JPH1146039A - 二波長単一構造集積縦型キャビティ表面放射レーザおよびその製造方法 - Google Patents

二波長単一構造集積縦型キャビティ表面放射レーザおよびその製造方法

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JPH1146039A
JPH1146039A JP10067805A JP6780598A JPH1146039A JP H1146039 A JPH1146039 A JP H1146039A JP 10067805 A JP10067805 A JP 10067805A JP 6780598 A JP6780598 A JP 6780598A JP H1146039 A JPH1146039 A JP H1146039A
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surface emitting
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Jamal Ramdani
ジャマル・ラムダニ
Michael S Lebby
マイケル・エス・レビー
Wenbin Jiang
ウェンビン・ジアン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 二波長単一構造集積 VCSELを含む低コスト半
導体チップであって、CD、DVDの両方から情報を読出し
／書込みを可能にし、逆方向互換性の要求を満たす。 【解決手段】 二波長単一構造集積VCSELおよび基板表
面に格子整合する第１ミラースタックを含む長波長光お
よび短波長光を放射するための製造方法である。各VCSE
LはAlAs/AlGaAs材料システムのミラー対を含み、能動領
域は第１ミラースタックの表面と格子整合し、第２ミラ
ースタックは能動領域の表面と格子整合し、短波長光、
長波長光のどちらかの放射を可能にし、設計パラメータ
に依存する。電気的コンタクトは、単一構造集積短波長
VCSELおよび単一構造集積長波長VCSELの能動領域に結合
する。二波長単一構造集積VCSELは、CDおよびDVDの両方
の読出し／書込み適用を可能にする半導体レーザチップ
として製造される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般に縦型キャビティ表
面放射レーザに関し、特に異なった波長の放射光に製造
せられる縦型キャビティ表面放射レーザの一体構造に関
する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】マル
チメディア・アプリケーションの急成長により、より多
くの情報、より多くの容量を保存し、かつより簡単にそ
して扱いやすくるシステムが要求される。このように、
デジタル・ビデオ・ディスク（DVD）技術が、この高密
度フォーマットの長所（high density format advantag
e）を提供する。DVD技術は、増加された記憶容量および
性能を、得にビデオおよびマルチメディア・アプリケー
ションのために提供される新世代のコンパクト・ディス
ク・フォーマット（compact disk format）に、基づ
く。
【０００３】コンパクト・ディスク（CD）技術が、積極
的に、音楽、エンターテイメントおよびコンピュータ・
ソフトウェアの世界的標準になってきている。非常にポ
ピュラではあるが、CD技術は、まだ法密度フォーマット
を提供する余地がある。典型的には、コンパクト・ディ
スク（CD）では、アナログ・イメージ情報の約5分に値
する量、11.8インチの大型レーザ・ディスクでは、アナ
ログ・イメージ情報のたった約5分に値する量しか保存
できない。従って、映画／エンターテイメントおよびコ
ンピュータ産業が、高密度フォーマットを求めることを
望む一方で、DVD技術においてみられるように、その産
業に亘ってCD互換性の保全にみられるために、その関心
事はCD互換性の保全である。
【０００４】その産業がこの新しいデジタル技術を導入
するにつれ、ますます重要になることは、前フォーマッ
トとの互換性である。多大な努力が、DVD-ROM,逆方向互
換（backward compatible）のような、DVDシステムの作
成に注がれてきた。逆方向互換性は、DVDシステムとCD
