の化合物半導
体からなる基板を加工して、最も高い第１段部から最も
低い第Ｎ段部のＮ個の段部を基板面に階段状に形成する
工程と、第１段部から第Ｎ段部にわたり基板面に沿っ
て、第１の導電型のコンタクト層を最上層に有する第１
の半導体レーザ素子の積層構造を形成し、引き続き、順
次、第１の半導体レーザ素子の積層構造とは異なる組成
の化合物半導体層で形成され、かつ第１の導電型のコン
タクト層を最上層に有する第２の半導体レーザ素子の積
層構造、及び、少なくとも第１又は第２の半導体レーザ
素子の積層構造とは異なる組成の化合物半導体層で形成
され、かつ第１の導電型のコンタクト層を最上層に有す
る第３の半導体レーザ素子の積層構造を形成し、同様に
して、第４から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積層
構造を形成し、次いで、少なくとも第１から第（Ｎ−
１）の半導体レーザ素子の積層構造のいずれかとは異な
る組成の化合物半導体層で形成され、かつ第２の導電型
のコンタクト層を最上層に有する第Ｎの半導体レーザ素
子の積層構造を形成する工程と、各半導体レーザ素子の
積層構造にエッチングを施して、第１段部から第Ｎ段部
の各段部上に、それぞれ、第１から第Ｎの半導体レーザ
素子の積層構造を形成、分離する工程と、第１段部から
第（Ｎ−１）段部の各段部上にそれぞれ形成、分離され
た第１から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積層構造
の最上層の第１の導電型のコンタクト層の電流注入領域
を第２の導電型に転化する工程と、第１から第（Ｎ−
１）の半導体レーザ素子の積層構造の最上層のコンタク
ト層の第１の導電型領域及び第２の導電型領域上に、第
Ｎの半導体レーザ素子の積層構造の最上層の第２の導電
型んコンタクト層上に、並びに、基板の裏面に、それぞ
れ、電極を形成する工程とを備えることを特徴としてい
る。

【００２３】本発明方法のエッチング工程では、従来の
エッチング方法、例えばウエットエッチング法等によっ
て積層構造をエッチングし、第１から第Ｎの半導体レー
ザ素子の積層構造を分離、形成する。また、積層構造の
構成には制約はないが、例えば、第１から第（Ｎ−１）
の半導体レーザ素子の積層構造の形成工程では、エピタ
キシャル成長法により、順次、第１の導電型のクラッド
層、ガイド層、活性層、第２の導電型のクラッド層、及
び、第１の導電型のコンタクト層を成長させ、第Ｎの半
導体レーザ素子の積層構造の形成工程では、エピタキシ
ャル成長法により、順次、第１の導電型のクラッド層、
ガイド層、活性層、第２の導電型のクラッド層、及び、
第２の導電型のコンタクト層を成長させる。

【００２４】第１の導電型がｎ型で、第２の導電型がｐ
型であるときには、前記第２の導電型に転化する工程で
は、コンタクト層にＺｎ拡散をストライプ状に施して、
ストライプ状の電流注入領域を形成する。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。半導体レーザ装置の実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ装置の実施
形態の一例であって、図１は本実施形態例の半導体レー
ザ装置の構成を示す断面図、図２は本実施形態例の半導
体レーザ装置の等価回路図である。本実施形態例の半導
体レーザ装置３０は、それぞれの発光構造を構成する化
合物半導体層が相互に異なり、かつｐ側電極が同じ高さ
で、共通の基板上にモノリシック構造で形成された、２
個の半導体レーザ素子を有する半導体レーザ装置であっ
て、サブマウント基板上に装着されている。半導体レー
ザ装置３０は、基板面に高部３２と低部３４とを段差状
に形成した、ＧａＡs からなるｎ型基板３６を共通基板
として有し、基板３６の高部３２及び低部３４上に基板
面に沿って形成されたＡｌＧａＡｓ３元系の第１の半導
体レーザ素子の積層構造（以下、第１の積層構造と言
う）３８と、低部３４の第１の積層構造３８上に形成さ
れた、ＡｌＧａＩｎＰ４元系の第２の半導体レーザ素子
の積層構造（以下、第２の積層構造と言う）４０とを有
する。

