JP2001320132A - 半導体レーザ素子アレイ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 モノリシックの半導体レーザ素子アレイの活
性層同士の高さのばらつきを抑制すると共に、安定な自
励発振特性を得て高出力動作及び高温動作を確実に実現
できるようにする。 【解決手段】 ｎ型のＧａＡｓからなる基板１１上に
は、分離溝３により互いに分離された赤外半導体レーザ
素子１Ａ及び赤色半導体レーザ素子２Ａがモノリシック
に形成されている。赤色半導体レーザ素子２Ａには、バ
ッファ層１２上に、赤外半導体レーザ素子１Ａと間隔を
おいて順次形成され、基板１１上の各半導体層の結晶性
を向上させると共に第１活性層１４と第２活性層との基
板面からの高さが一致するように膜厚が調整されたｎ型
のＧａＡｓからなる高さ調整用バッファ層２０を有して
いる。また、各電流ブロック層１７、２７は各活性層１
４、２４のバンドギャップよりも大きくなるような組成
を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一の基板上に形成
され互いに発振波長が異なる２つの半導体レーザ素子か
らなるモノリシック構造を持つ２波長型の半導体レーザ
素子アレイ及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ディジタルビデオディスク（ＤＶＤ）の
登場により光ディスクの記録密度の高密度化が進展し、
現在、８．５ＧＢ（ギガバイト）という大容量の光ディ
スクが実現されるに至っている。一般的なＤＶＤ用再生
装置は、ＤＶＤだけでなく、コンパクトディスク（Ｃ
Ｄ）の再生が必要とされ、さらには近年急速に普及し始
めた追記型ＣＤ（ＣＤ−Ｒ）の再生及び記録が必要とさ
れる場合もある。ＤＶＤを再生する再生光には、６５０
ｎｍ帯の赤色レーザ光が用いられ、ＣＤ又はＣＤ−Ｒを
再生する再生光には、７８０ｎｍ帯の赤外レーザ光が用
いられている。従って、現状のＤＶＤ用再生装置には、
赤色レーザ光を生成する赤色半導体レーザチップと赤外
レーザ光を生成する赤外半導体レーザチップとの２つの
半導体レーザチップが搭載されている。

【０００３】パソコン等の情報処理機器の小型化に伴
い、ＤＶＤ用再生装置の小型化及び薄型化を進展させる
必要があり、これを実現するためには、光ピックアップ
の小型化及び薄型化が必要不可欠となる。光ピックアッ
プ部の小型化及び薄型化の手法として、光学系装置の簡
素化が挙げられる。その一つの方法として、赤色半導体
レーザチップと赤外半導体レーザチップの集積化が考え
られる。前述したように、現状のＤＶＤ用再生装置は、
赤色半導体レーザチップ用及び赤外半導体レーザチップ
用の２つの光学系部品から構成されており、赤色と赤外
との２つの半導体レーザチップを集積化することにより
２つの光学系部品を共有することが可能となるので、光
ピックアップ部の小型及び薄型化が実現される。

【０００４】赤色半導体レーザチップ及び赤外半導体レ
ーザチップの集積化として、一の基板上に集積されたモ
ノリシック型の半導体レーザ素子アレイが、特開平第１
１−１８６６５１号（第１の従来例）、及び第６０回秋
季応用物理学術講演会３ａ−ＺＣ−１０（第２の従来
例）に報告されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】第１の従来例に係る半
導体レーザ素子アレイは、活性層に電流を効率良く注入
するための電流ブロック（狭窄）層として、赤色用レー
ザチップ及び赤外用レーザチップの双方に、各活性層の
エネルギーギャップ（バンドギャップ）と同等かそれよ
りも小さいエネルギーギャップを持つＧａＡｓを用いて
いる。これにより、各活性層から出射するレーザ光を吸
収することにより生成光を効果的にストライプ状の領域
に閉じ込める複素屈折率導波構造を採用している。

【０００６】しかしながら、複素屈折率導波構造を用い
た半導体レーザ素子は、生成光がＧａＡｓからなる電流
ブロック層で吸収されてしまうため、光ディスク装置に
必要な自励発振特性や高温高出力特性を得ることは極め
て困難である。

【０００７】また、第２の従来例に係る半導体レーザ素
子アレイは、電流ブロック層を設けない、いわゆる利得
導波型構造を有しているため、電流ブロック層による光
吸収が生じない。ところが、この利得導波型構造の半導
体レーザ素子は、生成光を有効に閉じ込める屈折率導波
構造を持たないため、光ディスク装置に必要な低ノイズ
化を図るには、例えば発振スペクトルを多モード化する
ことにより、発振スペクトル同士の干渉を抑える手段が
必要となる。

【０００８】さらに、発振スペクトルを多モード化した
としても、各スペクトルの半値幅が小さいため、出射光
と該出射光の半導体レーザ素子への戻り光とが互いに干
渉を起こし易く、光ディスク装置に望まれる相対雑音強
度（ＲＩＮ）を−１３０ｄＢ／Ｈｚ以下にまで低減する
ことができない。そのため、第２の従来例に係る利得導
波型構造を持つ半導体レーザ素子アレイの場合は、１／
４λ板等を用いてＲＩＮの低減を図る手段が必要とな
り、光ピックアップ部を構成する部品点数を削減するこ
とが困難となる。これらの問題を解決するには、半導体
レーザ素子アレイが自励発振特性を有することが必要不
可欠となる。

【０００９】その上、利得導波型の半導体レーザ素子ア
レイは、電流狭窄機能は有するが、活性層の主面に平行
な方向の屈折率分布を利用した光閉じ込め機能を有さな
い。このため、ＤＶＤ又はＣＤの再生時の１０ｍＷ以下
という低出力動作状態では、室温下では単一横モード特
性を維持できるものの、高温下ではキャリアが高注入状
態となって高次モードの方が利得を得易くなるため、安
定した横モード特性を得ることが困難となる。また、光
閉じ込め機構を有さないため、高出力動作状態では、横
モード特性の安定化を図ることはさらに困難となる。

【００１０】また、従来のモノリシックの２波長レーザ
素子アレイは、光学系部品を共有するため、各レーザ素
子の活性層の位置、すなわち基板面からの高さを一致さ
せることが好ましい。しかしながら、モノリシックでは
あっても、各レーザ素子における活性層はその組成が互
いに異なるため、各活性層の成長を別々の工程で行なわ
なければならず、活性層同士の高さがばらついてしまう
という問題をも有している。

【００１１】本発明は、前記従来の問題を解決し、モノ
リシックの半導体レーザ素子アレイにおける活性層同士
の高さのばらつきを抑制すると共に、安定な自励発振特
性を持ち且つ高出力動作及び高温動作を確実に実現でき
るようにすることを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、モノリシックの半導体レーザ素子アレイ
を製造する際に、長波長側の第１のレーザ素子を短波長
側の第２のレーザ素子よりも先に製造する。このとき、
第２のレーザ素子における基板側のクラッド層は第１の
レーザ素子における基板側のクラッド層よりも膜厚が小
さくてすむため、第２のレーザ素子の結晶性を向上させ
るバッファ層を形成し、このバッファ層に高さ調整機能
を持たせる構成とする。

【００１３】また、第１のレーザ素子及び第２のレーザ
素子に対して、共に屈折率導波機構を設けることにより
安定な横モード特性を実現し、また、電流ブロック層を
実屈折率導波構造とすることにより、安定な自励発振特
性、高出力動作及び高温動作を実現する。

【００１４】具体的に、本発明に係る半導体レーザ素子
アレイは、一の基板の上に形成された第１導電型の第１
の半導体からなる第１クラッド層、該第１クラッド層の
上に形成された第２の半導体からなる第１活性層及び該
第１活性層の上に形成された第２導電型の第３の半導体
からなる第２クラッド層とを有する第１のレーザ素子
と、一の基板の上に第１のレーザ素子と間隔をおいて形
成された第１導電型の第４の半導体からなる第３クラッ
ド層、該第３クラッド層の上に形成され、第１活性層よ
りもエネルギーギャップが大きい第５の半導体からなる
第２活性層、及び該第２活性層の上に形成された第２導
電型の第６の半導体からなる第４クラッド層とを有する
第２のレーザ素子とを備え、第２のレーザ素子は、基板
と第３クラッド層との間に設けられ、第２活性層が第１
活性層の基板面からの高さとほぼ同等の高さとなるよう
に膜厚が設定された第１導電型の第７の半導体からなる
高さ調整用バッファ層を有している。

【００１５】本発明の半導体レーザ素子アレイによる
と、第１のレーザ素子の第１活性層よりもエネルギーギ
ャップが大きい第２活性層を有する第２のレーザ素子
は、基板と第３クラッド層との間に設けられ、第２活性
層が第１活性層の基板面からの高さとほぼ同等の高さと
なるように膜厚が設定された高さ調整用バッファ層を有
しているため、第２のレーザ素子の各半導体層の結晶性
が向上するだけでなく、第１活性層と第２活性層との基
板面からの高さを実質的に一致させることができるの
で、波長が異なるレーザ光の出射口同士の高さのばらつ
きを防止できる。

【００１６】本発明の半導体レーザ素子アレイにおい
て、第１のレーザ素子が、第２クラッド層の上に形成さ
れ、第１活性層にキャリアを選択的に注入するためのス
トライプ状の開口部を持ち、第１活性層よりも大きいエ
ネルギーギャップを持つ第８の半導体からなる第１電流
ブロック層を有し、第２のレーザ素子が、第４クラッド
層の上に形成され、第２活性層にキャリアを選択的に注
入するためのストライプ状の開口部を持ち、第２活性層
よりも大きいエネルギーギャップを持つ第９の半導体か
らなる第２電流ブロック層を有していることが好まし
い。このようにすると、第１及び第２の各活性層からの
発光光がそれぞれ第１及び第２の各電流ブロック層に吸
収されることがないため、自励発振特性及び高温時の高
出力特性を確実に得られるようになる。

【００１７】本発明の半導体レーザ素子アレイにおい
て、第１のレーザ素子は、第１電流ブロック層の開口部
に含まれる領域における基板面に対して垂直な方向の実
効屈折率と、第１電流ブロック層の開口部を除く領域に
おける基板面に対して垂直な方向の実効屈折率との差が
約２×１０^-3〜約１×１０^-2であり、第２のレーザ素子
は、第２電流ブロック層の開口部に含まれる領域におけ
る基板面に対して垂直な方向の実効屈折率と、第２電流
ブロック層の開口部を除く領域における基板面に対して
垂直な方向の実効屈折率との差が約２×１０^-3〜約１×
１０^-2であることが好ましい。

【００１８】本発明の半導体レーザ素子アレイにおい
て、第１電流ブロック層が第１導電型で且つヒ素を含
み、第２電流ブロック層が第１導電型で且つリンを含む
ことが好ましい。このようにすると、第１のレーザ素子
をIII 族元素にアルミニウム及びガリウムを含みＶ族元
素にヒ素を含むIII-Ｖ族化合物半導体からなり赤外レー
ザ光を発光できる赤外レーザ素子とすることができる。
また、第２のレーザ素子をIII 族元素にアルミニウム、
ガリウム及びインジウム含みＶ族元素にリンを含むIII-
Ｖ族化合物半導体からなり赤色レーザ光を発光できる赤
色レーザ素子とすることができる。

【００１９】本発明の半導体レーザ素子アレイにおい
て、第１電流ブロック層及び第２電流ブロック層が第１
導電型で且つリンを含むことが好ましい。このようにす
ると、第１のレーザ素子を第１活性層並びに第１及び第
２のクラッド層をガリウムとヒ素とを含む化合物半導体
からなる赤外レーザ素子とし、第２のレーザ素子を第２
活性層並びに第３及び第４のクラッド層をガリウム、イ
ンジウム及びリンを含む化合物半導体からなる赤色レー
ザ素子としても、第１電流ブロック層及び第２電流ブロ
ック層の上に成長させてなる例えばコンタクト層を、リ
ンを含む一の化合物半導体層により形成できるので、製
造時の工程が簡単となる。

【００２０】本発明の半導体レーザ素子アレイにおい
て、第１電流ブロック層及び第２電流ブロック層が第１
導電型で且つヒ素を含むことが好ましい。このようにす
ると、第１のレーザ素子を、第１活性層並びに第１及び
第２のクラッド層をガリウムとヒ素とを含む化合物半導
体からなる赤外レーザ素子とし、第２のレーザ素子を、
第２活性層並びに第３及び第４のクラッド層をガリウ
ム、インジウム及びリンを含む化合物半導体からなる赤
色レーザ素子としても、第１電流ブロック層及び第２電
流ブロック層の上に成長させてなる例えばコンタクト層
を、ヒ素を含む一の化合物半導体層により形成できるの
で、製造時の工程が簡単となる。