システムとの間の非常に少ない物理的相違があるという
ことを考慮する一方で、DVDシステム上に存在するフォ
ーマットを実行させる能力を含む。例えば、DVDフォー
マット・ディスクは、0.4umのピットの長さおとび0.74u
mのトラックピッチ（ほぼCDフォーマット・ディスクの
それの半分である）を有する。さらに、典型的なCD基板
は1.2mmであり、それに比して、典型的なDVD基板は0.6m
mである。そのDVDレーザ波長は、635nmまたは650nmのい
ずれかであり、フォーカル・レンズ（forcal lens）のD
VD開口率（NA）は、0.6である。一方で、CDレーザ波長
は、典型的には、780nmであり、フォーカル・レンズのC
D NAは、0.45である。DVDとCDとの間のパラメータのこ
の違いは、読出し／書込みのアプリケーションに対する
異なるレーザの要求に、通ずることになる。
【０００５】このDVD逆方向互換性問題を解決するため
に、いくつかの試みが提案されてきた。その解決策の中
には、２つのレンズ（１つはCD用および他方はDVD用）
から成る集積二枚レンズ切換えシステム（integrated t
wo-lens switchng system）、および単一レンズがCDお
よびDVDシステムの両方のフォーカスを成し遂げるのに
使用されるデュアル・フォーカス・ピックアップ・シス
テム（dual focus pickup system）がある。２つのレン
ズ（１つはCD用および他方はDVD用）から成る集積二枚
レンズ切換えシステムにおいては、各ディスクの信号の
読出しのために、その２つのレンズを水平方向に交替さ
せることによって、切換えられる。デュアル・フォーカ
ス・ピックアップ・システムにおいては、ホログラム・
レンズの採用により、再位置合わせすることなしに、そ
の単一レンズが、CDおよびDVDシステムの両方のフォー
カスを成し遂げ、信号を読むことができる。
【０００６】二枚レンズシステムおよびデュアル・フォ
ーカス・レンズ・システムは、複雑であり、かつ作成困
難である。他の技術は、ディスクを読むのに使用される
レーザの特性を変化させるために、LCDシャッタを使用
することである。このLCDシャッタピックアップは、二
枚レンズおよびデュアル・フォーカスのフォーマットよ
りも複雑でなく、結果的に小さく、より確実なピックア
ップである。この例においては、そのピックアップは、
635nm赤色レーザを使用してなされる。そのLCDシャッタ
は、レンズの開口率を変え、より細いビームを発生さ
せ、結果的に、DVD内へ0.6mmという短いフォーカル距離
をもたらす。このことにより、１のピックアップで、２
の異なるフォーマットを読むことを可能にする。
【０００７】ＬCDシャッタピックアップは、二枚レンズ
・ピックアップ・システムまたはデュアル・フォーカス
・レンズ・ピックアップ・システムのいずれかの改善に
なるが、そのシャッタがビーム幅を狭くするためにレー
ザ強度の多大なる量を阻止してしまうので、レーザ出力
強度の効果的な使用にはならない。多くの例において
は、強度の効率は、ラップトップ・コンピュータなどに
は、非常に重要である。さらに、LCDシャッタピックア
ップは、そのLCDシャッタを制御するために、別な回路
が必要になる。
【０００８】一般に、780nmレーザのような、長波長レ
ーザが、低密度コンパクト・ディスク（CD）の読出し／
書込みのアプリケーションに広く使用されている。この
次世代の高密度DVDは、650nmのようなより短い波長、ま
たは読出し／書込みのアプリケーション用のさらに短い
波長のレーザを必要とする。
【０００９】前記のように、縦型キャビティ表面放出レ
ーザ（VCSELs）が、これらの読出し／書込みのアプリケ
ーションに、潜在的に利用せられ、ならびに製造工程で
利用せられる材料システムに依存する所定の波長で動作
し得る。一般に、VCSELは第１分散ブラック屈折器（dis
tributed Bragg reflector）（DBR）を含み（あるい
は、ミラースタックとも呼ばれる）、半導体製造技術に
よって基板の上部に形成され、能動領域が、第１ミラー
スタックの上部に形成される。VCSELは、能動領域を介
して流される電流によって動作し、典型的には、基板の
反対側上の第１コンタクトおよび第２ミラースタックの
上部の第２コンタクトに、供給することにより、達成さ
れる。
【００１０】それは、前記逆方向互換性および従来に固