【００２６】高部３２と低部３４との段差の高低差は、
第１の積層構造３８の厚さとほぼ同じ寸法であって、高
部３２上の第１の積層構造３８と、低部３４の第１の積
層構造３８上に形成された第２の積層構造４０との間に
は、それぞれを電気的に分離する楔形の分離空間４２が
形成されている。

【００２７】第１の積層構造３８は、それぞれ、順次に
エピタキシャル成長した、ＧａＡｓからなる０．３μｍ
厚のｎ型バッファ層４４、Ａｌ₀.₅ Ｇａ₀.₅ Ａｓからな
る１．２μｍ厚のｎ型クラッド層４６、真性のＡｌ₀.₃
Ｇａ₀.₇ Ａｓからなるガイド層４８、発振波長７８０ｎ
ｍのＭＱＷ構造を有する活性層５０、真性のＡｌ₀.₃Ｇ
ａ₀.₇ Ａｓからなるガイド層４９、Ａｌ₀.₅ Ｇａ₀.₅ Ａ
ｓからなる１．２μｍ厚のｐ型クラッド層５２、及び、
ＧａＡｓからなる０．３μｍ厚のｎ型コンタクト層５４
で形成されている。

【００２８】第２の積層構造４０は、それぞれ、順次に
エピタキシャル成長した、ＧａＩｎＰからなる０．３μ
ｍ厚のｎ型バッファ層５６、（Ａｌ₀.₇ Ｇａ₀.₃ ）₀.₅
Ｉｎ ₀.₅ Ｐからなる１．０μｍ厚のｎ型クラッド層５
８、（（Ａｌ₀.₅ Ｇａ₀.₅ ）₀. ₅ Ｉｎ₀.₅ Ｐからなるガ
イド層６０、発振波長６５０ｎｍのＭＱＷ構造を有する
活性層６２、（（Ａｌ₀.₅ Ｇａ₀.₅ ）₀.₅ Ｉｎ₀.₅ Ｐか
らなるガイド層６１、１．０μｍ厚の（Ａｌ₀.₇ Ｇａ₀.
₃ ）₀.₅ Ｉｎ₀.₅ Ｐからなるｐ型クラッド層６４、及
び、ＧａＡｓからなる０．３μｍ厚のｐ型コンタクト層
６６で形成されている。

【００２９】高部３２上の第１の積層構造３８のｎ型コ
ンタクト層５４及びｐ型クラッド層５２の上層のストラ
イプ状の電流注入領域は、選択的にＺｎが注入、拡散さ
れて、ｐ型コンタクト層６８に転化されている。また、
低部３４上の第２の積層構造４０のｐ型コンタクト層６
６は、ストライプ状メサ構造として形成されている。Ａ
ｕ等の金属膜からなる第１電極７０が第１の積層構造３
８のｐ型コンタクト層６８及びｎ型コンタクト層５４上
に、及びＡｕ等の金属膜からなる第２電極７２が第２の
積層構造４０のｐ型コンタクト層６６上に、それぞれ、
形成されている。また、基板３６の裏面には、ＡｕＧｅ
／Ａｕ等の金属膜からなる第３電極７４が形成されてい
る。

【００３０】第１電極７０は、第１の積層構造３８のｐ
側電極の役割と、第２の積層構造４０のｎ側電極として
の役割を共通して果たし、第２電極７２は、第２の積層
構造４０のｐ側電極として機能する。第３電極７４は、
第１の積層構造３８のｎ側電極の役割を果たす。第１の
半導体レーザ素子７６は、基板３６上に形成された第１
の積層構造３８と、その上下に形成され、ｐ側電極及び
ｎ側電極としてそれぞれ機能する第１電極７０及び第３
電極７４とから構成されている。第２の半導体レーザ素
子７８は、第２の積層構造４０と、その上下に形成さ
れ、ｐ側電極及びｎ側電極としてそれぞれ機能する第２
電極７２及び第１電極７０とから構成されている。