【００２１】第１の実施形態に係る第１の半導体レーザ
素子アレイの製造方法は、一の基板の上に第１導電型の
第１の半導体からなる第１クラッド層を形成する工程
と、第１クラッド層の上に第２の半導体からなる第１活
性層を形成する工程と、第１活性層の上に第２導電型の
第３の半導体からなる第２クラッド層を形成する工程
と、第２クラッド層の上に、ストライプ状の開口部を持
ち且つ第１活性層からの発光光をほとんど吸収しない第
４の半導体からなる第１電流ブロック層を形成する工程
と、第１電流ブロック層の上に開口部を含む全面にわた
って第２導電型の第５の半導体からなる第３クラッド層
を形成する工程と、第３クラッド層の上における第１電
流ブロック層の開口部を含む領域をマスクして、第１ク
ラッド層、第１活性層、第２クラッド層、第１電流ブロ
ック層及び第３クラッド層に対してエッチングを行なう
ことにより、第１クラッド層、第１活性層、第２クラッ
ド層、第１電流ブロック層及び第３クラッド層を含む第
１の半導体レーザ素子を形成すると共に、一の基板上に
第２のレーザ素子形成領域を形成する工程と、第２のレ
ーザ素子形成領域の上に、第１導電型の第６の半導体か
らなる高さ調整用バッファ層を形成する工程と、高さ調
整用バッファ層の上に第１導電型の第７の半導体からな
る第４クラッド層を形成する工程と、第４クラッド層の
上に、第１活性層よりもエネルギーギャップが大きい第
８の半導体からなる第２活性層を形成する工程と、第２
活性層の上に第２導電型の第９の半導体からなる第５ク
ラッド層を形成する工程と、第５クラッド層の上に、第
１電流ブロック層の開口部の長手方向とほぼ同一の方向
に延びるストライプ状の開口部を持ち且つ第２活性層か
らの発光光をほとんど吸収しない第１０の半導体からな
る第２電流ブロック層を形成する工程と、第２電流ブロ
ック層の上に開口部を含む全面にわたって第２導電型の
第１１の半導体からなる第６クラッド層を形成する工程
と、第６クラッド層の上における第２電流ブロック層の
開口部を含む領域をマスクして、高さ調整用バッファ
層、第４クラッド層、第２活性層、第５クラッド層、第
２電流ブロック層及び第６クラッド層に対してエッチン
グを行なうことにより、高さ調整用バッファ層、第４ク
ラッド層、第２活性層、第５クラッド層、第２電流ブロ
ック層及び第６クラッド層を含む第２の半導体レーザ素
子を形成する工程とを備えている。

【００２２】第１の半導体レーザ素子アレイの製造方法
によると、第１の半導体レーザ素子の第１活性層よりも
エネルギーギャップが大きい第２活性層を有する第２の
レーザ素子を形成する際に、エッチングにより露出され
た基板上のレーザ素子形成領域に高さ調整用バッファ層
を形成するため、第２のレーザ素子の結晶性が向上する
だけでなく、第１活性層と第２活性層との基板面からの
高さを実質的に一致させることができるので、波長が異
なるレーザ光の出射口同士の高さのばらつきを防止でき
る。

【００２３】第１の半導体レーザ素子アレイの製造方法
において、第３クラッド層及び第６クラッド層が、上面
同士の基板面からの高さの誤差が約±１μｍ以下となる
ように形成されていることが好ましい。このようにする
と、本発明の半導体レーザ素子アレイを例えばジャンク
ションダウン法により実装する際に、第１の半導体レー
ザ素子及び第２の半導体レーザ素子における基板と反対
側の面（接合面）の高さのばらつきを約±１μｍ以下に
抑えられるため、実装時の歩留まりを向上させることが
できる。

【００２４】本発明に係る第２の半導体レーザ素子アレ
イの製造方法は、一の基板の上に第１導電型の第１の半
導体からなる第１クラッド層を形成する工程と、第１ク
ラッド層の上に第２の半導体からなる第１活性層を形成
する工程と、第１活性層の上に第２導電型の第３の半導
体からなる第２クラッド層を形成する工程と、第２クラ
ッド層の上に、第１活性層からの発光光をほとんど吸収
しない第４の半導体からなる第１電流ブロック層を形成
する工程と、第１電流ブロック層の上における第１のレ
ーザ素子形成領域をマスクして、第１クラッド層、第１
活性層、第２クラッド層及び第１電流ブロック層に対し
てエッチングを行なうことにより、第１の半導体レーザ
素子の一部を形成すると共に、一の基板上に第２のレー
ザ素子形成領域を形成する工程と、第２のレーザ素子形
成領域の上に、第１導電型の第５の半導体からなる高さ
調整用バッファ層を形成する工程と、高さ調整用バッフ
ァ層の上に第１導電型の第６の半導体からなる第３クラ
ッド層を形成する工程と、第３クラッド層の上に、第１
活性層よりもエネルギーギャップが大きい第７の半導体
からなる第２活性層を形成する工程と、第２活性層の上
に第２導電型の第８の半導体からなる第４クラッド層を
形成する工程と、第４クラッド層の上に、ストライプ状
の開口部を持ち且つ第２活性層からの発光光をもほとん
ど吸収しない第４の半導体からなる第２電流ブロック層
を形成する工程と、第１電流ブロック層及び第２電流ブ
ロック層に対してそれぞれエッチングを行なって互いに
間隔をおき且つほぼ平行に延びるストライプ状の開口部
を形成する工程と、第１電流ブロック層及び第２電流ブ
ロックの上に各開口部を含む全面にわたって第２導電型
の第９の半導体層を形成する工程と、第９の半導体層に
おける第１のレーザ素子形成領域及び第２のレーザ素子
形成領域をマスクして、少なくとも第９の半導体層に対
してエッチングを行なって、第１電流ブロック層の上に
第９の半導体層からなる第５クラッド層と、第２電流ブ
ロック層の上に第９の半導体層からなる第６クラッド層
とを形成することにより、第５クラッド層を含む第１の
半導体レーザ素子の残部を形成すると共に、高さ調整用
バッファ、第３クラッド層、第２活性層、第４クラッド
層及び第６クラッド層を含む第２の半導体レーザ素子を
形成する工程とを備えている。

【００２５】第２の半導体レーザ素子アレイの製造方法
によると、第１の半導体レーザ素子アレイの製造方法の
特徴に加えて、第４の半導体からなる第１電流ブロック
層及び第２電流ブロック層に対してストライプ状の開口
部を同時に形成できる。すなわち、第１及び第２の各電
流ブロック層のほぼ平行に延びる両開口部の開口パター
ンを持つ一のマスクパターンによって、一度の露光工程
により両開口部を形成できるため、両開口部の間隔をリ
ソグラフィの精度で決定できる。また、第１電流ブロッ
ク層及び第２電流ブロック層は共に第４の半導体層から
なるため、各開口部を含む上面に一度の成長工程で第９
の半導体層を形成できるので、第５クラッド層及び第６
クラッド層の形成が簡単となる。

【００２６】第２の半導体レーザ素子アレイの製造方法
において、第５クラッド層及び第６クラッド層が、上面
同士の基板面からの高さの誤差が約±１μｍ以下となる
ように形成されていることが好ましい。

【００２７】本発明に係る第３の半導体レーザ素子アレ
イの製造方法は、一の基板の上に第１導電型の第１の半
導体からなる第１クラッド層を形成する工程と、第１ク
ラッド層の上に第２の半導体からなる第１活性層を形成
する工程と、第１活性層の上に第２導電型の第３の半導
体からなる第２クラッド層を形成する工程と、第２クラ
ッド層の上に第２導電型の第４の半導体からなるリッジ
形状を持つ第３クラッド層を形成する工程と、第２クラ
ッド層の上における第３クラッド層の側方の領域に、第
１活性層からの発光光をほとんど吸収しない第５の半導
体からなる第１電流ブロック層を形成する工程と、第１
電流ブロック層の上における第３クラッド層を含む領域
をマスクして、第１クラッド層、第１活性層、第２クラ
ッド層及び第１電流ブロック層に対してエッチングを行
なうことにより、第１クラッド層、第１活性層、第２ク
ラッド層、第３クラッド層及び第１電流ブロック層を含
む第１の半導体レーザ素子を形成すると共に、一の基板
上に第２のレーザ素子形成領域を形成する工程と、第２
のレーザ素子形成領域の上に、第１導電型の第６の半導
体からなる高さ調整用バッファ層を形成する工程と、高
さ調整用バッファ層の上に第１導電型の第７の半導体か
らなる第４クラッド層を形成する工程と、第４クラッド
層の上に、第１活性層よりもエネルギーギャップが大き
い第８の半導体からなる第２活性層を形成する工程と、
第２活性層の上に第２導電型の第９の半導体からなる第
５クラッド層を形成する工程と、第５クラッド層の上
に、第２導電型の第１０の半導体からなり第３クラッド
層の長手方向とほぼ同一の方向に延びるリッジ形状を持
つ第６クラッド層を形成する工程と、第５クラッド層の
上における第６クラッド層の側方の領域に、第２活性層
からの発光光をほとんど吸収しない第１１の半導体から
なる第２電流ブロック層を形成する工程と、第２電流ブ
ロック層の上における第６クラッド層を含む領域をマス
クして、高さ調整用バッファ層、第４クラッド層、第２
活性層、第５クラッド層及び第２電流ブロック層に対し
てエッチングを行なうことにより、高さ調整用バッファ
層、第４クラッド層、第２活性層、第５クラッド層、第
６クラッド層及び第２電流ブロック層を含む第２の半導
体レーザ素子を形成する工程とを備えている。

【００２８】第３の半導体レーザ素子アレイの製造方法
によると、第１の半導体レーザ素子の第１活性層よりも
エネルギーギャップが大きい第２活性層を有する第２の
レーザ素子を形成する際に、エッチングにより露出され
た基板上のレーザ素子形成領域に高さ調整用バッファ層
を形成するため、第２のレーザ素子の結晶性が向上する
だけでなく、第１活性層と第２活性層との基板面からの
高さを実質的に一致させることができるので、波長が異
なるレーザ光の出射口同士の高さのばらつきを防止でき
る。

【００２９】本発明に係る第４の半導体レーザ素子アレ
イの製造方法は、一の基板の上に第１導電型の第１の半
導体からなる第１クラッド層を形成する工程と、第１ク
ラッド層の上に第２の半導体からなる第１活性層を形成
する工程と、第１活性層の上に第２導電型の第３の半導
体からなる第２クラッド層を形成する工程と、第２クラ
ッド層の上に第２導電型の第４の半導体層を形成する工
程と、第４の半導体層の上における第１のレーザ素子形
成領域をマスクして、第１クラッド層、第１活性層、第
２クラッド層、第４の半導体層に対してエッチングを行
なうことにより、第１の半導体レーザ素子の一部を形成
すると共に、一の基板上に第２のレーザ素子形成領域を
形成する工程と、第２のレーザ素子形成領域の上に、第
１導電型の第５の半導体からなる高さ調整用バッファ層
を形成する工程と、高さ調整用バッファ層の上に第１導
電型の第６の半導体からなる第３クラッド層を形成する
工程と、第３クラッド層の上に、第１活性層よりもエネ
ルギーギャップが大きい第７の半導体からなる第２活性
層を形成する工程と、第２活性層の上に第２導電型の第
８の半導体からなる第４クラッド層を形成する工程と、
第４クラッド層の上に、第２導電型の第９の半導体層を
形成する工程と、第４の半導体層及び第９の半導体層に
対してそれぞれエッチングを行なうことにより、互いに
間隔をおき且つほぼ平行に延びるリッジ形状の、第４の
半導体層からなる第５のクラッド層と、第９の半導体層
からなる第６のクラッド層とを形成する工程と、第２の
クラッド層の上における第５クラッド層の側方の領域、
及び第４クラッド層の上における第６クラッド層の側方
の領域に第１活性層及び第２活性層からの発光光をほと
んど吸収しない第１０の半導体層を形成する工程と、第
１０の半導体層における第１のレーザ素子形成領域及び
第２のレーザ素子形成領域をマスクして、少なくとも第
１０の半導体層に対してエッチングを行なって、第２ク
ラッド層の上に第１０の半導体層からなる第１電流ブロ
ック層と、第４クラッド層の上に第１０の半導体層から
なる第２電流ブロック層とを形成することにより、第１
電流ブロック層を含む第１の半導体レーザ素子の残部を
形成すると共に、高さ調整用バッファ層、第３クラッド
層、第２活性層、第４クラッド層、第６クラッド層及び
第２電流ブロック層を含む第２の半導体レーザ素子を形
成する工程とを備えている。

【００３０】第４の半導体レーザ素子アレイの製造方法
によると、第３の半導体レーザ素子アレイの製造方法の
特徴に加えて、第５クラッド層及び第６クラッド層を同
時に形成できる。すなわち、互いに間隔をおいて平行に
延びるリッジ形状を持つ第５及び第６の各クラッド層の
開口パターンを持つ一のマスクパターンによって、一度
の露光工程により両クラッド層を形成できるため、両ク
ラッド層の間隔をリソグラフィの精度で決定できる。ま
た、第５クラッド層及び第６クラッド層の側方の領域に
第１０の半導体層を形成するため、一の半導体層からそ
れぞれ第１電流ブロック層及び第２電流ブロック層を形
成できるので、製造工程が簡単となる。