有の欠陥の改善策として高い優位性があるであろう。こ
のように、短波長および長波長装置の両方に組み込まれ
る読出しヘッドまたは光学的ピックアップ・モジュール
を提供することが、本発明の目的も１つであり、所望す
るところである。従って、提案されるのは、異なる波長
の二波長単一構造集積 VCSEL（dual wavelength monoli
thically integrated VCSEL）を含む低コスト半導体チ
ップであり、それによって、CDおよびDVDの両方から、
または両方へ、情報を読出しおよび書込みをするのに利
用することを可能にし、このように、逆方向互換性の要
求を完全に満たす。
【００１１】本発明の他の目的は、長波長 VCSEL（より
詳細には、約780nmの１放射光および短波長 VCSEL（よ
り詳細には、約635から650nmの１放射光））を組み込む
信頼性のある半導体レーザチップを供給することであ
り、それによって、CDおよびDVDの両方の利用を可能に
する。
【００１２】さらに本発明の他の目的としては、二波長
単一構造集積VCSELを含む半導体チップに使用されるミ
ラースタックおよび効果的な能動領域を提供することで
ある。
【００１３】さらに本発明の他の目的としては、CDおよ
びDVDの両方の使用のために、短波長 VCSELおよび長波
長 VCSELの両方を含む二波長単一構造集積縦型キャビテ
ィ表面放射レーザの製造方法を提供することである。
【００１４】さらに本発明の他の目的としては、単一構
造集積長波長VCSELおよび短波長 VCSELの複雑性、コス
トを低減することである。
【００１５】
【好適実施例の詳細な説明】好適実施例にしたがって、
本発明の所望の目的を達成するために、第１縦型キャビ
ティ表面放射レーザを含む半導体レーザチップが提供さ
れ、短波長光放射および第２縦型キャビティ表面放射レ
ーザを生成し、第１縦型キャビティ表面放射レーザを単
一に集積し、そして第１縦型キャビティ表面放射レーザ
の波長よりも長い波長の光放射を生成する。
【００１６】さらに、基板（第１ミラースタックがその
上に形成される）の提供を含む、単一構造集積縦型キャ
ビティ表面放射レーザの製造方法を含む。第１ミラース
タック上の第１縦型キャビティ表面放射レーザの製造、
および第１ミラースタック上の第２縦型キャビティ表面
放射レーザの製造は、第１縦型キャビティ表面放射レー
ザから離間してなされる。第２縦型キャビティ表面放射
レーザは、第１縦型キャビティ表面放射レーザの放射光
の波長よりも、長い波長の放射光を生成するように、製
造される。
【００１７】いくつかの図において、対応する構成要素
を参照番号で示すように描かれている。
【００１８】図１において、一般的に設計された短波長
縦型キャビティ表面放射レーザ（VCSEL）１０が図示さ
れている。 VCSEL１０は基板１２上に形成され、より詳
細には、それはGaAsである。GaAsは、好適には、短波長
の光（より詳細には、約635から650nmの光）を放射する
VCSEL１０の構成要素の格子整合を促進させるために、
使用される。GaAsは、ただ、例として利用され、他の半
導体材料が基板１２として採用されてもよい。
【００１９】基板１２が、上表面１３を有し、その上表
面１３上にミラースタック１４が位置づけられる。ミラ
ースタック１４は、AlAs/Al0.5GaAs物質システムに複数
のミラー対（mirror pair）を含み、より詳細には、AiA
s１５およびAlGaAs１６の交互の層が図示されている。
基板１２およびミラースタック１４が、短波長 VCSELお
よび単一構造集積長波長 VCSELの両方の製造に利用され
ることを理解されたい。ｎ型にドーピングされたAl0.5G
aAsの層１８が、最後のミラースタック１４上に位置づ
けられる。層１８は、短波長 VCSELおよび単一構造集積
長波長 VCSELの両方の底部コンタクト層として役立つ。
【００２０】層１８の表面上に位置づけられる、高濃度
のｎ型にドーピングされたGaAsの、薄膜２０がある。層
２０は、約50オングストロームの厚さに形成され、工程
の環境からの層１８を保護するのに役立つ。AlInP/AlGa
InP/InGaP材料システムから成る能動領域２２が、GaAs
層２０上に位置づけられる。能動領域２２は、AlGaAs層
２０に隣接する第１被覆領域２４と第２被覆領域２５と