【００３１】半導体レーザ装置３０は、第１電極７０及
び第２電極７２を配線パターン８０、８２にそれぞれ半
田接合することにより、配線パターン８０、８２を備え
たサブマウント基板８４上に、実装されている。また、
第３電極７４は、サブマウント基板８４の別の配線パタ
ーン（図示せず）にワイヤ８６によってワイヤボンディ
ングされている。

【００３２】本実施形態例の半導体レーザ装置３０を構
成する第１の半導体レーザ素子７６及び第２の半導体レ
ーザ素子７８の等価回路は、図２に示す通りであって、
半導体レーザ装置３０の動作時には、第２電極７２、第
１電極７０及び第３電極７４の順次で電位が低くなる。
本実施形態例の半導体レーザ装置３０では、第２の半導
体レーザ素子の積層構造４０は、従来とは異なり、第１
の半導体レーザ素子の積層構造の最上エピタキシャル成
長層であるｎ型コンタクト層５４上にエピタキシャル成
長しているので、結晶品質が良好である。

【００３３】作製方法の実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る半導体レーザ装置の作製
方法を半導体レーザ装置３０の作製に適用した実施形態
の一例であって、図３（ａ）から（ｃ）及び図４（ｄ）
と（ｅ）は、それぞれ、本実施形態例の方法に従って半
導体レーザ装置３０を形成した際の工程毎の基板断面図
である。尚、実施形態例で示す化合物半導体層の膜厚、
組成等は、本実施形態例を理解するための例示であっ
て、本発明はこれらの例示に限定されるものではない。

【００３４】先ず、ＧａＡs からなるｎ型基板３６をエ
ッチングして、図３（ａ）に示すように、第１の半導体
レーザ素子及び第２の半導体レーザ素子の形成領域に段
差の付いた高部３２及び低部３４をそれぞれストライプ
状に形成する。その段差の高低差、即ち高部３２の上面
と低部３４の上面との距離Ｈは、第１の半導体レーザ素
子の積層構造３８（図１参照）の厚みとほぼ同じ寸法、
即ち約２μｍから約３μｍの程度とする。また、低部３
４の幅Ｗは、第２の半導体レーザ素子４０（図１参照）
の横幅とほぼ同じ寸法、即ち、数１００μｍ程度か、そ
れより少々短い寸法とする。

【００３５】次いで、基板面全面に基板面に沿って、第
１の半導体レーザ素子の積層構造３８としてＡｌＧａＡ
ｓ３元系の積層構造を形成する。即ち、図３（ｂ）に示
すように、高部３２及び低部３４上に基板面に沿って、
ＭＯＶＰＥ法等のエピタキシャル成長法によって、Ｇａ
Ａｓからなる０．３μｍ厚のｎ型バッファ層４４、Ａｌ
₀.₅ Ｇａ₀.₅ Ａｓからなる１．２μｍ厚のｎ型クラッド
層４６、真性のＡｌ₀. ₃ Ｇａ₀.₇ Ａｓからなるガイド層
４８、発振波長７８０ｎｍのＭＱＷ構造を有する活性層
５０、真性のＡｌ₀.₃ Ｇａ₀.₇ Ａｓからなるガイド層４
９、Ａｌ₀.₅ Ｇａ₀.₅ Ａｓからなる１．２μｍ厚のｐ型
クラッド層５２、及び、ＧａＡｓからなる０．３μｍ厚
のｎ型コンタクト層５４を、順次、エピタキシャル成長
させ、第１の半導体レーザ素子の積層構造３８を形成す
る。なお、コンタクト層５４の導電型は、通常は、ｐ型
であるが、本実施形態例では、コンタクト層５４は、第
２の半導体レーザ素子７８（図１参照）のｎ型コンタク
ト層の役割をも果たすため、この段階ではｎ型としてい
る。