【００３１】第３又は第４の半導体レーザ素子アレイの
製造方法において、第１電流ブロック層及び第２電流ブ
ロック層が、上面同士の基板面からの高さの誤差が約±
１μｍ以下となるように形成されていることが好まし
い。

【００３２】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）本発明の第１
の実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００３３】図１は本発明の第１の実施形態に係る半導
体レーザ素子アレイの断面構成を示している。図１に示
すように、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１１上には、分
離溝３により互いに分離された赤外半導体レーザ素子１
Ａ及び赤色半導体レーザ素子２Ａがモノリシックに形成
されている。

【００３４】赤外半導体レーザ素子１Ａは、基板１１上
に順次形成され、ｎ型のＧａＡｓからなり基板１１上に
成長する各半導体層の結晶性を向上させるバッファ層１
２と、ｎ型のＡｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ≦１）からなり
後述する第１活性層にキャリア（電子）及びキャリアの
再結合光を閉じ込める第１のｎ型クラッド層１３と、発
振波長が７５０ｎｍ〜８５０ｎｍとなる組成を持つＡｌ
ＧａＡｓからなる第１活性層１４と、ｐ型のＡｌ_x1Ｇａ
_1-x1Ａｓ（０＜ｘ１≦１）からなり第１活性層１４にキ
ャリア（正孔）及びキャリアの再結合光を閉じ込める第
１のｐ型クラッド層１５と、ｐ型のＡｌ_x2Ｇａ_1-x2Ａｓ
（０≦ｘ２≦１）からなり後述する第１電流ブロック層
の開口部の形成時にエッチングストッパとなる第２のｐ
型クラッド層１６と、第１活性層１４からの発光光のエ
ネルギーよりも大きいエネルギーギャップ（バンドギャ
ップ）を有し、第１活性層１４にストライプ状の電流チ
ャネルを形成するための開口部１７ａ（但し、開口部１
７ａは図面内で垂直方向に延びる。）を持つｎ型のＡｌ
_y1Ｇａ_1-y1Ａｓ（０＜ｙ１≦１）からなる第１電流ブロ
ック層１７と、ｐ型のＡｌ_x3Ｇａ_1-x3Ａｓ（０＜ｘ３≦
１）からなり開口部１７ａを充填するように形成された
第３のｐ型クラッド層１８と、ｐ型のＧａＡｓからなり
その上面に形成される第１ｐ側電極（図示せず）とオー
ミック接触する第１のｐ型コンタクト層１９とにより構
成されている。

【００３５】赤色半導体レーザ素子２Ａは、バッファ層
１２上に、赤外半導体レーザ素子１Ａと分離溝３を隔て
て順次形成され、基板１１上に成長する各半導体層の結
晶性を向上させると共に第１活性層１４と後述する第２
活性層との基板面からの高さが一致するように膜厚が調
整されたｎ型のＧａＡｓからなる高さ調整用バッファ層
２０と、ｎ型の（Ａｌ_zＧａ_1-z）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０＜ｚ
≦１）からなり後述する第２活性層にキャリア（電子）
及びキャリアの再結合光を閉じ込める第２のｎ型クラッ
ド層２３と、発振波長が６３５ｎｍ〜６８０ｎｍとなる
組成を持つＡｌＧａＩｎＰからなる多重量子井戸構造の
第２活性層２４と、ｐ型の（Ａｌ_x4Ｇａ _1-x4）_0.5Ｉｎ
_0.5Ｐ（０＜ｘ４≦１）からなり第２活性層２４にキャ
リア（正孔）及びキャリアの再結合光を閉じ込める第４
のｐ型クラッド層２５と、ｐ型の（Ａｌ_x5Ｇａ_1-x5）
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０≦ｘ５≦１）からなり後述する第２電
流ブロック層の開口部の形成時にエッチングストッパと
なる第５のｐ型クラッド層２６と、第２活性層２４から
の発光光のエネルギーよりも大きいエネルギーギャップ
を有し、第２活性層２４にストライプ状の電流チャネル
を形成するための、第１電流ブロック層１７の開口部１
７ａとほぼ平行に延びる開口部２７ａを持つｎ型の（Ａ
ｌ_y2Ｇａ_1-y2）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０＜ｙ２≦１）からなる
第２電流ブロック層２７と、ｐ型の（Ａｌ_x6Ｇａ_1-x6）
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０＜ｘ６≦１）からなり開口部２７ａを
充填するように形成された第６のｐ型クラッド層２８
と、ｐ型のＧａＡｓからなり上面に形成される第２ｐ側
電極（図示せず）とオーミック接触する第２のｐ型コン
タクト層２９とにより構成されている。

【００３６】ここで、分離溝３はバッファ層１２の上面
が露出した状態であるが、基板１１を露出させた状態で
もよい。また、赤色半導体レーザ素子２Ａの高さ調整用
バッファ層２０がバッファ層１２を兼ねてもよい。

【００３７】ここで、第１の実施形態に係る赤外半導体
レーザ素子１Ａにおいて、第１電流ブロック層１７の開
口部１７ａに含まれる領域における基板面に対して垂直
な方向の実効屈折率ｎ１と、開口部１７ａを除く領域に
おける基板面に対して垂直な方向の実効屈折率ｎ２との
差Δｎが約２×１０^-3〜約１×１０^-2となるように、各
半導体層の膜厚及びＡｌの組成等の構造パラメータが設
定された屈折率導波型のレーザ素子である。

【００３８】同様に、第１の実施形態に係る赤色半導体
レーザ素子２Ａにおいても、第２電流ブロック層２７の
開口部２７ａに含まれる領域における基板面に垂直な方
向の実効屈折率ｎ１と、開口部２７ａを除く領域におけ
る基板面に垂直な方向の実効屈折率ｎ２との差Δｎが約
２×１０^-3〜約１×１０^-2となるように、各半導体層の
膜厚及びＡｌの組成等の構造パラメータが設定された屈
折率導波型のレーザ素子である。

【００３９】以下、赤外半導体レーザ素子１Ａ及び赤色
半導体レーザ素子２Ａに対してノイズの低減に必要な自
励発振特性を持たせる構造パラメータの一例を図面に基
づいて説明する。

【００４０】図２は第１の実施形態に係る赤外半導体レ
ーザ素子１Ａにおける第１のｐ型クラッド層１５の膜厚
及び第３のｐ型クラッド層１８のＡｌ組成ｘ３と、実効
屈折率差Δｎとの関係を計算により求めた結果を表わし
ている。ここでは、他の構造パラメータを以下のように
設定している。すなわち、第１のｎ型クラッド層１３の
膜厚は約１．５μｍとしＡｌ組成ｘは０．５としてい
る。第１活性層１４の膜厚は約０．０６μｍとしてい
る。第１のｐ型クラッド層１５のＡｌ組成ｘ１は０．５
としている。第２のｐ型クラッド層１６の膜厚は約０．
０１μｍとし、Ａｌ組成ｘ２は０．２としている。第１
電流ブロック層１７の膜厚は約１μｍとし、Ａｌ組成ｙ
１は０．６５としている。第３のｐ型クラッド層１８の
膜厚は約２．２μｍとしている。

【００４１】図２から分かるように、第１のｐ型クラッ
ド層１５の膜厚ｄｐが小さい程、また、第３のｐ型クラ
ッド層１８のＡｌ組成Ｘ３が小さい程、実効屈折率差Δ
ｎが大きくなる。安定な自励発振特性を得るためには実
効屈折率差Δｎ＝２×１０^-3〜５×１０^-3を満足させる
必要がある。例えば、第１のｐ型クラッド層１５の膜厚
ｄｐを０．２０μｍとした場合には、第３のｐ型クラッ
ド層１８のＡｌ組成Ｘ３を約０．６１〜０．７４程度と
すれば良いことが分かる。

【００４２】なお、図２に示した実効屈折率差Δｎ＝２
×１０^-3〜５×１０^-3を実現するための構造パラメータ
の組み合わせは一例に過ぎず、他の構造パラメータ（各
半導体層のＡｌ組成及び膜厚）を変更すると、適当な組
み合わせが変わることはいうまでもない。

【００４３】同様に、赤色半導体レーザ素子２Ａにおい
ても、実効屈折率差Δｎ＝２×１０ ^-3〜５×１０^-3を実
現するための構造パラメータを適当に選ぶことにより、
自励発振特性を実現させることができる。例えば、第２
のｎ型クラッド層２３のＡｌ組成ｚを０．７とし、第２
活性層２４の発振波長を６３５ｎｍ〜６８０ｎｍとす
る。第４のｐ型クラッド層２５のＡｌ組成ｘ４を０．７
とし、膜厚を約０．１μｍ〜０．３μｍとする。第５の
ｐ型クラッド層２６のＡｌ組成ｘ５を０．０〜０．１と
し、膜厚を約０．００９μｍとする。第２電流ブロック
層２７のＡｌ組成ｙ２を０．５とし、第６のｐ型クラッ
ド層２８のＡｌ組成ｘ６を０．６〜０．７５とする。こ
れにより、赤色半導体レーザ素子２Ａにおける実効屈折
率差Δｎ＝２×１０^-3〜５×１０^-3を実現できる。

【００４４】また、第１の実施形態に係る赤色半導体レ
ーザ素子２Ａは、バッファ層１２と第２のｎ型クラッド
層２３との間に、該赤色半導体レーザ素子２Ａの各半導
体結晶の品質を向上させるだけでなく、赤外半導体レー
ザ素子１Ａの第１活性層１４との基板面からの高さを調
整するための高さ調整用バッファ２０が設けられている
ことを特徴とする。

【００４５】例えば、赤外半導体レーザ素子１Ａ及び赤
色半導体レーザ素子２Ａに対して比較的に高出力動作を
させるような場合には、第１のｎ型クラッド層１３の膜
厚は２．０μｍ以上が必要となり、一方、第２のｎ型ク
ラッド層２３の膜厚は１．５μｍ以上であればよい。従
って、この場合には、高さ調整用バッファ層２０の膜厚
は０．５μｍ程度とすれば良い。

【００４６】また、比較的に低出力動作をさせるような
場合には、第１のｎ型クラッド層１３の膜厚は１．５μ
ｍ以上が必要であり、第２のｎ型クラッド層２３の膜厚
は１．１μｍ以上が必要となる。従って、この場合に
は、高さ調整用バッファ層２０の膜厚は０．４μｍ程度
とすれば良い。

【００４７】以上説明したように、第１の実施形態によ
ると、自励発振型の半導体レーザ素子アレイを実現で
き、その上高出力動作が可能となる。さらに、２波長レ
ーザ素子アレイのうちの短波長側、すなわち、赤色半導
体レーザ素子２Ａには、第１活性層１４及び第２活性層
２４の基板面からの高さのばらつきを抑える高さ調整用
バッファ層２０が設けられているため、本実施形態に係
る半導体レーザ素子アレイを光ディスク装置に組み込む
場合に、光学系部品との位置合わせ等の調整が容易とな
る。

【００４８】また、書き込み可能な光ディスクに必要な
高出力のレーザ光が要求される場合には、前述の実効屈
折率差Δｎを４×１０^-3〜１×１０^-2とすることによ
り、横モードがさらに安定するため、高出力の半導体レ
ーザ素子アレイを実現できる。

【００４９】以下、第１の実施形態に係る半導体レーザ
素子アレイの製造方法について図面を参照しながら説明
する。

【００５０】図３（ａ）〜図３（ｄ）及び図４（ａ）〜
図４（ｃ）は第１の実施形態に係る半導体レーザ素子ア
レイの製造方法の工程順の断面構成を示している。ま
ず、図３（ａ）に示すように、例えば、有機金属気相成
長法（ＭＯＶＰＥ）法を用いて、ｎ型のＧａＡｓからな
る基板１１上に、ｎ型のＧａＡｓからなるバッファ層１
２と、膜厚が約１．５μｍのｎ型のＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓ
からなる第１のｎ型クラッド層形成層１３Ａと、発振波
長が７５０ｎｍ〜８５０ｎｍとなる組成を有し膜厚が約
０．０６μｍのＡｌＧａＡｓからなる第１活性層形成層
１４Ａと、膜厚が約０．２５μｍのｐ型のＡｌ_0.5Ｇａ
_0.5Ａｓからなる第１のｐ型クラッド層形成層１５Ａ
と、膜厚が約０．０１μｍのｐ型のＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ａｓ
からなる第２のｐ型クラッド層形成層１６Ａと、膜厚が
約１μｍのｎ型のＡｌ_0.65Ｇａ_0.35Ａｓからなる第１電
流ブロック層形成層１７Ａとを順次成長させる。

【００５１】次に、図３（ｂ）に示すように、第１電流
ブロック層形成層１７Ａに対して、第２のｐ型クラッド
層形成層１６Ａをエッチングストッパとする化学的エッ
チングを選択的に行なうことにより、ストライプ状の開
口部１７ａを形成する。