の間に挟まれる能動構造２３を含む。
【００２１】ミラースタック１４は、分子ビームエピタ
キシ（MBE）、金属ー有機化学蒸着法（MOCVD）またはス
パッタリングなどの、いくつかの従来技術にて、基板１
２上に対の層をデポジションすることによって、形成さ
れる。基板１２上にミラースタック１４を結晶化格子整
合するために、安定した半導体材料システムが、デポジ
ションされなければならない。この材料システムの約４
から６のミラー対が、その層の反射指数の違いに依存し
て、基板１２上にデポジションされる。AlAs層１５は、
前述したように、酸化されることを理解されたい。この
材料システムは、1.5から1.6の範囲の層１５と１６との
反射指数の違いをもたらし得る。この反射指数の違い
は、DBRミラースタック１４の十分な反射率を成し遂げ
るために十分大きい。これらの材料は、申し分のない良
質で成長し得る。
【００２２】より良いキャリアの拘束が必要とされるな
らば、被覆領域２４は、選別され得る１またはそれ以上
の層を含む。この詳細な実施例においては、被覆領域２
４は、AlInP材料システムから形成される。
【００２３】図１をさらに参照して、この実施例におい
ては、能動構造２３は、バリア層２８と２９との間に挟
まれる量子井戸層２７を含む。例えば、量子井戸層２７
およびバリア層２８、２９は、それぞれ約100オングス
トロームの厚さであり、能動領域２０は、トータルの厚
さ放射光の１波長または多数の波長になる。量子井戸層
２７は、好適には、InGaPから成り、バリア層２８、２
９は、好適には、AlGaInPから成る。従来技術において
は、さらなる量子井戸層およびバリア層が、アプリケー
ションに依存して使用され得ることを理解されたい。能
動領域２２は、約635から650nmの範囲の波長を有する放
射光を構成する。
【００２４】より良いキャリアの拘束が必要とされるな
らば、被覆領域２５は、選別され得る１またはそれ以上
の層を含む。この詳細な実施例においては、被覆領域２
５は、AlInP材料システムから形成される。GaAsの層３
０が、約50オングストロームの厚さで製造され、AlInP
被覆領域２５の保護層として役立つ。
【００２５】図２は、本発明にしたがった、短波長 VCS
ELおよび長波長 VCSELを含む、単一構造集積縦型キャビ
ティ表面放射レーザの製造方法の１つの段階である。よ
り詳細には、SiO2層３２によってマスクされる図１のVC
SELが、図示されている。GaAs層２０への選択エッチン
グが実行され、それによって、単一構造集積長波長VCSE
L（好適には、780nmのVCSEL３４である）を形成され得
る。VCSEL３４は、長波長VCSEL３４のこの実施例を除い
て、一般に、図１に関連して記述されるVCSEL１０に類
似して製造され、能動領域３５が、Al0.1GaAs/Al0.4GaA
s/Al0.6GaAs金属システムから選択的に成長せられる。
それによって、750から830nmの範囲の長波長を放射す
る。能動領域３５のトータルの厚さは、放射光の１波長
または放射光の複数である。より詳細には、能動領域３
５は、複数の被覆領域４３と４４との間に挟まれる能動
構造３７から構成される。能動構造３７は、AlGaAsを含
む少なくとも１つの量子井戸３９から構成され、複数の
バリア層４１、４２はAlGaAs材料から成る。より多くの
量子井戸およびバリア層が、そのアプリケーションに依
存して使用され得ることは、当業者には理解されるであ
ろう。次に能動領域３５は、50オングストロームの厚さ
のｐ型にドーピングされたGaAs保護層３６によって伴わ
れる。
【００２６】図３において、一旦、VCSEL１０およびVCS
EL３４が前記段階において形成されると、SiO2マスク層
３２が、部分的に除去され、VCSEL１０とVCSEL３４との
間に存在する層３２の部分をその場に残存させる。次
に、上部DBRミラースタック３８、４０が、それぞれ、
各VCSEL１０およびVCSEL４３の層３０および層３６の表
面上に成長せられる。ミラースタック３８、４０は、そ
れぞれ、分子ビーム・エピタキシ（MBE）、金属ー有機
化学蒸着（MOCVD）またはスパッタリングなどの従来技
術を使用して、各層３０、３６上に交互の層の対をデポ
ジションすることによって、形成される。上部ミラース
タック３８、４０は、AlAs/Al0.5GaAs材料システムから