【００３６】次いで、本実施形態例では、上述した第１
の半導体レーザ素子の積層構造３８のエピタキシャル成
長工程に引き続いて、降温することなく、図３（ｃ）に
示すように、積層構造３８とは別材料のＡｌＧａＩｎＰ
４元系の第２の半導体レーザ素子の積層構造４０を形成
する。基板面のコンタクト層５４上全面に、エピタキシ
ャル成長法によって、ＧａＩｎＰからなる０．３μｍ厚
のｎ型バッファ層５６、（Ａｌ₀.₇ Ｇａ₀.₃ ）₀.₅ Ｉｎ
₀.₅ Ｐからなる１．０μｍ厚のｎ型クラッド層５８、
（（Ａｌ₀.₅ Ｇａ₀.₅ ） ₀.₅ Ｉｎ₀.₅ Ｐからなるガイド
層６０、発振波長６５０ｎｍのＭＱＷ構造を有する活性
層６２、（（Ａｌ₀.₅ Ｇａ₀.₅ ）₀.₅ Ｉｎ₀.₅ Ｐからな
るガイド層６１、１．０μｍ厚の（Ａｌ₀.₇ Ｇａ₀.₃ ）
₀.₅ Ｉｎ₀.₅ Ｐからなるｐ型クラッド層６４、及び、Ｇ
ａＡｓからなる０．３μｍ厚のｐ型コンタクト層６６
を、順次、エピタキシャル成長させ、第２の半導体レー
ザ素子用の積層構造４０を形成する。本実施形態例の作
製方法では、以上の工程により、エピタキシャル結晶成
長が完了する。

【００３７】次に、図４（ｄ）に示すように、高部３２
の第１の半導体レーザ素子の積層構造３８上に形成され
た４元系の第２の半導体レーザ素子の積層構造を従来と
同様のエッチング法によってエッチングで除去し、第１
の半導体レーザ素子のｎ型コンタクト層５４を露出させ
る。引き続き、第１の半導体レーザ素子と第２の半導体
レーザ素子との間の分離領域のｐ型コンタクト層６６、
ｐ型クラッド層６４、ガイド層６１、活性層６２、ガイ
ド層６０、ｎ型クラッド層５８、及びｎ型バッファ層５
６をエッチングして、図４（ｄ）に示すように、高部３
２上の第１の半導体レーザ素子の積層構造３８と、低部
３４上の第２の半導体レーザ素子の積層構造４０との間
に楔形の分離空間４２を形成する。この段階では、ｎ型
コンタクト層５４は、図４（ｄ）に示すように、高部３
２及び分離領域４２では、積層構造３８の上面となって
露出し、第２の半導体レーザ素子の形成領域では、第２
の半導体レーザ素子の積層構造４０の下に延在してい
る。

【００３８】次いで、図４（ｅ）に示すように、高部３
２上の第１の半導体レーザ素子の積層構造３８のｎ型コ
ンタクト層５４のストライプ状の電流注入領域に部分Ｚ
ｎ拡散を行い、ストライプ状のｐ型コンタクト領域６８
を形成する。尚、部分Ｚｎ拡散工程では、更に、電流注
入領域をリッジ構造として形成し、インデックスガイド
性を導入しても良い。一方、低部３４上の第２の半導体
レーザ素子の積層構造４０では、ｐ型コンタクト層６６
をエッチングして、ストライプ状メサ構造に加工する。

【００３９】続いて、第１の半導体レーザ素子の積層構
造３８のコンタクト層５４のｎ型領域及びｐ型領域６８
上に、並びに、第２の半導体レーザ素子の積層構造４０
のメサ構造のｎ型コンタクト層６６上に、図１に示すよ
うに、それぞれ、Ａｕを主材料とする金属電極層を蒸着
法により形成し、パターニングして、第１電極７０及び
第２電極７２を形成する。また、基板３６の裏面には、
ＡｕＧｅ／Ａｕ等の金属膜を成膜し、第３電極７４を生
成する。以上の工程により、発振波長が相互に異なり、
第１電極７０及び第２電極７２の高さがほぼ同じ２個の
半導体レーザ素子７６、７８をモノリシック構造で形成
することができる。

【００４０】通常、放熱効果を良好にするために、図１
に示すように、ヒートシンクに近い電極分離パターンを
持つサブマウント基板８４の配線パターン８０、８２
に、第１の半導体レーザ素子７６の第１電極７０、及び
第２の半導体レーザ素子７８の第２電極７２をはんだ接
合する。第３電極７４は、通常、例えばワイヤボンデン
グによりワイヤ８６でサブマウント基板８４の配線パタ
ーン（図示せず）に接続する。