【００５２】次に、図３（ｃ）に示すように、再度、Ｍ
ＯＶＰＥ法により、第１電流ブロック層形成層１７Ａの
上に開口部１７ａが充填されるように全面にわたって膜
厚が約２．２μｍのｐ型のＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓからなる
第３のｐ型クラッド層形成層１８Ａを成長させ、続い
て、第３のｐ型クラッド層形成層１８Ａの上に、高濃度
のｐ型のＧａＡｓからなる第１のｐ型コンタクト層形成
層１９Ａを成長させる。

【００５３】次に、図３（ｄ）に示すように、第１のｐ
型コンタクト層形成層１９Ａの上における第１電流ブロ
ック層形成層１７Ａの開口部１７ａを含む赤外レーザ素
子形成領域１をマスクして、第１のｎ型クラッド層形成
層１３Ａ、第１活性層形成層１４Ａ、第１のｐ型クラッ
ド層形成層１５Ａ、第２のｐ型クラッド層形成層１６
Ａ、第１電流ブロック層形成層１７Ａ、第３のｐ型クラ
ッド層形成層１８Ａ及び第１のｐ型コンタクト層形成層
１９Ａに対して化学的エッチングを行なうことにより、
基板１１上にバッファ層１２が露出する赤色レーザ素子
形成領域２を形成する。これにより、赤外レーザ素子形
成領域１には、第１のｎ型クラッド層形成層１３Ａから
第１のｎ型クラッド層１３が形成され、第１活性層形成
層１４Ａから第１活性層１４が形成され、第１のｐ型ク
ラッド層形成層１５Ａから第１のｐ型クラッド層１５が
形成され、第２のｐ型クラッド層形成層１６Ａから第２
のｐ型クラッド層１６が形成され、第１電流ブロック層
形成層１７Ａから第１電流ブロック層１７が形成され、
第３のｐ型クラッド層形成層１８Ａから第３のｐ型クラ
ッド層１８が形成され、第１のｐ型コンタクト層形成層
１９Ａから第１のｐ型コンタクト層１９が形成される。
ここで、赤色レーザ素子形成領域２を形成するエッチン
グ処理は基板１１に達するまで行なってもよい。

【００５４】次に、図４（ａ）に示すように、ＭＯＶＰ
Ｅ法を用いて、基板１１上に赤色レーザ素子形成領域２
を含む全面にわたって、膜厚が約０．４μｍのｎ型Ｇａ
Ａｓからなる高さ調整用バッファ層形成層２０Ａを成長
させる。続いて、高さ調整用バッファ層形成層２０Ａの
上に、膜厚が約１．１μｍのｎ型の（Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3）
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第２のｎ型クラッド層形成層２３
Ａと、発振波長が６３５ｎｍ〜６８０ｎｍとなる組成を
持つＡｌＧａＩｎＰからなるＭＱＷ構造の第２活性層形
成層２４Ａと、膜厚が約０．２５μｍのｐ型の（Ａｌ
_0.7Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5 Ｐからなる第４のｐ型クラッ
ド層形成層２５Ａと、膜厚が約０．００９μｍのｐ型の
（Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第５のｐ型ク
ラッド層形成層２６Ａと、膜厚が約１μｍのｎ型の（Ａ
ｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第２電流ブロック
層形成層２７Ａとを順次成長させる。

【００５５】次に、図４（ｂ）に示すように、第２電流
ブロック層形成層２７Ａにおける赤色レーザ素子形成領
域２に対して、第５のｐ型クラッド層形成層２６Ａをエ
ッチングストッパとする化学的エッチングを選択的に行
なうことにより、第１電流ブロック層１７の開口部１７
ａとほぼ平行に延びるストライプ状の開口部２７ａを形
成する。続いて、ＭＯＶＰＥ法により、第２電流ブロッ
ク層形成層２７Ａの上に開口部２７ａが充填されるよう
に全面にわたって膜厚が約２．２μｍのｐ型の（Ａｌ
_0.6Ｇａ_0.4）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第６のｐ型クラッド
層形成層２８Ａを成長させ、続いて、第６のｐ型クラッ
ド層形成層２８Ａの上に、高濃度のｐ型のＧａＡｓから
なる第２のｐ型コンタクト層形成層２９Ａを成長させ
る。

【００５６】次に、図４（ｃ）に示すように、赤外レー
ザ素子形成領域１及び赤色レーザ素子形成領域２をそれ
ぞれマスクして、高さ調整用バッファ層形成層２０Ａ、
第２のｎ型クラッド層形成層２３Ａ、第２活性層形成層
２４Ａ、第４のｐ型クラッド層形成層２５Ａ、第５のｐ
型クラッド層形成層２６Ａ、第２電流ブロック層形成層
２７Ａ、第６のｐ型クラッド層形成層２８Ａ及び第２の
ｐ型コンタクト層形成層２９Ａに対して、バッファ層１
２又は基板１１が露出するまで化学的エッチングを行な
って分離溝３を形成する。これにより、赤色レーザ素子
形成領域２に赤色半導体レーザ素子２Ａが形成される。
従って、この赤色半導体レーザ素子２Ａは、高さ調整用
バッファ層形成層２０Ａからなる高さ調整用バッファ層
２０と、第２のｎ型クラッド層形成層２３Ａからなる第
２のｎ型クラッド層２３と、第２活性層形成層２４Ａか
らなる第２活性層２４と、第４のｐ型クラッド層形成層
２５Ａからなる第４のｐ型クラッド層２５と、第５のｐ
型クラッド層形成層２６Ａからなる第５のｐ型クラッド
層２６と、第２電流ブロック層形成層２７Ａからなる第
２電流ブロック層２７と、第６のｐ型クラッド層形成層
２８Ａからなる第６のｐ型クラッド層２８と、第２のｐ
型コンタクト層形成層２９Ａからなる第２のｐ型コンタ
クト層２９とを含む構成となる。

【００５７】ここで、赤外半導体レーザ素子１Ａと赤色
半導体レーザ素子２Ａとの発光点同士の間隔、すなわ
ち、該発光点同士の間隔を規制する第１電流ブロック層
１７の第１の開口部と第２電流ブロック層２７の開口部
２７ａとの間隔は、およそ８０μｍ〜３００μｍである
ことが望ましい。第１の実施形態に係る半導体レーザ素
子アレイは、１つの光学系部品で半導体レーザ素子アレ
イから出射される２本のレーザ光を利用し、それぞれ対
応する受光素子により、ＲＦ信号、トラッキングエラー
信号又はフォーカスエラー信号等の信号処理を行なうた
め、赤外半導体レーザ素子用の赤外受光素子及び赤色半
導体レーザ用の赤色受光素子を必要とする。従って、各
受光素子の配置は、各半導体レーザ素子の発光点の間隔
により決定される。このとき、発光点同士の間隔が小さ
過ぎると、赤外受光素子と赤色受光素子とを独立させて
設置することが困難となる。逆に、発光点同士の間隔が
大き過ぎると１つの光学系部品で半導体レーザ素子アレ
イからの２つのレーザ光を利用できなくなる。

【００５８】図５は第１の実施形態に係る半導体レーザ
素子アレイを実装した様子を示している。図５におい
て、図１に示す素子アレイの構成部材と同一の構成部材
には同一の符号を付している。図５に示すように、図１
に示す半導体レーザ素子アレイが、導電性及び放熱性に
優れる部材、例えば、シリコン（Ｓｉ）又は炭化ケイ素
（ＳｉＣ）からなるサブマウント１０の主面上にジャン
クションダウン法により実装されている。ここで、赤外
半導体レーザ素子１Ａ及び赤色半導体レーザ素子２Ａ
は、共にサブマウント１０の主面からの第１活性層１４
及び第２活性層２４までのそれぞれの距離Ｈ１、Ｈ２を
一致させることが好ましい。

【００５９】一般に、赤外受光素子及び赤色受光素子は
その受光面が複数の受光領域に分割されており、各受光
領域に入射されるレーザ光の受光位置には高い精度が要
求される。光信号の信号処理は、分割された受光領域に
入射される光信号同士の演算により行なわれるため、受
光領域の所定位置にレーザ光が入射しないと所定の信号
処理を行なえなくなる。従って、赤外半導体レーザ素子
１Ａと赤色半導体レーザ素子２Ａとの各発光点の位置精
度は、信号処理を行なう上で極めて重要となる。

【００６０】図５におけるサブマウント１０の主面の面
内方向（Ｘ−Ｙ方向）の発光点の位置精度は、赤外半導
体レーザ素子１Ａの開口部１７ａ及び赤色半導体レーザ
素子２Ａの開口部２７ａの各開口位置の精度で決定さ
れ、これはフォトリソグラフィ工程におけるリソグラフ
ィの精度そのものである。この場合は、アライメントキ
ー等の工夫により±２μｍの精度を容易に実現できる。

【００６１】一方、サブマウント１０の主面に対して垂
直方向（Ｚ方向）の位置精度は、赤外半導体レーザ素子
１Ａにおいては、第１活性層１４から第１のｐ型コンタ
クト層１９の総膜厚により決定され、赤色半導体レーザ
素子２Ａにおいては、第２活性層２４から第２のｐ型コ
ンタクト層２９の総膜厚により決定される。

【００６２】しかしながら、前述したように、赤外半導
体レーザ素子１Ａ及び赤色半導体レーザ素子２Ａの構造
パラメータは、自励発振型又は高出力型等によって、各
クラッド層及び活性層の膜厚は一意に決まらない。従っ
て、各活性層に対して基板１１側の領域においては、バ
ッファ層１２又は高さ調整用バッファ層２０の膜厚を調
整することにより、Ｚ方向の発光点の位置精度を確保す
ることが重要となる。一方、第１活性層１４及び第２活
性層２４に対する基板１１と反対側の領域においては、
第１のｐ型コンタクト層１９及び第２のｐ型コンタクト
層２９の膜厚により、Ｚ方向の発光点の位置精度を確保
することが重要となる。

【００６３】第１の実施形態においては、例えば、赤色
半導体レーザ素子２Ａにおける第２電流ブロック層２７
の膜厚を０．３μｍ〜１．０μｍの範囲で変更した場合
には、赤色半導体レーザ素子２Ａの第２のｐ型コンタク
ト層２９の膜厚を２．８５１μｍ〜３．５５１μｍの範
囲で調整することにより、２つの半導体レーザ素子１
Ａ、２Ａの発光点の位置を高精度に決定することができ
る。

【００６４】また、各半導体層の結晶成長をＭＯＶＰＥ
法により行なうため、膜厚の制御を原子層オーダーで制
御できるので、発光点の位置精度を確実に向上できる。
また、他の成長方法として、さらに高精度な膜厚の制御
を行なえる電子線エピタキシ（ＭＢＥ）法を用いてもよ
い。

【００６５】また、第１の実施形態においては、赤外半
導体レーザ素子１Ａを赤色半導体レーザ素子２Ａよりも
先に形成するため、以下に示すような格別な効果を奏す
る。一般に、赤色半導体レーザ素子２Ａは、ＡｌＧａＩ
ｎＰを含む半導体により構成されているため、６００℃
以上の高温プロセスによって、ｐ型のドーパントである
亜鉛（Ｚｎ）がｐ型半導体層から他の層に拡散する。こ
のため、赤色半導体レーザ素子２Ａを赤外半導体レーザ
素子１Ａよりも先に形成すると、赤外半導体レーザ素子
１Ａの製造工程に含まれる６００℃以上の高温プロセス
を２回も通るため、赤色半導体レーザ素子２Ａのｐ型ク
ラッド層２５等から第２活性層２４への亜鉛の拡散が顕
著となり、第２活性層２４の発光特性を劣化させてしま
う。従って、第１の実施形態のように、ＡｌＧａＡｓを
含む半導体からなる赤外半導体レーザ素子１Ａを先に形
成することが半導体レーザ素子アレイの性能及び信頼性
を確保する上で好ましい。

【００６６】（第１の実施形態の一変形例）以下、本発
明の第１の実施形態の一変形例について図面を参照しな
がら説明する。

【００６７】図６は第１の実施形態の一変形例に係る半
導体レーザ素子アレイの断面構成を示している。ここ
で、図６において、図１に示す構成部材と同一の構成部
材には同一の符号を付すことにより説明を省略する。図
６に示すように、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１１上に
は、分離溝３により互いに分離された赤外半導体レーザ
素子１Ｂ及び赤色半導体レーザ素子２Ａがモノリシック
に形成されている。

【００６８】本変形例に係る赤外半導体レーザ素子１Ｂ
は、第２のｐ型クラッド層３６がｐ型の（Ａｌ_x5Ｇａ
_1-x5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなり、第１電流ブロック層３７
がｎ型の（Ａｌ_y2Ｇａ_1-y2）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなり、第
３のｐ型クラッド層３８がｐ型の（Ａｌ_x6Ｇａ_1-x6）
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなり、第１のｐ型コンタクト層３９が
ｐ型ＧａＡｓからなる点が、第１の実施形態に係る赤外
半導体レーザ素子１Ａと異なる。すなわち、第２のｐ型
クラッド層３６、第１電流ブロック層３７、第３のｐ型
クラッド層３８及び第１のｐ型コンタクト層３９の各組
成を、赤色半導体レーザ素子２Ａのそれぞれ対応する、
第５のクラッド層２６、第２電流ブロック層２７、第６
のｐ型クラッド層２８及び第２のｐ型コンタクト層２９
の各組成と同一としている。