製造され、約３から５つのミラー対から成る。一旦DBR
ミラースタック３８、４０が製造されると、２つの装置
１０、３４は、第１DBRミラースタック１４の最上表面
へエッチングすることによって、SiO2層の残存が除去さ
れ、分離される。
【００２７】装置１０、３４のミラースタック１４、３
８、４０のAlAs層は、Al2O3へ変化させるために酸化せ
られる。分離ミラー対の反射率は、Al2O3/Al0.5GaAsか
ら成り、十分な指数の違いを可能にし、より大きい反射
率を達成させる。
【００２８】図４において図示された、簡単化した断面
図は、本発明にしたがった、二波長単一構造集積VCSEL
１０、３４を含む完成された半導体レーザチップ５０で
ある。レーザチップ５０は、短波長VCSEL１０および長
波長VCSEL３４および複数のコンタクト（前記）から構
成される。一旦、装置１０、３４を決定する最終のエッ
チングおよび分離が完遂すると（前記）、複数の電気的
コンタクトが、完成された装置５０に位置づけられる。
より詳細には、底部コンタクト５２、５３、５４は、
金、アルミニウムまたはその他の適切な導電金属から成
り、層１８の最上表面上に位置づけられる。この実施例
において、層１８は濃くドーピングされ、装置１０、３
４の複数の能動構造の周りに、その層１８の表面上に位
置づけられる電気的コンタクト５２、５３、５４および
導電層をもたらす。上部コンタクト５６、５７、５８、
５９が、金、アルミニウムまたはその他の適切な導電金
属から成り、それぞれ、装置１０、３４の層３０、３６
の最上表面に位置づけられる。レーザ３０、３６は、濃
くドーピングされて、複数のミラースタック３８、４０
の周りに、その表面上に位置づけられる電気的コンタク
ト５２、５３、５４および導電層をもたらす。半導体レ
ーザチップ５０の動作中、VCSEL１０、３４が、コンタ
クト５２、５３、５４、５６、５７、５８、５９、６０
を介して装置１０、３４の能動構造を介して流す電流に
よって、動作し、所望される長波長VCSELの動作に依存
する。VCSEL装置１０およびVCSEL装置３４は、スペース
６０によって離間せられ、そのスペース６０はより詳細
には、約10umである。短波長VCSEL１０からの光６３の
放射と長波長VCSEL３４からの光６４の放射との間の間
隔は、より詳細には、75um未満である。この間隔は、同
一の光学的レンズシステムを使い分けることにより、CD
または高密度DVDからの、若しくはCDまたは高密度DVDへ
の、読出しおよび／または書込みに依存する短波長レー
ザ放射６３または長波長レーザ放射６４の適切なフォー
カスおよび動作を可能にする。同定される間隔は、記述
されるこの実施例の目的のために利用され、その２つの
装置の間の実質の間隔は設計の要求に依存して調整せら
れる。
【００２９】図５において、図示されるているのは、光
の波長に比較して、ミラースタック１４、３８、４０に
よって達成される反射率をパーセントで表した図であ
る。図示したとおり、酸化ミラースタック１４、３８、
４０の１００％近い反射率が、短波長（635nm,650nm）V
CSEL１０および長波長（780nm）VCSEL３４の両方で達成
される。
【００３０】このように、単一の半導体レーザチップに
おける異なる波長の縦型キャビティ表面放射レーザの単
一構造集積が、開示された。それは、CDおよびDVDアプ
リケーションの両方の読出しヘッドとして利用され得
る。異なる波長、より詳細には635から650nmVCSELおよ
び780nmVCSELを有する２つのVCSELのこの単一構造集積
により、適切な、ビームスポットおよびCDおよびDVDの
両方の読出し／書込みのためのフォーカル距離を、達成
し得る。さらに、２つの異なる波長VCSELの単一構造集
積により、設計の複雑性およびレーザヘッドのコストを
低減し、逆方向互換性を成し遂げることにある困難を克
服することを可能にする。CDの読出しの必要がある場
合、780nmVCSEL３４は、オンに切り換えられる。従っ
て、レーザビームは、1.2mmのCD基板にフォーカスされ
る。DVDの読出しの必要がある場合、635から650nmのレ
ーザが、オンに切り換えられ、レーザビームは0.6mmのD
VD基板にフォーカスされる。
【００３１】当業者においては、様々な変更等が、思い
付くであろうが、例えば、VCSEL構造の対称性は電気的