【００４１】半導体レーザ装置及びその作製方法の実施
形態例では、ＡｌＧａＡｓ３元系半導体レーザ素子及び
ＡｌＧａＩｎＰ４元系半導体レーザ素子をモノリシック
構造で有する半導体レーザ装置を例にして説明したが、
化合物半導体層の材料、組成は、これらに限定される理
由はなく、共通の化合物半導体基板上にエピタキシャル
成長させることができる化合物半導体である限り、本発
明を適用することができる。また、材料が同一であって
も、その材料の組成範囲内で波長を変化させたい場合な
どにも本発明を適用でき、例えばＡｌＧａＡｓ系３元材
料のみに適応し、８８０ｎｍ〜７５０ｎｍ程度の範囲の
波長多重モノリシックレーザアレイを形成することもで
きる。

【００４２】また、半導体レーザ素子の数が３個以上で
あっても、本発明方法を適用すれば、通常のエピタキシ
ャル成長工程の工程数より少ない工程数でモノリシック
集積半導体レーザ装置を作製することができる。例え
ば、半導体レーザ素子の数を任意とＮ個としてときに
は、先ず、ｎ型ＧａＡs 基板を加工して、最も高い第１
段部から最も低い第Ｎ段部のＮ個の段部を基板面に階段
状に形成する。

【００４３】次いで、エピタキシャル成長法により、第
１段部から第Ｎ段部上に基板面に沿って、最上層にｎ型
ＧａＡs コンタクト層を有する第１の半導体レーザ素子
の積層構造を形成し、引き続き、順次、第１の半導体レ
ーザ素子の積層構造とは異なる組成の化合物半導体層で
形成され、かつ最上層にｎ型コンタクト層を有する第２
の半導体レーザ素子の積層構造、及び、第１又は第２の
半導体レーザ素子の積層構造とは異なる組成の化合物半
導体層で形成され、かつ最上層にｎ型コンタクト層を有
する第３の半導体レーザ素子の積層構造を形成する。同
様にして、第４から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の
積層構造を形成し、次いで、少なくとも第１から第（Ｎ
−１）の半導体レーザ素子の積層構造のいずれかとは異
なる組成の化合物半導体層で形成され、かつ最上層にｐ
型コンタクト層を有する第Ｎの半導体レーザ素子の積層
構造を形成する。

【００４４】次に、各半導体レーザ素子の積層構造にエ
ッチングを施して、第１段部から第Ｎ段部の各段部上
に、それぞれ、第１から第Ｎの半導体レーザ素子の積層
構造を形成、分離する。次いで、第１段部から第（Ｎ−
１）段部の各段部上にそれぞれ形成、分離された第１か
ら第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積層構造の最上層
のｎ型コンタクト層の電流注入領域にＺｎをイオン注入
し、熱拡散させてストライプ状のｐ型領域に転化する。
更に、第１から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積層
構造のコンタクト層上に第１電極を形成し、第Ｎの半導
体レーザ素子の積層構造のｐ型コンタクト層上に第２電
極を形成し、及び、基板の裏面に、第３電極を形成す
る。以上の工程により、発光構造を構成する化合物半導
体層が相互に異なり、かつ共通のｎ型ＧａＡs 基板上に
モノリシック構造で形成された、任意のＮ個の半導体レ
ーザ素子を有する半導体レーザ装置を作製することがで
きる。

【００４５】

【発明の効果】本発明及び本発明方法によれば、途中で
他の工程を介在させない、連続した１回のエピタキシャ
ル結晶成長工程で、発光構造を構成する化合物半導体層
が相互に異なる、任意のＮ個の半導体レーザ素子を有す
る半導体レーザ装置を共通の基板上にモノリシック構造
で形成することができる。よって、本発明及び本発明方
法は、以下の効果を奏する。 （１）半導体レーザ素子の発光構造が１回の熱履歴しか
受けないので、各半導体レーザ素子の発光構造を構成す
る化合物半導体層の結晶品質が向上し、レーザ光装置の
信頼性が向上する。 （２）本発明に係る半導体レーザ装置では、第２から第
Ｎの半導体レーザ素子の積層構造は、従来とは異なり、
第１の半導体レーザ素子の積層構造の最上エピタキシャ
ル成長層であるｎ型コンタクト層上にエピタキシャル成
長しているので、結晶品質が良好である。 （３）また、各半導体レーザ素子の電極を同じ高さに形
成できるので、特殊なマウント構造を採用する必要がな
く、パッケージング化が容易である。 （４）本発明方法では、各半導体レーザ素子用の積層構
造を形成した後、エッチングして、各半導体レーザ素子
を形成しているので、微細構造の形成が容易である。よ
って、レーザアレイのレーザ素子間隔を狭くして、高密
度なレーザアレイ装置を形成できる。 （５）エピタキシャル成長工程が１回の工程で済むの
で、プロセス効率が良く、半導体レーザ装置作製の生産
性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態例の半導体レーザ装置の構成を示す断
面図である。