【００６９】このようにすると、第３のｐ型クラッド層
３８及び第６のｐ型クラッド層２８を１回の成長工程で
形成でき、また、第１のｐ型コンタクト層３９及び第２
のｐ型コンタクト層２９を１回の成長工程で形成できる
ため、製造工程を簡略化することができる。

【００７０】以下、本変形例に係る半導体レーザ素子ア
レイの製造方法について図面を参照しながら説明する。

【００７１】図７（ａ）〜図７（ｃ）及び図８（ａ）〜
図８（ｃ）は第１の実施形態の一変形例に係る半導体レ
ーザ素子アレイの製造方法の工程順の断面構成を示して
いる。

【００７２】まず、図７（ａ）に示すように、例えば、
有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法を用いて、ｎ型の
ＧａＡｓからなる基板１１上に、ｎ型のＧａＡｓからな
るバッファ層１２と、膜厚が約１．５μｍのｎ型のＡｌ
_0.5Ｇａ_0.5Ａｓからなる第１のｎ型クラッド層形成層１
３Ａと、発振波長が７５０ｎｍ〜８５０ｎｍとなる組成
を有し膜厚が約０．０６μｍのＡｌＧａＡｓからなる第
１活性層形成層１４Ａと、膜厚が約０．２５μｍのｐ型
のＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓからなる第１のｐ型クラッド層形
成層１５Ａと、膜厚が約０．０１μｍのｐ型の（Ａｌ
_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5 Ｐからなる第２のｐ型クラッ
ド層形成層３６Ａと、膜厚が約１μｍのｎ型の(Ａｌ_0.5
Ｇａ_0.5)_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第１電流ブロック層形成
３７Ａとを順次成長させる。

【００７３】次に、図７（ｂ）に示すように、第１電流
ブロック層形成層３７Ａの上の赤外レーザ素子形成領域
１をマスクして、第１のｎ型クラッド層形成層１３Ａ、
第１活性層形成層１４Ａ、第１のｐ型クラッド層形成層
１５Ａ、第２のｐ型クラッド層形成層３６Ａ及び第１電
流ブロック層形成層３７Ａに対して化学的エッチングを
行なうことにより、基板１１上にバッファ層１２が露出
する赤色レーザ素子形成領域２を形成する。これによ
り、赤外レーザ素子形成領域１には、第１のｎ型クラッ
ド層形成層１３Ａから第１のｎ型クラッド層１３が形成
され、第１活性層形成層１４Ａから第１活性層１４が形
成され、第１のｐ型クラッド層形成層１５Ａから第１の
ｐ型クラッド層１５が形成され、第２のｐ型クラッド層
形成層３６Ａから第２のｐ型クラッド層３６が形成さ
れ、第１電流ブロック層形成層３７Ａから第１電流ブロ
ック層３７が形成される。ここで、赤色レーザ素子形成
領域２を形成するエッチングは、基板１１に達するまで
行なってもよい。

【００７４】次に、図７（ｃ）に示すように、ＭＯＶＰ
Ｅ法を用いて、基板１１上に赤色レーザ素子形成領域２
を含む全面にわたって、膜厚が約０．４μｍのｎ型Ｇａ
Ａｓからなる高さ調整用バッファ層形成層２０Ａを成長
させる。続いて、高さ調整用バッファ層形成層２０Ａの
上に、膜厚が約１．１μｍのｎ型の(Ａｌ_0.7Ｇａ_0.3)
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第２のｎ型クラッド層形成層２３
Ａと、発振波長が６３５ｎｍ〜６８０ｎｍとなる組成を
持つＡｌＧａＩｎＰからなるＭＱＷ構造の第２活性層形
成層２４Ａと、膜厚が約０．２５μｍのｐ型の(Ａｌ_0.7
Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ _0.5 Ｐからなる第４のｐ型クラッド層
形成層２５Ａと、膜厚が約０．００９μｍのｐ型の（Ａ
ｌ_0.1Ｇａ_0.9）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第５のｐ型クラッ
ド層形成層２６Ａと、膜厚が約１μｍのｎ型の（Ａｌ
_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第２電流ブロック層
形成層２７Ａとを順次成長させる。

【００７５】次に、図８（ａ）に示すように、第２電流
ブロック層形成層２７Ａの上の赤色レーザ素子形成領域
２をマスクして、赤外レーザ素子形成領域１の第１電流
ブロック層３７が露出するまで化学的エッチングを行な
う。その後、露出した第１電流ブロック層３７及び第２
電流ブロック層形成層２７Ａに対して、第２のｐ型クラ
ッド層形成層３６及び第５のｐ型クラッド層形成層２６
Ａをそれぞれエッチングストッパとする化学的エッチン
グを選択的に行なうことにより、互いにほぼ平行に延び
るストライプ状の開口部３７ａ、２７ａを同時に形成す
る。

【００７６】次に、図８（ｂ）に示すように、ＭＯＶＰ
Ｅ法により、第１電流ブロック層３７及び第２電流ブロ
ック層形成層２７Ａの上に開口部３７ａ、２７ａが充填
されるように全面にわたって膜厚が約２．２μｍのｐ型
の（Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4)_0.5Ｉｎ _0.5 Ｐからなる第６のｐ型
クラッド層形成層２８Ａを成長させ、続いて、第６のｐ
型クラッド層形成層２８Ａの上に、高濃度のｐ型のＧａ
Ａｓからなる第２のｐ型コンタクト層形成層２９Ａを成
長させる。

【００７７】次に、図８（ｃ）に示すように、第２のｐ
型コンタクト層形成層２９Ａの上の赤外レーザ素子形成
領域１及び赤色レーザ素子形成領域２をマスクして、高
さ調整用バッファ層形成層２０Ａ、第２のｎ型クラッド
層形成層２３Ａ、第２活性層形成層２４Ａ、第４のｐ型
クラッド層形成層２５Ａ、第５のｐ型クラッド層形成層
２６Ａ、第２電流ブロック層形成層２７Ａ、第６のｐ型
クラッド層形成層２８Ａ及び第２のｐ型コンタクト層形
成層２９Ａに対して、バッファ層１２又は基板１１が露
出するまで化学的エッチングを行なって分離溝３を形成
する。これにより、赤外レーザ素子形成領域１には、第
１電流ブロック層３７の上に、第６のｐ型クラッド層形
成層２８Ａからなる第３のｐ型クラッド層３８と、第２
のｐ型コンタクト層形成層２９Ａからなる第１のｐ型コ
ンタクト層３９が形成されることにより、赤外半導体レ
ーザ素子１Ｂが完成する。一方、赤色レーザ素子形成領
域２には、第１の実施形態と同一の構成の赤色半導体レ
ーザ素子２Ａが完成する。

【００７８】このように、本変形例によると、第２のｐ
型クラッド層３６と第５のｐ型クラッド層２６とを同一
の組成とし、第１電流ブロック層３７と第２電流ブロッ
ク層２７とも同一の組成としているため、第３のｐ型ク
ラッド層３８及び第６のｐ型クラッド層２８を一の半導
体層である第６のｐ型クラッド層形成層２８Ａから形成
できる。同様に、一の半導体層である第２のｐ型コンタ
クト層形成層２９Ａから第１のｐ型コンタクト層３９及
び第２のｐ型コンタクト層２９を形成できるため、結晶
成長工程を削減することができる。

【００７９】その上、各電流ブロック層３７、２７の開
口部３７ａ、２７ａを１度のフォトリソグラフィ工程で
形成できるため、各レーザ素子１Ｂ、２Ａの発光点の位
置精度を向上できる。

【００８０】なお、本変形例とは逆に、赤外半導体レー
ザ素子１Ｂの第２のｐ型クラッド層３６、第１電流ブロ
ック層３７及び第３のｐ型クラッド層３８の組成、並び
に赤色半導体レーザ素子２Ａの第５のｐ型クラッド層２
６、第２電流ブロック層２７及び第６のｐ型クラッド層
２８の組成を共にＡｌＧａＡｓとしてもよい。

【００８１】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態について図面を参照しながら説明する。

【００８２】図９は本発明の第２の実施形態に係る半導
体レーザ素子アレイの断面構成を示している。図９に示
すように、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１１上には、分
離溝３により分離された赤外半導体レーザ素子１Ｃ及び
赤色半導体レーザ素子２Ｃがモノリシックに形成されて
いる。

【００８３】赤外半導体レーザ素子１Ｃは、基板１１上
に順次形成され、ｎ型のＧａＡｓからなるバッファ層１
２と、ｎ型のＡｌ_xＧａ_1-xＡｓ（０＜ｘ≦１）からなる
第１のｎ型クラッド層１３と、発振波長が７５０ｎｍ〜
８５０ｎｍとなる組成を持つＡｌＧａＡｓからなる第１
活性層１４と、ｐ型のＡｌ_x1Ｇａ_1-x1Ａｓ（０＜ｘ１≦
１）からなる第１のｐ型クラッド層１５と、ｐ型のＡｌ
_x2Ｇａ_1-x2Ａｓ（０≦ｘ２≦１）からなる第２のｐ型ク
ラッド層１６とを有している。さらに、第２のｐ型クラ
ッド層１６の上に、ｐ型のＡｌ_x3Ｇａ_1-x3Ａｓ（０＜ｘ
３≦１）からなり図面内で垂直方向に延びるリッジ形状
を持つ第３のｐ型クラッド層４７と、第２のｐ型クラッ
ド層１６の上における第３のｐ型クラッド層４７の側方
の領域に形成され、第１活性層１４からの発光光のエネ
ルギーよりも大きいエネルギーギャップを持つｎ型のＡ
ｌ_y1Ｇａ_1-y1Ａｓ（０＜ｙ１≦１）からなる第１電流ブ
ロック層４８と、該第１電流ブロック層４８の上に第３
のｐ型クラッド層４７を含む全面に形成されたｐ型のＧ
ａＡｓからなりその上面に形成される第１ｐ側電極（図
示せず）とオーミック接触する第１のｐ型コンタクト層
４９とを有している。

【００８４】赤色半導体レーザ素子２Ｃは、バッファ層
１２上に、赤外半導体レーザ素子１Ｃと分離溝３を隔て
て順次形成され、基板１１上に成長する各半導体層の結
晶性を向上させると共に第１活性層１４と後述する第２
活性層との基板面からの高さが一致するように膜厚が調
整されたｎ型のＧａＡｓからなる高さ調整用バッファ層
２０と、ｎ型の（Ａｌ_zＧａ_1-z）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０＜ｚ
≦１）からなる第２のｎ型クラッド層２３と、発振波長
が６３５ｎｍ〜６８０ｎｍとなる組成を持つＡｌＧａＩ
ｎＰからなる多重量子井戸構造の第２活性層２４と、ｐ
型の（Ａｌ_x4Ｇａ_1-x4）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０＜ｘ４≦１）
からなる第４のｐ型クラッド層２５と、ｐ型の（Ａｌ_x5
Ｇａ_1-x5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０≦ｘ５≦１）からなる第５
のｐ型クラッド層２６とを有している。さらに、第５の
ｐ型クラッド層２６の上に、ｐ型の（Ａｌ_x6Ｇａ_1-x6）
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０＜ｘ６≦１）からなり第３のｐ型クラ
ッド層４７とほぼ平行に延びるリッジ形状を持つ第６の
ｐ型クラッド層５７と、第５のｐ型クラッド層２６の上
における第６のｐ型クラッド層５７の側方の領域に形成
され、第２活性層２４からの発光光のエネルギーよりも
大きいエネルギーギャップを持つｎ型の（Ａｌ_y2Ｇａ
_1-y2）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ（０＜ｙ２≦１）からなる第２電流
ブロック層５８と、該第２電流ブロック層５８の上に第
６のｐ型クラッド層５７を含む全面に形成されたｐ型の
ＧａＡｓからなりその上面に形成される第２ｐ側電極
（図示せず）とオーミック接触する第２のｐ型コンタク
ト層５９とを有している。

【００８５】第２の実施形態においても、第１の実施形
態で示したように、赤外半導体レーザ素子１Ｃ及び赤色
半導体レーザ素子２Ｃに対して実効屈折率差Δｎ＝２×
１０ ^-3〜５×１０^-3を実現するための構造パラメータを
適当に選ぶことにより、自励発振特性を実現させること
ができる。