にｎとｐをひっくり返した構造の設計も考えられ得る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従った、基板要素上に製造された短波
長VCSELの断面図。
【図２】本発明に従った、短波長VCSELおよび長波長VCS
ELを含む単一構造集積縦型キャビティ表面放射レーザの
製造方法におけるある段階の断面図。
【図３】本発明に従った、単一構造集積縦型キャビティ
表面放射レーザの製造方法におけるある段階、より詳細
には、短波長VCSELおよび長波長VCSEL上の第２ミラース
タックのデポジションの、断面図。
【図４】本発明に従った、単一構造集積短波長VCSELお
よび長波長VCSELを含む完成された半導体レーザ装置の
断面図。
【図５】本発明の半導体レーザチップにより達成された
光の波長に対する反射率を示すグラフ。
【符号の説明】
１０、１２ 基板 １３ 犠牲膜 １４ 表面 １５ マスク １６ カバーされた領域 １７ カバーされていない領域 ２０ 酸化薄膜 ２１ 明光 ２２ マスクされる領域 ２３ マスクされない領域 ２５インプラント領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウェンビン・ジアン アメリカ合衆国アリゾナ州フェニックス、 イースト・ゴールド・ポピー・ウェイ4407

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体レーザチップであって：基板要素
    （１２）上に製造される第１縦型キャビティ表面放射レ
    ーザ（１０）であって、短波長放射（６３）を発生させ
    る、ところのレーザ（１０）；および前記基板要素（１
    ２）上に製造され、前記第１縦型キャビティ表面放射レ
    ーザ（１０）に一体化された、第２縦型キャビティ表面
    放射レーザ（３４）であって、当該第２縦型キャビティ
    表面放射レーザ（３４）は、前記第１縦型キャビティ表
    面放射レーザ（１０）の波長よりも長い波長の放射（６
    ４）を発生させる、ところのレーザ（３４）；から構成
    されることを特徴とする半導体レーザチップ。
  2. 【請求項２】 二波長単一構造集積縦型キャビティ表面
    放射レーザであって：表面（１３）を有する基板要素
    （１２）；前記基板要素（１２）の前記表面（１３）上
    に位置づけられる第１DBRミラースタック（１４）；前
    記第１DBRミラースタック（１４）の一部分の表面上に
    位置づけられる第１能動領域（２２）、および当該能動
    領域（２２）の表面上に位置づけられる第２DBRミラー
    スタック（３８）であって、前記第１DBRミラースタッ
    ク（１４）の一部分、当該能動領域（２２）および前記
    第２DBRミラースタック（３８）は、経路に沿って短波
    長放射（６３）を発生させる第１縦型キャビティ表面放
    射レーザ（１０）を形成する、ところの第１能動領域
    （２２）および第２DBRミラースタック（３８）；およ
    び前記第１DBRミラースタック（１４）の他の部分の表
    面上に位置づけられる第２能動領域（３５）、および当
    該第２能動領域（３５）の表面上に位置づけられる第２
    DBRミラースタック（４０）であって、当該第２能動領
    域（３５）および前記第２DBRミラースタック（４０）
    は、横方向に、前記第１縦型キャビティ表面放射レーザ
    （１０）から離間せられ、前記第１DBRミラースタック
    （１４）の前記部分、当該第２能動領域（３５）および
    前記第２DBRミラースタック（４０）は、前記第１縦型
    キャビティ表面放射レーザ（１０）よりも長い波長の経
    路に沿った放射（６４）を発生する第２縦型キャビティ
    表面放射レーザ（３４）を形成する、ところの第２能動
    領域（３５）および第２DBRミラースタック（４０）；
    から構成されることを特徴とする二波長単一構造集積縦
    型キャビティ表面放射レーザ。
  3. 【請求項３】 半導体レーザチップの製造方法であっ
    て：基板（１２）を準備する段階であって、第１ミラー
    スタック（１４）が当該基板（１２）上に形成されてい
    る、ところの段階；前記第１ミラースタック（１４）の
    一部分上に第２ミラースタック（３８）および第１能動