【図２】実施形態例の半導体レーザ装置の等価回路図で
ある。

【図３】図３（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、実施形態
例の方法に従って半導体レーザ装置を形成した際の工程
毎の基板断面図である。

【図４】図４（ｄ）と（ｅ）は、それぞれ、図３（ｃ）
に続いて、実施形態例の方法に従って半導体レーザ装置
を形成した際の工程毎の基板断面図である。

【図５】図５（ａ）から（ｃ）は、それぞれ、従来の方
法で半導体レーザ装置を作製した際の工程毎の断面図で
ある。

【図６】図６（ｄ）から（ｆ）は、それぞれ、図５
（ｃ）に続いて、従来の方法で半導体レーザ装置を作製
した際の工程毎の断面図である。

【図７】図７（ｇ）から（ｉ）は、それぞれ、図６
（ｆ）に続いて、従来の方法で半導体レーザ装置を作製
した際の工程毎の断面図である。

【符号の説明】

１０……第１の半導体レーザ素子の形成領域、１１……
第２の半導体レーザ素子の形成領域、１２……ｎ型Ｇａ
Ａs 基板、１３……ｎ型ＧａＡs バッファ層、１４……
ｎ型ＡｌＧa Ａs クラッド層、１５……発振波長７８０
ｎｍのＭＱＷ活性層、１６……ｐ型ＡｌＧa Ａs クラッ
ド層、１７……ｐ型キャップ層、１８……ｎ型ＩｎＧａ
Ｐバッファ層、１９……ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド
層、２０……発振波長６５０ｎｍのＭＱＷ活性層、２１
……ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、２２……ｐ型Ｇａ
Ａs キャップ層、２３……分離領域、２４……第１の半
導体レーザ素子の積層構造、２５……第２の半導体レー
ザ素子の積層構造、２６……絶縁化された領域、２７、
２８……ｐ側電極、２９……ｎ側電極、３０……実施形
態例の半導体レーザ装置、３２……高部、３４……低
部、３６……ＧａＡs 基板、３８……ＡｌＧａＡｓ３元
系の第１の半導体レーザ素子の積層構造、４０……Ａｌ
ＧａＩｎＰ４元系の第２の半導体レーザ素子の積層構
造、４２……分離空間、４４……ｎ型ＧａＡｓバッファ
層、４６……ｎ型Ａｌ₀.₅ Ｇａ₀.₅ Ａｓクラッド層、４
８……ｉ−Ａｌ₀.₃ Ｇａ₀.₇ Ａｓガイド層、５０……活
性層、５２……ｐ型Ａｌ₀.₅ Ｇａ₀.₅ Ａｓクラッド層、
５４……ｎ型ＧａＡｓコンタクト層、５６……ｎ型Ｇａ
ＩｎＰバッファ層、５８……ｎ型（Ａｌ₀.₇ Ｇａ₀.₃ ）
₀.₅ Ｉｎ₀.₅ Ｐクラッド層、６０……ｉ−（（Ａｌ₀.₅
Ｇａ₀.₅ ）₀.₅ Ｉｎ₀.₅ Ｐガイド層、６２……活性層、
６４……ｐ型（Ａｌ₀.₇ Ｇａ₀.₃ ）₀.₅ Ｉｎ₀.₅ Ｐクラ
ッド層、６８……ｐ型ＧａＡｓコンタクト層、７０……
第１電極、７２……第２電極、７４……第３電極、７６
……第１の半導体レーザ素子、７８……第２の半導体レ
ーザ素子、８０、８２……配線パターン、８４……サブ
マウント基板、８６……ワイヤ。