【００８６】以下、第２の実施形態に係る半導体レーザ
素子アレイの製造方法について図面を参照しながら説明
する。

【００８７】図１０（ａ）〜図１０（ｄ）及び図１１
（ａ）〜図１１（ｃ）は第２の実施形態に係る半導体レ
ーザ素子アレイの製造方法の工程順の断面構成を示して
いる。まず、図１０（ａ）に示すように、例えば、ＭＯ
ＶＰＥ法を用いて、ｎ型のＧａＡｓからなる基板１１上
に、ｎ型のＧａＡｓからなるバッファ層１２と、膜厚が
約１．５μｍのｎ型のＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓからなる第１
のｎ型クラッド層形成層１３Ａと、発振波長が７５０ｎ
ｍ〜８５０ｎｍとなる組成を有し膜厚が約０．０６μｍ
のＡｌＧａＡｓからなる第１活性層形成層１４Ａと、膜
厚が約０．２５μｍのｐ型のＡｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓからな
る第１のｐ型クラッド層形成層１５Ａと、膜厚が約０．
０１μｍのｐ型のＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ａｓからなる第２のｐ
型クラッド層形成層１６Ａと、膜厚が約２．２μｍのｐ
型のＡｌ_0.6Ｇａ_0.4Ａｓからなる第３のｐ型クラッド層
形成層４７Ａとを順次成長させる。

【００８８】次に、図１０（ｂ）に示すように、第３の
ｐ型クラッド層形成層４７Ａに対して、第２のｐ型クラ
ッド層形成層１６Ａをエッチングストッパとする化学的
エッチングを選択的に行なうことにより、第３のｐ型ク
ラッド層形成層４７Ａからリッジ形状の第３のｐ型クラ
ッド層４７を形成する。

【００８９】次に、図１０（ｃ）に示すように、第２の
ｐ型クラッド層形成層１６Ａの上における第３のｐ型ク
ラッド層４７の側方の領域にｎ型のＡｌ_0.65Ｇａ_0.35Ａ
ｓからなる第１電流ブロック層形成層４８Ａを選択的に
形成し、続いて、第１電流ブロック層形成層４８Ａの上
に第３のｐ型クラッド層４７を含む全面にわたって高濃
度のｐ型のＧａＡｓからなる第１のｐ型コンタクト層形
成層４９Ａを成長させる。

【００９０】次に、図１０（ｄ）に示すように、第１の
ｐ型コンタクト層形成層４９Ａの上の第３のｐ型クラッ
ド層４７を含む赤外レーザ素子形成領域１をマスクし
て、第１のｎ型クラッド層形成層１３Ａ、第１活性層形
成層１４Ａ、第１のｐ型クラッド層形成層１５Ａ、第２
のｐ型クラッド層形成層１６Ａ、第１電流ブロック層形
成層４８Ａ及び第１のｐ型コンタクト層形成層４９Ａに
対して化学的エッチングを行なうことにより、基板１１
上にバッファ層１２が露出する赤色レーザ素子形成領域
２を形成する。これにより、赤外レーザ素子形成領域１
には、第１のｎ型クラッド層形成層１３Ａから第１のｎ
型クラッド層１３が形成され、第１活性層形成層１４Ａ
から第１活性層１４が形成され、第１のｐ型クラッド層
形成層１５Ａから第１のｐ型クラッド層１５が形成さ
れ、第２のｐ型クラッド層形成層１６Ａから第２のｐ型
クラッド層１６が形成され、第１電流ブロック層形成層
４８Ａから第１電流ブロック層４８が形成され、第１の
ｐ型コンタクト層形成層４９Ａから第１のｐ型コンタク
ト層４９が形成される。ここで、赤色レーザ素子形成領
域２を形成するエッチング処理は基板１１に達するまで
行なってもよい。

【００９１】次に、図１１（ａ）に示すように、ＭＯＶ
ＰＥ法を用いて、基板１１上に赤色レーザ素子形成領域
２を含む全面にわたって、膜厚が約０．４μｍのｎ型Ｇ
ａＡｓからなる高さ調整用バッファ層形成層２０Ａを成
長させる。続いて、高さ調整用バッファ層形成層２０Ａ
の上に、膜厚が約１．１μｍのｎ型の(Ａｌ_0.7Ｇａ_{0. 3})
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第２のｎ型クラッド層形成層２３
Ａと、発振波長が６３５ｎｍ〜６８０ｎｍとなる組成を
持つＡｌＧａＩｎＰからなるＭＱＷ構造の第２活性層形
成層２４Ａと、膜厚が約０．２５μｍのｐ型の（Ａｌ
_0.7Ｇａ_0.3)_0.5Ｉｎ_0.5 Ｐからなる第４のｐ型クラッド
層形成層２５Ａと、膜厚が約０．００９μｍのｐ型の
（Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第５のｐ型ク
ラッド層形成層２６Ａと、膜厚が約２．２μｍのｐ型の
（Ａｌ_0.6Ｇａ_0.4）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第６のｐ型ク
ラッド層形成層５７Ａを順次成長させる。

【００９２】次に、図１１（ｂ）に示すように、第６の
ｐ型クラッド層形成層５７Ａにおける赤色レーザ素子形
成領域２に対して、第５のｐ型クラッド層形成層２６Ａ
をエッチングストッパとする化学的エッチングを選択的
に行なうことにより、第６のｐ型クラッド層形成層５７
Ａからなり、第３のｐ型クラッド層４７とほぼ平行に延
びるリッジ形状の第６のｐ型クラッド層５７を形成す
る。続いて、ＭＯＶＰＥ法により、第５のｐ型クラッド
層形成層２６Ａの上における第６のｐ型クラッド層５７
の側方の領域にｎ型の（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐ
からなる第２電流ブロック層形成層５８Ａを選択的に形
成する。続いて、第２電流ブロック層形成層５８Ａの上
に第６のｐ型クラッド層５７を含む全面にわたって高濃
度のｐ型のＧａＡｓからなる第１２ｐ型コンタクト層形
成層５９Ａを成長させる。

【００９３】次に、図１１（ｃ）に示すように、赤外レ
ーザ素子形成領域１及び赤色レーザ素子形成領域２をマ
スクして、高さ調整用バッファ層形成層２０Ａ、第２の
ｎ型クラッド層形成層２３Ａ、第２活性層形成層２４
Ａ、第４のｐ型クラッド層形成層２５Ａ、第５のｐ型ク
ラッド層形成層２６Ａ、第２電流ブロック層形成層５８
Ａ及び第２のｐ型コンタクト層形成層５９Ａに対して、
バッファ層１２又は基板１１が露出するまで化学的エッ
チングを行なって分離溝３を形成する。これにより、赤
色レーザ素子形成領域２に赤色半導体レーザ素子２Ｃが
形成される。従って、この赤色半導体レーザ素子２Ｃ
は、高さ調整用バッファ層形成層２０Ａからなる高さ調
整用バッファ層２０と、第２のｎ型クラッド層形成層２
３Ａからなる第２のｎ型クラッド層２３と、第２活性層
形成層２４Ａからなる第２活性層２４と、第４のｐ型ク
ラッド層形成層２５Ａからなる第４のｐ型クラッド層２
５と、第５のｐ型クラッド層形成層２６Ａからなる第５
のｐ型クラッド層２６と、第２電流ブロック層形成層５
８Ａからなる第２電流ブロック層５８と、第６のｐ型ク
ラッド層５７と、第２のｐ型コンタクト層形成層５９Ａ
からなる第２のｐ型コンタクト層５９とを含む構成とな
る。

【００９４】前述した第１の実施形態に係る半導体レー
ザ素子アレイは、各電流ブロック層に開口部を設ける、
いわゆるインナーストライプ型の電流チャネルを有する
構成であるのに対し、第２の実施形態に係る半導体レー
ザ素子アレイは、ｐ型クラッド層の上部にリッジ部を形
成し、該リッジ部の側方に電流ブロック層を設けること
により電流チャネルを設ける構成としている。

【００９５】第２の実施形態においても、各電流ブロッ
ク層のエネルギーギャップは各活性層のエネルギーギャ
ップよりも大きい。また、第１の実施形態で説明したよ
うに、赤外半導体レーザ素子１Ｃ及び赤色半導体レーザ
素子２Ｃに対して、それぞれ実効屈折率差Δｎが２×１
０^-3〜５×１０^-3となるように構造パラメータを選ぶこ
とにより、自励発振特性を実現させることができる。

【００９６】また、短波長側の赤色半導体レーザ素子２
Ｃには、バッファ層１２と第２のｎ型クラッド層２３と
の間に、該赤色半導体レーザ素子２Ｃの各半導体結晶の
品質を向上させ且つ赤外半導体レーザ素子１Ｃの第１活
性層１４との基板面からの高さを調整するための高さ調
整用バッファ２０を設けているため、各レーザ素子１
Ｃ、２Ｃの発光点の位置精度を容易に且つ確実に向上で
きる。

【００９７】また、赤外半導体レーザ素子１Ｃを赤色半
導体レーザ素子２Ｃよりも先に形成するため、赤色半導
体レーザ素子２Ｃのｐ型クラッド層２５、２６、５７に
含まれるｐ型ドーパントの亜鉛が第２活性層２４へ拡散
することを防止できる。

【００９８】（第２の実施形態の第１変形例）以下、本
発明の第２の実施形態の第１変形例について図面を参照
しながら説明する。

【００９９】図１２は第２の実施形態の第１変形例に係
る半導体レーザ素子アレイの断面構成を示している。こ
こで、図１２において、図９に示す構成部材と同一の構
成部材には同一の符号を付すことにより説明を省略す
る。図１２に示すように、ｎ型のＧａＡｓからなる基板
１１上には、分離溝３により互いに分離された赤外半導
体レーザ素子１Ｄ及び赤色半導体レーザ素子２Ｃがモノ
リシックに形成されている。

【０１００】第１変形例に係る赤外半導体レーザ素子１
Ｄは、第２のｐ型クラッド層６６がｐ型の（Ａｌ_x5Ｇａ
_1-x5）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなり、第３のｐ型クラッド層６
７がｐ型の（Ａｌ_x6Ｇａ_1-x6）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなり、
第１電流ブロック層６８がｎ型の（Ａｌ_y2Ｇａ_1-y2）
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなり、第１のｐ型コンタクト層６９が
ｐ型ＧａＡｓからなる点が、第２の実施形態に係る赤外
半導体レーザ素子１Ｃと異なる。すなわち、第２のｐ型
クラッド層６６、第３のｐ型クラッド層６７、第１電流
ブロック層６８及び第１のｐ型コンタクト層６９の各組
成を、赤色半導体レーザ素子２Ｃのそれぞれ対応する、
第５のクラッド層２６、第６のｐ型クラッド層５７、第
２電流ブロック層５８及び第２のｐ型コンタクト層５９
の各組成と同一としている。

【０１０１】このようにすると、第１電流ブロック層６
８及び第２電流ブロック層５８を１回の成長工程で形成
でき、また、第１のｐ型コンタクト層６９及び第２のｐ
型コンタクト層５９を１回の成長工程で形成できるた
め、製造工程を簡略化することができる。

【０１０２】以下、第１変形例に係る半導体レーザ素子
アレイの製造方法について図面を参照しながら説明す
る。

【０１０３】図１３（ａ）〜図１３（ｃ）及び図１４
（ａ）〜図１４（ｃ）は第１変形例に係る半導体レーザ
素子アレイの製造方法の工程順の断面構成を示してい
る。まず、図１３（ａ）に示すように、例えば、有機金
属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）法を用いて、ｎ型のＧａＡ
ｓからなる基板１１上に、ｎ型のＧａＡｓからなるバッ
ファ層１２と、膜厚が約１．５μｍのｎ型のＡｌ_0.5Ｇ
ａ_0.5Ａｓからなる第１のｎ型クラッド層形成層１３Ａ
と、発振波長が７５０ｎｍ〜８５０ｎｍとなる組成を有
し膜厚が約０．０６μｍのＡｌＧａＡｓからなる第１活
性層形成層１４Ａと、膜厚が約０．２５μｍのｐ型のＡ
ｌ_0.5Ｇａ_0.5Ａｓからなる第１のｐ型クラッド層形成層
１５Ａと、膜厚が約０．０１μｍのｐ型の（Ａｌ_0.5Ｇ
ａ_0.5）_0.5Ｉｎ_{0 .5}Ｐからなる第２のｐ型クラッド層形
成層６６Ａと、膜厚が約２．２μｍのｐ型の（Ａｌ_0.6
Ｇａ_0.4）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第３のｐ型クラッド層
形成層６７Ａを順次成長させる。

【０１０４】次に、図１３（ｂ）に示すように、第３の
ｐ型クラッド層形成層６７Ａの上の赤外レーザ素子形成
領域１をマスクして、第１のｎ型クラッド層形成層１３
Ａ、第１活性層形成層１４Ａ、第１のｐ型クラッド層形
成層１５Ａ、第２のｐ型クラッド層形成層６６Ａ及び第
３のｐ型クラッド層形成層６７Ａに対して化学的エッチ
ングを行なうことにより、基板１１上にバッファ層１２
が露出する赤色レーザ素子形成領域２を形成する。これ
により、赤外レーザ素子形成領域１には、第１のｎ型ク
ラッド層形成層１３Ａから第１のｎ型クラッド層１３が
形成され、第１活性層形成層１４Ａから第１活性層１４
が形成され、第１のｐ型クラッド層形成層１５Ａから第
１のｐ型クラッド層１５が形成され、第２のｐ型クラッ
ド層形成層６６Ａから第２のｐ型クラッド層６６が形成
される。ここで、赤色レーザ素子形成領域２を形成する
エッチングは、基板１１に達するまで行なってもよい。