    領域（２２）を位置づける段階であって、前記第１ミラ
    ースタック（１４）、当該第１能動領域（２２）および
    前記第２ミラースタック（３８）は、短波長光（６３）
    を放射するよう配置されている第１縦型キャビティ表面
    放射レーザ（１０）を決定する、ところの段階；および
    第２能動領域（３５）を位置づける段階、ならびに前記
    第１ミラースタック（１４）の他の部分上に第２ミラー
    スタック（４０）を位置づける段階、であって、前記第
    １ミラースタック（１４）の前記部分、前記能動領域
    （３５）および前記第２ミラースタック（４０）は、前
    記第１縦型キャビティ表面放射レーザ（１０）から横方
    向に離間して、第２縦型キャビティ表面放射レーザ（３
    ４）を決定し、前記第２縦型キャビティ表面放射レーザ
    （３４）は、前記第１縦型キャビティ表面放射レーザ
    （１０）よりも長い波長の光（６４）を放射するように
    配置されている、ところの段階；から構成されることを
    特徴とする方法。
  4. 【請求項４】 単一構造集積縦型キャビティ表面放射レ
    ーザの製造方法であって：表面（１３）を有する基板
    （１２）を準備する段階；第１ミラースタック（１４）
    を位置づける段階であって、基板要素の表面上にAlAs材
    料およびAlGaAs材料から成る交互の層（１５と１６）を
    含む、ところの段階；前記第１ミラースタック（１４）
    の表面上にAlGaAs材料から成るコンタクト層（１８）を
    位置づける段階；前記コンタクト層（１８）上に高濃度
    にドーピングされたGaAs保護層（２０）を位置づける段
    階；前記保護層（２０）上に第１能動領域（２２）を位
    置づける段階であって、当該第１能動領域（２２）は、
    能動構造（２３）および複数の被覆領域（２４と２５）
    を含む、ところの段階；前記第１能動領域（２２）の表
    面上にGaAs保護層（３０）を位置づける段階であって、
    前記第１ミラースタック（１４）、前記コンタクト層
    （１８）、前記保護層（２０と３０）および前記第１能
    動領域（２２）は、第１縦型キャビティ表面放射レーザ
    （１０）の一部分を決定する、ところの段階；前記第１
    縦型キャビティ表面放射レーザ（１０）の前記部分上に
    マスク層（３２）を位置づける段階であって、前記第１
    縦型キャビティ表面放射レーザ（１０）を選択的にエッ
    チングすることによって、前記AlGaAsコンタクト層（１
    ８）の横方向に離間せられる部分を露出する、ところの
    段階；前記AlGaAsコンタクト層（１８）の露出部分上に
    第２能動領域（３５）を位置づける段階であって、当該
    第２能動領域（３５）は、能動構造（３７）および複数
    の被覆領域（４３と４４）を含む、ところの段階；前記
    第２能動領域（３５）上にGaAs保護層を位置づける段階
    であって、前記第１ミラースタック（１４）、前記コン
    タクト層、前記保護層および前記第２能動領域（３５）
    は、第２縦型キャビティ表面放射レーザ（３４）の一部
    分を決定する、ところの段階；前記マスク層（３２）を
    選択的に除去する段階；前記第１縦型キャビティ表面放
    射レーザ（１０）上に第１ミラースタック（３８）を位
    置づける段階、ならびに前記第２縦型キャビティ表面放
    射レーザ（３４）上に第２ミラースタック（４０）を位
    置づける段階であって、前記ミラースタック（３８、４
    ０）は、AlAs材料およびAlGaAs材料の交互層を含む、と
    ころの段階；；前記第１縦型キャビティ表面放射レーザ
    （１０）と前記第２縦型キャビティ表面放射レーザ（３
    ４）とを分離する段階；および前記第１縦型キャビティ
    表面放射レーザ（１０）と前記第２縦型キャビティ表面
    放射レーザ（３４）とを結合させる複数の電気的コンタ
    クト（５２、５３、５４、５６、５７、５８、５９）を
    位置づける段階；から構成されることを特徴とする方
    法。
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