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 発光構造を構成する化合物半導体層が相
   互に異なり、かつ共通の基板上にモノリシック構造で形
   成された、任意のＮ個の半導体レーザ素子を有する半導
   体レーザ装置であって、 順次に階段状に形成された最も高い第１段部から最も低
   い第Ｎ段部までのＮ個の段部を基板面に有し、第１の導
   電型の化合物半導体からなる基板と、 第１段部から第Ｎ段部にわたり基板面に沿って形成さ
   れ、第１の導電型のコンタクト層を最上層に有する第１
   の半導体レーザ素子の積層構造と、 第２段部から第Ｎ段部にわたる第１の半導体レーザ素子
   の積層構造上に、第１の半導体レーザ素子の積層構造と
   は異なる組成の化合物半導体層で形成され、第１の導電
   型のコンタクト層を最上層に有する第２の半導体レーザ
   素子の積層構造と、 第３段部から第Ｎ段部にわたる第２の半導体レーザ素子
   の積層構造上に、少なくとも第１又は第２の半導体レー
   ザ素子の積層構造とは異なる組成の化合物半導体層で形
   成され、第１の導電型のコンタクト層を最上層に有する
   第３の半導体レーザ素子の積層構造と、 第４段部から順次第（Ｎ−１）段部までそれぞれ同様に
   形成された第４から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の
   積層構造と、 更に、第Ｎ段部の第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積
   層構造上に、少なくとも第１から第（Ｎ−１）の半導体
   レーザ素子の積層構造のいずれかとは異なる組成の化合
   物半導体層で形成され、第２の導電型のコンタクト層を
   最上層に有する第Ｎの半導体レーザ素子の積層構造とを
   有し、 第１段部から第（Ｎ−１）段部の各段部上に、それぞ
   れ、形成された第１から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素
   子の積層構造では、最上層の第１の導電型のコンタクト
   層の電流注入領域が、第２の導電型に転化されており、 第１段部から第（Ｎ−１）段部の各段部にそれぞれ形成
   された第１から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積層
   構造の最上層のコンタクト層の第１及び第２の導電型の
   領域上に第１の電極が、第Ｎの半導体レーザ素子の積層
   構造の最上層の第２の導電型のコンタクト層上に第２の
   電極が、基板の裏面に第３の電極が、それぞれ、形成さ
   れていることを特徴とする半導体レーザ装置。
2. 【請求項２】 前記Ｎが２であって、 段差状に形成された高部と低部とを基板面に有し、第１
   の導電型の化合物半導体からなる基板と、 高部から低部にわたり基板全面に沿って形成され、第１
   の導電型のコンタクト層を最上層に有する第１の半導体
   レーザ素子の積層構造と、 低部の第１の半導体レーザ素子の積層構造上に、第１の
   半導体レーザ素子の積層構造とは異なる組成の化合物半
   導体層で形成され、第２の導電型のコンタクト層を最上
   層に有する第２の半導体レーザ素子の積層構造とを有
   し、 高部上の第１の半導体レーザ素子の積層構造は、最上層
   の第１の導電型のコンタクト層の電流注入領域が第２の
   導電型に転化されており、 高部上の第１の半導体レーザ素子の積層構造の最上層の
   コンタクト層の第１の導電型領域及び第２の導電型領域
   上に第１の電極が、第２の半導体レーザ素子の積層構造
   の最上層の第２の導電型のコンタクト層上に第２の電極
   が、基板の裏面に第３の電極が、それぞれ、形成されて
   いることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装
   置。
3. 【請求項３】 第１の電極は、第１の半導体レーザ素子
   の第２の導電側電極及び第２の半導体レーザ素子の第１
   の導電側電極として、第２の電極は第２の半導体レーザ
   素子の第２の導電側電極として、第３の電極は第１の半
   導体レーザ素子の第１の導電側電極として、それぞれ、
   機能することを特徴とする請求項２に記載の半導体レー
   ザ装置。
4. 【請求項４】 第１の導電型がｎ型及びｐ型のいずれか