【０１０５】次に、図１３（ｃ）に示すように、ＭＯＶ
ＰＥ法を用いて、基板１１上に赤色レーザ素子形成領域
２を含む全面にわたって、膜厚が約０．４μｍのｎ型Ｇ
ａＡｓからなる高さ調整用バッファ層形成層２０Ａを成
長させる。続いて、高さ調整用バッファ層形成層２０Ａ
の上に、膜厚が約１．１μｍのｎ型の(Ａｌ_0.7Ｇａ_{0. 3})
_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第２のｎ型クラッド層形成層２３
Ａと、発振波長が６３５ｎｍ〜６８０ｎｍとなる組成を
持つＡｌＧａＩｎＰからなるＭＱＷ構造の第２活性層形
成層２４Ａと、膜厚が約０．２５μｍのｐ型の(Ａｌ_0.7
Ｇａ_0.3）_0.5Ｉｎ_0.5 Ｐからなる第４のｐ型クラッド層
形成層２５Ａと、膜厚が約０．００９μｍのｐ型の（Ａ
ｌ_0.1Ｇａ_0.9）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第５のｐ型クラッ
ド層形成層２６Ａと、膜厚が約２．２μｍのｐ型の（Ａ
ｌ_0.6Ｇａ_0.4）_0.5Ｉｎ_0.5Ｐからなる第６のｐ型クラッ
ド層形成層５７Ａを順次成長させる。

【０１０６】次に、図１４（ａ）に示すように、第６の
ｐ型クラッド層形成層５７Ａの上の赤色レーザ素子形成
領域２をマスクして、赤外レーザ素子形成領域１の第３
のｐ型クラッド層形成層６７Ａが露出するまで化学的エ
ッチングを行なう。その後、露出した第３のｐ型クラッ
ド層形成層６７Ａ及び第６のｐ型クラッド層形成層５７
Ａに対して、第２のｐ型クラッド層形成層６６及び第５
のｐ型クラッド層形成層２６Ａをそれぞれエッチングス
トッパとする化学的エッチングを選択的に行なうことに
より、互いに間隔をおき且つほぼ平行に延びるリッジ形
状を持つ第３のｐ型クラッド層６７及び第６のｐ型クラ
ッド層形成層５７を同時に形成する。

【０１０７】次に、図１４（ｂ）に示すように、ＭＯＶ
ＰＥ法により、第２のｐ型クラッド層６６及び第５のｐ
型クラッド層形成層２６Ａの上における第３のｐ型クラ
ッド層６７及び第６のｐ型クラッド層５７の側方の領域
を充填するようにｎ型の（Ａｌ_0.5Ｇａ_0.5）_0.5Ｉｎ_0.5
Ｐからなる第２電流ブロック層形成層５８Ａを成長さ
せ、続いて、第２電流ブロック層形成層５８Ａの上に第
３のｐ型クラッド層６７及び第６のｐ型クラッド層５７
を含む全面にわたって高濃度のｐ型のＧａＡｓからなる
第２のｐ型コンタクト層形成層５９Ａを成長させる。

【０１０８】次に、図１４（ｃ）に示すように、第２の
ｐ型コンタクト層形成層２９Ａの上の赤外レーザ素子形
成領域１及び赤色レーザ素子形成領域２をマスクして、
高さ調整用バッファ層形成層２０Ａ、第２のｎ型クラッ
ド層形成層２３Ａ、第２活性層形成層２４Ａ、第４のｐ
型クラッド層形成層２５Ａ、第５のｐ型クラッド層形成
層２６Ａ、第２電流ブロック層形成層５８Ａ及び第２の
ｐ型コンタクト層形成層５９Ａに対して、バッファ層１
２又は基板１１が露出するまで化学的エッチングを行な
って分離溝３を形成する。これにより、赤外レーザ素子
形成領域１には、第１ｐ型クラッド層６６の上に、第２
電流ブロック層形成層５８Ａからなる第１電流ブロック
層６８と、第２のｐ型コンタクト層形成層５９Ａからな
る第１のｐ型コンタクト層６９が形成されることによ
り、赤外半導体レーザ素子１Ｄが完成する。一方、赤色
レーザ素子形成領域２には、第２の実施形態と同一の構
成の赤色半導体レーザ素子２Ｃが完成する。

【０１０９】このように、本変形例によると、第２のｐ
型クラッド層６６と第５のｐ型クラッド層２６とを同一
の組成とし、第３のｐ型クラッド層６７と第６のｐ型ク
ラッド層５７とも同一の組成としているため、第１電流
ブロック層６８及び第２電流ブロック層５８を一の半導
体層である第２電流ブロック層形成層５８Ａから形成で
きる。同様に、一の半導体層である第２のｐ型コンタク
ト層形成層２９Ａから第１のｐ型コンタクト層６９及び
第２のｐ型コンタクト層５９を形成できるため、結晶成
長工程を削減することができる。

【０１１０】その上、それぞれリッジ形状を持つ第３の
ｐ型クラッド層６７及び第６のｐ型クラッド層５７を１
度のフォトリソグラフィ工程で形成できるため、各レー
ザ素子１Ｄ、２Ｃの発光点の位置精度を向上することが
できる。

【０１１１】なお、本変形例とは逆に、赤外半導体レー
ザ素子１Ｄの第２のｐ型クラッド層６６、第１電流ブロ
ック層６７及び第３のｐ型クラッド層６８の組成、並び
に赤色半導体レーザ素子２Ｃの第５のｐ型クラッド層２
６、第２電流ブロック層５８及び第６のｐ型クラッド層
５７の組成を共にＡｌＧａＡｓとしてもよい。

【０１１２】なお、第２変形例として、図１５に示すよ
うに、分離溝３により分離された、第１の実施形態に係
る赤外半導体レーザ素子１Ａと、第２の実施形態に係る
赤色半導体レーザ素子２Ｃとをモノリシックに形成して
も良い。

【０１１３】

【発明の効果】本発明に係る半導体レーザ素子アレイ及
びその製造方法によると、第１のレーザ素子の第１活性
層よりもエネルギーギャップが大きい第２活性層を有す
る第２のレーザ素子は、基板と第３クラッド層との間に
設けられ、第２活性層が第１活性層の基板面からの高さ
とほぼ同等の高さとなるように膜厚が設定された高さ調
整用バッファ層を有しているため、第２のレーザ素子の
結晶性が向上するだけでなく、第１活性層と第２活性層
との基板面からの高さを実質的に一致させることができ
るので、波長が異なる２つのレーザ光の発光点位置の高
さのばらつきを防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ素
子アレイを示す構成断面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ素
子アレイの赤外半導体レーザ素子における第１のｐ型ク
ラッド層の膜厚及び第３のｐ型クラッド層のＡｌ組成
と、実効屈折率差Δｎとの関係を示すグラフである。

【図３】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係
る半導体レーザ素子アレイの製造方法を示す工程順の構
成断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係
る半導体レーザ素子アレイの製造方法を示す工程順の構
成断面図である。

【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ素
子アレイが実装された状態を示す構成断面図である。

【図６】本発明の第１の実施形態の一変形例に係る半導
体レーザ素子アレイを示す構成断面図である。

【図７】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態の一
変形例に係る半導体レーザ素子アレイの製造方法を示す
工程順の構成断面図である。

【図８】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第１の実施形態の一
変形例に係る半導体レーザ素子アレイの製造方法を示す
工程順の構成断面図である。

【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ素
子アレイを示す構成断面図である。

【図１０】（ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態に
係る半導体レーザ素子アレイの製造方法を示す工程順の
構成断面図である。

【図１１】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態に
係る半導体レーザ素子アレイの製造方法を示す工程順の
構成断面図である。

【図１２】本発明の第２の実施形態の第１変形例に係る
半導体レーザ素子アレイを示す構成断面図である。

【図１３】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態の
第１変形例に係る半導体レーザ素子アレイの製造方法を
示す工程順の構成断面図である。

【図１４】（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施形態の
第１変形例に係る半導体レーザ素子アレイの製造方法を
示す工程順の構成断面図である。

【図１５】本発明の第２の実施形態の第２変形例に係る
半導体レーザ素子アレイを示す構成断面図である。

【符号の説明】

１ 赤外レーザ素子形成領域 ２ 赤外レーザ素子形成領域 ３ 分離溝 １Ａ 赤外半導体レーザ素子（第１のレーザ素子） １Ｂ 赤外半導体レーザ素子（第１のレーザ素子） １Ｃ 赤外半導体レーザ素子（第１のレーザ素子） １Ｄ 赤外半導体レーザ素子（第１のレーザ素子） ２Ａ 赤色半導体レーザ素子（第２のレーザ素子） ２Ｃ 赤色半導体レーザ素子（第２のレーザ素子） １０ サブマウント １１ 基板 １２ バッファ層 １３ 第１のｎ型クラッド層 １４ 第１活性層 １５ 第１のｐ型クラッド層 １６ 第２のｐ型クラッド層 １７ 第１電流ブロック層 １７ａ 開口部 １８ 第３のｐ型クラッド層 １９ 第１のｐ型コンタクト層 ２０ 高さ調整用バッファ層 ２３ 第２のｎ型クラッド層 ２４ 第２活性層 ２５ 第４のｐ型クラッド層 ２６ 第５のｐ型クラッド層 ２７ 第２電流ブロック層 ２７ａ 開口部 ２８ 第６のｐ型クラッド層 ２９ 第２のｐ型コンタクト層 １３Ａ 第１のｎ型クラッド層形成層 １４Ａ 第１活性層形成層 １５Ａ 第１のｐ型クラッド層形成層 １６Ａ 第２のｐ型クラッド層形成層 １７Ａ 第１電流ブロック層形成層 １８Ａ 第３のｐ型クラッド層形成層 １９Ａ 第１のｐ型コンタクト層形成層 ２０Ａ 高さ調整用バッファ層形成層 ２３Ａ 第２のｎ型クラッド層形成層 ２４Ａ 第２活性層形成層 ２５Ａ 第４のｐ型クラッド層形成層 ２６Ａ 第５のｐ型クラッド層 ２７Ａ 第２電流ブロック層形成層 ２８Ａ 第６のｐ型クラッド層形成層 ２９Ａ 第２のｐ型コンタクト層形成層 ３６ 第５のｐ型クラッド層 ３７ 第２電流ブロック層 ３７ａ 開口部 ３８ 第６のｐ型クラッド層 ３９ 第２のｐ型コンタクト層 ３６Ａ 第２のｐ型クラッド層形成層 ３７Ａ 第１電流ブロック層形成層 ４７ 第３のｐ型クラッド層 ４８ 第１電流ブロック層 ４９ 第１のｐ型コンタクト層 ５７ 第６のｐ型クラッド層 ５８ 第２電流ブロック層 ５９ 第２のｐ型コンタクト層 ４７Ａ 第３のｐ型クラッド層形成層 ４８Ａ 第１電流ブロック層形成層 ４９Ａ 第１のｐ型コンタクト層形成層 ５８Ａ 第２電流ブロック層形成層 ５９Ａ 第２のｐ型コンタクト層形成層 ６６ 第２のｐ型クラッド層 ６７ 第３のｐ型クラッド層 ６８ 第１電流ブロック層 ６９ 第１のｐ型コンタクト層 ６７Ａ 第３のｐ型クラッド層形成層