   一方で、第２の導電型がその他方であることを特徴とす
   る請求項２に記載の半導体レーザ装置。
5. 【請求項５】 第１の半導体レーザ素子の発振波長と第
   ２の半導体レーザ素子の発振波長が相互に異なることを
   特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
6. 【請求項６】 高部と低部との段差の高低差が、第１の
   半導体レーザ素子の積層構造の厚さと実質的に同じであ
   って、第１の電極と第２の電極とが、基板に設定された
   基準面から同じ向きの同じ距離に形成されていることを
   特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
7. 【請求項７】 発光構造を構成する化合物半導体層が相
   互に異なり、かつ共通の基板上にモノリシック構造で形
   成された、任意のＮ個の半導体レーザ素子を有する半導
   体レーザ装置の作製方法であって、 第１の導電型の化合物半導体からなる基板を加工して、
   最も高い第１段部から最も低い第Ｎ段部のＮ個の段部を
   基板面に階段状に形成する工程と、 第１段部から第Ｎ段部にわたり基板面に沿って、第１の
   導電型のコンタクト層を最上層に有する第１の半導体レ
   ーザ素子の積層構造を形成し、引き続き、順次、第１の
   半導体レーザ素子の積層構造とは異なる組成の化合物半
   導体層で形成され、かつ第１の導電型のコンタクト層を
   最上層に有する第２の半導体レーザ素子の積層構造、及
   び、少なくとも第１又は第２の半導体レーザ素子の積層
   構造とは異なる組成の化合物半導体層で形成され、かつ
   第１の導電型のコンタクト層を最上層に有する第３の半
   導体レーザ素子の積層構造を形成し、同様にして、第４
   から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積層構造を形成
   し、次いで、少なくとも第１から第（Ｎ−１）の半導体
   レーザ素子の積層構造のいずれかとは異なる組成の化合
   物半導体層で形成され、かつ第２の導電型のコンタクト
   層を最上層に有する第Ｎの半導体レーザ素子の積層構造
   を形成する工程と、 各半導体レーザ素子の積層構造にエッチングを施して、
   第１段部から第Ｎ段部の各段部上に、それぞれ、第１か
   ら第Ｎの半導体レーザ素子の積層構造を形成、分離する
   工程と、 第１段部から第（Ｎ−１）段部の各段部上にそれぞれ形
   成、分離された第１から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素
   子の積層構造の最上層の第１の導電型のコンタクト層の
   電流注入領域を第２の導電型に転化する工程と、 第１から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素子の積層構造の
   最上層のコンタクト層の第１の導電型領域及び第２の導
   電型領域上に、第Ｎの半導体レーザ素子の積層構造の最
   上層の第２の導電型んコンタクト層上に、並びに、基板
   の裏面に、それぞれ、電極を形成する工程とを備えるこ
   とを特徴とする半導体レーザ装置の作製方法。
8. 【請求項８】 第１から第（Ｎ−１）の半導体レーザ素
   子の積層構造の形成工程では、エピタキシャル成長法に
   より、順次、第１の導電型のクラッド層、ガイド層、活
   性層、第２の導電型のクラッド層、及び、第１の導電型
   のコンタクト層を成長させ、 第Ｎの半導体レーザ素子の積層構造の形成工程では、エ
   ピタキシャル成長法により、順次、第１の導電型のクラ
   ッド層、ガイド層、活性層、第２の導電型のクラッド
   層、及び、第２の導電型のコンタクト層を成長させるこ
   とを特徴とする請求項７に記載の半導体レーザ装置の作
   製方法。
9. 【請求項９】 第１の導電型がｎ型及びｐ型のいずれか
   一方で、第２の導電型がその他方であることを特徴とす
   る請求項７に記載の半導体レーザ装置の作製方法。
10. 【請求項１０】 第１の導電型がｎ型で、第２の導電型
    がｐ型であって、前記第２の導電型に転化する工程で
    は、最上層のｎ型のコンタクト層にＺｎ拡散をストライ
    プ状に施して、ストライプ状の電流注入領域を形成する
    ことを特徴とする請求項７に記載の半導体レーザ装置の
    作製方法。