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一の基板の上に形成された第１導電型の
   第１の半導体からなる第１クラッド層、該第１クラッド
   層の上に形成された第２の半導体からなる第１活性層及
   び該第１活性層の上に形成された第２導電型の第３の半
   導体からなる第２クラッド層とを有する第１のレーザ素
   子と、 前記一の基板の上に前記第１のレーザ素子と間隔をおい
   て形成された第１導電型の第４の半導体からなる第３ク
   ラッド層、該第３クラッド層の上に形成され、前記第１
   活性層よりもエネルギーギャップが大きい第５の半導体
   からなる第２活性層、及び該第２活性層の上に形成され
   た第２導電型の第６の半導体からなる第４クラッド層と
   を有する第２のレーザ素子とを備え、 前記第２のレーザ素子は、前記基板と前記第３クラッド
   層との間に設けられ、前記第２活性層が前記第１活性層
   の基板面からの高さとほぼ同等の高さとなるように膜厚
   が設定された第１導電型の第７の半導体からなる高さ調
   整用バッファ層を有していることを特徴とする半導体レ
   ーザ素子アレイ。
2. 【請求項２】 前記第１のレーザ素子は、前記第２クラ
   ッド層の上に形成され、前記第１活性層にキャリアを選
   択的に注入するためのストライプ状の開口部を持ち、前
   記第１活性層よりも大きいエネルギーギャップを持つ第
   ８の半導体からなる第１電流ブロック層を有し、 前記第２のレーザ素子は、前記第４クラッド層の上に形
   成され、前記第２活性層にキャリアを選択的に注入する
   ためのストライプ状の開口部を持ち、前記第２活性層よ
   りも大きいエネルギーギャップを持つ第９の半導体から
   なる第２電流ブロック層を有していることを特徴とする
   請求項１に記載の半導体レーザ素子アレイ。
3. 【請求項３】 前記第１のレーザ素子は、前記第１電流
   ブロック層の開口部に含まれる領域における基板面に対
   して垂直な方向の実効屈折率と、前記第１電流ブロック
   層の開口部を除く領域における基板面に対して垂直な方
   向の実効屈折率との差が約２×１０^-3〜約１×１０^-2で
   あり、 前記第２のレーザ素子は、前記第２電流ブロック層の開
   口部に含まれる領域における基板面に対して垂直な方向
   の実効屈折率と、前記第２電流ブロック層の開口部を除
   く領域における基板面に対して垂直な方向の実効屈折率
   との差が約２×１０^-3〜約１×１０^-2であることを特徴
   とする請求項２に記載の半導体レーザ素子アレイ。
4. 【請求項４】 前記第１電流ブロック層は、第１導電型
   で且つヒ素を含み、前記第２電流ブロック層は、第１導
   電型で且つリンを含むことを特徴とする請求項２に記載
   の半導体レーザ素子アレイ。
5. 【請求項５】 前記第１電流ブロック層及び第２電流ブ
   ロック層は、第１導電型で且つリンを含むことを特徴と
   する請求項２に記載の半導体レーザ素子アレイ。
6. 【請求項６】 前記第１電流ブロック層及び第２電流ブ
   ロック層は、第１導電型で且つヒ素を含むことを特徴と
   する請求項２に記載の半導体レーザ素子アレイ。
7. 【請求項７】 一の基板の上に第１導電型の第１の半導
   体からなる第１クラッド層を形成する工程と、 前記第１クラッド層の上に第２の半導体からなる第１活
   性層を形成する工程と、 前記第１活性層の上に第２導電型の第３の半導体からな
   る第２クラッド層を形成する工程と、 前記第２クラッド層の上に、ストライプ状の開口部を持
   ち且つ前記第１活性層からの発光光をほとんど吸収しな
   い第４の半導体からなる第１電流ブロック層を形成する
   工程と、 前記第１電流ブロック層の上に前記開口部を含む全面に
   わたって第２導電型の第５の半導体からなる第３クラッ
   ド層を形成する工程と、 前記第３クラッド層の上における前記第１電流ブロック
   層の開口部を含む領域をマスクして、前記第１クラッド
   層、第１活性層、第２クラッド層、第１電流ブロック層
   及び第３クラッド層に対してエッチングを行なうことに
   より、前記第１クラッド層、第１活性層、第２クラッド
   層、第１電流ブロック層及び第３クラッド層を含む第１
   の半導体レーザ素子を形成すると共に、前記一の基板上
   に第２のレーザ素子形成領域を形成する工程と、 前記第２のレーザ素子形成領域の上に、第１導電型の第
   ６の半導体からなる高さ調整用バッファ層を形成する工
   程と、 前記高さ調整用バッファ層の上に第１導電型の第７の半
   導体からなる第４クラッド層を形成する工程と、 前記第４クラッド層の上に、前記第１活性層よりもエネ
   ルギーギャップが大きい第８の半導体からなる第２活性
   層を形成する工程と、 前記第２活性層の上に第２導電型の第９の半導体からな
   る第５クラッド層を形成する工程と、 前記第５クラッド層の上に、前記第１電流ブロック層の
   開口部の長手方向とほぼ同一の方向に延びるストライプ
   状の開口部を持ち且つ前記第２活性層からの発光光をほ
   とんど吸収しない第１０の半導体からなる第２電流ブロ
   ック層を形成する工程と、 前記第２電流ブロック層の上に前記開口部を含む全面に
   わたって第２導電型の第１１の半導体からなる第６クラ
   ッド層を形成する工程と、 前記第６クラッド層の上における前記第２電流ブロック
   層の開口部を含む領域をマスクして、前記高さ調整用バ
   ッファ層、第４クラッド層、第２活性層、第５クラッド
   層、第２電流ブロック層及び第６クラッド層に対してエ
   ッチングを行なうことにより、前記高さ調整用バッファ
   層、第４クラッド層、第２活性層、第５クラッド層、第
   ２電流ブロック層及び第６クラッド層を含む第２の半導
   体レーザ素子を形成する工程とを備えていることを特徴
   とする半導体レーザ素子アレイの製造方法。
8. 【請求項８】 前記第３クラッド層及び第６クラッド層
   は、上面同士の基板面からの高さの誤差が約±１μｍ以
   下となるように形成されていることを特徴とする請求項
   ７に記載の半導体レーザ素子アレイの製造方法。
9. 【請求項９】 一の基板の上に第１導電型の第１の半導
   体からなる第１クラッド層を形成する工程と、 前記第１クラッド層の上に第２の半導体からなる第１活
   性層を形成する工程と、 前記第１活性層の上に第２導電型の第３の半導体からな
   る第２クラッド層を形成する工程と、 前記第２クラッド層の上に、前記第１活性層からの発光
   光をほとんど吸収しない第４の半導体からなる第１電流
   ブロック層を形成する工程と、 前記第１電流ブロック層の上における第１のレーザ素子
   形成領域をマスクして、前記第１クラッド層、第１活性
   層、第２クラッド層及び第１電流ブロック層に対してエ
   ッチングを行なうことにより、第１の半導体レーザ素子
   の一部を形成すると共に、前記一の基板上に第２のレー
   ザ素子形成領域を形成する工程と、 前記第２のレーザ素子形成領域の上に、第１導電型の第
   ５の半導体からなる高さ調整用バッファ層を形成する工
   程と、 前記高さ調整用バッファ層の上に第１導電型の第６の半
   導体からなる第３クラッド層を形成する工程と、 前記第３クラッド層の上に、前記第１活性層よりもエネ
   ルギーギャップが大きい第７の半導体からなる第２活性
   層を形成する工程と、 前記第２活性層の上に第２導電型の第８の半導体からな
   る第４クラッド層を形成する工程と、 前記第４クラッド層の上に、ストライプ状の開口部を持
   ち且つ前記第２活性層からの発光光をもほとんど吸収し
   ない前記第４の半導体からなる第２電流ブロック層を形
   成する工程と、 前記第１電流ブロック層及び第２電流ブロック層に対し
   てそれぞれエッチングを行なって互いに間隔をおき且つ
   ほぼ平行に延びるストライプ状の開口部を形成する工程
   と、 前記第１電流ブロック層及び第２電流ブロックの上に前
   記各開口部を含む全面にわたって第２導電型の第９の半
   導体層を形成する工程と、 前記第９の半導体層における前記第１のレーザ素子形成
   領域及び第２のレーザ素子形成領域をマスクして、少な
   くとも前記第９の半導体層に対してエッチングを行なっ
   て、前記第１電流ブロック層の上に前記第９の半導体層
   からなる第５クラッド層と、前記第２電流ブロック層の
   上に前記第９の半導体層からなる第６クラッド層とを形
   成することにより、前記第５クラッド層を含む第１の半
   導体レーザ素子の残部を形成すると共に、前記高さ調整
   用バッファ、第３クラッド層、第２活性層、第４クラッ
   ド層及び第６クラッド層を含む第２の半導体レーザ素子
   を形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体
   レーザ素子アレイの製造方法。
10. 【請求項１０】 前記第５クラッド層及び第６クラッド
    層は、上面同士の基板面からの高さの誤差が約±１μｍ
    以下となるように形成されていることを特徴とする請求
    項９に記載の半導体レーザ素子アレイの製造方法。
11. 【請求項１１】 一の基板の上に第１導電型の第１の半
    導体からなる第１クラッド層を形成する工程と、 前記第１クラッド層の上に第２の半導体からなる第１活
    性層を形成する工程と、 前記第１活性層の上に第２導電型の第３の半導体からな
    る第２クラッド層を形成する工程と、 前記第２クラッド層の上に第２導電型の第４の半導体か
    らなるリッジ形状を持つ第３クラッド層を形成する工程
    と、 前記第２クラッド層の上における前記第３クラッド層の
    側方の領域に、前記第１活性層からの発光光をほとんど
    吸収しない第５の半導体からなる第１電流ブロック層を
    形成する工程と、 前記第１電流ブロック層の上における前記第３クラッド
    層を含む領域をマスクして、前記第１クラッド層、第１
    活性層、第２クラッド層及び第１電流ブロック層に対し
    てエッチングを行なうことにより、前記第１クラッド
    層、第１活性層、第２クラッド層、第３クラッド層及び
    第１電流ブロック層を含む第１の半導体レーザ素子を形
    成すると共に、前記一の基板上に第２のレーザ素子形成
    領域を形成する工程と、 前記第２のレーザ素子形成領域の上に、第１導電型の第
    ６の半導体からなる高さ調整用バッファ層を形成する工
    程と、 前記高さ調整用バッファ層の上に第１導電型の第７の半
    導体からなる第４クラッド層を形成する工程と、 前記第４クラッド層の上に、前記第１活性層よりもエネ
    ルギーギャップが大きい第８の半導体からなる第２活性
    層を形成する工程と、 前記第２活性層の上に第２導電型の第９の半導体からな
    る第５クラッド層を形成する工程と、 前記第５クラッド層の上に、第２導電型の第１０の半導
    体からなり前記第３クラッド層の長手方向とほぼ同一の
    方向に延びるリッジ形状を持つ第６クラッド層を形成す
    る工程と、 前記第５クラッド層の上における前記第６クラッド層の
    側方の領域に、前記第２活性層からの発光光をほとんど
    吸収しない第１１の半導体からなる第２電流ブロック層
    を形成する工程と、 前記第２電流ブロック層の上における前記第６クラッド
    層を含む領域をマスクして、前記高さ調整用バッファ
    層、第４クラッド層、第２活性層、第５クラッド層及び
    第２電流ブロック層に対してエッチングを行なうことに
    より、前記高さ調整用バッファ層、第４クラッド層、第
    ２活性層、第５クラッド層、第６クラッド層及び第２電
    流ブロック層を含む第２の半導体レーザ素子を形成する
    工程とを備えていることを特徴とする半導体レーザ素子
    アレイの製造方法。
12. 【請求項１２】 一の基板の上に第１導電型の第１の半
    導体からなる第１クラッド層を形成する工程と、 前記第１クラッド層の上に第２の半導体からなる第１活
    性層を形成する工程と、 前記第１活性層の上に第２導電型の第３の半導体からな
    る第２クラッド層を形成する工程と、 前記第２クラッド層の上に第２導電型の第４の半導体層
    を形成する工程と、 前記第４の半導体層の上における第１のレーザ素子形成
    領域をマスクして、前記第１クラッド層、第１活性層、
    第２クラッド層、第４の半導体層に対してエッチングを
    行なうことにより、第１の半導体レーザ素子の一部を形
    成すると共に、前記一の基板上に第２のレーザ素子形成
    領域を形成する工程と、 前記第２のレーザ素子形成領域の上に、第１導電型の第
    ５の半導体からなる高さ調整用バッファ層を形成する工
    程と、 前記高さ調整用バッファ層の上に第１導電型の第６の半
    導体からなる第３クラッド層を形成する工程と、 前記第３クラッド層の上に、前記第１活性層よりもエネ
    ルギーギャップが大きい第７の半導体からなる第２活性
    層を形成する工程と、 前記第２活性層の上に第２導電型の第８の半導体からな
    る第４クラッド層を形成する工程と、 前記第４クラッド層の上に、第２導電型の第９の半導体
    層を形成する工程と、 前記第４の半導体層及び第９の半導体層に対してそれぞ
    れエッチングを行なうことにより、互いに間隔をおき且
    つほぼ平行に延びるリッジ形状の、前記第４の半導体層
    からなる第５のクラッド層と、前記第９の半導体層から
    なる第６のクラッド層とを形成する工程と、 前記第２のクラッド層の上における前記第５クラッド層
    の側方の領域、及び前記第４クラッド層の上における前
    記第６クラッド層の側方の領域に前記第１活性層及び第
    ２活性層からの発光光をほとんど吸収しない第１０の半
    導体層を形成する工程と、 前記第１０の半導体層における前記第１のレーザ素子形
    成領域及び第２のレーザ素子形成領域をマスクして、少
    なくとも前記第１０の半導体層に対してエッチングを行
    なって、前記第２クラッド層の上に前記第１０の半導体
    層からなる第１電流ブロック層と、前記第４クラッド層
    の上に前記第１０の半導体層からなる第２電流ブロック
    層とを形成することにより、前記第１電流ブロック層を
    含む第１の半導体レーザ素子の残部を形成すると共に、
    前記高さ調整用バッファ層、第３クラッド層、第２活性
    層、第４クラッド層、第６クラッド層及び第２電流ブロ
    ック層を含む第２の半導体レーザ素子を形成する工程と
    を備えていることを特徴とする半導体レーザ素子アレイ
    の製造方法。
13. 【請求項１３】 前記第１電流ブロック層及び第２電流
    ブロック層は、上面同士の基板面からの高さの誤差が約
    ±１μｍ以下となるように形成されていることを特徴と
    する請求項１１又は１２に記載の半導体レーザ素子アレ
    イの製造方法。